CN117501413A - 基板处理方法、基板处理装置以及程序 - Google Patents
基板处理方法、基板处理装置以及程序 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117501413A CN117501413A CN202280042202.5A CN202280042202A CN117501413A CN 117501413 A CN117501413 A CN 117501413A CN 202280042202 A CN202280042202 A CN 202280042202A CN 117501413 A CN117501413 A CN 117501413A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- processing
- substrate
- abnormality
- series
- jump destination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 483
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 255
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 186
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 179
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims abstract description 171
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 98
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 claims description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 119
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 73
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 53
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 39
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 26
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 21
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 11
- 230000004044 response Effects 0.000 description 11
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 9
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 6
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 101000878595 Arabidopsis thaliana Squalene synthase 1 Proteins 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
本发明提供能够进行更适当的异常处理的技术。基板处理方法具有设定工序、基板处理工序、检测工序(S1)以及第一异常处理工序(S4)。在设定工序中,将用于规定对基板的一系列处理的复数个处理内容中的一个处理内容以与复数个处理内容中的各个处理内容对应的方式设定为跳转目的地。在基板处理工序中,对基板开始一系列处理。在检测工序(S1)中检测异常。在第一异常处理工序(S4)中,当检测到异常时,从与执行中的处理内容即执行内容对应地设定的跳转目的地开始进行一系列处理。
Description
技术领域
本发明涉及一种基板处理方法、基板处理装置以及程序。
背景技术
以往,提出一种用于处理基板的基板处理装置(例如,专利文献1)。基板处理装置包括:复数个处理单元;以及搬运机器人,将基板搬运至各处理单元。各处理单元一边使基板以水平姿势旋转,一边依次向该基板供给各种处理液。由此,能够依次对基板进行与处理液相对应的处理。例如,处理单元依次对基板进行药液处理、冲洗处理以及干燥处理。
当在该基板处理装置中检测到异常时,处理单元停止对基板的处理,并执行预先决定的异常处理。具体地说,处理单元进行冲洗处理以及干燥处理以作为异常处理。
因此,即使在异常发生时处理单元正在执行药液处理,也能够在将附着于基板的药液置换为冲洗液之后使基板干燥。由此,能够抑制因对残留于基板的药液放置不管所造成的基板的损伤。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-109347号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,根据异常产生的时机,可能会有不希望进行异常处理的情况。例如,当在干燥处理的执行中检测到异常时,若处理单元再次进行冲洗处理以及干燥处理作为异常处理,则变成进行不必要的冲洗处理。
此外,作为异常处理,采用预先决定的处理不一定都是最佳的。
因此,本发明的目的在于,提供能够进行更适当的异常处理的技术。
用于解决问题的手段
第一实施方式的基板处理方法具有:设定工序,将用于规定对基板的一系列处理的复数个处理内容中的一个所述处理内容以与复数个所述处理内容中的各个所述处理内容对应的方式,设定为跳转目的地;基板处理工序,对所述基板开始所述一系列处理;检测工序,检测异常;以及第一异常处理工序,当检测到所述异常时,从与执行中的处理内容即执行处理内容对应地设定的所述跳转目的地开始进行所述一系列处理。
第二实施方式的基板处理方法,在第一实施方式的基板处理方法中,所述基板处理方法还具有:第二异常处理工序,当未设定有检测到所述异常时的与所述执行内容对应的所述跳转目的地时,或者,当在所述第一异常处理工序的执行中检测到所述异常时,进行不依赖于所述执行内容的预先设定的第二异常处理。
第三实施方式的基板处理方法,在第一实施方式或第二实施方式的基板处理方法中,在所述设定工序中,在显示部显示复数个所述处理内容以及所述跳转目的地。
第四实施方式的基板处理方法,在第一实施方式至第三实施方式中任一实施方式的基板处理方法中,所述基板处理方法还具有:持续处理工序,当所述执行内容为将药液供给至所述基板的药液处理时,在所述第一异常处理工序之前持续进行所述药液处理。
第五实施方式的基板处理方法,在第四实施方式的基板处理方法中,在所述持续处理工序中,当到所述药液处理的结束时刻的剩余时间为阈值以下时,持续进行所述药液处理,当所述剩余时间大于所述阈值时,停止所述药液处理。
一种实施方式的基板处理装置,具有:处理单元,对基板进行一系列处理;传感器,检测异常;以及控制部,将用于规定所述一系列处理的复数个处理内容中的一个所述处理内容以与复数个所述处理内容中的各个所述处理内容对应的方式,设定为跳转目的地,并使所述处理单元对所述基板开始所述一系列处理,当所述传感器检测到所述异常时,使所述处理单元从与执行中的处理内容即执行内容对应地设定的所述跳转目的地开始进行所述一系列处理。
一种实施方式的程序,用于控制基板处理装置,所述基板处理装置具有对基板进行一系列处理的处理单元、以及检测异常的传感器,其中,所述程序用于使计算机执行以下工序:设定工序,将用于规定所述一系列处理的复数个处理内容中的一个所述处理内容以与复数个所述处理内容中的各个所述处理内容对应的方式设定为跳转目的地;基板处理工序,使所述处理单元对所述基板开始所述一系列处理;检测工序,检测异常;以及第一异常处理工序,当检测到所述异常时,使所述处理单元从与执行中的处理内容即执行内容对应地设定的所述跳转目的地开始进行所述一系列处理。
发明效果
根据第一实施方式的基板处理方法、实施方式的基板处理装置以及实施方式的程序,能够对基板进行适当的一系列处理的一部分作为第一异常处理。由此,能够对基板进行更为适当的第一异常处理。
根据第二实施方式的基板处理方法,能够提高能够补救基板的可能性。
根据第三实施方式的基板处理方法,用户能够一边容易地确认第一异常处理的内容,一边设定跳转目的地。
根据第四实施方式的基板处理方法,当对基板的药液处理结束时,不需要在异常处理后对基板进行处理,因此,能够直接使基板进入下一个制造工序。
根据第五实施方式的基板处理方法,能够缩短异常处理所需的时间。
附图说明
图1是概略性地示出基板处理装置的结构的一例的俯视图。
图2是概略性地示出控制部的结构的一例的图。
图3是概略性地示出处理单元的结构的一例的图。
图4是示出基板处理以及跳转目的地的一例的图。
图5是概略性地示出设置画面的一例的图。
图6是示出基板处理装置的动作的一例的流程图。
图7是示出当基板处理装置产生异常时的基板处理装置的动作的一例的流程图。
图8是概略性地示出第三实施方式的基板处理装置的结构的一例的图。
图9是示出当基板处理装置产生异常时的基板处理装置的动作的另一例的流程图。
图10是示出持续处理的一例的流程图。
图11是示出持续处理的另一例的流程图。
具体实施方式
以下一边参照附图一边说明实施方式。另外,该实施方式所记载的构成要素仅为例示,本发明的主旨并非是将本发明的范围限制为所述实施方式。在附图中,为了容易理解,有时根据需要而夸大或简化各构件的尺寸或数量来进行图示。
只要未特别地说明,则用于表示相对性的或者绝对性的位置关系的表现(例如“向一方向”、“沿一方向”、“平行”、“正交”、“中心”、“同心”以及“同轴”等)不仅严格地表示所指的位置关系,也表示在公差或者能够获得相同程度的功能的范围内角度或者距离相对性地位移的状态。只要未特别地说明,则用于表示相等的状态的表现(例如“相同”、“相等”以及“均质”等)不仅表示定量地且严密地相等的状态,也表示存在公差或者能够获得相同程度的功能的误差的状态。只要未特别地说明,则用于表示形状的表现(例如“四边形状”或者“圆筒形状”等)不仅几何学性地且严密地表示所指的形状,也表示在能够获得相同程度的技术效果的范围内具有例如凹凸或者倒角等的形状。“具备”、“具有”、“具备有”、“含有”或者“包括”一个构成要素的这种表现并非是将其他的构成要素的存在排除的排他式的表现。“A、B以及C中的至少任一个”的这种表现是包括只有A、只有B、只有C、A、B以及C中的任两个、A、B以及C全部。
<第一实施方式>
<基板处理装置100的整体结构>
图1是概略性示出实施方式的基板处理装置100的结构的一例的俯视图。基板处理装置100包括:装载埠101;分度器机器人110;中心机器人120;至少一个处理单元130(在图1中为4个处理单元);以及控制部90。
各处理单元130是一张一张地处理基板W的单张式的装置。处理单元130能够具有腔室1。在此情况下,由控制部90来控制腔室1内的气体环境,从而处理单元130能够在所希望的气体环境中进行基板处理。
控制部90能够控制基板处理装置100的各种结构的动作。承载器C是容纳基板W的容纳器。此外,装载埠101是用于保持复数个承载器C的容纳器保持机构。分度器机器人110能够在装载埠101与基板载置部140之间搬运基板W。中心机器人CR能够在基板载置部140与处理单元130之间搬运基板W。
通过以上的结构,分度器机器人110、基板载置部140以及中心机器人120作为在各个处理单元130与装载埠101之间搬运基板W的搬运机构发挥作用。
由分度器机器人110从承载器C中将未处理的基板W取出。然后,经由基板载置部140将未处理的基板W交接至中心机器人120。中心机器人120将未处理的基板W搬入至处理单元130。然后,处理单元130对基板W进行处理。
由中心机器人120从处理单元130中将在处理单元130中处理完毕的基板W取出。然后,在根据需要经由其他处理单元130之后,将处理完毕的基板W经由基板载置部140交接至分度器机器人110。分度器机器人110将处理完毕的基板W搬入承载器C。通过上述方式对基板W进行处理。
图2是概略性地示出控制部90的结构的一例的框图。控制部90可以由具有电路的一般计算机构成。具体地说,控制部90是例如具有CPU(Central Processor Unit;中央处理单元)等的运算处理装置91、ROM(Read Only Memory;只读存储器)等非暂时性的存储部92、RAM(Random Access Memory;随机存取存储器)等暂时性的存储部93、存储装置94、输入部96、显示部97、通信部98、以及将这些装置彼此连接的总线95。
存储部92存储基本程序。存储部93用作运算处理装置91进行规定的处理时的作业区域。存储装置94由闪存以及硬盘装置等非挥发性存储装置构成。输入部96包含鼠标以及键盘等各种开关或触控面板,并接收来自操作者的处理方案(operation recipe)等各种信息的输入。显示部97由例如液晶显示装置以及灯构成,在运算处理装置91的控制的下显示各种信息。通信部98具有经由LAN(Local Area Network;局域网络)等通信网络的数据通信功能。
存储装置94存储有例如处理程序94P。运算处理装置91通过执行处理程序94P而控制基板处理装置100的各结构。另外,处理程序94P也可以存储于光盘等便携式的存储介质。若使用该存储介质,则能够将处理程序94P安装至控制部90。此外,控制部90所执行的功能的一部分或全部不一定要由软件来实现,也可以由专用的逻辑电路等硬件来实现。
<处理单元130>
图3是概略性地示出处理单元130的结构的一例的图。图3所例示的处理单元130是能够对基板W进行各种处理的装置。以下,将处理单元130对基板W所进行的一系列的处理称为一系列处理。也能够将该一系列处理称为流程方案(flow recipe)。一系列处理包括例如药液处理、冲洗处理以及干燥处理。另外,在此,作为一例,设定在这些处理的前阶段所进行的预分配(pre-dispense)处理等的前处理、以及在这些处理的后阶段所进行的在处理单元130内的清洗处理等的后处理并不包含于一系列处理。
在图3的例子中,处理单元130包括腔室1、基板保持部2、喷嘴31以及传感器10。
腔室1的内部空间相当于用于处理基板W的处理空间。在腔室1的侧壁设置有搬运口(未图示)以及闸门(未图示),该搬运口用于与中心机器人120进行基板W的交接,该闸门用于对该搬运口进行开闭。
基板保持部2设置于腔室1内,将基板W保持为水平姿势。在此所说的水平姿势是基板W的厚度方向沿着铅垂方向的姿势。在图3的例子中,基板保持部2包括载物台21以及复数个夹具销22。载物台21具有圆板状,相比基板W更靠铅垂下方设置。载物台21以载物台21的厚度方向沿着铅垂方向的姿势设置。复数个夹具销22竖立设置于载物台21的上表面,把持基板W的周缘。另外,基板保持部2不一定要具有夹具销22。例如,基板保持部2也可以吸引基板W的下表面而吸附基板W。
在图3的例子中,基板保持部2还包括旋转机构23,使基板W以旋转轴线Q1为轴而旋转。旋转轴线Q1是通过基板W的中心部且沿着铅垂方向的轴。旋转机构23例如包括轴24以及马达25。轴24的上端与载物台21的下表面连接,并从载物台21的下表面沿着旋转轴线Q1延伸。马达25使轴24以旋转轴线Q1为轴而旋转,从而使载物台21旋转。由此,由复数个夹具销22所保持的基板W以旋转轴线Q1为轴而旋转。这样的基板保持部2也可称为旋转夹具。
以下,将与旋转轴线Q1有关的径向简称为径向。
喷嘴31设置于腔室1内。喷嘴31用于将处理液供给至基板W。在图1的例子中,喷嘴31经由供液管32与处理液供给源(未图示)连接。即,供液管32的下游端与喷嘴31连接,供液管32的上游端与处理液供给源连接。处理液供给源例如包括存储处理液的储罐(未图示),并将处理液供给至供液管32。例如,处理液包括用于去除基板W的对象物的蚀刻液等药液、用于冲洗药液的纯水等冲洗液、以及用于去除基板W的电荷的除电液中的至少任一个。
在供液管32上设置有阀33。当阀33进行打开动作时,处理液从处理液供给源通过供液管32供给至喷嘴31,并从喷嘴31喷出。当阀33进行关闭动作时,结束从喷嘴31喷出处理液。
如图3所例示那样,处理单元130可以包括复数个喷嘴31。也可以向各喷嘴31供给不同种类的处理液。
在图3的例子中,喷嘴31以通过喷嘴移动机构4能够移动的方式设置于腔室1内。喷嘴移动机构4使喷嘴31在处理位置与待机位置之间移动。处理位置是喷嘴31将处理液供给至基板W的位置,例如为与基板W的中央部在铅垂方向上彼此相对的位置。待机位置是喷嘴31不将处理液供给至基板W的位置,例如为比基板保持部2更靠径向外侧的位置。在喷嘴31位于待机位置的状态下,喷嘴31不会干扰基板保持部2与中心机器人120之间的基板W的搬运路径。
在图3的例子中,喷嘴移动机构4包括臂41、支撑柱42、以及转动机构43。臂41具有沿着水平方向延伸的棒状形状,臂41的顶端与喷嘴31结合。臂41的基端与支撑柱42结合。支撑柱42相比后述的挡板7更靠径向外侧设置,并沿着铅垂方向延伸。转动机构43使支撑柱42以支撑柱42的中心轴线Q2为轴而转动。转动机构43例如包括马达。通过转动机构43使支撑柱42转动,从而臂41以及喷嘴31以中心轴线Q2为轴而转动。支撑柱42设置于腔室1内的规定位置,以使处理位置以及待机位置位于喷嘴31的动作路径上。
在图3中,设置有复数个喷嘴移动机构4,各喷嘴移动机构4分别使一个以上的喷嘴31移动。在图3的例子中,复数个喷嘴31(在此为两个)与一个臂41结合。由此,通过该臂41利用转动机构43转动,从而安装于该臂41的复数个喷嘴31一体地移动。虽然在图3的例子中设置了两个喷嘴移动机构4,但也可设置三个以上的喷嘴移动机构4。此外,各喷嘴移动机构4所移动的喷嘴31的数量也能够适当地变更。换句话说,能够适当变更与臂41结合的喷嘴31的数量。
处理单元130是通过依次地从各喷嘴31向旋转中的基板W喷出处理液,能够依次地进行基于各处理液的处理(药液处理以及冲洗处理)。例如,当进行药液处理时,处理单元130利用喷嘴移动机构4使能够喷出药液的喷嘴31移动至处理位置,并将与该喷嘴31对应的阀33打开,从而将药液供给至旋转中的基板W。由此,能够对基板W进行药液处理。
在图3的例子中,固定喷嘴51也设置于腔室1内。固定喷嘴51固定于腔室1内,用于将冲洗液供给至基板W。在图3的例子中,固定喷嘴51相比基板保持部2更靠径向外侧设置,将冲洗液释放至基板W的上表面。在图3的例子中,固定喷嘴51的喷出口朝向基板W的上表面的中央部。由此,从固定喷嘴51喷出的冲洗液附着于基板W的上表面的中央部。
固定喷嘴51通过供液管52与冲洗液供给源(未图示)连接。即,供液管52的下游端与固定喷嘴51连接,供液管52的上游端与冲洗液供给源连接。冲洗液供给源例如包括用于存储冲洗液的储罐(未图示),将冲洗液供给至供液管52。冲洗液例如为纯水或异丙醇。
在供液管52上设置有阀53。当阀53进行打开动作时,冲洗液从处理液供给源通过供液管52供给至固定喷嘴51,并从固定喷嘴51喷出。当阀53进行关闭动作时,结束从固定喷嘴51喷出冲洗液。
处理单元130能够通过从固定喷嘴51朝向旋转中的基板W喷出冲洗液,对基板W进行冲洗处理。由于固定喷嘴51不会因为喷嘴移动机构4那样的驱动机构而位移,因此不会产生驱动系统的异常,可靠性高。
在图3的例子中,在腔室1内还设有阻断板6。阻断板6相比被基板保持部2所保持的基板W更靠铅垂上方设置,并在铅垂方向上与基板W相对。阻断板6是具有与基板W的直径大致相同或比基板W的直径还要略大的直径的圆板状的构件。阻断板6以阻断板6的中心轴线与旋转轴线Q1一致的方式,在比基板保持部2更靠铅垂上方以水平姿势设置。阻断板6的下表面形成为平坦,并与被基板保持部2所保持的基板W相对。
此外,在阻断板6的中央部形成有在铅垂方向上贯穿该阻断板6的通孔。该通孔的下端在阻断板6的下表面的中央部开口。在阻断板6的上表面安装有支撑轴60。支撑轴60为中空,支撑轴60的内部空间与该通孔连通。供液管61以非接触状态插入贯通支撑轴60的中空部。供液管61的下端是达到阻断板6的通孔。
在供液管61的下端形成有喷嘴61b,该喷嘴61b具有用于向基板W的上表面的中央部喷出处理液的喷出口61a。供液管62的下游端与供液管62的上游端连接,经由供液管62供给来自未图示的处理液供给源的处理液(药液或冲洗液)。供给至供液管61的处理液从喷嘴61b的喷出口61a向下方喷出。在供液管62上设置有阀63,该阀63用于在对供液管61进行处理液的供给与停止供给之间进行切换。
此外,在支撑轴60与供液管61之间形成有包围供液管61的供气路径64。供气管65与供气路径64连接。来自未图示的气体供给源的气体经由供气管65供给至供气路径64。供给至供气路径64的气体在供气路径64中向下方流动,并从阻断板6的通孔向下方喷出。阻断板6的内周面(划分通孔的面)与喷嘴61b的外周面之间为用于喷出来自供气路径64的气体的气体喷出口66。作为供给至供气路径64的气体,使用例如氮气等非活性气体。此外,在供气管65上设置有阀67,该阀67用于在将气体供给至供气路径64以及停止供给之间进行切换。
此外,升降机构68以及旋转机构69与支撑轴60结合。通过将升降机构68的驱动力输入至支撑轴60,支撑轴60以及阻断板6在接近位置与待机位置之间一体地升降,该接近位置是阻断板6的下表面接近基板W的上表面的位置,该待机位置是比接近位置更靠铅垂上方的位置。升降机构68例如具有包括马达的滚珠丝杠机构或气缸机构。在图2中示出支撑轴60以及阻断板6在待机位置停止的状态。
通过将旋转机构69的驱动力输入至支撑轴60,使支撑轴60以及阻断板6以旋转轴线Q1为轴而一体地旋转。旋转机构69例如包括马达。
在使阻断板6下降至接近位置的状态下,能够使阻断板6与基板W之间的空间的体积变小。由此,容易控制该空间的气体环境。例如,若打开阀67并从气体喷出口66喷出氮气,则能够提高该空间中的氮气的比例,从而使氧气的比例降低。而且,通过一边控制该空间的气体环境,一边打开阀63而从喷嘴61b喷出处理液,能够在规定的气体环境下对基板W进行处理。
或者,在干燥处理中也能够活用阻断板6。例如,在使阻断板6下降至接近位置的状态下,一边从气体喷出口66喷出氮气,基板保持部2一边使基板W高速地旋转(旋转干燥)。由此,能够通过氮气按压处理液并使处理液朝向基板W的周缘移动,或者,能够促进处理液的蒸发,因此,能够使基板W更有效地干燥。
如上所述,由于上述例示的处理单元130包括喷嘴31、固定喷嘴51以及喷嘴61b,因此,能够进行各种处理。另外,在对基板W所作的一系列处理(流程方案)中,处理单元130不一定要使用所有的喷嘴。由于根据基板W的种类以及制造阶段而对基板W的一系列处理有所不同,因此,在该一系列处理中使用所需的喷嘴即可。
此外,在图3的例子中,在腔室1内还设置有挡板7。挡板7具有包围被基板保持部2所保持的基板W的筒状的形状。挡板7接住从基板W的周缘飞散的处理液。
在图3的例子中设置有复数个(在图中为三个)挡板7。以下,根据需要有时将三个挡板7称为挡板71、挡板72以及挡板73的情况。复数个挡板7配置为同心状。在图3的例子中,挡板71、挡板72以及挡板73从径向内侧向径向外侧依次设置。此外,各挡板7设置为能够利用升降机构74升降。升降机构74例如具有包括马达的滚珠丝杠机构或气缸机构。
当升降机构74使所有的挡板7上升至上方位置的状态下,内侧的挡板71接住从基板W飞散的处理液,并将该处理液引导至回收管81。在升降机构74仅使内侧的挡板71下降至下方位置的状态下,挡板72接住处理液,并将该处理液引导至回收管82。在升降机构74仅使外侧的挡板73上升至上方位置的状态下,挡板73接住处理液,并将该处理液引导至回收管83。
如上所述,升降机构74根据处理液的种类而使各挡板7升降,从而能够将处理液引导至回收管81至回收管83中的与处理液的种类对应的回收管。各回收管的供给目的地可以为与处理液的种类对应的处理液供给源的储罐,也可以为外部的废液部。
传感器10检测处理单元130中的各种异常。例如,传感器10包括检测基板保持部2的旋转机构23的异常的传感器、检测各处理液的漏液异常的传感器、检测喷嘴移动机构4的异常的传感器、检测升降机构74的异常的传感器、检测升降机构68的异常的传感器、以及检测旋转机构69的异常的传感器中的至少任一个。
另外,传感器10所检测的异常并不限于上述,也可以为其他种类的异常。例如,当设置有用于排出腔室1内的气体的排气机构(未图示)时,传感器10也可以检测排气机构的异常。此外,当腔室1设置有维护用的可装卸盖(未图示)时,传感器10也可以检测可装卸盖的装卸状态。由于可装卸盖在维护时被拆下并由用户进行腔室1内的维护,因此,当基板处理时可装卸盖被拆下时,传感器10将可装卸盖的卸除检测为异常。
<基板处理以及异常处理>
接着说明各处理单元130所执行的基板处理(一系列处理)以及异常处理的一例。在此所说的异常处理是指在基板处理装置100发生异常时用来补救基板W的处理。
<基板处理>
对基板W的一系列处理的内容能够如后述般由用户设定。在此,作为一例,将一系列处理设定为依次执行药液处理、冲洗处理以及干燥处理。此外,在此,作为一例,设定不使用喷嘴61b以及固定喷嘴51。
如后所述,药液处理、冲洗处理以及干燥处理等处理(即,工艺方案(processrecipe))是以经更细分化的处理内容(以下称为方案步骤)来规定。即,一系列处理是由复数个工艺方案所规定,各工艺方案由复数个方案步骤所规定。
图4是依每个方案步骤示出一系列处理的流程的一例的图。图4所示的表的第一列表示方案步骤的执行顺序,第二列表示方案步骤的内容。在图4的例子中,将“准备药液处理”设定为第一个方案步骤。在该方案步骤中,规定了进行药液处理的准备的处理。例如,规定了臂41以及挡板7的移动。在此,在药液处理中,从某个臂41的喷嘴31喷出药液,并由挡板72接住从基板W飞散的药液。在该情况下,在该方案步骤中,规定了该臂41移动至处理位置以及挡板72、73上升至上方位置。
在图4的例子中,将“开始药液处理”设定为第二个方案步骤。再者,虽然省略图示,但将“药液处理”设定为第三个方案步骤以及第四个方案步骤,将“结束药液处理”设定为第五个方案步骤。在这些方案步骤中,例如规定了基板W的转速、药液的流量以及所需时间,当复数个喷嘴31与臂41结合时,也规定了喷嘴31中的用于喷出药液的喷嘴。所需时间是指各方案步骤所需的时间。此外,在与“结束药液处理”对应的方案步骤中,根据需要而规定臂41移动至待机位置。具体地说,在下个工艺方案(在此为冲洗处理)中,当从同一个臂41的喷嘴31喷出冲洗液时,不规定臂41向待机位置的移动,当从其他的臂41的喷嘴31喷出冲洗液时,规定臂41移动至待机位置。在此,设定由同一个臂41的喷嘴31喷出冲洗液。
在图4的例子中,将“开始冲洗处理”设定为第六个方案步骤。在此,在冲洗处理中,利用挡板71来接住从基板W飞散的冲洗液。在该情况下,在“开始冲洗处理”的方案步骤中,规定了挡板71至挡板73上升至上方位置。再者,虽然省略图示,但将“冲洗处理”设定为第七个方案步骤,将“结束冲洗处理”设定为第八个方案步骤。在这些方案步骤中,例如规定了基板W的转速、喷嘴31中的用于喷出冲洗液的喷嘴、冲洗液的流量以及所需时间。此外,在“结束冲洗处理”的方案步骤中,根据需要而规定臂41移动至待机位置。
在图4的例子中,将“开始干燥处理”设定为第九个方案步骤。再者,虽然省略图示,但将“干燥处理”设定为第十个方案步骤以及第十一个方案步骤,将“结束干燥处理”设定为第十二个方案步骤。在这些方案步骤中,例如规定了基板W的转速以及所需时间。该方案步骤的转速设定为高于药液处理以及冲洗处理中的转速的值。另外,在“结束干燥处理”的方案步骤中,根据需要而规定挡板7下降至下方位置。
在图4的例子中,将“结束方案处理”设定为第十三个方案步骤。在该方案步骤中,根据需要规定各种结构移动至起始位置。
将规定了如上所述的一系列处理的流程的信息作为设定信息D1存储于存储装置94。以下,也将规定一系列处理的流程的信息称为流程方案信息。控制部90基于设定信息D1来控制基板处理装置100的各种结构的动作。由此,基板处理装置100能够进行对基板W的一系列处理。
<异常处理>
<第一异常处理>
当在基板处理装置100的动作期间,任一个传感器10检测到异常时,控制部90使各处理单元30执行与执行中的处理内容(相当于执行内容)相对应的第一异常处理。具体地说,控制部90使处理单元130执行从与执行中的处理内容相对应地设定的跳转目的地开始的一系列处理作为第一异常处理。
在图4的例子中,在表的第三列中示出与各方案步骤对应的跳转目的地。作为具体的一个例子,将第十三个方案步骤设定为与第一个方案步骤对应的跳转目的地。即,在该例子中,当在“准备药液处理”的方案步骤的执行中检测到异常时,处理单元130执行从“结束方案处理”的方案步骤开始的一系列处理作为第一异常处理。
由此,当在未对基板W进行使用处理液的处理的“准备药液处理”的执行中检测到异常时,不进行使用处理液的处理(药液处理以及冲洗处理),而是执行干燥处理后的“结束方案处理”的方案步骤。由此,能够降低处理液的消耗量。此外,由于不进行干燥处理,因此,能够降低基板处理装置100的消耗电力。
在图4的例子中,将第六个方案步骤设定为与第二个方案步骤至第五个方案步骤对应的跳转目的地。在该例子中,当在药液处理的执行中检测到异常时,处理单元130执行从“开始冲洗处理”的方案步骤开始的一系列处理作为第一异常处理。即,处理单元130依次执行从“开始冲洗处理”至最后的“结束方案处理”的方案步骤。
由此,在第一异常处理中,处理单元130通过冲洗处理来冲洗掉基于药液处理的基板W上的药液,并通过干燥处理使基板W干燥。由此,能够抑制药液所造成的基板W的损伤。
此外,在图4的例子中,将第六个方案步骤设定为与第六个方案步骤至第八个方案步骤对应的跳转目的地。在该例子中,当在冲洗处理的执行中检测到异常时,处理单元130执行从“开始冲洗处理”的方案步骤开始的一系列处理作为第一异常处理。即,处理单元130依次执行从“开始冲洗处理”至最后的“结束方案处理”的方案步骤。
由此,在第一异常处理中,由于处理单元130从头重新开始对基板W的冲洗处理,因此能够更可靠地完成对基板W的冲洗处理。由此,能够适当地抑制药液残留于基板W。
此外,在图4的例子中,将第九个方案步骤设定为与第九个方案步骤至第十二个方案步骤对应的跳转目的地。在该例子中,当在干燥处理的执行中检测到异常时,处理单元130执行从“开始干燥处理”的方案步骤开始的一系列处理作为异常处理。即,处理单元130依次执行从“开始干燥处理”至最后的“结束方案处理”的方案步骤。
由此,由于处理单元130在第一异常处理中不进行冲洗处理,因此能够降低冲洗液的消耗量。此外,在第一异常处理中,处理单元130从头重新开始对基板W的干燥处理,因此能够更可靠地完成对基板W的干燥处理。由此,能够适当地抑制冲洗液残留于基板W。
此外,在图4的例子中,将第十三个方案步骤设定为与第十三个方案步骤对应的跳转目的地。在该例子中,当在与“结束方案处理”有关的处理的执行中检测到异常时,处理单元130执行从“结束方案处理”的方案步骤开始的一系列处理作为第一异常处理。
在基板处理装置100中产生某种异常时,复数个处理单元130执行第一异常处理。例如,当在复数个处理单元130中的一个处理单元130中产生该异常时,复数个处理单元130响应于检测到该异常而执行第一异常处理。
然而,在该一个处理单元130中,在第一异常处理的执行中仍发生同样的异常的可能性高。当在第一异常处理的执行中仍发生异常时,该一个处理单元130可不重新进行第一异常处理而结束动作。或者,该一个处理单元130也可以执行与第一异常处理不同的第二异常处理。第二异常处理在后面详述。
另一方面,其他处理单元130能够完成第一异常处理的可能性高。由此,其他处理单元130能够适当地补救基板W。
如上所述,由于所有的处理单元130响应于基板处理装置100中的异常的检测而执行第一异常处理并停止动作,因此,用户能够迅速地进行对于异常的对应。
<第一异常处理的设定方法>
接着说明跳转目的地的设定方法的一例。例如,用户向输入部96进行用于指示设置画面SS1的显示的输入。控制部90响应于该输入而使显示部97显示设置画面SS1。
图5是概略性地示出设置画面SS1的一例的图。在图5所例示的设定画面SS1中包括按执行顺序显示处理内容(在此为方案步骤)的表ST1。在表ST1的第一列示出用于识别各行的处理内容的数字,第一列的数字表示处理内容的执行顺序。
表ST1中的第二列起的第(N-1)列示出各行中所规定的方案步骤。作为具体的一例,方案步骤包括“AP1”至“AP3”的项目。“AP1”至“AP3”是用于识别臂41的记号。即,在此,处理单元130包括三个喷嘴移动机构4。
“AP1”至“AP3”的项目表示臂状态。臂状态包括例如臂41的位置以及从臂41的各喷嘴31喷出的喷出状态等状态。方案步骤也可适当地包括挡板7的位置、基板W的转速、处理液的流量等信息。
用户向输入部96进行用于规定各处理内容的输入。作为更具体的一例,用户逐行地(即,按每个方案步骤)将第二列至第(N-1)列的各种信息输入至输入部96。控制部90响应于该输入而设定使处理单元130执行的一系列处理,并在显示部97示出所设定的内容。显示部97在设定画面SS1中的表ST1示出各方案步骤。
另外,用户对输入部96进行用于指定与各方案步骤对应的跳转目的地的输入。控制部90响应于该输入而设定与各方案步骤对应的跳转目的地,并将所设定的内容显示于显示部97。显示部97在设定画面SS1中的表ST1示出跳转目的地。在图5的例子中,第N列的“RSC”的项目是表示跳转目的地的项目。
控制部90将表示由用户所设定的一系列处理的流程方案信息以及表示跳转目的地的跳转目的地信息作为设定信息D1存储至存储装置94。在图5的例子中,在设定画面SS1显示有“存储”按钮B1,用户操作输入部96并选择(点击)按钮B1。控制部90响应于该输入而使存储装置94存储设定信息D1。
当在基板处理装置100中传感器10检测到异常时,控制部90基于设定信息D1,确定与执行中的处理内容相对应的跳转目的地。再者,控制部90使处理单元130进行从特定的跳转目的地的处理内容开始的一系列处理作为第一异常处理。
<第二异常处理>
接着说明第二异常处理。第二异常处理在第一异常处理的执行中检测到异常时执行。该第二异常处理的顺序是预先决定,不受检测到异常时的执行中的处理内容的影响。但是,第二异常处理中的处理条件(例如处理液的流量以及基板W的转速)能够由用户任意地变更。换句话说,输入部96接受第二异常处理的处理条件的输入。
第二异常处理例如包括使用了预先决定的喷嘴的冲洗处理以及干燥处理。作为具体的一例,第二异常处理的冲洗处理是使用固定喷嘴51的冲洗处理。
由此,即使当处理单元130无法完成第一异常处理时,仍有可能能够完成第二异常处理。例如,在一个处理单元130中,当发生与使用了喷嘴31的处理液有关的异常时,在该一个处理单元130中,在第一异常处理的执行中也可能会发生同样的异常。然而,由于在第二异常处理中并不使用喷嘴31,因此,在第二异常处理的执行中不会产生同样的异常。因此,该一个处理单元130能够完成第二异常处理。
由此,即使当第一异常处理无法执行时,也能够通过第二异常处理将基板W的药液置换为冲洗液,因此,能够抑制药液所造成的基板W的损伤。
<标志>
控制部90可以使第一标志F1存储于存储装置94,该第一标志F1用于设定第一异常处理的有效以及无效。例如,输入部96接受用于指定第一异常处理为有效或无效的输入。控制部90响应于该输入而设置或撤除第一标志F1。在此,当设置第一标志F1时,第一异常处理被设定为有效,当撤除第一标志F1时,第一异常处理被设定为无效。
第一异常处理的有效、无效可以根据每个处理单元130设定,也可以对两个以上的处理单元130共同地设定。
控制部90也可以使第二标志F2存储于存储装置94,该第二标志F2用于设定第二异常处理的有效以及无效。例如,输入部96接受用于指定第二异常处理为有效或无效的输入。控制部90响应于该输入而设置或撤除第二标志F2。在此,当设置第二标志F2时,第二异常处理被设定为有效,当撤除第二标志F2时,第二异常处理被设定为无效。
第二异常处理的有效、无效可以根据每个处理单元130设定,也可以对两个以上的处理单元130共同地设定。
<基板处理装置100的动作的一例>
图6是示出基板处理装置的处理的一例的流程图。首先,用户设定各种信息(步骤S10:设定工序)。具体地说,用户对输入部96进行用于指定一系列处理的内容、跳转目的地的输入。作为具体的一例,在该设定工序中,如上述般,显示部97显示方案步骤以及跳转目的地。用户一边确认显示部97,一边将一系列处理以及跳转目的地输入至输入部96。通过该设定工序,将包括流程方案信息以及跳转目的地信息的设定信息D1存储至存储装置94。通过显示部97显示方案步骤以及跳转目的地,用户能够容易地确认第一异常处理的内容并设定跳转目的地。
此外,在设定工序中,用户将第一异常处理为有效、无效以及第二异常处理为有效、无效输入至输入部96。控制部90响应于该输入而使第一标志F1以及第二标志F2存储于存储装置94。
接着,基板处理装置100对基板W进行处理(步骤S11:基板处理工序)。具体地说,控制部90基于设定信息D1来控制基板处理装置100的各结构。由此,将承载器C内的基板W依次搬运至处理单元130,并在各处理单元130中进行一系列处理。当由处理单元130对所有的基板W进行了处理并搬运至承载器C而基板处理装置100未产生异常时,基板处理装置100结束处理。
图7是表示基板处理装置100产生异常时的基板处理装置100的动作的一例的流程图。图7示出关于一个处理单元130的处理的流程。以下,将该一个处理单元130也称为自处理单元130。首先,基板处理装置100中的任一个传感器10检测到异常,并将该检测结果输出至控制部90(步骤S1:检测工序)。此处所说的异常是指:挡板7并未移动至规定位置的异常、基板保持部2不旋转的异常、在基板W的处理中可装卸盖从腔室1中被卸除的异常、在处理液到达各喷嘴31的路径中发生处理液泄漏的异常、来自处理单元130的排气压为预定范围之外的异常等异常。
当检测到异常时,控制部90是判断第一异常处理是有效还是无效(步骤S2)。具体地说,控制部90判断存储于存储装置94的第一标志F1是否处于设置中。
当第一标志F1处于设置中时,控制部90基于设定信息D1来判断是否设定有与执行中的处理内容相对应的跳转目的地(步骤S3)。具体地说,控制部90确认存储于存储装置94的设定信息D1。在未设定有在此所说的跳转目的地的情况包括未设定有跳转目的地的信息本身的情况、以及设定有与跳转目的地无关的记号等信息的情况。
在设定有跳转目的地时,控制部90使自处理单元130执行从该跳转目的地的处理内容开始的一系列处理(步骤S4:第一异常处理工序)。即,自处理单元130并非直接继续一系列处理,而是执行从跳转目的地的处理内容开始的一系列处理(第一异常处理)。
接着,控制部90在第一异常处理的执行中判断该自处理单元130内的传感器10是否检测到异常(步骤S5)。即,控制部90判断是否检测到阻碍执行第一异常处理的异常。控制部90将通过该传感器10所得的异常监控至少持续至第一异常处理结束。当未产生异常时,自处理单元130能够完成第一异常处理。例如,当步骤S1的异常发生于其他处理单元130中时,自处理单元130能够完成更适当的第一异常处理。
另一方面,当在第一异常处理的执行中由传感器10检测到异常时,控制部90判断第二异常处理是否有效(步骤S6)。具体地说,控制部90判断存储于存储装置94的第二标志F2是否处于设置中。
当第二标志F2处于设置中时,控制部90使自处理单元130执行第二异常处理(步骤S7:第二异常处理工序)。第二异常处理例如包括从固定喷嘴51喷出冲洗液的冲洗处理以及该冲洗处理的后的干燥处理。由此,即使在基板W上存在药液,也能够在将该药液置换为冲洗液之后使基板W干燥。由此,能够抑制药液所造成的基板W的损伤。
另外,当在第二异常处理的执行中也在自处理单元130中发生异常时,控制部90也可以使自处理单元130在中途结束第二异常处理。或者,控制部90也可以使自处理单元130重新进行预先决定的次数的第二异常处理。当在从头重新进行的所有的第二异常处理中产生异常时,控制部90也可使自处理单元130在中途结束第二异常处理。
当第一异常处理设定为无效时(步骤S2:否),控制部90判断第二异常处理是否有效(步骤S6)。此外,当未设定与执行中的处理内容对应的跳转目的地时(步骤S3:否),控制部90判断第二异常处理是否有效(步骤S6)。
当第二异常处理设定为无效时(步骤S6:否),控制部90使自处理单元130的动作停止。即,自处理单元130停止动作而不进行对基板W的异常处理。
<处理例>
以下说明具体的处理例。以下,除非另有特别说明,与所有的方案步骤对应地设定有跳转目的地,第一异常处理以及第二异常处理设定为有效。
<排气机构的异常>
对基板处理装置100的排气机构发生异常的情况进行说明。当发生如此的异常时,腔室1内的压力会有变动。然而,即使腔室1内的压力改变,各处理单元130中的各驱动机构也能够正常地动作,因此能够进行第一异常处理。
由此,当在一系列处理的执行中发生如此的异常时,各处理单元130能够完成第一异常处理(步骤S1至步骤S5)。另外,虽然在第一异常处理的执行中能够检测到排气机构的异常,但由于控制部90并不妨碍第一异常处理的持续进行,因此持续进行第一异常处理。
<处理单元130的异常>
接着,对一个处理单元130发生异常的情况进行说明。该异常例如为喷嘴移动机构4的驱动系统的异常。
由于如此的异常也发生于基于该一个处理单元130的第一异常处理的执行中,因此,该一个处理单元130响应于该异常的检测而进行第二异常处理(步骤S1至步骤S7)。
另一方面,由于在其他处理单元130中并未发生异常,因此其他处理单元130能够完成第一异常处理(步骤S1至步骤S5)。
<未设定跳转目的地>
此外,也会有未与一系列处理的处理内容中的某几个处理内容对应地适当设定跳转目的地的情况。图8是示出基板处理以及跳转目的地的一例的图。在图8的例子中,并未设定有与药液处理的处理内容对应的跳转目的地。具体地说,未设定有与第二个方案步骤至第五个方案步骤对应的跳转目的地。
在该情况下,当在药液处理的执行中发生异常时,处理单元130进行第二异常处理(步骤S1至步骤S3、步骤S6以及步骤S7)而不进行第一异常处理。
<第一实施方式的技术效果>
如上所述,当在基板处理装置100发生异常时,各处理单元130并不照样继续进行一系列处理,而是进行第一异常处理(步骤S4)。具体地说,各处理单元130从与发生该异常时正在执行的处理内容对应的跳转目的地开始进行一系列处理,作为第一异常处理。即,第一异常处理是相当于一系列处理的一部分。由于一系列处理由适合于基板W的处理内容来规定,因此第一异常处理也是适合于基板W的处理。
例如,在一系列处理中,在药液处理之后执行的冲洗处理中,采用适合于药液的种类的冲洗液,此外,也适当地设定冲洗液的流量以及处理时间。由此,能够在一系列处理中将基板W的药液适当地置换为冲洗液。再者,根据本实施方式,当在药液处理的执行中发生异常时,在第一异常处理中,进行与一系列处理相同的冲洗处理。由此,在第一异常处理中也能够适当地将基板W的药液置换为冲洗液。
此外,例如针对图案容易因干燥而倒塌的基板W,以在一系列处理中图案不会倒塌的方式进行处理。作为具体的一例,处理单元130依次进行药液处理、第一冲洗处理、疏水化处理、第二冲洗处理以及干燥处理作为一系列处理。疏水化处理是指将疏水化液供给至基板W而在基板W的图案的表面形成疏水化膜的处理,第二冲洗处理是将基板W上的疏水化液置换为冲洗液的处理。通过以此方式进行疏水化处理,能够抑制干燥处理中的图案倒塌。
在该情况下,用户将与开始第一冲洗处理对应的方案步骤设定为与药液处理对应的跳转目的地即可。由此,当在药液处理的执行中发生异常时,处理单元130执行第一冲洗处理开始的一系列处理,作为第一异常处理。即,处理单元130依次进行第一冲洗处理、疏水化处理、第二冲洗处理以及干燥处理,作为第一异常处理。由此,在第一异常处理中也能够更可靠地抑制图案倒塌。
如上所述,由于第一异常处理与一系列处理的一部分相同,因此,能够进行对基板W来说更适当的异常处理。因此,能够抑制或避免会发生于基板W的各种不良情况。
此外,由于输入部96接受与一系列处理的各处理内容对应的跳转目的地的输入,因此,用户能够设定更适当的第一异常处理。例如,用户将干燥处理的处理内容设定为与干燥处理的处理内容对应的跳转目的地即可(也参照图4)。在该情况下,当在干燥处理的执行中发生异常时,处理单元130进行从干燥处理开始的一系列处理,作为第一异常处理。换句话说,处理单元130在第一异常处理中不进行冲洗处理。由此,能够降低冲洗液的消耗量以及基板处理装置100的消耗电力。
此外,例如用户只要将干燥后的处理内容(例如“结束方案处理”)设定为与尚未喷出处理液且处理液并未附着于基板W的状况下的处理内容(例如“准备药液处理”)对应的跳转目的地即可(也参照图4)。在该情况下,当在处理液喷出前的处理内容的执行中发生异常时,处理单元130进行从干燥处理后的处理内容开始的一系列处理。换句话说,处理单元130在第一异常处理中不进行冲洗处理以及干燥处理。由此,能够降低冲洗液的消耗量,此外能够进一步降低基板处理装置100的消耗电力。
此外,在上述例子中,在处理单元130中在第一异常处理的执行中发生异常时,发生了异常的处理单元130并不重新进行第一异常处理,而是进行与第一异常处理不同的第二异常处理(步骤S5以及步骤S6)。在第二异常处理中,进行使用预先设定的喷嘴(例如固定喷嘴51)的冲洗处理以及该冲洗处理之后的干燥处理。
再者,若在第二异常处理中未发生异常,则处理单元130能够完成第二异常处理。例如,即使在第一异常处理中喷嘴移动机构4发生驱动异常,也能够在第二异常处理中进行使用固定喷嘴51的冲洗处理。因此,即使是在无法进行第一异常处理的情况下,也能够通过第二异常处理来去除基板W的处理液而使其干燥。由此,能够抑制药液所造成的基板W的损伤。
此外,在上述例子中,设定用于表示第一异常处理的有效以及无效的区别的第一标志F1。由此,能够提升可用性。
此外,在上述例子中,设定用于表示第二异常处理的有效以及无效的区别的第二标志F2。由此,能够提升可用性。
<跳转目的地的其他设定例>
在上述例子中,与“准备药液处理”的方案步骤对应的跳转目的地为“结束方案处理”的方案步骤(参照图4)。然而,用户也可以将“准备药液处理”的方案步骤设定为与“准备药液处理”的方案步骤对应的跳转目的地。由此,当在“准备药液处理”的方案步骤的执行中发生异常时,处理单元130执行从“准备药液处理”的方案步骤开始的一系列处理,作为第一异常处理。
在该情况下,虽然“准备药液处理”的方案步骤能够重复地进行,但由于该方案步骤并不对基板W供给药液,因此,即使发生重复动作也不会有问题。再者,处理单元130依次进行药液处理、冲洗处理以及干燥处理,作为第一异常处理。由此,若在第一异常处理中未产生异常,则处理单元130能够完成实质性的一系列处理。由此,能够补救基板W而不需废弃基板W,并且能够使基板W照样进入至下个制造工序。
另一方面,若在第一异常处理的执行中发生异常,则处理单元130进行第二异常处理。由此,能够抑制药液所造成的基板W的损伤。
此外,在上述例子中,在一系列处理中并未使用阻断板6,但也可以使用阻断板6。例如,在药液处理以及干燥处理中,阻断板6也可以在接近位置停止。在该情况下,在“准备药液处理”的方案步骤中规定了阻断板6下降至接近位置,在“结束方案处理”的方案步骤中规定了阻断板6上升至初始位置。
在此情况下也可以如图4那样,将“结束方案处理”的方案步骤设定为与“准备药液处理”的方案步骤对应的跳转目的地。当在“准备药液处理”的执行中产生异常时,由于处理单元130进行从“结束方案处理”的方案步骤开始的一系列处理,因此,能够使阻断板6上升至初始位置。此外,在该情况下,由于不进行冲洗处理以及干燥处理,因此能够降低处理液的消耗量以及消耗电力。
<跳转目的地的自动设定>
在上述例子中,由用户来设定所有的跳转目的地。然而,并不一定要局限于此。控制部90也可以自动地对一系列处理的方案步骤中的几个方案步骤或是全部的方案步骤设定跳转目的地。
例如,控制部90也可以将与供给处理液之前的处理内容(例如“准备药液处理”)的方案步骤对应的跳转目的地自动地设定为干燥处理之后的方案步骤(例如“结束方案处理”)。在干燥处理后的方案步骤之后的方案步骤包括由各种驱动机构(喷嘴移动机构4、升降机构68以及升降机构74)使移动对象移动至待机位置的方案步骤。
当用户将跳转目的地输入至输入部96时,控制部90只要响应于该输入而更新跳转目的地即可。即,控制部90只要将已自动设定的跳转目的地更新为用户所输入的跳转目的地即可。
由此,由于用户能够更简单地设定跳转目的地,因此能够进一步地提升可用性。
<第二实施方式>
第二实施方式的基板处理装置100的结构与第一实施方式相同。图9是示出第二实施方式的基板处理装置100的动作的一例的流程图。
在第二实施方式中,当第一异常处理为有效时(步骤S2:是),控制部90进行持续处理(步骤S8:持续处理工序)。图10是示出持续处理的具体一例的流程图。首先,控制部90判断在发生异常时执行中的处理内容是否为工艺方案所规定的处理内容(步骤S81)。当执行中的处理内容不是工艺方案所规定的处理内容时,控制部90结束持续处理。当执行中的处理内容为工艺方案所规定的处理内容时,控制部90判断执行中的处理内容是否为药液处理(步骤S82)。当执行中的处理内容不是药液处理时,控制部90结束持续处理。
当执行中的处理内容为药液处理时,控制部90持续该药液处理(步骤S83)。另外,当因在药液处理的持续期间发生异常而无法持续药液处理时,控制部90也可以结束药液处理。
接着,控制部90在持续处理(步骤S8)的后,与第一实施形同样地执行步骤S3之后的步骤(参照图9)。
如上所述,在第二实施方式中,当在处理单元130的药液处理的执行中基板处理装置100发生异常时,该处理单元130持续进行该药液处理。由此,例如当在其他处理单元130中发生异常时,该处理单元130能够完成该药液处理。
再者,在药液处理结束之后,与第一实施方式同样地,该处理单元130进行第一异常处理或第二异常处理。由此,即使当在第一异常处理中未在跳转目的地设定药液处理时,也能够完成药液处理。另外,当在第一异常处理中进行药液处理时,由于重复地进行药液处理,因此,可以仅限于跳转目的地未设定药液处理时进行持续处理。
如上所述,在第二实施方式中,当在药液处理的执行中发生异常时,在持续处理中持续药液处理(步骤S83)。再者,当能够在该药液处理的持续期间未发生异常而完成药液处理时,能够使异常处理后的基板W照样进入下个制造工序。
图11是示出持续处理的另一例的流程图。在图11的例子中,当在发生异常时执行中的处理内容为药液处理时(步骤S82:是),控制部90获取药液处理的剩余时间(步骤S84)。剩余时间是从当前时刻至药液处理的结束时刻的剩余时间。具体地说,控制部90基于在流程方案信息中所规定的药液处理的处理时间以及从药液处理开始起的经过时间,来计算剩余时间。经过时间例如通过定时器电路来测量。
接着,控制部90判断剩余时间是否为阈值以下(步骤S85)。阈值例如预先设定并存储于存储装置94。当剩余时间为阈值以下时,能够在短时间内完成药液处理,因此控制部90持续进行药液处理(步骤S83)。另一方面,当剩余时间大于阈值时,控制部90停止药液处理,并结束持续处理。
在上述例子中,当药液处理的剩余时间短时,控制部90持续进行药液处理,当药液处理的剩余时间长时,不持续进行药液处理。由此,能够避免发生异常时的第一异常处理所需的时间变得过长。即,能够以更短的时间结束异常处理。
如上所述,详细地说明了基板处理装置100,但上述说明在所有的方面皆为例示,该基板处理装置100以及基板处理方法并不限于此。应理解为,在不脱离本发明的范围的情况下,可设想未例示的无数个变形例。上述各实施方式以及各变形例中所说明的各结构在不彼此矛盾的前提下能够适当组合或省略。
附图标记的说明:
10 传感器
90 控制部
100 基板处理装置
130 处理单元
97 显示部
S1 检测工序(步骤)
S10 设定工序(步骤)
S11 基板处理工序(步骤)
S4 第一异常处理工序(步骤)
S7 第二异常处理工序(步骤)
S8 持续处理工序(步骤)
W 基板
Claims (7)
1.一种基板处理方法,其中,
具有:
设定工序,将用于规定对基板的一系列处理的复数个处理内容中的一个所述处理内容以与复数个所述处理内容中的各个所述处理内容对应的方式,设定为跳转目的地;
基板处理工序,对所述基板开始所述一系列处理;
检测工序,检测异常;以及
第一异常处理工序,当检测到所述异常时,从与执行中的处理内容即执行处理内容对应地设定的所述跳转目的地开始进行所述一系列处理。
2.如权利要求1所述的基板处理方法,其中,
所述基板处理方法还具有:第二异常处理工序,当未设定有检测到所述异常时的与所述执行内容对应的所述跳转目的地时,或者,当在所述第一异常处理工序的执行中检测到所述异常时,进行不依赖于所述执行内容的预先设定的第二异常处理。
3.如权利要求1或2所述的基板处理方法,其中,
在所述设定工序中,在显示部显示复数个所述处理内容以及所述跳转目的地。
4.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法,其中,
所述基板处理方法还具有:持续处理工序,当所述执行内容为将药液供给至所述基板的药液处理时,在所述第一异常处理工序之前持续进行所述药液处理。
5.如权利要求4所述的基板处理方法,其中,
在所述持续处理工序中,当到所述药液处理的结束时刻的剩余时间为阈值以下时,持续进行所述药液处理,当所述剩余时间大于所述阈值时,停止所述药液处理。
6.一种基板处理装置,其中,
具有:
处理单元,对基板进行一系列处理;
传感器,检测异常;以及
控制部,将用于规定所述一系列处理的复数个处理内容中的一个所述处理内容以与复数个所述处理内容中的各个所述处理内容对应的方式,设定为跳转目的地,并使所述处理单元对所述基板开始所述一系列处理,当所述传感器检测到所述异常时,使所述处理单元从与执行中的处理内容即执行内容对应地设定的所述跳转目的地开始进行所述一系列处理。
7.一种程序,用于控制基板处理装置,所述基板处理装置具有对基板进行一系列处理的处理单元、以及检测异常的传感器,其中,
所述程序用于使计算机执行以下工序:
设定工序,将用于规定所述一系列处理的复数个处理内容中的一个所述处理内容以与复数个所述处理内容中的各个所述处理内容对应的方式设定为跳转目的地;
基板处理工序,使所述处理单元对所述基板开始所述一系列处理;
检测工序,检测异常;以及
第一异常处理工序,当检测到所述异常时,使所述处理单元从与执行中的处理内容即执行内容对应地设定的所述跳转目的地开始进行所述一系列处理。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021-100200 | 2021-06-16 | ||
JP2021100200A JP2022191764A (ja) | 2021-06-16 | 2021-06-16 | 基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
PCT/JP2022/017931 WO2022264675A1 (ja) | 2021-06-16 | 2022-04-15 | 基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117501413A true CN117501413A (zh) | 2024-02-02 |
Family
ID=84527104
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202280042202.5A Pending CN117501413A (zh) | 2021-06-16 | 2022-04-15 | 基板处理方法、基板处理装置以及程序 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2022191764A (zh) |
KR (1) | KR20240004886A (zh) |
CN (1) | CN117501413A (zh) |
TW (1) | TWI832216B (zh) |
WO (1) | WO2022264675A1 (zh) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4490797B2 (ja) * | 2004-01-23 | 2010-06-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5426301B2 (ja) | 2008-10-03 | 2014-02-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5452349B2 (ja) * | 2010-05-11 | 2014-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の搬送方法、被処理体の搬送装置、及び、プログラム |
JP5459279B2 (ja) * | 2011-09-02 | 2014-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP5673577B2 (ja) * | 2012-02-07 | 2015-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP5935676B2 (ja) * | 2012-12-07 | 2016-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板装置の運用方法及び記憶媒体 |
JP6110292B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2017-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2021
- 2021-06-16 JP JP2021100200A patent/JP2022191764A/ja active Pending
-
2022
- 2022-04-15 CN CN202280042202.5A patent/CN117501413A/zh active Pending
- 2022-04-15 WO PCT/JP2022/017931 patent/WO2022264675A1/ja active Application Filing
- 2022-04-15 KR KR1020237041638A patent/KR20240004886A/ko unknown
- 2022-04-20 TW TW111114935A patent/TWI832216B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022264675A1 (ja) | 2022-12-22 |
TW202301048A (zh) | 2023-01-01 |
JP2022191764A (ja) | 2022-12-28 |
TWI832216B (zh) | 2024-02-11 |
KR20240004886A (ko) | 2024-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101935667B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR100979979B1 (ko) | 액처리 장치 및 액처리 방법 | |
CN108292599B (zh) | 基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质 | |
US20100200547A1 (en) | Liquid processing apparatus and liquid processing method | |
JP6993885B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP5426301B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006140385A (ja) | 基板処理装置 | |
KR102454444B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP6986933B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
CN117501413A (zh) | 基板处理方法、基板处理装置以及程序 | |
JP2020077735A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
TWI656916B (zh) | 基板處理方法 | |
WO2021131972A1 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009111163A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
TW202418014A (zh) | 基板處理方法、基板處理裝置以及程式 | |
JP6443806B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR102075685B1 (ko) | 포토 마스크 세정 장치 및 포토 마스크 세정 방법 | |
JP6640630B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2021106213A (ja) | 基板処理装置、および、基板処理方法 | |
JP2008205311A (ja) | 基板処理装置 | |
TWI797862B (zh) | 基板洗淨方法及基板洗淨裝置 | |
US20240091815A1 (en) | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method | |
KR102408137B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
US20240091816A1 (en) | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method | |
TW202201515A (zh) | 基板處理方法以及基板處理裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |