CN117476498A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种基板处理装置和基板处理方法，在将基板浸渍在产生混合热的混合液中的情况下，对基板高效地进行处理。基板处理装置具备：处理槽，其贮存用于对基板进行处理的处理液；循环路，其用于将所述处理液从所述处理槽取出并使其返回到所述处理槽；基板保持部，其用于保持所述基板；升降部，其用于使所述基板保持部在所述处理槽的内部的浸渍位置与比所述处理槽靠上方的待机位置之间进行升降；以及控制部，其控制所述升降部。所述处理液是将第一成分与第二成分混合而成的混合液，且是产生混合热的混合液。所述控制部进行以下控制：在所述混合液的温度由于所述混合热而上升达到峰值温度之前使所述基板浸渍在所述混合液中。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
专利文献1所记载的基板处理装置具备：处理槽，其贮存处理液；循环路，其用于使处理槽内的处理液进行循环；基板保持部，其用于保持基板；以及升降部，其用于使基板保持部在处理槽内的浸渍位置与比处理槽靠上方的待机位置之间进行升降。处理液是硫酸与过氧化氢水的混合液。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-114305号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开的一个方式提供一种在将基板浸渍在产生混合热的混合液中的情况下对基板高效地进行处理的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式所涉及的基板处理装置具备：处理槽，其贮存用于对基板进行处理的处理液；循环路，其用于将所述处理液从所述处理槽取出并使其返回到所述处理槽；基板保持部，其用于保持所述基板；升降部，其用于使所述基板保持部在所述处理槽的内部的浸渍位置与比所述处理槽靠上方的待机位置之间进行升降；以及控制部，其控制所述升降部。所述处理液是将第一成分与第二成分混合而成的混合液，且是产生混合热的混合液。所述控制部进行以下控制：在所述混合液的温度由于所述混合热而上升达到峰值温度之前使所述基板浸渍在所述混合液中。
发明的效果
根据本公开的一个方式，能够在将基板浸渍在产生混合热的混合液中的情况下，对基板高效地进行处理。
附图说明
图1是示出一个实施方式所涉及的基板处理装置的主视截面图。
图2是示出图1的内槽和基板保持部的一例的侧视截面图。
图3是示出一个实施方式所涉及的基板处理方法的流程图。
图4是示出基板处理方法的一例的时序图。
图5是示出温度、H2O2浓度、以及H2SO4浓度的时间变化的一例的图。
图6是示出温度与蚀刻速度之间的关系的一例的图。
图7是示出H2O2浓度与蚀刻速度之间的关系的一例的图。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本公开的实施方式。此外，在各附图中对相同或对应的结构标注相同的标记，有时省略说明。在本说明书中，X轴方向、Y轴方向、Z轴方向是相互垂直的方向。X轴方向和Y轴方向是水平方向，Z轴方向是铅垂方向。
自以往以来，作为基板处理装置，已知有批量式的装置和单片式的装置。批量式通过将多张基板同时浸渍在处理液中来对多张基板统一地进行处理。另一方面，单片式一边水平地保持基板并且使基板旋转，一边向基板的上表面滴下处理液。本公开的技术涉及一种批量式的技术。批量式相比于单片式适合长时间的处理。
作为处理液，有时使用将第一成分与第二成分混合而成的混合液。在此，混合液也可以包含第三成分。混合液产生混合热。混合热是由于将多种成分混合而产生的反应热。例如当将硫酸与过氧化氢水(H2O2+H2O)混合时，产生硫酸的稀释热、硫酸与水的水合热、或者硫酸与过氧化氢的反应热。可以与温度相应地阶段性地产生多种混合热。
温度越高，则放热反应越容易进展，有时混合液的温度急剧上升。其结果，有时混合液的温度过冲超出目标温度。之后，如果在混合液的温度以目标温度稳定化后开始针对混合液的基板的浸渍，则直到浸渍开始为止的等待时间变长。其结果，基板处理装置的处理能力(每单位时间的处理张数)下降。
另外，当混合液的温度过冲超出目标温度时，促进热分解。例如，过氧化氢在高温下分解为水和氧。过氧化氢的浓度由于热分解而显著低于目标浓度。即使之后对混合液补充过氧化氢，也难以将混合液中的过氧化氢的浓度恢复到目标浓度。
本公开的技术在混合液的温度由于混合热而上升达到峰值温度(最高温度)之前，使基板浸渍在混合液中，在后文详细地叙述。由此，能够在进行热分解的成分的浓度显著下降之前对基板进行处理，从而能够对基板高效地进行处理。另外，能够缩短直到浸渍开始为止的等待时间，从而能够对基板高效地进行处理。
首先，参照图1和图2来对一个实施方式所涉及的基板处理装置1进行说明。基板处理装置1例如具备处理槽10、第一成分供给部15、第二成分供给部17、排出部18、循环路20、基板保持部30、升降部40以及控制部90。
处理槽10贮存用于对基板W进行处理的处理液L。处理槽10例如具备内槽11和外槽12。内槽11积存处理液L。将多张基板W浸渍于贮存在内槽11中的处理液L中。外槽12回收从内槽11溢出的处理液L。
处理液L是将第一成分与第二成分混合而成的混合液，且是产生混合热的混合液。例如，第一成分是硫酸，第二成分是过氧化氢。处理液L也可以包含第三成分，第三成分例如为水。处理液L例如是包含硫酸与过氧化氢的水溶液(所谓的SPM：Sulfuric acid-hydrogenPeroxide Mixture(硫酸-过氧化氢混合物))。
处理液L例如被用作蚀刻液。蚀刻液用于去除形成于基板W的期望的膜。例如，SPM用于去除抗蚀剂膜、多晶硅膜、非晶硅膜或金属膜。金属膜例如是钨膜。
在金属膜的去除中使用的SPM的过氧化氢的目标浓度比较高，目标温度也比较高。过氧化氢与硫酸的混合比(质量比)的目标值(H2O2/H2SO4)优选大于1/4。目标温度优选为125℃～170℃，更优选为130℃～170℃。
过氧化氢的目标浓度越高，则越容易产生混合热。另外，目标温度越高，越容易产生混合热。因此，本公开的技术在将SPM用于金属膜的去除的情况下尤其有效。
第一成分供给部15向处理槽10供给构成处理液L的第一成分。第一成分供给部15例如为硫酸供给部。硫酸可以以水溶液的形态供给到处理槽10。硫酸的供给目的地是内槽11。第一成分供给部15例如包括未图示的开闭阀、流量控制器、以及流量计。
第二成分供给部17向处理槽10供给构成处理液L的第二成分。第二成分供给部17例如为过氧化氢供给部。过氧化氢可以以水溶液的形态供给到处理槽10。过氧化氢的供给目的地是内槽11。第二成分供给部17例如包括未图示的开闭阀、流量控制器、以及流量计。
排出部18用于排出处理槽10中贮存的处理液L。例如，排出部18用于排出内槽11中贮存的处理液L。排出部18具备排出路18a和开闭阀18b。排出路18a的一端与内槽11连接。开闭阀18b在控制部90的控制下对排出路18a进行开闭。
循环路20将处理液L从处理槽10取出并使其返回到处理槽10。能够使处理液L进行循环，从而能够促进构成处理液L的多种成分的混合。例如，循环路20将处理液L从外槽12取出并使其返回到内槽11。循环路20的上游端与外槽12连接，下游端与设置于内槽11的内部的喷嘴29连接。
在循环路20的中途，例如从上游侧去向下游侧依次设置有第一开闭阀21、冷却气体供给部22、泵23、第一冷却气体排出部24、加热器25、第二冷却气体排出部26、第二开闭阀27以及过滤器28。此外，对设置于循环路20的中途的设备的种类和顺序没有特别限定。
在第一开闭阀21在外槽12的附近将循环路20关闭的状态下，冷却气体供给部22向循环路20供给冷却气体。作为冷却气体，能够使用氮气或干燥空气。冷却气体将残留于循环路20的处理液L从第一冷却气体排出部24和第二冷却气体排出部26排出到循环路20的外部。由此，能够将循环路20冷却。
在冷却气体供给部22向循环路20供给冷却气体的期间，控制部90使泵23干运转。另外，在冷却气体供给部22向循环路20供给冷却气体的期间，第二开闭阀27将循环路20关闭，防止过滤器28干燥。第二开闭阀设置于过滤器28的上游侧。
冷却气体供给部22向循环路20供给室温的冷却气体，但也可以向循环路20供给比室温低温的冷却气体。能够将循环路20高效地冷却。冷却气体供给部22也可以具有将室温的冷却气体冷却为相比于室温而言的低温的冷却器。冷却气体供给部22是冷却部的一例。
作为冷却部，也可以使用冷却液供给部16来作为冷却气体供给部22的替代(或附加)。冷却液供给部16经由处理槽10(例如外槽12)向循环路20供给冷却液。作为冷却液，例如使用作为第一成分的硫酸。冷却液将残留于循环路20的处理液L排出到内槽11。由此，能够将循环路20冷却。
控制部90使泵23运转以向循环路20供给冷却液。另外，控制部90将第一开闭阀21和第二开闭阀27打开以使冷却液通过。冷却液在通过循环路20而排出到内槽11后，从排出部18排出到内槽11的外部。
冷却液供给部16向循环路20供给室温的冷却液，但也可以向循环路20供给比室温低温的冷却液。能够将循环路20高效地冷却。冷却液供给部16也可以具有将室温的冷却液冷却为相比于室温而言的低温的冷却器。
基板保持部30例如图2所示那样保持基板W。例如，基板保持部30将多张基板W沿Y轴方向并排地排列，并且将各基板W以垂直地竖立的方式进行保持。基板保持部30具有多个(例如四个)保持臂31。各保持臂31沿着Y轴方向设置，并以沿Y轴方向隔开间隔的方式具有多个槽。各基板W通过保持臂31的槽来保持。
升降部40使基板保持部30在处理槽10的内部的浸渍位置与比处理槽10靠上方的待机位置之间进行升降。升降部40例如包括未图示的马达、以及将马达的旋转运动变换为基板保持部30的直线运动的滚珠丝杠。此外，升降部40也可以使基板保持部30沿水平方向移动。
控制部90例如为计算机，具备CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)等运算部91、以及存储器等存储部92。在存储部92中保存用于控制在基板处理装置1中执行的各种处理的程序。控制部90通过使运算部91执行存储于存储部92的程序来控制基板处理装置1的动作。
接着，参照图3和图4来说明一个实施方式所涉及的基板处理方法。基板处理方法例如包括图3所示的步骤S101～S106。步骤S101～S106在控制部90的控制下实施。此外，基板处理方法也可以不包括步骤S101～S106的全部，还可以包括步骤S101～S106以外的处理。
图3所示的步骤S101以后的处理当新批次的准备结束时开始。一批由多张(例如25张、50张、或100张)基板W构成。步骤S101以后的处理针对每批进行。针对每批更换处理液L。
首先，从时刻t0起在时刻t1之前，排出部18从内槽11排出处理液L，以将内槽11空出(步骤S101)。在此期间，泵23经由循环路20从外槽12向内槽11送出处理液L，以将外槽12空出。通过步骤S101，内槽11和外槽12变空。但是，在循环路20中残留有处理液L，循环路20仍处高温。
接着，从时刻t1起在时刻t2之前，将循环路20冷却(步骤S102)。具体地说，例如，重复地交替进行冷却液供给部16经由外槽12向循环路20供给冷却液、以及排出部18从内槽11排出冷却液。对于循环路20的冷却，也可以使用冷却气体供给部22来作为冷却液供给部16的替代(或者附加)。无论选择哪种，均将循环路20冷却，由此能够去除余热，从而能够防止由于余热而促进放热反应。
接着，从时刻t2起在时刻t3之前，第一成分供给部15向内槽11供给室温的硫酸，第二成分供给部17向内槽11供给室温的过氧化氢(步骤S103)。过氧化氢以水溶液的形态来供给。随着过氧化氢水的供给的进展，由于过氧化氢水与硫酸的混合而产生混合热，处理液L的温度T上升。
接着，在时刻t3，泵23开始进行处理液L的循环(步骤S104)。通过循环使过氧化氢水与硫酸的混合进展，处理液L的温度T由于混合热而进一步上升。如图4所示，处理液L的温度T例如上升到110℃左右，并暂时稳定。
接着，在时刻t4，加热器25开始进行处理液L的加热(步骤S105)。加热器25设置于循环路20，但也可以设置于处理槽10。加热器25是对处理液L进行加热的加热部的一例。在时刻t4后，处理液L的温度T再次上升，再次产生混合热。
接着，在时刻t5，当处理液L的温度T达到浸渍开始温度TSTA(例如130℃)时，升降部40使基板保持部30从待机位置下降到浸渍位置，将基板W浸渍在处理液L中(步骤S106)。浸渍开始温度TSTA可以设定得比后述的蚀刻开始温度TETC(参照图6)高，但也可以设定得比后述的蚀刻开始温度TETC低。
在时刻t5后，处理液L的温度T由于混合热而过冲超出目标温度TPRE(例如140℃)。目标温度TPRE比浸渍开始温度TSTA高。处理液L的温度T在超过目标温度TPRE后达到峰值温度TMAX(例如160℃)。峰值温度TMAX比目标温度TPRE高。
对峰值温度TMAX进行控制以使其不超过阈值。阈值例如基于处理槽10的耐热温度来决定。在峰值温度TMAX超过阈值的情况下，控制部90可以减少从时刻t2起在到时刻t3之前对处理槽10供给的过氧化氢水的量，来减少混合热的产生量。温度T在达到峰值温度TMAX后开始下降。
接着，在时刻t6，控制部90通过对温度T从峰值温度TMAX开始下降进行检测，来对温度T达到了峰值温度TMAX进行检测。温度T由温度检测部51(参照图1)进行检测。温度检测部51设置于处理槽10，也可以设置于循环路20。温度检测部51将表示检测结果的信号发送到控制部90。控制部90例如通过温度T的斜率等来对温度T达到了峰值温度TMAX进行检测。
在时刻t6后，控制部90按照与时刻t6前不同的设定控制加热器25。也就是说，在处理液L的温度T达到峰值温度TMAX之后和达到峰值温度TMAX之前，控制部90按照不同的设定控制加热器25。能够在混合热的产生量多的期间和混合热的产生量少的期间，适当地控制加热器25。
控制部90例如在处理液L的温度T达到峰值温度TMAX前和达到峰值温度TMAX后(时刻t6前和时刻t6后)，使用不同的传递函数对加热器25进行反馈控制。在反馈控制为PID控制或PI控制的情况下，传递函数至少包括比例增益Kp和积分增益Ki。时刻t6前的比例增益Kp设定得比时刻t6后的比例增益Kp大。时刻t6前的积分增益Ki设定得比时刻t6后的积分增益Ki小。
另外，控制部90例如也可以在处理液L的温度T达到峰值温度TMAX之前和达到峰值温度TMAX之后(时刻t6前和时刻t6后)，以不同的电流值对加热器25进行恒流控制。在时刻t6前针对加热器25的供给电流可以设定得比在时刻t6后针对加热器25的供给电流小。是因为在时刻t6后使用加热器25积极地进行温度调整。
在从硫酸与过氧化氢水混合开始起至处理液L的温度T达到峰值温度TMAX为止的期间，混合热的总热量比加热器25的总热量大。另一方面，在从处理液L的温度T达到峰值温度TMAX起至基板W的浸渍结束为止的期间，混合热的总热量比加热器25的总热量小。
在时刻t6后，第二成分供给部17也可以对处理槽10补充过氧化氢。当处理液L的温度T过冲超出目标温度TPRE时，促进过氧化氢的热分解。在不补充过氧化氢的情况下，如图5中的虚线所示，过氧化氢的浓度显著低于目标浓度C1PRE。
因此，在时刻t6后，第二成分供给部17也可以通过对处理槽10补充过氧化氢来抑制过氧化氢的浓度下降。在时刻t6后，混合热的产生平稳。如果在混合热的产生平稳后进行过氧化氢的补充，则能够抑制处理液L的过度升温。
此外，在图5中，C2PRE是硫酸的目标浓度。
接着，在时刻t7，升降部40使基板保持部30从浸渍位置上升到待机位置，将基板W从处理液L提起。由此，结束针对处理液L的基板W的浸渍。浸渍时间通过实验等预先设定，例如基于蚀刻对象的膜厚和蚀刻速度来预先设定。
控制部90可以针对每批校正浸渍时间，以使蚀刻量收于容许范围。例如，控制部90获取处理液L的温度曲线和浓度曲线中的至少一方，基于获取到的数据来校正浸渍时间。是因为蚀刻速度依赖于温度T和过氧化氢浓度C1。
如图6所示，当温度T超过蚀刻开始温度TETC时，蚀刻开始。处理液L的温度T越高，则蚀刻速度ER越快。蚀刻速度ER与温度T之间的关系式预先通过实验等求出。控制部90可以基于蚀刻速度ER与温度T之间的关系式、以及温度曲线来校正浸渍时间。另外，控制部90也可以在温度T超过蚀刻开始温度TETC后对T与TETC之差(T-TETC)进行积分，基于该积分值来校正浸渍时间。
如图7所示，蚀刻速度ER还依赖于过氧化氢浓度C1。过氧化氢浓度C1越高，则蚀刻速度ER越快。蚀刻速度ER与过氧化氢浓度C1之间的关系式预先通过实验等求出。控制部90也可以基于蚀刻速度ER与过氧化氢浓度C1之间的关系式、以及过氧化氢浓度C1的曲线来校正浸渍时间。蚀刻速度ER与过氧化氢浓度C1之间的关系式可以针对每个温度T进行准备。
过氧化氢浓度C1由浓度检测部52(图1)进行检测。浓度检测部52设置于处理槽10，但也可以设置于循环路20。浓度检测部52将表示检测结果的信号发送到控制部90。此外，浓度检测部52也可以检测硫酸浓度C2。过氧化氢浓度C1与硫酸浓度C2也可以由各自分开的浓度检测部52进行检测。
如上所述，根据本实施方式，在处理液L的温度T由于混合热而上升达到峰值温度TMAX之前，使基板W浸渍在处理液L中。由此，能够在进行热分解的成分(例如过氧化氢)的浓度显著下降之前对基板W进行处理，从而能够对基板W高效地进行处理。另外，能够缩短直到浸渍开始为止的等待时间，从而能够对基板W高效地进行处理。
基板处理装置1也可以具备预测部，该预测部预测处理液L的温度T向峰值温度TMAX上升的过程的温度曲线。预测部可以是控制部90的一部分。预测部例如基于过去批次的温度曲线来预测当前批次的温度曲线。在批次之间，温度曲线几乎不变动。
控制部90进行以下控制：在处理液L的温度T达到峰值温度TMAX之前，基于预测部的预测结果对搬送装置60(参照图1)发送向基板保持部30搬送基板W的指令。由此，能够在处理液L的温度T由于混合热而上升达到峰值温度TMAX之前，使基板W浸渍在处理液L中。
此外，在本实施方式中，在时刻t5，当处理液L的温度T达到浸渍开始温度TSTA(例如130℃)时，开始基板W的浸渍，但本公开的技术不限定于此。例如，也可以在处理液L的循环开始(时刻t3)后且由加热器25开始加热(时刻t4)前，开始基板W的浸渍。
在由加热器25开始加热(时刻t4)前，硫酸与过氧化氢水被均匀地混合，处理液L的温度T暂时地稳定化。可以在温度T稳定的期间开始基板W的浸渍。在该情况下，相比于在温度T上升过程中开始基板W的浸渍的情况，容易进行对开始进行基板W的浸渍的定时的管理。
另外，在由加热器25开始加热(时刻t4)前，温度T低于蚀刻开始温度TETC，蚀刻实质上未开始。蚀刻量能够按照从温度T达到蚀刻开始温度TETC的时刻起的经过时间等进行管理。蚀刻量的管理容易。优选的是，在温度T以比蚀刻开始温度TETC低的温度稳定的期间开始基板W的浸渍。
以上，对本公开所涉及的基板处理装置和基板处理方法的实施方式进行了说明，但本公开不限定于上述实施方式等。能够在权利要求书所记载的范围内进行各种变更、修正、置换、附加、删除、以及组合。这些也当然属于本公开的技术范围。
附图标记说明
1：基板处理装置；10：处理槽；20：循环路；30：基板保持部；40：升降部；L：处理液；W：基板。

Claims (18)

1.一种基板处理装置，具备：处理槽，其贮存用于对基板进行处理的处理液；循环路，其用于将所述处理液从所述处理槽取出并使其返回到所述处理槽；基板保持部，其用于保持所述基板；升降部，其用于使所述基板保持部在所述处理槽的内部的浸渍位置与比所述处理槽靠上方的待机位置之间进行升降；以及控制部，其控制所述升降部，
其中，所述处理液是将第一成分与第二成分混合而成的混合液，且是产生混合热的混合液，
所述控制部进行以下控制：在所述混合液的温度由于所述混合热而上升达到峰值温度之前使所述基板浸渍在所述混合液中。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备加热部，所述加热部对所述混合液进行加热，
所述控制部在所述混合液的温度达到所述峰值温度之前和达到所述峰值温度之后按照不同的设定控制所述加热部。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部在所述混合液的温度达到所述峰值温度之前和达到所述峰值温度之后使用不同的传递函数对所述加热部进行反馈控制。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部在所述混合液的温度达到所述峰值温度之前和达到所述峰值温度之后以不同的电流值对所述加热部进行恒流控制。
5.根据权利要求2至4中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在从所述第一成分与所述第二成分混合开始起到所述混合液的温度达到所述峰值温度为止的期间，所述混合热的总热量比所述加热部的总热量大，
在从所述混合液的温度达到所述峰值温度起到所述基板的浸渍结束为止的期间，所述混合热的总热量比所述加热部的总热量小。
6.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备：预测部，其预测所述混合液的温度向所述峰值温度上升的过程的温度曲线；以及搬送装置，其搬送所述基板，
所述控制部进行以下控制：在所述混合液的温度达到所述峰值温度之前，基于所述预测部的预测结果对所述搬送装置发送向所述基板保持部搬送所述基板的指令。
7.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一成分是硫酸，所述第二成分是过氧化氢。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备：硫酸供给部，其用于对所述处理槽供给硫酸；以及过氧化氢供给部，其用于对所述处理槽供给过氧化氢，
所述控制部进行以下控制：在所述混合液的温度达到所述峰值温度之后且结束针对所述混合液的所述基板的浸渍之前对所述处理槽补充过氧化氢。
9.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备：温度检测部，其检测所述混合液的温度；以及浓度检测部，其检测所述混合液中的所述第一成分或所述第二成分的浓度，
所述控制部进行以下控制：获取所述混合液的温度曲线和浓度曲线中的至少一方并基于获取到的数据来校正针对所述混合液的所述基板的浸渍时间。
10.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备：排出部，其从所述处理槽排出所述混合液；以及冷却部，其向所述循环路供给冷却液或冷却气体，
所述控制部进行以下控制：在从所述处理槽排出所述混合液后向所述循环路供给冷却液或冷却气体。
11.一种基板处理方法，包括：将用于对基板进行处理的处理液贮存于处理槽；将所述处理液从所述处理槽取出到循环路并使其从所述循环路返回到所述处理槽；以及将所述基板浸渍在贮存于所述处理槽的所述处理液中，
其中，所述处理液是将第一成分与第二成分混合而成的混合液，且是产生混合热的混合液，
所述基板处理方法包括：在所述混合液的温度由于所述混合热而上升达到峰值温度之前将基板浸渍在所述混合液中。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，
还包括：通过加热部对所述混合液进行加热；以及在所述混合液的温度达到所述峰值温度之前和达到所述峰值温度之后，按照不同的设定控制所述加热部。
13.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其特征在于，
还包括：预测所述混合液的温度向所述峰值温度上升的过程的温度曲线；以及在所述混合液的温度达到所述峰值温度前，基于所述预测的结果对搬送装置发送搬送所述基板的指令。
14.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其特征在于，
所述第一成分是硫酸，所述第二成分是过氧化氢。
15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其特征在于，
还包括：在所述混合液的温度达到所述峰值温度后且结束针对所述混合液的所述基板的浸渍之前，对所述处理槽补充过氧化氢。
16.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其特征在于，
还包括：获取所述处理液的温度曲线和浓度曲线中的至少一方，并基于获取到的数据来校正针对所述混合液的所述基板的浸渍时间。
17.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其特征在于，
针对每批所述基板进行从所述处理槽的所述混合液的排出、以及向所述处理槽的所述混合液的贮存。
18.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其特征在于，
还包括：在从所述处理槽排出所述混合液后且向所述处理槽再次贮存所述混合液前，将所述循环路冷却。
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