CN117457668A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种显示面板及其制备方法，该显示面板包括透光区以及位于透光区外围的遮光区；显示面板的第一电极层设置在第一基底上，并在透光区形成有像素电极，栅极绝缘层覆盖在第一电极层及第一基底上，源漏极层设置在栅极绝缘层上，并在遮光区形成数据线，钝化层覆盖在源漏极层以及栅极绝缘层上，第二电极层设置在钝化层上，并在遮光区形成遮光电极，在透光区形成公共电极，遮光电极与数据线对应设置，公共电极与像素电极对应设置，钝化层在透光区的厚度小于钝化层在遮光区的厚度，以减小像素电极和公共电极之间绝缘层的厚度，如此在形成一定的电场时，可降低需要的驱动电压，进而可降低显示面板的功耗，以缓解亟需降低现有显示屏幕功耗的问题。

Description

显示面板及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
随着显示技术的发展，平板显示器等智能移动设备的发展势头越来越明显，由于其轻便等特征，越来越多地被应用于生产生活当中。但在电池技术发展缓慢的情况下，作为耗电量最高的部件，显示屏幕的功耗很大程度决定了移动设备等的待机时间，对此，为了使移动设备更省电、待机更长，降低功耗成为业内一致追求的目标。因此，降低显示屏幕的功耗成为业内亟需解决的问题。
发明内容
本申请提供一种显示面板及其制备方法，以缓解亟需降低现有显示屏幕功耗的技术问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请实施例提供一种显示面板，其包括透光区以及位于所述透光区外围的遮光区；所述显示面板还包括：
第一基底；
第一电极层，设置在所述第一基底上，并在所述透光区形成有像素电极；
栅极绝缘层，覆盖在所述第一电极层以及所述第一基底上；
源漏极层，设置在所述栅极绝缘层上，并在所述遮光区形成数据线；
钝化层，覆盖在所述源漏极层以及所述栅极绝缘层上；以及
第二电极层，设置在所述钝化层上，并在所述遮光区形成遮光电极，在所述透光区形成公共电极，所述遮光电极与所述数据线对应设置，所述公共电极与所述像素电极对应设置；
其中，所述钝化层在所述透光区的厚度小于所述钝化层在所述遮光区的厚度。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述钝化层在对应所述透光区设置有第一开口，所述第一开口至少贯穿所述钝化层以暴露出所述栅极绝缘层，所述公共电极位于所述第一开口内，并设置在所述栅极绝缘层上。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述第一开口还延伸至所述栅极绝缘层内，所述栅极绝缘层在所述透光区的厚度小于所述栅极绝缘层在所述遮光区的厚度。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述遮光电极在所述第一基底上的正投影覆盖所述数据线在所述第一基底上的正投影。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述遮光电极与所述公共电极电连接。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述显示面板还包括栅极金属层，所述栅极金属层位于所述第一电极层与所述源漏极层之间，所述栅极金属层在所述遮光区形成有栅极扫描线，所述第一电极层在所述遮光区形成有覆盖所述栅极扫描线的第一导电部。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述显示面板还包括半导体层，所述半导体层设置在所述栅极绝缘层上，所述源漏极层覆盖在所述半导体层上，所述半导体层在所述遮光区形成第一半导体部，所述数据线覆盖在所述第一半导体部上。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述栅极扫描线沿第一方向延伸，所述数据线沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向不同，相邻的所述栅极扫描线和所述数据线围成所述透光区。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述显示面板还包括位于所述第二电极层远离所述第一基底一侧的遮光层和彩膜层，所述遮光层在对应所述透光区设置有第二开口，所述彩膜层设置在所述第二开口内。
本申请实施例还提供一种显示面板制备方法，其包括：
提供第一基底，所述第一基底划分为透光区以及位于所述透光区外围的遮光区；
在所述第一基底上形成第一电极层，并使所述第一电极层在所述透光区形成像素电极；
在所述第一电极层以及所述第一基底上覆盖栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成源漏极层，并使所述源漏极层在所述遮光区形成数据线；
在所述源漏极层以及所述栅极绝缘层上覆盖钝化层，并使所述钝化层在所述透光区的厚度小于所述钝化层在所述遮光区的厚度；
在所述钝化层上形成第二电极层，并使所述第一电极层在所述遮光区形成遮光电极，在所述透光区形成公共电极，所述遮光电极与所述数据线对应设置，所述公共电极与所述像素电极对应设置。
本申请的有益效果为：本申请提供的显示面板及其制备方法中，显示面板包括透光区以及位于所述透光区外围的遮光区；所述显示面板的第一电极层设置在所述第一基底上，并在所述透光区形成有像素电极，栅极绝缘层覆盖在所述第一电极层以及所述第一基底上，源漏极层设置在所述栅极绝缘层上，并在所述遮光区形成数据线，钝化层覆盖在所述源漏极层以及所述栅极绝缘层上，第二电极层设置在所述钝化层上，并在所述遮光区形成遮光电极，在所述透光区形成公共电极，所述遮光电极与所述数据线对应设置，所述公共电极与所述像素电极对应设置，所述钝化层在所述透光区的厚度小于所述钝化层在所述遮光区的厚度，以减小像素电极和公共电极之间绝缘层的厚度，如此，在形成一定的电场时，可降低需要的驱动电压，进而可降低显示面板的功耗，从而解决了亟需降低现有显示屏幕功耗的问题。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的显示面板的一种俯视结构示意图。
图2为图1中沿N-N’方向的剖面结构示意图。
图3为本申请实施例提供的显示面板的一种剖面结构示意图。
图4为本申请实施例提供的显示面板的另一种剖面结构示意图。
图5为本申请实施例提供的显示面板制备方法的流程示意图。
图6至图14为本申请实施例提供的显示面板制备方法中各步骤制得的显示面板的部分膜层结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。在附图中，为了清晰理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。即附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本申请不限于此。
针对如何降低显示屏幕的功耗的问题，本申请的发明人在研究中发现：显示屏幕的像素电极和公共电极之间同时有栅极绝缘层和钝化层两层绝缘层，绝缘层的厚度大，会导致显示屏幕所需的驱动电压大，显示屏幕功耗大。为此，本申请提供一种显示面板和显示面板制备方法以解决显示屏幕功耗大的问题。
请参照图1至图2，图1为本申请实施例提供的显示面板的一种俯视结构示意图，图2为图1中沿N-N’方向的剖面结构示意图。如图1所示，所述显示面板100包括透光区TA以及位于所述透光区TA外围的遮光区SA。所述显示面板100还包括沿第一方向X延伸的多条栅极扫描线SL和沿第二方向Y延伸的多条数据线DL。所述栅极扫描线SL和所述数据线DL均对应所述遮光区SA设置，相邻的所述栅极扫描线SL和所述数据线DL围成所述透光区TA。所述第一方向X和所述第二方向Y不同，比如所述第一方向X为水平方向，所述第二方向Y为竖直方向，所述第一方向X和所述第二方向Y相互垂直。
具体地，参照图2，所述显示面板100还包括第一基底10以及依次设置在所述第一基底10上的第一电极层20、栅极绝缘层11、源漏极层30、钝化层12、第二电极层40。可选地，所述第一基底10包括玻璃基板等。
所述第一电极层20设置在所述第一基底10上，所述第一电极层20在所述透光区TA形成有像素电极21。可选地，所述第一电极层20的材料包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)等透明导电材料。
所述栅极绝缘层11覆盖在所述第一电极层20以及所述第一基底10上。所述栅极绝缘层11的材料包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiNO)等无机材料。
所述源漏极层30设置在所述栅极绝缘层11上，并在所述遮光区SA形成所述数据线DL，当然地，所述源漏极层30在所述透光区TA还形成有薄膜晶体管的源极和漏极，以及其他一些信号走线等。所述钝化层12覆盖在所述源漏极层30以及所述栅极绝缘层11上。可选地，所述钝化层12的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机材料。所述第二电极层40设置在所述钝化层12上，并在所述遮光区SA形成遮光电极42，在所述透光区TA形成公共电极41，所述遮光电极42与所述数据线DL对应设置，所述公共电极41与所述像素电极21对应设置。可选地，所述第二电极层40的材料和所述第一电极层20的材料相同。
可选地，所述遮光电极42在所述第一基底10上的正投影覆盖所述数据线DL在所述第一基底10上的正投影，以使所述遮光电极42能够完全遮挡住所述数据线DL，避免所述数据线DL对应的区域漏光。进一步地，为了提高所述遮光电极42的遮光效果，所述遮光电极42可与所述公共电极41电连接。
所述显示面板100还包括第二基底50以及设置在所述第二基底50上的遮光层60和彩膜层70。所述遮光层60和所述彩膜层70均面向所述第二电极层40设置。所述遮光层60对应所述遮光区SA设置，所述遮光层60在对应所述透光区TA设置有第二开口601，所述彩膜层70位于所述第二开口601内。另外，由于在对应所述遮光区SA设置有所述遮光电极42，所述遮光电极42和所述遮光层60一块起到遮光作用，避免所述遮光区SA漏光，从而可以减小所述遮光层60的宽度，提供所述显示面板100的开口率。
可选地，所述第二基底50的材料与所述第一基底10的材料相同。所述遮光层60的材料包括黑色矩阵(Black Matrix，BM)等不透光材料。所述彩膜层70包括红色彩膜、蓝色彩膜以及绿色彩膜，不同颜色的彩膜位于不同的所述第二开口601内。所述彩膜层70用于使光线透过后以特定的颜色出射，比如经过红色彩膜的光线以红光出射，经过蓝色彩膜的光线以蓝光出射，经过绿色彩膜的光线以绿光出射。
当然地，所述显示面板100还包括位于所述彩膜层70与所述第二电极层40之间的液晶层(图未示出)。所述像素电极21和所述公共电极41之间形成电场以控制所述液晶层的液晶分子的偏转，以对背光源的背光进行调制，进而实现所述显示面板100的彩色显示。具体地，所述数据线DL用于加载数据电压，所述栅线扫描线用于加载扫描信号以控制对应连接的薄膜晶体管的开启或关闭，当薄膜晶体管开启时，对应连接的所述数据线DL加载的数据电压通过该开启的薄膜晶体管写入对应连接的所述像素电极21，同时对应的所述公共电极41上加载公共电压，所述像素电极21和所述公共电极41之间形成用于控制所述液晶分子偏转的电场，从而控制对应区域的所述液晶分子偏转，以对来自背光源的光线进行调制，调制后的光线从设置有所述彩膜层70的透光区TA出射，实现所述显示面板100的彩色显示。
进一步地，所述钝化层12在所述透光区TA的厚度小于所述钝化层12在所述遮光区SA的厚度，以减小所述像素电极21和所述公共电极41之间绝缘层的厚度，如此，在形成一定的电场时，可降低用于驱动所述公共电极41和所述像素电极21的驱动电压，进而可降低所述显示面板100的功耗，从而解决了亟需降低现有显示屏幕功耗的问题。同时通过减小所述像素电极21和所述公共电极41之间绝缘层的厚度，还可提高所述像素电极21与所述公共电极41之间的存储电容的电容值，可有效提升所述显示面板100的可变刷新率。而在所述遮光区SA，所述数据线DL与所述遮光电极42之间的绝缘层较厚，可以起到增大所述数据线DL与上方的所述遮光电极42之间的距离，以降低所述数据线DL与所述遮光电极42之间的耦合作用，有利于减小所述数据线DL的负载。
下面将具体阐述如何实现所述钝化层12在所述透光区TA的厚度小于所述钝化层12在所述遮光区SA的厚度。
具体地，继续参照图2，所述钝化层12在对应所述透光区TA设置有第一开口121，所述第一开口121至少贯穿所述钝化层12以暴露出所述栅极绝缘层11，所述公共电极41位于所述第一开口121内，并设置在所述栅极绝缘层11上。具体地，在所述源漏极层30以及所述栅极绝缘层11上形成整层的所述钝化层12后，采用半色调掩膜板(Half-tone mask，HTM)对所述钝化层12进行黄光工艺，通过控制所述半色调掩膜板在所述遮光区SA和所述透光区TA的透光量以控制曝光量，使所述钝化层12在所述遮光区SA和所述透光区TA形成不同的厚度，其中可使所述透光区TA的所述钝化层12完全去除，使所述公共电极41和所述像素电极21之间只保留所述栅极绝缘层11。
在一种实施例中，参照图1至图3，图3为本申请实施例提供的显示面板的一种剖面结构示意图。如图3所示，所述显示面板100还包括栅极金属层80，所述栅极金属层80位于所述第一电极层20与所述源漏极层30之间，所述栅极金属层80在所述遮光区SA形成有栅极扫描线SL，同时所述栅极金属层80在所述透光区TA还形成有薄膜晶体管的栅极和其他一些信号线。所述第一电极层20在所述遮光区SA形成有第一导电部22，所述栅极扫描线SL覆盖在所述第一导电部22上。如此，所述第一电极层20和所述栅极金属层80在同一道黄光工艺下进行图案化，以节省光罩，节约成本。
进一步地，所述显示面板100还包括半导体层90，所述半导体层90设置在所述栅极绝缘层11上，所述源漏极层30覆盖在所述半导体层90上，所述半导体层90在所述遮光区SA形成第一半导体部91，所述半导体层90在所述透光区TA形成有薄膜晶体管的有源层。所述数据线DL覆盖在所述第一半导体部91上。同样地，所述半导体层90和所述源漏极层30也在同一道黄光工艺下进行图案化，从而能够节省光罩，节约成本。
在一种实施例中，请结合参照图1至图4，图4为本申请实施例提供的显示面板的另一种剖面结构示意图。所述第一开口121还延伸至所述栅极绝缘层11内，所述栅极绝缘层11在所述透光区TA的厚度小于所述栅极绝缘层11在所述遮光区SA的厚度，从而进一步减小所述像素电极21和所述公共电极41之间的绝缘层厚度，以进一步降低用于驱动所述公共电极41和所述像素电极21的驱动电压，进而可进一步降低所述显示面板100的功耗。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种显示面板制备方法，请结合参照图1至图14，图5为本申请实施例提供的显示面板制备方法的流程示意图，图6至图14为本申请实施例提供的显示面板制备方法中各步骤制得的显示面板的部分膜层结构示意图。参照图5，所述显示面板制备方法包括以下步骤：
S301：提供第一基底10，所述第一基底10划分为透光区TA以及位于所述透光区TA外围的遮光区SA；
具体地，参照图6，提供所述第一基底10，并对所述第一基底10进行清洗、烘干等制程。所述第一基底10划分为透光区TA以及位于所述透光区TA外围的遮光区SA。所述第一基底10包括玻璃基板等硬质基板。
S302：在所述第一基底10上形成第一电极层20，并使所述第一电极层20在所述透光区TA形成像素电极21；
具体地，参照图7和图8，在所述第一基底10上依次沉积第一电极层20和栅极金属层80，并使用第一道光罩对所述第一电极层20和所述栅极金属层80进行黄光工艺，以使所述第一电极层20在所述透光区TA形成像素电极21，并在所述遮光区SA形成第一导电部22；所述栅极金属层80在所述遮光区SA形成栅极扫描线SL，所述栅极扫描线SL与所述第一导电部22对应设置，且所述栅极扫描线SL覆盖在所述第一导电部22上。当然地，所述栅极金属层80在所述透光区TA还形成有薄膜晶体管的栅极以及一些其他信号线。其中，所述第一道光罩包括半色调掩膜板(Half-tone mask，HTM)。
可选地，所述第一电极层20的材料包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)等透明导电材料。所述栅极金属层80的材料包括铜、钛、钼等金属或者其合金。
S303：在所述第一电极层20以及所述第一基底10上覆盖栅极绝缘层11；
具体地，参照图9，在所述第一电极层20以及所述第一基底10上沉积栅极绝缘层11，所述栅极绝缘层11覆盖所述像素电极21、所述栅极扫描线SL以及部分所述第一基底10。所述栅极绝缘层11的材料包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiNO)等无机材料。
S304：在所述栅极绝缘层11上形成源漏极层30，并使所述源漏极层30在所述遮光区SA形成数据线DL；
具体地，参照图10和图11，在所述栅极绝缘层11上依次沉积半导体层90和源漏极层30，并采用第二道光罩对所述半导体层90和所述源漏极层30进行黄光工艺，以使所述半导体层90在所述遮光区SA形成第一半导体部91；所述源漏极层30在所述遮光区SA形成数据线DL，所述数据线DL覆盖在所述第一半导体部91上。其中，所述第二道光罩包括半色调掩膜板(Half-tone mask，HTM)。
当然地，所述半导体层90在所述透光区TA还形成有薄膜晶体管的有源层，所述源漏极层30在所述透光区TA还形成有薄膜晶体管的源极和漏极，所述源极和所述漏极覆盖在部分所述有源层上。如此，所述半导体层90和所述源漏极层30也在同一道黄光工艺下进行图案化，从而能够节省光罩，节约成本。
可选地，所述半导体层90的材料包括低温多晶硅、金属氧化物半导体材料等半导体材料。所述源漏极层30的材料包括铜、钛、钼等金属或者其合金。
S305：在所述源漏极层30以及所述栅极绝缘层11上覆盖钝化层12，并使所述钝化层12在所述透光区TA的厚度小于所述钝化层12在所述遮光区SA的厚度；
具体地，参照图12和图13，在所述源漏极层30以及所述栅极绝缘层11上沉积钝化层12，并采用第三道光罩对所述钝化层12进行黄光工艺，以使所述钝化层12在所述透光区TA的厚度小于所述钝化层12在所述遮光区SA的厚度。具体而言，所述钝化层12在所述透光区TA形成第一开口121，所述第一开口121贯穿至少部分所述钝化层12，本实施例以所述第一开口121完全贯穿所述钝化层12，以完全去除所述透光区TA的所述钝化层12为例说明。其中，所述第三道光罩包括半色调掩膜板(Half-tone mask，HTM)。
可选地，所述钝化层12的材料包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiNO)等无机材料。
S306：在所述钝化层12上形成第二电极层40，并使所述第一电极层20在所述遮光区SA形成遮光电极42，在所述透光区TA形成公共电极41，所述遮光电极42与所述数据线DL对应设置，所述公共电极41与所述像素电极21对应设置。
具体地，参照图14，在所述钝化层12上沉积第二电极层40，所述第二电极层40覆盖在所述钝化层12以及所述栅极绝缘层11上。采用第四道光罩对所述第二电极层40进行黄光工艺，以使所述第一电极层20在所述遮光区SA形成遮光电极42，在所述透光区TA形成公共电极41，所述遮光电极42与所述数据线DL对应设置，所述公共电极41与所述像素电极21对应设置。可选地，所述第二电极层40的材料与所述第一电极层20的材料相同。
需要说明的是，参照图3，本申请实施例的显示面板制备方法还包括提供第二基底50，并在在所述第二基底50上形成遮光层60和彩膜层70。所述遮光层60和所述彩膜层70均面向所述第二电极层40设置。所述遮光层60对应所述遮光区SA设置，所述遮光层60在对应所述透光区TA设置有第二开口601，所述彩膜层70位于所述第二开口601内。另外，由于在对应所述遮光区SA设置有所述遮光电极42，所述遮光电极42和所述遮光层60一块起到遮光作用，避免所述遮光区SA漏光，从而可以减小所述遮光层60的宽度，提供所述显示面板100的开口率。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种电子装置，所述电子装置包括壳体以及前述实施例其中之一的显示面板100，所述显示面板100设置在所述壳体内。所述电子装置包括手机、平板、电视等显示设备。
根据上述实施例可知：
本申请提供一种显示面板及其制备方法，显示面板包括透光区以及位于所述透光区外围的遮光区；所述显示面板的第一电极层设置在所述第一基底上，并在所述透光区形成有像素电极，栅极绝缘层覆盖在所述第一电极层以及所述第一基底上，源漏极层设置在所述栅极绝缘层上，并在所述遮光区形成数据线，钝化层覆盖在所述源漏极层以及所述栅极绝缘层上，第二电极层设置在所述钝化层上，并在所述遮光区形成遮光电极，在所述透光区形成公共电极，所述遮光电极与所述数据线对应设置，所述公共电极与所述像素电极对应设置，所述钝化层在所述透光区的厚度小于所述钝化层在所述遮光区的厚度，以减小像素电极和公共电极之间绝缘层的厚度，如此，在形成一定的电场时，可降低需要的驱动电压，进而可降低显示面板的功耗，从而解决了亟需降低现有显示屏幕功耗的问题。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括透光区以及位于所述透光区外围的遮光区；所述显示面板还包括：
第一基底；
第一电极层，设置在所述第一基底上，并在所述透光区形成有像素电极；
栅极绝缘层，覆盖在所述第一电极层以及所述第一基底上；
源漏极层，设置在所述栅极绝缘层上，并在所述遮光区形成数据线；
钝化层，覆盖在所述源漏极层以及所述栅极绝缘层上；以及
第二电极层，设置在所述钝化层上，并在所述遮光区形成遮光电极，在所述透光区形成公共电极，所述遮光电极与所述数据线对应设置，所述公共电极与所述像素电极对应设置；
其中，所述钝化层在所述透光区的厚度小于所述钝化层在所述遮光区的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述钝化层在对应所述透光区设置有第一开口，所述第一开口至少贯穿所述钝化层以暴露出所述栅极绝缘层，所述公共电极位于所述第一开口内，并设置在所述栅极绝缘层上。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一开口还延伸至所述栅极绝缘层内，所述栅极绝缘层在所述透光区的厚度小于所述栅极绝缘层在所述遮光区的厚度。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述遮光电极在所述第一基底上的正投影覆盖所述数据线在所述第一基底上的正投影。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述遮光电极与所述公共电极电连接。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括栅极金属层，所述栅极金属层位于所述第一电极层与所述源漏极层之间，所述栅极金属层在所述遮光区形成有栅极扫描线，所述第一电极层在所述遮光区形成有覆盖所述栅极扫描线的第一导电部。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括半导体层，所述半导体层设置在所述栅极绝缘层上，所述源漏极层覆盖在所述半导体层上，所述半导体层在所述遮光区形成第一半导体部，所述数据线覆盖在所述第一半导体部上。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述栅极扫描线沿第一方向延伸，所述数据线沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向不同，相邻的所述栅极扫描线和所述数据线围成所述透光区。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述第二电极层远离所述第一基底一侧的遮光层和彩膜层，所述遮光层在对应所述透光区设置有第二开口，所述彩膜层设置在所述第二开口内。
10.一种显示面板制备方法，其特征在于，包括：
提供第一基底，所述第一基底划分为透光区以及位于所述透光区外围的遮光区；
在所述第一基底上形成第一电极层，并使所述第一电极层在所述透光区形成像素电极；
在所述第一电极层以及所述第一基底上覆盖栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成源漏极层，并使所述源漏极层在所述遮光区形成数据线；
在所述源漏极层以及所述栅极绝缘层上覆盖钝化层，并使所述钝化层在所述透光区的厚度小于所述钝化层在所述遮光区的厚度；以及
在所述钝化层上形成第二电极层，并使所述第一电极层在所述遮光区形成遮光电极，在所述透光区形成公共电极，所述遮光电极与所述数据线对应设置，所述公共电极与所述像素电极对应设置。
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