CN117377210B - 一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作方法，涉及Si3N4陶瓷覆铝基板制作技术领域，包括下列第一种步骤和第二种步骤，第一种步骤：切割‑丝印‑烧结‑磨刷‑贴膜‑曝光‑显影‑化银‑终检；第二种步骤：丝印‑烧结‑磨刷‑贴膜‑曝光‑显影‑切割‑化银‑终检；本发明通过改变对于氮化硅陶瓷覆铝基板的步骤，将切割工艺放在化银工艺之前，能够有效避免激光切割导致的铜侧壁的氧化污染问题；解决了激光切割导致的化银面变色，氧化，污染等问题；解决了激光切割产生的粉尘会污染产品问题；解决了化银产品在环境中停留时间偏长，易造成化银面变色、氧化和污染等问题。
Description
技术领域
本发明涉及Si3N4陶瓷覆铝基板制作技术领域，尤其涉及一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作方法。
背景技术
由于具有高温强度高、耐磨损、抗击穿、耐腐蚀、抗氧化、化学稳定性高等特点，氮化硅陶瓷已广泛用作高温结构材料，也适合作为高温、高频、大功率的半导体材料；
现有技术对于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作的步骤如下：丝印-烧结-磨刷-贴膜-曝光-显影-化银-切割-终检，这种对于Si3N4陶瓷覆铝基板进行加工的步骤存在下列问题；激光切割会对切割位置的铜侧壁产生氧化污染；激光切割过程会使化银面变色，氧化，污染；激光切割产生的粉尘会污染产品；化银产品在环境中停留时间偏长，易造成化银面变色，氧化，污染；因此，需要设计一种能够解决上述问题的Si3N4陶瓷覆铝基板用制造步骤。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作方法。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作方法，包括下列第一种步骤：
S1，首先将Ag、Al、Ti元素直接以粉末形式混合制成浆料，并形成可以使用的氮化硅陶瓷基板；
S2，采用丝网印刷技术将Ag、Al、Ti焊料印刷在氮化硅陶瓷基板上；
S3，再利用热压技术将铝箔层压在焊料上；
S4，接着对氮化硅陶瓷基板进行烧结，当烧结温度达到210℃以上，在氧气环境中银粉中的有机添加剂会因高温分解而挥发，最终变成纯银连接层，不会产生杂质相；整个烧结过程是银粉颗粒致密化的过程，烧结完成后即可形成良好的机械连接层；
S5，然后对氮化硅陶瓷基板进行曝光和贴膜处理：将菲林片置于经压合在基板上的干膜之上，利用底片成像原理，曝光机产生紫外光，使铬板上的膜发生聚合反应生成不溶弱碱的抗蚀膜层，不需要的部分被有记载图形的菲林片遮住，不发生光聚合反应；
S6，继续对氮化硅陶瓷基板进行显影操作：将未曝光部分的活性基团与碱性溶液反应生成可溶性物质而溶解下来，留下已感光交联固化的部分；
S7，在对氮化硅陶瓷覆铝基板的显影操作结束后，接着对氮化硅陶瓷覆铝基板进行化银操作；
S8，在对于氮化硅陶瓷覆铝基板进行化银操作结束后，对氮化硅陶瓷覆铝基板进行产品终检即可；
还包括下列第二种步骤：
S1，首先将Ag、Al、Ti元素直接以粉末形式混合制成浆料，并形成可以使用的氮化硅陶瓷基板；
S2，采用丝网印刷技术将Ag、Al、Ti焊料印刷在氮化硅陶瓷基板上；
S3，再利用热压技术将铝箔层压在焊料上；
S4，接着对氮化硅陶瓷基板进行烧结，当烧结温度达到210℃以上，在氧气环境中银粉中的有机添加剂会因高温分解而挥发，最终变成纯银连接层，不会产生杂质相；整个烧结过程是银粉颗粒致密化的过程，烧结完成后即可形成良好的机械连接层；
S5，然后对氮化硅陶瓷基板进行曝光和贴膜处理：将菲林片置于经压合在基板上的干膜之上，利用底片成像原理，曝光机产生紫外光，使铬板上的膜发生聚合反应生成不溶弱碱的抗蚀膜层，不需要的部分被有记载图形的菲林片遮住，不发生光聚合反应；
S6，继续对氮化硅陶瓷基板进行显影操作：将未曝光部分的活性基团与碱性溶液反应生成可溶性物质而溶解下来，留下已感光交联固化的部分；
S601，接着将氮化硅陶瓷基板送入激光切割装置中，并通过激光切割装置精确地将氮化硅陶瓷基板切割成零部件生产所需的特定大小和形状；
S7，在氮化硅陶瓷覆铝基板的激光切割加工后，对于氮化硅陶瓷覆铝基板进行化银操作；
S8，在对于氮化硅陶瓷覆铝基板进行化银操作结束后，对氮化硅陶瓷覆铝基板进行产品终检即可。
优选地，所述S101的工序包括：接着将氮化硅陶瓷基板送入激光切割装置中，并通过激光切割装置精确的将氮化硅陶瓷基板切割成零部件生产所需的特定大小和形状。
优选地，所述S601的工序包括：接着将氮化硅陶瓷基板送入激光切割装置中，并通过激光切割装置精确的将氮化硅陶瓷基板切割成零部件生产所需的特定大小和形状。
优选地，所述激光切割装置包括壳体、设于壳体内顶面上的激光切割器、设于壳体两侧壁上的托架和水平安装在托架顶部的输送机，所述壳体两侧外壁的中部均开设有矩形口，所述输送机的内端均从矩形中延伸进壳体内部；所述壳体的下部内安装有槽口朝上的集渣箱，所述集渣箱顶部的内壁上开设有矩形框状的放置槽，所述放置槽内部水平搭设有安装框板，所述安装框板的内框中横向等距固接有多根纵置的纵梁，所述纵梁的顶部均纵向等距安装有多个竖置的支撑板；所述支撑板的顶端开设有轮槽，所述轮槽内部转动安装有用于氮化硅陶瓷基板承托的承托轮；所述安装框板的顶面后端设有驱动盒，所述驱动盒内部设有驱动组件；所述支撑板的内部开设有传动腔，所述传动腔内部设有用于承托轮转动的传动机构。
优选地，所述驱动组件包括纵向转动设于驱动盒前端面的多根转轴和设于驱动盒后端的微型电机，所述转轴的前端活动贯穿至安装框板顶面前端的支撑板传动腔内部，所述转轴的后端活动贯穿进驱动盒内部，并固定套接有链轮，所述链轮之间套接有链条；所述微型电机的驱动轴前端与其中一根转轴的后端同轴固接。
优选地，所述传动机构包括开设在承托轮外圈壁中部的安装环槽、固定套接在安装环槽中的固定齿环、开设在传动腔顶部的连通口、纵向转动设于连通口内部的转杆、固定套接在转杆中部的齿轮和设于传动腔下部内的主动带轮，所述齿轮的顶部从连通口延伸进轮槽内部，且所述齿轮的顶部与固定齿环的底部啮合，所述主动带轮为开设有多个带轮槽的带轮结构；所述转杆的前后端杆体上均固定套接有从动带轮，所述从动带轮与主动带轮之间套接有传动带；所述主动带轮均固定套接在进入传动腔内部的转轴上。
优选地，所述承托轮外圈壁的前后端轮体上均固定套接有缓冲胶环。
优选地，所述输送机的输送带顶面高度与承托轮的顶面高度齐平，且所述输送机的输送带贴近支撑板上的承托轮。
优选地，所述支撑板为上窄下宽状的板体结构，所述安装框板的底面设有一层缓冲垫框，且所述缓冲垫框与放置槽的底面抵接。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过改变对于氮化硅陶瓷覆铝基板的步骤，将切割工艺放在化银工艺之前，能够有效避免激光切割导致的铜侧壁的氧化污染问题；解决了激光切割导致的化银面变色，氧化，污染等问题；解决了激光切割产生的粉尘会污染产品问题；解决了化银产品在环境中停留时间偏长，易造成化银面变色、氧化和污染等问题；
本发明通过所设计的激光切割装置，能够在对氮化硅陶瓷覆铝基板进行切割时起到移位调节和切割后自动输送出的作用，并且通过承托轮与缓冲胶环配合，便于在氮化硅陶瓷覆铝基板从输送机进入切割区域时，能够避免与承托轮出现刚性撞击的情况出现，同时能够提高对于氮化硅陶瓷覆铝基板在切割输送过程中的防护效果；并且切割所产生的废渣会掉落进集渣箱内部，不会聚集在氮化硅陶瓷覆铝基板的底部；
本发明还通过缓冲胶环和缓冲垫框的设置，便于在激光切割器的切割头下降高度有误对氮化硅陶瓷覆铝基板造成挤压时，能够对氮化硅陶瓷覆铝基板起到柔性缓冲的卸力的作用；有效提高对于氮化硅陶瓷覆铝基板在切割时的保护效果。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明的激光切割装置整体结构示意图；
图2为本发明的激光切割装置主视结构示意图；
图3为本发明的激光切割装置俯视结构示意图；
图4为本发明的安装框板与支撑板等轴侧结构示意图；
图5为本发明的安装框板与支撑板立体结构后视图；
图6为本发明的驱动盒俯视结构剖视图；
图7为本发明的安装框板与支撑板主视结构示意图；
图8为本发明的支撑板一侧结构剖视图；
图9为本发明的承托轮主视结构剖视图。
图中序号：1、壳体；2、激光切割器；3、托架；4、输送机；5、集渣箱；6、安装框板；7、纵梁；8、支撑板；9、承托轮；10、驱动盒；11、转轴；12、微型电机；13、链轮；14、链条；15、固定齿环；16、转杆；17、齿轮；18、从动带轮；19、主动带轮；20、传动带；21、缓冲胶环；22、缓冲垫框。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
实施例：参见图1-9，一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作方法，包括下列第一种步骤：
首先将Ag、Al、Ti元素直接以粉末形式混合制成浆料，并形成可以使用的氮化硅陶瓷基板；
然后将大片的氮化硅陶瓷基板送入激光切割装置中，并通过激光切割装置精确地将氮化硅陶瓷基板切割成零部件生产所需的特定大小和形状；采用丝网印刷技术将Ag、Al、Ti焊料印刷在氮化硅陶瓷基板上；再利用热压技术将铝箔层压在焊料上；接着对氮化硅陶瓷基板进行烧结，当烧结温度达到210℃以上，在氧气环境中银粉中的有机添加剂会因高温分解而挥发，最终变成纯银连接层，不会产生杂质相；整个烧结过程是银粉颗粒致密化的过程，烧结完成后即可形成良好的机械连接层；然后对氮化硅陶瓷基板进行曝光和贴膜处理：将菲林片置于经压合在基板上的干膜之上，利用底片成像原理，曝光机产生紫外光，使铬板上的膜发生聚合反应生成不溶弱碱的抗蚀膜层，不需要的部分被有记载图形的菲林片遮住，不发生光聚合反应；继续对氮化硅陶瓷基板进行显影操作：将未曝光部分的活性基团与碱性溶液反应生成可溶性物质而溶解下来，留下已感光交联固化的部分；在对氮化硅陶瓷覆铝基板的显影操作结束后，接着对氮化硅陶瓷覆铝基板进行化银操作；在对于氮化硅陶瓷覆铝基板进行化银操作结束后，对氮化硅陶瓷覆铝基板进行产品终检即可；
还包括下列第二种步骤：首先将Ag、Al、Ti元素直接以粉末形式混合制成浆料，并形成可以使用的氮化硅陶瓷基板；采用丝网印刷技术将Ag、Al、Ti焊料印刷在氮化硅陶瓷基板上；再利用热压技术将铝箔层压在焊料上；接着对氮化硅陶瓷基板进行烧结，当烧结温度达到210℃以上，在氧气环境中银粉中的有机添加剂会因高温分解而挥发，最终变成纯银连接层，不会产生杂质相；整个烧结过程是银粉颗粒致密化的过程，烧结完成后即可形成良好的机械连接层；然后对氮化硅陶瓷基板进行曝光和贴膜处理：将菲林片置于经压合在基板上的干膜之上，利用底片成像原理，曝光机产生紫外光，使铬板上的膜发生聚合反应生成不溶弱碱的抗蚀膜层，不需要的部分被有记载图形的菲林片遮住，不发生光聚合反应；继续对氮化硅陶瓷基板进行显影操作：将未曝光部分的活性基团与碱性溶液反应生成可溶性物质而溶解下来，留下已感光交联固化的部分；接着将氮化硅陶瓷基板送入激光切割装置中，并通过激光切割装置精确的将氮化硅陶瓷基板切割成零部件生产所需的特定大小和形状；在氮化硅陶瓷覆铝基板的激光切割加工后，对于氮化硅陶瓷覆铝基板进行化银操作；在对于氮化硅陶瓷覆铝基板进行化银操作结束后，对氮化硅陶瓷覆铝基板进行产品终检即可；通过上述两种改变对于氮化硅陶瓷覆铝基板的步骤，均将切割工艺放在化银工艺之前，均能够有效避免激光切割导致的铜侧壁的氧化污染问题；解决了激光切割导致的化银面变色，氧化，污染等问题；解决了激光切割产生的粉尘会污染产品问题；解决了化银产品在环境中停留时间偏长，易造成化银面变色，氧化，污染问题。
在本发明中，激光切割装置包括壳体1、设于壳体1内顶面上的激光切割器2、设于壳体1两侧壁上的托架3和水平安装在托架3顶部的输送机4，壳体1两侧外壁的中部均开设有矩形口，壳体1的前端上部的两侧均铰接有防辐射透明柜门，便于操作者观察到对于氮化硅陶瓷覆铝基板的切割情况；输送机4的内端均从矩形中延伸进壳体1内部；壳体1的下部内安装有槽口朝上的集渣箱5，集渣箱5顶部的内壁上开设有矩形框状的放置槽，放置槽内部水平搭设有安装框板6，安装框板6的内框中横向等距固接有多根纵置的纵梁7，纵梁7的顶部均纵向等距安装有多个竖置的支撑板8；支撑板8的顶端开设有轮槽，轮槽内部转动安装有用于氮化硅陶瓷基板承托的承托轮9，承托轮9的顶部高度高于支撑板8的顶部高度，能够对氮化硅陶瓷覆铝基板进行支撑，避免氮化硅陶瓷覆铝基板的底面与支撑板8的顶部出现剐蹭，提高对于氮化硅陶瓷覆铝基板的保护效果；安装框板6的顶面后端设有驱动盒10，驱动盒10内部设有驱动组件；支撑板8的内部开设有传动腔，传动腔内部设有用于承托轮9转动的传动机构。本发明还通过所设计的激光切割装置，能够在对氮化硅陶瓷覆铝基板进行切割时起到移位调节和切割后自动输送出的作用，并且通过承托轮9与缓冲胶环21配合，便于在氮化硅陶瓷覆铝基板从输送机4进入切割区域时，能够避免与承托轮9出现刚性撞击的情况出现，同时能够提高对于氮化硅陶瓷覆铝基板在切割输送过程中的防护效果；并且切割所产生的废渣会掉落进集渣箱5内部，不会聚集在氮化硅陶瓷覆铝基板的底部。
在本发明中，驱动组件包括纵向转动设于驱动盒10前端面的多根转轴11和设于驱动盒10后端的微型电机12，转轴11的前端活动贯穿至安装框板6顶面前端的支撑板8传动腔内部，转轴11的后端活动贯穿进驱动盒10内部，并固定套接有链轮13，链轮13之间套接有链条14；微型电机12的驱动轴前端与其中一根转轴11的后端同轴固接；传动机构包括开设在承托轮9外圈壁中部的安装环槽、固定套接在安装环槽中的固定齿环15、开设在传动腔顶部的连通口、纵向转动设于连通口内部的转杆16、固定套接在转杆16中部的齿轮17和设于传动腔下部内的主动带轮19，齿轮17的顶部从连通口延伸进轮槽内部，且齿轮17的顶部与固定齿环15的底部啮合，主动带轮19为开设有多个带轮槽的带轮结构；转杆16的前后端杆体上均固定套接有从动带轮18，从动带轮18与主动带轮19之间套接有传动带20；主动带轮19均固定套接在进入传动腔内部的转轴11上；通过驱动组件与传动机构的配合，能够对承托轮9进行驱动操作。
在本发明中，承托轮9外圈壁的前后端轮体上均固定套接有缓冲胶环21；输送机4的输送带顶面高度与承托轮9的顶面高度齐平，且输送机4的输送带贴近支撑板8上的承托轮9；支撑板8为上窄下宽状的板体结构，安装框板6的底面设有一层缓冲垫框22，且缓冲垫框22与放置槽的底面抵接；同时通过缓冲胶环21和缓冲垫框22的设置，便于在激光切割器2的切割头下降高度有误对氮化硅陶瓷覆铝基板造成挤压时，能够对氮化硅陶瓷覆铝基板起到柔性缓冲的卸力的作用；有效提高对于氮化硅陶瓷覆铝基板在切割时的保护效果。
工作原理：在本实施例中，本发明还提出了一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作方法的使用方法，包括以下步骤：
步骤一，首先将激光切割器2、输送机4和微型电机12分别通过导线与外部控制设备进行电性连接，接着将待切割氮化硅陶瓷覆铝基板放置在壳体1一侧的一个输送机4上，启动此输送机4将待切割的氮化硅陶瓷覆铝基板输送至安装框板6的多个支撑板8顶部；
步骤二，接着启动微型电机12带动其中一根转轴11进行转动，通过在链轮13与链条14的配合作用下，能够带动其余的转轴11均进行同步且同向的转动操作，通过驱动组件的启动，便于带动传动机构中的主动带轮19转动，通过主动带轮19的转动能够通过传动带20带动从动带轮18进行转动，通过从动带轮18的转动带动转杆16转动，进而带动齿轮17对固定齿环15进行啮合传动，在固定齿环15转动时，能够带动承托轮9进行转动，通过承托轮9的转动，进而能够对支撑板8上的氮化硅陶瓷覆铝基板启动推送调节作用，便于将氮化硅陶瓷覆铝基板进行稳定地移动到位；
步骤三，在通过承托轮9对氮化硅陶瓷覆铝基板进行位置的移动调节时，通过缓冲胶环21的设置，不仅能够提高对于氮化硅陶瓷覆铝基板进行移送调节时的稳定性，并且提高对于氮化硅陶瓷覆铝基板进行移动调节时的抗侧滑效果，避免氮化硅陶瓷覆铝基板在移动调节时因侧滑出现移动偏位的情况；同时通过缓冲胶环21的设置，便于在氮化硅陶瓷覆铝基板从输送机4进入切割区域时，能够避免与承托轮9出现刚性撞击的情况出现，同时能够提高对于氮化硅陶瓷覆铝基板在切割输送过程中的防护效果；
步骤四，接着当氮化硅陶瓷覆铝基板移动到位后，启动激光切割器2对氮化硅陶瓷覆铝基板进行切割操作，切割所产生的废渣会掉落进集渣箱5内部，不会聚集在氮化硅陶瓷覆铝基板的底部，并且切割后的氮化硅陶瓷覆铝基板还会通过承托轮9进行承托；同时通过缓冲胶环21和缓冲垫框22的设置，便于在激光切割器2的切割头下降高度有误对氮化硅陶瓷覆铝基板造成挤压时，能够对氮化硅陶瓷覆铝基板起到柔性缓冲的卸力的作用；有效提高对于氮化硅陶瓷覆铝基板在切割时的保护效果；
步骤五，最后再次通过驱动组件和传动机构的配合，将切割完成后的氮化硅陶瓷覆铝基板输送至另一个输送机4的输送带上，然后通过另一个输送机4将切割完成的氮化硅陶瓷覆铝基板输送出壳体1外，然后即可将输送出的氮化硅陶瓷覆铝基板进行下一步的处理工艺。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作方法，其特征在于：包括下列步骤：
S1，首先将Ag、Al、Ti元素直接以粉末形式混合制成浆料，并形成可以使用的氮化硅陶瓷基板；
S2，采用丝网印刷技术将Ag、Al、Ti焊料印刷在氮化硅陶瓷基板上；
S3，再利用热压技术将铝箔层压在焊料上；
S4，接着对氮化硅陶瓷基板进行烧结，当烧结温度达到210℃以上，在氧气环境中银粉中的有机添加剂会因高温分解而挥发，最终变成纯银连接层，不会产生杂质相；整个烧结过程是银粉颗粒致密化的过程，烧结完成后即可形成良好的机械连接层；
S5，然后对氮化硅陶瓷基板进行曝光和贴膜处理：将菲林片置于经压合在基板上的干膜之上，利用底片成像原理，曝光机产生紫外光，使铬板上的膜发生聚合反应生成不溶弱碱的抗蚀膜层，不需要的部分被有记载图形的菲林片遮住，不发生光聚合反应；
S6，继续对氮化硅陶瓷基板进行显影操作：将未曝光部分的活性基团与碱性溶液反应生成可溶性物质而溶解下来，留下已感光交联固化的部分；
S7，在对氮化硅陶瓷覆铝基板的显影操作结束后，接着对氮化硅陶瓷覆铝基板进行化银操作；
S8，在对于氮化硅陶瓷覆铝基板进行化银操作结束后，对氮化硅陶瓷覆铝基板进行产品终检即可；
所述S1与S2工艺步骤之间还有工艺步骤S101，所述S101的工序包括：接着将氮化硅陶瓷基板送入激光切割装置中，并通过激光切割装置精确地将氮化硅陶瓷基板切割成零部件生产所需的特定大小和形状；
所述S7与S6工艺步骤之间还有工艺步骤S601，所述S601的工序包括：将大片的氮化硅陶瓷基板送入激光切割装置中，并通过激光切割装置精确地将氮化硅陶瓷基板切割成零部件生产所需的特定大小和形状；
所述激光切割装置包括壳体（1）、设于壳体（1）内顶面上的激光切割器（2）、设于壳体（1）两侧壁上的托架（3）和水平安装在托架（3）顶部的输送机（4），所述壳体（1）两侧外壁的中部均开设有矩形口，所述输送机（4）的内端均从矩形中延伸进壳体（1）内部；所述壳体（1）的下部内安装有槽口朝上的集渣箱（5），所述集渣箱（5）顶部的内壁上开设有矩形框状的放置槽，所述放置槽内部水平搭设有安装框板（6），所述安装框板（6）的内框中横向等距固接有多根纵置的纵梁（7），所述纵梁（7）的顶部均纵向等距安装有多个竖置的支撑板（8）；所述支撑板（8）的顶端开设有轮槽，所述轮槽内部转动安装有用于氮化硅陶瓷基板承托的承托轮（9）；所述安装框板（6）的顶面后端设有驱动盒（10），所述驱动盒（10）内部设有驱动组件；所述支撑板（8）的内部开设有传动腔，所述传动腔内部设有用于承托轮（9）转动的传动机构。
2.根据权利要求1所述的一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作方法，其特征在于：所述驱动组件包括纵向转动设于驱动盒（10）前端面的多根转轴（11）和设于驱动盒（10）后端的微型电机（12），所述转轴（11）的前端活动贯穿至安装框板（6）顶面前端的支撑板（8）传动腔内部，所述转轴（11）的后端活动贯穿进驱动盒（10）内部，并固定套接有链轮（13），所述链轮（13）之间套接有链条（14）；所述微型电机（12）的驱动轴前端与其中一根转轴（11）的后端同轴固接。
3.根据权利要求2所述的一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作方法，其特征在于：所述传动机构包括开设在承托轮（9）外圈壁中部的安装环槽、固定套接在安装环槽中的固定齿环（15）、开设在传动腔顶部的连通口、纵向转动设于连通口内部的转杆（16）、固定套接在转杆（16）中部的齿轮（17）和设于传动腔下部内的主动带轮（19），所述齿轮（17）的顶部从连通口延伸进轮槽内部，且所述齿轮（17）的顶部与固定齿环（15）的底部啮合，所述主动带轮（19）为开设有多个带轮槽的带轮结构；所述转杆（16）的前后端杆体上均固定套接有从动带轮（18），所述从动带轮（18）与主动带轮（19）之间套接有传动带（20）；所述主动带轮（19）均固定套接在进入传动腔内部的转轴（11）上。
4.根据权利要求3所述的一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作方法，其特征在于：所述承托轮（9）外圈壁的前后端轮体上均固定套接有缓冲胶环（21）。
5.根据权利要求4所述的一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作方法，其特征在于：所述输送机（4）的输送带顶面高度与承托轮（9）的顶面高度齐平，且所述输送机（4）的输送带贴近支撑板（8）上的承托轮（9）。
6.根据权利要求5所述的一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作方法，其特征在于：所述支撑板（8）为上窄下宽状的板体结构，所述安装框板（6）的底面设有一层缓冲垫框（22），且所述缓冲垫框（22）与放置槽的底面抵接。
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