CN117373905A - 一种太阳能电池用湿法花篮循环清洗工艺 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 40
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims abstract description 55
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 44
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 140
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 18
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005273 aeration Methods 0.000 claims description 2
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 claims description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 abstract description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 16
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 42
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 15
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 6
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000012946 outsourcing Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种太阳能电池用湿法花篮循环清洗工艺，主要的工艺过程包括将预处理的湿法花蓝分别经过氧化性碱性溶液、酸性溶液、强碱溶液、臭氧的水溶液和氧化性酸性溶液的浸泡，每一次浸泡后都使用DI水进行鼓泡清洗，在短时间内就能完成对湿法花篮的浸泡清洗，在后续生产过程中消除EL花蓝印和外观花蓝印，一次处理就能达到优于现有技术的清洗效果，循环三次清洗相比于现有技术依然具有节省时间，清洗效果好的特点。
Description
技术领域
本发明涉及晶硅太阳能电池制造技术领域，具体涉及一种太阳能电池用湿法花篮循环清洗工艺。
背景技术
清洗工序作为晶硅太阳电池制造的第一道工序，而湿法花篮作为硅片的承载工具必须要保证高洁净度才能符合生产要求。由于新购买的湿法花篮表面附着有各种杂质，如涂层粉末、金属颗粒以及油脂等，是不能直接生产使用的，必须要经过充分的清洗后才能交付生产，不然会导致EL花篮印和外观花篮印等不良，严重影响开线进度。
在实际开线生产过程中，需要提前把湿法花篮清洗清洗充分后才能正式投产，而常规的静置清洗清洗24小时的方式周期长，清洗速度慢，EL花篮印多以及外观花篮印严重等不良，严重制约了开线进度。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提出一种太阳能电池用湿法花篮循环清洗工艺，缩短了湿法花篮的清洗时间，提高了湿法花篮清洗清洗速度，大幅减少了EL花篮印和外观花篮印等不良，为快速开线投入生产提供了有力支持。
为了实现上述目的，本发明的技术方案是：
一种太阳能电池用湿法花篮循环清洗工艺，包括湿法花篮预处理，还包括以下步骤：
S1：将湿法花篮浸泡在氧化性碱性溶液中，在70±5℃下对湿法花篮进行循环鼓泡1000秒，然后使用常温DI水循环鼓泡漂洗100秒。
S2：将湿法花篮浸泡在酸性溶液中，在常温下对湿法花篮进行循环鼓泡200秒，然后使用常温DI水循环鼓泡漂洗100秒。
S3：将湿法花篮浸泡在强碱溶液中，83±3℃下对湿法花篮进行循环鼓泡1500秒，然后使用常温DI水循环鼓泡漂洗100秒。
S4：将湿法花篮浸泡在另一个强碱溶液中，83±3℃下对湿法花篮进行循环鼓泡1500秒，然后使用常温DI水循环鼓泡漂洗100秒。
S5：将湿法花篮浸泡在臭氧的水溶液中，常温下对湿法花篮进行循环鼓泡200秒，然后使用常温DI水循环鼓泡漂洗100秒。
S6：将湿法花篮浸泡在氧化性酸性溶液中，常温下对湿法花篮进行循环鼓泡200秒，然后使用常温DI水循环鼓泡漂洗100秒。
S7：对湿法花篮进行热风烘干，温度90℃，烘干时间为600秒。
本发明利用多次强碱溶液和多次酸溶液对湿法花篮进行浸泡，酸碱交替浸泡，能够有效去除花篮上的油脂等有机脏污物质，有效抑制外观花篮印的产生，且氧化性碱性溶液对湿法花篮具有较高效的浸泡清理效果，对EL花篮印(电池片在EL测试时，显现出来的黑色斑状不良)具有一定的改善作用。
氧化性酸性溶液能够去除湿法花篮的花篮齿、花篮杆上附着的少量金属离子，从而减少金属离子对硅片表面产生污染，避免硅片上产生复合中心，降低EL花篮印的产生。
进一步地，S1中的氧化性碱性溶液为NaOH和H2O2的混合溶液，NaOH的浓度为1％～2％(重量)，H2O2浓度为0.5％～1.5％(重量)，S2中的酸性溶液为HCL水溶液，HCL的浓度为0.5％～1.2％(重量)，S3和S4中的所述强碱溶液为1％～2％(重量)的NaOH溶液，S5中臭氧的水溶液为HCl和O3混合溶液，HCl的浓度为0.015％(重量)，O3的浓度为20ppm，S6中的氧化性酸性溶液为HF和HCl的混合溶液，HF的浓度为0.5％～1.5％(重量)，HCl浓度为0.5％～1.5％(重量)。
具体限定了氧化性碱性溶液、酸性溶液、两种强碱溶液、臭氧的水溶液和氧化性酸性溶液的种类和浓度，酸碱交替循环浸泡，能够实现湿法花篮的有效清洗，HCl和O3混合溶液利用臭氧的强氧化性，能够使湿法花篮的表面更为洁净，减少外观花篮印的产生，HF和HCl的混合溶液不仅提高了酸的浓度，还增加了具有氧化性的HF，F离子与Cl离子对金属离子产生络合作用，能够有效去除花篮齿花篮杆上面附着的少量金属离子，减少EL花篮印的产生，同时HF具有脱水性，避免的花篮齿和杆表面水渍的附着，增强了清洗和烘干效果。
根据实际生产中检测，并且综合成本与效果，酸性溶液和碱性溶液中最佳比例为：S2中的HCL的浓度为0.9％(重量)，S3和S4中的NaOH溶液的浓度为1.45％(重量)。
所述氧化性碱性溶液、酸性溶液、两种强碱溶液、臭氧的水溶液和氧化性酸性溶液中溶质每批次补充1％～5％。
该处的1％～5％是以溶质的量为基础计算的，例如S3和S4中的所述强碱溶液为1％～2％(重量)的NaOH溶液，假设S3的溶液中共含m克NaOH，则每浸泡一个批次湿法花蓝后补充NaOH的量为m×1％～m×5％，用于补充消耗掉的溶质，保持浸泡液的浓度，使每一批湿法花篮都具有同样的浸泡效果。
所述循环鼓泡漂洗中鼓泡气体为N2，通气流量为3.5m3/h。
鼓泡能够使浸泡液产生循环和波动，使浸泡液能够全面的接触湿法花篮的每个表面，实现对湿法花篮的全面浸泡，且N2作为鼓泡气体，可以避免浸泡液中溶氧，降低湿法花篮表面吸附O2的量，为后续生产提供了保障。
所述循环鼓泡漂洗中有篮溢流，有新水的补充，增加了DI水的置换速度，保证了漂洗过程中所用的DI水更加洁净。
所述湿法花篮以S1～S6固定顺序循环1～3次，然后经S7烘干取出交付生产使用。
循环1～3次能够使浸泡更为彻底，进而进一步减少外观花篮印和EL花篮印的产生。
使用制绒机台进行进行湿法花篮浸泡。
在新开的生产线上，设备基本上是全新的，使用制绒机台进行湿法花篮浸泡不仅不再需要其它浸泡槽，浸泡液还对新的釜川制绒机的药液槽进行预处理，去除釜川制绒机药液槽内的油脂或金属离子等杂质，进一步避免了花篮印产生的可能性，使后续生产更为顺利。
制绒机台具有13个药液槽和4个烘干槽，其中1槽配置氧化性碱性溶液，3槽配置酸性溶液，2槽、4槽、6槽、8槽、10槽和12槽内盛装常温的DI水，5槽和7槽配置强碱溶液，9槽为臭氧槽，臭氧浓度为20ppm，11槽配制氧化性酸性溶液，13槽为慢提拉槽，慢提拉速度为5mm/s，14槽、15槽、16槽和17槽均为烘干槽。
本发明采用制绒机台，多种药液槽分配的方式清洗花篮，同时是酸碱槽交替浸泡花篮，不仅兼顾了清洗效果，还保证了清洗药液的可循环性，如第一步采用NaOH+H2O2的混合液，就是利用了H2O2和NaOH形成一加一大于二的效果，使湿法花篮的初步清洗效果更加彻底，为后面的碱洗打好基础，后面的酸性清洗，中和了一部分碱的同时，也可以去除一部分金属离子，避免后面的清洗步骤中引入更多的金属离子，后面的两步强碱清洗连续清洗两次，主要是考虑了药液的可循环性和清洗能力，S5的臭氧氧化清洗利用了臭氧的强氧化性，可进一步分解掉花篮上附着的油脂等杂质，S6中，F离子与Cl离子对金属离子产生络合作用，能够有效去除花篮齿花篮杆上面附着的少量金属离子，减少EL花篮印的产生，同时HF具有脱水性，避免的花篮齿和杆表面水渍的附着，增强了清洗和烘干效果。
本发明摒弃了传统清洗花篮只用碱洗的方式，引入了酸洗部分，增强了清洗效果，酸碱交替清洗减少了后面清洗步骤药液杂质的含量，保证了清洗药液的可循环性。
通过上述技术方案，本发明的有益效果为：
本发明循环清洗法只需要1.6小时的有效清洗，即可交付生产，即使循环三次也仅需4.5小时，其中分槽以及酸碱清洗相结合的循环清洗步骤是缩短清洗时间的关键，大大加快了新花篮的清洗速度，由现有技术同样大的清洗槽一天只能清洗30个花篮，大幅提高至288个，即使循环3次加强清洗效果，一台制绒机一天也能清洗96个花篮，为开线提供了充分的保障。
本发明循环清洗过程中使用了多个清洗槽，而酸碱清洗药液的交替使用，分担了使清洗液的洁净情况，清洗药液可循环使用。
本发明循环清洗工艺药液可以无限循环使用，相对于现有技术中的静置清洗花篮方案每清洗一次新花篮就要换一次新的清洗液，浪费严重，本发明提高了效率，节约了化学品。
本发明引入了NaOH+H2O2清洗液、臭氧+HCL清洗液和HF+HCL清洗液，同时提供了一种酸碱循环交替清洗的方案，对新开线的湿法花蓝清洗具有较好的清洗效果，对EL花篮印和外观花篮印均有明显改善，有效降低花蓝印的产生，解决了现有晶硅生产线的新开线难、开线慢、开线良率差的问题。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步说明：
本发明使用的制绒机台具有13个药液槽和4个烘干槽，1/2/4/5/7槽体体积为620L,3/6/8/9/10/12/13槽体积为595L；其中1槽配置氧化性碱性溶液，3槽配置酸性溶液，2槽、4槽、6槽、8槽、10槽和12槽内盛装常温的DI水，5槽和7槽配置强碱溶液，9槽为臭氧槽，臭氧浓度为20ppm，11槽配制氧化性酸性溶液，13槽为慢提拉槽，慢提拉速度为5mm/s，有篮溢流，14槽、15槽、16槽和17槽均为烘干槽。
本发明使用的各种药液均为外购商品原液，加入药液槽中稀释使用，其中，配液所用的NaOH原液质量分数为45％，H2O2原液质量分数为30％，HF原液质量分数为48％，HCL原液质量分数为36％。
实施例1：
A.1槽配液体积为620L，其中NaOH配20L和H2O2配20L，温度设置为70℃，NaOH每批次补400ml，H2O2每批次补400ml，时间为1000秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h；
B.3槽配液体积为620L，其中HCL配15L，常温，HCL每批次补50ml，时间为200秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h；
C.2/4/6/8/10/12槽为常温的DI水，时间设置为100秒，辅助方式为一直循环+鼓泡,鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h，有篮溢流；
D.5/7槽配液配方一致，配液体积为620L，其中NaOH配25L，温度设置为83℃，NaOH每批次补600ml，时间设置为1500秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h；
E.9槽配液体积为595L，其中HCL配0.25L，HCL每批次补5ml，并通入臭氧，臭氧浓度为20ppm，常温状态，时间设置为200秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为2m3/h；
F.11槽配液体积为595L，其中HF配10L、HCL配10L，常温状态，HF每批次补150ml，HCL每批次补150ml，时间为200秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3m3/h；
G.13槽为慢提拉槽，温度设置为70℃，慢提拉速度为5mm/s,有篮溢流；
H.14～17槽为烘干槽，温度设置为90℃，工艺时间为600秒。
实施例2：
A.1槽配液体积为620L，其中NaOH配20L和H2O2配20L，温度设置为70℃，NaOH每批次补400ml，H2O2每批次补400ml，时间为1000秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h；
B.3槽配液体积为620L，其中HCL配8.5L，常温，HCL每批次补30ml，时间为200秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h；
C.2/4/6/8/10/12槽为常温的DI水，时间设置为100秒，辅助方式为一直循环+鼓泡,鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h，有篮溢流；
D.5/7槽配液配方一致，配液体积为620L，其中NaOH配25L，温度设置为83℃，NaOH每批次补600ml，时间设置为1500秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h；
E.9槽配液体积为595L，其中HCL配0.25L，HCL每批次补5ml，并通入臭氧，臭氧浓度为20ppm，常温状态，时间设置为200秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为2m3/h；
F.11槽配液体积为595L，其中HF配10L、HCL配10L，常温状态，HF每批次补150ml，HCL每批次补150ml，时间为200秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3m3/h；
G.13槽为慢提拉槽，温度设置为70℃，慢提拉速度为5mm/s,有篮溢流；
H.14～17槽为烘干槽，温度设置为90℃，工艺时间为600秒。
实施例3：
A.1槽配液体积为620L，其中NaOH配20L和H2O2配20L，温度设置为70℃，NaOH每批次补400ml，H2O2每批次补400ml，时间为1000秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h；
B.3槽配液体积为620L，其中HCL配25L，常温，HCL每批次补85ml，时间为200秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h；
C.2/4/6/8/10/12槽为常温的DI水，时间设置为100秒，辅助方式为一直循环+鼓泡,鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h，有篮溢流；
D.5/7槽配液配方一致，配液体积为620L，其中NaOH配25L，温度设置为83℃，NaOH每批次补600ml，时间设置为1500秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h；
E.9槽配液体积为595L，其中HCL配0.25L，HCL每批次补5ml，并通入臭氧，臭氧浓度为20ppm，常温状态，时间设置为200秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为2m3/h；
F.11槽配液体积为595L，其中HF配10L、HCL配10L，常温状态，HF每批次补150ml，HCL每批次补150ml，时间为200秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3m3/h；
G.13槽为慢提拉槽，温度设置为70℃，慢提拉速度为5mm/s,有篮溢流；
H.14～17槽为烘干槽，温度设置为90℃，工艺时间为600秒。
实施例4:
A.1槽配液体积为620L，其中NaOH配20L和H2O2配20L，温度设置为70℃，NaOH每批次补400ml，H2O2每批次补400ml，时间为1000秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h；
B.3槽配液体积为620L，其中HCL配15L，常温，HCL每批次补50ml，时间为200秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h；
C.2/4/6/8/10/12槽为常温的DI水，时间设置为100秒，辅助方式为一直循环+鼓泡,鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h，有篮溢流；
D.5/7槽配液配方一致，配液体积为620L，其中NaOH配17L，温度设置为83℃，NaOH每批次补400ml，时间设置为1500秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h；
E.9槽配液体积为595L，其中HCL配0.25L，HCL每批次补5ml，并通入臭氧，臭氧浓度为20ppm，常温状态，时间设置为200秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为2m3/h；
F.11槽配液体积为595L，其中HF配10L、HCL配10L，常温状态，HF每批次补150ml，HCL每批次补150ml，时间为200秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3m3/h；
G.13槽为慢提拉槽，温度设置为70℃，慢提拉速度为5mm/s,有篮溢流；
H.14～17槽为烘干槽，温度设置为90℃，工艺时间为600秒。
实施例5:
A.1槽配液体积为620L，其中NaOH配20L和H2O2配20L，温度设置为70℃，NaOH每批次补400ml，H2O2每批次补400ml，时间为1000秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h；
B.3槽配液体积为620L，其中HCL配15L，常温，HCL每批次补50ml，时间为200秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h；
C.2/4/6/8/10/12槽为常温的DI水，时间设置为100秒，辅助方式为一直循环+鼓泡,鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h，有篮溢流；
D.5/7槽配液配方一致，配液体积为620L，其中NaOH配35L，温度设置为83℃，NaOH每批次补800ml，时间设置为1500秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h；
E.9槽配液体积为595L，其中HCL配0.25L，HCL每批次补5ml，并通入臭氧，臭氧浓度为20ppm，常温状态，时间设置为200秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为2m3/h；
F.11槽配液体积为595L，其中HF配10L、HCL配10L，常温状态，HF每批次补150ml，HCL每批次补150ml，时间为200秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3m3/h；
G.13槽为慢提拉槽，温度设置为70℃，慢提拉速度为5mm/s,有篮溢流；
H.14～17槽为烘干槽，温度设置为90℃，工艺时间为600秒。
对比例1:
使用制绒机台，常规的静置清洗清洗24小时清洗湿法花篮具体参数如下，在该参数下，花篮静置浸泡在药液中24小时，然后和循环清洗3次的方案做对比：
A.1/2/4/5/7槽统一配液620L，其中NaOH配20L，温度设置为80℃，浸泡24小时，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h；
B.3/6/8/9/10/11/12槽为常温的DI水，作用为漂洗清洗好的湿法花篮，辅助方式为一直循环+鼓泡,鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h，有篮溢流；
C.13槽为慢提拉槽，温度设置为60～70℃，慢提拉速度为5mm/s,有篮溢流；
D.14～17槽为烘干槽，温度设置为90℃，工艺时间为600秒。
对比例2:
A.1/2/4/5/7槽统一配液620L，其中NaOH配20L，温度设置为80℃，浸泡1000秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h；
B.3/6/8/9/10/11/12槽为常温的DI水，作用为漂洗清洗好的湿法花篮，辅助方式为一直循环+鼓泡,鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h，有篮溢流；
C.13槽为慢提拉槽，温度设置为60～70℃，慢提拉速度为5mm/s,有篮溢流；
D.14～17槽为烘干槽，温度设置为90℃，工艺时间为600秒。
对比例3：
A.1槽配液体积为620L，其中NaOH配20L和H2O2配20L，温度设置为70℃，NaOH每批次补400ml，H2O2每批次补400ml，时间为1000秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h；
B.2/3/4/6/8/10/11/12槽为常温的DI水，时间设置为150秒，辅助方式为一直循环+鼓泡,鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h，有篮溢流；
C.5/7槽配液配方一致，配液体积为620L，其中NaOH配25L，温度设置为83℃，NaOH每批次补600ml，时间设置为1500秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为3.5m3/h；
D.9槽配液体积为595L，其中HCL配0.25L，HCL每批次补5ml，并通入臭氧，臭氧浓度为20ppm，常温状态，时间设置为200秒，辅助方式为一直循环+鼓泡，鼓泡通入N2，其流量为2m3/h；
E.13槽为慢提拉槽，温度设置为70℃，慢提拉速度为5mm/s,有篮溢流；
F.14～17槽为烘干槽，温度设置为90℃，工艺时间为600秒。
上述实施例和对比例分别处理5个湿法花蓝，并做好标记，取原硅片16000片匀料，均分成8组，分别使用上述实施例和对比例中处理的湿法花蓝进行处理，每个花蓝各2000片，实验路径保持一致，至丝网印刷后收集EL和外观数据的平均值。统计结果如下：
由上表可能看出，本发明工艺方案提高了新湿法花篮的洁净度和清洗速度，使用该工艺方案一次处理就能达到优于现有技术中清洗的湿法花篮做出的硅片，且相比于现有技术EL花篮印下降70％～80％，可使外观达到无花篮印的状态。
制绒机台的机械臂相邻两个槽提篮放篮时间为20秒，花篮从上料到下料共计14个提放篮动作，故机械臂运行时间一共为20×14＝280秒，清洗一次的工艺运行时间一共为5815秒，而在此工艺下制绒机台满产一共可同时进5批花篮(氧化性碱性溶液中浸泡一批、酸性溶液浸泡一批，两个强碱性溶液分别浸泡一批，臭氧的水溶液浸泡一批、氧化性酸性溶液浸泡一批，由于中间有时间间隔，以及各种浸泡时间长度不同，循环浸泡5批计)，每批6个花篮，以及车间计算生产数量的方式计算得出：每小时(3600秒)可洗出花篮数为：3600÷(5815+280)×5×6≈17.8(每小时可洗出2到3批花篮，即12或者18个花篮)，按照单小时洗出花篮12个计算，每天可洗出花篮数为：12×24＝288，循环三次洗出的花篮为：288÷3＝96。
采用常规静置清洗花篮的工艺方案，制绒机台的各槽体因为材质限制，只有三个槽盛装碱性溶液，采用堆叠的方式在三个槽体内均浸泡入花蓝，最多也只能浸泡30个，而本发明的工艺方案一个制绒机台一天可清洗完成288个新花篮，大大提高了新开线前期清洗湿法花篮的速度，缩短了开线等待湿法花篮使用的窘境，即使将本发明的清洗方法循环三次，也至少完成96个花蓝的浸泡工作，相比于现有技术效率提高了3倍以上。
本发明打破了行业内制绒强碱溶液清洗花篮的惯例，采用酸碱溶液交替清洗花篮的模式，效果更好；采用循环清洗方案，循环次数根据实际需求来决定，清洗花篮效果更好，效率更高；通过与常规静置清洗花篮工艺、强碱清洗工艺循环模式对比，本发明工艺具有无限循环、节省化学品的优势；本发明工艺降低了开线初期EL花篮印和外观花篮印等不良，一次处理就能使EL花篮印相比于现有技术清洗的花蓝的花蓝印下降70％～80％，采用循环清洗三次的方案比现有静置浸泡节省时间的同时EL花蓝印降低90％以上，更是彻底消除了外观花篮印，为新开线难、开线慢、开线良品率差等问题提供了一种解决方案。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施例，在不违背本发明的精神即公开范围内，可以对本发明的技术方案进行多种变形。
Claims (10)
1.一种太阳能电池用湿法花篮循环清洗工艺，包括湿法花篮预处理，其特征在于，还包括以下步骤：
S1：将湿法花篮浸泡在氧化性碱性溶液中，在70±5℃下对湿法花篮进行循环鼓泡1000秒，然后使用常温DI水循环鼓泡漂洗100秒。
S2：将湿法花篮浸泡在酸性溶液中，在常温下对湿法花篮进行循环鼓泡200秒，然后使用常温DI水循环鼓泡漂洗100秒。
S3：将湿法花篮浸泡在强碱溶液中，83±3℃下对湿法花篮进行循环鼓泡1500秒，然后使用常温DI水循环鼓泡漂洗100秒。
S4：将湿法花篮浸泡在另一个强碱溶液中，83±3℃下对湿法花篮进行循环鼓泡1500秒，然后使用常温DI水循环鼓泡漂洗100秒。
S5：将湿法花篮浸泡在臭氧的水溶液中，常温下对湿法花篮进行循环鼓泡200秒，然后使用常温DI水循环鼓泡漂洗100秒。
S6：将湿法花篮浸泡在氧化性酸性溶液中，常温下对湿法花篮进行循环鼓泡200秒，然后使用常温DI水循环鼓泡漂洗100秒。
S7：对湿法花篮进行热风烘干，温度90℃，烘干时间为600秒。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池用湿法花篮循环清洗工艺，其特征在于，S1中的氧化性碱性溶液为NaOH和H2O2的混合溶液，NaOH的浓度为1％～2％(重量)，H2O2浓度为0.5％～1.5％(重量)，S2中的酸性溶液为HCL水溶液，HCL的浓度为0.5％～1.2％(重量)，S3和S4中的所述强碱溶液为1.5％～2.5％(重量)的NaOH溶液，S5中的臭氧的水溶液为HCl和O3混合溶液，HCl的浓度为0.015％(重量)，O3的浓度为20ppm，S6中的氧化性酸性溶液为HF和HCl的混合溶液，HF的浓度为0.5％～1.5％(重量)，HCl浓度为0.5％～1.5％(重量)。
3.根据权利要求2所述的一种太阳能电池用湿法花篮循环清洗工艺，其特征在于，S2中的HCL的浓度为0.9％(重量)，S3和S4中的NaOH溶液的浓度为1.45％(重量)。
4.根据权利要求2所述的一种太阳能电池用湿法花篮循环清洗工艺，其特征在于，S2中的HCL的浓度为1.5％(重量)，S3和S4中的NaOH溶液的浓度为2％(重量)。
5.根据权利要求2所述的一种太阳能电池用湿法花篮循环清洗工艺，其特征在于，所述氧化性碱性溶液、酸性溶液、两种强碱溶液、臭氧的水溶液和氧化性酸性溶液中溶质每批次浸泡后补充1％～5％(以对应溶液中溶质的重量计算)。
6.根据权利要求1所述的一种太阳能电池用湿法花篮循环清洗工艺，其特征在于，所述循环鼓泡漂洗中鼓泡气体为N2，通气流量为3.5m3/h。
7.根据权利要求1所述的一种太阳能电池用湿法花篮循环清洗工艺，其特征在于，所述循环鼓泡漂洗中有篮溢流。
8.根据权利要求1～7任意一项权利要求所述的一种太阳能电池用湿法花篮循环清洗工艺，其特征在于，所述湿法花篮以S1～S6固定顺序循环1～3次，然后经S7烘干取出交付生产使用。
9.根据权利要求8所述的一种太阳能电池用湿法花篮循环清洗工艺，其特征在于，使用制绒机台进行进行花篮浸泡。
10.根据权利要求9所述的一种太阳能电池用湿法花篮循环清洗工艺，其特征在于，制绒机台具有13个药液槽和4个烘干槽，其中1槽配置氧化性碱性溶液，3槽配置酸性溶液，2槽、4槽、6槽、8槽、10槽和12槽内盛装常温的DI水，5槽和7槽配置强碱溶液，9槽为臭氧槽，臭氧浓度为20ppm，11槽配制氧化性酸性溶液，13槽为慢提拉槽，慢提拉速度为5mm/s，14槽、15槽、16槽和17槽均为烘干槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202311371736.5A CN117373905A (zh) | 2023-10-23 | 2023-10-23 | 一种太阳能电池用湿法花篮循环清洗工艺 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202311371736.5A CN117373905A (zh) | 2023-10-23 | 2023-10-23 | 一种太阳能电池用湿法花篮循环清洗工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN117373905A true CN117373905A (zh) | 2024-01-09 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202311371736.5A Pending CN117373905A (zh) | 2023-10-23 | 2023-10-23 | 一种太阳能电池用湿法花篮循环清洗工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117373905A (zh) |
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