CN108441353A - 一种硅片清洗液、清洗设备及清洗工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种硅片清洗液，包括浓度为45％的氢氧化钾溶液和浓度为31％的双氧水溶液，氢氧化钾溶液与双氧水溶液的体积比为1:1.05‑1:7.25，一种硅片清洗设备，包括：超声清洗部：用于清除颗粒的硅粉；药液清洗部：用于清除油脂、金属离子和有机物杂质；第一漂洗部：用于清除硅片表面残留的药液；清洗液清洗部：用于清除有机物，利用硅片清洗液；第二漂洗部：用于清除硅片表面残留的清洗液；慢提拉部：用于清除硅片表面的水分，使硅片表面不留水印，一种根据清洗设备的硅片清洗工艺。本发明的有益效果是改善了硅片表面的清洗效果，提高清洗效率和清洗质量，节约清洗成本，通过检验脏片率明显降低，制绒后，硅片绒面均匀且无脏污。
Description
技术领域
本发明属于硅片生产技术领域，尤其是涉及一种硅片清洗液、清洗设备及清洗工艺。
背景技术
随着伏行业的快速发展，市场竞争日益激烈，传统的硅片清洗工艺通常采用纯水预清洗、清洗液清洗、漂洗等步骤，但是，这种传统的工艺清洗后的硅片表面仍会有清洗液残留，脏片率高，导致后道制绒沾污不良率也在一定程度上增加，给生产企业造成很大的损失，并且清洗过程中，能耗大，清洗液浪费严重，不利于节能环保。
发明内容
本发明的目的是要解决背景技术中的问题，提供一种硅片清洗液、清洗设备及清洗工艺。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种硅片清洗液，包括浓度为45％的氢氧化钾溶液和浓度为31％的双氧水溶液，所述氢氧化钾溶液与所述双氧水溶液的体积比为1:1.05-1:7.25。
进一步地，所述氢氧化钾溶液与所述双氧水溶液的体积比为1：3.5-1:5。
进一步地，所述氢氧化钾溶液与所述双氧水溶液的体积比为1：4.75。
一种硅片清洗设备，包括：
超声清洗部：用于清除颗粒的硅粉；
药液清洗部：用于清除油脂、金属离子和有机物杂质；
第一漂洗部：用于清除硅片表面残留的药液；
清洗液清洗部：用于清除有机物，利用如权利要求1-3任一所述的硅片清洗液；
第二漂洗部：用于清除硅片表面残留的清洗液；
慢提拉部：用于清除硅片表面的水分，使硅片表面不留水印。
进一步地，所述药液清洗部包括依次设置的清洗装置一，清洗装置二和清洗装置三。
进一步地，所述第二漂洗部包括依次设置的漂洗装置一、漂洗装置二、漂洗装置三和漂洗装置四。
根据清洗设备的硅片清洗工艺，包括如下步骤：
超声清洗：清除颗粒的硅粉；
药液清洗：清除油脂、金属离子和有机物杂质；
第一次漂洗：清除硅片表面残留的药液；
清洗液清洗：清除有机物，利用如权利要求1-3任一所述的硅片清洗液；
第二次漂洗：清除硅片表面残留的清洗液；
慢提拉：清除硅片表面的水分，使硅片表面不留水印；
其中，
所述药液清洗重复三次，所述第二次漂洗重复四次。
进一步地，所述超声清洗、每次所述药液清洗，所述第一次漂洗、所述清洗液清洗、每次所述第二次漂洗和所述慢提拉的时间均为160s。
进一步地，所述超声清洗采用纯水清洗，所述清洗的温度为45℃。
进一步地，所述第一次漂洗和所述第二次漂洗均采用纯水漂洗，所述第一次漂洗和所述第二次漂洗的温度均为55℃。
本发明具有的优点和积极效果是：
1.通过采用体积比为1：4.75的氢氧化钾溶液与双氧水溶液的混合液进行硅片清洗，改善了硅片表面的清洗效果，通过检验脏片率降低0.3％，，制绒后，硅片绒面均匀，制绒沾污不良降低0.6％；
2.硅片清洗设备通过依次设置的超声清洗部、药液清洗部、第一漂洗部、清洗液清洗部、第二漂洗部和慢提拉部组成，结合清洗液的作用，有效地改善了硅片表面的清洗效果，提高清洗效率和清洗质量；
3.硅片清洗工艺，采用硅片清洗设备，清洗剂的消耗量明显减少，提高了硅片的清洗质量、节约清洗成本。
附图说明
图1是本发明的清洗设备结构示意图；
具体实施方式
本实例一种硅片清洗液，包括浓度为45％的氢氧化钾溶液和浓度为31％的双氧水溶液，其中氢氧化钾溶液与双氧水溶液的体积比为1：4.75。
一种硅片清洗设备，包括由依次设置的1槽、2槽、3槽、4槽、5槽、6槽、7槽、8槽、9槽和11槽组成的超声清洗部、药液清洗部、第一漂洗部、清洗液清洗部、第二漂洗部和慢提拉部，其中，
1槽为超声清洗部，采用一个超声清洗槽清洗，超声清洗槽内为纯水，对硅片进行预清洗，超声清洗槽选用溢流槽，清洗时间为160s，清洗温度是为45℃，用于清除颗粒的硅粉；
2-4槽组成药液清洗部，药液清洗包括依次设置的第一药液清洗槽，第二药液清洗槽和第三药液清洗槽，用于清除硅片表面的油脂、金属离子和有机物杂质，第一药液清洗槽，第二药液清洗槽和第三药液清洗槽中均为君合清洗剂A液和B液的混合液。其中，君合清洗剂A液的体积分数为：0.67％—1.16％、君合清洗剂A液的体积分数为:0.33％—0.58％，优选地：君合清洗剂A液的体积分数为096％，君合清洗剂B液的体积分数为0.48％，清洗时间为160s，清洗温度是为50℃。
5槽为第一漂洗部：用于清除硅片表面残留的药液，5槽采用溢流槽，溢流槽内为纯水，用于清除硅片表面残留的药液，清洗时间为160s，清洗温度是为55℃。
6槽为清洗液清洗部：6槽内为浓度为45％的氢氧化钾溶液和浓度为31％的双氧水溶液，其中氢氧化钾溶液与双氧水溶液的体积比为1：4.75，用于清除有机物，清洗时间为160s，6槽清洗的温度控制为55℃。
7-10槽为第二漂洗部，用于清除硅片表面残留的清洗液，7-10槽均采用溢流槽，溢流槽内为纯水，每个漂洗槽内的清洗时间均时间为160s，7-10槽清洗的温度均控制为55℃。
11槽为慢提拉部，槽内为纯水，11槽内水温控制为55℃，采用机械手慢提拉，整个过程的时间为160s，用于清除硅片表面的水分，使硅片表面不留水印。
一种利用上述清洗设备的硅片清洗工艺，包括如下步骤：
超声清洗：采用机械手将盛放硅片的片篮放入1槽中，浸泡160s后，采用机械手夹紧片篮，移出，清除颗粒的硅粉；
药液清洗：采用机械手将片篮从1槽中提出，放入2槽、3槽和4槽中各浸泡160s，清除油脂、金属离子和有机物杂质；
第一次漂洗：采用机械手将片篮从4槽中提出放入5槽中漂洗，清除硅片表面残留的药液，浸泡160s后提出；
清洗液清洗：采用机械手将片篮从5槽内提出，放入6槽中进行清洗液清洗，清除有机物；
第二次漂洗：清洗液清洗160s后，机械手将片篮从6槽提出，依次放入7-10槽，片篮在每个清洗槽内的浸泡时间均为160s，清除硅片表面残留的清洗液；
慢提拉：机械手将片篮从10槽提出，放置到11槽内，然后采用机械手慢提拉，整个过程的时间为160s，用于清除硅片表面的水分，使硅片表面不留水印。
本实例的工作过程：首先根据需要配置各槽内的清洗液，然后根据如下步骤依次进行硅片清洗：采用机械手将盛放硅片的片篮放入1槽中，浸泡160s后，采用机械手夹紧片篮，移出，清除颗粒的硅粉；采用机械手将片篮从1槽中提出，放入2槽、3槽和4槽中各浸泡160s，清除油脂、金属离子和有机物杂质；采用机械手将片篮从4槽中提出放入5槽中漂洗，清除硅片表面残留的药液，浸泡160s后提出；采用机械手将片篮从5槽内提出，放入6槽中进行清洗液清洗，清除有机物；清洗液清洗160s后，机械手将片篮从6槽提出，依次放入7-10槽，片篮在每个清洗槽内的浸泡时间均为160s，清除硅片表面残留的清洗液；机械手将片篮从10槽提出，放置到11槽内，然后采用机械手慢提拉，整个过程的时间为160s，用于清除硅片表面的水分，使硅片表面不留水印。
本发明的有益效果是：
1.通过采用体积比为1：4.75的氢氧化钾溶液与双氧水溶液的混合液进行硅片清洗，改善了硅片表面的清洗效果，通过检验脏片率降低0.3％，，制绒后，硅片绒面均匀，制绒沾污不良降低0.6％；
2.硅片清洗设备通过依次设置的超声清洗部、药液清洗部、第一漂洗部、清洗液清洗部、第二漂洗部和慢提拉部组成，结合清洗液的作用，有效地改善了硅片表面的清洗效果，提高清洗效率和清洗质量；
3.硅片清洗工艺，采用硅片清洗设备，清洗剂的消耗量明显减少，提高了硅片的清洗质量、节约清洗成本。
以上对本发明的一个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。
Claims (10)
1.一种硅片清洗液，其特征在于：包括浓度为45％的氢氧化钾溶液和浓度为31％的双氧水溶液，所述氢氧化钾溶液与所述双氧水溶液的体积比为1:1.05-1:7.25。
2.根据权利要求1所述的一种硅片清洗液，其特征在于：所述氢氧化钾溶液与所述双氧水溶液的体积比为1：3.5-1:5。
3.根据权利要求2所述的一种硅片清洗液，其特征在于：所述氢氧化钾溶液与所述双氧水溶液的体积比为1：4.75。
4.一种硅片清洗设备，其特征在于：依次包括，
超声清洗部：用于清除颗粒的硅粉；
药液清洗部：用于清除油脂、金属离子和有机物杂质；
第一漂洗部：用于清除硅片表面残留的药液；
清洗液清洗部：用于清除有机物，利用如权利要求1-3任一所述的硅片清洗液；
第二漂洗部：用于清除硅片表面残留的清洗液；
慢提拉部：用于清除硅片表面的水分，使硅片表面不留水印。
5.根据权利要求4所述的一种硅片清洗设备，其特征在于：所述药液清洗部包括依次设置的清洗装置一，清洗装置二和清洗装置三。
6.根据权利要求4所述的一种硅片清洗设备，其特征在于：所述第二漂洗部包括依次设置的漂洗装置一、漂洗装置二、漂洗装置三和漂洗装置四。
7.一种硅片清洗工艺，其特征在于：依次包括如下步骤：
超声清洗：清除颗粒的硅粉；
药液清洗：清除油脂、金属离子和有机物杂质；
第一次漂洗：清除硅片表面残留的药液；
清洗液清洗：清除有机物，利用如权利要求1-3任一所述的硅片清洗液；
第二次漂洗：清除硅片表面残留的清洗液；
慢提拉：清除硅片表面的水分，使硅片表面不留水印；
其中，
所述药液清洗重复三次，所述第二次漂洗重复四次。
8.根据权利要求7所述的一种硅片清洗工艺，其特征在于：所述超声清洗、每次所述药液清洗，所述第一次漂洗、所述清洗液清洗、每次所述第二次漂洗和所述慢提拉的时间均为160s。
9.根据权利要求7或8所述的一种硅片清洗工艺，其特征在于：所述超声清洗采用纯水清洗，所述清洗的温度为45℃。
10.根据权利要求7或8所述的一种硅片清洗工艺，其特征在于：所述第一次漂洗和所述第二次漂洗均采用纯水漂洗，所述第一次漂洗和所述第二次漂洗的温度均为55℃。
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