CN117334619A - Micro LED暂态转移基板及Micro LED的转移方法 - Google Patents

Micro LED暂态转移基板及Micro LED的转移方法 Download PDF

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CN117334619A CN202210735248.7A CN202210735248A CN117334619A CN 117334619 A CN117334619 A CN 117334619A CN 202210735248 A CN202210735248 A CN 202210735248A CN 117334619 A CN117334619 A CN 117334619A
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Abstract

本发明公开了一种Micro LED暂态转移基板及Micro LED的转移方法，Micro LED暂态转移基板包括：第一掩模版和粘性缓冲结构，粘性缓冲结构位于第一掩模版的一侧，与第一掩模版接触设置，粘性缓冲结构相对于第一掩模版可移动；第一掩模版包括多个第一通孔，粘性缓冲结构包括多个第二通孔和连接部；连接部在粘性缓冲结构相对于第一掩模版的第一设置位置与第一通孔对应设置，第二通孔在粘性缓冲结构相对于第一掩模版的第二设置位置与第一通孔对应设置。本发明一些实施例提高了转移良率和转移效率，可实现Micro LED的选择性转移，易于个别位置的后续修补，Micro LED位置无偏移，Micro LED表面无残胶。

Description

Micro LED暂态转移基板及Micro LED的转移方法
技术领域
本发明涉及背光技术领域。更具体的讲，尤其涉及一种Micro LED暂态转移基板及Micro LED的转移方法。
背景技术
微型发光二极管(Micro Light-Emitting Diode，Micro LED)是新一代显示技术，相较于传统的发光技术，Micro LED的亮度更高，发光效率更好，但功耗更低，因此其市场前景备受看好。显示设备制作过程中，需要将大量的Micro LED芯片从生长基板转移到驱动基板上以形成显示设备的背光板，再进一步制成显示设备。
Micro LED巨量转移工艺一直是制约Micro LED显示技术发展的瓶颈，目前多采用弹性印章的方式对Micro LED进行转移，但是该方法转移效率和良率较低，且不易个别位置的修补，不适合生产大尺寸的显示设备。
发明内容
为了解决上述背景技术中阐述的问题，本发明一些实施例提供了一种Micro LED暂态转移基板及Micro LED的转移方法，提高了转移良率和转移效率，可实现Micro LED的选择性转移，易于个别位置的后续修补，Micro LED位置无偏移，Micro LED表面无残胶。
本发明提供了一种Micro LED暂态转移基板，Micro LED暂态转移基板包括：
第一掩模版和粘性缓冲结构，所述粘性缓冲结构位于所述第一掩模版的一侧，与所述第一掩模版接触设置，所述粘性缓冲结构相对于所述第一掩模版可移动；
所述第一掩模版包括多个第一通孔，所述粘性缓冲结构包括多个第二通孔和连接部；
所述连接部在所述粘性缓冲结构相对于所述第一掩模版的第一设置位置与所述第一通孔对应设置，所述第二通孔在所述粘性缓冲结构相对于所述第一掩模版的第二设置位置与所述第一通孔对应设置。
由以上技术方案可知，本发明一些实施例利用第一掩模版和粘性缓冲结构作为Micro LED暂态转移基板，粘性缓冲结构相对于第一掩模版可移动，第一掩模版包括多个第一通孔，粘性缓冲结构包括多个第二通孔和连接部；连接部在粘性缓冲结构相对于第一掩模版的第一设置位置与第一通孔对应设置，第二通孔在粘性缓冲结构相对于第一掩模版的第二设置位置与第一通孔对应设置。由此，本发明一些实施例无需采用整体粘贴转移的方式，利用结构简单的Micro LED暂态转移基板，在Micro LED未脱离生长基板时利用第一粘性缓冲结构提供弹性支撑力，在Micro LED需要脱离生长基板转移至驱动基板时，利用第一掩模版和粘性缓冲结构的相对移动，使得Micro LED脱落后直接掉落至驱动基板实现电连接，不会出现整体粘贴转移时部分Micro LED无法正常转移的问题，提高了转移良率，且良率的提高有利于Micro LED的大面积转移，提高了转移效率，可实现Micro LED的选择性转移，易于个别位置的后续修补，且第一掩膜版对Micro LED起到限位作用，Micro LED位置无偏移，粘性缓冲结构使得Micro LED表面无残胶。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明根据示例性实施例示出的一种Micro LED暂态转移基板的剖面结构示意图；
图2为本发明根据示例性实施例示出的一种Micro LED暂态转移基板的顶视结构示意图；
图3为本发明根据示例性实施例示出的另一种Micro LED暂态转移基板的顶视结构示意图；
图4为本发明根据示例性实施例示出的另一种Micro LED暂态转移基板的顶视结构示意图；
图5为本发明根据示例性实施例示出的另一种Micro LED暂态转移基板的剖面结构示意图；
图6为本发明根据示例性实施例示出的另一种Micro LED暂态转移基板的剖面结构示意图；
图7为本发明根据示例性实施例示出的一种Micro LED的转移方法的流程示意图；
图8-图13分别为本发明根据示例性实施例示出的一种电极位于Micro LED同侧对应的制作流程的步骤剖面图；
图14-图19分别为本发明根据示例性实施例示出的一种电极位于Micro LED两侧对应的制作流程的步骤剖面图；
图20为本发明根据示例性实施例示出的一种设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的和实施方式更加清楚，下面将结合本发明示例性实施例中的附图，对本发明示例性实施方式进行清楚、完整地描述，显然，描述的示例性实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
需要说明的是，本发明中对于术语的简要说明，仅是为了方便理解接下来描述的实施方式，而不是意图限定本发明的实施方式。除非另有说明，这些术语应当按照其普通和通常的含义理解。
本发明中说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”等是用于区别类似或同类的对象或实体，而不必然意味着限定特定的顺序或先后次序，除非另外注明。应该理解这样使用的用语在适当情况下可以互换。
术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖但不排他的包含，例如，包含了一系列组件的产品或设备不必限于清楚地列出的所有组件，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些产品或设备固有的其它组件。
图1为本发明根据示例性实施例示出的一种Micro LED暂态转移基板的剖面结构示意图，图2为本发明根据示例性实施例示出的一种Micro LED暂态转移基板的俯视结构示意图，图3为本发明根据示例性实施例示出的另一种Micro LED暂态转移基板的剖面结构示意图，图4为本发明根据示例性实施例示出的一种Micro LED暂态转移基板的俯视结构示意图。结合图1至图4，Micro LED暂态转移基板包括：第一掩模版1和粘性缓冲结构2，粘性缓冲结构2位于第一掩模版1的一侧，与第一掩模版1接触设置，粘性缓冲结构2相对于第一掩模版1可移动；第一掩模版1包括多个第一通孔11，粘性缓冲结构2包括多个第二通孔21和连接部22；连接部22在粘性缓冲结构2相对于第一掩模版1的第一设置位置与第一通孔11对应设置，第二通孔21在粘性缓冲结构2相对于第一掩模版1的第二设置位置与第一通孔11对应设置。
具体地，图1和图2示例性地示出了在粘性缓冲结构2相对于第一掩模版1的第一设置位置，连接部22与第一通孔11对应设置，图3和图4示例性地示出了在粘性缓冲结构2相对于第一掩模版1的第二设置位置，第二通孔21与第一通孔11对应设置。
具体地，结合图1至图4，第一掩膜版1例如可以为精细金属掩膜版(Fine MetalMask，FMM)，利用第一掩膜版1可以在转移过程中对Micro LED起到限位的作用，提高MicroLED转移时的精度，在需要进行Micro LED转移时，可以将带有生长基板3的Micro LED放置在第一掩模版的第一通孔11内，在需要移除Micro LED处的粘性缓冲结构2以露出MicroLED时，对粘性缓冲结构2施加与粘性缓冲结构2相平行的力，即可使粘性缓冲结构2与第一掩膜版1相对移动，粘性缓冲结构2可以根据Micro LED的转移需求例如由第一设置位置移动到第二设置位置。另外，第一掩模版1还包括掩膜版连接部12，掩膜版连接部12优选地可以为图2和图4中所示的整面结构，从而降低了移动掩膜版连接部12的难度，并且便于第一掩膜版1的制作。
Micro LED巨量转移工艺一直是制约Micro LED显示技术发展的瓶颈，目前多采用弹性印章的方式对Micro LED进行转移，具体做法是在玻璃基板上设置粘性结构，粘住需要转移的Micro LED至驱动基板上，但是这种方式会由于Micro LED高度不平整、粘性不均匀、弹性长时间老化不均匀等原因，导致有的Micro LED能正常转移，有的Micro LED粘性不足掉落，导致转移良率很低，且整面转移不利于个别位置的修补，又因为小面积均匀性较差，大面积转移均匀性更差，所以只能小面积转移，导致转移效率低。
本发明一些实施例无需采用整体粘贴转移的方式，利用结构简单的Micro LED暂态转移基板，在Micro LED未脱离生长基板时利用第一粘性缓冲结构提供弹性支撑力，在Micro LED需要脱离生长基板转移至驱动基板时，利用第一掩模版和粘性缓冲结构的相对移动，使得Micro LED脱落后直接掉落至驱动基板实现电连接，不会出现整体粘贴转移时部分Micro LED无法正常转移的问题，提高了转移良率，且良率的提高有利于Micro LED的大面积转移，提高了转移效率，可实现Micro LED的选择性转移，易于个别位置的后续修补，且第一掩膜版对Micro LED起到限位作用，Micro LED位置无偏移，粘性缓冲结构使得MicroLED表面无残胶。
在一些实施例中，结合图1至图4，粘性缓冲结构2为整面结构，第一通孔11以及第二通孔21矩阵排列。
具体地，在对多个Micro LED进行转移时，需要将与Micro LED粘结的粘性缓冲结构2在第一设置位置和第二设置位置之间移动，如果连接部22为局部块状结构或者为局部条状结构时，则需要移动多个连接部22，才能将粘性缓冲结构2移动到需求位置，移动连接部22的难度较大，易出现位置偏离的问题。为了降低移动连接部22的难度，可以设置粘性缓冲结构2为图2和图4中所示的整面结构，在需要移动粘性缓冲结构2的位置时，可以同时移动连接为一体的所有连接部22，以覆盖Micro LED或者露出Micro LED。由此，整面结构的粘性缓冲结构2降低了移动连接部22的难度，所有连接部22移动的位移相同，提高了连接部22整体移动位移的均匀性。
图5为本发明根据示例性实施例示出的另一种Micro LED暂态转移基板的剖面结构示意图，图6为本发明根据示例性实施例示出的另一种Micro LED暂态转移基板的剖面结构示意图，在一些实施例中，结合图5和图6，第二通孔21的面积大于等于第一通孔11的面积，相邻第二通孔21之间的连接部22的面积大于等于第一通孔11的面积。
具体地，图5中示例性地示出了带有生长基板3的Micro LED10放置在第一通孔11内，相邻的第二通孔21之间的连接部22的面积大于等于第一通孔11的面积，相邻第二通孔21之间的连接部22与第一通孔11内的Micro LED10相粘结，从而确保连接部22能够将MicroLED10限制在第一通孔11处，并且粘结缓冲结构2向Micro LED10提供一定的弹性支撑力，避免移除生长基板3时大气压力对Micro LED10造成损坏。图6中示例性地示出了在将MicroLED10转移到驱动背板之前，需要先将粘性缓冲结构2由第一设置位置移动到第二设置位置暴露出Micro LED10，因此设置第二通孔21的面积大于等于第一通孔11的面积，使第二设置位置处的粘结缓冲结构2不会遮挡Micro LED10，便于后续Micro LED10脱落后实现与驱动基板的电连接，并且设置第一通孔11和第二通孔21均为矩形，便于Micro LED暂态转移基板的制作。
优选地，可以设置第一通孔11的面积、第二通孔21的面积以及相邻第二通孔21之间的连接部22的面积均相等，在能够支撑Micro LED10且不会遮挡Micro LED10的前提下，最大程度降低Micro LED暂态转移基板的制作难度。
在一些实施例中，结合图1至图6，粘性缓冲结构2为聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)版。具体地，结合图1至图6，聚二甲基硅氧烷是一种疏水类的有机硅物料，具有一定的粘性，受到一定的外力后，聚二甲基硅氧烷版可以相对于第一掩膜版1进行移动，并且聚二甲基硅氧烷版不会有残余的胶留在Micro LED10上，避免影响后续Micro LED10与驱动基板5的电连接以及Micro LED10的电性能。另外，由于去除MicroLED10的生长基板3时会有一定的大气压力向下施加在Micro LED10上，因此粘接在MicroLED10上的聚二甲基硅氧烷版具有一定的弹性，能够有效避免大气压力损坏Micro LED10。
本发明一些实施例还提供了一种Micro LED的转移方法，图7为本发明根据示例性实施例示出的一种Micro LED的转移方法的流程示意图，Micro LED10的转移方法可以应用在需要对Micro LED进行转移的应用场景，可以由连接机械手的控制器执行。如图7所示，Micro LED的转移方法包括：
S101、将带有生长基板的Micro LED置入第一掩模版的第一通孔内；其中，粘性缓冲结构相对于第一掩模版位于第一设置位置。
具体地，如图1和图8所示，图1中示例性地示出了在粘性缓冲结构2相对于第一掩模版1的第一设置位置，连接部22与第一通孔11对应设置，可以将带有生长基板3的多个Micro LED10如图8所示置入第一掩模版1的第一通孔11内，粘性缓冲结构2相对于第一掩模版位于第一设置位置，Micro LED10与粘性缓冲结构2相粘接，第一掩膜版1对Micro LED10起到限位作用，能够使Micro LED10准确地与粘性缓冲结构2粘贴，避免Micro LED10发生位置偏移。Micro LED10的生长基板3例如可以为蓝宝石、硅、碳化硅或者氮化镓等材料，生长基板3可以根据Micro LED10的生长及性能需求进行选择，这里不作限定。
需要说明的是，在带有生长基板3的Micro LED10置入第一掩模版1的第一通孔11之前，粘性缓冲结构2例如位于如图4所示的相对于第一掩模版1的第二设置位置时，可以先将粘性缓冲结构2由第二设置位置移动到图2所示的第一设置位置，再将Micro LED10置入第一通孔11内。
S102、移除生长基板。
在一些实施例中，移除生长基板，包括：采用激光剥离(Laser Lift Off，LLO)的方式移除生长基板。
具体地，如图9所示，当生长基板3例如为蓝宝石基板时，可以采用激光剥离的方式将生长基板3移除，利用激光能量分解蓝宝石基板与Micro LED10之间的缓冲层，从而实现Micro LED10与蓝宝石基板的分离，相比于化学剥离、机械剥离和离子束等其他高能束剥离，激光剥离具有能量输入效率高、器件损伤小、设备开放性好、应用方式灵活等优势，提高了Micro LED10的转移效率，并且不损伤Micro LED10。
需要说明的是，也可以根据生长基板3的材料采用其它剥离方式移除生长基板3，本发明一些实施例在此不作限定。
S103、将激光解离胶基板粘贴至Micro LED背离粘性缓冲结构的表面。
具体地，如图10所示，为了提高激光解离胶41的支撑力，可以将激光解离胶41均匀涂覆在临时基板(Carrier)42上，形成激光解离胶基板4，激光解离胶41对Micro LED10具有良好的粘结力，通过贴合的方式，将激光解离胶基板4粘贴至Micro LED10背离粘性缓冲结构2的表面。
S104、移动粘性缓冲结构至第二设置位置。
具体地，结合图4和图11，激光解离胶41与Micro LED10粘接后，向连接部22施加平行于连接部22的力，将粘性缓冲结构2移动至如图4所示的第二设置位置，使连接部22不再遮挡第一通孔11中的Micro LED10，便于Micro LED10脱落后与驱动基板电连接实现MicroLED10的转移。
S105、对位放置驱动基板于粘性缓冲结构背离第一掩模版的一侧。
在一些实施例中，对位放置驱动基板于粘性缓冲结构背离第一掩模版的一侧，包括：在驱动基板上设置有Micro LED对接电极的表面涂覆导电胶；其中，导电胶露出MicroLED对接电极；对位放置涂覆有导电胶，露出Micro LED对接电极的驱动基板于粘性缓冲结构背离第一掩模版的一侧。
具体地，如图12所示，在驱动基板5上设置有Micro LED对接电极52的表面涂覆导电胶51，导电胶51例如为异方性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)，异方性导电胶膜在Z轴电气导通方向与XY绝缘平面的电阻特性具有明显的差异性，当Z轴导通电阻值与XY平面绝缘电阻值的差异超过一定比值后，既可使异方性导电胶膜具有良好的导电异方性。导电胶51将Micro LED对接电极52露出，露出Micro LED对接电极52的驱动基板5，对位放置在粘性缓冲结构2背离第一掩膜版1的一侧，使Micro LED10的电极与Micro LED对接电极52对齐，保证Micro LED10垂直脱落后能够落在驱动基板5上，并通过导电胶51与驱动基板5上对应的Micro LED对接电极52电接触。
S106、选择性照射激光解离胶基板，以使照射位置的Micro LED脱离激光解离胶基板，电连接至驱动基板上的预设区域。
在一些实施例中，选择性照射激光解离胶基板，包括：将第二掩模版设置于激光解离胶基板背离第一掩模版的一侧；由第二掩模版背离激光解离胶基板的一侧向激光解离胶基板所在方向进行照射。
具体地，如图13所示，可以在需要转移的Micro LED10对应位置处设置第二掩膜版(图13中未具体示出第二掩膜版)，第二掩膜版的形状可以参照第一掩膜版1制作，第二掩膜版设置在激光解离胶背离第一掩膜版1的一侧，利用第二掩膜版对照射所用激光进行限位，第二掩膜版的开孔位置设置在需要照射激光的位置，同时激光无法照射到被第二掩膜版遮挡的位置处，防止激光照射到无需转移的Micro LED10处使其被转移。激光穿过具有一定透光率，例如透明的临时基板42，照射在需要转移的Micro LED10对应位置处的激光解离胶41上，经过照射的激光解离胶41发生性质变化产生气体，推动照射位置的Micro LED10脱离激光解离胶基板4，落到驱动基板5上的预设区域，并与驱动基板5上的Micro LED对接电极52电连接，实现了Micro LED10的转移。
需要说明的是，本发明一些实施例对第二掩膜版的具体类型及材质不作限定，能够满足Micro LED10的转移需求即可。
在一些实施例中，激光解离胶基板4为紫外线激光解离胶基板。
具体地，结合图10至图13，激光解离胶41例如可以为紫外线激光解离胶，利用紫外线选择性照射激光解离胶41，激光解离胶41中的光引发剂或者光敏剂吸收紫外线产生活性自由基或者阳离子后，会在数秒内由固态转化为气态，推动照射位置的Micro LED10脱离激光解离胶基板4，从而使Micro LED10从激光解离胶基板4上脱落，通过对接电极52电连接至驱动基板5上的预设区域。
在一些实施例中，Micro LED10的正极和负极位于Micro LED10主体结构的同侧，或者，Micro LED10的正极和负极分别位于Micro LED10主体结构的两侧。
具体地，图8-图13中示例性地示出Micro LED10的正极和负极位于Micro LED10主体结构的同侧时的转移方法，另外，Micro LED10的正极和负极也可以分别位于MicroLED10主体结构的两侧，具体的转移流程可以参照图14-图19，具体转移方法可以按照MicroLED10的正极和负极位于Micro LED10主体结构的同侧进行理解，这里不再赘述。需要说明的是，位于Micro LED10背离驱动基板5的一侧的电极可以为Micro LED10的正极也可以为Micro LED10的负极，这里不作限定，位于Micro LED10背离驱动基板5的一侧的电极可以通过引线或者贯穿Micro LED10的通孔，与驱动基板5上的预设区域电连接，实现了MicroLED10由生长基板3向驱动基板5的巨量转移。
需要说明的是，可以设置第一通孔11的密度小于预设密度。第一通孔11的密度过大时，紫外线会产生干涉和衍射，影响Micro LED10的脱离良率。
本发明一些实施例所提供的Micro LED的转移方法，替代了传统的整体粘贴转移的方式，利用结构简单的Micro LED暂态转移基板，在Micro LED未脱离生长基板时利用第一粘性缓冲结构提供弹性支撑力，在Micro LED需要脱离生长基板转移至驱动基板时，利用第一掩模版和粘性缓冲结构的相对移动，使得Micro LED脱落后直接掉落至驱动基板实现电连接，不会出现整体粘贴转移时部分Micro LED无法正常转移的问题，提高了转移良率，且良率的提高有利于Micro LED的大面积转移，提高了转移效率，可实现Micro LED的选择性转移，易于个别位置的后续修补，且第一掩膜版对Micro LED起到限位作用，Micro LED位置无偏移，粘性缓冲结构使得Micro LED表面无残胶。
本发明实施方式提供的Micro LED的转移方法，可以制作形成包括Micro LED的背光板，Micro LED背光板可以作为显示设备，例如液晶显示设备的背光板，利用Micro LED背光板提供的背光源实现显示功能。另外，本发明各实施例之间相同相似的部分互相参照即可，相关内容不在赘述，且本发明一些实施例并未罗列出所有的可能组合方式，本发明各实施例中的技术特征之间的任意组合同样属于本发明的保护范围。
具体实现中，本发明还提供一种计算机存储介质，其中，该计算机存储介质可存储有程序，该程序执行时可包括本发明提供的方法的各实施例中的部分或全部步骤。的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(英文：read-only memory，简称：ROM)或随机存储记忆体(英文：random access memory，简称：RAM)等。
具体实现中，本发明还提供一种设备，该设备包括机械手和控制器，机械手与控制器通信连接，控制器控制机械手执行上述实施例所述的Micro LED的转移方法，设备还包括处理器和存储器，图20为本发明根据示例性实施例示出的一种设备的结构示意图。如图20所示，设备包括处理器301和存储器302，处理器301通过调用存储器302存储的程序或指令，执行如上述实施例的Micro LED的转移方法的步骤，因此具备上述实施例的有益效果，这里不再赘述。
具体地，如图20所示，可以设置设备包括至少一个处理器301、至少一个存储器302和至少一个通信接口303。设备中的各个组件通过总线系统304耦合在一起。通信接口303用于与外部设备之间的信息传输。可理解，总线系统304用于实现这些组件之间的连接通信。总线系统304除包括数据总线之外，还包括电源总线、控制总线和状态信号总线。但为了清楚说明起见，在图20中将各种总线都标为总线系统304。
可以理解，本实施例中的存储器302可以是易失性存储器或非易失性存储器，或可包括易失性和非易失性存储器两者。在一些实施方式中，存储器302存储了如下的元素：可执行单元或者数据结构，或者他们的子集，或者他们的扩展集操作系统和应用程序。在本发明一些实施例中，处理器301通过调用存储器302存储的程序或指令，执行本发明一些实施例提供的Micro LED的转移方法各实施例的步骤。
本发明一些实施例提供的Micro LED的转移方法可以应用于处理器301中，或者由处理器301实现。处理器301可以是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器301中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器301可以是通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
本发明一些实施例提供的Micro LED的转移方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件单元组合执行完成。软件单元可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器302，处理器301读取存储器302中的信息，结合其硬件完成方法的步骤。
该设备还可以包括一个实体部件，或者多个实体部件，以根据处理器301在执行本申请实施例提供的Micro LED的转移方法时生成的指令。不同的实体部件可以设置到设备内，或者设备外，例如云端服务器等。各个实体部件与处理器301和存储器302共同配合实现本实施例中设备的功能。
本领域的技术人员可以清楚地了解到本发明一些实施例中的技术可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现。基于这样的理解，本发明一些实施例中的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例或者实施例的某些部分的方法。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
为了方便解释，已经结合具体的实施方式进行了上述说明。但是，上述示例性的讨论不是意图穷尽或者将实施方式限定到上述公开的具体形式。根据上述的教导，可以得到多种修改和变形。上述实施方式的选择和描述是为了更好的解释原理以及实际的应用，从而使得本领域技术人员更好的使用实施方式以及适于具体使用考虑的各种不同的变形的实施方式。

Claims (10)

1.一种Micro LED暂态转移基板，其特征在于，包括：
第一掩模版和粘性缓冲结构，所述粘性缓冲结构位于所述第一掩模版的一侧，与所述第一掩模版接触设置，所述粘性缓冲结构相对于所述第一掩模版可移动；
所述第一掩模版包括多个第一通孔，所述粘性缓冲结构包括多个第二通孔和连接部；
所述连接部在所述粘性缓冲结构相对于所述第一掩模版的第一设置位置与所述第一通孔对应设置，所述第二通孔在所述粘性缓冲结构相对于所述第一掩模版的第二设置位置与所述第一通孔对应设置。
2.根据权利要求1所述的Micro LED暂态转移基板，其特征在于，所述粘性缓冲结构为整面结构，所述第一通孔以及所述第二通孔矩阵排列。
3.根据权利要求1或2所述的Micro LED暂态转移基板，其特征在于，所述第二通孔的面积大于等于所述第一通孔的面积，相邻所述第二通孔之间的所述连接部的面积大于等于所述第一通孔的面积。
4.根据权利要求1或2所述的Micro LED暂态转移基板，其特征在于，所述粘性缓冲结构为聚二甲基硅氧烷版。
5.一种Micro LED的转移方法，其特征在于，应用如权利要求1-4任一项所述的MicroLED暂态转移基板，所述Micro LED的转移方法包括：
将带有生长基板的所述Micro LED置入所述第一掩模版的所述第一通孔内；其中，所述粘性缓冲结构相对于所述第一掩模版位于所述第一设置位置；
移除所述生长基板；
将激光解离胶基板粘贴至所述Micro LED背离所述粘性缓冲结构的表面；
移动所述粘性缓冲结构至所述第二设置位置；
对位放置驱动基板于所述粘性缓冲结构背离所述第一掩模版的一侧；
选择性照射所述激光解离胶基板，以使照射位置的所述Micro LED脱离所述激光解离胶基板，电连接至所述驱动基板上的预设区域。
6.根据权利要求5所述的Micro LED的转移方法，其特征在于，采用激光剥离的方式移除所述生长基板。
7.根据权利要求5所述的Micro LED的转移方法，其特征在于，所述对位放置驱动基板于所述粘性缓冲结构背离所述第一掩模版的一侧，包括：
在所述驱动基板上设置有Micro LED对接电极的表面涂覆导电胶；其中，所述导电胶露出所述Micro LED对接电极；
对位放置涂覆有所述导电胶，露出所述Micro LED对接电极的所述驱动基板于所述粘性缓冲结构背离所述第一掩模版的一侧。
8.根据权利要求7所述的Micro LED的转移方法，其特征在于，所述Micro LED的正极和负极位于所述Micro LED主体结构的同侧，或者，所述Micro LED的正极和负极分别位于所述Micro LED主体结构的两侧。
9.根据权利要求5所述的Micro LED的转移方法，其特征在于，所述选择性照射所述激光解离胶基板，包括：
将第二掩模版设置于所述激光解离胶基板背离所述第一掩模版的一侧；
由所述第二掩模版背离所述激光解离胶基板的一侧向所述激光解离胶基板所在方向进行照射。
10.根据权利要求5或9所述的Micro LED的转移方法，其特征在于，所述激光解离胶基板为紫外线激光解离胶基板。
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