CN117322167A - 用于有机发光器件的发光材料、发光器件和显示装置 - Google Patents

用于有机发光器件的发光材料、发光器件和显示装置 Download PDF

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Abstract

一种用于有机发光器件的发光材料、发光器件和显示装置，所述发光材料包括主体材料，所述主体材料包括第一化合物，所述第一化合物的结构通式为式I；其中，各个基团和取代基的含义与说明书中相同。

Description

用于有机发光器件的发光材料、发光器件和显示装置 技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，尤其涉及一种用于有机发光器件的发光材料、发光器件和显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、发光亮度与效率高、分辨率高、色域与视角宽、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点，成为目前市场上炙手可热的主流显示产品。
当今量产的OLED器件，红光器件一般为磷光器件。红光主体(Host)材料为预混(Premix)材料，包括空穴型主体(P型)材料和电子型主体(N型)材料，P型主体材料和N型主体材料可以形成激基复合物。红光主体材料中的掺杂材料(又叫客体(Dopant)材料)为磷光掺杂材料。光致激发或者电致激发下，在主体材料上形成激子，通过能量传递，激子从主体材料传递到客体材料上，然后再通过材料辐射跃迁发光。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制本申请的保护范围。
本公开实施例提供一种用于有机发光器件的发光材料，包括主体材料，所述主体材料包括第一化合物，所述第一化合物的结构通式为：
其中，L 1至L 3各自独立地包括单键、亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚芴基、亚二甲基芴基、C1至C10的亚烷基中的任意一种；
Ar 1至Ar 3各自独立地包括取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的9-氢芴基、取代或未取代的9,9-二甲基芴基、取代或未取代的9,9二苯基芴基、取代或未取代的螺芴基、取代或未取代的式II所示的基团、取代或未取代的式III所示的基团中的任意一种；这里，取代的苯基、取代的联苯基、取代的萘基、取代的蒽基、取代的菲基、取代的咔唑基、取代的二苯并呋喃基、取代的二苯并噻吩基、取代的9-氢芴基、取代的9,9-二甲基芴基、取代的9,9-二苯基芴基、取代的螺芴基、取代的式II所示的基团、取代的式III所示的基团是指被一个或多个如下基团所取代：苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9-氢芴基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺芴基、C1至C10的烷基、式II所示的基团、式III所示的基团；
X 1包括O、S、NR 1和CR 2R 3中的任意一种；
R 1至R 3各自独立的包括氢、C1至C10的烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、芴基、二甲基芴基、二苯基芴基、螺芴基中的任意一种。
在示例性实施例中，L 1至L 3可以各自独立地包括单键、亚苯基中的任意一种；
Ar 1至Ar 3可以各自独立地包括苯基、苯取代的苯基、联苯取代的苯基、菲取代的苯基、咔唑取代的苯基、联苯基、菲基、咔唑基、二甲基芴基、式II所示的基团、式III所示的基团中的任意一种，并且在式II所示的基团、式III所示的基团中，X 1为O。
在示例性实施例中，所述第一化合物可以包括如下化合物中的任意一种：
在示例性实施例中，所述发光材料还可以包括客体材料，并且所述主体材料和所述客体材料可以满足：
0.1eV≤T1(H)-T1(D)≤0.5eV；
2.1eV≤T1(H)≤2.7eV；
2.0eV≤T1(D)≤2.2eV；
其中，T1(H)为所述主体材料的最低三重态能量；T1(D)为所述客体材料的最低三重态能量。
在示例性实施例中，所述主体材料还可以包括第二化合物，所述第一化合物和所述第二化合物可以满足：
2.2eV≤T1(P)≤2.8eV；
2.2eV≤T1(N)≤2.8eV；
其中，T1(P)为所述第一化合物的最低三重态能量；T1(N)为所述第二化合物的最低三重态能量。
在示例性实施例中，所述第一化合物、所述第二化合物和所述客体材料可以满足：
0.1eV≤|HOMO(P)-HOMO(D)|≤0.4eV；
0.1eV≤|LUMO(N)-LUMO(D)|≤0.5eV；
其中，HOMO(P)为所述第一化合物的最高占据分子轨道能级；LUMO(N)为所述第二化合物的最低未占分子轨道能级；HOMO(D)为所述客体 材料的最高占据分子轨道能级；LUMO(D)为所述客体材料的最低未占分子轨道能级。
在示例性实施例中，所述主体材料的光致发光光谱与所述客体材料的金属到配体的电荷转移吸收光谱的重叠积分面积可以不低于所述主体材料的光致发光光谱的光谱积分面积的20％。
在示例性实施例中，所述第二化合物的通式可以为：
其中，L 4至L 6各自独立地包括单键、亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚芴基、亚二甲基芴基、C1至C10的亚烷基中的任意一种；
Ar 4至Ar 6各自独立地包括取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的9-氢芴基、取代或未取代的9,9-二甲基芴基、取代或未取代的9,9二苯基芴基、取代或未取代的螺芴基、取代或未取代的式V所示的基团、取代或未取代的式VI所示的基团中的任意一种；这里，取代的苯基、取代的联苯基、取代的萘基、取代的蒽基、取代的菲基、取代的咔唑基、取代的二苯并呋喃基、取代的二苯并噻吩基、取代的9-氢芴基、取代的9,9-二甲基芴基、取代的9,9-二苯基芴基、取代的螺芴基、取代的式V所示的基团、取代的式VI所示的基团是指被一个或多个如下基团所取代：苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9-氢芴基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺芴基、C1至C10的烷基、式V所示的基团、式VI所示的基团；
X 2和X 3中至少有一个为N，另一个为N和-CH中的任意一种；X 4为N；
X 5和X 6各自独立地包括N、C或CH中的任意一种，并且当X 5和X 6均为C时，X 5和X 6成环，成环后形成式V-1或式V-2所示的基团；
X 7至X 9各自独立的包括O、S、NR 4和CR 5R 6中的任意一种；
R 4至R 6各自独立的包括氢、C1至C10的烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、芴基、二甲基芴基、二苯基芴基、螺芴基中的任意一种。
在示例性实施例中，L 4至L 6可以各自独立地包括单键、亚萘基中的任意一种；
Ar 4至Ar 6各自独立地包括苯基、萘基、咔唑基、咔唑取代的萘基、 中的任意一种。
在示例性实施例中，所述第二化合物可以包括如下化合物中的任意一种：
在示例性实施例中，
所述第一化合物可以为P1，所述第二化合物可以为N1；或者，
所述第一化合物可以为P3，所述第二化合物可以为N2；或者，
所述第一化合物可以为P5，所述第二化合物可以为N3。
在示例性实施例中，所述第一化合物和所述第二化合物可以满足：
80℃≤Tg(P)≤140℃；
80℃≤Tg(N)≤140℃；
|Tg(P)-Tg(N)|≤20℃；
其中，Tg(P)为所述第一化合物的玻璃化转变温度，Tg(N)为所述第二化合物的玻璃化转变温度。
在示例性实施例中，在所述主体材料中，所述第一化合物与所述第二化合物的摩尔比可以为3:7至7:3。
本公开实施例还提供一种发光器件，包括发光层，所述发光层的材料包括如上所述的用于有机发光器件的发光材料。
在示例性实施例中，所述发光器件还可以包括设置在所述发光层一侧的辅助发光层，所述辅助发光层的材料与所述第一化合物可以满足：
1/100≤空穴迁移率(F)/空穴迁移率(P)≤1；
其中，空穴迁移率(F)为所述辅助发光层的材料的空穴迁移率，空穴迁移率(P)为所述第一化合物的空穴迁移率。
在示例性实施例中，所述辅助发光层的材料与所述第一化合物还可以满足：
0.1eV≤|HOMO(F)-HOMO(P)|≤0.5eV；
|HOMO(F)|＞|HOMO(P)|；
其中，HOMO(F)为所述辅助发光层的材料的最高占据分子轨道能级。
在示例性实施例中，所述辅助发光层的材料与所述第一化合物还可以满足：
0eV≤T1(F)-T1(P)≤0.4eV；
其中，T1(F)为所述辅助发光层的材料的最低三重态能量。
在示例性实施例中，所述辅助发光层的材料的通式可以为：
L 7至L 9各自独立地包括单键、亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚芴基、亚二甲基芴基、C1至C10的亚烷基中的任意一种；
Ar 7至Ar 9各自独立地包括取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的9-氢芴基、取代或未取代的9,9-二甲基芴基、取代或未取代的9,9二苯基芴基、取代或未取代的螺芴基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的式VIII所示的基团；这里，取代的苯基、取代的联苯基、取代的萘基、取代的二苯并呋喃基、取代的二苯并噻吩基、取代的9-氢芴基、取代的9,9-二甲基芴基、取代的9,9-二苯基芴基、取代的螺芴基、取代的金刚烷基、取代的式VIII所示的基团是指被一个或多个如下基团所取代：苯基、联苯基、萘基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9-氢芴基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺芴基、C1至C10的烷基、金刚烷基、式VIII所示的基团；
R 7至R 9各自独立的包括氢、C1至C10的烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、芴基、二甲基芴基、二苯基芴基、螺芴基中的任意一种。
在示例性实施例中，L 7至L 9可以各自独立地包括单键、亚苯基、亚联苯基、亚二甲基芴基中的任意一种；
Ar 7至Ar 9各自独立地包括金刚烷取代的苯基、金刚烷取代的联苯基、金刚烷基、二苯并呋喃基、二甲基芴基、螺芴基、苯取代的二甲基芴基、式VIII所示的基团中的任意一种。
在示例性实施例中，所述辅助发光层的材料可以包括如下化合物中的任意一种：
在示例性实施例中，
所述第一化合物可以为P2，所述辅助发光层的材料可以为F1；或者
所述第一化合物可以为P4，所述辅助发光层的材料可以为F2；或者
所述第一化合物可以为P6，所述辅助发光层的材料可以为F3。
本公开实施例还提供一种显示装置，包括如上所述的发光器件。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方 案的限制。
图1为最高占据分子轨道能级陷阱和最低未占分子轨道能级陷阱的形成示意图；
图2为本公开示例性实施例的器件通过调节空穴迁移率和能级搭配提高器件开启电压的示意图；
图3为本公开示例性实施例的发光器件的结构示意图；
图4为本公开示例性实施例和对比例的器件的发光层主体材料(RH)的光致发光光谱(PL)与客体材料的MLCT3吸收光谱；
图5为本公开示例性实施例的发光器件与目前的发光器件的效率随电流密度的变化曲线。
附图中的标记符号的含义为：
10-最高占据分子轨道能级陷阱；20-最低未占分子轨道能级陷阱；100-阳极；200-空穴注入层；300-空穴传输层；400-辅助发光层；500-发光层；600-空穴阻挡层；700-电子传输层；800-电子注入层；900-阴极。
具体实施方式
本文中的实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是实现方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，可能夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的任意一个实现方式并不一定限定于图中所示尺寸，附图中部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的任意一个实现方式不局限于附图所示的形状或数值等。
在本公开的描述中，“第一”、“第二”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“发光层” 换成为“发光膜”。
本公开实施例提供一种用于有机发光器件的发光材料，所述发光材料包括主体材料，所述主体材料包括第一化合物，所述第一化合物的结构通式为：
其中，L 1至L 3各自独立地包括单键、亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚芴基、亚二甲基芴基、C1至C10的亚烷基中的任意一种；
Ar 1至Ar 3各自独立地包括取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的9-氢芴基、取代或未取代的9,9-二甲基芴基、取代或未取代的9,9二苯基芴基、取代或未取代的螺芴基、取代或未取代的式II所示的基团、取代或未取代的式III所示的基团中的任意一种；这里，取代的苯基、取代的联苯基、取代的萘基、取代的蒽基、取代的菲基、取代的咔唑基、取代的二苯并呋喃基、取代的二苯并噻吩基、取代的9-氢芴基、取代的9,9-二甲基芴基、取代的9,9-二苯基芴基、取代的螺芴基、取代的式II所示的基团、取代的式III所示的基团是指被一个或多个如下基团所取代：苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9-氢芴基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺芴基、C1至C10的烷基、式II所示的基团、式III所示的基团；
X 1包括O、S、NR 1和CR 2R 3中的任意一种；
R 1至R 3各自独立的包括氢、C1至C10的烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、芴基、二甲基芴基、二苯基芴基、螺芴基中的任意一种。
在示例性实施例中，L 1至L 3可以各自独立地包括单键、亚苯基中的任意一种；
Ar 1至Ar 3可以各自独立地包括苯基、苯取代的苯基、联苯取代的苯基、菲取代的苯基、咔唑取代的苯基、联苯基、菲基、咔唑基、二甲基芴基、式II所示的基团、式III所示的基团中的任意一种，并且在式II所示的基团、式III所示的基团中，X 1为O。
在示例性实施例中，所述第一化合物可以包括如下化合物中的任意一种：
在示例性实施例中，所述发光材料还可以包括客体材料，并且所述主体材料和所述客体材料可以满足：
0.1eV≤T1(H)-T1(D)≤0.5eV；
2.1eV≤T1(H)≤2.7eV；
2.0eV≤T1(D)≤2.2eV；
其中，T1(H)为所述主体材料的最低三重态能量；T1(D)为所述客体材料的最低三重态能量。
以往认为红光主体材料(RH)的T1比红光客体材料(RD)的T1越高越好，这样可以防止客体材料上的三线态激子逆向传递到主体材料上。但是我们发现红光主体材料(RH)的T1和红光客体材料(RD)的T1差值过大时，会导致激子从红光主体材料(RH)向红光客体材料(RD)传递时的三 线态能量损失过大，进而导致高电流密度下效率滚降(roll off)过大。当所述主体材料和所述客体材料满足0.1eV≤T1(H)-T1(D)≤0.5eV、2.1eV≤T1(H)≤2.7eV、2.0eV≤T1(D)≤2.2eV时，不但可以防止客体材料上的三线态激子逆向传递到主体材料上，而且可以避免激子从红光主体材料(RH)向红光客体材料(RD)传递时的三线态能量损失过大，降低高电流密度下的效率滚降。
在示例性实施例中，所述主体材料还可以包括第二化合物，所述第一化合物和所述第二化合物可以满足：
2.2eV≤T1(P)≤2.8eV；
2.2eV≤T1(N)≤2.8eV；
其中，T1(P)为所述第一化合物的最低三重态能量；T1(N)为所述第二化合物的最低三重态能量。
当所述第一化合物和所述第二化合物满足2.2eV≤T1(P)≤2.8eV、2.2eV≤T1(N)≤2.8eV时，可以使得2.1eV≤T1(H)≤2.7eV。
在示例性实施例中，所述第一化合物、所述第二化合物和所述客体材料可以满足：
0.1eV≤|HOMO(P)-HOMO(D)|≤0.4eV；
0.1eV≤|LUMO(N)-LUMO(D)|≤0.5eV；
其中，HOMO(P)为所述第一化合物的最高占据分子轨道能级；LUMO(N)为所述第二化合物的最低未占分子轨道能级；HOMO(D)为所述客体材料的最高占据分子轨道能级；LUMO(D)为所述客体材料的最低未占分子轨道能级。
掺杂到红光主体材料(RH)中的红光客体材料(RD)会与P型主体材料形成最高占据分子轨道能级陷阱(Highest Occupied Molecular Orbit trap,HOMO trap)10，与N型主体材料形成最低未占分子轨道能级陷阱(Lowest Unoccupied Molecular Orbital trap,LUMO trap)20。图1为最高占据分子轨道能级陷阱和最低未占分子轨道能级陷阱的形成示意图。所以红光客体材料(RD)捕获电荷后会形成极化子，而且红光客体材料(RD)上还有从红光 主体材料(RH)上传递过来的三线态激子，因此在大电流密度下容易产生三线态激子-极化子湮灭(Triplet Exciton-Polaron Quenching,TPQ)，导致效率滚降。当所述第一化合物、所述第二化合物和所述客体材料满足0.1eV≤|HOMO(P)-HOMO(D)|≤0.4eV、0.1eV≤|LUMO(N)-LUMO(D)|≤0.5eV时，可以降低客体材料对于空穴和电子的陷阱效应，进而降低大电流密度下的三线态激子-极化子湮灭，降低效率滚降。
在示例性实施例中，所述主体材料的光致发光光谱与所述客体材料的金属到配体的电荷转移(Metal-to-Ligand Charge Transfer,MLCT3)吸收光谱的重叠积分面积可以不低于所述主体材料的光致发光光谱的光谱积分面积的20％。例如，所述主体材料的光致发光光谱与所述客体材料的MLCT3吸收光谱的重叠积分面积可以约为所述主体材料的光致发光光谱的光谱积分面积的20％、25％、30％、35％、40％、45％、50％、55％、60％。
当所述主体材料的光致发光光谱与所述客体材料的MLCT3吸收光谱的重叠积分面积可以不低于所述主体材料的光致发光光谱的光谱积分面积的20％时，可以实现主体材料(例如RH)向客体材料(例如RD)的良好能量传递。
在示例性实施例中，所述客体材料可以包括铱金属配合物类、铂金属配合物类客体发光材料中的任意一种或多种，例如，可以包括三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III)(Ir(piq) 3)、Ir(piq) 2(acac)、(MPEP)2lr(acac)、(PEQ)2Ir(acac)、(CzPPiQ)Pt(acac)、(CzPPiQ)Pt(dpm)和(DPQ)Pt(acac)中的任意一种或多种。
在示例性实施例中，所述发光材料中的客体材料的掺杂比例可以为1％至20％，例如可以为1％、2％、5％、8％、10％、12％、15％、18％、20％。在该掺杂比例范围内，一方面发光材料中的主体材料可将激子能量有效转移给发光材料中的客体材料来激发客体材料发光，另一方面发光材料中的主体材料对发光材料中的客体材料进行了“稀释”，有效改善了客体材料分子间相互碰撞、以及能量间相互碰撞引起的荧光淬灭，提高了发光效率和器件寿命。在示例性实施例中，掺杂比例是指客体材料的质量与发光材料的质量之比，即质量百分比。
在示例性实施例中，所述第二化合物的通式可以为：
其中，L 4至L 6各自独立地包括单键、亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚芴基、亚二甲基芴基、C1至C10的亚烷基中的任意一种；
Ar 4至Ar 6各自独立地包括取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的9-氢芴基、取代或未取代的9,9-二甲基芴基、取代或未取代的9,9二苯基芴基、取代或未取代的螺芴基、取代或未取代的式V所示的基团、取代或未取代的式VI所示的基团中的任意一种；这里，取代的苯基、取代的联苯基、取代的萘基、取代的蒽基、取代的菲基、取代的咔唑基、取代的二苯并呋喃基、取代的二苯并噻吩基、取代的9-氢芴基、取代的9,9-二甲基芴基、取代的9,9-二苯基芴基、取代的螺芴基、取代的式V所示的基团、取代的式VI所示的基团是指被一个或多个如下基团所取代：苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9-氢芴基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺芴基、C1至C10的烷基、式V所示的基团、式VI所示的基团；
X 2和X 3中至少有一个为N，另一个为N和-CH中的任意一种；X 4为N；
X 5和X 6各自独立地包括N、C或CH中的任意一种，并且当X 5和X 6均为C时，X 5和X 6成环，成环后形成式V-1或式V-2所示的基团；
X 7至X 9各自独立的包括O、S、NR 4和CR 5R 6中的任意一种；
R 4至R 6各自独立的包括氢、C1至C10的烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、芴基、二甲基芴基、二苯基芴基、螺芴基中的任意一种。
在示例性实施例中，L 4至L 6可以各自独立地包括单键、亚萘基中的任意一种；
Ar 4至Ar 6可以各自独立地包括苯基、萘基、咔唑基、咔唑取代的萘基、 中的任意一种。
在示例性实施例中，所述第二化合物可以包括如下化合物中的任意一种：
在示例性实施例中，
所述第一化合物可以为P1，所述第二化合物可以为N1；或者，
所述第一化合物可以为P3，所述第二化合物可以为N2；或者，
所述第一化合物可以为P5，所述第二化合物可以为N3。
当所述第一化合物和所述第二化合物选择上述组合时，所述第一化合物和所述第二化合物所述可以同时满足：2.1eV≤T1(H)≤2.7eV；2.2eV≤T1(P)≤2.8eV；2.2eV≤T1(N)≤2.8eV；有利于降低高电流密度下的效率滚降。
在示例性实施例中，所述第一化合物和所述第二化合物可以满足：
80℃≤Tg(P)≤140℃；
80℃≤Tg(N)≤140℃；
|Tg(P)-Tg(N)|≤20℃；
其中，Tg(P)为所述第一化合物的玻璃化转变温度，Tg(N)为所述第二化合物的玻璃化转变温度。
当所述第一化合物和所述第二化合物满足80℃≤Tg(P)≤140℃、80℃≤Tg(N)≤140℃、|Tg(P)-Tg(N)|≤20℃时，一方面可以保证所述第一化合物和所述第二化合物具有良好的热稳定性，从而保证在长时间蒸镀所述第一化合物和所述第二化合物过程中它们不容易发生裂解；另一方面，在蒸镀所述第一化合物和所述第二化合物时通常是将它们共混在一起，使用同一个加热源进行蒸镀的，当所述第一化合物和所述第二化合物满足80℃≤Tg(P)≤140℃、80℃≤Tg(N)≤140℃、|Tg(P)-Tg(N)|≤20℃时，可以保证长时间蒸镀过程中两种材料的比例保持不变。
在示例性实施例中，在所述主体材料中，所述第一化合物与所述第二化合物的摩尔比可以为3:7至7:3，例如，所述第一化合物与所述第二化合物的摩尔比可以为3:7、3:8、3:9、3:10、3:20、3:30、3:3、4:3、5:3、6:3、7:3。
在示例性实施例中，所述第一化合物可以作为所述主体材料中的P型主体材料，所述第二化合物可以作为所述主体材料中的N型主体材料。
本公开实施例还提供一种发光器件，所述发光器件包括发光层，所述发光层的材料可以包括如上所述的用于有机发光器件的发光材料。
当采用本公开实施例提供的用于有机发光器件的发光材料制备发光器件的发光层时，可以明显降低发光器件在大电流密度下的效率滚降。
在示例性实施例中，所述发光器件还可以包括设置在所述发光层一侧的辅助发光层，所述辅助发光层的材料与所述第一化合物可以满足：
1/100≤空穴迁移率(F)/空穴迁移率(P)≤1；
其中，空穴迁移率(F)为所述辅助发光层的材料的空穴迁移率，空穴迁移率(P)为所述第一化合物的空穴迁移率。
目前器件的空穴注入层一般是P型掺杂结构，P型掺杂后会降低空穴注入层的横向电阻，导致空穴横向漂移。又由于红光相比绿光以及蓝光的能量小，且红光器件的开启电压相比绿光器件和蓝光器件的开启电压小，因此横 向漂移的电荷很容易导致不期望点亮的红色像素被点亮，导致串扰现象。
目前量产的OLED器件中，红色辅助发光层的厚度是绿色辅助发光层以及蓝色辅助发光层的2至8倍左右。所以红色辅助发光层的迁移率和红光器件的开启电压关联很大。本公开示例性实施例的发光器件使所述辅助发光层的材料与所述第一化合物满足1/100≤空穴迁移率(F)/空穴迁移率(P)≤1，有利于降低空穴向发光层的注入，延缓空穴和电子的复合，有利于器件开启电压提高。
在示例性实施例中，所述辅助发光层的材料与所述第一化合物还可以满足：
0.1eV≤|HOMO(F)-HOMO(P)|≤0.5eV；
|HOMO(F)|＞|HOMO(P)|；
其中，HOMO(F)为所述辅助发光层的材料的最高占据分子轨道能级。
红色辅助发光层材料和红色P型主体材料的最高占据分子轨道能级能隙(HOMO gap)也会影响空穴从红色辅助发光层材料向发光层的注入。当所述辅助发光层的材料与所述第一化合物满足0.1eV≤|HOMO(F)-HOMO(P)|≤0.5eV、|HOMO(F)|＞|HOMO(P)|时，有利于降低空穴向发光层的注入，延缓空穴和电子的复合，有利于器件开启电压提高。
图2为本公开示例性实施例的器件通过调节空穴迁移率和能级搭配提高器件开启电压的示意图，上图表示目前的红光器件，下图表示本公开示例性实施例的红光器件，RF表示辅助发光层材料，RH-P表示发光层的P型主体材料，RH-N表示发光层的N型主体材料，RD表示发光层的客体材料。
在示例性实施例中，所述辅助发光层的材料与所述第一化合物还可以满足：
0eV≤T1(F)-T1(P)≤0.4eV；
其中，T1(F)为所述辅助发光层的材料的最低三重态能量。
当所述辅助发光层的材料与所述第一化合物满足0eV≤T1(F)-T1(P)≤0.4eV时，可以防止三线态激子外泄到辅助发光层，充分发挥所述辅助发光层的阻挡三线态激子作用。
在示例性实施例中，所述辅助发光层的材料的通式可以为：
L 7至L 9各自独立地包括单键、亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚芴基、亚二甲基芴基、C1至C10的亚烷基中的任意一种；
Ar 7至Ar 9各自独立地包括取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的9-氢芴基、取代或未取代的9,9-二甲基芴基、取代或未取代的9,9二苯基芴基、取代或未取代的螺芴基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的式VIII所示的基团；这里，取代的苯基、取代的联苯基、取代的萘基、取代的二苯并呋喃基、取代的二苯并噻吩基、取代的9-氢芴基、取代的9,9-二甲基芴基、取代的9,9-二苯基芴基、取代的螺芴基、取代的金刚烷基、取代的式VIII所示的基团是指被一个或多个如下基团所取代：苯基、联苯基、萘基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9-氢芴基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺芴基、C1至C10的烷基、金刚烷基、式VIII所示的基团；
R 7至R 9各自独立的包括氢、C1至C10的烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、芴基、二甲基芴基、二苯基芴基、螺芴基中的任意一种。
在示例性实施例中，L 7至L 9可以各自独立地包括单键、亚苯基、亚联苯基、亚二甲基芴基中的任意一种；
Ar 7至Ar 9可以各自独立地包括金刚烷取代的苯基、金刚烷取代的联苯基、金刚烷基、二苯并呋喃基、二甲基芴基、螺芴基、苯取代的二甲基芴基、式VIII所示的基团中的任意一种。
在示例性实施例中，所述辅助发光层的材料可以包括如下化合物中的任意一种：
在示例性实施例中，
所述第一化合物可以为P2，所述辅助发光层的材料可以为F1；或者
所述第一化合物可以为P4，所述辅助发光层的材料可以为F2；或者
所述第一化合物可以为P6，所述辅助发光层的材料可以为F3。
当所述第一化合物和所述辅助发光层的材料选择上述组合时，所述辅助发光层的材料与所述第一化合物可以同时满足：1/100≤空穴迁移率(F)/空穴迁移率(P)≤1、0.1eV≤|HOMO(F)-HOMO(P)|≤0.5eV、|HOMO(F)|＞|HOMO(P)|，因此可以降低空穴向发光层的注入，延缓空穴和电子的复合，提高器件的开启电压。
在示例性实施例中，所述发光器件可以包括阳极、阴极和设置在所述阳极和所述阴极之间的有机发光层，所述有机发光层包括发光层(Emitting Layer,EML)。
在示例性实施例中，所述有机发光层还可以包括如下任意一层或多层：空穴注入层(Hole Injection Layer,HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer,HTL)、电子阻挡层(Electron Block Layer,EBL)、辅助发光层、发光层(Emitting Layer,EML)、空穴阻挡层(Hole Block Layer,HBL)、电子传输层(Electron Transport Layer,ETL)、电子注入层(Electron Injection Layer,EIL)。在示例性实施例中，所有子像素的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的一层或多层可以是连接在一起的共通层，相邻子像素的发光层可以有少量的交叠，或者可以是隔离的。
图3为本公开示例性实施例的发光器件的结构示意图。如图3所示，所述电致发光器件可以包括：阳极100、空穴注入层200、空穴传输层300、辅助发光层400、发光层500、空穴阻挡层600、电子传输层700、电子注入层800和阴极900。所述空穴注入层200设置在所述阳极100一侧的表面上，所述空穴传输层300设置在所述空穴注入层200的远离所述阳极100一侧的表面上，所述辅助发光层400设置在所述空穴传输层300的远离所述阳极100一侧的表面上，所述发光层500设置在所述辅助发光层400的远离所述阳极100一侧的表面上，所述空穴阻挡层600设置在所述发光层500的远离所述阳极100一侧的表面上，所述电子传输层700设置在所述空穴阻挡层600的远离所述阳极100一侧的表面上，所述电子注入层800设置在所述电子传输层700的远离所述阳极100一侧的表面上，所述阴极900设置在所述电子注入层800的远离所述阳极100一侧的表面上。
在示例性实施例中，可以采用如下制备方法制备所述有机发光层。首先，采用开放式掩膜版(Open Mask，简称OPM)的蒸镀工艺或者采用喷墨打印工艺依次形成空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层，在显示基板上形成空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层的共通层。随后，采用精细金属掩模版(Fine Metal Mask，简称FMM)的蒸镀工艺或者采用喷墨打印工艺，在相应子像素中分别形成红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层。相邻子像素的发光层可以有少量的交叠(例如，交叠部分占各自发光层图案的面积小于10％)，或者可以是隔离的。随后，采用开放式掩膜版的蒸镀工艺或者采用喷墨打印工艺依次形成空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，在显示基板上形成空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层的共通层。
在示例性实施例中，所述有机发光层还可以包括微腔调节层，使得阴极和阳极之间有机发光层的厚度满足微腔长度的设计。在示例性实施例中，可以采用空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层作为微腔调节层，本公开在此不做限定。
在示例性实施例中，可以通过多源蒸镀工艺共同蒸镀发光层的主体材料和客体材料，使主体材料和客体材料均匀分散在发光层中，可以在蒸镀过程中通过控制客体材料的蒸镀速率来调控掺杂比例，或者通过控制主体材料和客体材料的蒸镀速率比来调控掺杂比例。在示例性实施例中，发光层的厚度可以约为10nm至50nm。
在示例性实施例中，空穴注入层可以采用无机的氧化物，如钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物或锰氧化物，或者可以采用强吸电子体系的p型掺杂剂和空穴传输材料的掺杂物，例如，4,4’-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)与2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HAT-CN)的掺杂物。在示例性实施例中，空穴注入层的厚度可以约为5nm至20nm。
在示例性实施例中，在示例性实施例中，空穴传输层可以采用空穴迁移率较高的材料，如芳胺类化合物，其取代基团可以是咔唑、甲基芴、螺芴、二苯并噻吩或呋喃等，例如TAPC等。在示例性实施例中，空穴传输层的厚 度可以约为40nm至150nm。
在示例性实施例中，空穴阻挡层和电子传输层可以采用芳族杂环化合物，例如苯并咪唑衍生物、咪唑并吡啶衍生物、苯并咪唑并菲啶衍生物等咪唑衍生物；嘧啶衍生物、三嗪衍生物等嗪衍生物；喹啉衍生物、异喹啉衍生物、菲咯啉衍生物等包含含氮六元环结构的化合物(也包括在杂环上具有氧化膦系的取代基的化合物)等。再例如，所述空穴阻挡层材料和所述电子传输层材料可以包括2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、1,3-双[5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(OXD-7)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(p-EtTAZ)、红菲咯啉(BPhen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(BCP)、4,4’-双(5-甲基苯并噁唑-2-基)芪(BzOs)中的任意一种或多种。另外，所述电子传输层的材料还可以包括8-羟基喹啉-锂(Liq)等。
在示例性实施例中，空穴阻挡层的厚度可以约为5nm至15nm，电子传输层的厚度可以约为20nm至50nm。
在示例性实施例中，电子注入层可以采用碱金属或者金属，例如氟化锂(LiF)、镱(Yb)、镁(Mg)或钙(Ca)等材料，或者这些碱金属或者金属的化合物等。在示例性实施例中，电子注入层的厚度可以约为0.5nm至2nm。
在示例性实施例中，阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。
在示例性实施例中，所述发光器件可以为红光器件，例如红光OLED器件。
本公开实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置可以包括如上所述的发光器件。
所述显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、车载显示器、智能手表、智能手环等任何具有显示功能的产品或部件。
下面以红光器件为例说明本公开的一些示例性实施例的发光器件在降低效率降滚方面优势。
所涉及材料的物理性能如表1所示。
表1
实施例1
将带有ITO(氧化铟锡,Indium Tin Oxide)的玻璃板在清洗剂中超声处理，再用去离子水冲洗，在丙酮-乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境中在100℃下烘干至完全除去水分；
将上述清洗并烘干后的ITO玻璃置于真空蒸镀设备中，依次蒸镀形成空穴注入层、空穴传输层、辅助发光层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极。
其中，空穴注入层的材料为TAPC:HAT-CN(4％质量比掺杂到TAPC中)，蒸镀厚度为10nm；空穴传输层的材料为TAPC，蒸镀厚度为100nm；辅助发 光层的材料为NPB，蒸镀厚度为80nm；发光层的材料为P1:N1(4:6):Ir(piq) 3(2％质量比掺杂到P1:N1中)，蒸镀厚度为40nm；空穴阻挡层的材料为BCP，蒸镀厚度为5nm；电子传输层的材料为TAZ:Liq(1:1)，蒸镀厚度为30nm；电子注入层的材料为Liq，蒸镀厚度为1nm。
其中，发光层P型主体材料为P1，N型主体材料为N1。
实施例2
发光层P型主体材料为P3，N型主体材料为N2，其他与实施例1相同。
实施例3
发光层P型主体材料为P5，N型主体材料为N3，其他与实施例1相同。
实施例4
发光层P型主体材料为P1，N型主体材料为N1，P型主体材料和N型主体材料的摩尔比为5:5，其他与实施例1相同。
实施例5
发光层P型主体材料为P1，N型主体材料为N1，P型主体材料和N型主体材料的摩尔比为6:4，其他与实施例1相同。
对比例1
发光层P型主体材料为P7，N型主体材料为N4，其他与实施例1相同。
图4为本公开示例性实施例和对比例的器件的发光层主体材料的光致发光光谱(RH-PL)与客体材料的MLCT3吸收光谱(RD-MLCT3)。从图4和表2可以看出，本公开示例实施例器件的发光层主体材料的光致发光光谱与客体材料的MLCT3吸收光谱的重叠积分面积不低于主体材料的光致发光光谱积分面积的20％。
采用IVL(电流-电压-亮度和寿命)设备测试上述实施例和对比例的器件的性能；其中，电压(V)、效率、色坐标(CIE x、CIE y)是在室温、15mA/cm 2 条件下测试的；效率滚降是比较的0.01mA/cm 2和15mA/cm 2效率下降百分比；器件寿命是在25℃、0.6mA条件下测试的。
测试结果如表2所示。
表2
注：器件的性能是以对比例1的数据作为参比，设定其电压、效率和寿命数据为100％；重叠积分面积占比表示发光层主体材料的光致发光光谱与客体材料的MLCT3吸收光谱的重叠积分面积在发光层主体材料的光致发光光谱积分面积中的占比。
可以看出，本公开示例性实施例的器件的寿命和效率滚降明显低于对比例的器件。
图5为本公开示例性实施例的发光器件与目前已有发光器件的效率随电流密度的变化曲线。可以看出，本公开示例性实施例的发光器件在大电流密度下的效率滚降明显更低。
下面以红光器件为例说明本公开的一些示例性实施例的发光器件在降低器件开启电压方面优势。
所涉及材料的物理性能如表3所示。
表3
实施例6
将带有ITO的玻璃板在清洗剂中超声处理，再用去离子水冲洗，在丙酮-乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境中在100℃下烘干至完全除去水分；
将上述清洗并烘干后的ITO玻璃置于真空蒸镀设备中，依次蒸镀形成空穴注入层、空穴传输层、辅助发光层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极。
其中，空穴注入层的材料为TAPC:HAT-CN(4％质量比掺杂到TAPC中)，蒸镀厚度为10nm；空穴传输层的材料为TAPC，蒸镀厚度为100nm；辅助发光层的材料为F1，蒸镀厚度为80nm；发光层的材料为P2:N1(4:6):Ir(piq) 3(2％质量比掺杂到P2:N1中)，蒸镀厚度为40nm；空穴阻挡层的材料为BCP，蒸镀厚度为5nm；电子传输层的材料为TAZ:Liq(1:1)，蒸镀厚度为30nm；电子注入层的材料为Liq，蒸镀厚度为1nm。
其中，辅助发光层材料RF为F1，P型主体材料为P2。
实施例7
辅助发光层材料RF为F2，P型主体材料为P4，其他与实施例6相同。
实施例8
辅助发光层材料RF为F3，P型主体材料为P6，其他与实施例6相同。
对比例2
辅助发光层材料RF为F4，P型主体材料为P7，其他与实施例6相同。
采用IVL(电流-电压-亮度和寿命)设备测试上述实施例和对比例的器件的性能；其中，电压(V)、开启电压、色坐标(CIE x、CIE y)是在室温、15mA/cm 2条件下测试的；器件寿命是在25℃、0.6mA条件下测试的。
测试结果如表4所示。
表4
注：器件的性能是以对比例2的数据作为参比，设定其电压、开启电压和寿命数据为100％。
可以看出，本公开示例性实施例的器件选择的辅助发光层材料和发光材料中的P型主体材料，可以一定程度上提高器件的开启电压，进而更好得与蓝光器件和绿光器件的开启电压进行匹配，改善串扰现象。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本申请的保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (22)

  1. 一种用于有机发光器件的发光材料，包括主体材料，所述主体材料包括第一化合物，所述第一化合物的结构通式为：
    其中，L 1至L 3各自独立地包括单键、亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚芴基、亚二甲基芴基、C1至C10的亚烷基中的任意一种；
    Ar 1至Ar 3各自独立地包括取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的9-氢芴基、取代或未取代的9,9-二甲基芴基、取代或未取代的9,9二苯基芴基、取代或未取代的螺芴基、取代或未取代的式II所示的基团、取代或未取代的式III所示的基团中的任意一种；这里，取代的苯基、取代的联苯基、取代的萘基、取代的蒽基、取代的菲基、取代的咔唑基、取代的二苯并呋喃基、取代的二苯并噻吩基、取代的9-氢芴基、取代的9,9-二甲基芴基、取代的9,9-二苯基芴基、取代的螺芴基、取代的式II所示的基团、取代的式III所示的基团是指被一个或多个如下基团所取代：苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9-氢芴基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺芴基、C1至C10的烷基、式II所示的基团、式III所示的基团；
    X 1包括O、S、NR 1和CR 2R 3中的任意一种；
    R 1至R 3各自独立的包括氢、C1至C10的烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、芴基、二甲基芴基、二苯基芴基、螺芴基中的任意一种。
  2. 根据权利要求1所述的用于有机发光器件的发光材料，其中，L 1至L 3各自独立地包括单键、亚苯基中的任意一种；
    Ar 1至Ar 3各自独立地包括苯基、苯取代的苯基、联苯取代的苯基、菲取代的苯基、咔唑取代的苯基、联苯基、菲基、咔唑基、二甲基芴基、式II所示的基团、式III所示的基团中的任意一种，并且在式II所示的基团、式III所示的基团中，X 1为O。
  3. 根据权利要求1所述的用于有机发光器件的发光材料，其中，所述第一化合物包括如下化合物中的任意一种：
  4. 根据权利要求1至3中任一项所述的用于有机发光器件的发光材料，还包括客体材料，并且所述主体材料和所述客体材料满足：
    0.1eV≤T1(H)-T1(D)≤0.5eV；
    2.1eV≤T1(H)≤2.7eV；
    2.0eV≤T1(D)≤2.2eV；
    其中，T1(H)为所述主体材料的最低三重态能量；T1(D)为所述客体材料的最低三重态能量。
  5. 根据权利要求4所述的用于有机发光器件的发光材料，其中，所述主体材料还包括第二化合物，所述第一化合物和所述第二化合物满足：
    2.2eV≤T1(P)≤2.8eV；
    2.2eV≤T1(N)≤2.8eV；
    其中，T1(P)为所述第一化合物的最低三重态能量；T1(N)为所述第二化合物的最低三重态能量。
  6. 根据权利要求5所述的用于有机发光器件的发光材料，其中，所述第一化合物、所述第二化合物和所述客体材料满足：
    0.1eV≤|HOMO(P)-HOMO(D)|≤0.4eV；
    0.1eV≤|LUMO(N)-LUMO(D)|≤0.5eV；
    其中，HOMO(P)为所述第一化合物的最高占据分子轨道能级；LUMO(N)为所述第二化合物的最低未占分子轨道能级；HOMO(D)为所述客体材料的最高占据分子轨道能级；LUMO(D)为所述客体材料的最低未占分子轨道能级。
  7. 根据权利要求4至6中任一项所述的用于有机发光器件的发光材料，其中，所述主体材料的光致发光光谱与所述客体材料的金属到配体的电荷转移吸收光谱的重叠积分面积不低于所述主体材料的光致发光光谱的光谱积分面积的20％。
  8. 根据权利要求5或6所述的用于有机发光器件的发光材料，其中，所述第二化合物的通式为：
    其中，L 4至L 6各自独立地包括单键、亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚芴基、亚二甲基芴基、C1至C10的亚烷基中的任意一种；
    Ar 4至Ar 6各自独立地包括取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻 吩基、取代或未取代的9-氢芴基、取代或未取代的9,9-二甲基芴基、取代或未取代的9,9二苯基芴基、取代或未取代的螺芴基、取代或未取代的式V所示的基团、取代或未取代的式VI所示的基团中的任意一种；这里，取代的苯基、取代的联苯基、取代的萘基、取代的蒽基、取代的菲基、取代的咔唑基、取代的二苯并呋喃基、取代的二苯并噻吩基、取代的9-氢芴基、取代的9,9-二甲基芴基、取代的9,9-二苯基芴基、取代的螺芴基、取代的式V所示的基团、取代的式VI所示的基团是指被一个或多个如下基团所取代：苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9-氢芴基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺芴基、C1至C10的烷基、式V所示的基团、式VI所示的基团；
    X 2和X 3中至少有一个为N，另一个为N和-CH中的任意一种；X 4为N；
    X 5和X 6各自独立地包括N、C或CH中的任意一种，并且当X 5和X 6均为C时，X 5和X 6成环，成环后形成式V-1或式V-2所示的基团；
    X 7至X 9各自独立的包括O、S、NR 4和CR 5R 6中的任意一种；
    R 4至R 6各自独立的包括氢、C1至C10的烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、芴基、二甲基芴基、二苯基芴基、螺芴基中的任意一种。
  9. 根据权利要求8所述的用于有机发光器件的发光材料，其中，L 4至 L 6各自独立地包括单键、亚萘基中的任意一种；
    Ar 4至Ar 6各自独立地包括苯基、萘基、咔唑基、咔唑取代的萘基、 中的任意一种。
  10. 根据权利要求8所述的用于有机发光器件的发光材料，其中，所述第二化合物包括如下化合物中的任意一种：
  11. 根据权利要求5、6、8或9所述的用于有机发光器件的发光材料， 其中，
    所述第一化合物为P1，所述第二化合物为N1；或者，
    所述第一化合物为P3，所述第二化合物为N2；或者，
    所述第一化合物为P5，所述第二化合物为N3。
  12. 根据权利要求5、6、8或9所述的用于有机发光器件的发光材料，其中，所述第一化合物和所述第二化合物满足：
    80℃≤Tg(P)≤140℃；
    80℃≤Tg(N)≤140℃；
    |Tg(P)-Tg(N)|≤20℃；
    其中，Tg(P)为所述第一化合物的玻璃化转变温度，Tg(N)为所述第二化合物的玻璃化转变温度。
  13. 根据权利要求5、6、8或9所述的用于有机发光器件的发光材料，其中，在所述主体材料中，所述第一化合物与所述第二化合物的摩尔比为3:7至7:3。
  14. 一种发光器件，包括发光层，所述发光层的材料包括根据权利要求1至13中任一项所述的用于有机发光器件的发光材料。
  15. 根据权利要求14所述的发光器件，还包括设置在所述发光层一侧的辅助发光层，所述辅助发光层的材料与所述第一化合物满足：
    1/100≤空穴迁移率(F)/空穴迁移率(P)≤1；
    其中，空穴迁移率(F)为所述辅助发光层的材料的空穴迁移率，空穴迁移率(P)为所述第一化合物的空穴迁移率。
  16. 根据权利要求15所述的发光器件，其中，所述辅助发光层的材料与所述第一化合物还满足：
    0.1eV≤|HOMO(F)-HOMO(P)|≤0.5eV；
    |HOMO(F)|＞|HOMO(P)|；
    其中，HOMO(F)为所述辅助发光层的材料的最高占据分子轨道能级。
  17. 根据权利要求15或16所述的发光器件，其中，所述辅助发光层的 材料与所述第一化合物还满足：
    0eV≤T1(F)-T1(P)≤0.4eV；
    其中，T1(F)为所述辅助发光层的材料的最低三重态能量。
  18. 根据权利要求15至17中任一项所述的发光器件，其中，所述辅助发光层的材料的通式为：
    L 7至L 9各自独立地包括单键、亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚芴基、亚二甲基芴基、C1至C10的亚烷基中的任意一种；
    Ar 7至Ar 9各自独立地包括取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的9-氢芴基、取代或未取代的9,9-二甲基芴基、取代或未取代的9,9二苯基芴基、取代或未取代的螺芴基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的式VIII所示的基团；这里，取代的苯基、取代的联苯基、取代的萘基、取代的二苯并呋喃基、取代的二苯并噻吩基、取代的9-氢芴基、取代的9,9-二甲基芴基、取代的9,9-二苯基芴基、取代的螺芴基、取代的金刚烷基、取代的式VIII所示的基团是指被一个或多个如下基团所取代：苯基、联苯基、萘基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9-氢芴基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺芴基、C1至C10的烷基、金刚烷基、式VIII所示的基团；
    R 7至R 9各自独立的包括氢、C1至C10的烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、芴基、二甲基芴基、二苯基芴基、螺芴基中的任意一种。
  19. 根据权利要求18所述的发光器件，其中，L 7至L 9各自独立地包括单键、亚苯基、亚联苯基、亚二甲基芴基中的任意一种；
    Ar 7至Ar 9各自独立地包括金刚烷取代的苯基、金刚烷取代的联苯基、金刚烷基、二苯并呋喃基、二甲基芴基、螺芴基、苯取代的二甲基芴基、式VIII所示的基团中的任意一种。
  20. 根据权利要求18或19所述的发光器件，其中，所述辅助发光层的材料包括如下化合物中的任意一种：
  21. 根据权利要求20所述的发光器件，其中，
    所述第一化合物为P2，所述辅助发光层的材料为F1；或者
    所述第一化合物为P4，所述辅助发光层的材料为F2；或者
    所述第一化合物为P6，所述辅助发光层的材料为F3。
  22. 一种显示装置，包括根据权利要求14至21中任一项所述的发光器件。
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