JP2016127178A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

【課題】高効率且つ長寿命の有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。【解決手段】陽極と発光層との間に、膜組成の異なる３層以上の積層構造を備え、積層構造は、電子受容性化合物を主体として形成された第１の層１２１と、第１の層と発光層１３０との間に配置され、且つ発光層に隣接し、一般式（１）で表される化合物を含む第２の層１２５とを含む有機エレクトロルミネッセンス素子。【選択図】図１

Description

本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。特に、高効率で長寿命の有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。

近年、画像表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（Organic Electroluminescence Display：有機EL表示装置）の開発が盛んになってきている。有機EL表示装置は、液晶表示装置等とは異なり、陽極及び陰極から注入された正孔及び電子を発光層において再結合させることにより、発光層における有機化合物を含む発光材料を発光させて表示を実現するいわゆる自発光型の表示装置である。

有機エレクトロルミネッセンス素子（有機EL素子）としては、例えば、陽極、陽極上に配置された正孔輸送層、正孔輸送層上に配置された発光層、発光層上に配置された電子輸送層及び電子輸送層上に配置された陰極から構成された有機エレクトロルミネッセンス素子が知られている。陽極からは正孔が注入され、注入された正孔は正孔輸送層を移動して発光層に注入される。一方、陰極からは電子が注入され、注入された電子は電子輸送層を移動して発光層に注入される。発光層に注入された正孔と電子とが再結合することにより、発光層内で励起子が生成される。有機エレクトロルミネッセンス素子は、その励起子の輻射失活によって発生する光を利用して発光する。尚、有機エレクトロルミネッセンス素子は、以上に述べた構成に限定されず、種々の変更が可能である。

有機エレクトロルミネッセンス素子を表示装置に応用するにあたり、有機エレクトロルミネッセンス素子の高効率化及び長寿命化が求められている。特に、青色発光領域及び緑色発光領域においては、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率と寿命は十分なものとは言い難い。有機エレクトロルミネッセンス素子の高効率化を実現するために、陽極と発光層との帯域と、発光層との定常化、安定化が重要である。このため、正孔輸送を補助する目的で電子アクセプタ性の材料を含む層(以下、アクセプタ層と呼ぶ)を配置することが提案されている。

正孔輸送層に用いられる正孔輸送材料としては、アントラセン誘導体や芳香族アミン系化合物等の様々な化合物が知られているが、有機エレクトロルミネッセンス素子の高効率化を実現するためには、新たな材料の開発が必要である。例えば、特許文献１には、アミン化合物を正孔輸送層に用いた有機電界発光素子が提案されている。また、特許文献２には、発光層と陽極との間に配置された有機物質層の少なくとも１つにLUMO準位が−９．０ｅＶ以上−４．０ｅＶ以下の電子アクセプタ性のドーパントを含む有機発光素子が提案されている。

また、有機エレクトロルミネッセンス素子の材料と構造との関係について検討した特許文献３には、カルバゾール部とフルオレン部とを有するアミン誘導体からなる正孔輸送層を発光層に接して積層し、陽極と該正孔輸送層との間に三層構造の正孔注入層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子が提案されており、該正孔注入層は陽極側から、（１）２つの窒素原子にそれぞれカルバゾール部が結合したジアミン誘導体を含む層、（２）２つの窒素原子にそれぞれカルバゾール部が結合したジアミン誘導体と窒素原子にカルバゾール部及びフルオレン部が結合したアミン誘導体とを含む層、（３）ＨＡＴを含む層により形成されることが記載されている。また、特許文献４には、陽極と発光層との間に、（１）カルバゾール部とフルオレン部とを有するアミン誘導体を含む層、（２）ＨＡＴをドープしたカルバゾール部とフルオレン部とを有するアミン誘導体を含む層、（３）カルバゾール部とフルオレン部とを有するアミン誘導体を含む層の繰り返し構造を有し、発光層にカルバゾール部とフルオレン部とを有するアミン誘導体を含む層が接するように配置された有機エレクトロルミネッセンス素子が提案されている。

国際公開第２０１４／１０４５１５号 国際公開第２００７／１０５９０６号 韓国公開特許第１０−２０１３−０００７１５９号公報 特開２０１１−１８７９５９号公報

有機エレクトロルミネッセンス素子の特定の層を形成する材料についての検討は数多くなされてきたが、素子の構成を含めた検討は僅かである。また、更なる高効率且つ長寿命の有機エレクトロルミネッセンス素子を実現するためには、特許文献３及び４の構成では十分とは言い難く、材料と層構成の組み合わせについて、更なる検討が必要であった。

本発明は、上述の問題を解決するものであって、高効率且つ長寿命の有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とする。

本発明の一実施形態によると、陽極と発光層との間に、膜組成の異なる３層以上の積層構造を備え、前記積層構造は、電子受容性化合物を主体とし手形成された正孔輸ｓ送性化合物を含む第１の層と、前記第１の層と前記発光層との間に配置され、且つ前記発光層に隣接し、以下の一般式（１）で表される化合物を含む第２の層と、を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。

一般式（１）中、Ar₁、Ar₂、Ar₃及びAr₄はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数４以上５０以下のヘテロアリール基であり、且つAr₁及びAr₂の少なくとも一方は以下の一般式（２）で表わされるジベンゾヘテロール基であり、L₁、L₂及びL₃はそれぞれ独立に単結合、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上１８以下のアリーレン基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数４以上１５以下のヘテロアリーレン基であり、一般式（２）中、Xは、OまたはSであり、R₁はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数４以上５０以下のヘテロアリール基であり、mは０以上４以下の整数である。

本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極からの正孔注入性を向上させるとともに、発光層で消費されなかった電子から正孔輸送性の積層構造を保護することができ、発光層で発生した励起状態のエネルギーが正孔輸送性の積層構造に拡散することを防止し、さらに素子全体の電荷バランスを整えることができるため、発光効率の向上及び長寿命化を達成することができる。

本発明の一実施形態によると、前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、前記第１の層と前記第２の層との間に、以下の一般式（３）で表わされる化合物を含む第３の層を含んでもよい。

一般式（３）中、Ar₅、Ar₆及びAr₇はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリール基であり、Ar₈は置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリール基、または置換若しくは無置換の炭素数１以上５０以下のアルキル基であり、L₄は単結合、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリーレン基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリーレン基である。

本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、正孔輸送性の積層構造にカルバゾリル基を有する化合物を含むことにより、正孔輸送性及び通電耐久性を向上することができ、発光効率の向上及び長寿命化を達成することができる。

本発明の一実施形態によると、前記電子受容性化合物は、ＬＵＭＯ準位が−９．０ｅＶ以上−４．０ｅＶ以下であってもよい。

本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光効率の向上及び長寿命化を達成することができる。

本発明の一実施形態によると、前記第１の層は、前記陽極に隣接して配置されてもよい。

本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光効率の向上及び長寿命化を達成することができる。

本発明の一実施形態によると、前記第１の層は、以下の一般式（３）で表わされる化合物を含んでもよい。

一般式（３）中、Ar₅、Ar₆及びAr₇はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリール基であり、Ar₈は置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリール基、または置換若しくは無置換の炭素数１以上５０以下のアルキル基であり、L₄は単結合、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリーレン基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリーレン基である。

本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光効率の向上及び長寿命化を達成することができる。

本発明の一実施形態によると、前記発光層は、主に１重項励起状態を経て発光する発光材料を含んでもよい。

本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光効率の向上及び長寿命化を達成することができる。

本発明の一実施形態によると、前記発光材料は、以下の一般式（４）で表わされる化合物を含んでもよい。

一般式（４）中、Ar₉はそれぞれ独立に水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上５０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数３以上５０以下のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１以上５０以下のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数７以上５０以下のアラルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリールチオ基、置換若しくは無置換の炭素数２以上５０以下のアルコキシカルボニル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリール基、置換若しくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、又はヒドロキシル基であり、nは１以上１０以下の整数である。

本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光効率の向上及び長寿命化を達成することができる。

本発明によると、高効率且つ長寿命の有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。

本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子１００を示す模式図である。 本発明の一実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス素子２００を示す模式図である。

上述の問題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明者らは、陽極側に電子受容性化合物を主に含む層を配置することにより、陽極からの正孔注入性を向上させることができることを見出し、発明を完成させた。本発明は、発光層と陽極との間の正孔輸送性の多重積層膜を一つの構造体と考えて、この積層構造中に電子受容性材料を主体として形成された正孔輸送層を陽極側に積層し、ジベンゾヘテロール基を有するアミン誘導体を含む中間層を発光層側に積層したものである。

以下、図面を参照して本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子について説明する。但し、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施の形態で参照する図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子１００を示す模式図である。有機エレクトロルミネッセンス素子１００は、例えば、基板１０１上に陽極１１０、発光層１３０、電子輸送層１４０、電子注入層１５０及び陰極１６０を備える。陽極１１０と発光層１３０との間には、正孔輸送帯域１２０が配置される。正孔輸送帯域１２０は、正孔輸送層や正孔注入層等を配置する帯域である。

本発明においては、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率の向上及び長寿命化を実現するために、陽極１１０と発光層１３０との間の正孔輸送帯域１２０に、膜組成の異なる３層以上の積層構造を備える。該積層構造は、少なくとも第１の層１２１及び第２の層１２５を備える。積層構造の陽極１１０側に配置される少なくとも一層（第１の層１２１）は、電子受容性化合物を主体として形成される。尚、ここで、「電子受容性化合物を主体とする」とは、該電子受容性化合物が第１の層１２１を構成する全ての材料の総質量に対して５０質量％以上含まれていることを意味する。また、第１の層１２１と発光層１３０との間に配置され、且つ発光層に隣接して配置される少なくとも一層（第２の層１２５）は、以下の一般式（１）で表される化合物を含む。

一般式（１）中、Ar₁、Ar₂、Ar₃及びAr₄は、それぞれ独立に置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数４以上５０以下のヘテロアリール基であり、且つAr₁及びAr₂の少なくとも一方は以下の一般式（２）で表わされるジベンゾヘテロール基である。、L₁、L₂及びL₃はそれぞれ独立に単結合、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上１８以下のアリーレン基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数４以上１５以下のヘテロアリーレン基である。

一般式（２）で表わされるジベンゾヘテロール基を以下に示す。

一般式（２）中、Xは、OまたはSであり、R₁はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数４以上５０以下のヘテロアリール基であり、mは０以上４以下の整数である。尚、＊はL₂及び／またはL₃との結合位置を示す。尚、＊はL2及び／またはL3との結合位置を示す。

Ar₁、Ar₂、Ar₃及びAr₄として具体的には、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、アセトナフテニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピリジル基、ピラニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ジベンゾフラニル基、及びジベンゾチエニル基などを挙げることができる。好ましくは、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基などを挙げることができる。

L₁、L₂及びL₃としては、単結合のほか、具体的には、フェニレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基、フルオリレン基、インダンジイル基、ピレンジイル基、アセナフテンジイル基、フルオランテンジイル基、トリフェニレンジイル基、ピリジンジイル基、ピランジイル基、キノリンジイル基、イソキノリンジイル基、ベンゾフランジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、インドールジイル基、カルバゾールジイル基、ベンゾオキサゾールジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、キノキサリンジイル基、ベンゾイミダゾールジイル基、ジベンゾフランジイル基を挙げることができる。好ましくは、フェニレン基、ターフェニレン基、フルオレンジイル基、カルバゾールジイル基、ジベンゾフランジイル基などを挙げることができる。

上述したように、一般式（１）中、Ar₁及びAr₂の少なくとも一方は、XがOまたはSである一般式（２）で表わされるジベンゾヘテロール基である。即ち、Ar₁及びAr₂の少なくとも一方は、ジベンゾフラニル基又はジベンゾチエニル基である。ここで、Ar₁及びAr₂の両方が一般式（２）で表わされるジベンゾヘテロール基であることが好ましい。一般式（１）中、Ar1及びAr2の少なくとも一方は、XがOまたはSである一般式（２）で表わされるジベンゾヘテロール基であることにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率及び寿命の向上が期待できる。

R₁として具体的には、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、アセトナフテニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピリジル基、ピラニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ジベンゾフラニル基、及びジベンゾチエニル基などを挙げることができる。好ましくは、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基などを挙げることができる。

mが２以上の整数である場合、R₁はそれぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。また、mが２以上の整数である場合、隣接するR₁同士は互いに結合して不飽和環を形成してもよい。

一般式（１）で表される化合物は、一例として、以下の構造式により示された化合物である。但し、一般式（１）で表される化合物は以下に限定されるわけではない。

積層構造の陽極１１０側に配置された少なくとも一層（第１の層１２１）は電子受容性化合物を主体として含む。第１の層１２１に主体として含まれる電子受容性化合物は、、ＬＵＭＯ準位が−９．０ｅＶ以上−４．０ｅＶ以下であってもよい。第１の層１２１中の電子受容性化合物は、第１の層１２１を構成する全ての材料の総質量に対して５０質量％以上である。第１の層１２１に主体として含まれる電子受容性化合物は、一例として、以下のａ１〜ａ１４の構造式により示された化合物である。但し、本発明に係る電子受容性化合物は以下に限定されるわけではない。

以上の電子受容性化合物ａ１〜ａ１４において、Rは水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のフッ化アルキル基、シアノ基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、炭素数１以上１０以下のアルキル基又は置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基である。ただし、同一分子内で全てが水素原子、重水素原子又はフッ素原子で置換されることはない。Arはそれぞれ独立的に、電子吸引性の置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基又は置換若しくは無置換の環形成炭素数３以上３０以下のヘテロアリール基である。Yはメチン基（-CH=）又は窒素原子（-N=）である。Zは擬ハロゲン又は硫黄原子（S）である。Xは以下に示すａＸ１〜ａＸ７の置換基の何れかである。

ここで、Raは水素原子、重水素原子ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のフッ化アルキル基、シアノ基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、炭素数１以上１０以下のアルキル基又は置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基又は置換若しくは無置換の環形成炭素数３以上３０以下のヘテロアリール基である。

R、Ar、Raが示す置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基又は置換若しくは無置換の環形成炭素数３以上３０以下のヘテロアリール基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、フルオランテニル基、フルオレニル基、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。

R、Raが示す炭素数１以上１０以下のフッ化アルキル基の例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ヘプタデカフルオロオクタン基等のパーフルオロアルキル基、またはモノフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリイフルオロエチル基、テトラフルオロプロピル基、オクタフルオロペンチル基などが挙げられる。

R、Raが示す炭素数１以上１０以下のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられる。

R、Raが示す炭素数１以上１０以下のアルコキシ基は−ＯＹで表される基であり、Ｙの例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。

R、Raが示すハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。

ここで、第１の層１２１には電子受容性化合物の他に含まれる正孔輸送性化合物としては、例えばDNTPDなどのアミン系正孔輸送性化合物を含んでもよい。しかしながら、第１の層１２１に含まれる正孔輸送性化合物は、アミン系化合物に限定されるわけではなく、既知の正孔輸送性化合物であってもよい。

また、有機エレクトロルミネッセンス素子１００の正孔輸送帯域１２０における３層以上の積層構造は、第１の層１２１と第２の層１２５との間に、以下の一般式（３）で表わされる化合物を含む層を少なくとも一層（第３の層１２３）備えてもよい。

一般式（３）中、Ar₅、Ar₆及びAr₇は、それぞれ独立に置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリール基であり、Ar₈は置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリール基、または置換若しくは無置換の炭素数１以上５０以下のアルキル基であり、L₄は単結合、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリーレン基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリーレン基である。

Ar₅、Ar₆及びAr₇として具体的には、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、アセトナフテニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピリジル基、ピラニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ジベンゾフラニル基、およびジベンゾチエニル基などを挙げることができる。好ましくは、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基などを挙げることができる。

Ar₈としては、アリール基及びヘテロアリール基はAr₅、Ar₆及びAr₇として具体的に挙げた官能基と同様であり、アルキル基は好ましくはメチル基又はエチル基である。

L₈は、単結合のほか、具体的には、フェニレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基、フルオリレン基、インダンジイル基、ピレンジイル基、アセナフテンジイル基、フルオランテンジイル基、トリフェニレンジイル基、ピリジンジイル基、ピランジイル基、キノリンジイル基、イソキノリンジイル基、ベンゾフランジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、インドールジイル基、カルバゾールジイル基、ベンゾオキサゾールジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、キノキサリンジイル基、ベンゾイミダゾールジイル基、ジベンゾフランジイル基を挙げることができる。好ましくは、フェニレン基、ターフェニレン基、フルオレンジイル基、カルバゾールジイル基、ジベンゾフランジイル基などを挙げることができる。

一般式（３）で表される化合物は、一例として、以下の構造式により示された化合物である。但し、一般式（３）で表される化合物は以下に限定されるわけではない。

尚、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子１００において、第３の層１２３だけでなく、電子受容性化合物の他に含まれる正孔輸送性化合物として、一般式（３）で表される化合物が第１の層１２１に含まれることが好ましい。

有機エレクトロルミネッセンス素子１００においては、正孔輸送帯域１２０に配置した膜組成の異なる３層以上の積層構造において、陽極１１０側に電子受容性化合物を主体として形成された第１の層１２１を少なくとも一層配置し、発光層１３０に隣接して、一般式（１）で表される化合物を含む第２の層１２５を少なくとも一層配置する。

第１の層１２１が電子受容性化合物を主体として形成されることにより、陽極１１０からの正孔注入性を向上させることができる。したがって、一実施形態において、電子受容性化合物を含む第１の層１２１が陽極１１０側、特に、陽極１１０に隣接して配置されることが好ましく、有機エレクトロルミネッセンス素子１００の陽極１１０からの正孔注入性を顕著に向上させることができる。

本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子１００は、一般式（１）で表わされるジベンゾヘテロール基を有するアミン誘導体を含む正孔輸送性の第２の層１２５を発光層１３０に隣接して配置することにより、発光層１３０で消費されなかった電子から正孔輸送性の積層構造を保護することができる。また、発光層１３０で発生した励起状態のエネルギーが正孔輸送性の積層構造に拡散することを防止し、有機エレクトロルミネッセンス素子１００全体の電荷バランスを整えることができる。

有機エレクトロルミネッセンス素子１００においては、一般式（３）で表される、カルバゾリル基を有する化合物を含む第３の層１２３が、第１の層１２１よりも発光層１３０側に配置されることが好ましい。正孔輸送性の積層構造にカルバゾリル基を有する化合物を含むことにより、電荷輸送性及び通電耐久性を向上することができる。また、第３の層１２３が一般式（３）で表される化合物を含むことにより、発光層１３０で消費されなかった電子から正孔輸送性の積層構造を保護するとともに、発光層１３０で発生した励起状態のエネルギーが正孔輸送性の積層構造に拡散するのを防止することができる。また、カルバゾリル基を有するアミン誘導体である一般式（３）で表される化合物は、電子受容性化合物が発光層１３０に拡散することを抑制する。

さらに、一般式（１）で表される化合物を含む第２の層１２５が発光層１３０に隣接して配置されることにより、第１の層１２１に含まれる電子受容性化合物が発光層１３０に拡散することを抑制するとともに、発光層１３０で消費されなかった電子から正孔輸送性の第１の層１２１及び第３の層１２３を保護し、発光層１３０で発生した励起状態のエネルギーが正孔輸送性の第１の層１２１及び第３の層１２３に拡散することを防止することができる。

有機エレクトロルミネッセンス素子１００において、発光層１３０では、主に１重項励起状態を経た発光が得られる。発光層１３０の材料としては、既知の発光材料を用いることができ、特に限定されるわけではないが、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、アリールアセチレン誘導体、フルオレン誘導体、ペリレン誘導体、クリセン誘導体等から選ばれる。好ましくは、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、アントラセン誘導体が挙げられる。例えば、発光層１３０の材料として、以下の一般式（４）で表わされるアントラセン誘導体を用いてもよい。

一般式（４）中、Ar₉はそれぞれ独立的に、水素原子、重水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１以上５０以下のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３以上５０以下のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１以上５０以下のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数７以上５０以下のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２以上５０以下のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、又はヒドロキシル基であり、nは１以上１０以下の整数である。

Ar₉として具体的には、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フェニルナフチル基、ナフチルフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、アセトナフテニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピリジル基、フラニル基、ピラニル基、チエニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、およびジベンゾチエニル基などを挙げることができる。好ましくは、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基などを挙げることができる。

一般式（４）で表される化合物は、一例として、以下の構造式により示された化合物である。但し、一般式（４）で表される化合物は以下に限定されるわけではない。

上述したように、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子１００は、第１の層１２１が電子受容性化合物を主体として形成された第１の層１２１を少なくとも一層配置することにより、陽極１１０からの正孔注入性を向上させることができるが、このような効果は、一般式（４）で表される化合物を含む発光層１３０と組み合わせた時に顕著であり、有機エレクトロルミネッセンス素子１００の低電圧駆動を実現することができる。上述したように、電子受容性化合物は、ＬＵＭＯ準位が−９．０ｅＶ以上−４．０ｅＶ以下であることが好ましい。

本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子について、図１に示した有機エレクトロルミネッセンス素子１００を参照してより詳細に説明する。本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子１００において、基板１０１は、例えば、透明ガラス基板や、シリコン等から成る半導体基板や、樹脂等のフレキシブルな基板であってもよい。陽極１１０は、基板１０１上に配置され、酸化インジウムスズ（ITO）やインジウム亜鉛酸化物（In₂O₃-ZnO）等を用いて形成することができる。

上述したように、陽極１１０と発光層１３０との間に、正孔輸送帯域１２０が配置される。一例として、陽極１１０上には、正孔輸送性化合物に上述した電子受容性化合物を主に用いて第１の層１２１として正孔注入層が形成される。

正孔注入層１２１よりも発光層１３０側には、一般式（３）で表される正孔輸送材料を含む材料を用いて第３の層１２３として正孔輸送層が形成される。また、正孔輸送層１２３は複数積層してもよく、その場合には、正孔注入層１２１側に配置される正孔輸送層には、上述した電子受容性化合物を含んでもよい。

正孔輸送層１２３よりも発光層１３０側には、一般式（１）で表される正孔輸送材料を含む材料を用いて第２の層１２５として中間層が形成される。中間層１２５は、発光層１３０に隣接して形成される。これにより、正孔注入層１２１及び／又は正孔輸送層１２３に含まれる電子受容性化合物が発光層１３０に拡散することを抑制するとともに、発光層１３０で消費されなかった電子から正孔輸送性の積層構造を保護し、発光層１３０で発生した励起状態のエネルギーが正孔輸送性の積層構造に拡散することを防止することができる。したがって、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率と寿命を改善することができる。

中間層１２５に隣接して発光層１３０が形成される。発光層１３０のホスト材料としては、例えば、一般式（４）で表わされるアントラセン誘導体を用いてもよい。また、発光層１３０は、2,5,8,11-Tetra-t-butylperylene（TBP）等の公知のＰ型ドーパントを含み、本発明においては特に限定されない。

発光層１３０上には、例えば、Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium（Alq3）を含む材料を用いて、電子輸送層１４０が形成される。電子輸送層１４０上には、例えば、フッ化リチウム、リチウム８−キノリナート等を含む材料を用いて、電子注入層１５０が形成される。また、電子注入層１５０上には、例えば、Al、Ag等の金属や酸化インジウムスズ（ITO）やインジウム亜鉛酸化物（In₂O₃-ZnO）等の透明材料を用いて、陰極１６０が形成される。以上の各層は、真空蒸着、スパッタ、各種塗布など材料に応じた適切な成膜方法を選択することにより、形成することができる。

本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子においては、上述した本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を、TFTを用いたアクティブマトリクスの有機EL発光装置にも適用することができる。

また、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子１００においては、上述した層構造と材料との組合せにより、発光層１３０で消費されなかった電子から正孔輸送性の積層構造を保護するとともに、発光層１３０で発生した励起状態のエネルギーが正孔輸送性の積層構造に拡散するのを防止し、有機エレクトロルミネッセンス素子１００全体の電荷バランスを整えることができる。また、中間層１２５を発光層１３０側に配置することにより、電子受容性化合物が発光層１３０に拡散することを抑制し、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率と寿命を改善することができる。

（製造方法）
上述した材料を用いて実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子を形成した。図２は、実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子２００を示す模式図である。本実施例においては、１５０ｎｍの膜厚のITOで陽極１１０を形成した。また、以下に示す化合物１を用いて、１０ｎｍの膜厚の層を形成し、正孔注入送層２２１としてＨＴＬ１を形成した。また、一般式（３）で表される化合物として化合物２−１を用いて、１０ｎｍの膜厚の層を形成し、正孔輸送層２２３としてＨＴＬ２を形成した。また、一般式（１）で表される化合物として化合物１−２または化合物１−１８を用いて、１０ｎｍの膜厚のでＨＴＬ３を形成して中間層２２５とした。

続いて、一般式（４）で表される化合物として、9,10-Di(2-naphthyl)anthracene（ADN）を含むホスト材料に2,5,8,11-Tetra-t-butylperylene（TBP）を３％ドープして２５ｎｍの膜厚の発光層１３０を形成した。Alq3で２５ｎｍの膜厚の電子輸送層１４０を形成し、LiFで１ｎｍの膜厚の電子注入層１５０を形成し、Alで１００ｎｍの膜厚の陰極１１６を形成した。

また、比較例として、ＨＴＬ１〜ＨＴＬ３に上記の化合物の他、以下に示すDNTPD及び化合物２を用いて、有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。

作製した有機エレクトロルミネッセンス素子のＨＴＬ１〜ＨＴＬ３に用いた化合物の組合せを表１にまとめる。

作製した実施例及び比較例の有機エレクトロルミネッセンス素子について、電圧、寿命及び発光効率を評価した。なお、電流密度は、10mA/cm²とした。評価結果を表２に示す。また、寿命及び発光効率は、比較例１の有機エレクトロルミネッセンス素子の寿命及び発光効率を１として相対比として示す。

表２から明らかなように、本発明の電子受容性化合物を用いた実施例１は、DNTPDをＨＴＬ１として用いた比較例１（特許文献１）と比較して、駆動電圧の低下とともに、素子寿命、効率の向上効果が認められた。また、中間層ＨＴＬ３に化合物１−１８を用いた場合（実施例２）でも、発光効率と素子寿命の向上効果が認められた。本発明の実施例１を、正孔輸送層ＨＴＬ２と中間層ＨＴＬ３とに含まれる化合物を入れ替えた場合（比較例２）と比較すると、駆動電圧の低下と発光効率及び寿命の向上が認められた。また、本発明の実施例１及び実施例３をＨＴＬ３に非ベンゾフェノン、ベンゾチオフェン系正孔輸送材料である化合物を用いた場合（比較例３）と比較すると、同じく駆動電圧の低下と発光効率、寿命の向上が認められた。

以上から、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、正孔輸送帯域に配置した膜組成の異なる３層以上の積層構造において、陽極側に電子受容性化合物を主体として形成された層を少なくとも一層配置し、電子受容性化合物を主に含む層よりも発光層側に一般式（１）で表される化合物を含む層を少なくとも一層配置することにより、高効率且つ長寿命の有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができることが分かる。

１００ 有機ＥＬ素子、１０１ 基板、１１０ 陽極、１２０ 正孔輸送帯域、１２１ 第１の層、１２３ 第３の層、１２５ 第２の層、１３０ 発光層、１４０ 電子輸送層、１５０ 電子注入層、１６０ 陰極、２００ 有機ＥＬ素子、２２０ 正孔輸送帯域、２２１ 第１の層、２２３ 第３の層、２２５ 第２の層

Claims (7)

1. 陽極と発光層との間に、膜組成の異なる３層以上の積層構造を備え、
   前記積層構造は、
   電子受容性化合物を主体として形成された第１の層と、
   前記第１の層と前記発光層との間に配置され、且つ前記発光層に隣接し、以下の一般式（１）で表される化合物を含む第２の層と、
   を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   
   ［一般式（１）中、Ar₁、Ar₂、Ar₃及びAr₄はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数４以上５０以下のヘテロアリール基であり、且つAr₁及びAr₂の少なくとも一方は以下の一般式（２）で表わされるジベンゾヘテロール基であり、L₁、L₂及びL₃はそれぞれ独立に単結合、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上１８以下のアリーレン基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数４以上１５以下のヘテロアリーレン基であり、一般式（２）中、Xは、OまたはSであり、R₁はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数４以上５０以下のヘテロアリール基であり、mは０以上４以下の整数である。
   

   

   ］
2. 前記第１の層と前記第２の層との間に、以下の一般式（３）で表わされる化合物を含む第３の層を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   
   ［一般式（３）中、Ar₅、Ar₆及びAr₇はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリール基であり、Ar₈は置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリール基、または置換若しくは無置換の炭素数１以上５０以下のアルキル基であり、L₄は単結合、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリーレン基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリーレン基である。］
3. 前記電子受容性化合物は、ＬＵＭＯ準位が−９．０ｅＶ以上−４．０ｅＶ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
4. 前記第１の層は、前記陽極に隣接して配置されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
5. 前記第１の層は、以下の一般式（３）で表わされる化合物を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   
   ［一般式（３）中、Ar₅、Ar₆及びAr₇はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリール基であり、Ar₈は置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリール基、または置換若しくは無置換の炭素数１以上５０以下のアルキル基であり、L₄は単結合、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリーレン基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリーレン基である。］
6. 前記発光層は、主に１重項励起状態を経て発光する発光材料を含むことを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
7. 前記発光材料は、以下の一般式（４）で表わされる化合物を含むことを特徴とする請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   
   ［一般式（４）中、Ar₉はそれぞれ独立に水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上５０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数３以上５０以下のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１以上５０以下のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数７以上５０以下のアラルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリールチオ基、置換若しくは無置換の炭素数２以上５０以下のアルコキシカルボニル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリール基、置換若しくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、又はヒドロキシル基であり、nは１以上１０以下の整数である。］
   

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