CN117320267A - 具有半通孔结构的线路板及其制作方法 - Google Patents

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袁都
李平
陈明军
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Abstract

本申请提出一种具有半通孔结构的线路板的制作方法,包括以下步骤:提供线路基板,线路基板具有厚度方向,沿厚度方向,线路基板中贯穿设有至少一通孔,线路基板上形成围设于通孔的孔壁;线路基板包括第一金属层、第二金属层、多个内部线路层和绝缘体,第一金属层和第二金属层分别设于绝缘体的相对两个表面,多个内部线路层间隔设于绝缘体内;于通孔中电镀形成一导通中间体,导通中间体包括第一导通部和第一桥接部,第一导通部形成于孔壁上,第一导通部连接第一金属层、第二金属层和内部线路层,第一桥接部连接相对两侧的第一导通部;蚀刻部分导通中间体,形成一导通体,获得具有半通孔结构的线路板。本申请还提供一种具有半通孔结构的线路板。

Description

具有半通孔结构的线路板及其制作方法
技术领域
本申请涉及线路板技术领域,尤其涉及一种具有半通孔结构的线路板及其制作方法。
背景技术
高密度互连(HDI)电路板中的导通孔中有一段不用于信号传输的、无用的孔铜部分,会增加信号传输的损耗,甚至破坏信号传输的完整性。目前,业界主要采用背钻的方法去除导通孔中的这一部分多余孔铜。
背钻技术是通过二次钻孔的方式除去导通孔中的多余铜,以减少对信号造成传输的反射、散射、延迟等使信号失真。现有的背钻技术通常还存在以下缺陷:(1)需要在原有导通孔的基础上进行再次钻孔,对位精度很难把控;(2)背钻深度较难控制,不能完全去除多余铜,存在残铜桩(Stub),在传输高速信号时还会不同程度产生噪音干扰,使信号衰减损失;(3)背钻后的孔的孔径略大于原来的导通孔的孔径(约0.2mm),导致占用面积增加,不利于线路板横向布线;(4)对于HDI板,由于孔径小(通常≤0.15mm)、孔铜厚,背钻过程产生的铜丝及胶屑容易堵孔,且依靠后续外层蚀刻无法解决堵孔问题,还会导致后续不能防焊塞孔、线路短路等品质问题,还会导致蚀刻退锡时难于去除干净,导致后工序表面处理沉镍金时出现漏镀缺陷。
发明内容
有鉴于此,本申请提供一种能够解决上述问题的具有半通孔结构的线路板的制作方法。
另,还有必要提供一种上述方法制作的具有半通孔结构的线路板。
本申请一实施例提供一种具有半通孔的线路板的制作方法,包括以下步骤:
提供一线路基板,所述线路基板具有厚度方向,沿所述厚度方向,所述线路基板中贯穿设有至少一通孔,所述线路基板上形成围设于所述通孔的孔壁;所述线路基板包括第一金属层、第二金属层、多个内部线路层和绝缘体,所述第一金属层和所述第二金属层分别设于所述绝缘体的相对两个表面,多个所述内部线路层间隔设于所述绝缘体内;
于所述通孔中电镀形成一导通中间体,所述导通中间体包括第一导通部和第一桥接部,所述第一导通部形成于所述孔壁上,所述第一导通部连接所述第一金属层、第二金属层和内部线路层,所述第一桥接部连接相对两侧的所述第一导通部;
蚀刻部分所述导通中间体,形成一导通体,获得具有半通孔结构的线路板。
在一些实施例中,步骤“于所述通孔中电镀形成一导通中间体”包括:
采用水平电镀于所述孔壁上预先形成一金属层,然后采用垂直连续电镀结合交流电反向蚀刻,于所述金属层上形成所述导通中间体。
在一些实施例中,所述垂直连续电镀的工艺参数为:线速度0.6~1.2m/min,交流电段的电流密度:15~25ASF,交流电段的电流时间:90~210min。
在一些实施例中,步骤“蚀刻部分所述导通中间体”包括:
由所述通孔邻近所述第一金属层的一端,蚀刻部分所述第一导通部以形成第二导通部;所述第二导通部连接所述第二金属层和内部线路层,所述第二导通部一端与邻近所述第一金属层的一内部线路层大致平齐,另一端与所述第二金属层的表面大致平齐。
在一些实施例中,步骤“蚀刻部分所述导通中间体”中,所述蚀刻的工艺参数为:线速度4.2~6.9m/min,上喷压力1.0~1.9kg/cm2,下喷压力0.6~1.4kg/cm2
在一些实施例中,所述线路基板的板厚与所述通孔的孔径之比为2:1~10:1。
在一些实施例中,所述第一桥接部的厚度为所述第一金属层的厚度的2.5倍以上,所述第二桥接部的厚度大于所述第一金属层的厚度。
在一些实施例中,步骤“蚀刻掉部分所述导通中间体”前,还包括:
于所述第一金属层上设置感光图样,于所述感光膜上形成一第一开口和多个第二开口,所述第一开口对应所述通孔设置,且所述第一开口与所述通孔相连通,所述导通中间体由所述第一开口的底部露出;部分所述第一金属层由所述第二开口的底部露出;
蚀刻所述第一金属层以形成一第一外部线路层。
本申请一实施例还提供一种具有半通孔结构的线路板,包括:
线路基板,所述线路基板中贯穿设有至少一通孔,所述线路基板上形成有围设于所述通孔的孔壁;所述线路基板包括第一外部线路层、第二外部线路层、多个内部线路层和绝缘体,所述第一外部线路层和第二外部线路层分别设于所述绝缘体的相对两个表面,多个所述内部线路层间隔设于所述绝缘体内;
导通体,设置于所述通孔中,所述导通体包括第二导通部和第二桥接部,所述第二导通部设置于所述孔壁上,所述第二导通部的一端与邻近所述第一外部线路层的一内部线路层大致平齐,另一端与所述第二外部线路层的表面大致平齐,所述第二桥接部连接于相对两侧的所述第二导通部。
在一些实施例中,所述线路基板的板厚与所述通孔的孔径之比为2:1~10:1。
本申请提供的制作方法通过首先在所述通孔中电镀形成导通中间体,然后蚀刻掉无用的部分所述导通中间体,形成所述导通体,从而获得所述具有半通孔结构的线路板,整个制作方法无背钻工序,所述通孔的孔径不会扩大,不影响后续布线,不存在堵孔、漏钻风险,无二次对位精度要求。
另外,通过在所述通孔中设置所述导通体形成半通孔结构,使得所述线路板在后续防焊塞孔的制程中,不存在冒油等导致线路板与元器件焊接不良或影响产品外观问题。
另外,在蚀刻部分所述导通中间体以形成所述导通体时,可同时蚀刻所述第一金属层以形成所述第一外部线路层,减少一个工序,可降低生产成本。
附图说明
图1是本申请一实施例提供的线路基板的截面示意图。
图2是于图1所示的通孔中形成导通中间体后的截面示意图。
图3是将图2所示的导通中间体蚀刻形成导通体后的截面示意图。
图4本申请一实施例提供的具有半通孔结构的线路板的截面示意图。
主要元件符号说明
线路板 100
线路基板 10
第一金属层 101
第二金属层 102
内部线路层 103
绝缘体 104
介电层 104a
通孔 11
孔壁 111
第一外部线路层 12
第二外部线路层 13
导通中间体 20
第一导通部 201
第一桥接部 202
导通体 21
第二导通部 211
第二桥接部 212
感光图样 30
第一开口 31
第二开口 32
感光膜 33
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本申请。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本申请。
为能进一步阐述本申请达成预定目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施方式,对本申请作出如下详细说明。
本申请一实施例提供一种具有半通孔结构的线路板的制作方法,包括如下步骤:
步骤S1,请参阅图1,提供一线路基板10,所述线路基板10具有厚度方向A,沿所述厚度方向A,所述线路基板10中贯穿设有至少一通孔11,所述线路基板10形成有围设于所述通孔11的孔壁111。
其中,所述线路基板10包括第一金属层101、第二金属层102、多个内部线路层103和一个绝缘体104。所述第一金属层101和所述第二金属层102分别设于所述绝缘体104的相对两个表面。多个所述内部线路层103设于所述绝缘体104内。
本实施例中,所述线路基板10为高密度互连板(High density interconnector,HDI)。所述绝缘体104包括四个间隔设置的介电层104a,所述内部线路层103的数量为三个,一个所述内部线路层103设于每相邻两个所述介电层104a之间。
所述介电层104a的材质可以选自环氧树脂(epoxy resin)、聚丙烯(polypropylene,PP)、BT树脂、聚苯醚(Polyphenylene Oxide,PPO)、聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate,PET)以及聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate,PEN)等树脂中的一种。
其中,所述通孔11可通过机械钻孔或激光钻孔的方式形成。所述线路基板10的板厚T1与所述通孔11的孔径D之比T1:D为2:1~10:1。在本实施例中,所述通孔11的孔径D为0.2~0.35mm。
步骤S2,请参阅图2,于所述通孔11中电镀,以形成一导通中间体20。
其中,所述导通中间体20沿所述厚度方向A的截面大致呈“H”形,所述导通中间体20包括设置于所述孔壁111上的第一导通部201,以及连接所述第一导通部201之间的第一桥接部202。所述第一导通部201连接所述第一金属层101、第二金属层102和多个内部线路层103。
具体地,首先采用水平电镀于所述孔壁111上电镀一金属层(未标示),然后采用垂直连续电镀于所述金属层上进行电镀以连接所述通孔11中相对两侧的所述金属层,然后结合交流电沿电镀方向进行反向蚀刻,形成所述导通中间体20。
其中,所述水平电镀参数为:线速度1.2~1.9m/min,电流密度为16~25ASF;垂直连续电镀(VCP)参数为:线速度0.6~1.2m/min,交流电段的电流密度:15~25ASF,交流电段的电流时间:90~210min。
在本实施例中,所述第一桥接部202的厚度T2为所述第一金属层101的厚度T3的2.5倍以上,即T2>2.5T3,以保证在后续蚀刻过程中,不会在所述第一桥接部202上形成穿孔。
步骤S3,请参阅图3,由所述通孔11邻近所述第一金属层101的一端,蚀刻部分所述导通中间体20,以形成一导通体21。
其中,在蚀刻掉部分所述导通中间体20前,步骤S3还包括:
步骤S31,于所述第一金属层101上设置感光图样30,于所述第二金属层102上设置感光膜33。所述感光图样30具有一第一开口31和多个第二开口32,所述第一开口31对应所述通孔11设置,且所述第一开口31与所述通孔11相连通,所述导通中间体20由所述第一开口31的底部露出;部分所述第一金属层101由所述第二开口32的底部露出。
步骤S32,蚀刻所述第一金属层101以形成一第一外部线路层12。
在本实施例中,所述第一导通部201经蚀刻后形成第二导通部211,所述第二导通部211连接所述第二金属层102和内部线路层103。所述第二导通部211一端与邻近所述第一外部线路层12的一内部线路层103大致平齐,另一端与所述第二金属层102的表面大致平齐。所述第一桥接部202经蚀刻后形成一第二桥接部212,所述第二桥接部212连接于相对两侧的所述第二导通部211,所述第二桥接部212的厚度T4大于所述第一金属层101的厚度T3,确保蚀刻后所述第二桥接部212的完整性,从而确保信号传输的稳定性。
在本实施例中,所述蚀刻制程为采用酸性蚀刻液双面喷淋,其工艺参数为:线速度4.2~6.9m/min,上喷压力1.0~1.9kg/cm2,下喷0.6~1.4kg/cm2
步骤S4,请参阅图4,去除所述感光图样30,即获得所述具有半通孔结构的线路板100。
步骤S4还包括:蚀刻所述第二金属层102以形成一第二外部线路层13,并去除所述感光膜33。
在本实施例中,可采用曝光显影于所述感光膜33上形成多个第三开口(图未示),部分所述第二金属层102由所述第三开口的底部露出,然后蚀刻所述第二金属层102以形成一第二外部线路层13。
可以理解的是,在蚀刻制程之后,还包括对所述具有半通孔结构的线路板100进行防焊塞孔处理,或于所述第一外部线路层12和第二外部线路层13上进行压合防焊、表面处理、成品测试等后处理工序。
本申请中提供的制作方法无背钻工序,所述通孔11的孔径不会扩大,不影响后续布线,不存在堵孔、漏钻风险,无二次对位精度要求。
另外,通过形成所述第二桥接部212,在后续防焊塞孔的制程中,不存在冒油等导致线路板与元器件焊接不良或影响产品外观问题。
另外,在蚀刻部分所述导通中间体20以形成所述导通体21时,可同时蚀刻所述第一金属层101以形成一第一外部线路层12,减少一个工序,可降低生产成本。
请参阅图4,本申请一实施例还提供一种具有半通孔结构的线路板100,所述线路板100包括一线路基板10和一导通体21。
所述线路基板10中贯穿设有至少一通孔11,所述线路基板10围绕所述通孔11形成有一孔壁111。所述线路基板10包括第一外部线路层12、第二外部线路层13、至少一内部线路层103和一绝缘体104,所述第一外部线路层12和第二外部线路层13分别设于所述绝缘体104的相对两个表面,所述内部线路层103设于所述绝缘体104内。
本实施例中,所述线路基板10为HDI板,所述绝缘体104包括四个间隔设置的介电层104a,所述内部线路层103的数量为三个,一所述内部线路层103设于每相邻两个所述介电层104a之间。
其中,所述通孔11可通过机械钻孔或激光钻孔的方式形成。所述线路基板10的板厚T1与所述通孔11的孔径D之比T1:D为2:1~10:1。在本实施例中,所述通孔11的孔径D为0.2~0.35mm。
所述导通体21设置于所述通孔11中,所述导通体21包括第二导通部211和第二桥接部212,所述第二导通部211设置于所述孔壁111上,所述第二导通部211的一端与邻近所述第一外部线路层12的一内部线路层103大致平齐,另一端与所述第二外部线路层13的表面大致平齐所述第二桥接部212连接于相对两侧的所述第二导通部211。
以上说明仅仅是对本申请一种优化的具体实施方式,但在实际的应用过程中不能仅仅局限于这种实施方式。

Claims (10)

1.一种具有半通孔结构的线路板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一线路基板,所述线路基板具有厚度方向,沿所述厚度方向,所述线路基板中贯穿设有至少一通孔,所述线路基板上形成围设于所述通孔的孔壁;所述线路基板包括第一金属层、第二金属层、多个内部线路层和一绝缘体,所述第一金属层和所述第二金属层分别设于所述绝缘体的相对两个表面,多个所述内部线路层间隔设于所述绝缘体内;
于所述通孔中电镀形成一导通中间体,所述导通中间体包括第一导通部和第一桥接部,所述第一导通部形成于所述孔壁上,所述第一导通部连接所述第一金属层、第二金属层和内部线路层,所述第一桥接部连接相对两侧的所述第一导通部;
蚀刻部分所述导通中间体,形成一导通体,获得具有半通孔结构的线路板。
2.如权利要求1所述的线路板的制作方法,其特征在于,步骤“于所述通孔中电镀形成一导通中间体”包括:
采用水平电镀于所述孔壁上预先形成一金属层,然后采用垂直连续电镀结合交流电反向蚀刻,于所述金属层上形成所述导通中间体。
3.如权利要求2所述的线路板的制作方法,其特征在于,所述垂直连续电镀的工艺参数为:线速度0.6~1.2m/min,交流电段的电流密度:15~25ASF,交流电段的电流时间:90~210min。
4.如权利要求1所述的线路板的制作方法,其特征在于,步骤“蚀刻部分所述导通中间体”包括:
由所述通孔邻近所述第一金属层的一端,蚀刻部分所述第一导通部以形成第二导通部;所述第二导通部连接所述第二金属层和内部线路层,所述第二导通部一端与邻近所述第一金属层的一内部线路层大致平齐,另一端与所述第二金属层的表面大致平齐。
5.如权利要求1所述的线路板的制作方法,其特征在于,步骤“蚀刻部分所述导通中间体”中,所述蚀刻的工艺参数为:线速度4.2~6.9m/min,上喷压力1.0~1.9kg/cm2,下喷压力0.6~1.4kg/cm2
6.如权利要求1所述的线路板的制作方法,其特征在于,所述线路基板的板厚与所述通孔的孔径之比为2:1~10:1。
7.如权利要求1所述的线路板的制作方法,其特征在于,所述第一桥接部的厚度为所述第一金属层的厚度的2.5倍以上,所述第二桥接部的厚度大于所述第一金属层的厚度。
8.如权利要求1所述的线路板的制作方法,其特征在于,步骤“蚀刻部分所述导通中间体”前,还包括:
于所述第一金属层上设置感光图样,于所述感光膜上形成一第一开口和多个第二开口,所述第一开口对应所述通孔设置,所述第一开口与所述通孔相连通,所述导通中间体由所述第一开口的底部露出;部分所述第一金属层由所述第二开口的底部露出;
蚀刻所述第一金属层以形成第一外部线路层。
9.一种具有半通孔结构的线路板,其特征在于,包括:
线路基板,所述线路基板中贯穿设有至少一通孔,所述线路基板上形成有围设于所述通孔的孔壁;所述线路基板包括第一外部线路层、第二外部线路层、多个内部线路层和绝缘体,所述第一外部线路层和第二外部线路层分别设于所述绝缘体的相对两个表面,多个所述内部线路层间隔设于所述绝缘体内;
导通体,设置于所述通孔中,所述导通体包括第二导通部和第二桥接部,所述第二导通部连接于所述孔壁,所述第二导通部的一端电性连接于邻近所述第一外部线路层的一内部线路层,另一端电性连接于所述第二外部线路层,所述第二桥接部连接于相对两侧的所述第二导通部。
10.如权利要求9所述的线路板,其特征在于,所述线路基板的板厚与所述通孔的孔径之比为2:1~10:1。
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