CN117316531A - 一种透明电磁屏蔽膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种透明电磁屏蔽膜的制备方法，该制造方法包括以下步骤：S1：准备基材：采用刚性基材或柔性基材；S2：沉积ITO层；S3：电镀导电层；S4：形成金属网栅：在导电层上涂覆光刻胶，覆盖整个导电层，等待光刻胶干燥，然后将干燥的光刻胶置于紫外线曝光设备中曝光，显影液中溶解未被曝光的部分，用清水冲洗掉剩余的光刻胶，露出被保护的导电层区域，将菲林蚀刻液涂在导电层的未保护区域，蚀刻掉这部分的导电层，形成金属网栅；S5：形成保护层，本发明通过在ITO表面上增加金属网栅层，形成复合结构的电磁屏蔽材料，该结构兼具了金属栅格、ITO的透过率性能，同时可降低开孔导致的电磁泄露的风险。
Description
技术领域
本发明涉及精细线路的技术领域，具体为一种透明电磁屏蔽膜的制备方法。
背景技术
电磁干扰成为了工业、商业、科学及军事等领域的所面临的一个严重问题。对于应用于仪器观察窗、液晶显示屏、屏蔽橱柜和移动交流设备等方面的电磁屏蔽材料，不仅要求对电磁波有着优异的屏蔽作用，还要求具有高的可见光透过率。
实现透明电磁屏蔽最主要的难点在于屏蔽效能与透光率是一对相互制约的关系，对于传统的屏蔽材料或结构要想实现高的屏蔽性能，往往需要牺牲可见光透过率作为代价，而且目前一些研究体系存在屏蔽带宽过窄的问题，不能满足实际应用的需求，当孔缝的最大直径大于电磁波波长的1/20时，透明电磁屏蔽膜上的电磁波就有机会从孔缝中泄露出去。
发明内容
本发明的目的在于提供一种透明电磁屏蔽膜的制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种透明电磁屏蔽膜的制备方法，该制造方法包括以下步骤：
S1：准备基材：采用刚性基材或柔性基材；
S2：沉积ITO层：将金属靶材铟锡合金在基材的一侧上沉积ITO层，厚度20-200nm，以确保整体的高透明度；
S3：电镀导电层：在处理过的ITO层上电镀导电层。
S4：形成金属网栅：在导电层上涂覆光刻胶，覆盖整个导电层，等待光刻胶干燥，然后将干燥的光刻胶置于紫外线曝光设备中曝光，显影液中溶解未被曝光的部分，用清水冲洗掉剩余的光刻胶，露出被保护的导电层区域，将菲林蚀刻液涂在导电层的未保护区域，蚀刻掉这部分的导电层，形成金属网栅。
S5：形成保护层：涂上OSP材料，在产品上形成保护层。
优选的，所述刚性基材包括但不限于玻璃和聚碳酸酯薄膜中的一种，柔性基材包括但不限于PET透明薄膜、铜箔和银墨中的一种。
优选的，所述沉积ITO层采用磁控溅射法，ITO靶材的方阻为3-100Ω。
优选的，所述基材进行等离子体或电晕处理，保证ITO层与基材之间的附着力牢固。
优选的，所述导电层是通过电镀铜形成，导电层的厚度为2-8μm。
优选的，金属网栅通过用黄光刻蚀工艺在铜膜上形成，图案包括但不限于六边形、菱形、方形和不规则图形中的一种。
优选的，所述金属网栅的线宽为5-24μm，金属网栅的间距为100-300μm。
优选的，所述OSP层是通过在铜表面原位生产形成的络合物，防止金属层被氧化。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明通过在ITO表面上增加金属网栅层，形成复合结构的电磁屏蔽材料，该结构兼具了金属栅格、ITO的透过率性能，同时可降低开孔导致的电磁泄露的风险。
附图说明
图1为本发明透明电磁屏蔽膜的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，本发明提供一种技术方案：一种透明电磁屏蔽膜的制备方法，该制造方法包括以下步骤：
S1：准备基材：采用刚性基材或柔性基材；
刚性基材包括但不限于玻璃和聚碳酸酯薄膜中的一种，柔性基材包括但不限于PET透明薄膜、铜箔和银墨中的一种，基材的柔韧度可以根据应用需求来选择。
S2：沉积ITO层：将金属靶材铟锡合金在基材的一侧上沉积ITO层，厚度20-200nm，以确保整体的高透明度；
金属靶材铟锡合金在制备时，需要将高纯度锡和铟按照一定比例混合，并进行高温熔炼、浇铸和加工的工序，最终得到具有一定规格和形状的金属靶材铟锡合金靶材。
沉积ITO层采用磁控溅射法，ITO靶材的方阻为3-100Ω，基材进行等离子体或电晕处理，保证ITO层与基材之间的附着力牢固，磁控溅射法是将金属靶材铟锡合金靶材和基材放入溅射室中，保持一定的距离，抽真空，使溅射室内的气压降到很低，利用高能粒子氩离子轰击靶材表面，使靶材表面的ITO材料脱离靶材，沉积在基底表面上，形成一层ITO薄膜，关闭溅射室，然后取出ITO薄膜。
S3：电镀导电层：在处理过的ITO层上电镀导电层。
导电层是通过电镀铜形成，将ITO导电膜放置在镀膜机的基底上，确保膜的表面干净无杂质，将镀液倒入镀膜机中，开启镀膜机，使电流通过镀液和ITO导电膜，使金属离子在ITO导电膜表面沉积形成导电层，在沉积完成后，将ITO导电膜从镀膜机中取出，导电层的厚度为2-8μm。
S4：形成金属网栅：在导电层上涂覆光刻胶，覆盖整个导电层，等待光刻胶干燥，然后将干燥的光刻胶置于紫外线曝光设备中曝光，显影液中溶解未被曝光的部分，用清水冲洗掉剩余的光刻胶，露出被保护的导电层区域，将菲林蚀刻液涂在导电层的未保护区域，蚀刻掉这部分的导电层，形成金属网栅。
由于蚀刻药水只对铜有蚀刻效果，ITO层裸露在空气中，金属网栅通过用黄光刻蚀工艺在铜膜上形成，图案包括但不限于六边形、菱形、方形和不规则图形中的一种，金属网栅的线宽为5-24μm，金属网栅的间距为100-300μm，可以根据屏蔽膜的应用需求调整厚度。
S5：形成保护层：涂上OSP材料，在产品上形成保护层。
OSP层是通过在铜表面原位生产形成的络合物，当这种络合物在铜表面沉积时，能在较短的时间内形成较厚的保护层，起到络合促进剂的作用，防止金属层被氧化。
总之，采用刚性基材或柔性基材，将金属靶材铟锡合金在基材的一侧上沉积ITO层，在处理过的ITO层上电镀导电层，在导电层上涂覆光刻胶，覆盖整个导电层，等待光刻胶干燥，然后将干燥的光刻胶置于紫外线曝光设备中曝光，显影液中溶解未被曝光的部分，用清水冲洗掉剩余的光刻胶，露出被保护的导电层区域，将菲林蚀刻液涂在导电层的未保护区域，蚀刻掉这部分的导电层，形成金属网栅，涂上OSP材料，在产品上形成保护层，如此通过在ITO表面上增加金属网栅层，形成复合结构的电磁屏蔽材料，该结构兼具了金属栅格、ITO的透过率性能，同时可降低开孔导致的电磁泄露的风险。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (8)
1.一种透明电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于：该制造方法包括以下步骤：
S1：准备基材：采用刚性基材或柔性基材；
S2：沉积ITO层：将金属靶材铟锡合金在基材的一侧上沉积ITO层，厚度20-200nm，以确保整体的高透明度；
S3：电镀导电层：在处理过的ITO层上电镀导电层。
S4：形成金属网栅：在导电层上涂覆光刻胶，覆盖整个导电层，等待光刻胶干燥，然后将干燥的光刻胶置于紫外线曝光设备中曝光，显影液中溶解未被曝光的部分，用清水冲洗掉剩余的光刻胶，露出被保护的导电层区域，将菲林蚀刻液涂在导电层的未保护区域，蚀刻掉这部分的导电层，形成金属网栅。
S5：形成保护层：涂上OSP材料，在产品上形成保护层。
2.根据权利要求1所述的一种透明电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于：所述刚性基材包括但不限于玻璃和聚碳酸酯薄膜中的一种，柔性基材包括但不限于PET透明薄膜、铜箔和银墨中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种透明电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于：所述沉积ITO层采用磁控溅射法，ITO靶材的方阻为3-100Ω。
4.根据权利要求1所述的一种透明电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于：所述基材进行等离子体或电晕处理，保证ITO层与基材之间的附着力牢固。
5.根据权利要求1所述的一种透明电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于：所述导电层是通过电镀铜形成，导电层的厚度为2-8μm。
6.根据权利要求1所述的一种透明电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于：所述金属网栅通过用黄光刻蚀工艺在铜膜上形成，图案包括但不限于六边形、菱形、方形和不规则图形中的一种。
7.根据权利要求1所述的一种透明电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于：所述金属网栅的线宽为5-24μm，金属网栅的间距为100-300μm。
8.根据权利要求1所述的一种透明电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于：所述OSP层是通过在铜表面原位生产形成的络合物，防止金属层被氧化。
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