CN1173009A - 磁头 - Google Patents

Abstract

在能够被大量地安装在一个旋转鼓上并解决高频带问题的一种磁头中,磁芯和后芯能够容易地彼此区别。这里公开了一种磁头,包括通过在非磁性衬底的一部分上形成用作磁芯的磁金属层而获得的一对磁头半部件,和埋入这对磁头半部件中的薄膜线圈,这对磁半部件通过在一个磁头半部件的磁金属层和另一个磁头半部件的磁金属层之间形成的磁隙彼此连接,其中,一个识别槽形成在一个磁头半部件中,并且形成的识别槽使这对磁头半部件的外形不对称。

Description

磁头

本发明涉及适用于盒式磁带录象机、磁带录象机、磁盘装置或类似装置的磁头，特别是涉及具有薄膜工艺形成的线圈的磁头。

对于用在诸如盒式磁带录象机、磁带录象机或磁盘装置的磁录/放装置中的磁头，在实际应用中使用的是一种金属化缝隙(MIG)型磁头，其中在由铁氧体组成的磁芯的磁隙形成表面形成磁性金属膜，或者使用一种被称为叠片型的磁头，其中磁性金属膜被一对非磁性陶瓷衬底夹住，以及使用类似的磁头。

磁头是用于提高图象质量或数字化的速度。因此，磁头必须在高频带具有较好的电磁转换特性以获得高密度记录性能。但是，由于其高阻抗，MIG型磁头不能在高频带中较好地使用。在叠片型磁头中，由于高密度记录，磁道宽度被缩小，这样组成磁路的磁性金属膜的厚度必须被减小，因此破坏了再现效果。

对于在螺线式扫描型磁录/放装置中，在当磁头被旋转时执行录/放操作的磁录/放装置中，磁头被安装在旋转鼓上。此时，在MIG型磁头或叠片型磁头中，磁头被固定在一接线板上，该接线板被固定到旋转鼓，从而把磁头安装在旋转鼓上。这里，接线板包括对应于从缠绕在磁头的磁芯上的线圈延伸的引线的端子。缠绕在磁芯上的线圈和外部电路通过接线板彼此导通。

在如上所述的磁头被安装在旋转鼓上的磁录/放装置中，为了提高数据传送速率，希望在一个小旋转鼓上安装大量的磁头。

但是，接线板通常具有一个较大尺寸。因此，根据该方法，磁头被附着并固定到接线板，并且如上所述磁头被安装在旋转鼓上，大量的磁头不能被容易地安装在一个小的旋转鼓上。更具体地说，当磁头被安装在旋转鼓上时，MIG型磁头或叠片型磁头要求一个接线板，因此安装在旋转鼓上的磁头在数量上被限制。

对于解决上述的MIG型磁头或叠片型磁头上的问题并解决高频带问题的磁头，例如，如日本未审查专利No.63231713中所述，其中的磁路由磁性金属层组成的磁头(以下称为块状(bulk)薄膜磁头)可做得小，并且驱动磁头的线圈通过薄膜工艺形成。

如图1所示，块状薄膜磁头100包括一个磁头半部件103a，在半部件103a中，用作磁芯的磁金属层102a形成在非磁性衬底101a的一部分上，类似地，在磁头半部件103b中，用作磁芯的磁金属层102b形成在非磁性衬底101b的一部分上。一对磁头半部件103a和103b彼此连接，从而一个磁头半部件103a的磁金属层102a通过磁隙gl与磁头半部件103b的磁金属层102b相对。

在块状薄膜磁头100中，薄膜线圈被埋入一对磁头半部件103a和103b中，被缠绕在磁金属层102a和102b上。从薄膜线圈延伸的外部连接端子104a和104b被形成并暴露在块状薄膜磁头100的侧面上。

在块状薄膜磁头中，除了优越的高频带特性，驱动磁头的线圈被埋入用作薄膜线圈的磁头半部件中。因此，磁头能够被直接安装在旋转鼓上而无须使用接线板。更具体地说，在块状薄膜磁头中，驱动磁头的线圈由埋在磁头中的薄膜线圈构成，并且从薄膜线圈延伸的端子被形成并暴露在磁头的外侧。因此，磁头能够被安装在旋转鼓上而无须接线板。因而，在块状薄膜磁头中，能够在一个小旋转鼓上安装大量的磁头。

在普通MIG型磁头或普通叠片型磁头中，当磁头被附着并固定到接线板时，用于缠绕驱动磁头的线圈的左、右缠绕导向槽彼此不同，以防止磁头被错误地附着于接线板的附着表面。

更为具体地说，例如，如图2所示，图2示出了MIG型磁头的一个例子，形成在一个磁芯110a中的缠绕导向槽111a的宽度增加，并形成在另一个磁芯110b中的缠绕导向中槽111b的宽度减小。以此方式，用作一个磁芯的前芯能够被从用作另一个磁芯的后芯区别出来，在录/放操作期间，磁记录介质在前芯的一侧前进。

与此相反，在一个块状薄膜磁头中，由于用作磁头驱动线圈的薄膜磁头被使用，无须缠绕导向槽。因此，在块状薄膜磁头中，前芯的形状和后芯的形状是对称的。因此，在块状薄膜磁头中，其缺陷在于难以识别前芯和后芯。

在MIG型磁头或叠片型磁头中，当接线板的颜色等被改变时，不同类型的磁头，即，分别具有不同方位角的磁头，能够被相互识别出来。

另一方面，无须使用接线板，大量的磁头可以被安装在一个小旋转鼓上。但是，当磁头不使用接线板直接安装在旋转鼓上时，依据接线板的颜色等无法识别磁头的类型。

本发明是在考虑了上述的一般情况而作出的，其目的在于，在能够被安装在旋转鼓上并解决高频带的大量磁头中，使在前芯和后芯之间的分辨变得容易，并易于识别磁头的类型。

达到上述目的本发明的磁头包括一对磁头半部件，磁头半部件是通过下述方式形成的：在非磁性衬底的至少一部分上形成用作磁芯的磁金属层；和埋入该对磁头半部件中的至少一个中的薄膜线圈，其中这对磁头半部件彼此连接，通过形成在一个磁头半部件的磁金属层和另一个磁头半部件的磁金属层之间的磁隙彼此相对，从而磁头半部件彼此相对。至少在一个磁头半部件的非磁性衬底和另一个磁头半部件的非磁性衬底中的一个非磁性衬底上形成至少一个凹槽。当上述凹槽形成时，一个磁头半部件的外观与另一个磁头半部件的外观是不对称的。注意到凹槽被形成在例如这对磁头半部件的相对表面上。

在本发明的磁头中，由于一个磁头半部件的外形和另一个磁头半部件的外形不对称，能够很容易地区分前芯和后芯。

通过在磁头半部件的非磁性衬底上形成凹槽，当一个磁头半部件的外形和另一磁头半部件的外形不对称时，凹槽的数量和形状或形成凹槽的位置依据磁头的类型而变化。以此方式，能够识别出磁头的类型。

此外，本发明的磁头是所谓的块状薄膜磁头，它包括一对磁头半部件，磁头半部件是通过下述方式形成的：在非磁性衬底的至少一部分上形成用作磁芯的磁金属层；和埋入该对磁头半部件中的至少一个中的薄膜线圈，这对磁头半部件通过形成在一个磁头半部件的磁金属层和另一磁头半部件的磁金属层之间的磁隙彼此连接。本发明的大量的磁头能够被安装在一个小旋转鼓上并显示出在高频带更好的电磁转换特性。

图1是示出普通块状薄膜磁头的一个例子的透视图；

图2是示出普通MIG型磁头的一个例子的透视图；

图3是示出本发明的磁头的一个例子的透视图；

图4是示出了靠近图3中的磁头的磁隙部分的放大平面图；

图5是示出了靠近图3中的磁头的磁隙部分的放大的透视图；

图6是示出了非磁性材料组成的典型的平面衬底的透视图；

图7是示出了衬底上具有磁性凹槽的典型状态的透视图；

图8是示出了磁金属层形成在衬底上的典型状态的透视图；

图9是示出了缠绕槽和分离槽形成在衬底中的典型状态的透视图，在衬底上形成有磁金属层。

图10是示出了低熔点玻璃被填充在磁芯槽、缠绕槽和分离槽中的典型状态的透视图。

图11是示出了接线槽形成在低熔点玻璃中的典型状态的透视图；

图12是示出了导电材料填充在接线槽中的典型状态的透视图；

图13是示出了在低熔点玻璃上形成抗蚀模的典型状态的剖面图；

图14是示出了低熔点玻璃被蚀刻以形成线圈状凹槽的典型状态的剖面图；

图15是示出了形成导电底膜的典型状态的剖面图；

图16是示出了在导电底膜上生成Cu镀层的典型状态的剖面图；

图17是示出了薄膜线圈被形成的典型状态的剖面图；

图18是示出了薄膜线圈被形成的典型状态的平面图；

图19是示出了其中埋有薄膜线圈的典型磁头块衬底的透视图；

图20是示出了在磁头块衬底中形成有识别槽的典型状态的透视图；

图21是示出了通过切割磁头块衬底获得的一对典型磁头块半部件的透视图；

图22是示出了通过把一对磁头块半部件彼此连接获得的典型磁头块的透视图。

下面将参照附图描述本发明的实施例。

本发明的磁头的一个例子如图3、4和5所示。图3是示出了本发明提供的整个磁头1的透视图；图4是示出了区域C部分的平面图，即，从磁隙g侧面观察的靠近磁头1的磁隙g的部分；图5是示出了图3中的区域C部分的透视图，即，局部放大的靠近磁头1的磁隙g的部分。

磁头1是用于盒式磁带录像机等的块状薄膜磁头，并且如图3到5所示，包括一个磁头半部件4a和磁头半部件4b，在磁头半部件4a中用作磁芯的磁金属层3a被形成在非磁性衬底2a的一部分上，在磁头半部件4b中类似于磁头半部件4a，在非磁性衬底2b上形成有磁金属层3b。

这对磁头半部件4a和4b彼此连接，从而一个磁头半部件4a的磁金属层3a通过磁隙g与另一个磁头半部件4b的磁金属层3b相对。通过这些磁金属层3a和3b形成一个磁芯。

这里，这对磁头半部件4a和4b的相对表面之间的部分被低熔点玻璃5填充。低熔点玻璃5使这对磁头半部件4a和4b的相对表面彼此平行，并这对磁头半部件4a和4b彼此连接。

在形成在磁金属层3a和磁金属层3b之间的磁隙中，形成在记录介质滑动表面侧上的磁金属层3a和3b的末端的相对表面上的磁隙，即，用作录/放间隙的磁隙，被称为前隙fg。另一方面，形成在磁金属层3a和3b的另一末端部分的相对表面上的磁隙被称为后隙bg。

在磁头1中，如图5所示，螺旋状的薄膜线圈6a和6b被埋入这对磁头半部件4a和4b的相对表面。通过电镀的方法，Cu薄膜被填充在形成在这对磁头半部件4a和4b的相对表面上的线圈状凹槽内，从而形成薄膜线圈6a和6b。注意，含有Ag等的导电糊被填充在线圈状凹槽中然后烧结，从而也可以形成薄膜线圈6a和6b。

当这对磁头半部件4a和4b彼此相对连接时，形成在一个磁头半部件4a中的薄膜线圈6a的一个末端部分(在中央侧)和形成在另一个磁头半部件4b中的薄膜线圈6b的一个末端部分(在中央侧)彼此连接。如图3所示，外部连接端子7a和7b被从形成在一个磁头半部件4a中的薄膜线圈6a的一个末端部分(在外缘)和形成在另一个磁头半部件4b中的薄膜线圈6b的一个末端部分(在外缘)引出。外部连接端子7a和7b被排列暴露在磁头1的侧面上。当磁头1被使用时，外部连接端子7a和7b被连接到一个外部电路，记录信号通过外部连接端子7a和7b提供到薄膜线圈6a和6b，或者，再现信号被从薄膜线圈6a和6b提取出来。

这里，在这对磁头半部件4a和4b中都形成薄膜线圈6a和6b的磁头1已经被例证。但是，可以仅在该对磁头半部件4a和4b中的一个中形成薄膜线圈。

在磁头1中，如图3所示，在一个磁头半部件4b的磁头半部件相对表面上形成识别槽8。当这对磁头半部件4a和4b彼此相对时，识别槽8为穿过磁头1的开口部分。由于识别槽8的形成，一个磁头半部件4a的外观和另一个磁头半部件4b的外观不对称。因此，在磁头1中，能够容易地区分前芯和后芯。

这里，识别槽8形成在一个磁头半部件4b的磁头半部件相对表面上的磁头1已经被例证。但是，识别槽8可这样形成使磁头半部件4a的外观和另一个磁头半部件4b的外观不对称，从而能够识别左、右磁头1。例如，识别槽8可以形成在磁头1的侧表面上等。

下面将参照制造磁头1的方法描述磁头1。

当制造磁头1时，由非磁性材料，如MnO-NiO混合烧结材料，构成的平面衬底21被制备，如图6所示。衬底21的材料，除了MnO-NiO，还可使用各种非磁性材料。例如，可以使用钛酸钾、钛酸钙、钛酸钒、氧化锆、矾土、碳化铝钛(alumina titanium carbide)、SiO₂、Zn铁氧体、晶体玻璃、高硬度玻璃等。这里，衬底21的尺寸为长度约30mm，宽度约30mm，厚度约2mm。

如图7所示，为了形成一个倾斜表面，在倾斜表面上形成用作磁芯的磁金属层，即，磁芯形成表，在衬底21上，多个磁芯槽22以相等的间隔彼此平行地形成，从而每个磁芯槽22的一个表面用作倾斜表面22a。

这里，虽然倾斜表面22a的倾斜度约为25°到60°，考虑到伪隙、磁道宽度精度等，理想设置的倾斜度约为35°到50°。更具体地说，例如，通过使用模制成具有45°表面的磨石，倾斜表面22a的倾斜度被设置成约45°，如此形成磁芯槽22。磁芯槽22具有例如约130μm的深度和约150μm的宽度。

如图8所示，磁金属层23形成在衬底21上，在衬底21中形成有磁芯槽22。

这里，磁金属层23可以由一个单个的金属层构成。但是，磁金属层23最好通过绝缘膜由层叠的多个磁金属膜构成，以获得在高频区的高灵敏度。在这样一个结构中，由于磁金属层23被分成多层，过电流损失被减小，并且，特别是在高频区的性能被提高。

当磁金属层23具有上述的多层结构时，要求绝缘膜的厚度能够获得足够的绝缘效果，并且该厚度必须尽可能小，以防止有效磁道宽度被绝缘膜过度地缩减。

特别是，例如，磁金属层23以下述方式形成：每个磁金属膜由Fe-Al-Si合金(铝硅铁粉)构成并具有约5μm的厚度，每个绝缘膜由矾土构成并具有约0.15μm的厚度，磁金属膜和绝缘膜交替层叠，形成三层的磁金属膜。

这里，磁金属膜的材料不限于Fe-Al-Si合金，可以使用具有高饱和磁通密度和软磁特性的材料。例如，使用Fe-Al合金、Fe-Ga-Si合金、Fe-Si-Co合金、或基于氮化物或基于碳化物的软磁合金。绝缘膜的材料不限于矾土。例如，可以使用SiO₂、SiO、或其混合物。

对于形成磁金属层23的方法，最好使用喷镀方法。但是，也可用物理成膜方法(PVD)，如淀积或分子束外延(MBE)。此外，也能够应用化学成膜方法，如化学反应气相淀积(CVD)。

如图9所示，在衬底21的主表面上形成磁金属层23，用来形成缠绕在磁芯上的薄膜线圈的缠绕槽24和用来分离磁金属层23和每个磁芯的分离槽25在垂直于磁芯槽22的纵向的方向上形成。图9示出了形成两个缠绕槽24和两个分离槽25的情况。但是，缠绕槽24的数量和分离槽25的数量必须被设置成薄膜线圈排的数量。当形成三个或更多的薄膜线圈排时，缠绕槽24和分离槽25形成与薄膜线圈排的数量相等的数量。

这里，在缠绕槽24中，前隙fg侧的倾斜表面由具有45°倾斜表面的磨石形成，使前隙fg侧面上的磁金属层23朝向前隙fg倾斜变尖。以此方式，当前隙fg侧的磁金属层23朝向前隙变尖时，磁通集中在前隙上，能够获得较高的记录灵敏度。但是，缠绕槽24可具有使前隙fg侧的磁金属层23朝向前隙fg变尖，并且磁隙g侧的缠绕槽24的倾斜表面的角度无须被设置为45°的形状。此外，前隙fg的缠绕槽24的形状可以是弧形或多边形。

缠绕槽24的厚度被设置成使磁金属层23不被分开。当深度过大时，磁路长度变大，磁通传输效果降低。因此，使缠绕槽24具有一个从磁芯槽22的倾斜表面的顶部例如约20μm的厚度。缠绕槽24的宽度由薄膜线圈的线宽度或匝数限定，这是因为薄膜线圈是在稍后的程序中经过缠绕槽24形成的。特别是，缠绕槽24的宽度被设置为例如约140m。

另一方面，如果分离槽25具有的宽度足以使磁金属层23彼此分离，分离槽25可以具有一个任意的形状。例如，分离槽25可为易于加工的矩形槽，并形成离磁芯槽22的底表面为约150μm深度。分离槽25的宽度根据理想磁头的前隙fg的长度和后隙bg的长度之间的关系而定。但是，因为当磁头被最终处理成预定的形状时滑过记录介质的表面被缠起，在形成分离槽25时的前隙fg的长度必须大于前隙fg的最终理想长度。因此，例如，在形成分离槽25时的前隙fg侧的磁金属层23具有一个在前隙fg侧约为300μm的长度和一个在后隙bg侧约为85μm的长度，如此形成分离槽25。

如图10所示，低熔点玻璃26被填充在磁芯槽22、缠绕槽24、和分离槽25中。这样，最终结构的表面被制成扁平状。

如图11所示，接线槽27形成在填充于分离槽25内的低熔点玻璃26中，从而使接线槽27平行于分离槽25。接线槽27用来形成从薄膜线圈引出的外部连接端子，槽的形状、深度和宽度不限。因此，接线槽27为易于加工的矩形槽并具有约100μm的深度和宽度。

如图12所示，导电材料28，如Cu，通过电镀或类似的方法被填充在接线槽27中。然后，最终结构的表面被制成扁平状。

接着，如图13到18所示，经过通过薄膜形成工艺缠绕槽24的薄膜线圈被埋入低熔点玻璃26。虽然13到18是一个薄膜线圈的放大视图，实际上，形成了多个薄膜线圈，以对应于被分离槽25分离的磁金属层23。

当形成薄膜线圈时，如图13所示，通过光刻技术，在低熔点玻璃26上形成相应于螺旋薄膜线圈的外形的抗蚀模31。

用抗蚀模31作为掩模对低熔点玻璃26进行离子蚀刻。然后，使用一种有机溶剂等除去抗蚀模31。以此方式，如图14所示，形成相对应于抗蚀模31的形状的线圈状的槽32。

如图15所示，通过在形成有线圈状凹槽32的低熔点玻璃26的整个平面上喷镀，形成由Cu等构成的导电底膜33。也可以通过诸如淀积的方法形成导电底膜33。为了提高导电底膜33和低熔点玻璃26之间的附着性能，可形成由Ti、矾土等构成的底膜，并且导电底膜33可以形成在该底膜上。

如图16所示，通过电镀方法，在导电底膜上生成一个Cu镀层34。然后，如图17所示，表面被磨平，镀在其他部位而不是线圈状凹槽32内部的导电底膜33和Cu镀层34被除去。以此方式，形成埋入线圈状凹槽32内的薄膜线圈。

薄膜线圈35的形成可以用下述方法替代电解喷镀方法。即，在线圈状凹槽32内填充导电糊，然后烧结。

当薄膜线圈35如上所述形成时，如图18所示，薄膜线圈35以用作磁金属层23的后隙bg的部分附近的部分为中心螺旋地形成，薄膜线圈35的外缘侧的末端部分被连接到填充在接线槽27内导电材料。以此方式，导电材料28用作从薄膜线圈35引出的外部连接端。

通过上述工艺，埋入线圈状凹槽32的薄膜线圈35形成。更具体地说，通过上述过程，如图19所示，制成了一个磁头块衬底40，在磁头块衬底40中，对应于被分离槽25分离的磁金属层23的多个薄膜线圈35被埋入填充在衬底21上的低熔点玻璃26中。

形成具有埋入其中的薄膜线圈35的磁头块衬底40后，一个Au薄膜形成在磁头块衬底40的表面上。这种情况下形成的薄膜可以是由除Au外的金属构成的薄膜，如Pt薄膜或Ag薄膜。

然后，在磁金属层23上用作前隙fg的部分、磁金属层23上用作后隙bg的部分、在中央侧的薄膜线圈35的末端部分以及薄膜线圈35的外侧形成抗蚀模。用抗蚀模作为掩模，通过诸如离子碾磨方法，蚀刻Au薄膜。

以此方式，在磁金属层23上用作前隙fg的部分、磁金属层23上用作后隙bg的部分、中央侧的薄膜线圈35的末端部分以及薄膜线圈35的外侧形成Au薄膜。

这些Au薄膜通过在后面的程序中的Au扩散连接工艺把通过切割磁头块衬底40获得的一对磁头块半部件彼此连接起来。形成在中央侧的薄膜线圈35的末端部分上的Au薄膜还用作连接导体，用来把埋入一个磁头块半部件中的薄膜线圈35的末端部分(在中央侧)电连接到埋入另一个磁头块半部件中的薄膜线圈35的末端部分(在中央侧)。此外，形成在用作磁金属层23上的前隙fg和后隙bg的部分上Au薄膜还用作间隙材料，用来在一个磁头块半部件的磁金属层23和另一个磁头块半部件的磁金属层23之间形成磁隙。

如图20所示，平行于填充在接线槽27中的导电材料28的识别槽41形成在填充于一个分离槽25内的部分低熔点玻璃26中，即，通过上述工艺形成的一个薄膜线圈排和一个薄膜线圈排之间的部分。形成的识别槽41用于识别制造的磁头的左、右部分。只要识别槽使磁头的左、右不对称，其形状、宽度等可以任意设置。

如图21所示，沿平行于接线槽27的线切开磁头块衬底40，形成一个对磁头块半部件42和43。此时，薄膜线圈排，即，沿纵向成直线排列的多个薄膜线圈35，被埋入一个磁头块半部件42。类似地，薄膜线圈排，即，沿纵向成直线排列的多个薄膜线圈35，被埋入另一个磁头块半部件43。

如图22所示，使磁头块半部件42和43彼此相对，并加压加热，通过使用Au薄膜进行扩散连接处理，使这对磁头块半部件42和43被彼此连接，从而形成磁头块44。注意，扩散连接处理的温度被设置到低熔点玻璃26不被熔化的温度。

这里，磁头块半部件42和43彼此连接，从而使埋在这对磁头块半部件42和43中的磁金属层23通过Au薄膜彼此相对。以此方式，在一个磁头块半部件42的磁金属层23和另一个磁头块半部件43的磁金属层23之间形成前隙fg和后隙bg。

而且，这对磁头块半部件42和43彼此连接，从而使形成在埋入一个磁头块半部件42中的薄膜线圈35的末端部分(在中央侧)上的Au薄膜与形成在埋入另一个磁头半部件43中的薄膜线圈35末端部分(在中央侧)上的Au薄膜接触。以此方式，埋入一个磁头块半部件42中的薄膜线圈35和埋入另一个磁头块半部件43中的薄膜线圈35彼此电连接。

这里，这对磁头块半部件42和43通过使用Au薄膜的扩散连接处理而彼此连接的例子已经被例证。对于连接处理，除了在中央侧的薄膜线圈35的末端部分，可以使用通过附着剂等的化学连接方法。

最后，执行对通过连接这对磁头块半部件42和43获得的磁头块44的切片处理，被切成每个磁芯，并且每个切开的部分被磨成预定的形状。以此方式，完成如图3所示的磁头块。

根据制造磁头的方法，磁头块衬底40被切成每个薄膜线圈排，以获得成对的磁头块半部件42和43，这对磁头块半部件42和43彼此连接，并且形成的结构被切成一个接一个的磁芯以获得相应的磁芯。但是，这些切割和连接处理的规则可以改变。更具体地说，例如，在形成磁头半部件之前磁头块衬底40可以被切成一个个的磁芯，磁头半部件彼此连接成相应的磁头。而且，例如，可以制备两个磁头块衬底40并彼此连接，形成的结构可以被切成一个个的磁芯，以获得相应的磁头。

在上述磁头中，由于识别槽使左、右磁头不对称，用作进入录/放操作的磁记录介质侧的磁芯的前芯能够被容易地从用作另一磁芯的后芯识别出来。因此，例如，当此磁头通过附着被安装在旋转鼓或接线板上时，防止了附着表面被错误地使用。

在一般的磁头中，磁隙的位置参照附着表面被设置到旋转鼓、接线板等。因此，如果附着表面被错误地使用，磁隙的位置从预定位置偏移。相反，在应用了本发明的磁头中，由于防止了附着表面被错误地使用，能够减小错误的附着表面造成的磁隙位置错误。

在上面的描述中，形成有一个识别槽的磁头被例证。识别槽的数量、形状或形成识别槽的位置等可以根据磁头的类型而改变。以此方式，磁头的类型能够被容易地识别。例如，当一个磁头被安装在旋转鼓等上时，可以防止错误类型的磁头被安装在旋转鼓等上。

更具体地说，例如，在一个正方位角的磁头中形成一个识别槽，在一个负方位角的磁头中形成两个识别槽。以此方式，能够容易地识别正方位角的磁头和负方位角的磁头。此外，当识别槽的数量、形状等或形成识别槽的位置不仅根据方位角的不同，还根据磁道宽度的不同、磁隙深度的不同、磁隙位置的不同等而改变时，磁头能够被容易地识别。

通常，磁头的类型由固定磁头的接线板的颜色确定。但是，在直接安装方式中，磁头被直接附着到旋转鼓，由于缺少接线板，无法由接线板确定磁头的类型。因此，识别槽的数量、形状等或形成识别槽的位置依据磁头的类型而改变，从而其类型易于识别的磁头在直接安装方式中尤其更为可取。

通过上面的描述可知，根据本发明，在能够被大量地安装在一个旋转鼓上并具有优良的高频带电磁转换特性的块状薄膜磁头中，前芯和后芯能够被容易地识别。因此，根据本发明，当磁头被安装到旋转鼓上等时，能够防止磁头被安装在相反的位置。

此外，形成在磁头半部件的非磁性衬底中的凹槽的数量或形状，或形成凹槽的位置，可以根据磁头的类型而改变，磁头的类型能够容易地识别。因此，根据本发明，当磁头被安装到旋转鼓芯上时，能够防止错误类型的磁头被安装在旋转鼓等上。

Claims (2)

1.一种磁头，包括通过在一非磁性衬底的至少一部分上形成用作磁芯的磁金属层而获得的一对磁头半部件，和埋入所说的一对磁头半部件中的至少一个磁头半部件中的薄膜线圈，所说的这对磁头半部件通过在一个磁头半部件的磁金属层和另一个磁头半部件的磁金属层之间形成的磁隙彼此相对连接，

其特征在于在一个磁头半部件的非磁性衬底和另一个磁头半部件的非磁性衬底中的至少一个非磁性衬底上形成至少一个凹槽，和

形成的凹槽使一个磁头半部件的外形和另一个磁头半部件的外形不对称。

2.根据权利要求1的磁头，其特征在于凹槽形成在所说的这对磁头半部件的相对表面内。

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