CN117283730A - 一种超声波划切工艺 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种超声波划切工艺，先启动划片机两侧对向的超声波电主轴，然后打开超声波电主轴上的超声波振动器所连接的高压气体，通过往超声波振动器中注入0.6 MPa的高压气体，控制主轴和刀片的振动频率在30‑35KHz,振幅在2um；然后将带有蓝膜和封装片的固晶环置于划片机真空工作盘上、并由真空工作盘吸附固定；然后将真空工作盘上的封装片移动到划片机内，由划片机内的CCD视觉检测相机检测封装片上的X轴和Y轴方向上的切割道位置。本发明的振动划切不仅能够减少刀片的两侧与切割槽的侧面紧贴，降低刀片附着污垢，而且便于给加工点供给冷却水，抑制加工点温度上升，从而延长刀片使用寿命，防止刀片升温钝化以及烧伤材料，导致材料产生崩裂及毛刺。

Description

一种超声波划切工艺
技术领域
本申请涉及超声波加工领域，具体为一种超声波划切工艺。
背景技术
在半导体封装测试中，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等材料由于本身存在着硬脆等问题，在封装划切时，由于刀片划切产品时，其切割槽的两侧紧贴于刀片的侧面，不仅会增加刀片的划切阻力，影响划切的速度，而且会导致刀片升温钝化损坏，烧伤材料以及导致材料产生崩裂及毛刺。针对于此，我们提供了一种超声波划切工艺。
发明内容
本申请的目的在于提供一种超声波划切工艺，以解决现有划片机划切速度慢、刀片升温钝化以及烧伤材料及材料产生崩裂及毛刺的问题。
为实现上述目的，本申请提供如下技术方案：
一种超声波划切工艺，包括如下步骤：
步骤一：启动划片机两侧对向的超声波电主轴，使超声波电主轴上的刀片沿轴向进行振动，振幅1-3um；
步骤二：将带有蓝膜和封装片的固晶环置于划片机真空工作盘、并由真空工作盘吸附固定；
步骤三：将工作盘上的封装片移动到划片机内，由划片机内的CCD相机检测封装片上的X轴和Y轴方向上的切割道位置；
步骤四：由划片机内的DD马达驱动真空工作盘进行旋转，使封装片上的X轴方向的切割道正对于超声波电主轴上的刀片划切方向；
步骤五：将两侧超声波电主轴移动到其中一条切割道的一侧；
步骤六：以预设的速度移动真空工作盘上的封装片往刀片一侧方向移动，以划切封装片上的切割道，在切割道上形成一个切割槽；
步骤七：重复步骤五和步骤六，以划切封装片X轴方向上的其余切割道；
步骤八：待封装片X轴方向上的切割道被划切完成后，通过DD马达旋转真空工作盘，使封装片Y轴方向上的切割道正对于刀片划切方向；
步骤九：重复步骤五和步骤六，以划切封装片Y轴方向上的切割道；
步骤十：待封装片划切完成后，将真空工作盘移动到上下料一侧，并停止真空吸附，将其划切后的封装片及其固晶环取出。
实现上述技术方案，由划片机通过超声波电主轴划切封装片上的切割道。
作为本申请的一种优选方案，所述步骤一中的超声波电主轴包括外壳以及设于所述外壳内的主轴，所述主轴的一侧延伸出所述外壳、并安装有固定所述刀片的法兰，所述主轴的另一侧设置有带动所述主轴以及刀片进行轴向振动的超声波振动器,所述超声波振动器外接高压气体。
实现上述技术方案，利用高压气体驱动超声波振动器进行前后振动，经过主轴传递到刀片上产生瞬间的轴向振动，使其与封装片之间在高加速度状态下反复进行伸缩式切削，在封装片表面产生微小的破碎层。
作为本申请的一种优选方案，所述超声波振动器的振动频率设置在20-50KHz。
实现上述技术方案，利用高频震动划切，以降低切削力、切削温度、改善排屑、延长刀具寿命以及充分发挥切削液的作用。
作为本申请的一种优选方案，所述步骤一中的刀片采用SD3500cc系列刀片。
实现上述技术方案，无需更换特制刀片，使用传统SD3500cc系列硬刀即可。
作为本申请的一种优选方案，所述步骤二中的封装片可以是石英、玻璃、陶瓷、碳化硅或氮化镓及硅晶圆。
实现上述技术方案，以便于满足多种材料的划切。
作为本申请的一种优选方案，所述步骤四中的切割道的中心正对于刀片的中心。
实现上述技术方案，以便于划切后两侧的芯片距离切割道的位置相等。
作为本申请的一种优选方案，所述步骤六中的切割槽的槽宽为刀片宽度加上振幅1-3um。
实现上述技术方案，一方面可减少刀片的侧面与切割槽的侧面贴合，降低刀片划切的阻力，提升封装片划切的速度，另一方面可便于刀片振动带出切割槽中的污垢，以及便于往切割槽喷洒冷却水。
作为本申请的一种优选方案，所述步骤六中的刀片在划切切割道时，同时向刀片的两侧面以及刀片与封装片的加工点喷洒冷却水。
实现上述技术方案，用于刀片和封装片降温，以防止封装片和刀片升温，导致刀片钝化以及封装片产生崩边和毛刺。
本申请的有益效果是：
本发明的超声波划切工艺采用超声波电主轴进行振动划切，不仅能够降低划切阻力，提升划切速度，而且能够降低切削温度，改善排屑以及充分发挥切削液的作用。
本发明的振动划切不仅能够减少刀片的两侧与切割槽的侧面紧贴，降低刀片附着污垢，而且便于给加工点供给冷却水，抑制加工点温度上升，从而延长刀片使用寿命，防止刀片升温钝化以及烧伤材料，导致材料产生崩裂及毛刺。
本发明的振动划切精度高、速度快、效率高，是传统划片机划切的三倍，且无需更换特制刀片，使用传统刀片即可划切，其操作性强，适应性广。
附图说明
图1为本申请涉及的划片机示意图。
图2为本申请涉及的CCD视觉检测相机示意图。
图3为本申请涉及的超声波电主轴示意图。
图4为本申请涉及的划切示意图。
图5为本申请涉及的封装片示意图一。
图6为本申请涉及的封装片示意图二。
图7为本申请涉及的超声波供气压力、频率、振幅特性曲线示意图。
图8为本申请涉及的实施例一示意图。
图9为本申请涉及的实施例二示意图。
图10为本申请涉及的实施例三示意图。
图11为本申请涉及的实施例四示意图。
图中：划片机1；DD马达2；工作台3；真空工作盘4；CCD视觉检测相机5；超声波电主轴6；
外壳601；主轴602；法兰603；超声波振动器604；
轴向振动板6041；止振板6042；气孔6043；
外壳气管605；
封装片7；切割道701；
刀片8。
实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
一种划片机，参照图1、图2、图3、图4、图5和图6，划片机1包括DD马达2、工作台3、真空工作盘4、CCD视觉检测相机5和超声波电主轴6，真空工作盘4安装于工作台3的顶部，通过外接的真空发生器将置于真空工作盘4上的封装片7吸附固定；工作台3安装于DD马达2上，由DD马达2驱动工作台3及工作台3上的真空工作盘4进行旋转，以调整封装片7上的产品位置；CCD视觉检测相机5安装于真空工作盘4的上方，用于检测封装片7上的切割道701；超声波电主轴6采用两个，分别对向设置在划片机1的两侧，通过安装的刀片8对封装片7上的切割道701进行划切。
参照图2、图5和图6，在本实施例中，CCD视觉检测相机5设置有两个，其中一个CCD视觉检测相机5安装有低倍镜头，用于检测封装片7上的切割道701，另一个CCD视觉检测相机5安装有高倍镜头，用于检测划切后的封装片7是否存在崩边和毛刺。
参照图1，在本实施例中，真空工作盘4采用微孔陶瓷吸盘。
参照图3、图4、图5和图6，在本实施例中，超声波电主轴6包括外壳601以及设于外壳601内的主轴602，而主轴602的一侧延伸出外壳601、并安装有固定刀片8的法兰603，而主轴602的另一侧安装有带动主轴602以及刀片8进行轴向振动的超声波振动器604,超声波振动器604通过外壳气管605连接于高压气体，而高压气体的压力由控制阀单独进行控制。在使用时，利用高压气体驱动超声波振动器604进行前后振动，经过主轴602传递到刀片8上产生瞬间的轴向振动，使其与封装片7之间在高加速度状态下反复进行伸缩式切削，在封装片7表面产生微小的破碎层。
参照图3和图4，在本实施例中，超声波振动器604包括连接于主轴602的轴向振动板6041以及设于轴向振动板6041两侧的止振板6042，止振板6042上开设有朝向轴向振动板6041的气孔6043，气孔6043通过气体通道与外壳气管605连接。在使用时，通过往止振板6042中注入高压气体，利用气孔6043吹向轴向振动板6041的两侧，从而实现轴向振动板6041的往复振动。
具体的，两侧止振板6042上所开设的气孔密度不同，从而在通气气压相同的情况下，两侧止振板6042对轴向振动板6041两侧产生的压力不同而产生压差，进而可推动轴向振动板6041带动主轴602朝向压力弱的一侧滑动。在滑动一定距离后，由于轴向振动板6041与两侧止振板6042位置的改变，使得原压力强一侧和弱一侧互换，从而推动轴向振动板6041沿相反方向滑动。如此往复循环，达到动态平衡状态，即实现了主轴602上所安装的刀片8对封装片7进行高频次的振动式往复切削，从而达到超声波加工的要求。
参照图3和图7，在本实施例中，通过往超声波振动器604中注入0.5MPa-0.7 MPa的高压气体，控制主轴602和刀片8的振动频率在20-50KHz,振幅在1-3um。
参照图3和图7，在本实施例中，为了便于控制刀片8的振幅，在注入0.5MPa的高压气体时，控制振动频率在20-30KHz，振幅在1um，而在注入0.6 MPa的高压气体时，控制振动频率在30-35KHz,振幅在2um，当注入0.7 MPa的高压气体时，控制振动频率在35-50KHz,振幅在3um。
在其它实施例中，振幅可通过轴向振动板6041与两侧止振板6042之间的间距来控制。例如：2um的振幅，可将间距设置在2um。
在本实施例中，利用高频震动划切，以降低切削力、切削温度、改善排屑、延长刀具寿命以及充分发挥切削液的作用。
在本实施例中，由于采用超声波振动切削，其划切速度是传统刀片划切效率的2倍以上。如下表1：
在本实施例中，刀片8可采用SD3500cc系列刀片，无需更换特制刀片8。在其它实施例中，刀片8可采用SD3000cc系列刀片。
参照图5和图6，在本实施例中，封装片7包括石英、玻璃、陶瓷、碳化硅或氮化镓及硅晶圆和QFN，以便于满足多种材料的划切。其中，封装片7在上机前通过蓝膜固定于固晶环上。
在本实施例中，为了便于划切后两侧的芯片距离切割道701的位置相等，在划切时，切割道701的中心正对于刀片8宽度的中心。
在本实施例中，采用超声波振动划切，一方面可减少刀片的侧面与切割槽的侧面贴合，降低刀片划切的阻力，提升封装片划切的速度，另一方面可便于刀片振动带出切割槽中的污垢，以及便于往切割槽喷洒冷却水。
在本实施例中，刀片8在划切切割道701时，同时向刀片8的两侧面以及刀片8与封装片7的加工点喷洒冷却水，而冷却水可用于刀片8和封装片7降温，以防止封装片7和刀片8升温，导致刀片8钝化以及封装片7产生崩边和毛刺。
一种超声波划切工艺，包括如下步骤：先启动划片机1两侧对向的超声波电主轴6，然后打开超声波电主轴6上的超声波振动器604所连接的高压气体，通过往超声波振动器604中注入0.6 MPa的高压气体，控制主轴602和刀片8的振动频率在30-35KHz,振幅在2um；然后将带有蓝膜和封装片7的固晶环置于划片机1真空工作盘4上、并由真空工作盘4吸附固定；然后将真空工作盘4上的封装片7移动到划片机1内，由划片机1内的CCD视觉检测相机5检测封装片7上的X轴和Y轴方向上的切割道701位置；并通过DD马达2驱动真空工作盘4进行旋转，使封装片7上的X轴方向的切割道701正对于超声波电主轴6上的刀片8划切方向；然后将两侧超声波电主轴6分别移动到其中一条切割道701的一侧；以预设的速度移动真空工作盘4上的封装片7往刀片8一侧方向移动，以划切封装片7上的切割道701，在切割道701上形成一个切割槽；待封装片7X轴方向上的切割道701被全部划切后，通过DD马达2旋转真空工作盘4，使封装片7Y轴方向上的切割道701正对于刀片8划切方向；以划切封装片7Y轴方向上的切割道701；待封装片7划切完成后，将真空工作盘4移动到划片机1下料一侧，并停止真空吸附，最后将其划切后的封装片7及其固晶环取出。
实施例一
参照图8，在划切硅晶圆（SI）时，采用ZH05-SD3500-N1-50刀片，刀片厚度0.3mm,划切深度0.08mm,主轴转速35000rpm,振幅控制在3um，冷却水1L/min,分别以90、110、130、150mm/s的速度移动真空工作盘上的硅晶圆（SI）往刀片一侧方向移动，以划切硅晶圆（SI）上的切割道。
划切后经检测如下：
刀痕检测：刀痕宽度正常，误差在10um内，刀痕无明显偏移现象，如图8a和图8b；
崩边检测：在90mm/s的速度，崩边小于10um，如图8c；在110mm/s的速度，崩边小于15um, 如图8d；在130mm/s的速度，崩边小于18um, 如图8e；在150mm/s的速度，崩边小于22um, 如图8f。
由此可见，在划切硅晶圆（SI）时，其划切速度越块，产品崩边越大，当速度在90mm/s时，其划切的产品尺寸最为稳定。
实施例二
参照图9，在划切碳化硅（SIC）时，采用ZH05-SD3500-N1-50刀片，刀片厚度0.3mm,划切深度0.05mm,主轴转速35000rpm,振幅控制在3um，冷却水1L/min,分别以20、30mm/s的速度移动真空工作盘上的碳化硅（SIC）往刀片一侧方向移动，以划切碳化硅（SIC）上的切割道。
划切后经检测如下：
刀痕检测：刀痕宽度正常，误差在10um内，刀痕无明显偏移现象，如图9a和图9b；
崩边检测：在20mm/s的速度，崩边小于10um，如图9c；在30mm/s的速度，崩边小于22um, 如图9d。
由此可见，在划切碳化硅（SIC）时，其划切速度越块，产品崩边越大，当速度在20mm/s时，其划切的产品尺寸最为稳定。
实施例三
参照图10，在划切QFN时，采用ZH05-SD3500-N1-50刀片，刀片厚度0.3mm,划切深度0.08mm,主轴转速25000rpm,振幅控制在2um，冷却水1L/min,分别以90、100、110、120mm/s的速度移动真空工作盘上的QFN往刀片一侧方向移动，以划切QFN上的切割道。
划切后经检测如下：
刀痕检测：刀痕宽度正常，误差在10um内，刀痕无明显偏移现象，如图10a和图10b；
崩边检测：在90mm/s的速度，崩边小于10um，如图10c；在100mm/s的速度，崩边小于15um, 如图10d；在110mm/s的速度，崩边小于22um, 如图10e；在120mm/s的速度，崩边小于28um, 如图10f。
由此可见，在划切QFN时，其划切速度越块，产品崩边越大，当速度在90mm/s时，其划切的产品尺寸最为稳定。
实施例四
参照图11，在划切氧化铝陶瓷和玻璃时，采用ZH05-SD3500-N1-50刀片，刀片厚度0.3mm,划切深度0.05mm,主轴转速35000rpm,振幅控制在3um，冷却水1L/min,分别以20、30mm/s的速度移动真空工作盘上的氧化铝陶瓷或玻璃往刀片一侧方向移动，以划切氧化铝陶瓷或玻璃上的切割道。
划切后经检测如下：
刀痕检测：刀痕宽度正常，误差在10um内，刀痕无明显偏移现象，如图11a和图11b；
崩边检测：在20mm/s的速度，崩边小于10um，如图11c；在30mm/s的速度，崩边小于20um, 如图11d。
由此可见，在划切氧化铝陶瓷或玻璃时，其划切速度越块，产品崩边越大，当速度在20mm/s时，其划切的产品尺寸最为稳定。
对于本领域技术人员而言，显然本申请不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本申请的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本申请。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本申请的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本申请内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

Claims (8)

1.一种超声波划切工艺，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一：启动划片机两侧对向的超声波电主轴，使超声波电主轴上的刀片沿轴向进行振动，振幅1-3um；
步骤二：将带有蓝膜和封装片的固晶环置于划片机真空工作盘、并由真空工作盘吸附固定；
步骤三：将工作盘上的封装片移动到划片机内，由划片机内的CCD相机检测封装片上的X轴和Y轴方向上的切割道位置；
步骤四：由划片机内的DD马达驱动真空工作盘进行旋转，使封装片上的X轴方向的切割道正对于超声波电主轴上的刀片划切方向；
步骤五：将两侧超声波电主轴移动到其中一条切割道的一侧；
步骤六：以预设的速度移动真空工作盘上的封装片往刀片一侧方向移动，以划切封装片上的切割道，在切割道上形成一个切割槽；
步骤七：重复步骤五和步骤六，以划切封装片X轴方向上的其余切割道；
步骤八：待封装片X轴方向上的切割道被划切完成后，通过DD马达旋转真空工作盘，使封装片Y轴方向上的切割道正对于刀片划切方向；
步骤九：重复步骤五和步骤六，以划切封装片Y轴方向上的切割道；
步骤十：待封装片划切完成后，将真空工作盘移动到上下料一侧，并停止真空吸附，将其划切后的封装片及其固晶环取出。
2.根据权利要求1所述的一种超声波划切工艺，其特征在于，所述步骤一中的超声波电主轴包括外壳以及设于所述外壳内的主轴，所述主轴的一侧延伸出所述外壳、并安装有固定所述刀片的法兰，所述主轴的另一侧设置有带动所述主轴以及刀片进行轴向振动的超声波振动器，所述超声波振动器外接高压气体。
3.根据权利要求2所述的一种超声波划切工艺，其特征在于，所述超声波振动器的振动频率设置在20-50KHz。
4.根据权利要求1所述的一种超声波划切工艺，其特征在于，所述步骤一中的刀片采用SD3500cc系列刀片。
5.根据权利要求1所述的一种超声波划切工艺，其特征在于，所述步骤二中的封装片包括石英、玻璃、陶瓷、碳化硅或氮化镓及硅晶圆。
6.根据权利要求1所述的一种超声波划切工艺，其特征在于，所述步骤四中的切割道的中心正对于刀片的中心。
7.根据权利要求1所述的一种超声波划切工艺，其特征在于，所述步骤六中的切割槽的槽宽为刀片宽度加上振幅1-3um。
8.根据权利要求1所述的一种超声波划切工艺，其特征在于，所述步骤六中的刀片在划切切割道时，同时向刀片的两侧面以及刀片与封装片的加工点喷洒冷却水。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1261568A (zh) * 1999-01-21 2000-08-02 株式会社厄泰克斯 超声波振动切割方法及其装置
JP2013236018A (ja) * 2012-05-10 2013-11-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置及びダイシング方法
CN105437067A (zh) * 2015-12-04 2016-03-30 北京中电科电子装备有限公司 一种超声波空气静压主轴装置及划片机
CN110040948A (zh) * 2019-04-26 2019-07-23 惠州市三协精密有限公司 一种超声波切割装置及其切割方法
CN113059595A (zh) * 2021-03-26 2021-07-02 中国航空无线电电子研究所 导热垫自动化裁切和粘贴设备及使用方法
CN113510869A (zh) * 2020-04-10 2021-10-19 株式会社迪思科 SiC基板的切削方法
US20220055242A1 (en) * 2020-08-21 2022-02-24 Disco Corporation Cutting method
CN115488067A (zh) * 2022-09-09 2022-12-20 苏州特斯特半导体设备有限公司 一种双轴高效率检测半导体划片机

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1261568A (zh) * 1999-01-21 2000-08-02 株式会社厄泰克斯 超声波振动切割方法及其装置
JP2013236018A (ja) * 2012-05-10 2013-11-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置及びダイシング方法
CN105437067A (zh) * 2015-12-04 2016-03-30 北京中电科电子装备有限公司 一种超声波空气静压主轴装置及划片机
CN110040948A (zh) * 2019-04-26 2019-07-23 惠州市三协精密有限公司 一种超声波切割装置及其切割方法
CN113510869A (zh) * 2020-04-10 2021-10-19 株式会社迪思科 SiC基板的切削方法
US20220055242A1 (en) * 2020-08-21 2022-02-24 Disco Corporation Cutting method
CN113059595A (zh) * 2021-03-26 2021-07-02 中国航空无线电电子研究所 导热垫自动化裁切和粘贴设备及使用方法
CN115488067A (zh) * 2022-09-09 2022-12-20 苏州特斯特半导体设备有限公司 一种双轴高效率检测半导体划片机

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