CN117280895A - 发光基板及其制备方法、发光装置 - Google Patents
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Abstract
一种发光基板，包括：衬底基板(200)、至少一个发光元件(10)、至少一个防静电走线(15)、以及接地走线(13)。衬底基板(200)包括显示区域(AA)和位于显示区域(AA)至少一侧的周边区域(BB)。至少一个发光元件(10)和至少一个防静电走线(15)位于显示区域(AA)，至少一个防静电走线(15)被配置为包围至少一个发光元件(10)。接地走线(13)位于周边区域(BB)，接地走线(13)与至少一个防静电走线(15)电连接。
Description
本文涉及但不限于显示技术领域，尤指一种发光基板及其制备方法、发光装置。
有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitting Diode)和量子点发光二极管(QLED，Quantum-dot Light Emitting Diode)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开实施例提供一种发光基板及其制备方法、发光装置。
一方面，本公开实施例提供一种发光基板，包括：衬底基板、至少一个发光元件、至少一个防静电走线、以及接地走线。衬底基板包括显示区域和位于显示区域至少一侧的周边区域。至少一个发光元件和至少一个防静电走线位于显示区域。至少一个防静电走线被配置为包围至少一个发光元件。接地走线位于周边区域，且接地走线与至少一个防静电走线电连接。
在一些示例性实施方式中，所述至少一个防静电走线形成网状结构，所述网状结构包括至少一个网格，所述至少一个网格围绕所述至少一个发光元件。
在一些示例性实施方式中，所述显示区域内的相邻防静电走线为一体结构，或者，通过第一连接电极电连接。
在一些示例性实施方式中，所述防静电走线包括：相互连接的第一延伸部和第一连接部，所述第一延伸部在所述衬底基板的正投影为环形；所述防 静电走线的第一连接部与另一防静电走线的第一连接部为一体结构，或者，所述防静电走线的第一连接部通过所述第一连接电极与另一防静电走线的第一连接部电连接。
在一些示例性实施方式中，所述第一连接电极位于所述防静电走线远离所述衬底基板的一侧。
在一些示例性实施方式中，所述接地走线通过第二连接电极与所述至少一个防静电走线电连接。
在一些示例性实施方式中，所述接地走线与所述防静电走线为同层结构，所述第二连接电极位于所述接地走线远离所述衬底基板的一侧。
在一些示例性实施方式中，所述显示区域还设置有像素定义层，所述像素定义层具有至少一个像素开口，所述发光元件的位于所述像素开口的部分用于发光；所述像素定义层在所述衬底基板的正投影覆盖所述防静电走线在所述衬底基板的正投影。
在一些示例性实施方式中，所述发光元件包括：第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和第二电极之间的有机发光层。所述第一电极位于所述有机发光层靠近所述衬底基板的一侧，所述像素定义层的像素开口暴露出所述第一电极的至少部分，所述有机发光层通过所述像素开口与所述第一电极接触，所述第二电极位于所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧，所述第二电极与所述有机发光层接触。
在一些示例性实施方式中，发光基板还包括：至少一条第一信号走线和至少一条第二信号走线，所述第一信号走线从所述周边区域延伸至所述显示区域，并与所述至少一个发光元件的第一电极电连接；所述第二信号走线位于所述周边区域，并与所述至少一个发光元件的第二电极电连接。
在一些示例性实施方式中，在所述显示区域，所述防静电走线位于所述第一信号走线和所述发光元件之间。
在一些示例性实施方式中，在所述周边区域，所述接地走线位于所述第二信号走线和所述第一信号走线之间。
在一些示例性实施方式中，发光基板还包括：位于所述至少一个发光元 件靠近所述衬底基板一侧的第一导电层，所述第一信号走线、所述第二信号走线、所述防静电走线和所述接地走线均位于所述第一导电层。
在一些示例性实施方式中，发光基板还包括：位于所述发光元件和所述第一导电层之间的第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述衬底基板的正投影与所述至少一个发光元件的用于发光的部分在所述衬底基板的正投影没有交叠。
在一些示例性实施方式中，所述发光元件的第一电极的材料包括透明导电材料，所述第二电极的材料包括金属材料。
在一些示例性实施方式中，所述周边区域包括：位于所述显示区域一侧的绑定区域，所述绑定区域包括：至少一个第一接地引脚、至少一个第一信号引脚以及至少一个第二信号引脚；所述第一接地引脚与所述接地走线电连接，所述第一信号引脚与所述第一信号走线电连接，所述第二信号引脚与所述第二信号走线电连接；所述第一接地引脚位于所述第一信号引脚和所述第二信号引脚之间。
在一些示例性实施方式中，所述发光元件的用于发光的部分在所述衬底基板的正投影为三角形。
另一方面，本公开实施例提供一种发光装置，包括如上所述的发光基板。
另一方面，本公开实施例提供一种发光基板的制备方法，用于制备如上所述的发光基板，所述制备方法包括：在衬底基板的显示区域形成至少一个防静电走线，在所述显示区域至少一侧的周边区域形成接地走线；在所述显示区域形成至少一个发光元件。其中，所述接地走线与所述至少一个防静电走线电连接，所述至少一个防静电走线被配置为包围至少一个发光元件。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其它方面。
附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中一个或多个部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为本公开至少一实施例的发光基板的示意图；
图2为本公开至少一实施例的发光基板的绑定区域的示意图；
图3为本公开至少一实施例的第一信号走线的排布示意图；
图4为本公开至少一实施例的防静电走线的排布示意图；
图5A为图1中区域S1的局部放大示意图；
图5B为图5A中形成第二导电层后的发光基板的示意图；
图5C为图5A中形成第一绝缘层后的发光基板的示意图；
图5D为图5A中形成第一导电层后的发光基板的示意图；
图6A为图5A中的区域S4的局部放大示意图；
图6B为图6A中形成第二导电层后的发光基板的示意图；
图6C为图6A中形成第一绝缘层后的发光基板的示意图；
图6D为图6A中形成第一导电层后的发光基板的示意图；
图7为图6A中沿P-P’方向的局部剖面示意图；
图8为图6A中沿Q-Q’方向的局部剖面示意图；
图9A为图1中区域S2的局部放大示意图；
图9B为图9A中形成第二导电层后的发光基板的示意图；
图9C为图9A中形成第一绝缘层后的发光基板的示意图；
图9D为图9A中形成第一导电层后的发光基板的示意图；
图10A为图1中区域S3的局部放大示意图；
图10B为图10A中形成第二导电层后的发光基板的示意图；
图10C为图10A中形成第一绝缘层后的发光基板的示意图；
图10D为图10A中形成第一导电层后的发光基板的示意图；
图11为本公开至少一实施例的发光装置的示意图。
下面将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为一种或多种形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了一个或多个构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中一个或多个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本公开中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。本公开中的“多个”表示两个及以上的数量。
在本公开中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。其中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的传输，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有一种或多种功能的元件等。
在本公开中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，可以包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，可以包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本公开中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本说明书中三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等并非严格意义上的，可以是近似三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等，可以存在公差导致的一些小变形，可以存在导角、弧边以及变形等。
本公开中的“约”、“大致”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的情况。
在显示器生产、制作、检测、使用过程中，通常存在某些外在因素造成显示器上静电电荷的累积。当累积到一定数量后将会产生静电释放(ESD，Electro-Static discharge)。ESD将产生极高的电流，容易击穿电路中的元器件，或是破坏信号导电线路，造成信号异常甚至中断。
随着OLED显示技术的发展，车载OLED产品已经慢慢开始进入消费者眼前，但是车规级产品在多个方面都比消费规产品要严苛。例如，针对车规级产品，在工作状态下需要满足接触静电±8kV，空气±8/10/12/15kV的静电荷放电保护，需要满足静电放电发生后全程不出现任何异常的A级要求，以及静电放电发生时可闪烁亮线但在规定秒数内自动恢复的B级要求。而对消费规产品只需要满足静电放电异常后重启能够恢复正常显示的C级要求即可。
本公开实施例提供一种发光基板及其制备方法、发光装置，可以增加抗静电能力，提高发光基板在高强度ESD条件下的抗击穿性能。
本公开实施例提供的发光基板包括：衬底基板、至少一个发光元件、至少一个防静电走线、以及接地走线。衬底基板包括显示区域和位于显示区域至少一侧的周边区域。至少一个发光元件和至少一个防静电走线位于显示区域。至少一个防静电走线被配置为包围至少一个发光元件。接地走线位于周 边区域，且接地走线与至少一个防静电走线电连接。
在一些示例中，发光基板的每个发光元件可以被防静电走线包围，或者，多个发光元件可以被一个防静电走线包围。在一些示例中，防静电走线在衬底基板的正投影可以包围至少一个发光元件的用于发光的部分在衬底基板的正投影。
本实施例提供的发光基板，通过设置防静电走线将发光元件包围，可以增强抗静电能力，从而提高发光基板在高强度ESD条件下的抗击穿性能。
在一些示例性实施方式中，至少一个防静电走线可以形成网状结构，网状结构可以包括至少一个网格，至少一个网格可以围绕至少一个发光元件。在一些示例中，一个防静电走线可以具有一个网格，多个防静电走线可以连接形成多个网格。每个网格可以包围一个发光元件。然而，本实施例对此并不限定。例如，每个网格可以包括两个或两个以上的发光元件。
在一些示例性实施方式中，显示区域内的相邻防静电走线可以为一体结构，或者，可以通过第一连接电极电连接。在一些示例中，防静电走线可以包括：相互连接的第一延伸部和第一连接部。第一延伸部在衬底基板的正投影可以为环形。防静电走线的第一连接部与另一防静电走线的第一连接部可以为一体结构，或者，防静电走线的第一连接部可以通过第一连接电极与另一防静电走线的第一连接部电连接。在一些示例中，防静电走线的第一延伸部可以形成至少一个网格，通过第一连接部实现网格之间的电连接。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，第一连接电极可以位于防静电走线远离衬底基板的一侧。在一些示例中，第一连接电极可以与发光元件的第一电极为同层结构。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，接地走线可以通过第二连接电极与至少一个防静电走线电连接。在一些示例中，接地走线与防静电走线可以为同层结构，第二连接电极可以位于接地走线远离衬底基板的一侧。例如，第二连接电极可以与发光元件的第一电极为同层结构。
在一些示例性实施方式中，显示区域还可以设置有像素定义层。像素定 义层可以具有至少一个像素开口，发光元件的位于像素开口的部分可以用于发光。像素定义层在衬底基板的正投影可以覆盖防静电走线在衬底基板的正投影。在本示例中，发光元件的用于发光的部分可以为像素定义层的像素开口对应的区域。
在一些示例性实施方式中，发光元件可以包括：第一电极、第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的有机发光层。第一电极可以位于有机发光层靠近衬底基板的一侧，像素定义层的像素开口可以暴露出第一电极的至少部分，有机发光层可以通过像素开口与第一电极接触，第二电极可以位于有机发光层远离衬底基板的一侧，第二电极与有机发光层可以接触。在一些示例中，发光元件可以为有机发光元件(OLED)。
在一些示例性实施方式中，发光基板还可以包括：至少一条第一信号走线和至少一条第二信号走线。第一信号走线从周边区域延伸至显示区域，并与至少一个发光元件的第一电极电连接。第二信号走线位于周边区域，并与至少一个发光元件的第二电极电连接。在一些示例中，发光基板仅需要实现照明显示，无需复杂的像素电路控制，可以通过信号走线给发光元件的第一电极和第二电极提供驱动电压，从而驱动发光元件发光。
在一些示例性实施方式中，在显示区域，防静电走线可以位于第一信号走线和发光元件之间。在一些示例中，防静电走线在显示区域可以围绕发光元件，第一信号走线可以位于防静电走线远离发光元件的一侧，从而可以增强发光元件的抗静电能力。
在一些示例性实施方式中，在周边区域，接地走线可以位于第二信号走线和第一信号走线之间。在本示例中，接地走线设置在第一信号走线和第二信号走线之间，可以适当释放第一信号走线和第二信号走线的散热，从而保障发光元件的寿命。
在一些示例性实施方式中，发光基板还可以包括：位于至少一个发光元件靠近衬底基板一侧的第一导电层。其中，第一信号走线、第二信号走线、防静电走线和接地走线可以均位于第一导电层。在本示例中，将第一信号走线、第二信号走线、防静电走线和接地走线同层设置，可以简化发光基板的制备过程。然而，本实施例对此并不限定。例如，防静电走线可以位于第一 导电层和发光元件之间。
在一些示例性实施方式中，发光基板还可以包括：位于发光元件和第一导电层之间的第一绝缘层。第一绝缘层在衬底基板的正投影与至少一个发光元件的用于发光的部分在衬底基板的正投影可以没有交叠。在一些示例中，发光基板可以为底发射结构，即可以从衬底基板一侧出光，通过将发光元件靠近衬底基板一侧的部分第一绝缘层去除，可以避免第一绝缘层对光线的遮挡影响，从而保证发光基板的出光效果。
在一些示例性实施方式中，周边区域可以包括：位于显示区域一侧的绑定区域。绑定区域可以包括：至少一个第一接地引脚、至少一个第一信号引脚以及至少一个第二信号引脚。第一接地引脚可以与接地走线电连接，第一信号引脚可以与第一信号走线电连接，第二信号引脚可以与第二信号走线电连接。第一接地引脚可以位于第一信号引脚和第二信号引脚之间。本示例可以保证接地性能，并增加静电防护。
下面通过一些示例对本实施例的结构进行举例说明。
图1为本公开至少一实施例的发光基板的示意图。在一些示例性实施方式中，如图1所示，发光基板可以包括：显示区域AA和位于显示区域AA外围的周边区域BB。周边区域BB可以包括位于显示区域AA一侧的绑定区域B1和位于显示区域AA其他侧的边框区域B2。例如，周边区域BB可以位于显示区域AA的四周，绑定区域B1可以位于显示区域AA的下侧，边框区域B2可以包括显示区域AA的左侧、上侧和右侧的区域。然而，本实施例对此并不限定。例如，周边区域BB可以位于显示区域AA的至少一侧，绑定区域B1可以位于显示区域AA的上侧、左侧或右侧。
在一些示例中，如图1所示，发光基板的显示区域AA可以为四边形，例如，可以为平行四边形。然而，本实施例对此并不限定。例如，发光基板的显示区域AA可以为圆形、椭圆形、矩形、五边形或六边形等其他形状。
在一些示例中，如图1所示，显示区域AA可以设置有多个发光元件10。多个发光元件10可以规则排布在显示区域AA内。例如，多个发光元件10在显示区域AA内可以沿第一方向D1排布为多列，沿第二方向D2排布为多行。其中，沿第一方向D1排布的多个发光元件10可以称为一行发光元件， 沿第二方向D2排布的多个发光元件10可以称为一列发光元件。图1所示的发光基板可以包括六行和六列发光元件10，每行包括三个发光元件10，每列包括三个发光元件10，一共可以包括十八个发光元件10。然而，本实施例对于发光基板包括的发光元件10的数目并不限定。在一些示例中，第一方向D1和第二方向D2可以交叉。例如，第一方向D1沿逆时针方向与第二方向D2之间的角度可以约为108度至132度，比如可以约为120度。然而，本实施例对此并不限定。例如，发光基板可以为矩形，则第一方向和第二方向可以相互垂直。
在一些示例中，如图1所示，发光元件10的形状可以三角形，例如等边三角形。例如，发光元件10的边长可以约为9毫米(mm)至11mm，比如可以约为10mm。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，发光元件10的形状可以是矩形、菱形、五边形或六边形等其他形状。
在一些示例中，如图1所示，发光元件10发光的颜色可以根据需要而定。例如，发光元件10可以发出红光、绿光、蓝光、或者白光等。在一些示例中，发光元件10可以为有机发光二极管(OLED)。发光元件10可以包括：第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的有机发光层。在第一电极和第二电极的电压驱动下，可以利用有机发光层的有机材料的发光特性根据需要的灰度发光。例如，第一电极可以为阳极，第二电极可以为阴极。然而，本实施例对此并不限定。在本公开实施例中，发光元件的用于发光的部分可以指发光元件的第一电极、有机发光层和第二电极的交叠部分。
在一些示例中，如图1所示，发光元件10可以为一个独立的发光元件。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，发光元件10可以包括规则排布的多个子发光元件。多个子发光元件的形状和尺寸可以大致相同。多个子发光元件的第一电极可以并联连接，从而实现同步发光。例如，子发光元件的形状可以为三角形，比如等边三角形，子发光元件的边长可以约为270微米(um)至330um，比如可以约为300微米。
图2为本公开至少一实施例的发光基板的绑定区域的示意图。在一些示例性实施方式中，如图1和图2所示，绑定区域B1可以设置有多个绑定引脚。其中，多个绑定引脚可以包括：至少一个(例如两个)第一接地引脚23、 多个(例如十八个)第一信号引脚21以及多个(例如四个)第二信号引脚22。例如，两个第二信号引脚22、一个第一接地引脚23、十八个第一信号引脚21、一个第一接地引脚23和两个第二信号引脚22可以沿着第一方向D1依次排布。第一接地引脚23可以位于第二信号引脚22和第一信号引脚21之间。本实施例对于绑定引脚的数目并不限定。
在一些示例中，如图2所示，第一接地引脚23可以与接地走线13电连接，例如，第一接地引脚23与接地走线13可以为一体结构。接地走线13在绑定区域B1与第一接地引脚23电连接之后，可以从绑定区域B1延伸至的边框区域B2。接地走线13在边框区域B2内可以围绕显示区域AA排布。
在一些示例中，如图2所示，第二信号引脚22可以与第二信号走线12电连接。例如，多个第二信号引脚22与第二信号走线12可以为一体结构。第二信号走线12可以从绑定区域B1延伸至边框区域B2。第二信号走线12在边框区域B2内可以围绕显示区域AA排布，在边框区域B2内，第二信号走线12可以位于接地走线13远离显示区域AA的一侧。
在一些示例中，如图2所示，第一信号引脚21可以与第一信号走线11电连接。多个第一信号引脚21和多条第一信号走线11可以一一对应电连接。例如，一个第一信号引脚21与一条第一信号走线11可以为一体结构。至少一条第一信号走线11可以从绑定区域B1延伸至边框区域B2，至少一条第一信号走线11可以从绑定区域B1延伸至显示区域AA，并排布在相邻发光元件10之间的间隙内。在一些示例中，多条第一信号走线11可以与多个发光元件10一一对应电连接。一条第一信号走线11可以配置为给一个发光元件10提供驱动信号。然而，本实施例对此并不限定。例如，一条第一信号走线11可以与多个发光元件110电连接，被配置为给所述多个发光元件10提供驱动信号。
在本示例中，如图2所示，在边框区域B2，接地走线13位于第一信号走线11和第二信号走线12之间，在绑定区域B1，第一接地引脚23位于第一信号引脚21和第二信号引脚22之间。如此一来，可以保证接地性能良好，而且可以增加ESD防护，还可以适当释放第一信号走线11和第二信号走线12的散热，保障发光基板的寿命。
图3为本公开至少一实施例的第一信号走线的排布示意图。在一些示例中，如图1和图3所示，多条第一信号走线11在显示区域AA内可以排布在第二列和第三列发光元件10之间，以及第四列和第五列发光元件10之间，第一信号走线11还可以排布在显示区域AA左侧和右侧的边框区域B2内。一条第一信号走线11可以包括第二延伸部111和第二连接部112。第二延伸部111可以沿第二方向D2延伸。第一信号走线11的第二连接部112可以沿第一方向D1，或者可以沿第三方向D3延伸。第三方向D3与第一方向D1和第二方向D2均交叉。例如，第一方向D1沿顺时针方向与第三方向D3之间的角度可以约为108度至132度，比如可以约为120度。一条第一信号走线11的第二延伸部111和第二连接部112可以为一体结构。第一信号走线11的第二连接部112可以与对应的发光元件10电连接。
图4为本公开至少一实施例的防静电走线的排布示意图。在一些示例中，如图1和图4所示，显示区域AA可以设置有多个防静电走线15。防静电走线15可以位于第一信号走线11靠近发光元件10的一侧。例如，沿第二方向D2排布的相邻防静电走线15可以为一体结构。在第一方向D1上，位于第一信号走线11两侧的防静电走线15可以通过第一连接电极电连接，以跨过第一信号走线11。多个防静电走线15在显示区域AA内可以连接形成网状结构，网状结构可以包括多个网格，每个网格可以围绕一个发光元件10。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，网状结构的一个网格可以围绕多个发光元件。
图5A为图1中区域S1的局部放大示意图。图5B为图5A中形成第二导电层后的发光基板的示意图。图5C为图5A中形成第一绝缘层后的发光基板的示意图。图5D为图5A中形成第一导电层后的发光基板的示意图。图6A为图5A中的区域S4的局部放大示意图。图6B为图6A中形成第二导电层后的发光基板的示意图。图6C为图6A中形成第一绝缘层后的发光基板的示意图。图6D为图6A中形成第一导电层后的发光基板的示意图。图7为图6A中沿P-P’方向的局部剖面示意图。图8为图6A中沿Q-Q’方向的局部剖面示意图。
在一些示例性实施方式中，如图7和图8所示，在垂直于发光基板的方 向上，显示区域AA的发光基板可以包括：衬底基板200、以及设置在衬底基板200上的第一导电层21、第一绝缘层201和发光结构层。发光结构层可以包括：依次设置在衬底基板200上的第二导电层22、像素定义层104、有机发光层103以及第三导电层23。其中，第一绝缘层201可以为无机绝缘层。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，如图5D和图6D所示，显示区域AA的第一导电层21可以包括：多条第一信号走线11和多个防静电走线15。第一信号走线11可以包括第二连接部112和沿第二方向D2延伸的第二延伸部111。一部分第一信号走线11的第二连接部112可以沿第一方向D1延伸，一部分第一信号走线11的第二连接部112可以沿第三方向D3延伸。第一信号走线11的第二延伸部111和第二连接部112可以为一体结构。第一信号走线11的第二延伸部111可以位于相邻列发光元件之间，第二连接部112可以位于相邻行发光元件之间。如图6D所示，相邻列发光元件之间可以排布六条第一信号走线11。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，如图5D和图6D所示，一个防静电走线15可以包括：第一延伸部151和至少一个第一连接部152。第一延伸部151可以为环形，例如可以为三角环形。防静电走线15的第一连接部152与第一延伸部151电连接，例如可以为一体结构。第一连接部152可以在第一延伸部151的转角处与第一延伸部151电连接。位于相邻第一信号走线11之间的多个防静电走线15可以沿第二方向D2依次排布，且沿第二方向D2排布的相邻防静电走线15的第一连接部152可以为一体结构。如图5D所示，一个防静电走线15可以包括第一延伸部151和两个第一连接部152，其中一个第一连接部152可以位于第一延伸部151的右侧转角处，并与第二方向D2上相邻的一个防静电走线的第一连接部连接，另一个第一连接部152位于第一延伸部151的下侧转角处，并与第二方向D2上的另一个防静电走线的第一连接部连接。第一信号走线11的第二连接部112可以在第二方向D2上与防静电走线15的第一连接部152相邻。在第一方向D1上位于第一信号走线11两侧的防静电走线15可以通过第一连接电极16电连接。
在一些示例性实施方式中，如图5C和图6C所示，显示区域AA的第一 绝缘层201可以开设有多个过孔和凹槽，例如可以包括：第一过孔K1、第二过孔K2以及第一凹槽K3。第一过孔K1内的第一绝缘层201被去掉，暴露出防静电走线15的第一连接部152的表面。第二过孔K2内的第一绝缘层201被去掉，暴露出第一信号走线11的第二连接部112的表面。第一凹槽K3在衬底基板200的正投影可以位于防静电走线15的第一延伸部151围绕的区域在衬底基板200的正投影内。第一凹槽K3在衬底基板200的正投影与防静电走线15在衬底基板200的正投影可以没有交叠。本示例通过将发光元件所在位置下的第一绝缘层201去掉，可以提高在衬底基板200一侧的光线透过率，避免第一绝缘层201对发光基板的出光产生影响。
在一些示例性实施方式中，如图5B和图6B所示，显示区域AA的第二导电层22可以包括：多个发光元件的第一电极101、以及多个第一连接电极16。发光元件的第一电极101可以包括：第一主体1011和第三连接部1012。第一电极101的第一主体1011和第三连接部1012可以为一体结构。第一主体1011在衬底基板200的正投影可以为三角形，例如可以为圆角三角形。第三连接部1012可以为条状，第三连接部1012的一端可以与第一主体1011电连接，另一端可以延伸至与第一信号走线11的第二连接部112电连接。第三连接部1012可以通过第二过孔K2与第一信号走线11的第二连接部112电连接。防静电走线15的第一延伸部151在衬底基板200的正投影与第一电极101的第一主体1011在衬底基板200的正投影可以没有交叠，第一电极101的第一主体1011在衬底基板200的正投影可以位于第一凹槽K3在衬底基板200的正投影内。
在一些示例性实施方式中，如图5B和图6B所示，第一连接电极16的一端可以通过一个第一过孔K1与一个防静电走线15的第一连接部152电连接，另一端可以通过另一个第一过孔K1与另一个防静电走线15的第一连接部152电连接，以跨过两个防静电走线15之间的第一信号走线11。例如，第一连接电极16的一端可以沿第一方向D1延伸，另一端可以沿第三方向D3延伸。第一连接电极16在衬底基板200的正投影可以为V字型。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，如图5A和图6A所示，显示区域AA的像素 定义层104可以具有多个像素开口100。像素开口100内的像素定义层104被去掉，暴露出发光元件的第一电极101的至少部分。发光元件的第一电极101在衬底基板200的正投影可以包含像素开口100在衬底基板200的正投影。在一些示例中，像素开口100在衬底基板200的正投影可以为三角形，例如可以为圆角三角形。
在一些示例性实施方式中，如图7和图8所示，发光元件的有机发光层103可以通过像素开口100与第一电极101接触。显示区域AA的第三导电层23可以包括多个发光元件的第二电极102。发光元件的第二电极102可以与有机发光层103接触。多个发光元件的第二电极102可以为一体结构。在本示例中，发光元件的位于像素开口100的部分为第一电极101、有机发光层103和第二电极102的叠设部分，可以用于发光。防静电走线15的第一延伸部151形成的一个网格可以围绕一个发光元件的用于发光的部分。
图9A为图1中区域S2的局部放大示意图。图9B为图9A中形成第二导电层后的发光基板的示意图。图9C为图9A中形成第一绝缘层后的发光基板的示意图。图9D为图9A中形成第一导电层后的发光基板的示意图。
在一些示例性实施方式中，如图9A至图9D所示，显示区域AA左侧的边框区域B2内设置有第二信号走线12、接地走线13和多条第一信号走线11。如图9D所示，第二信号走线12、接地走线13和多条第一信号走线11在第一方向D1上可以沿着靠近显示区域AA的一侧依次排布。第二信号走线12、接地走线13和第一信号走线11可以均位于第一导电层。第一信号线11的第二延伸部111可以位于边框区域B2，第二连接部112可以延伸至显示区域AA内，以便与发光元件电连接。
在一些示例中，如图9C所示，边框区域B2的第一绝缘层可以开设有第三开孔K4和第二凹槽K5。第三开孔K4内的第一绝缘层可以被去掉，暴露出接地走线13的表面。第二凹槽K5内的第一绝缘层被去掉，暴露出第二信号走线12的表面。第二凹槽K5在边框区域B2内可以是连续的凹槽。发光元件的第二电极可以延伸至边框区域B2，并通过第二凹槽K5与第二信号走线12电连接。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，边框区域B2可以设置多个独立的第二凹槽K5，可以分段暴露接地走线13的表面。
在一些示例中，如图9A和图9B所示，发光基板还可以包括第二连接电极17。第二连接电极17可以位于第二导电层。第二连接电极17的一端可以延伸至显示区域AA，并通过第一开孔K1与显示区域AA内的防静电走线15的第一连接部151电连接，另一端可以位于边框区域B2内，并通过第三开孔K4与接地走线13电连接。第二连接电极17在衬底基板200的正投影可以为V字型。然而，本实施例对此并不限定。通过第二连接电极17可以在显示区域AA的左右两侧的边框区域B2实现防静电走线15与接地走线13的电连接。
图10A为图1中区域S3的局部放大示意图。图10B为图10A中形成第二导电层后的发光基板的示意图。图10C为图10A中形成第一绝缘层后的发光基板的示意图。图10D为图10A中形成第一导电层后的发光基板的示意图。
在一些示例性实施方式中，如图10A至图10D所示，显示区域AA上侧的边框区域B2内设置的第二信号走线12和接地走线13可以沿第一方向D1延伸。如图10D所示，显示区域AA上侧的边框区域B2内的接地走线13与显示区域AA的至少一个防静电走线15的第一连接部152可以为一体结构。如图10C所示，显示区域AA上侧的边框区域B2的第一绝缘层开设的第二凹槽K5可以与左侧和右侧的第二凹槽K5连通。关于上侧边框区域的其余结构可以参照前述相关说明，故于此不再赘述。
下面对发光基板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在衬底基板上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开示例性实施例中，“A的正投影包含B的 正投影”，是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。
在一些示例性实施方式中，发光基板的制备过程可以包括如下操作。
(1)、提供衬底基板。
在一些示例性实施方式中，衬底基板200可以为刚性基板，例如玻璃基板。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，衬底基板200可以为柔性基板。例如，衬底基板可以包括柔性基底和叠设在柔性基底上的缓冲(Buffer)层。缓冲层可以用于提高衬底基板的阻水能力。例如，柔性基底可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，缓冲层可以采用无机材料，例如，可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。
(2)、形成第一导电层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的衬底基板200上，沉积第一导电薄膜，通过图案化工艺对第一导电薄膜进行图案化，形成第一导电层21。如图5D、图6D、图9D和图10D所示，第一导电层21可以包括：多条第一信号走线11、第二信号走线12、接地走线13、多个防静电走线15、以及多个绑定引脚。多个绑定引脚可以位于绑定区域，接地走线13和第二信号走线12可以位于周边区域BB，防静电走线15可以位于显示区域AA。
在一些示例性实施方式中，第一导电层21可以采用透明导电材料，例如可以包括氧化铟锡(ITO)；或者，可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。
(3)、形成第一绝缘层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的衬底基板200上，沉积第一绝缘薄膜，通过图案化工艺对第一绝缘薄膜进行图案化，形成第一绝缘层201。如图5C、图6C、图9C和图10C所示，第一绝缘层201可以开设有多 个开孔和凹槽，例如，可以包括位于显示区域AA的第一开孔K1、第二开孔K2和第一凹槽K3，以及位于边框区域B2的第三开孔K4和第二凹槽K5。
在一些示例性实施方式中，第一绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。
(4)、形成第二导电层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的衬底基板200上，沉积第二导电薄膜，通过图案化工艺对第二导电薄膜进行图案化，形成第二导电层22。如图5B、图6B、图9B和图10B所示，第二导电层22可以包括：多个第一连接电极16、多个第二连接电极17以及多个发光元件的第一电极101。多个发光元件的第一电极101和多个第一连接电极16可以位于显示区域。多个第二连接电极17可以从边框区域B2延伸至显示区域AA。
(5)、形成像素定义层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述图案的衬底基板200上涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光和显影工艺形成像素定义层104。如图5A、图6A、图9A和图10A所示，像素定义层104可以具有暴露出第二导电层22的多个像素开口100。多个像素开口100可以位于显示区域AA内。在一些示例中，像素定义层104可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等有机材料。
(6)、形成有机发光层。
在一些示例性实施方式中，在前述形成的像素开口100内形成有机发光层103，有机发光层103可以与发光元件的第一电极101接触。在一些示例中，在形成前述图案的衬底基板200上采用开放式掩膜版(Open Mask)依次蒸镀形成空穴注入层和空穴传输层，然后采用FMM依次蒸镀形成蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层，然后采用开放式掩膜版蒸镀依次形成电子传输层和电子注入层。在本示例中，发光元件可以出射白光。然而，本实施例对此并不限定。
(7)、形成第三导电层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述图案的衬底基板200上，沉积第三导电薄膜，通过图案化工艺对第三导电薄膜进行图案化，形成第三导电层23，第三导电层23可以包括多个发光元件的第二电极102。多个发光元件的第二电极102可以为一体结构。第二电极102可以形成在像素定义层104上，并与发光元件的有机发光层103接触。第二电极102在边框区域B2可以与第二信号走线12电连接。
(8)、形成封装层。
在一些示例性实施方式中，在第三导电层23上形成封装层，封装层可以包括无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，可以采用Filter方式来实现发光元件的封装。
在一些示例性实施方式中，第二导电层22可以采用透明导材料，例如可以包括氧化铟锡(ITO)。第三导电层23可以采用金属等反射材料，例如可以采用银(Ag)。本示例的发光基板可以为底发射结构，即发光基板从衬底基板200一侧出光。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，本示例的发光基板可以为顶发射结构，即发光基板从远离衬底基板一侧出光。其中，第二导电层可以采用金属等反射材料，第三导电层可以采用透明导电材料。
本示例的发光基板所需的照明显示无需通过复杂的像素电路来控制发光元件，而是通过第一信号走线和第二信号走线引出驱动信号来实现对发光元件的驱动。本示例的发光基板可以利用第一导电层和第二导电层来实现网状结构的防静电走线，可以对发光元件进行巧妙分割，提高防静电功能。而且，通过将接地走线设置在第一信号走线和第二信号走线之间，可以对第一信号走线和第二信号走线实现有效的隔离散热。
本公开实施例还提供一种发光基板的制备方法，包括：在衬底基板的显示区域形成至少一个防静电走线，在显示区域至少一侧的周边区域形成接地走线；在显示区域形成至少一个发光元件。其中，接地走线与至少一个防静电走线电连接，所述防静电走线被配置为包围至少一个发光元件。
关于本实施例的发光基板的制备方法可以参照前述实施例的说明，故于此不再赘述。
本公开实施例还提供一种发光装置，包括如上所述的发光基板。
在一些示例性实施方式中，发光装置还可以包括：连接单元和驱动电路板。连接单元可以包括至少一个第二接地引脚，驱动电路板可以包括第三接地引脚。第二接地引脚与发光基板的绑定区域的第一接地引脚电连接，还可以与驱动电路板的第三接地引脚电连接。
图11为本公开至少一实施例的发光装置的示意图。在一些示例性实施方式中，如图11所示，发光装置可以包括：发光基板M1、连接单元M2、驱动电路板M3以及电源接口M4。在一些示例中，连接单元M2可以为柔性线路板(FPC，Flexible Printed Circuit)。驱动电路板M3可以包括：微处理器(MCU，Microcontroller Unit)、电源芯片(Power IC)以及闪存(Flash)。闪存可以内置客制化图形。微处理器可以与电源芯片和闪存电连接，并通过多个输入/输出接口对电源芯片和闪存进行控制，以对发光基板M1进行驱动，实现发光基板M1的照明功能。
在一些示例中，如图11所示，发光基板M1可以包括：显示区域AA和围绕显示区域AA的周边区域BB。周边区域BB包括：位于显示区域AA一侧的绑定区域B1。绑定区域B1设置有多个绑定引脚。绑定区域B1的多个绑定引脚可以包括：至少一个第一接地引脚。连接单元M2可以包括至少一个(例如两个)第二接地引脚31。连接单元M2的第二接地引脚31可以与发光基板M1的绑定区域B1的第一接地引脚绑定连接。驱动电路板M3可以包括第三接地引脚。连接单元M2的第二接地引脚31可以与驱动电路板M3的第三接地引脚电连接。驱动电路板M3的第三接地引脚与电源接口M4的地线电连接。本示例中，发光基板M1的第一接地引脚通过连接单元和驱动电路板与电源接口M4的地线电连接，可以实现对地的完全连接，可以将发光基板M1中静电放电产生的瞬时大量静电荷直接泄放至地线，从而增加抗静电能力，提高发光基板在高强度ESD条件下的抗击穿性能，进而满足车规产品要求。
在一些示例性实施方式中，发光基板可以为柔性OLED显示基板、或者QLED显示基板。发光装置可以为车灯、车载发光设备、导航仪等任何具有显示功能的车载产品或部件。通过使用本实施例的发光装置，能够满足车规 产品的A级放电保护要求，静电放电保护时可以具有良好的稳定性，具有广泛的应用前景。
本公开中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求的范围当中。
Claims (20)
- 一种发光基板，包括：衬底基板，包括显示区域和位于所述显示区域至少一侧的周边区域；至少一个发光元件，位于所述显示区域；至少一个防静电走线，位于所述显示区域，所述至少一个防静电走线被配置为包围所述至少一个发光元件；接地走线，位于所述周边区域，所述接地走线与所述至少一个防静电走线电连接。
- 根据权利要求1所述的发光基板，其中，所述至少一个防静电走线形成网状结构，所述网状结构包括至少一个网格，所述至少一个网格围绕所述至少一个发光元件。
- 根据权利要求1或2所述的发光基板，其中，所述显示区域内的相邻防静电走线为一体结构，或者，通过第一连接电极电连接。
- 根据权利要求3所述的发光基板，其中，所述防静电走线包括：相互连接的第一延伸部和第一连接部，所述第一延伸部在所述衬底基板的正投影为环形；所述防静电走线的第一连接部与另一防静电走线的第一连接部为一体结构，或者，所述防静电走线的第一连接部通过所述第一连接电极与另一防静电走线的第一连接部电连接。
- 根据权利要求3或4所述的发光基板，其中，所述第一连接电极位于所述防静电走线远离所述衬底基板的一侧。
- 根据权利要求1至5中任一项所述的发光基板，其中，所述接地走线通过第二连接电极与所述至少一个防静电走线电连接。
- 根据权利要求6所述的发光基板，其中，所述接地走线与所述防静电走线为同层结构，所述第二连接电极位于所述接地走线远离所述衬底基板的一侧。
- 根据权利要求1至7中任一项所述的发光基板，其中，所述显示区域还设置有像素定义层，所述像素定义层具有至少一个像素开口，所述发光元 件的位于所述像素开口的部分用于发光；所述像素定义层在所述衬底基板的正投影覆盖所述防静电走线在所述衬底基板的正投影。
- 根据权利要求8所述的发光基板，其中，所述发光元件包括：第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和第二电极之间的有机发光层；所述第一电极位于所述有机发光层靠近所述衬底基板的一侧，所述像素定义层的像素开口暴露出所述第一电极的至少部分，所述有机发光层通过所述像素开口与所述第一电极接触，所述第二电极位于所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧，所述第二电极与所述有机发光层接触。
- 根据权利要求9所述的发光基板，还包括：至少一条第一信号走线和至少一条第二信号走线，所述第一信号走线从所述周边区域延伸至所述显示区域，并与所述至少一个发光元件的第一电极电连接；所述第二信号走线位于所述周边区域，并与所述至少一个发光元件的第二电极电连接。
- 根据权利要求10所述的发光基板，其中，在所述显示区域，所述防静电走线位于所述第一信号走线和所述发光元件之间。
- 根据权利要求10或11所述的发光基板，其中，在所述周边区域，所述接地走线位于所述第二信号走线和所述第一信号走线之间。
- 根据权利要求10至12中任一项所述的发光基板，还包括：位于所述至少一个发光元件靠近所述衬底基板一侧的第一导电层，所述第一信号走线、所述第二信号走线、所述防静电走线和所述接地走线均位于所述第一导电层。
- 根据权利要求13所述的发光基板，还包括：位于所述发光元件和所述第一导电层之间的第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述衬底基板的正投影与所述至少一个发光元件的用于发光的部分在所述衬底基板的正投影没有交叠。
- 根据权利要求9至14中任一项所述的发光基板，其中，所述发光元件的第一电极的材料包括透明导电材料，所述第二电极的材料包括金属材料。
- 根据权利要求10至15中任一项所述的发光基板，其中，所述周边区域包括：位于所述显示区域一侧的绑定区域，所述绑定区域包括：至少一 个第一接地引脚、至少一个第一信号引脚以及至少一个第二信号引脚；所述第一接地引脚与所述接地走线电连接，所述第一信号引脚与所述第一信号走线电连接，所述第二信号引脚与所述第二信号走线电连接；所述第一接地引脚位于所述第一信号引脚和所述第二信号引脚之间。
- 根据权利要求1至16中任一项所述的发光基板，其中，所述发光元件的用于发光的部分在所述衬底基板的正投影为三角形。
- 一种发光装置，包括如权利要求1至17中任一项所述的发光基板。
- 根据权利要求18所述的发光装置，还包括：连接单元和驱动电路板，所述连接单元包括至少一个第二接地引脚，所述驱动电路板包括第三接地引脚；所述第二接地引脚与所述发光基板的绑定区域的第一接地引脚电连接，还与所述驱动电路板的第三接地引脚电连接。
- 一种发光基板的制备方法，用于制备如权利要求1至17中任一项所述的发光基板，所述制备方法包括：在衬底基板的显示区域形成至少一个防静电走线，在所述显示区域至少一侧的周边区域形成接地走线；在所述显示区域形成至少一个发光元件；其中，所述接地走线与所述至少一个防静电走线电连接，所述防静电走线被配置为包围所述至少一个发光元件。
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Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105428355A (zh) * | 2016-01-06 | 2016-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN107393906A (zh) * | 2017-07-28 | 2017-11-24 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置 |
| CN108172697A (zh) * | 2016-12-08 | 2018-06-15 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN108957852A (zh) * | 2018-07-16 | 2018-12-07 | 上海中航光电子有限公司 | 显示模组和显示装置 |
| CN109343285A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-02-15 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN109390351A (zh) * | 2017-08-02 | 2019-02-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 布线结构及其制备方法、oled阵列基板、显示装置 |
| CN110036336A (zh) * | 2016-10-20 | 2019-07-19 | 三星电子株式会社 | 包括静电放电保护的触摸显示器和包含该触摸显示器的电子设备 |
| CN111149210A (zh) * | 2017-10-06 | 2020-05-12 | 亮锐控股有限公司 | 制造oled器件的方法 |
| CN113178443A (zh) * | 2021-04-09 | 2021-07-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种具有防静电结构的显示屏及其制备方法 |
| CN113224103A (zh) * | 2021-04-28 | 2021-08-06 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN113725269A (zh) * | 2021-08-27 | 2021-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种发光器件的制备方法、发光器件及发光装置 |
| CN114299873A (zh) * | 2022-02-22 | 2022-04-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及其驱动方法、以及oled显示装置 |
-
2022
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Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105428355A (zh) * | 2016-01-06 | 2016-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN110036336A (zh) * | 2016-10-20 | 2019-07-19 | 三星电子株式会社 | 包括静电放电保护的触摸显示器和包含该触摸显示器的电子设备 |
| CN108172697A (zh) * | 2016-12-08 | 2018-06-15 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN107393906A (zh) * | 2017-07-28 | 2017-11-24 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置 |
| CN109390351A (zh) * | 2017-08-02 | 2019-02-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 布线结构及其制备方法、oled阵列基板、显示装置 |
| CN111149210A (zh) * | 2017-10-06 | 2020-05-12 | 亮锐控股有限公司 | 制造oled器件的方法 |
| CN108957852A (zh) * | 2018-07-16 | 2018-12-07 | 上海中航光电子有限公司 | 显示模组和显示装置 |
| CN109343285A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-02-15 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN113178443A (zh) * | 2021-04-09 | 2021-07-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种具有防静电结构的显示屏及其制备方法 |
| CN113224103A (zh) * | 2021-04-28 | 2021-08-06 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN113725269A (zh) * | 2021-08-27 | 2021-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种发光器件的制备方法、发光器件及发光装置 |
| CN114299873A (zh) * | 2022-02-22 | 2022-04-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及其驱动方法、以及oled显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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