CN113193003A - 显示装置 - Google Patents

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CN113193003A CN202010980030.9A CN202010980030A CN113193003A CN 113193003 A CN113193003 A CN 113193003A CN 202010980030 A CN202010980030 A CN 202010980030A CN 113193003 A CN113193003 A CN 113193003A
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柳春基
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Abstract

提供一种显示装置。一实施例涉及的显示装置可以包括：基板，定义有显示区域和非显示区域；驱动元件，位于所述显示区域上；第一通孔层，位于所述驱动元件和所述非显示区域上；第二通孔层，位于所述第一通孔层上；像素电极，位于所述第二通孔层上，且与所述显示区域重叠；辅助电极，与所述非显示区域重叠；像素定义膜，位于所述第二通孔层上，且与所述像素电极重叠；多个有机膜图案，与所述辅助电极重叠；发光层，位于所述像素电极上；公共电极，位于所述发光层和所述辅助电极上，且与所述辅助电极连接，所述辅助电极包括多个电极孔，所述多个有机膜图案中的至少一个包括与所述多个电极孔之中的一个重叠的图案孔。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
显示装置随着多媒体的发达而其重要性正在增大。相应于此，正在使用如液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光显示装置(Organic Light EmittingDisplay，OLED)等各种类型的显示装置。
其中，有机发光显示装置是自身发光的自发光元件，具有响应速度快且发光效率、亮度和视角大的优点。有机发光显示装置可在单一面板包括多个像素。各像素可以包括配置在形成有薄膜晶体管的基板上的有机发光二极管。
如上所述的显示装置可以包括多个有机膜。但是，多个有机膜在制造工序中可能会因热处理产生气体(gas)而发生由气体引起的电极氧化。因此，存在显示装置的显示不良和可靠性降低的问题。
发明内容
本发明要解决的课题是提供一种可降低来自多个有机膜的出气(outgasing)量来防止显示不良的显示装置。
本发明的课题并不限于以上提及的课题，本领域技术人员通过以下的记载应当能够明确理解未被提及或其他的技术课题。
用于解决所述的课题的一实施例涉及的显示装置可以包括：基板，定义有显示区域和非显示区域；驱动元件，位于所述显示区域上；第一通孔层，位于所述驱动元件和所述非显示区域上；第二通孔层，位于所述第一通孔层上；像素电极，位于所述第二通孔层上，且与所述显示区域重叠；辅助电极，位于所述第二通孔层上，且与所述非显示区域重叠；像素定义膜，位于所述第二通孔层上，且与所述像素电极重叠；多个有机膜图案，位于所述第二通孔层上，且与所述辅助电极重叠；发光层，位于所述像素电极上；公共电极，位于所述发光层和所述辅助电极上，且与所述辅助电极连接，所述辅助电极包括多个电极孔，所述多个有机膜图案中的至少一个包括与所述多个电极孔之中的一个重叠的图案孔。
可以是，所述多个电极孔是贯通所述辅助电极的贯通孔，所述图案孔是贯通所述有机膜图案的贯通孔。
可以是，所述多个有机膜图案中的至少一个包围所述多个电极孔中的一个，且重叠于与所述电极孔相邻的所述辅助电极，并且与所述辅助电极的上表面相接。
可以是，所述多个有机膜图案中的至少一个与所述多个电极孔中的一个重叠，且通过所述电极孔与所述第二通孔层的上表面相接。
可以是，所述图案孔与所述电极孔重叠但不与所述辅助电极重叠。
可以是，所述公共电极通过所述图案孔与所述第二通孔层的上表面相接。
可以是，所述多个有机膜图案被彼此隔开，所述多个有机膜图案被彼此隔开的间隔区域与所述辅助电极重叠，所述公共电极通过所述多个有机膜图案被彼此隔开的间隔区域而与所述辅助电极的上表面相接。
可以是，所述第二通孔层还包括与所述电极孔和所述图案孔重叠的第一通孔，所述第一通孔的侧面和所述图案孔的侧面相互对齐而一致。
可以是，所述公共电极通过所述图案孔和所述第一通孔而与所述第一通孔层的上表面相接。
可以是，所述第一通孔层还包括与所述电极孔、所述图案孔和所述第一通孔重叠的第二通孔，所述显示装置还包括位于所述驱动元件与所述第一通孔层之间的绝缘层。
可以是，所述第二通孔的侧面与所述第一通孔的侧面相互对齐而一致。
可以是，所述公共电极通过所述图案孔、所述第一通孔和所述第二通孔而与所述绝缘层的上表面相接。
可以是，所述多个有机膜图案的平面形状是闭环形状。
可以是，所述多个有机膜图案和所述像素定义膜位于同一层上且包括相同的物质，并且所述辅助电极和所述像素电极位于同一层上且包括相同的物质。
可以是，所述多个有机膜图案中的另一个还包括与所述多个电极孔中的另一个重叠的图案槽。
另外，一实施例涉及的显示装置可以包括：基板，定义有显示区域和非显示区域；驱动元件，位于所述显示区域上；第一通孔层，位于所述驱动元件和所述非显示区域上；第二通孔层，位于所述第一通孔层上；像素电极，位于所述第二通孔层上，且与所述显示区域重叠；辅助电极，位于所述第二通孔层上，且与所述非显示区域重叠；像素定义膜，位于所述第二通孔层上，且与所述像素电极重叠；多个有机膜图案，位于所述第二通孔层上，且与所述辅助电极重叠；发光层，位于所述像素电极上；公共电极，位于所述发光层和所述辅助电极上，且与所述辅助电极连接，所述辅助电极包括多个电极孔，所述多个有机膜图案中的至少一个包括与所述多个电极孔中的一个重叠的图案槽。
可以是，所述多个有机膜图案分别包括图案槽，并且越是朝向远离所述显示区域的方向，所述图案槽的深度逐渐变深。
可以是，所述多个有机膜图案分别包括图案槽，并且越是朝向靠近所述显示区域的方向，所述图案槽的深度逐渐变深。
可以是，所述多个有机膜图案中的至少一个覆盖所述多个电极孔中的一个的整体。
其他实施例的具体事项包括在详细说明和附图中。
(发明效果)
根据一实施例涉及的显示装置，可以减小配置在公共电极的下部的多个有机膜的体积来降低在多个有机膜产生的出气量。因此，可以减少因出气使得公共电极被氧化的情况，从而可以防止显示品质的降低。
各实施例涉及的效果并不限于以上所例示的内容，本说明书内包括更多的效果。
附图说明
图1是一实施例涉及的显示装置的平面图。
图2是一实施例涉及的显示装置的一个像素的等效电路图。
图3是放大表示图1的A区域的平面图。
图4是示意性表示沿着图3的截取线I-I’的截面结构的图。
图5是示意性表示图4的公共电极接触部的一部分的平面图。
图6是示意性表示沿着图5的截取线II-II’的截面结构的图。
图7是表示沿着图3的截取线I-I’的其他实施例涉及的显示装置的剖视图。
图8是示意性表示图7的公共电极接触部的平面图。
图9是示意性表示沿着图8的截取线III-III’的截面结构的图。
图10和图11是示意性表示沿着图8的截取线III-III’的又一实施例的显示装置的剖视图。
图12是示意性表示沿着图3的截取线I-I’的又一实施例涉及的显示装置的剖视图。
图13是示意性表示图12的公共电极接触部的平面图。
图14是示意性表示沿着图13的截取线IV-IV’的截面结构的图。
图15是示意性表示沿着图3的截取线I-I’的又一实施例涉及的显示装置的剖视图。
图16是示意性表示图15的公共电极接触部的平面图。
图17是示意性表示沿着图16的截取线V-V’的截面结构的图。
图18和图19分别是示意性表示沿着图16的截取线V-V’的又一实施例的截面结构的图。
(符号说明)
1：显示装置；45：第二电源线；VIA1：第一通孔层；VIA2：第二通孔层；PXE：像素电极；EML：发光层；CME：公共电极；APE：辅助电极；APH：电极孔；PDL：像素定义膜；PDP：有机膜图案；PDH1：图案孔；PDG：图案槽。
具体实施方式
参照与附图一起详细后述的各实施例，本发明的优点、特征以及达成这些优点和特征的方法会变得明确。但是，本发明并不限于以下公开的各实施例，可以以互相不同的形式实现，各实施例仅仅使本发明的公开变得完整，并且是为了向本领域技术人员完整地告知发明的范畴而提供的，应仅由权利要求书的范畴定义本发明。
元件(elements)或者层位于其他元件或者层上(on)的情况不仅包括直接位于其他元件上的情况，还包括其间存在其他层或其他元件的情况。在整个说明书中，同一符号指代同一构成要素。在用于说明各实施例的附图中公开的形状、大小、比率、角度、个数等是例示，本发明并不限于图示的情况。
以下，参照附图说明具体的各实施例。
图1是一实施例涉及的显示装置的平面图。
参照图1，一实施例涉及的显示装置1可以适用于智能电话、便携式电话、平板PC、PDA(Personal Digital Assistant)、PMP(Portable Multimedia Player)、电视机、游戏机、手表型电子设备、头戴式显示器、个人计算机的显示屏、笔记本电脑、汽车导航仪、汽车仪表盘、数码相机、摄像机、外部广告板、电子显示屏、医疗装置、检查装置、如冰箱和洗衣机等这样的各种家电产品、或物联网装置。在本说明书中，作为显示装置的例说明电视机，但是TV可以具有HD、UHD、4K、8K等高分辨率或超高分辨率。
另外，各实施例涉及的显示装置1可以根据显示方式而被分类为各种装置。例如，显示装置的分类可以包括有机发光显示装置(OLED)、无机发光显示装置(inorganic EL)、量子点发光显示装置(QED)、微LED显示装置(micro-LED)、纳米LED显示装置(nano-LED)、等离子显示装置(PDP)、场致发射显示装置(FED)、阴极射线显示装置(CRT)、液晶显示装置(LCD)、电泳显示装置(EPD)等。以下，作为显示装置以有机发光显示装置为例进行说明，在没有特别区分的情况下，有时将适用于实施例的有机发光显示装置单纯简称为显示装置。但是，实施例并不限于有机发光显示装置，在共享技术思想的范围内还可以适用以上列举的或在本技术领域公知的其他显示装置。
一实施例涉及的显示装置1在平面图上可以具有正方形形状，例如可以具有长方形形状。在显示装置1为电视机的情况下，可以配置成长边位于横向。但是，并不限于此，也可以是长边位于纵向，也可以设置成可旋转使得长边可变换地即可位于横向也可位于纵向。
显示装置1可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA可以是实现图像的显示的活性区域。显示区域DPA可以与显示装置1的整体形状类似地在平面图上具有长方形形状，但是并不限于此。
显示区域DPA可以包括多个像素PX。多个像素PX可以排列在行列方向。各像素PX的形状在平面图上可以是长方形或正方形，但是并不限于此，也可以是各边相对于显示装置1的一边方向倾斜的棱形形状。多个像素PX可以包括各种颜色的像素PX。例如，多个像素PX可以包括红色的第一颜色像素PX、绿色的第二颜色像素PX和蓝色的第三颜色像素PX，但是并不限于此。可以以条纹型或Pentile型交替地排列各颜色的像素PX。
在显示区域DPA的周边可以配置非显示区域NDA。非显示区域NDA可以包围显示区域DPA的全部或一部分。显示区域DPA可以是长方形形状，非显示区域NDA可以配置成与显示区域DPA的四个边相邻。非显示区域NDA可以构成显示装置1的边框。
在非显示区域NDA可以配置驱动显示区域DPA的驱动电路或驱动元件。在一实施例中，在与显示装置1的短边(图1中的下边)相邻配置的非显示区域NDA，可以在显示装置1的显示基板上设置焊盘部，且可以在所述焊盘部的焊盘电极上安装外部装置EXD。
作为外部装置EXD的例，可以列举连接膜、印刷电路基板、驱动芯片DIC、连接器、布线连接膜等。作为一例，驱动芯片DIC可以是数据驱动电路，可以通过数据线DTL向各像素PX供给数据信号。可以由外部装置EXD通过连接布线(40、41、42)分别向第一电源线ELVDL、基准电压线RVL、第二电源线45供给第一电源电压、基准电压和第二电源电压。
第二电源线45可以配置在非显示区域NDA且其包围显示区域DPA。例如，第二电源线45可以包围除了显示区域DPA的下侧的剩余的显示区域DPA的周边。第二电源线45可以向像素PX的发光元件的公共电极(即，阴极)供给低电位电压。
在与显示装置1的长边(图1中的左边)相邻配置的非显示区域NDA，可以配置直接形成在显示装置1的显示基板上的扫描驱动部SDR。扫描驱动部SDR在图1中被表示成配置有一个扫描驱动部SDR的情况，但是也可以在与显示装置1的右边相邻配置的非显示区域NDA进一步配置扫描驱动部SDR。但是，并不限于此。扫描驱动部SDR可以通过扫描线SCL向各像素PX供给扫描信号。
以下，详细说明前述的显示装置1的像素PX。
图2是一实施例涉及的显示装置的一个像素的等效电路图。
参照图2，一实施例涉及的显示装置1的各像素PX除了发光元件EMD外，还包括三个晶体管(DTR、STR1、STR2)和一个储能用电容器CST。
发光元件EMD根据通过驱动晶体管DTR供给的电流而发光。发光元件EMD可以由有机发光二极管(organic light emitting diode)、微发光二极管、纳米发光二极管等实现。
发光元件EMD的像素电极(即，阳极)可以与驱动晶体管DTR的源电极连接，公共电极(即，阴极)可以与第二电源线ELVSL连接，其中，向该第二电源线ELVSL供给比第一电源线ELVDL的高电位电压(第一电源电压)低的低电位电压(第二电源电压)。
驱动晶体管DTR根据栅电极与源电极的电压差来调整从供给第一电源电压的第一电源线ELVDL流向发光元件EMD的电流。驱动晶体管DTR的栅电极可以与第一开关晶体管STR1的第一源/漏电极连接，源电极可以与发光元件EMD的像素电极连接，漏电极可以与施加第一电源电压的第一电源线ELVDL连接。
第一开关晶体管STR1因扫描线SCL的扫描信号而被导通，从而将数据线DTL连接至驱动晶体管DTR的栅电极。第一开关晶体管STR1的栅电极可以与扫描线SCL连接，第一源/漏电极可以与驱动晶体管DTR的栅电极连接，第二源/漏电极可以与数据线DTL连接。
第二开关晶体管STR2因感应信号线SSL的感应信号而被导通，从而将基准电压线RVL连接至驱动晶体管DTR的源电极。第二开关晶体管STR2的栅电极可以与感应信号线SSL连接，第一源/漏电极可以与基准电压线RVL连接，第二源/漏电极可以与驱动晶体管DTR的源电极连接。
在一实施例中，第一开关晶体管STR1和第二开关晶体管STR2各自的第一源/漏电极可以是源电极，第二源/漏电极可以是漏电极，但是并不限于此，也可以是相反的情况。
储能用电容器CST形成在驱动晶体管DTR的栅电极与源电极之间。储能用电容器CST存储驱动晶体管DTR的栅极电压与源极电压的差电压。
驱动晶体管DTR、第一开关晶体管STR1和第二开关晶体管STR2可以由薄膜晶体管(thin film transistor)形成。另外，在图2中以驱动晶体管DTR、第一开关晶体管STR1和第二开关晶体管STR2为N型MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor)的情况为中心进行了说明，但是并不限于此。即，驱动晶体管DTR、第一开关晶体管STR1和第二开关晶体管STR2可以是P型MOSFET，或者也可以是一部分为N型MOSFET、另一部分为P型MOSFET。
图3是放大示出图1的A区域的平面图。
参照图3，在显示区域DPA可以配置多个像素PX。在包围显示区域DPA的非显示区域NDA可以配置第二电源线45，使得第二电源线45包围显示区域DPA，且可以配置与第二电源线45连接的辅助电极APE。第二电源线45和辅助电极APE可以彼此重叠。在与显示区域DPA相邻的非显示区域NDA可以配置第二通孔层VIA2，且第二通孔层VIA2可以配置在第二电源线45与辅助电极APE之间。
辅助电极APE可以包括多个电极孔APH，多个电极孔APH用于排出在配置于下部的第二通孔层VIA2中产生的气体。通过配置与辅助电极APE重叠的公共电极CME，从而可以使其与辅助电极APE电连接。公共电极CME可以通过与辅助电极APE连接的第二电源线45来接受低电位的第二电源电压的提供。
以下，将参照沿着图3的截取线I-I’的剖视图，说明显示装置的具体结构。
图4是示意性表示沿着图3的截取线I-I’的截面结构的图，图5是示意性表示图4的公共电极接触部的一部分的平面图，图6是示意性表示沿着图5的截取线II-II’的截面结构的图。
在图4中，例示了前面发光型(Top Emission Type)显示装置，其光L并不是朝向形成有发光层EML的基板101的方向射出而是朝向其相反方向射出。但是，并不限于此，也可以是朝向形成有发光层EML的基板101的方向射出光的背面发光型(Bottom Emission Type)显示装置，或者朝向基板101的方向和基板101的相反方向这两侧射出光的两面发光型显示装置。
参照图4，显示装置1可以包括基板101。基板101可以是绝缘基板。基板101可以包括透明的物质。例如，基板101可以包括如玻璃、石英等这样的透明的绝缘物质。基板101可以是刚性(rigid)基板。但是，基板101并不限于此，也可以包括如聚酰亚胺等塑料，也可以具有可被弯折、弯曲、折叠、卷曲的柔性(flexible)特性。
在一实施例中，显示装置1可以在基板101上包括显示区域DPA和非显示区域NDA。在显示区域DPA可以配置薄膜晶体管TFT和发光元件EMD。非显示区域NDA可以是显示区域DPA以外的区域。
在基板101上可以配置缓冲膜105。缓冲膜105可以为了从通过对透湿弱的基板101渗透的水分中保护薄膜晶体管TFT和发光元件EMD而被配置在基板101的一面上。缓冲膜105可以由交替层叠的多个无机膜形成。例如，缓冲膜105可以由将硅氮化物层、硅氮氧化物层、硅氧化物层、钛氧化物层和铝氧化物层中的一个以上的无机膜交替层叠的多重膜形成。也可以省略缓冲膜105。
在缓冲膜105上，可以作为驱动元件而配置薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT可以配置在显示区域DPA内。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层110、第一绝缘层121、第二绝缘层122、第三绝缘层123、第一栅电极130和第二栅电极140。
在图4中例示了薄膜晶体管TFT以栅电极(130、140)位于半导体层110的上部的顶栅(top gate)方式形成的情况，但是并不限于此。即，薄膜晶体管TFT也可以以栅电极(130、140)位于半导体层110的下部的底栅(bottom gate)方式或栅电极(130、140)均位于半导体层110的上部和下部的双栅(double gate)方式形成。
例如，在缓冲膜105上可以配置薄膜晶体管TFT的半导体层110。半导体层110可以包括多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。在缓冲膜105与半导体层110之间可以形成用于阻断从半导体层110入射的外部光的遮光层。
在半导体层110上可以配置第一绝缘层121。第一绝缘层121可以由无机膜、例如硅氮化物层、硅氮氧化物层、硅氧化物层、钛氧化物层或铝氧化物层形成。
在第一绝缘层121上可以配置第一栅电极130和远离第一栅电极130的第一信号线135。第一栅电极130可以与半导体层110重叠。第一信号线135可以是发光线，可以控制第一电源线ELVDL来供给第一电源电压以实现导通和关断。
第一栅电极130和第一信号线135可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任一种或它们的合金形成的单层或多层。
在第一栅电极130和第一信号线135上可以配置第二绝缘层122。第二绝缘层122可以由无机膜、例如硅氮化物层、硅氮氧化物层、硅氧化物层、钛氧化物层或铝氧化物层形成。
在第二绝缘层122上可以配置第二栅电极140。第二栅电极140可以与第一栅电极130及半导体层110重叠。第二栅电极140可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任一种或它们的合金形成的单层或多层。
在第二栅电极140上可以配置第三绝缘层123。第三绝缘层123可以由无机膜、例如硅氮化物层、硅氮氧化物层、硅氧化物层、钛氧化物层或铝氧化物层形成。
在第三绝缘层123上可以配置薄膜晶体管TFT的源电极151(或漏电极)和漏电极152(或源电极)，并且可以与源电极151及漏电极152分开来配置第二信号线155。源电极151及漏电极152可以通过贯通第三绝缘层123、第二绝缘层122和第一绝缘层121的接触孔与半导体层110连接。第二信号线155可以是扫描线。源电极151、漏电极152和第二信号线155可以形成为由低电阻的物质、例如铝(Al)、金(Au)和铜(Cu)中的任一种或它们的合金形成的单层或多层。
在源电极151、漏电极152和第二信号线155上可以配置第一通孔层VIA1。第一通孔层VIA1可以是用于使因薄膜晶体管TFT引起的高低差平坦化的平坦化膜。第一通孔层VIA1可以包括丙烯酸树脂(polyacrylates resin)、环氧树脂(epoxy resin)、酚醛树脂(phenolic resin)、聚酰胺树脂(polyamides resin)、聚酰亚胺树脂(polyimides rein)、不饱和聚酯树脂(unsaturated polyesters resin)、聚亚苯基树脂(poly phenylenethersresin)、聚苯硫醚树脂(polyphenylenesulfides resin)或苯并环丁烯(benzocyclobutene，BCB)等有机绝缘物质。
在第一通孔层VIA1上可以配置连接电极162和第三信号线164。连接电极162可以配置在第一通孔层VIA1上而将漏电极152(或源电极)连接到后述的像素电极PXE。连接电极162可以通过在第一通孔层VIA1形成的接触孔而与漏电极152(或源电极)连接。第三信号线164可以是数据线(图1的DTL)和/或第一电源线(图1的ELVDL)。连接电极162和第三信号线164可以形成为由低电阻的物质、例如铝(Al)、金(Au)和铜(Cu)中的任一种或它们的合金形成的单层或多层。
在连接电极162和第三信号线164上可以配置第二通孔层VIA2。第二通孔层VIA2可以是使连接电极162与第三信号线164绝缘且用于将下部的高低差平坦化的平坦化膜。第二通孔层VIA2可以包括丙烯酸树脂(polyacryl ates resin)、环氧树脂(epoxy resin)、酚醛树脂(phenolic resin)、聚酰胺树脂(polyamides resin)、聚酰亚胺树脂(polyimidesrein)、不饱和聚酯树脂(unsaturated polyesters resin)、聚亚苯基树脂(poly phenylenethers resin)、聚苯硫醚树脂(polyphenylenesulfides resin)或苯并环丁烯(benzocyclobutene，BCB)等有机绝缘物质。
在一实施例中，通过形成第一通孔层VIA1和第二通孔层VIA2，可以在彼此不同的层形成第二信号线155和第三信号线164。另外，通过在不同的层由如铝这样的低电阻的物质形成第二信号线155和第三信号线164，从而可以防止信号延迟。
在第二通孔层VIA2上可以配置发光元件EMD。发光元件EMD可以配置在显示区域DPA内。发光元件EMD可以包括像素电极PXE、发光层EML和公共电极CME。
具体而言，可以在第二通孔层VIA2上配置像素电极PXE。像素电极PXE可以是发光元件EMD的第一电极、例如阳极。像素电极PXE可以通过贯通第二通孔层VIA2的接触孔而与连接电极162连接，从而可以连接到薄膜晶体管TFT的漏电极152(或源电极)。
在以发光层EML为基准在公共电极CME的方向上发光的前面发光型结构中，像素电极PXE可由银(Ag)、钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或铝(Al)的单层形成，或者可由如铝与钛的层叠结构(Ti/Al/Ti)、银与ITO的层叠结构(ITO/Ag/ITO)、APC合金或APC合金与ITO的层叠结构(ITO/APC/ITO)这样的反射率高的金属物质形成。APC合金是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。
作为其他例，在以发光层EML为基准在像素电极PXE的方向上发光的背面发光型结构中，像素电极PXE可以由能够使光透过的如ITO、IZO这样的透明的金属物质(TCO，Transparent Conductive Material)、或如镁(Mg)、银(Ag)、或镁(Mg)与银(Ag)的合金这样的半透过金属物质(Semi-transmissive Conductive Material)形成。在该情况下，在像素电极PXE由半透过金属物质形成的情况下，可以通过微腔(micro cavity)提高出光效率。
可以在像素电极PXE上配置像素定义膜PDL。像素定义膜PDL可以配置在像素电极PXE上，且可以包括使像素电极PXE露出的开口部。像素定义膜PDL可以包括丙烯酸树脂(polyacrylates resin)、环氧树脂(epoxy resin)、酚醛树脂(phenolic resin)、聚酰胺树脂(polyamides resin)、聚酰亚胺树脂(polyimides rein)、不饱和聚酯树脂(unsaturatedpolyesters resin)、聚亚苯基树脂(poly phenylenethers resin)、聚苯硫醚树脂(polyphenylenesulfides resin)或苯并环丁烯(benzocyclobutene，BCB)等有机绝缘物质。
在像素定义膜PDL上可以配置垫片170。垫片170可以在制造工序中起到维持与配置在垫片170的上部的结构物之间的间隔的作用。在一实施例中，像素定义膜PDL和垫片170可以形成为一体(one body)。在该情况下，可以涂布有机物，并利用半色调掩模(half-tonemask)来使像素定义膜PDL和垫片170形成为一体。但是，本实施例并不限于此，像素定义膜PDL和垫片170也可以分别单独形成。
在被像素定义膜PDL露出的像素电极PXE上可以配置发光层EML。发光层EML可以包括有机物质层。发光层EML的有机物质层可以包括有机发光层，且还可以包括空穴注入/传输层和/或电子注入/传输层。在一实施例中，发光层EML可以具有包括在厚度方向上重叠配置的多个有机发光层和配置在其间的电荷生成层的串联(tandem)结构。重叠配置的各有机发光层可以发出同一波长的光，但是也可以发出不同波长的光。至少一部分层可以与相邻的像素的同一层分离。
在发光层EML上可以配置公共电极CME。公共电极CME可以是发光元件EMD的第二电极、例如阴极。公共电极CME可以共同地形成于各像素。在一实施例中，在前面发光型结构中，公共电极CME可以由能够使光透过的如ITO、IZO这样的透明的金属物质(TCO，Transparent Conductive Material)、或者如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)与银(Ag)的合金这样的半透过金属物质(Semi-transmissive Conductive Material)形成。在公共电极CME由半透过金属物质形成的情况下，可以通过微腔(micro cavity)来提高出光效率。
在下部发光型结构中，公共电极CME可以由铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或银(Ag)的单层形成，或者可以由如铝与钛的层叠结构(Ti/Al/Ti)、银与ITO的层叠结构(ITO/Ag/ITO)、APC合金或APC合金与ITO的层叠结构(ITO/APC/ITO)这样的反射率高的金属物质形成。
另一方面，在基板101的非显示区域NDA可以配置公共电极接触部CCA。公共电极接触部CCA可以是使公共电极CME与辅助电极APE接触的区域。
具体而言，在基板101的第三绝缘层123上可以配置第二电源线45。第二电源线45可以配置在与源电极151(或漏电极)相同的层上，且可以由与其相同的物质形成。第二电源线45其一部分可以与第一通孔层VIA1重叠。在本实施例中，例示了第二电源线45配置在与源电极151(或漏电极)相同的层上的情况，但是并不限于此，可以配置在与第三信号线164、第二栅电极140或第一栅电极130相同的层上。
在第三绝缘层123上可以依次配置第一通孔层VIA1和第二通孔层VIA2。第一通孔层VIA1和第二通孔层VIA2可以从显示区域DPA延伸。第一通孔层VIA1和第二通孔层VIA2可以仅配置在非显示区域NDA的一部分。例如，第一通孔层VIA1和第二通孔层VIA2可以以第二电源线45为基准沿着朝向显示区域DPA的方向被配置。在朝向非显示区域NDA的方向上可以在不超越第二电源线45的情况下配置第一通孔层VIA1和第二通孔层VIA2。在本实施例中，例示了第一通孔层VIA1和第二通孔层VIA2配置成覆盖第二电源线45的一部分的情况，但是并不限于此，也可以覆盖第二电源线45的全部而进一步延伸至非显示区域NDA。
在第二通孔层VIA2上可以配置辅助电极APE。辅助电极APE可以配置在与发光元件EMD的像素电极PXE相同的层上，且可以包括与其相同的物质。作为一例，辅助电极APE可以由ITO/Ag/ITO形成。
辅助电极APE可以沿着第一通孔层VIA1和第二通孔层VIA2的侧面延伸而与第二电源线45连接。在一实施例中，辅助电极APE可以直接与第二电源线45相接。在本实施例中，例示了辅助电极APE沿着第一通孔层VIA1和第二通孔层VIA2的侧面延伸而与第二电源线45连接的情况，但是并不限于此，辅助电极APE也可以通过在第一通孔层VIA1和第二通孔层VIA2形成的接触孔而与第二电源线45连接。
与第二通孔层VIA2重叠的辅助电极APE可以包括多个电极孔APH。多个电极孔APH可以是贯通辅助电极APE的贯通孔。多个电极孔APH是为了在显示装置的制造工序中因热处理而在第一通孔层VIA1和第二通孔层VIA2生成的部分气体被排出的出气(outgasing)而具备的。在第一通孔层VIA1和第二通孔层VIA2生成的气体可能会使发光层EML劣化或使公共电极CME氧化而使得发光元件EMD受损。因此，在本实施例中，通过辅助电极APE具备多个电极孔APH，从而可以防止发光元件EMD受损。
如图4至图6所示，在辅助电极APE和第二通孔层VIA2上可以配置有机膜图案PDP。有机膜图案PDP可以配置在与像素定义膜PDL相同的层上，且可以由与像素定义膜PDL相同的物质形成。有机膜图案PDP可以形成为多个，从而分别覆盖辅助电极APE的多个电极孔APH。有机膜图案PDP可以覆盖作为电极孔APH的侧壁的辅助电极APE的边缘位置。在一实施例中，辅助电极APE可以由ITO/Ag/ITO形成，在辅助电极APE的侧面，可能会因蚀刻液而发生银(Ag)的腐蚀。因此，有机膜图案PDP可以覆盖与电极孔APH相邻的辅助电极APE的边缘位置，且可以与辅助电极APE的边缘位置重叠。
各有机膜图案PDP被彼此隔开的间隔区域PGA可以与辅助电极APE重叠。各有机膜图案PDP被彼此隔开的间隔区域PGA可以小于配置在各电极孔APH之间的辅助电极APE的宽度。如上所述，有机膜图案PDP覆盖电极孔APH和与电极孔APH相邻的辅助电极APE的边缘位置，因此各有机膜图案PDP被彼此隔开的间隔区域PGA可以小于辅助电极APE的宽度。
在有机膜图案PDP和辅助电极APE上可以配置公共电极CME。公共电极CME可以配置成从显示区域DPA延伸至非显示区域NDA。公共电极CME可以与辅助电极APE连接，以便防止电压降且可以被施加第二电源电压。
如图4至图6所示，公共电极CME在各有机膜图案PDP被彼此隔开的间隔区域PGA可以与辅助电极APE连接。公共电极CME可以沿着各有机膜图案PDP的侧面直接与辅助电极APE的上表面相接。公共电极CME可以在多个位置处、例如各有机膜图案PDP被彼此隔开的间隔区域PGA，与辅助电极APE接触，从而可以降低公共电极CME与辅助电极APE之间的接触电阻。公共电极CME的外廓侧面可以配置在有机膜图案PDP上，且可以与有机膜图案PDP重叠。
另一方面，如图4至图6所示的显示装置1如前所述那样，为了形成低电阻的第三信号线164，可以包括两层通孔层、例如第一通孔层VIA1和第二通孔层VIA2。第一通孔层VIA1和第二通孔层VIA2的出气量非常多。进一步地，配置在公共电极CME的下部的有机膜图案PDP也可能会出气。因此，有可能会从因第一通孔层VIA1、第二通孔层VIA2和有机膜图案PDP产生的出气量的增加而导致公共电极CME被氧化，从而发生显示不良。
以下，说明可以减少出气量来防止因公共电极的氧化引起的显示不良的显示装置。
图7是示出一实施例涉及的显示装置的剖视图，图8是示意性表示图7的公共电极接触部的平面图，图9是示意性表示沿着图8的截取线III-III’的截面结构的图。
参照图7至图9，本实施例涉及的显示装置1在公共电极接触部CCA可以包括辅助电极APE、有机膜图案PDP和公共电极CME。尤其是，与前述的图4至6的实施例的区别点在于，在有机膜图案PDP内包括与电极孔APH重叠的图案孔，其余构成实质上相同或类似。因此，省略重复的说明，以区别点为主进行说明。
如图7至图9所示，在非显示区域NDA的第二通孔层VIA2上可以配置辅助电极APE。在辅助电极APE可以形成多个电极孔APH。
在辅助电极APE上可以配置覆盖辅助电极APE的多个电极孔APH且与多个电极孔APH重叠的多个有机膜图案PDP。有机膜图案PDP可以覆盖与电极孔APH相邻的辅助电极APE的边缘位置且与辅助电极APE的边缘位置重叠。
在一实施例中，各有机膜图案PDP可以配置成彼此隔开，且各有机膜图案PDP被彼此隔开的间隔区域PGA可以与辅助电极APE重叠。各有机膜图案PDP被彼此隔开的间隔区域PGA可以小于配置在各电极孔APH之间的辅助电极APE的宽度APW。
如图7至图9所示，有机膜图案PDP可以包括与辅助电极APE的电极孔APH重叠的图案孔PDH1。图案孔PDH1可以贯通有机膜图案PDP来使配置在有机膜图案PDP的下部的第二通孔层VIA2的上表面露出。图案孔PDH1可以与电极孔APH重叠，但不与辅助电极APE重叠。
在一实施例中，有机膜图案PDP的图案孔PDH1可以是为了减少有机膜图案PDP的体积(volume)而去除了有机膜图案PDP的一部分的结构。若减小有机膜图案PDP的体积，则可以降低在有机膜图案PDP产生的出气量，从而可以防止因公共电极CME的氧化引起的显示不良。
有机膜图案PDP的图案孔PDH1可以与相邻的辅助电极APE隔开配置且可以不与辅助电极APE重叠。有机膜图案PDP的图案孔PDH1的宽度PDH1W可以小于辅助电极APE的电极孔APH的宽度APHW。如前所述，若辅助电极APE的侧面露出，则可能会因蚀刻液，在辅助电极APE的侧面产生银(Ag)的腐蚀。为了防止银(Ag)的腐蚀，有机膜图案PDP可以覆盖与电极孔APH相邻的辅助电极APE的边缘位置。因此，有机膜图案PDP的图案孔PDH1的宽度PDH1W可以形成为小于辅助电极APE的电极孔APH的宽度APHW。
在一实施例中，在有机膜图案PDP的一侧面，例如形成图案孔PDH1的侧壁的有机膜图案PDP的一侧面和辅助电极APE的一侧面可以具有预定的第一间隔G1。有机膜图案PDP的一侧面与辅助电极APE的一侧面之间的第一间隔G1可以是至少4μm以上。另外，在有机膜图案PDP的另一侧面，例如与辅助电极APE重叠的有机膜图案PDP的另一侧面与辅助电极APE的一侧面也可以具有预定的第二间隔G2。有机膜图案PDP的另一侧面与辅助电极APE的一侧面之间的第二间隔G2可以是至少4μm以上。如前所述，为了使有机膜图案PDP覆盖辅助电极APE的侧面，可以将有机膜图案PDP形成为距辅助电极APE的一侧面至少具有4μm以上的间隔(G1、G2)。在一实施例中，有机膜图案PDP的宽度可以是至少8μm以上。
在一实施例中，有机膜图案PDP的平面形状可以形成为包围辅助电极APE的电极孔APH的形状。例如，有机膜图案PDP的平面形状可以形成为闭环(closed loop)形状。在图8中示出了有机膜图案PDP的平面形状为方形的闭环形状的情况，但是并不限于此，也可以由圆形或三角形以上的多角形形成。另外，本实施例的有机膜图案PDP的平面形状只要可以与辅助电极APE的电极孔APH的平面形状类似地形成即可，可以适用任何形状。
在一实施例中，有机膜图案PDP的图案孔PDH1的平面形状可以与有机膜图案PDP的平面形状类似地由方形形成。只要有机膜图案PDP至少能覆盖辅助电极APE的边缘位置，有机膜图案PDP的图案孔PDH1就可以以尽可能大的面积形成。因此，图案孔PDH1的平面形状可以与有机膜图案PDP的平面形状类似地形成为方形。在图8中示出了有机膜图案PDP的图案孔PDH1的平面形状为方形的情况，但是并不限于此，也可以由圆形或三角形以上的多角形形成。
如图7至图9所示，例示了有机膜图案PDP的图案孔PDH1与辅助电极APE的电极孔APH一一对应的情况。但是，有机膜图案PDP的图案孔PDH1只要与辅助电极APE的电极孔APH重叠即可，也可以由两个或其以上的个数形成。
在一实施例中，有机膜图案PDP可以直接和与有机膜图案PDP重叠的辅助电极APE的上表面及与电极孔APH重叠的区域中的第二通孔层VIA2的上表面相接。即，有机膜图案PDP可以通过电极孔APH与被电极孔APH露出的第二通孔层VIA2的上表面相接。
如图7至图9所示，可以在有机膜图案PDP和辅助电极APE上配置公共电极CME。公共电极CME可以在各有机膜图案PDP被彼此隔开的间隔区域PGA与辅助电极APE连接。公共电极CME可以沿着各有机膜图案PDP的侧面与辅助电极APE的上表面直接相接。
在一实施例中，公共电极CME可以直接与被有机膜图案PDP的图案孔PDH1露出的第二通孔层VIA2的上表面相接。在一实施例中，公共电极CME可以与有机膜图案PDP的图案孔PDH1的侧面相接而沿着侧面延伸，从而直接与第二通孔层VIA2的上表面相接。
如上所述，一实施例涉及的显示装置通过形成与电极孔APH重叠的有机膜图案PDP的图案孔PDH1，从而可以减少有机膜图案PDP的体积。因此，可以降低在有机膜图案PDP产生的出气量来防止公共电极CME的氧化，从而可以防止显示不良。
图10和图11是示意性表示沿着图8的截取线III-III’的其他实施例的显示装置的剖视图。
参照图10和图11，本实施例涉及的显示装置1可以包括第一通孔层VIA1、第二通孔层VIA2、辅助电极APE、有机膜图案PDP和公共电极CME。尤其是，图10的实施例与前述的图7至图9的实施例的区别点在于，在第二通孔层VIA2形成第一通孔VIH1。另外，图11的实施例与图7至图10的实施例的区别点在于，在第一通孔层VIA1形成第二通孔VIH2，在第二通孔层VIA2形成第一通孔VIH1。其余构成实质上相同或类似。因此，省略重复的说明，以区别点为主进行说明。
参照图10，一实施例涉及的显示装置1可以在第二通孔层VIA2包括第一通孔VIH1。第一通孔VIH1可以与辅助电极APE的电极孔APH和有机膜图案PDP的图案孔PDH1重叠。在一实施例中，第一通孔VIH1可以与有机膜图案PDP的图案孔PDH1连续地形成。例如，第一通孔VIH1的侧面可以与有机膜图案PDP的图案孔PDH1的侧面相互对齐而一致。
如前所述，第二通孔层VIA2可以是产生出气的层。在本实施例中，通过在第二通孔层VIA2形成第一通孔VIH1，可以减少第二通孔层VIA2的体积来减少在第二通孔层VIA2产生的出气量。
在一实施例中，公共电极CME可以与有机膜图案PDP的图案孔PDH1的侧面相接而沿着侧面与第二通孔层VIA2的第一通孔VIH1的侧面相接。公共电极CME可以直接与被第一通孔VIH1露出的第一通孔层VIA1的上表面相接。
参照图11，第二通孔层VIA2可以包括第一通孔VIH1，第一通孔层VIA1可以包括第二通孔VIH2。第二通孔VIH2可以与辅助电极APE的电极孔APH、有机膜图案PDP的图案孔PDH1和第二通孔层VIA2的第一通孔VIH1重叠。在一实施例中，第二通孔VIH2可以与第二通孔层VIA2的第一通孔VIH1连续地形成。例如，第二通孔VIH2的侧面可以与第一通孔VIH1的侧面相互对齐而一致。
如前所述，第一通孔层VIA1可以是产生出气的层。在本实施例中，可以通过在第二通孔层VIA2形成第一通孔VIH1且在第一通孔层VIA1形成第二通孔VIH2，从而减少第一通孔层VIA1和第二通孔层VIA2的体积来减少在第一通孔层VIA1和第二通孔层VIA2产生的出气量。
在一实施例中，公共电极CME可以与有机膜图案PDP的图案孔PDH1的侧面相接，从而沿着侧面与第二通孔层VIA2的第一通孔VIH1的侧面相接。另外，公共电极CME可以与第一通孔层VIA1的第二通孔VIH2的侧面相接，从而直接与被第二通孔VIH2露出的第三绝缘层123的上表面相接。
图12是示意性表示沿着图3的截取线I-I’的又一实施例涉及的显示装置的剖视图，图13是示意性表示图12的公共电极接触部的平面图，图14是示意性表示沿着图13的截取线IV-IV’的截面结构的图。
参照图12至图14，本实施例涉及的显示装置1可以在公共电极接触部CCA包括辅助电极APE、有机膜图案PDP和公共电极CME。尤其是，与图4至图11的各实施例的区别点在于，在有机膜图案PDP内具有与电极孔APH重叠的图案槽，其余构成实质上相同或类似。因此，省略重复的说明，以区别点为主进行说明。
如图12至图14所示，有机膜图案PDP可以包括与辅助电极APE的电极孔APH重叠的图案槽PDG。图案槽PDG可以是从有机膜图案PDP的表面凹进去预定深度的凹槽。
在一实施例中，有机膜图案PDP的图案槽PDG可以是为了减少有机膜图案PDP的体积(volume)而去除了有机膜图案PDP的一部分的结构。若减少有机膜图案PDP的体积，则可以降低在有机膜图案PDP产生的出气量，从而可以防止因公共电极CME的氧化引起的显示不良。
对于有机膜图案PDP的图案槽PDG而言，由于没有完全去除有机膜图案PDP，因此有机膜图案PDP可以覆盖电极孔APH的整体。有机膜图案PDP的图案槽PDG可以不与相邻的辅助电极APE重叠。有机膜图案PDP的图案槽PDG的宽度PDGW可以小于或等于辅助电极APE的电极孔APH的宽度APHW。图案槽PDG不使辅助电极APE的侧面露出，因此可以具有与辅助电极APE的电极孔APH相同的宽度。但是，本实施例并不限于此，由于有机膜图案PDP可以覆盖辅助电极APE的侧面，因此图案槽PDG的宽度PDGW可以大于电极孔APH的宽度APHW。
在一实施例中，有机膜图案PDP的图案槽PDG可以具有预定的深度GH。图案槽PDG的深度GH只要不使下部的第二通孔层VIA2露出就可以具有任意的深度GH。在一实施例中，通过配置成图案槽PDG的深度GH与辅助电极APE的上表面位于相同的线上，从而可以在形成有机膜图案PDP的工序上通过相同的曝光量形成图案槽PDG，因此在工序上是有利的。
在一实施例中，有机膜图案PDP的图案槽PDG的平面形状可以与有机膜图案PDP的平面形状类似地由方形形成。在图13中示出了有机膜图案PDP的图案槽PDG的平面形状为方形的情况，但是并不限于此，也可以由圆形或三角形以上的多角形形成。
如图12至图14所示，例示了有机膜图案PDP的图案槽PDG与辅助电极APE的电极孔APH一一对应的情况。但是，有机膜图案PDP的图案槽PDG只要与辅助电极APE的电极孔APH重叠即可，可以由两个或其以上的个数形成。
如图12和图14所示，公共电极CME可以配置在有机膜图案PDP的图案槽PDG上。在一实施例中，公共电极CME可以直接与图案槽PDG的侧面和底面相接。
如上所述，一实施例涉及的显示装置可以形成与电极孔APH重叠的有机膜图案PDP的图案槽PDG，从而可以减少有机膜图案PDP的体积。因此，可以降低在有机膜图案PDP产生的出气量来防止公共电极CME的氧化，从而可以防止显示不良。
图15是示意性表示沿着图3的截取线I-I’的又一实施例涉及的显示装置的剖视图，图16是示意性表示图15的公共电极接触部的平面图，图17是示意性表示沿着图16的截取线V-V’的截面结构图，图18和图19分别是示意性表示沿着图16的截取线V-V’的又一实施例的截面结构的图。
参照图15至图17，本实施例涉及的显示装置1可以在公共电极接触部CCA包括辅助电极APE、有机膜图案PDP和公共电极CME。尤其是，与前述的图12至图14的各实施例的区别点在于，可以在有机膜图案PDP内具有与电极孔APH重叠的图案槽和图案孔。另外，图18和图19分别与前述的图17的区别点在于，图案槽的深度彼此不同。其余构成实质上相同或类似。因此，省略重复的说明，以区别点为主进行说明。
如图15至图17所示，有机膜图案PDP可以包括与辅助电极APE的电极孔APH重叠的图案槽PDG和图案孔PDH1。
在一实施例中，某一有机膜图案PDP可以具备图案槽PDG，另一有机膜图案PDP可以具备图案孔PDH1。如前所述，图案槽PDG和图案孔PDH1可以是为了减少有机膜图案PDP的体积(volume)而去除了有机膜图案PDP的一部分的结构。若减少有机膜图案PDP的体积，则可以降低在有机膜图案PDP产生的出气量来防止因公共电极CME的氧化引起的显示不良。
可以分开配置图案槽PDG和图案孔PDH1。图案槽PDG可以配置在彼此不同的图案孔PDH1之间。在图中示出了一个个交替地配置图案槽PDG和图案孔PDH1的情况。但是，本实施例并不限于此，也可以以两个以上为单位交替地配置图案槽PDG和图案孔PDH1。另外，图案槽PDG和图案孔PDH1可以是规则地交替，也可以是不规则地交替。例如，可以是配置一个图案槽PDG，且在同一线上配置两个图案孔PDH1。
关于图案槽PDG和图案孔PDH1各自的构成、例如宽度、配置关系等已进行说明，因此省略详细说明。
参照图18，又一实施例涉及的显示装置1中，各图案槽PDG的深度GH可以彼此不同。例如，可以是越是朝向远离显示区域DPA的方向，各图案槽PDG的深度GH逐渐变深。相反，如图19所示，可以是越是朝向靠近显示区域DPA的方向，各图案槽PDG的深度GH逐渐变深。在本实施例中，以各图案槽PDG的深度GH逐渐变化的情况为例进行了说明，但是并不限于此，各图案槽PDG的深度GH也可以是不规则地变化。
如上所述，根据各实施例涉及的显示装置，可以减少配置在公共电极的下部的各有机膜的体积来降低在各有机膜产生的出气量。因此，可以降低因出气使得公共电极被氧化的情况，从而可以防止显示品质的下降。
以上，参照附图说明了本发明的各实施例，但是，本领域技术人员应当能够理解在不变更本发明的技术思想或必要特征的情况下，可以以其他具体形式实施。因此，以上所述的各实施例在所有发明都是例示性的，不应理解为是限定性的。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
基板，定义有显示区域和非显示区域；
驱动元件，位于所述显示区域上；
第一通孔层，位于所述驱动元件和所述非显示区域上；
第二通孔层，位于所述第一通孔层上；
像素电极，位于所述第二通孔层上，且与所述显示区域重叠；
辅助电极，位于所述第二通孔层上，且与所述非显示区域重叠；
像素定义膜，位于所述第二通孔层上，且与所述像素电极重叠；
多个有机膜图案，位于所述第二通孔层上，且与所述辅助电极重叠；
发光层，位于所述像素电极上；
公共电极，位于所述发光层和所述辅助电极上，且与所述辅助电极连接，
所述辅助电极包括多个电极孔，
所述多个有机膜图案中的至少一个包括与所述多个电极孔之中的一个重叠的图案孔。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述多个电极孔是贯通所述辅助电极的贯通孔，所述图案孔是贯通所述有机膜图案的贯通孔。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述多个有机膜图案中的至少一个包围所述多个电极孔中的一个，且重叠于与所述电极孔相邻的所述辅助电极，并且与所述辅助电极的上表面相接。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述多个有机膜图案中的至少一个与所述多个电极孔中的一个重叠，且通过所述电极孔与所述第二通孔层的上表面相接。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述图案孔与所述电极孔重叠但不与所述辅助电极重叠。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述公共电极通过所述图案孔与所述第二通孔层的上表面相接。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述多个有机膜图案被彼此隔开，所述多个有机膜图案被彼此隔开的间隔区域与所述辅助电极重叠，
所述公共电极通过所述多个有机膜图案被彼此隔开的间隔区域而与所述辅助电极的上表面相接。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二通孔层还包括与所述电极孔和所述图案孔重叠的第一通孔，
所述第一通孔的侧面和所述图案孔的侧面相互对齐而一致。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述公共电极通过所述图案孔和所述第一通孔而与所述第一通孔层的上表面相接。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述第一通孔层还包括与所述电极孔、所述图案孔和所述第一通孔重叠的第二通孔，
所述显示装置还包括位于所述驱动元件与所述第一通孔层之间的绝缘层。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，
所述第二通孔的侧面与所述第一通孔的侧面相互对齐而一致。
12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，
所述公共电极通过所述图案孔、所述第一通孔和所述第二通孔而与所述绝缘层的上表面相接。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述多个有机膜图案的平面形状是闭环形状。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述多个有机膜图案和所述像素定义膜位于同一层上且包括相同的物质。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述辅助电极与所述像素电极位于同一层上且包括相同的物质。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述多个有机膜图案中的另一个还包括与所述多个电极孔中的另一个重叠的图案槽。
17.一种显示装置，包括：
基板，定义有显示区域和非显示区域；
驱动元件，位于所述显示区域上；
第一通孔层，位于所述驱动元件和所述非显示区域上；
第二通孔层，位于所述第一通孔层上；
像素电极，位于所述第二通孔层上，且与所述显示区域重叠；
辅助电极，位于所述第二通孔层上，且与所述非显示区域重叠；
像素定义膜，位于所述第二通孔层上，且与所述像素电极重叠；
多个有机膜图案，位于所述第二通孔层上，且与所述辅助电极重叠；
发光层，位于所述像素电极上；
公共电极，位于所述发光层和所述辅助电极上，且与所述辅助电极连接，
所述辅助电极包括多个电极孔，
所述多个有机膜图案中的至少一个包括与所述多个电极孔中的一个重叠的图案槽。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，
所述多个有机膜图案分别包括图案槽，并且越是朝向远离所述显示区域的方向，所述图案槽的深度逐渐变深。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其中，
所述多个有机膜图案分别包括图案槽，并且越是朝向靠近所述显示区域的方向，所述图案槽的深度逐渐变深。
20.根据权利要求17所述的显示装置，其中，
所述多个有机膜图案中的至少一个覆盖所述多个电极孔中的一个的整体。
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