CN117529983A - 发光面板及其制备方法、发光装置 - Google Patents
发光面板及其制备方法、发光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117529983A CN117529983A CN202280000838.3A CN202280000838A CN117529983A CN 117529983 A CN117529983 A CN 117529983A CN 202280000838 A CN202280000838 A CN 202280000838A CN 117529983 A CN117529983 A CN 117529983A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- conductive layer
- light emitting
- electrode
- substrate
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 154
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 39
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 337
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- DTSBBUTWIOVIBV-UHFFFAOYSA-N molybdenum niobium Chemical compound [Nb].[Mo] DTSBBUTWIOVIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一种发光面板，包括：显示区域(AA)和位于显示区域(AA)至少一侧的周边区域(BB)。显示区域(AA)设置有至少一个发光元件(10)。发光元件(10)包括：第一电极(101)、第二电极(102)以及设置在第一电极(101)和第二电极(102)之间的有机发光层(103)。在垂直于发光面板的方向上，发光面板至少包括：衬底基板(200)、以及位于衬底基板(200)上的第一导电层(21)和第二导电层(22)。第一导电层(21)包括至少一条第一信号走线(11)。第二导电层(22)包括发光元件(10)的第一电极(101)。第一导电层(21)与第二导电层(22)直接接触，发光元件(10)的第一电极(101)与第一信号走线(11)连接。
Description
本文涉及但不限于显示技术领域，尤指一种发光面板及其制备方法、显示装置。
有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitting Diode)和量子点发光二极管(QLED，Quantum-dot Light Emitting Diode)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开实施例提供一种发光面板及其制备方法、发光装置。
一方面，本实施例提供一种发光面板，包括：显示区域和位于所述显示区域至少一侧的周边区域。所述显示区域设置有至少一个发光元件，所述发光元件包括：第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和第二电极之间的有机发光层。在垂直于所述发光面板的方向上，所述发光面板至少包括：衬底基板、以及设置在所述衬底基板上的第一导电层和第二导电层。所述第一导电层包括：至少一条第一信号走线。所述第二导电层包括：所述发光元件的第一电极。其中，所述第一导电层与所述第二导电层直接接触，所述发光元件的第一电极与所述第一信号走线直接连接；或者，所述第一导电层和所述第二导电层之间设置第一绝缘层，所述发光元件的第一电极通过所述第一绝缘层开设的过孔与所述第一信号走线连接，且所述第一绝缘层在所述衬底基板的正投影与所述发光元件的用于发光的部分在所述衬底基板的正投影存在交叠。
在一些示例性实施方式中，所述第一信号走线在所述显示区域包括：第一延伸部；所述第一延伸部为网格状，所述第一延伸部在所述衬底基板的正投影与所述第一信号走线所电连接的发光元件的第一电极在所述衬底基板的正投影存在交叠。
在一些示例性实施方式中，所述第一信号走线还包括：第二延伸部，所述第二延伸部从所述显示区域延伸至所述周边区域，所述第二延伸部与所述第一延伸部连接。
在一些示例性实施方式中，所述显示区域还设置有至少一条辅助走线，所述辅助走线与所述发光元件的第一电极为同层结构。所述辅助走线与所述第一信号走线的第二延伸部直接接触，所述辅助走线在所述衬底基板的正投影与所述第一信号走线的第二延伸部在所述衬底基板的正投影存在交叠。
在一些示例性实施方式中，所述第二导电层与所述第一导电层直接接触，且所述第二导电层位于所述第一导电层远离所述衬底基板的一侧。
在一些示例性实施方式中，在所述显示区域，所述第二导电层在所述衬底基板的正投影覆盖所述第一导电层在所述衬底基板的正投影。
在一些示例性实施方式中，在所述周边区域，所述第二导电层在所述衬底基板的正投影与所述第一导电层在所述衬底基板的正投影部分交叠。
在一些示例性实施方式中，所述第二导电层与所述第一导电层直接接触，且所述第二导电层位于所述第一导电层靠近所述衬底基板的一侧。
在一些示例性实施方式中，所述显示区域还设置有像素定义层，所述像素定义层具有多个像素开口，所述像素开口暴露出所述发光元件的第一电极的至少部分；所述发光元件的有机发光层通过所述像素开口与所述发光元件的第一电极接触；所述发光元件的第二电极位于所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧，且所述发光元件的第二电极与所述发光元件的有机发光层接触；所述发光元件的位于所述像素开口的部分用于发光。
在一些示例性实施方式中，所述周边区域设置有多个阻挡坝，所述多个阻挡坝中的至少一个阻挡坝围绕所述显示区域；所述多个阻挡坝与所述像素定义层为同层结构，所述多个阻挡坝沿着远离所述显示区域的方向依次连续 排布。
在一些示例性实施方式中，沿着远离所述显示区域的方向上，所述多个阻挡坝的总长度大于144微米。
在一些示例性实施方式中，所述第一导电层的材料包括金属材料，所述第二导电层的材料包括透明导电材料。
另一方面，本实施例提供一种发光装置，包括：如上所述的发光面板。
另一方面，本实施例提供一种发光面板的制备方法。所述发光面板包括显示区域和位于所述显示区域至少一侧的周边区域，所述显示区域设置有至少一个发光元件，所述发光元件包括：第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和第二电极之间的有机发光层。所述制备方法包括：在衬底基板上形成第一导电层和第二导电层。所述第一导电层包括至少一条第一信号走线，所述第二导电层包括：所述发光元件的第一电极；所述第一导电层与所述第二导电层直接接触，所述发光元件的第一电极与所述第一信号走线连接。
在一些示例性实施方式中，所述第一信号走线在所述显示区域包括：第一延伸部；所述第一延伸部为网格状，所述第一延伸部在所述衬底基板的正投影与所述第一信号走线所电连接的发光元件的第一电极在所述衬底基板的正投影存在交叠。
在一些示例性实施方式中，所述在衬底基板上形成第一导电层和第二导电层，包括：在所述衬底基板上依次形成直接接触的第一导电层和第二导电层，其中，在所述显示区域，所述第二导电层在所述衬底基板的正投影覆盖所述第一导电层在所述衬底基板的正投影；或者，在所述衬底基板上依次形成直接接触的第二导电层和第一导电层。
在一些示例性实施方式中，所述制备方法还包括：在所述衬底基板上形成像素定义层，所述像素定义层具有多个像素开口，所述像素开口暴露出所述发光元件的第一电极的至少部分；形成所述发光元件的有机发光层和第二电极；其中，所述发光元件的有机发光层通过所述像素开口与所述发光元件的第一电极接触；所述发光元件的第二电极与所述发光元件的有机发光层接触。
另一方面，本公开实施例提供一种发光面板的制备方法。所述发光面板包括显示区域和位于所述显示区域至少一侧的周边区域，所述显示区域设置有至少一个发光元件，所述发光元件包括：第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和第二电极之间的有机发光层。所述制备方法包括：在衬底基板上依次形成第一导电层、第一绝缘层和第二导电层。所述第一导电层包括至少一条第一信号走线，所述第二导电层包括：所述发光元件的第一电极，所述发光元件的第一电极通过所述第一绝缘层开设的过孔与所述第一信号走线连接，且所述第一绝缘层在所述衬底基板的正投影与所述发光元件的用于发光的部分在所述衬底基板的正投影存在交叠。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其它方面。
附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中一个或多个部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为本公开至少一实施例的发光面板的示意图；
图2为图1中区域S1的局部放大示意图；
图3为图2中形成第二导电层后的发光面板的示意图；
图4为图2中形成第一导电层后的发光面板的示意图；
图5A为图2中沿Q-Q’方向的局部剖面示意图；
图5B为图2中沿Q-Q’方向的另一局部剖面示意图；
图6为图2中区域S2的局部放大示意图；
图7为图6中的第一导电层的示意图；
图8为图6中沿R-R’方向的局部剖面示意图；
图9A为图1中沿P-P’方向的局部剖面示意图；
图9B为图1中沿U-U’方向的局部剖面示意图；
图10为本公开至少一实施例的发光面板的制备流程示例图；
图11为图1中区域S1的另一局部放大示意图；
图12为图11中沿Q-Q’方向的局部剖面示意图；
图13为图2中沿Q-Q’方向的另一局部剖面示意图；
图14为本公开至少一实施例的发光装置的示意图。
下面将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为一种或多种形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了一个或多个构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中一个或多个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本公开中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。本公开中的“多个”表示两个及以上的数量。
在本公开中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、 “连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。其中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的传输，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有一种或多种功能的元件等。
在本公开中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，可以包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，可以包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本公开中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本说明书中三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等并非严格意义上的，可以是近似三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等，可以存在公差导致的一些小变形，可以存在导角、弧边以及变形等。
本公开中的“约”、“大致”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的情况。
本公开实施例提供一种发光面板，可以提高发光面板的显示效果，并降低成本。
本公开实施例提供的发光面板包括：显示区域和位于显示区域至少一侧的周边区域。显示区域设置有至少一个发光元件。发光元件包括：第一电极、第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的有机发光层。在垂直于发光面板的方向上，发光面板至少包括：衬底基板、以及设置在衬底基板上的第一导电层和第二导电层。第一导电层包括：至少一条第一信号走线。第二导电层至少包括：发光元件的第一电极。其中，第一导电层与第二导电层直接接触，发光元件的第一电极与第一信号走线直接连接。或者，第一导电层和第二导电层之间设置第一绝缘层，发光元件的第一电极通过第一绝缘层开设 的过孔与第一信号走线连接，且第一绝缘层在衬底基板的正投影与发光元件的用于发光的部分在衬底基板的正投影存在交叠。在本示例中，发光元件的用于发光的部分可以指发光元件的第一电极、有机发光层和第二电极的叠设部分。
在一些示例性实施方式中，发光面板的第一导电层和第二导电层之间不设置绝缘层，第一导电层的第一信号走线与第二导电层的发光元件的第一电极可以直接连接。本示例性实施例可以减少发光面板的制备工艺，大大降低成本。
在一些示例性实施方式中，第一导电层位于第二导电层靠近衬底基板的一侧。第一导电层与第二导电层之间可以设置第一绝缘层，发光元件的第一电极可以通过第一绝缘层开设的过孔与第一信号走线连接，且第一绝缘层在衬底基板的正投影与发光元件的用于发光的部分在衬底基板的正投影可以存在交叠。在本示例性实施例中，通过保留发光元件的用于发光的部分下方的第一绝缘层，可以避免由于刻蚀第一绝缘层产生的残留而导致发光元件的第一电极不平坦影响显示效果的情况。
在一些示例性实施方式中，第一信号走线在显示区域可以包括：第一延伸部。第一延伸部可以为网格状，第一延伸部在衬底基板的正投影与第一信号走线所电连接的发光元件的第一电极在衬底基板的正投影可以存在交叠。例如，发光元件的第一电极在衬底基板的正投影可以覆盖电连接的第一信号走线的第一延伸部在衬底基板的正投影。如此一来，可以防止在第一电极的制备过程中对第一导电层产生损伤。在本示例中，通过设置网格状的第一延伸部，可以降低第一信号走线的电阻。而且，通过网格状的第一延伸部与发光元件的第一电极接触，可以给第一电极施加均匀的电流，使得发光面板可以出射均匀亮度的光。
在一些示例性实施方式中，第一信号走线还可以包括：第二延伸部。第二延伸部可以从显示区域延伸至周边区域，第二延伸部与第一延伸部连接。例如，第一信号走线的第一延伸部与第二延伸部可以为一体结构。第一信号走线的第二延伸部延伸至周边区域，可以与绑定区域的绑定引脚电连接。在一些示例中，第一信号走线的第二延伸部与对应电连接的绑定引脚可以为一 体结构。
在一些示例性实施方式中，显示区域还可以设置有至少一条辅助走线，辅助走线与发光元件的第一电极为同层结构。辅助走线与第一信号走线的第二延伸部直接接触，辅助走线在衬底基板的正投影与第一信号走线的第二延伸部在衬底基板的正投影可以存在交叠。例如，在显示区域，辅助走线在衬底基板的正投影可以覆盖第一信号走线的第二延伸部在衬底基板的正投影。如此一来，在显示区域可以利用辅助走线对第一信号走线的第二延伸部进行保护，防止辅助走线的制备过程中对第一导电层产生损伤。
在一些示例性实施方式中，第二导电层与第一导电层直接接触，且第二导电层位于第一导电层远离衬底基板的一侧。在一些示例中，在显示区域，第二导电层在衬底基板的正投影可以覆盖第一导电层在衬底基板的正投影。在本示例中，在显示区域利用第二导电层保护第一导电层，可以防止第一导电层在制备过程中产生损伤，而且可以节省制备工艺，从而大大降低成本。在一些示例中，在周边区域，第二导电层在衬底基板的正投影与第一导电层在衬底基板的正投影可以部分交叠。在本示例中，在周边区域可以利用第二导电层对第一导电层的走线和引脚的侧面可以表面，以达到防腐蚀效果。
在一些示例性实施方式中，第二导电层与第一导电层直接接触，且第二导电层可以位于第一导电层靠近衬底基板的一侧。
在一些示例性实施方式中，显示区域还可以设置有像素定义层。像素定义层可以具有多个像素开口，像素开口可以暴露出发光元件的第一电极的至少部分。发光元件的有机发光层可以通过像素开口与发光元件的第一电极接触。发光元件的第二电极可以位于像素定义层远离衬底基板的一侧，且发光元件的第二电极可以与发光元件的有机发光层接触。发光元件的位于像素开口的部分用于发光。在一些示例中，发光元件的用于发光的部分可以包括多个子发光区域。相邻子发光区域可以被像素定义层隔开。相邻子发光区域内的有机发光层可以连通或者不连通。子发光区域可以为像素定义层的像素开口对应的区域。
在一些示例性实施方式中，周边区域可以设置有多个阻挡坝，多个阻挡坝与像素定义层可以为同层结构，至少一个阻挡坝可以围绕显示区域。多个 阻挡坝可以沿着远离显示区域的方向依次连续排布。在一些示例中，周边区域可以设置五个连续的阻挡坝。例如，沿着远离显示区域的方向上，多个阻挡坝的总长度可以大于144微米，例如可以约为360微米。通过设置一定数目的阻挡坝，可以有效挡住采用有机材料制备的封装层。
在一些示例性实施方式中，第一导电层的材料可以包括金属材料，第二导电层的材料可以包括透明导电材料。本示例提供的发光面板可以采用底发射结构，即从衬底基板一侧出光。然而，本实施例对此并不限定。
下面通过一些示例对本实施例的结构进行举例说明。
图1为本公开至少一实施例的发光面板的示意图。在一些示例性实施方式中，如图1所示，发光面板可以包括：显示区域AA和位于显示区域AA外围的周边区域BB。周边区域BB可以包括：位于显示区域AA一侧的绑定区域B1和位于显示区域AA其他侧的边框区域B2。例如，周边区域BB可以位于显示区域AA的四周，绑定区域B1可以位于显示区域AA的下侧，边框区域B2可以包括显示区域AA的左侧、上侧和右侧的区域。然而，本实施例对此并不限定。例如，周边区域BB可以位于显示区域AA的至少一侧，绑定区域B1可以位于显示区域AA的上侧、左侧或右侧。
在一些示例中，如图1所示，发光面板的显示区域AA可以为四边形。例如可以为平行四边形。然而，本实施例对此并不限定。例如，发光面板的显示区域AA可以为圆形、椭圆形、矩形、五边形或者六边形等其他形状。
在一些示例中，如图1所示，显示区域AA可以设置有多个发光元件10。多个发光元件10可以规则排布在显示区域AA内。例如，多个发光元件10在显示区域AA内可以沿第一方向D1排布为多列，沿第二方向D2排布为多行。其中，沿第一方向D1排布的多个发光元件10可以称为一行发光元件，沿第二方向D2排布的多个发光元件10可以称为一列发光元件。图1所示的发光面板可以包括十行和十二列发光元件10，每行可以包括六个发光元件10，每列可以包括五个发光元件10。图1所示的发光面板一共可以包括六十个发光元件10。然而，本实施例对于发光面板包括的发光元件10的数目并不限定。在一些示例中，第一方向D1和第二方向D2可以交叉。例如，第一方向D1沿逆时针方向与第二方向D2之间的角度可以约为108度至132度，比如 可以约为120度。然而，本实施例对此并不限定。例如，发光面板的显示区域可以为矩形，则第一方向和第二方向可以相互垂直。
在一些示例中，如图1所示，发光元件10的形状可以为三角形，例如可以为等边三角形。例如，发光元件10的边长可以约为9毫米(mm)至11mm，比如可以约为10mm。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，发光元件10的形状可以是矩形、菱形、五边形或六边形等其他形状。
在一些示例中，如图1所示，发光元件10发光的颜色可以根据需要而定。例如，发光元件10可以发出红光、绿光、蓝光、或者白光等。在一些示例中，发光元件10可以为有机发光二极管(OLED)。发光元件10可以包括：第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的有机发光层。在第一电极和第二电极的电压驱动下，可以利用有机发光层的有机材料的发光特性根据需要的灰度发光。例如，第一电极可以为阳极，第二电极可以为阴极。然而，本实施例对此并不限定。在本公开实施例中，发光元件的用于发光的部分可以指发光元件的第一电极、有机发光层和第二电极的交叠部分。
在一些示例中，如图1所示，绑定区域B1可以设置有多个绑定引脚B11。例如，多个绑定引脚B11可以沿第一方向D1依次排布。图1中仅简单示意了若干绑定引脚和若干条信号走线。多个绑定引脚B11可以包括：至少一个第一接地引脚、多个第一信号引脚以及多个第二信号引脚。第一接地引脚可以位于第一信号引脚和第二信号引脚之间。第一接地引脚可以与接地走线13电连接。例如，接地走线13可以与至少一个第一接地引脚为一体结构，并从绑定区域B1延伸至边框区域B2，接地走线13在边框区域B2内可以围绕显示区域AA排布。第二信号引脚可以与第二信号走线12电连接。例如，第二信号走线12可以与至少一个第二信号引脚为一体结构，第二信号走线12可以从绑定区域B1延伸至边框区域B2，第二信号走线12在边框区域B2内可以围绕显示区域AA排布。在边框区域B2内，第二信号走线12可以位于接地走线13远离显示区域AA的一侧。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例中，如图1所示，第一信号引脚可以与第一信号走线11电连接。例如，多个第一信号引脚和多条第一信号走线可以一一对应电连接。一条第一信号走线11可以与一个第一信号引脚为一体结构。至少一条第一信号 走线11可以从绑定区域B1延伸至边框区域B2，并排布在接地走线13靠近显示区域AA的一侧；至少一条第一信号走线11可以从绑定区域B1延伸至显示区域AA，并排布在第2n列和第2n+1列发光元件10之间的间隙内，n为大于0的整数。例如，在图1中，按照从左往右对发光元件列进行编号为例，多条第一信号走线11可以排布在第二列和第三列发光元件10之间、第四列和第五列发光元件10之间、第六列和第七列发光元件10之间、第八列和第九列发光元件10之间、以及第十列和第十一列发光元件10之间，第一信号走线11还可以排布在显示区域AA左侧和右侧的边框区域B2内。
在一些示例中，多条第一信号走线11可以与多个发光元件10一一对应电连接。一条第一信号走线11可以配置为给一个发光元件10提供驱动信号。然而，本实施例对此并不限定。例如，一条第一信号走线可以与多个发光元件电连接，被配置为给所述多个发光元件提供驱动信号。
图2为图1中区域S1的局部放大示意图。图3为图2中形成第二导电层后的发光面板的示意图。图4为图2中形成第一导电层后的发光面板的示意图。图5A和图5B为图2中沿Q-Q’方向的局部剖面示意图。图6为图2中区域S2的局部放大示意图。图7为图6中的第一导电层的示意图。图8为图6中沿R-R’方向的局部剖面示意图。
在一些示例性实施方式中，如图2至图8所示，在垂直于显示基板的方向上，显示区域AA可以包括：衬底基板200、以及依次设置在衬底基板200上的第一导电层21、第二导电层22、像素定义层104、有机发光层103以及第三导电层23。在本示例中，第一导电层21与第二导电层22直接接触，第一导电层21与第二导电层22之间没有设置绝缘层。
在一些示例中，如图4和图7所示，显示区域AA的第一导电层21可以包括多条第一信号走线11。第一信号走线11可以包括：第一延伸部111和第二延伸部112。第二延伸部112可以排布在相邻列发光元件之间，且第二延伸部112可以沿一个方向从显示区域AA延伸至周边区域BB。例如，第二延伸部112可以沿第二方向D2延伸。相邻列发光元件之间可以排布多条(例如，八条或十条)第一信号走线的第二延伸部112。第一信号走线11的第二延伸部112与第一延伸部111电连接，比如可以为一体结构。第一延伸 部111在衬底基板200的正投影与发光元件的第一电极101在衬底基板200的正投影可以存在交叠。在一些示例中，如图3和图6所示，发光元件的第一电极101在衬底基板200的正投影可以覆盖第一信号走线11的第一延伸部111在衬底基板200的正投影。如图4所示，第一延伸部111所在区域在衬底基板200的正投影可以为三角形，例如等边三角形。第一延伸部111可以为网格状。例如，第一延伸部111可以包括多个网格，网格的形状可以包括平行四边形和三角形。通过设置网格状的第一延伸部111，可以降低第一信号走线11的电阻。然而，本实施例对于第一延伸部的网格形状并不限定。例如，网格可以为矩形、菱形、五边形或六边形等。
在一些示例中，如图3和图6所示，第二导电层22可以包括：多个发光元件的第一电极101、以及多条辅助走线14。发光元件的第一电极101与第一信号走线11的第一延伸部111直接接触，实现发光元件的第一电极101与第一信号走线11的电连接。如图6和图8所示，在显示区域内，辅助走线14在衬底基板200的正投影可以覆盖第一信号走线11的第二延伸部112在衬底基板200的正投影。在本示例中，显示区域AA的第一导电层21可以被第二导电层22覆盖，可以利用第二导电层22保护第一导电层21，避免在制备过程中对第一导电层21产生损伤。
在一些示例中，第一信号走线11所电连接的发光元件10的第一电极101与覆盖该第一信号走线11的第二延伸部112的辅助走线14可以为一体结构。如此一来，可以保证显示区域的第二导电层22对第一导电层21的覆盖。
在一些示例中，如图2所示，像素定义层104在显示区域AA可以开设有多个像素开口100。像素开口100内的像素定义层104被去掉，暴露出发光元件10的第一电极101的至少部分。如图5A和图5B所示，有机发光层103可以位于像素开口100内，通过像素开口100与发光元件10的第一电极101接触。第三导电层23可以包括多个发光元件10的第二电极102。发光元件10的第二电极102可以位于像素定义层104远离衬底基板200的一侧，并与有机发光层103接触。在一些示例中，多个发光元件10的第二电极102可以为一体结构。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例中，如图2所示，发光元件10可以包括多个子发光区域，一 个子发光区域对应一个像素开口100。如图5A和图5B所示，发光元件10的相邻子发光区域可以通过像素定义层104隔开。像素定义层104在衬底基板200上的正投影可以覆盖第一信号走线11在衬底基板200上的正投影。发光元件10的子发光区域的形状可以与第一信号走线11的第一延伸部111的网格形状大致相同。第一延伸部111的至少一个网格的正投影可以与发光元件10的一个子发光区域的正投影存在交叠，例如，网格的正投影可以覆盖发光元件的子发光区域的正投影。例如，发光元件10的子发光区域的形状可以包括平行四边形、三角形。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，发光元件10的子发光区域的形状可以为矩形、五边形或六边形等。在本示例中，通过像素定义层104覆盖第一信号走线11的第一延伸部111，使得发光元件10被分成多个子发光区域，可以避免第一延伸部111对出光产生影响，可以保证子发光区域的平坦性，从而保证出光效果。
在一些示例中，如图5A所示，相邻子发光区域的有机发光层103可以连通。例如，发光元件10的相邻子发光区域之间的像素定义层104的高度可以低于相邻发光元件10之间的像素定义层104的高度，使得发光元件的相邻子发光区域之间的有机发光层103可以连通。在本示例中，像素定义层的高度可以指像素定义层远离衬底基板一侧表面与衬底基板靠近像素定义层一侧表面之间的垂直距离。
在另一些示例中，如图5B所示，发光元件10的相邻子发光区域的有机发光层103可以不连通。发光元件10的相邻子发光区域之间的像素定义层104可以与发光元件10的第二电极102接触。
图9A为图1中沿P-P’方向的局部剖面示意图。在一些示例中，如图9A所示，在发光元件10的第二电极102远离衬底基板200的一侧设置封装层24。封装层24可以包括依次叠设的第一封装层241、第二封装层242和第三封装层243。其中，第一封装层241和第三封装层243可以采用无机材料，第二封装层242可以采用有机材料。第一信号走线11的第二延伸部112可以从显示区域AA延伸至绑定区域B1，并与绑定区域B1的绑定引脚B11电连接。在本示例中，第一信号走线11的第二延伸部112与绑定区域B1的绑定引脚B11可以为一体结构。在周边区域BB设置有阻挡坝区，阻挡坝区内设 置有多个阻挡坝41。例如，阻挡坝区内设置有五个阻挡坝41，且五个阻挡坝41可以沿着远离显示区域AA的一侧连续排布。在阻挡坝区的远离衬底基板200一侧的表面可以为波浪形。阻挡坝41与显示区域AA的像素定义层104可以为同层结构。封装层24的第一封装层241和第三封装层243可以覆盖多个阻挡坝41远离衬底基板200的表面。通过设置多个阻挡坝41可以保证挡住采用有机材料制备的第二封装层242。在本示例中，每个阻挡坝41在周边区域BB可以围绕显示区域AA设置，呈环状结构。如图9A所示，在绑定区域B1还设置有引脚保护部42。引脚保护部42可以与显示区域AA的像素定义层104为同层结构。引脚保护部42可以暴露出绑定区域B1的绑定引脚B11。
在一些示例中，如图9A所示，显示区域AA的多个发光元件10的第二电极102可以为一体结构。发光元件10的第二电极102的边缘与像素定义层104的边缘之间的距离L1可以约为300微米。像素定义层104的边缘与阻挡坝区靠近显示区域AA一侧的边缘之间的距离L2可以约为100微米。阻挡坝区靠近显示区域AA一侧的边缘与远离显示区域AA一侧的边缘之间的距离L3可以约为360微米。在本示例中，沿着远离显示区域AA的方向上，五个阻挡坝41的总长度可以约为360微米。阻挡坝区远离显示区域AA一侧的边缘与第一封装层241和第三封装层243的边缘之间的距离L4可以约为1600微米。在绑定区域B1，第一封装层241和第三封装层243在衬底基板200的正投影与引脚保护部42在衬底基板200的正投影可以部分交叠。然而，本实施例对此并不限定。
图9B为图1中沿U-U’方向的局部剖面示意图。在一些示例中，如图9B所示，第二导电层可以包括：位于周边区域BB的辅助电极15。辅助电极15在衬底基板200的正投影与绑定引脚B11在衬底基板200的正投影部分交叠。辅助电极15可以覆盖绑定引脚B11的侧面，并暴露出绑定引脚B11远离衬底基板200一侧的表面。在本示例中，利用第二导电层对绑定引脚进行包边，可以防止绑定引脚被腐蚀。
在一些示例中，辅助走线14可以从显示区域AA延伸至周边区域BB，且辅助走线14的延伸方向与其所对应的第一信号走线11的第二延伸部112 的延伸方向可以相同。在周边区域BB，辅助走线14在衬底基板200的正投影可以与第二延伸部112在衬底基板200的正投影部分交叠。在周边区域BB，辅助走线14可以覆盖第二延伸部112的侧面，并暴露出第二延伸部112远离衬底基板200一侧的表面。关于周边区域BB内，辅助走线14与第二延伸部112的交叠关系可以参照图9B所示的辅助电极15与绑定引脚B11之间的交叠关系，故于此不再赘述。在一些示例中，周边区域BB的第一导电层可以包括：多条第一信号走线11、第二信号走线12、接地走线13以及多个绑定引脚B11。在周边区域BB，可以利用第二导电层对第一导电层的走线和引脚进行包边保护。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，周边区域BB的第一导电层的走线可以由第二导电层覆盖，第一导电层的引脚可以由第二导电层包边保护。
下面对本示例的发光面板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在衬底基板上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开示例性实施例中，“A的正投影包含B的正投影”，是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。
在一些示例性实施方式中，如图10所示，发光面板的制备过程可以包括如下操作。
(1)、制备衬底基板。
在一些示例性实施方式中，提供玻璃衬底300，在玻璃衬底300上形成衬底基板200。衬底基板200可以包括：叠设的柔性基底201、阻挡(Barrier) 层202和缓冲(Buffer)层203。阻挡层202和缓冲层203可以用于提高衬底基板200的阻水能力。例如，柔性基底201可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，阻挡层202和缓冲层203可以采用无机材料，例如，可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。例如，阻挡层202可以采用SiOx，缓冲层203可以采用SiNx。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，衬底基板可以为刚性基板，例如可以为玻璃基板。
(2)、形成第一导电层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的衬底基板200上，沉积第一导电薄膜，通过图案化工艺对第一导电薄膜进行图案化，形成第一导电层21。例如，第一导电层21可以包括：多条第一信号走线11、第二信号走线12、接地走线13以及多个绑定引脚B11。多个绑定引脚B11可以位于绑定区域B1，接地走线13和第二信号走线12可以位于周边区域BB，第一信号走线11可以从周边区域BB延伸至显示区域AA。例如，第一信号走线11在显示区域AA可以包括：第一延伸部111和第二延伸部112。
在一些示例中，第一导电层21可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。例如，第一导电层21的材料可以包括Ti/Al/Ti，或者，可以包括Mo/Al/Mo。
(3)、形成第二导电层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的衬底基板上，沉积第二导电薄膜，通过图案化工艺对第二导电薄膜进行图案化，形成位于显示区域AA的第二导电层22。例如，第二导电层22可以包括：位于显示区域AA的多个发光元件10的第一电极101、多条辅助走线14以及多个辅助电极15。显示区域AA的第二导电层22可以覆盖显示区域AA的第一导电层21，从而保护第一导电层21，避免在第二导电层22的制备过程中对第一导电层21产生损伤。例如，在显示区域AA内，发光元件10的第一电极101在衬底基板 200的正投影可以覆盖第一信号走线11的第一延伸部111在衬底基板200的正投影，辅助走线14在衬底基板200的正投影可以覆盖第一信号走线11的第二延伸部112在衬底基板200的正投影。
(4)、形成像素定义层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述图案的衬底基板200上涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光和显影工艺形成像素定义层104。像素定义层104可以具有暴露出第二导电层22的多个像素开口100。多个像素开口100可以位于显示区域AA内。在一些示例中，可以对发光元件10的相邻子发光区域之间的像素定义层104可以减薄处理，使得相邻子发光区域之间的像素定义层的高度可以小于相邻发光元件之间的像素定义层的高度。在一些示例中，像素定义层104可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等有机材料。
(5)、形成有机发光层。
在一些示例性实施方式中，在前述形成的像素开口100内形成有机发光层103，有机发光层103可以与发光元件的第一电极101接触。在一些示例中，在形成前述图案的衬底基板200上采用开放式掩膜版(Open Mask)依次蒸镀形成空穴注入层和空穴传输层，然后采用FMM依次蒸镀形成蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层，然后采用开放式掩膜版蒸镀依次形成电子传输层和电子注入层。在本示例中，发光元件10可以出射白光。然而，本实施例对此并不限定。
(6)、形成第三导电层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述图案的衬底基板200上，沉积第三导电薄膜，通过图案化工艺对第三导电薄膜进行图案化，形成第三导电层23，第三导电层23可以包括多个发光元件的第二电极102。多个发光元件的第二电极102可以为一体结构。第二电极102可以形成在像素定义层104上，并与发光元件的有机发光层103接触。第二电极102在边框区域B2可以与位于第一导电层21的第二信号走线12电连接。
(7)、形成封装层。
在一些示例性实施方式中，在第三导电层23上形成封装层24。封装层24可以包括无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构。然而，本实施例对此并不限定。
在完成发光面板的制备之后，可以剥离玻璃衬底300。
在一些示例性实施方式中，第二导电层22可以采用透明导材料，例如可以包括氧化铟锡(ITO)。第三导电层23可以采用金属等反射材料，例如可以采用银(Ag)。本示例的发光面板可以为底发射结构，即发光面板从衬底基板200一侧出光。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，本示例的发光面板可以为顶发射结构，即发光面板从远离衬底基板一侧出光。其中，第二导电层可以采用金属等反射材料，第三导电层可以采用透明导电材料。
本示例的发光面板所需的照明显示无需通过复杂的像素电路来控制发光元件，而是通过第一信号走线和第二信号走线引出驱动信号来实现对发光元件的驱动。通过设置第一导电层21与第二导电层22在显示区域AA直接接触，可以采用第二导电层22对第一导电层21进行保护，避免在制备过程中对第一导电层21产生损伤，而且无需在第一导电层21和第二导电层22之间制备绝缘层，可以节省制备工序，可以大大降低成本。
图11为图1中区域S1的另一局部放大示意图。图12为图11中沿Q-Q’的局部剖面示意图。在一些示例性实施方式中，如图11和图12所示，显示区域AA可以包括：衬底基板200、依次设置在衬底基板200上的第二导电层22、第一导电层21、像素定义层104、有机发光层103以及第三导电层23。在本示例中，第一导电层21和第二导电层22之间没有设置绝缘层，且第一导电层21可以位于第二导电层22远离衬底基板200的一侧。
在一些示例中，如图11和图12所示，显示区域AA的第一导电层21可以包括：多条第一信号走线11。第二导电层22可以包括：发光元件10的第一电极101。第一导电层21和第二导电层22直接接触。发光元件10的第一电极101可以与第一信号走线11的第一延伸部111直接接触，从而实现与第一信号走线11的电连接。第一信号走线11的第二延伸部112在衬底基板200的正投影与第二导电层22在衬底基板200的正投影可以没有交叠。
在一些示例中，如图11和图12所示，在发光面板的制备过程中，可以采用湿刻工艺分别制备得到第二导电层22和第一导电层21。在第一导电层21的制备过程中，可以使用不损伤第二导电层22的刻蚀液来进行刻蚀工艺。在一些示例中，第一导电层21可以采用金属材料，第二导电层22可以采用透明导电材料，例如ITO。
关于本实施例的发光面板的其余说明可以参照前述实施例的描述，故于此不再赘述。
图13为图2中沿Q-Q’方向的另一局部剖面示意图。在一些示例性实施方式中，如图13所示，显示区域AA可以包括：衬底基板200、依次设置在衬底基板200上的第一导电层21、第一绝缘层210、第二导电层22、像素定义层104、有机发光层103以及第三导电层23。在本示例中，第一导电层21和第二导电层22之间设置有第一绝缘层210。例如，第一绝缘层210可以采用无机材料，例如，可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。
在一些示例中，如图13所示，第二导电层22可以包括：发光元件的第一电极101。发光元件的第一电极101可以通过第一绝缘层210开设的过孔与第一导电层21的第一信号走线11电连接。例如，发光元件的第一电极101可以通过第一绝缘层210开设的过孔与第一信号走线11的第一延伸部111电连接。在一些示例中，第一信号走线11的第一延伸部111上的第一绝缘层210可以全部去掉，暴露出全部的第一延伸部111；或者，可以去掉第一绝缘层210，以暴露出部分第一延伸部111。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例中，如图13所示，发光元件的用于发光部分的部分在衬底基板200的正投影与第一绝缘层210在衬底基板200的正投影可以存在交叠。换言之，发光元件的第一电极101靠近衬底基板200一侧的第一绝缘层210可以保留，仅去掉可以暴露出第一信号走线11的表面的部分第一绝缘层210，使得发光元件靠近衬底基板200一侧的表面可以是平坦表面，避免由于对第一绝缘层210进行刻蚀产生残留而导致第一电极不平整的情况，从而可以保证发光面板的显示效果。
关于本实施例的发光面板的其余说明可以参照前述实施例的说明，故于 此不再赘述。
本公开实施例还提供一种显示面板的制备方法。发光面板包括显示区域和位于显示区域至少一侧的周边区域。显示区域设置有至少一个发光元件，发光元件包括：第一电极、第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的有机发光层。上述制备方法包括：在衬底基板上形成第一导电层和第二导电层。第一导电层包括至少一条第一信号走线，第二导电层包括：发光元件的第一电极；第一导电层与第二导电层直接接触，发光元件的第一电极与第一信号走线连接。
在一些示例性实施方式中，第一信号走线在显示区域可以包括：第一延伸部。第一延伸部为网格状，第一延伸部在衬底基板的正投影与第一信号走线所电连接的发光元件的第一电极在衬底基板的正投影存在交叠。
在一些示例性实施方式中，在衬底基板上形成第一导电层和第二导电层，可以包括：在衬底基板上依次形成直接接触的第一导电层和第二导电层，其中，在显示区域，所述第二导电层在衬底基板的正投影覆盖第一导电层在衬底基板的正投影；或者，在衬底基板上依次形成直接接触的第二导电层和第一导电层。
在一些示例性实施方式中，本实施例的制备方法还可以包括：在衬底基板上形成像素定义层，像素定义层具有多个像素开口，像素开口暴露出发光元件的第一电极的至少部分；形成发光元件的有机发光层和第二电极。其中，发光元件的有机发光层通过像素开口与发光元件的第一电极接触；发光元件的第二电极与发光元件的有机发光层接触。
关于本实施例的发光面板的制备方法可以参照前述实施例的说明，故于此不再赘述。
本公开实施例还提供一种发光面板的制备方法。发光面板包括显示区域和位于显示区域至少一侧的周边区域，显示区域设置有至少一个发光元件，发光元件包括：第一电极、第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的有机发光层。所述制备方法包括：在衬底基板上依次形成第一导电层、第一绝缘层和第二导电层。第一导电层包括至少一条第一信号走线，第二导电层包括：发光元件的第一电极，发光元件的第一电极通过第一绝缘层开设的过 孔与第一信号走线连接，且所述第一绝缘层在衬底基板的正投影与发光元件的用于发光的部分在衬底基板的正投影存在交叠。
关于本实施例的发光面板的制备方法可以参照前述实施例的说明，故于此不再赘述。
本公开实施例还提供一种发光装置，包括如上所述的发光面板。
图14为本公开至少一实施例的发光装置的示意图。在一些示例中，如图14所示，发光装置91可以包括发光面板910。在一些示例中，发光面板的绑定引脚可以与柔性线路板(FPC，Flexible Printed Circuit)绑定连接，柔性线路板还可以与驱动电路板电连接。
在一些示例性实施方式中，发光面板910可以为柔性OLED显示基板、或者QLED显示基板。发光装置91可以为车灯、车载发光设备、导航仪等任何具有显示功能的车载产品或部件。本实施例的发光面板可以简化制备工艺，提高发光面板的质量，并降低成本。
本公开中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求的范围当中。
Claims (19)
- 一种发光面板，包括：显示区域和位于所述显示区域至少一侧的周边区域；所述显示区域设置有至少一个发光元件，所述发光元件包括：第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和第二电极之间的有机发光层；在垂直于所述发光面板的方向上，所述发光面板至少包括：衬底基板、以及设置在所述衬底基板上的第一导电层和第二导电层；所述第一导电层包括：至少一条第一信号走线；所述第二导电层包括：所述发光元件的第一电极；其中，所述第一导电层与所述第二导电层直接接触，所述发光元件的第一电极与所述第一信号走线直接连接；或者，所述第一导电层和所述第二导电层之间设置第一绝缘层，所述发光元件的第一电极通过所述第一绝缘层开设的过孔与所述第一信号走线连接，且所述第一绝缘层在所述衬底基板的正投影与所述发光元件的用于发光的部分在所述衬底基板的正投影存在交叠。
- 根据权利要求1所述的发光面板，其中，所述第一信号走线在所述显示区域包括：第一延伸部；所述第一延伸部为网格状，所述第一延伸部在所述衬底基板的正投影与所述第一信号走线所电连接的发光元件的第一电极在所述衬底基板的正投影存在交叠。
- 根据权利要求2所述的发光面板，其中，所述第一信号走线还包括：第二延伸部，所述第二延伸部从所述显示区域延伸至所述周边区域，所述第二延伸部与所述第一延伸部连接。
- 根据权利要求3所述的发光面板，其中，所述显示区域还设置有至少一条辅助走线，所述辅助走线与所述发光元件的第一电极为同层结构；所述辅助走线与所述第一信号走线的第二延伸部直接接触，所述辅助走线在所述衬底基板的正投影与所述第一信号走线的第二延伸部在所述衬底基板的正投影存在交叠。
- 根据权利要求1至4中任一项所述的发光面板，其中，所述第二导电层与所述第一导电层直接接触，且所述第二导电层位于所述第一导电层远离所述衬底基板的一侧。
- 根据权利要求5所述的发光面板，其中，在所述显示区域，所述第二导电层在所述衬底基板的正投影覆盖所述第一导电层在所述衬底基板的正投影。
- 根据权利要求5所述的发光面板，其中，在所述周边区域，所述第二导电层在所述衬底基板的正投影与所述第一导电层在所述衬底基板的正投影部分交叠。
- 根据权利要求1至4中任一项所述的发光面板，其中，所述第二导电层与所述第一导电层直接接触，且所述第二导电层位于所述第一导电层靠近所述衬底基板的一侧。
- 根据权利要求1至8中任一项所述的发光面板，其中，所述显示区域还设置有像素定义层，所述像素定义层具有多个像素开口，所述像素开口暴露出所述发光元件的第一电极的至少部分；所述发光元件的有机发光层通过所述像素开口与所述发光元件的第一电极接触；所述发光元件的第二电极位于所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧，且所述发光元件的第二电极与所述发光元件的有机发光层接触；所述发光元件的位于所述像素开口的部分用于发光。
- 根据权利要求9所述的发光面板，其中，在所述显示区域，所述像素定义层在所述衬底基板的正投影覆盖所述第一导电层在所述衬底基板的正投影。
- 根据权利要求9或10所述的发光面板，其中，所述周边区域设置有多个阻挡坝，所述多个阻挡坝中的至少一个阻挡坝围绕所述显示区域；所述多个阻挡坝与所述像素定义层为同层结构，所述多个阻挡坝沿着远离所述显示区域的方向依次连续排布。
- 根据权利要求11所述的发光面板，其中，沿着远离所述显示区域的方向上，所述多个阻挡坝的总长度大于144微米。
- 根据权利要求1至12中任一项所述的发光面板，其中，所述第一导电层的材料包括金属材料，所述第二导电层的材料包括透明导电材料。
- 一种发光装置，包括如权利要求1至13中任一项所述的发光面板。
- 一种发光面板的制备方法，所述发光面板包括显示区域和位于所述显示区域至少一侧的周边区域，所述显示区域设置有至少一个发光元件，所述发光元件包括：第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和第二电极之间的有机发光层，所述制备方法包括：在衬底基板上形成第一导电层和第二导电层，所述第一导电层包括至少一条第一信号走线，所述第二导电层包括：所述发光元件的第一电极；所述第一导电层与所述第二导电层直接接触，所述发光元件的第一电极与所述第一信号走线连接。
- 根据权利要求15所述的制备方法，其中，所述第一信号走线在所述显示区域包括：第一延伸部；所述第一延伸部为网格状，所述第一延伸部在所述衬底基板的正投影与所述第一信号走线所电连接的发光元件的第一电极在所述衬底基板的正投影存在交叠。
- 根据权利要求15或16所述的制备方法，其中，所述在衬底基板上形成第一导电层和第二导电层，包括：在所述衬底基板上依次形成直接接触的第一导电层和第二导电层，其中，在所述显示区域，所述第二导电层在所述衬底基板的正投影覆盖所述第一导电层在所述衬底基板的正投影；或者，在所述衬底基板上依次形成直接接触的第二导电层和第一导电层。
- 根据权利要求15至17中任一项所述的制备方法，还包括：在所述衬底基板上形成像素定义层，所述像素定义层具有多个像素开口，所述像素开口暴露出所述发光元件的第一电极的至少部分；形成所述发光元件的有机发光层和第二电极；其中，所述发光元件的有机发光层通过所述像素开口与所述发光元件的第一电极接触；所述发光元件的第二电极与所述发光元件的有机发光层接触。
- 一种发光面板的制备方法，所述发光面板包括显示区域和位于所述显示区域至少一侧的周边区域，所述显示区域设置有至少一个发光元件，所述发光元件包括：第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和第二电极之间的有机发光层，所述制备方法包括：在衬底基板上依次形成第一导电层、第一绝缘层和第二导电层；所述第一导电层包括至少一条第一信号走线，所述第二导电层包括：所述发光元件的第一电极，所述发光元件的第一电极通过所述第一绝缘层开设的过孔与所述第一信号走线连接，且所述第一绝缘层在所述衬底基板的正投影与所述发光元件的用于发光的部分在所述衬底基板的正投影存在交叠。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2022/088297 WO2023201657A1 (zh) | 2022-04-21 | 2022-04-21 | 发光面板及其制备方法、发光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117529983A true CN117529983A (zh) | 2024-02-06 |
Family
ID=88418799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202280000838.3A Pending CN117529983A (zh) | 2022-04-21 | 2022-04-21 | 发光面板及其制备方法、发光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117529983A (zh) |
| WO (1) | WO2023201657A1 (zh) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107978622B (zh) * | 2017-11-22 | 2020-08-11 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
| CN108598131B (zh) * | 2018-05-23 | 2021-01-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光基板及其制作方法、发光装置及其制作方法 |
| CN110943111B (zh) * | 2019-11-26 | 2022-02-22 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示基板及其制备方法、显示装置 |
| WO2021140535A1 (ja) * | 2020-01-06 | 2021-07-15 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| WO2022003504A1 (ja) * | 2020-07-03 | 2022-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
| CN113140606B (zh) * | 2021-04-19 | 2024-05-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及制备方法 |
-
2022
- 2022-04-21 CN CN202280000838.3A patent/CN117529983A/zh active Pending
- 2022-04-21 WO PCT/CN2022/088297 patent/WO2023201657A1/zh active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023201657A9 (zh) | 2023-12-21 |
| WO2023201657A1 (zh) | 2023-10-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110120463B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN108336109B (zh) | 有机发光显示面板、显示装置和有机发光显示母板 | |
| KR100579184B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 | |
| CN111524956B (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
| US20160020433A1 (en) | Display device and method of manufacturing the same, method of repairing display device, and electronic apparatus | |
| JP5541984B2 (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| US7545097B2 (en) | Organic electroluminescence device and method for manufacturing same | |
| US11818930B2 (en) | Display device | |
| CN115768197A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN108321305B (zh) | 一种oled显示面板及显示装置 | |
| CN112151694A (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| CN116828898A (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
| CN117529983A (zh) | 发光面板及其制备方法、发光装置 | |
| CN114361188A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN114141841A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN213042915U (zh) | 显示基板和显示装置 | |
| CN117280895A (zh) | 发光基板及其制备方法、发光装置 | |
| EP3501044B1 (en) | Illuminating panel and lighting device | |
| CN114546147B (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN116782712B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| US20240023392A1 (en) | Display device and manufacturing method of the same | |
| CN117873341A (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
| CN117812954A (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| CN117460332A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN117412639A (zh) | 显示面板及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |