CN117260408A - 磨轮修整方法、磨轮修整与否识别方法、系统及减薄设备 - Google Patents
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Abstract
本发明揭示了磨轮修整方法、磨轮修整与否识别方法、系统及减薄设备，其中磨轮修整方法将每片晶圆的减薄过程划分成多个阶段进行，每个阶段对应预定的进给速度、减薄时间以及允许继续进行减薄的补偿时间，在进行一个阶段的减薄后，晶圆的厚度、主轴电流应该处于一个设定的范围内，因此，本发明在减薄的每个阶段，通过对减薄预定时间后的晶圆厚度、主轴电流及进行补偿时间的减薄后的晶圆厚度进行综合判断，如果在预定时间内，晶圆的厚度未达到预期的厚度，但主轴电流变大或者在进行补偿时间的减薄后晶圆的厚度仍不符合要求，则有极大可能是由于磨轮磨削能力出现了问题，此时即对磨轮进行修整，有效保证了磨轮修整的及时性和有效性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件加工领域，尤其是磨轮修整方法、磨轮修整与否识别方法、系统及减薄设备。
背景技术
晶圆减薄是通过主轴驱动磨轮自转并对晶圆的顶面施加一定的压力来实现。
但是磨轮在经过长时间的使用后会出现磨损，从而磨轮的底面会形成凹凸不平的磨损痕迹，造成磨轮的研磨能力大大降低，这样在后续减薄时，会造成减薄效率和质量的显著降低。因此，对磨轮进行修整是必要的。
授权公告号为CN202344362U的实用新型专利揭示了具有磨轮修整功能的减薄结构，但是现有技术对于何时进行磨轮修整却缺少合理的识别判断，这就常造成不能及时发现磨轮异常的情况以进行及时修整。
发明内容
本发明的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种磨轮修整方法、磨轮修整与否识别方法、系统及减薄设备。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：
磨轮修整方法，其特征在于，在研磨机构对一晶圆进行减薄的每个阶段中，按照如下过程确定磨轮是否需要修整：
S1,在每个阶段的减薄开始时，进行计时；
S2,在确定计时时间达到该阶段设定的时间时，判断晶圆的当前厚度是否达到该阶段应达到的目标厚度;
S3,在确定晶圆的当前厚度达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮不需要修整，继续进行下一个阶段的减薄；
S4,在确定晶圆的当前厚度未达到该阶段应达到的目标厚度时，判断当前的主轴电流是否异常；
S5,在确定当前的主轴电流异常时，确定磨轮需要修整；
S6,在确定当前的主轴电流未异常时，继续进行补偿时间的减薄并在补偿时间达到时，判断晶圆的当前厚度是否达到该阶段应达到的目标厚度；
S7,在确定晶圆的当前厚度达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮不需要修整，继续进行下一个阶段的减薄；
S8,在确定晶圆的当前厚度未达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮需要修整；
在确定磨轮需要修整时，使主轴停止继续减薄并通过修整机构对磨轮进行修整。
优选的，在确定磨轮需要修整时，使主轴向上移动至磨轮位于修整机构的修整盘的上方，所述修整机构的修整盘移动至与磨轮共轴的位置或所述修整盘移动至所述磨轮的轴线过所述修整盘的边缘的位置，所述主轴下移使自转的磨轮在修整盘处进行研磨以实现修整，当确定主轴电流达到理想值时，所述主轴上移，所述修整盘移动复位，所述主轴通过修整后的磨轮继续进行之前的晶圆减薄。
优选的，所述修整机构包括修整盘，所述修整盘固定于一载体上且修整盘的轴线平行于磨轮的轴线，所述载体连接驱动其平移且位于承片台或分度台外侧的平移驱动装置。
优选的，所述修整盘伸出时，所述磨轮的轴线过所述修整盘的边缘，且所述载体位于一设置在所述承片台或分度台外侧的支撑座上。
优选的，所述支撑座的顶部包括第一斜面，所述第一斜面靠近所述平移驱动装置的一侧低于其相对的另一侧，所述载体的底面形成有与所述第一斜面匹配的第二斜面。
优选的，所述修整机构包括修整盘，所述修整盘固定于一吸附板的顶部且修整盘的轴线平行于磨轮的轴线，所述吸附板设置于一连接座上，所述连接座连接驱动其绕一位于承片台或分度台外侧的转轴水平转动的旋转驱动机构。
优选的，在所述磨轮进行修整时和/或修整后，承片台驱动所述晶圆持续或间断自转，同时，冷却液喷头持续或间断向所述晶圆的顶面喷洒冷却液。
磨轮修整与否识别方法，包括如下步骤：
S1,在每个阶段的减薄开始时，进行计时；
S2,在确定计时时间达到该阶段设定的时间时，判断晶圆的当前厚度是否达到该阶段应达到的目标厚度;
S3,在确定晶圆的当前厚度达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮不需要修整，继续进行下一个阶段的减薄；
S4,在确定晶圆的当前厚度未达到该阶段应达到的目标厚度时，判断当前的主轴电流是否异常；
S5,在确定当前的主轴电流异常时，确定磨轮需要修整；
S6,在确定当前的主轴电流未异常时，继续进行补偿时间的减薄并在补偿时间达到时，判断晶圆的当前厚度是否达到该阶段应达到的目标厚度；
S7,在确定晶圆的当前厚度达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮不需要修整，继续进行下一个阶段的减薄；
S8,在确定晶圆的当前厚度未达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮需要修整。
磨轮修整与否识别系统，包括：
计时单元,用于在每个阶段的减薄开始时，进行计时；
第一判断单元,用于在确定计时时间达到该阶段设定的时间时，判断晶圆的当前厚度是否达到该阶段应达到的目标厚度;
继续减薄单元,用于在确定晶圆的当前厚度达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮不需要修整，继续进行下一个阶段的减薄；
第二判断单元，用于在确定晶圆的当前厚度未达到该阶段应达到的目标厚度时，判断当前的主轴电流是否异常；
修整确认单元,用于在确定当前的主轴电流异常时，确定磨轮需要修整；
补偿减薄单元,用于在确定当前的主轴电流未异常时，继续进行补偿时间的减薄并在补偿时间达到时，判断晶圆的当前厚度是否达到该阶段应达到的目标厚度，
补偿后继续减薄单元,用于在确定晶圆的当前厚度达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮不需要修整，继续进行下一个阶段的减薄；
补偿后修整确认单元,用于在确定晶圆的当前厚度未达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮需要修整。
减薄设备，包括处理器和存储器，所述存储器存储有可被所述处理器执行的程序，所述程序被执行时实现如上任一所述的磨轮修整方法或如上所述的磨轮修整与否识别方法。
本发明技术方案的优点主要体现在：
本发明将每片晶圆的减薄过程划分成多个阶段进行，每个阶段对应预定的主轴转速、进给速度、时间以及允许进行补偿减薄的补偿时间，在进行一个阶段的减薄后，晶圆的厚度、在对应主轴转速下的主轴电流应该分别处于一个设定的范围内，因此，本发明在减薄的每个阶段，通过对减薄预定时间后的晶圆厚度、主轴电流及进行补偿时间的减薄后的晶圆厚度进行综合判断，如果在预定时间内，晶圆的厚度未达到预期的厚度，但主轴电流变大或者在进行补偿时间的减薄后晶圆的厚度仍不符合要求，则有极大可能是由于磨轮磨削能力出现了问题，此时即可对磨轮进行修整，有效保证了磨轮修整的及时性和有效性，有利于提高减薄质量。
本发明的修整机构采用修整盘平移或旋转的结构，能够有效地适应主轴无法平移的结构，从而在主轴抬起时能够自动进行磨轮的修整。
本发明在修整时，使修整盘的边缘过磨轮的轴线，这样修整盘无需整个移动到磨轮的下方，因此，在修整盘伸出时，修整盘的大部分可以位于承片台或分度台的外侧，从而可以在承片台或分度台的外侧设置支撑机构来对修整盘进行支撑，进而能够有效地保证修整时，修整盘能够提供稳定的支撑力以保证磨轮的稳定修整，同时，可以避免修整时磨轮的下压力造成驱动修整盘伸缩或水平摆动的结构受力变形，提高了结构的稳定性和安全性。
附图说明
图1是本发明的磨轮修整与否识别方法的流程示意图；
图2是本发明的修整机构的第一实施例的俯视图；
图3是本发明的修整机构的第一实施例的局部侧视图；
图4是本发明的磨轮修整方法的流程示意图；
图5是本发明的修整机构的第二实施例的俯视图。
具体实施方式
本发明的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。这些实施例仅是应用本发明技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案，均落在本发明要求保护的范围之内。
在方案的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
实施例1
下面结合附图对本发明揭示的磨轮修整与否识别方法进行阐述，如附图1所示，其包括如下步骤：
S1,在每个阶段的减薄开始时，进行计时；
S2,在确定计时时间达到该阶段设定的时间时，判断晶圆的当前厚度是否达到该阶段应达到的目标厚度;每个阶段设定时间可以根据需要进行设计，此处不作限定，晶圆的当前厚度可以采用已知的测厚方法测得，此处不作赘述。
S3,在确定晶圆的当前厚度达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮200不需要修整，继续进行下一个阶段的减薄，即主轴100继续按照下一个阶段设定的进给速度和主轴转速对晶圆进行减薄。
S4,在确定晶圆的当前厚度未达到该阶段应达到的目标厚度时，则说明该阶段的减薄存在一定的异常，因此，判断当前的主轴电流是否异常，而主轴电流反应的是减薄时的摩擦力。
S5,在确定当前的主轴电流异常时，即确定当前的主轴电流超过当前阶段的主轴转速对应的稳定电流阈值，则确定磨轮200需要修整。
S6,在确定当前的主轴电流未异常时，即确定当前的主轴电流未超过当前阶段的主轴转速对应的稳定电流阈值，则继续进行补偿时间的减薄并在补偿时间达到时，判断晶圆的当前厚度是否达到该阶段应达到的目标厚度；
S7,在确定晶圆的当前厚度达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮200不需要修整，继续进行下一个阶段的减薄；
S8,在确定晶圆的当前厚度未达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮200需要修整。
在确定磨轮200需要修整后，可以根据不同的场景需要采用不同的方式来进行处理，例如在一种方式中，可以停机提醒人工更换磨轮200后再继续减薄。或者，可以将磨轮拆卸并置于外部的减薄设备构处进行修整后再继续使用。但是，这样显然需要额外的人工干预。
因此，更优的方式是能够在线进行磨轮200的修整，即本发明在进行每片晶圆的减薄时，是分多个阶段进行，每个阶段具有设定的进给速度、主轴转速及时间，而磨轮修整方法是在研磨机构对一晶圆进行减薄的每个阶段中，按照上述过程确定磨轮200是否需要修整，在确定磨轮200需要修整时，使主轴100停止继续减薄并通过修整机构300对磨轮200进行在线修整。
在常用的减薄设备中，所述磨轮200仅能沿其轴向进行移动，而无法水平移动。因此，要实现磨轮200的在线修整，就必须使修整机构300的修整盘310能够由磨轮200的外侧移动到所述磨轮200的下方。所述减薄设备可以仅有一个能够直线往复移动的承片台或者具有多个设置于分度台上的承片台。
如附图2、附图3所示，在一种实施例中，所述修整机构300包括修整盘310，所述修整盘310固定于一载体320上，所述修整盘310可以通过已知的真空吸附结构或卡盘等固定在所述载体320上，所述载体320连接驱动其平移且位或分度台500外侧的平移驱动装置330。所述载体320的高度位于承片台400的上方，所述平移驱动装置330可以是气缸、液压缸、伺服模组等可行器件，并且，为了对所述载体320提供足够的支撑和限位，所述载体320还连接导杆340，所述导杆340可伸缩地设置在轴套350中，所述轴套350和平移驱动装置330固定在安装座360上。
如附图3所示，为了更好地在修整时对修整盘310进行支撑，所述修整盘310伸出时，所述修整盘310的边缘311在所述磨轮200的轴线210处，且所述修整盘310所在的载体320位于一设置在所述承片台或分度台500外的支撑座370上，并且，所述支撑座370的顶面包括第一斜面371，所述第一斜面371靠近所述平移驱动装置330的一侧低于其相对的另一侧，为了方便说明将所述第一斜面371的较低一侧定义为较低侧，同时，所述载体320的底面形成有与所述第一斜面371匹配的第二斜面321，这样载体能够更稳定地移动到支撑座上。进一步，所述第一斜面371的较低侧还衔接有第一平面372，所述载体320的底面具有与所述第一平面372匹配的第二平面322，这样在载体受到下压力时，载体和支撑座能够更好地保持位置关系而不会出现相对平移。
同时，当所述减薄设备为申请公布号为CN115338717A的结构时，此时，由于承片台400是设置在分度台500上，所述分度台500会影响所述支撑座370的设置，因此，为了使支撑座370能够更好地对伸出的修整盘310进行支撑，如附图2所示，使所述修整盘310的移动方向A与靠向主轴100的两个承片台400的台面中心的连线B的夹角a为45°，因此，如附图3所示，此时，所述支撑座370能够更接近分度台500，从而支撑座370靠向分度台500的侧面373能够位于修整盘310的轴线的左侧位置，这样修整时，修整盘突出于支撑座370外的部分减少，从而更好地提供支撑。并且，在这种结构中，所述减薄设备具有两个与两个所述主轴匹配的修整机构，两个修整机构镜像对称设置。
如附图3所示，所述载体320上设置有向所述修整盘310喷洒冷却液的喷头380，所述喷头380具体是位于所述载体320上靠近平移驱动装置330的一侧，在所述修整盘310伸出时，所述喷头380能够跟随载体320移动，从而保证磨轮200修整时的冷却，且不需要人工调整喷头380。同时，由于修整盘310和磨轮200仅是局部区域接触，因此，喷头380喷出的冷却液更容易渗到修整盘310和磨轮200之间，从而保证润滑和冷却。
如附图4所示，在确定磨轮200需要修整时，使所述主轴100向上抬起至磨轮高于修整盘，所述修整机构300的修整盘前伸至磨轮200的下方，此时，修整盘的边缘在所述磨轮200的轴线处，所述主轴100下移至修整盘310处进行研磨并实现修整，当确定主轴电流达到理想值时，所述主轴100上移，所述修整盘310移动复位，所述主轴100通过修整后的磨轮200继续进行之前的晶圆减薄。当然，在其他实施例中，修整盘前伸时也可以移动到与磨轮共轴的位置。此时，所述支撑座370可以省去。
在所述磨轮200修整时，会有一定的碎屑和冷却液抛洒到晶圆上，因此，为了避免这些修整的碎屑和冷却液影响后续的减薄，在所述磨轮200进行修整时和/或修整后，所述承片台驱动所述晶圆持续或间断自转，同时，冷却液喷头持续或间断向所述晶圆的顶面喷洒冷却液。
实施例2
本实施例与上述实施例1的整体过程相近，区别在于:本实施例的修整机构不同于上述实施例1的修整机构。
如附图5所示，所述修整机构包括修整盘310，所述修整盘310固定于一吸附板301的顶部且修整盘的轴线平行于磨轮的轴线，采用真空吸附的结构便于修整盘的拆装，同时，能够最大程度地避免固定修整盘的结构干涉修整盘的修整作业。所述吸附板301设置于一连接座302上，所述连接座302连接驱动其绕一位于承片台或分度台外侧的转轴304水平转动的旋转驱动机构。这种结构能够更好地适应紧凑空间下的使用需要。
如附图5所示，所述旋转驱动机构包括载板303，所述连接座302设置在所述载板303上，所述载板303的一端连接在所述转轴304的顶部，所述转轴304通过轴承305可自转地设在转接座306上，所述转轴304的下端连接减速机307，所述减速机307连接驱动电机308，至少所述转接座306固定在支座309上，所述减速机307固定在所述转接座306上，所述驱动电机308固定在减速机的底部。同时，所述支座309连接还连接护罩，所述转轴304的主体、转接座306、减速机307和驱动电机308均位于所述护罩内，所述护罩由矩形罩30a和轴护罩30b两个部分组装而成。这种结构能够有效地适应具有大量水汽的减薄环境。
当然在其他实施例中，所述载板303也可以直接连接在一旋转气缸上。
常态下，所述吸附板301位于磨轮的外侧，当需要对磨轮进行修整时，所述驱动电机308启动驱动所述转轴304转动，转轴304转动使载板303水平摆动，从而使吸附板301吸附的修整盘转动至磨轮下方，然后，自转的磨轮下移与修整盘接触实现修整，在磨轮修整完成后，则可以启动驱动电机308，使所述转轴304反向转动以使所述吸附板301转动到磨轮外侧。
实施例3
本实施例揭示了一种磨轮修整与否识别系统，包括：
计时单元,用于在每个阶段的减薄开始时，进行计时；
第一判断单元,用于在确定计时时间达到该阶段设定的时间时，判断晶圆的当前厚度是否达到该阶段应达到的目标厚度;
继续减薄单元,用于在确定晶圆的当前厚度达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮200不需要修整，继续进行下一个阶段的减薄；
第二判断单元，用于在确定晶圆的当前厚度未达到该阶段应达到的目标厚度时，判断当前的主轴电流是否异常；
修整确认单元,用于在确定当前的主轴电流异常时，确定磨轮200需要修整；
补偿减薄单元,用于在确定当前的主轴电流未异常时，继续进行补偿时间的减薄并在补偿时间达到时，判断晶圆的当前厚度是否达到该阶段应达到的目标厚度；
补偿后继续减薄单元,用于在确定晶圆的当前厚度达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮200不需要修整，继续进行下一个阶段的减薄；
补偿后修整确认单元,用于在确定晶圆的当前厚度未达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮200需要修整。
实施例4
本实施例揭示了一种减薄设备，包括处理器和存储器，所述存储器存储有可被所述处理器执行的程序，所述程序被执行时实现如上所述的磨轮修整方法或如上所述的磨轮修整与否识别方法。
当所述程序被执行时实现如上所述的磨轮修整方法时，所述减薄设备还包括所述修整机构300。
本发明尚有多种实施方式，凡采用等同变换或者等效变换而形成的所有技术方案，均落在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.磨轮修整方法，其特征在于，在研磨机构对一晶圆进行减薄的每个阶段中，按照如下过程确定磨轮是否需要修整：
S1,在每个阶段的减薄开始时，进行计时；
S2,在确定计时时间达到该阶段设定的时间时，判断晶圆的当前厚度是否达到该阶段应达到的目标厚度;
S3,在确定晶圆的当前厚度达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮不需要修整，继续进行下一个阶段的减薄；
S4,在确定晶圆的当前厚度未达到该阶段应达到的目标厚度时，判断当前的主轴电流是否异常；
S5,在确定当前的主轴电流异常时，确定磨轮需要修整；
S6,在确定当前的主轴电流未异常时，继续进行补偿时间的减薄并在补偿时间达到时，判断晶圆的当前厚度是否达到该阶段应达到的目标厚度；
S7,在确定晶圆的当前厚度达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮不需要修整，继续进行下一个阶段的减薄；
S8,在确定晶圆的当前厚度未达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮需要修整；
在确定磨轮需要修整时，使主轴停止继续减薄并通过修整机构对磨轮进行修整。
2.根据权利要求1所述的磨轮修整方法，其特征在于：在确定磨轮需要修整时，使主轴向上移动至磨轮位于修整机构的修整盘的上方，所述修整机构的修整盘移动至与磨轮共轴的位置或所述修整盘移动至所述磨轮的轴线过所述修整盘的边缘的位置，所述主轴下移使自转的磨轮在修整盘处进行研磨以实现修整，当确定主轴电流达到理想值时，所述主轴上移，所述修整盘移动复位，所述主轴通过修整后的磨轮继续进行之前的晶圆减薄。
3.根据权利要求2所述的磨轮修整方法，其特征在于：所述修整机构包括修整盘，所述修整盘固定于一载体上且修整盘的轴线平行于磨轮的轴线，所述载体连接驱动其平移且位于承片台或分度台外侧的平移驱动装置。
4.根据权利要求3所述的磨轮修整方法，其特征在于：所述修整盘伸出时，所述磨轮的轴线过所述修整盘的边缘，且所述载体位于一设置在所述承片台或分度台外侧的支撑座上。
5.根据权利要求4所述的磨轮修整方法，其特征在于：所述支撑座的顶部包括第一斜面，所述第一斜面靠近所述平移驱动装置的一侧低于其相对的另一侧，所述载体的底面形成有与所述第一斜面匹配的第二斜面。
6.根据权利要求2所述的磨轮修整方法，其特征在于：所述修整机构包括修整盘，所述修整盘固定于一吸附板的顶部且修整盘的轴线平行于磨轮的轴线，所述吸附板设置于一连接座上，所述连接座连接驱动其绕一位于承片台或分度台外侧的转轴水平转动的旋转驱动机构。
7.根据权利要求1-6任一所述的磨轮修整方法，其特征在于：在所述磨轮进行修整时和/或修整后，承片台驱动所述晶圆持续或间断自转，同时，冷却液喷头持续或间断向所述晶圆的顶面喷洒冷却液。
8.磨轮修整与否识别方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1,在每个阶段的减薄开始时，进行计时；
S2,在确定计时时间达到该阶段设定的时间时，判断晶圆的当前厚度是否达到该阶段应达到的目标厚度;
S3,在确定晶圆的当前厚度达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮不需要修整，继续进行下一个阶段的减薄；
S4,在确定晶圆的当前厚度未达到该阶段应达到的目标厚度时，判断当前的主轴电流是否异常；
S5,在确定当前的主轴电流异常时，确定磨轮需要修整；
S6,在确定当前的主轴电流未异常时，继续进行补偿时间的减薄并在补偿时间达到时，判断晶圆的当前厚度是否达到该阶段应达到的目标厚度；
S7,在确定晶圆的当前厚度达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮不需要修整，继续进行下一个阶段的减薄；
S8,在确定晶圆的当前厚度未达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮需要修整。
9.磨轮修整与否识别系统，其特征在于，包括：
计时单元,用于在每个阶段的减薄开始时，进行计时；
第一判断单元,用于在确定计时时间达到该阶段设定的时间时，判断晶圆的当前厚度是否达到该阶段应达到的目标厚度;
继续减薄单元,用于在确定晶圆的当前厚度达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮不需要修整，继续进行下一个阶段的减薄；
第二判断单元，用于在确定晶圆的当前厚度未达到该阶段应达到的目标厚度时，判断当前的主轴电流是否异常；
修整确认单元,用于在确定当前的主轴电流异常时，确定磨轮需要修整；
补偿减薄单元,用于在确定当前的主轴电流未异常时，继续进行补偿时间的减薄并在补偿时间达到时，判断晶圆的当前厚度是否达到该阶段应达到的目标厚度，
补偿后继续减薄单元,用于在确定晶圆的当前厚度达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮不需要修整，继续进行下一个阶段的减薄；
补偿后修整确认单元,用于在确定晶圆的当前厚度未达到该阶段应达到的目标厚度时，确定磨轮需要修整。
10.减薄设备，包括处理器和存储器，所述存储器存储有可被所述处理器执行的程序，其特征在于：所述程序被执行时实现如权利要求1-7任一所述的磨轮修整方法或如权利要求8所述的磨轮修整与否识别方法。
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