CN117253424B - 显示装置及叠层结构 - Google Patents

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CN117253424B CN202311544809.6A CN202311544809A CN117253424B CN 117253424 B CN117253424 B CN 117253424B CN 202311544809 A CN202311544809 A CN 202311544809A CN 117253424 B CN117253424 B CN 117253424B
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Abstract

本申请实施例提供一种显示装置及其制作方法，涉及显示技术领域，使盖板兼具良好的抗冲击性能、耐刮擦性能和弯折性能，有效提高可显示装置的可靠性。上述显示装置包括：阵列基板，阵列基板包括衬底和位于衬底一侧的阵列层；盖板，盖板位于阵列层背向衬底一侧，盖板包括第一膜层和第二膜层，第一膜层位于第二膜层背向衬底一侧；其中，第一膜层由高模量材料形成，高模量材料的弹性模量为E1，50Mpa≤E1≤5Gpa，第二膜层由具有粘性和剪切增稠特性的改性吸能抗冲材料形成。

Description

显示装置及叠层结构
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体的涉及一种显示装置及叠层结构。
背景技术
随着柔性折叠屏技术的日趋成熟，可折叠的显示装置将会是未来移动终端发展的一大趋势。该类显示装置折叠后看起来与传统的手机大小类似，更易携带，而展开后其显示屏则可达到传统手机屏幕的两倍左右，为用户在阅读、游戏和办公等领域带来了全新的视觉体验和便利。
传统的非折叠显示装置的盖板为玻璃盖板，玻璃盖板可以很好的抵抗外力的冲击，有效保护显示屏不被磕裂。而可折叠显示装置中的盖板则由柔性材料形成，当显示装置的屏幕受到挤压、磕碰等受力场景后，盖板难以对显示屏进行有效保护，从而导致可折叠显示装置在挤压、落球、跌落等方面的可靠性较差。
发明内容
有鉴于此，本申请提供一种显示装置及其制作方法，使盖板兼具良好的抗冲击性能、耐刮擦性能和弯折性能，有效提高可显示装置的可靠性。
第一方面，本申请实施例提供一种显示装置，包括：
阵列基板，所述阵列基板包括衬底和位于所述衬底一侧的阵列层；
盖板，所述盖板位于所述阵列层背向所述衬底一侧，所述盖板包括第一膜层和第二膜层，所述第一膜层位于所述第二膜层背向所述衬底一侧；
其中，所述第一膜层由高模量材料形成，所述高模量材料的弹性模量为E1，50Mpa≤E1≤5Gpa，所述第二膜层由具有粘性和剪切增稠特性的改性吸能抗冲材料形成。
在一种实施方式中，所述改性吸能抗冲材料包括改性硅胶、改性热塑性聚氨酯弹性体橡胶、改性聚氨酯或改性剪切增稠材料。
在一种实施方式中，所述改性吸能抗冲材料的分子结构包括键合的聚合物分子主链和改性聚合物分子主链，其中，所述改性聚合物分子主链具有氢键或配位键，所述配位键包括硼氧键、金属-邻苯二酚或金属-组氨酸。
进一步地，所述第二膜层的弹性模量为E2，10Kpa≤E2≤500Mpa。
进一步地，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第一膜层的膜厚小于所述第二膜层的膜厚。
在一种实施方式中，所述盖板还包括第三膜层，所述第三膜层位于所述第二膜层朝向所述衬底一侧，所述第三膜层由高模量材料形成，所述高模量材料形成的弹性模量为E3，50Mpa≤E3≤5Gpa。
在一种实施方式中，所述盖板还包括第四膜层，所述第四膜层位于所述第二膜层朝向所述衬底一侧，所述第四膜层由具有粘性和剪切增稠特性的改性吸能抗冲材料形成。
在一种实施方式中，所述阵列层包括无机绝缘层，至少一层所述无机绝缘层具有镂空部，所述镂空部内填充有有机部。
进一步地，所述阵列层包括沿背向所述衬底层叠设置的防护层、半导体层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、层间绝缘层和源漏极层，所述无机绝缘层包括所述防护层、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述层间绝缘层；
其中，所述防护层具有第一镂空部，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第一镂空部与所述半导体层不交叠；
所述第一栅极绝缘层具有第二镂空部，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第二镂空部与所述第一栅极层不交叠；
所述第二栅极绝缘层具有第三镂空部，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第三镂空部与所述第二栅极层不交叠；
所述层间绝缘层具有第四镂空部，所述显示装置包括显示区，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第四镂空部覆盖所述显示区。
进一步地，所述显示装置包括显示区和非显示区，所述非显示区包括移位寄存器电路区和扇形走线区，所述镂空部位于所述显示区和所述移位寄存器电路区，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述镂空部与所述扇形走线区不交叠。
在一种实施方式中，所述显示装置还包括保护膜，所述保护膜位于所述盖板背向所述衬底一侧；
所述保护膜包括抗反射层，所述抗反射层包括中空的减反粒子，所述减反粒子的颗粒粒径为r，25nm≤r≤30nm，和/或，所述减反粒子的颗粒壁厚为k，10nm≤k≤12nm。
在一种实施方式中，所述保护膜还包括硬涂层，所述硬涂层位于所述抗反射层与所述盖板之间；
所述硬涂层的硬度为h，1H≤h≤2H，和/或，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述硬涂层的膜厚为D1，5μm≤D1≤8μm，和/或，所述硬涂层的弹性模量为E4，80Gpa≤E4≤100Gpa。
在一种实施方式中，所述显示装置还包括胶层，所述胶层位于所述盖板与所述阵列层之间，所述胶层的玻璃化转变温度为Tg，Tg≤-40℃。
进一步地，形成所述胶层的胶层溶液由包括如下质量百分比的材料合成：第一软单体40%~66%，第二软单体2%~8%，引发剂0.05%~0.4%，交联剂0.05%~0.5%，硬单体2%~10%，大分子聚合物30%~50%；
其中，所述第一软单体和所述第二软单体的玻璃化转变温度小于或等于-40℃，所述硬单体的玻璃化转变温度大于或等于0℃。
进一步地，所述第一软单体和所述第二软单体分别包括丙烯酸异辛酯、丙烯酸正己酯、丙烯酸羟丁酯、丙烯酸正丁酯中的一种或多种；
所述硬单体包括羟基丙烯酸酯单体、羧基丙烯酸酯单体、胺基丙烯酸酯单体、丙烯酸二环戊基酯中的至少一种；
所述引发剂包括自由基光引发剂；
所述交联剂包括双官能度丙烯酸酯活性聚合物，且所述交联剂的分子量大于或等于200 g/mol 且小于或等于5000 g/mol；
所述大分子聚合物由所述第一软单体、所述第二软单体和所述硬单体预聚制备形成，且所述大分子聚合物的分子量大于或等于10×104g/mol 且小于或等于100×104g/mol。
在一种实施方式中，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述胶层的膜厚为D2，15μm ≤D2≤100μm，和/或，所述胶层的弹性模量为E5，5Kpa≤E5≤50Mpa。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种显示装置的制作方法，包括：
在衬底上形成阵列层；
形成盖板，形成所述盖板的过程包括：在所述阵列层背向所述衬底一侧形成第二膜层，所述第二膜层由具有粘性和剪切增稠特性的改性吸能抗冲材料形成；在所述第二膜层背向所述衬底一侧形成第一膜层，所述第一膜层由高模量材料形成，所述高模量材料形成的弹性模量为E1，50Mpa≤E1≤5Gpa。
在一种实施方式中，在形成所述第二膜层之前，形成所述盖板的过程还包括：在所述阵列层背向所述衬底一侧第三膜层，所述第三膜层由高模量材料形成，所述高模量材料形成的弹性模量为E3，50Mpa≤E3≤5Gpa。
在一种实施方式中，在形成所述第二膜层之前，形成所述盖板的过程还包括：在所述阵列层背向所述衬底一侧第四膜层，所述第四膜层由具有粘性和剪切增稠特性的改性吸能抗冲材料形成。
在一种实施方式中，形成所述阵列层的过程包括：形成无机绝缘层，且在至少一层所述无机绝缘层中形成镂空部，并在所述镂空部内填充有机材料以形成有机部。
进一步地，形成所述阵列层的过程包括：
在所述衬底上依次形成防护层、半导体层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层和层间绝缘层，所述无机绝缘层包括所述防护层、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述层间绝缘层；
对所述层间绝缘层和所述第二栅极绝缘层进行刻蚀，以在所述层间绝缘层上形成第四镂空部以及在所述第二栅极绝缘层上形成第三镂空部，并且，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第四镂空部覆盖显示装置的显示区，所述第三镂空部与所述第二栅极层不交叠；
对所述第一栅极绝缘层和所述防护层进行刻蚀，以在所述第一栅极绝缘层上形成第二镂空部以及在所述防护层上形成第一镂空部，并且，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第二镂空部和所述第一镂空部与所述半导体层和所述第一栅极层不交叠；
在所述第一镂空部、所述第二镂空部、所述第三镂空部和所述第四镂空部内填充有机材料；
形成所述源漏极层。
在一种实施方式中，形成所述盖板之后，所述制作方法还包括形成包括抗反射层的保护膜；
其中，形成所述抗反射层的过程包括：通过自组装或表面活性剂形成内核微球/微乳液，在所述内核微球表面使用溶胶凝胶法制备二氧化硅壳层，然后通过溶剂反复清洗带走所述内核微球以形成中空二氧化硅，所述中空二氧化硅的颗粒粒径为r，25nm≤r≤30nm，和/或，所述中空二氧化硅的颗粒壁厚为k，10nm≤k≤12nm。
在一种实施方式中，形成所述抗反射层之前，形成所述保护膜的过程还包括形成硬涂层，所述硬涂层的硬度为h，1H≤h≤2H；和/或，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述硬涂层的膜厚为d4，5μm≤d4≤8μm；和/或，所述硬涂层的弹性模量为E4，80Gpa≤E4≤100Gpa。
在一种实施方式中，形成所述第二膜层之前，所述制作方法还包括形成胶层；
形成所述胶层的过程包括：配置胶层溶液以及利用配置的胶层溶液制备胶层，其中，胶层溶液由包括如下质量百分比的材料合成：第一软单体40%~66%，第二软单体2%~8%，引发剂0.05%~0.4%，交联剂0.05%~0.5%，硬单体2%~10%，大分子聚合物30%~50%；所述第一软单体和所述第二软单体的玻璃化转变温度小于或等于-40℃，所述硬单体的玻璃化转变温度大于或等于0℃。
本申请提供的显示装置及其制作方法，具有如下有益效果：
在本发明实施例中，显示装置中的盖板为至少由第一膜层和第二膜层层叠形成的叠层结构，本发明实施例通过对第一膜层和第二膜层进行设计，使其具有不同的特性，可以利用第一膜层和第二膜层性能上的相互配合，使盖板兼具良好的抗冲击性能、耐刮擦性能和弯折性能，提高对显示装置的防护能力。
具体地，第一膜层的弹性模量较高，硬度也相应较高，通过将其设置在显示装置的外侧，显示装置受到外力冲击或是挤压时，冲击应力或挤压应力会先作用于第一膜层，此时，硬度较高的第一膜层不仅可以提高耐刮擦性能，防止显示装置的屏幕被划伤，还可以有效降低冲击应力或挤压应力下的形变量，从而有效减小显示装置内部的膜层，如无机层的应变。进一步地，通过在第一膜层内侧再设置一层具有粘性和剪切增稠特性的吸能抗冲的第二膜层，可以利用第二膜层进一步实现缓冲效果：一方面，第二膜层可以将冲击或挤压产生的机械能转变为热能，对冲击能量或挤压能量进行吸收，另一方面，第二膜层具有剪切增稠特性，在低应力速率下，第二膜层保持材料柔软，其弯折性能更优，在高应力速率下，第二膜层弹性模量增大，有效阻挡外界的冲击应力或挤压应力，保护显示装置不受损伤，再一方面，第二膜层具有粘性，提高了第二膜层与相邻两侧膜层的粘附力，当显示装置弯折或者受到外力作用时，能够降低第二膜层脱离的风险，进而提高第二膜层吸能抗冲的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中显示装置的一种结构示意图；
图2为现有技术中显示装置的另一种结构示意图；
图3为现有技术中发光器件层的结构示意图；
图4为本发明实施例所提供的显示装置的结构示意图；
图5为本发明实施例所提供的改性吸能抗冲材料的分子结构示意图；
图6A为本发明实施例所提供的显示装置的另一种结构示意图；
图6B为本发明实施例所提供的显示装置的再一种结构示意图；
图7为现有技术中无机绝缘层开裂的示意图；
图8为图7中区域A的放大示意图；
图9为现有技术中显示装置的弯折方向示意图；
图10为现有技术中显示装置的弯折示意图；
图11为现有技术中显示装置正面被挤压时的示意图；
图12为本发明实施例所提供的显示装置的又一种结构示意图；
图13为本发明实施例所提供的显示装置的又一种结构示意图；
图14为本发明实施例所提供的弯折工况的示意图；
图15为本发明实施例所提供的挤压工况的示意图；
图16为本发明实施例所提供的显示装置的俯视图；
图17为图16沿A1-A2方向的剖视图；
图18为本发明实施例所提供的保护膜的结构示意图；
图19为本发明实施例所提供的保护膜被刮擦的示意图；
图20为本发明实施例所提供的保护膜的形变示意图；
图21为本发明实施例所提供的两种抗反射层的结构对比示意图；
图22为本发明实施例所提供的作用力与仿真时间的仿真曲线图
图23为本发明实施例所提供的显示装置的又一种结构示意图；
图24为本发明实施例所提供的制作方法的流程图；
图25为本发明实施例所提供的阵列层制作方法的结构流程图；
图26A为本发明实施例所提供的硫鎓盐的分子结构示意图；
图26B为本发明实施例所提供的梯形硅氧烷的分子结构示意图；
图26C为本发明实施例所提供的笼型硅氧烷的分子结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
在阐述本发明所提供的技术方案之前，本发明首先对显示装置的结构进行详细说明，以便对显示装置有一个更加深入的了解：
图1为现有技术中显示装置的一种结构示意图，如图1所示，显示装置包括层叠设置的基底101、阵列基板102、发光器件层103、封装层104、偏振片105、触控层106和盖板107，此外，显示装置还包括绑定在阵列基板102上的驱动芯片108。
图2为现有技术中显示装置的另一种结构示意图，如图2所示，基底101具体可包括钢片109、以及底膜、粘胶等过渡层110，阵列基板102具体可包括由聚酰亚胺（Polyimide，PI）材料形成的衬底111、以及位于衬底111一侧的阵列层112，阵列层112具体可包括用于形成电子器件（如晶体管和存储电容）的半导体层和金属层，以及多个无机绝缘层。图3为现有技术中发光器件层的结构示意图，如图3所示，发光器件层103具体可包括层叠设置的阳极113、空穴注入层114、空穴传输层115、发光层116、电子传输层117、电子注入层118和阴极119，在驱动显示装置发光时，阵列层112中的电子器件向阳极113传输驱动电流，电子和空穴分别注入到发光层116内进行复合发光。请再次参见图2，封装层104具体可包括层叠设置的第一无机封装层120、有机封装层121和第二无机封装层122，封装层104用于防止外界水氧渗入，对显示装置内的发光器件和电子器件进行保护。
在现有技术中，可折叠显示装置中的盖板107通常为由聚对苯二甲酸乙二醇酯（Polyethylene glycol terephthalate，PET）、热塑性聚氨酯弹性体橡胶(Thermoplasticpolyurethanes，TPU)或透明聚酰亚胺（Clear Polyimide，CPI）等材料形成的单层薄膜结构。由于盖板107的形成材料类型单一，因而盖板107特性也较为单一。例如，盖板107为PET薄膜时，PET薄膜材质较硬，抗冲击性能较差，显示装置的屏幕收到外力冲击之后，难以将冲击能量吸收或者耗散掉，而盖板107为TPU薄膜时，TPU薄膜属于橡胶材质，虽材质较软，可以吸收一定的冲击能量，但表面抗划伤和耐刮擦能力又较差，而且也不耐挤压。
因此，现有显示装置中的盖板107难以兼具良好的抗冲击性能、耐刮擦性能和弯折性能，导致显示装置的可靠性较差。
为此，本发明实施例提供了一种显示装置，图4为本发明实施例所提供的显示装置的结构示意图，如图4所示，该显示装置包括阵列基板1，阵列基板1包括衬底2和位于衬底2一侧的阵列层3。显示装置还包括盖板4，盖板4位于阵列层3背向衬底2一侧，盖板4包括第一膜层5和第二膜层6，第一膜层5位于第二膜层6背向衬底2一侧。
其中，第一膜层5由高模量材料形成，高模量材料的弹性模量为E1，50Mpa≤E1≤5Gpa，示例性的，第一膜层5可采用TPU、聚氨酯（polyurethane，PU）或者聚碳酸酯（Polycarbonate，PC）、PET、PI、聚甲基丙烯酸甲酯（Polymethyl Methacrylate，PMMA）等有机材料形成。第二膜层6由具有粘性和剪切增稠特性的改性吸能抗冲材料形成。
需要说明的是，请再次参见图4，显示装置还包括基底7、发光器件层8、封装层9、偏振片10和触控层11，这部分结构的具体膜层结构以及与阵列基板1、盖板4的相对位置关系与现有技术相同，此处不再赘述。
在本发明实施例中，显示装置中盖板4为至少由第一膜层5和第二膜层6层叠形成的叠层结构，本发明实施例通过对第一膜层5和第二膜层6进行设计，使其具有不同的特性，可以利用第一膜层5和第二膜层6性能上的相互配合，使盖板4兼具良好的抗冲击性能、耐刮擦性能和弯折性能，提高对显示装置的防护能力。
具体地，第一膜层5的弹性模量较高，硬度也相应较高，通过将其设置在显示装置的外侧，显示装置受到外力冲击或是挤压时，冲击应力或挤压应力会先作用于第一膜层5，此时，硬度较高的第一膜层5不仅可以提高耐刮擦性能，防止显示装置的屏幕被划伤，还可以有效降低冲击应力或挤压应力下的形变量，从而有效减小显示装置内部的膜层，如无机层的应变。进一步地，通过在第一膜层5内侧再设置一层具有粘性和剪切增稠特性的吸能抗冲的第二膜层6，可以利用第二膜层6进一步实现缓冲效果：一方面，第二膜层6可以将冲击或挤压产生的机械能转变为热能，对冲击能量或挤压能量进行吸收，另一方面，第二膜层6具有剪切增稠特性，在低应力速率下，第二膜层6保持材料柔软，其弯折性能更优，在高应力速率下，第二膜层6弹性模量增大，有效阻挡外界的冲击应力或挤压应力，保护显示装置不受损伤，再一方面，第二膜层6具有粘性，提高了第二膜层6与相邻两侧膜层的粘附力，当显示装置弯折或者受到外力作用时，能够降低第二膜层6脱离的风险，进而提高第二膜层6吸能抗冲的可靠性。
经验证，相对于相同厚度的PET单层薄膜或TPU单层薄膜，本发明实施例所提供的叠层结构的盖板4的抗冲击性能能够提升至少100%。
在一种实施方式中，用于形成第二膜层6的改性吸能抗冲材料具体可包括改性硅胶、改性热塑性聚氨酯弹性体橡胶（Thermoplastic polyurethanes，TPU）、改性聚氨酯（polyurethane，PU）或改性剪切增稠材料。这类材料材质较软，形变较大，因而吸能效果更好。进一步地，改性吸能抗冲材料具体可为聚硼硅氧烷改性硅胶。
在一种实施方式中，图5为本发明实施例所提供的改性吸能抗冲材料的分子结构示意图，如图5所示，改性吸能抗冲材料的分子结构包括键合的聚合物分子主链71和改性聚合物分子主链72，其中，改性聚合物分子72主链具有氢键或配位键，配位键包括硼氧键、金属-邻苯二酚或金属-组氨酸，图5中氢键或配位键用附图标记73表示。
其中，上述聚合物分子主链为硅胶分子主链，改性聚合物分子主链为改性硅胶分子主链，或，上述聚合物分子主链为TPU分子主链，改性聚合物分子主链为改性TPU分子主链，或，上述聚合物分子主链为PU分子主链，改性聚合物分子主链为改性PU分子主链。
本发明实施例通过在微观上对第二膜层6形成材料的分子结构进行调整，在分子结构中引入氢键或硼氧键、硼氧键、金属-邻苯二酚或金属-组氨酸等配位键，可以使材料具有剪切增稠的特性，而通过令聚合物分子主链和改性聚合物分子主链键合，还可以利用改性聚合物分子主链是使材料具有粘性，从而使最终所形成的第二膜层6兼具粘性和剪切增稠特性，优化第二膜层6的性能。
在一种实施方式中，第二膜层6的弹性模量为E2，10Kpa≤E2≤500Mpa。对于第二膜层6来说，为实现良好的吸能效果，第二膜层6需要具有足够的形变来吸收能量，因此，第二膜层6的弹性模量不宜过高，而若第二膜层6的弹性模量过低的话，第二膜层6的材质又会过软，在冲击应力或挤压应力下第二膜层6会产生很大的形变，由于第二膜层6具有一定粘性，因此会导致第二膜层6与相邻侧膜层之间相互拉扯，增大第二膜层6脱离的风险。为此，本发明实施例通过将第二膜层6的弹性模量设置在10Kpa~500Mpa范围内，既能避免弹性模量过低，保证第二膜层6具有良好的吸能效果，还能避免弹性模量过高，降低第二膜层6在外力作用下脱离的风险。
需要说明的是，显示装置受到冲击或挤压时，应力作用于各个膜层时主要表现为横向的剪切力和纵向的挤压力，应力作用于第一膜层5时，剪切力会随着第一膜层5的震动横向扩散至四周，挤压力则会继续纵向扩散至第二膜层6，利用第二膜层6对该挤压力进行一定程度的吸收。为了保证第一膜层5和第二膜层6具有足够的厚度以优化其震动散能效果或吸能效果，降低应力对其它膜层的影响，请再次参见图4，在垂直于衬底2所在平面的方向上，第一膜层5的膜厚为d1，20μm≤d1≤200μm，第二膜层6的膜厚为d2，20μm≤d2≤200μm。
进一步地，在垂直于衬底2所在平面的方向上，第一膜层5的膜厚小于第二膜层6的膜厚，示例性的，第一膜层5的膜厚为50μm，第二膜层6的膜厚为100μm。通过将第二膜层6设置的更厚一些，可以增大第二膜层6在厚度方向上产生的形变，进而进一步提高第二膜层6的吸能抗冲效果。
在一种实施方式中，图6A为本发明实施例所提供的显示装置的另一种结构示意图，如图6A所示，盖板4还包括第三膜层12，第三膜层12位于第二膜层6朝向衬底2一侧，第三膜层12由高模量材料形成，高模量材料形成的弹性模量为E3，50Mpa≤E3≤5Gpa。示例性的，第三膜层12可采用TPU、PU或者PC、PET、PMMA、PI等有机材料形成。
通过在第二膜层6进一步增设一个高模量的第三膜层12，第三膜层12硬度相应较高，可以对第二膜层6所产生的较大的形变进行阻隔，避免形变继续向内侧累加，导致阵列层3中的膜层也产生较大形变，使盖板4具有更好的抗冲击性能。
进一步地，为优化第三膜层12的抗冲击效果，请再次参见图6A，在垂直于衬底2所在平面的方向上，第三膜层12的膜厚为d3，20μm≤d3≤200μm。
需要说明的是，第三膜层12可以和第一膜层5采用相同材料和相同膜厚，也可采用不同材料和不同膜厚。示例性的，第一膜层5采用PI材料形成，膜厚为50μm，第二膜层6采用聚硼硅氧烷改性硅胶形成，膜厚为100μm，第三膜层12采用PET材料形成，膜厚为50μm。
在一种实施方式中，图6B为本发明实施例所提供的显示装置的再一种结构示意图，如图6B所示，盖板4还包括第四膜层44，第四膜层44位于第二膜层6朝向衬底2一侧，第四膜层44由具有粘性和剪切增稠特性的改性吸能抗冲材料形成。
通过在第二膜层6内侧进一步增设由改性吸能抗冲材料形成的第四膜层44，不仅可以利用第四膜层44进一步吸收冲击能量或挤压能量，达到更好的缓冲效果，还可以利用第四膜层44自身的粘性和剪切增稠特性使盖板4具有更好的抗挤压性能。
进一步地，请再次参见图6B，在垂直于衬底2所在平面的方向上，第四膜层44的膜厚为d4，20μm≤d4≤200μm。
此外，还需要说明的是，显示装置的膜层结构包括多个无机层，例如，阵列基板中包括多个无机绝缘层，封装层中包括多个无机封装层，相较于有机材料，无机材料的耐弯折性较差，这就导致显示装置内部膜层所受的应力难以释放。以阵列基板中的无机绝缘层为例，结合图1和图2，图7为现有技术中无机绝缘层开裂的示意图，图8为图7中区域A的放大示意图，如图7和图8所示，阵列基板102包括多个无机绝缘层123和多个金属层124，显示装置弯折或受到外力作用时，当应力积聚超过无机绝缘层123的开裂阈值时，就会引起无机绝缘层123的开裂，导致显示装置的抗冲击和弯折可靠性的保障难度较大。而且无机绝缘层123开裂还会进一步引起与无机绝缘层123相邻的金属层124的断线，进而导致显示装置出现碎亮点及亮线等不良显示现象。
尤其地，对于外折的显示装置来说，结合图1和图2，图9为现有技术中显示装置的弯折方向示意图，图10为现有技术中显示装置的弯折示意图，如图9和图10所示，随着外折半径R的越来越小，阵列基板102所受的弯折或挤压应力会越来越大，阵列基板102中的无机绝缘层123产生裂纹的风险也较大，尤其当弯折半径R减小至3mm甚至1mm时，无机绝缘层123存在较大的断裂风险，从而对弯折半径R的进一步开发产生了一定的制约性。
此外，图11为现有技术中显示装置正面被挤压时的示意图，其中，图11中所示的竹书结构125用于提高弯折性能，如图11所示，由于现有显示装置表面的盖板107为单层的柔性薄膜结构，当显示装置正面受到挤压时，盖板107形变较大，相应的阵列基板102形变也较大，这就导致阵列基板102中的无机绝缘层123更易产生裂纹。
可见，现有显示装置中无机绝缘层123对显示装置的可靠性也产生了较大的影响。
为此，在本发明实施例中，图12为本发明实施例所提供的显示装置的又一种结构示意图，如图12所示，阵列层3包括无机绝缘层13，至少一层无机绝缘层13具有镂空部14，镂空部14内填充有有机部15。相较于整层覆盖的无机绝缘层13来说，本发明实施例通过在无机绝缘层13中设置镂空部14，并在镂空部14内填充有机材料，可以利用有机材料对无机绝缘层13内集中的应力进行分散，避免应力积聚至无机绝缘层13的开裂阈值，从而有效降低了阵列基板1中无机绝缘层13和金属层断裂的风险，既提高了显示装置的抗挤压性能和耐弯折性能，还避免了由金属层断线导致的碎亮点及亮线等不良显示现象。
进一步地，请再次参见图12，显示装置包括显示区16。阵列层3包括沿背向衬底2层叠设置的防护层17、半导体层18、第一栅极绝缘层19、第一栅极层20、第二栅极绝缘层21、第二栅极层22、层间绝缘层23和源漏极层24，其中，无机绝缘层13包括防护层17、第一栅极绝缘层19、第二栅极绝缘层21和层间绝缘层23。需要说明的是，阵列层3中的电子器件包括晶体管25和存储电容26，晶体管25包括位于半导体层18的有源层27、位于第一栅极层20的栅极28、位于源漏极层24的源极29和漏极30，存储电容26包括位于第一栅极层20的第一极板31和位于第二栅极层22的第二极板32。
其中，防护层17具有第一镂空部33，在垂直于衬底2所在平面的方向上，第一镂空部33与半导体层18不交叠，第一栅极绝缘层19具有第二镂空部34，在垂直于衬底2所在平面的方向上，第二镂空部34与第一栅极层20不交叠，第二栅极绝缘层21具有第三镂空部35，在垂直于衬底2所在平面的方向上，第三镂空部35与第二栅极层22不交叠，层间绝缘层23具有第四镂空部36，在垂直于衬底2所在平面的方向上，第四镂空部36覆盖显示区16。
基于上述设置方式，防护层17、第一栅极绝缘层19、第二栅极绝缘层21和层间绝缘层23多个无机绝缘层13中均具有镂空部14，更大程度地利用填充在镂空部14中的有机部15提高了显示装置的抗挤压性能和耐弯折性能。而且，防护层17、第一栅极绝缘层19和第二栅极绝缘层21中的镂空部14分别与所在膜层背向衬底2一侧的金属层或半导体层18不交叠，也就是金属层或半导体层18下侧仍与无机材料相邻，从而能够利用无机材料起到更好的绝缘作用。示例性地，存储电容26的两个极板之间仍间隔无机材料，存储电容26的电容介质层仍为无机层，由于无机材料的介电常数较高，因此存储电容26的电子特性更优。
需要说明的是，请再次参见图12，阵列层3与发光器件层8之间设有用于形成平坦表面的平坦化层56，发光器件层8包括沿背向衬底2层叠设置的阳极37、发光层38和阴极39，封装层9包括沿背向衬底2层叠设置的第一无机封装层40、有机封装层41和第二无机封装层42，显示装置还包括位于阳极37背向衬底2一侧的像素定义层43，像素定义层43具有开口，发光层38位于开口内。此外，发光器件层8还包括位于像素定义层43背向衬底2一侧的支撑柱45，支撑柱45用于为后续发光层38蒸镀时起到支撑超精细掩膜板（Fine metal mask，FMM）的作用。
此外，还需要说明的是，请再次参见图12，防护层17具体可包括隔离层46和位于隔离层46背向衬底2一侧的缓冲层47，隔离层46和缓冲层47能够隔离承载玻璃中的Na+和K+，并且，缓冲层47还可以在准分子激光退火（Excimer laser annealing，ELA）工艺中起到保温作用。图13为本发明实施例所提供的显示装置的又一种结构示意图，如图13所示，隔离层46和缓冲层47之间还可间隔一层PI层48，在对隔离层46和缓冲层47进行刻蚀以形成镂空部14时，可以采用同一构图工艺同时对缓冲层47、PI层48和隔离层46进行图案化，然后再在缓冲层47、PI层48和隔离层46的镂空部14内填充有机材料形成有机部15即可。
此外，发明人还对上述结构的弯折性能和耐挤压性能进行了验证。相较于图7所示的现有结构，采用本发明实施例所提供的结构，图14为本发明实施例所提供的弯折工况的示意图，如图14所示，将显示装置弯折到由图中虚线限定出的特定弯折状态时，现有结构中无机绝缘层，如缓冲层47的最大主应变为4858ue，而本发明实施例的结构，缓冲层47的最大主应变降低至了4560ue，降低了6.1%。图15为本发明实施例所提供的挤压工况的示意图，如图15所示，采用挤压头对显示装置进行挤压时，现有结构中缓冲层47的最大主应变为5754ue，而本发明实施例的结构，缓冲层47的最大主应变降低至了5242ue，降低了8.7%。
在一种实施方式中，图16为本发明实施例所提供的显示装置的俯视图，图17为图16沿A1-A2方向的剖视图，如图16和图17所示，显示装置包括显示区16和非显示区49，非显示区49包括移位寄存器电路区50和扇形走线区51，其中，显示区16设有像素电路、移位寄存器电路区50设有用于向像素电路输出扫描信号或发光控制信号的移位寄存器，镂空部14位于显示区16和移位寄存器电路区50，在垂直于衬底2所在平面的方向上，镂空部14与扇形走线区51不交叠。
通常，扇形走线区51中的走线需要传输大电流信号，通过在扇形走线区51内保留无机材料，仅对显示区16和移位寄存器电路区50对无机绝缘层13进行图案化，可以使扇形走线区51中的金属走线仍与无机材料相邻，进而利用无机材料介电常数较优的特性防止大电流击穿。
在一种实施方式中，图18为本发明实施例所提供的保护膜的结构示意图，如图18所示，显示装置还包括保护膜80，保护膜80位于盖板4背向衬底2一侧。保护膜80包括抗反射层81、位于抗反射层81朝向衬底2一侧的硬涂层52、位于硬涂层52朝向衬底2一侧的PET层53和光学胶54。
图19为本发明实施例所提供的保护膜被刮擦的示意图，图20为本发明实施例所提 供的保护膜的形变示意图，如图19和图20所示，保护膜80被刮擦时，刮擦会产生z方向的剪 切力和y方向的挤压力，剪切力积聚会对保护膜80的表面进行划伤，而挤压力则会使保护膜 80产生向下凹陷的形变，保护膜80发生形变时，保护膜80的挠度增量，其中，E为 保护膜80的弹性模量，F为刮擦产生的作用力，L为保护膜80的长度，h为保护膜80在垂直于 衬底2方向上的膜厚，B为保护膜80的宽度。可见，保护膜80的挠度增量和保护膜80的弹性模 量呈反比，即，保护膜80越硬，保护膜80的挠度增量越小，向下凹陷的形变程度越小。
在一种实施方式中，请再次参见图18，抗反射层81包括中空的减反粒子60，减反粒子60的颗粒粒径为r，25nm≤r≤30nm，和/或，减反粒子60的颗粒壁厚为k，10nm≤k≤12nm。其中，颗粒粒径是指颗粒的圆心到颗粒外壁的距离。
当保护膜80表面受到刮擦时，剪切力首先会作用在抗反射层81中。在现有技术中，抗反射层81中的减反粒子60的颗粒粒径在35~40nm之间，颗粒壁厚在5~7nm之间，本发明实施例通过减小减反粒子60的颗粒粒径和/或增大减反粒子60的颗粒壁厚，可以提高抗反射层81对抗剪切力的能力，更快速地将剪切力分散掉，避免外力划伤保护膜80的表面。
具体地，图21为本发明实施例所提供的两种抗反射层的结构对比示意图，如图21所示，抗反射层A中减反粒子60的颗粒粒径r1为30nm，颗粒壁厚k1为10nm，抗反射层B中减反粒子60的颗粒粒径r2为40nm，颗粒壁厚k2为6nm，当对抗反射层A和抗反射层B进行同样程度的刮擦时，图22为本发明实施例所提供的作用力与仿真时间的仿真曲线图，图22中的两条虚线分别对应抗反射层A和抗反射层B的线性拟合直线，如图22所示，抗反射层A的z方向作用力最大约5×E15~6×E15，抗反射层B的z方向作用力最大约1×E15~3×E15，可见，抗反射层A的耐磨性能是抗反射层B的耐磨性能的2~3倍。
在一种实施方式中，硬涂层52的硬度为h，1H≤h≤2H；和/或，在垂直于衬底2所在平面的方向上，硬涂层52的膜厚为D1，5μm≤D1≤8μm；和/或，硬涂层52的弹性模量为E4，80Gpa≤E4≤100Gpa。示例性的，在保护膜80中，抗反射层81的膜厚为200nm，硬涂层52的膜厚为5μm，PET层53的膜厚为50μm，光学胶层54的膜厚为25μm。
保护膜80的硬度主要受硬涂层52的硬度的影响，通过将硬涂层52的硬度、膜厚、弹 性模量设置在上述范围内，可以增大保护膜80的整体硬度，减小保护膜80的挠度增量， 提高保护膜80的纵向（y方向）抗形变能力，从而进一步提高保护膜80的耐刮擦性能，提高保 护膜80对显示装置的保护作用。
在一种实施方式中，图23为本发明实施例所提供的显示装置的又一种结构示意图，如图23所示，显示装置还包括胶层55，胶层55位于盖板4与阵列层3之间，胶层55的玻璃化转变温度为Tg，Tg≤-40℃，具体地，-50℃≤Tg≤-40℃。此时，胶层55的玻璃化转变温度较低，从而使胶层55在较大的温度范围内均具有较高的粘弹特性，提高显示装置在低温下的弯折性能，增长使用寿命。
进一步地，结合表1，形成胶层55的胶层溶液由包括如下质量百分比的材料合成：第一软单体40%~66%，第二软单体2%~8%，引发剂0.05%~0.4%，交联剂0.05%~0.5%，硬单体2%~10%，大分子聚合物30%~50%；其中，第一软单体和第二软单体的玻璃化转变温度小于或等于-40℃，硬单体的玻璃化转变温度大于或等于0℃，从而在利用第一软单体和第二软单体降低胶层55整体的玻璃化转变温度，提升粘接界面结合力的同时，利用硬单体和大分子聚合物提升胶层55在高温下的分子结构的稳定性，降低高温蠕变。经验证，该种胶层溶液形成的胶层55可在零下20℃下进行10万次弯折。
表1
第一软单体（质量%） 第二软单体（质量%） 引发剂（质量%） 交联剂（质量%） 硬单体（质量%） 大分子聚合物（质量%）
40~66 2~8 0.05~0.4 0.05~0.5 2~10 30~50
进一步地，第一软单体和第二软单体分别包括丙烯酸异辛酯、丙烯酸正己酯、丙烯酸羟丁酯、丙烯酸正丁酯中的一种或多种。硬单体包括羟基丙烯酸酯单体、羧基丙烯酸酯单体、胺基丙烯酸酯单体、丙烯酸二环戊基酯中的至少一种。引发剂包括自由基光引发剂。具体可包括裂解性光引发剂和夺氢型光引发剂，具体种类包括但不仅限于1-羟基环己基苯基酮、 2,4,6-三甲基二苯甲酮、4-甲基二苯甲酮、二苯甲酮、二羟基二甲基苯丙酮等。交联剂包括双官能度丙烯酸酯活性聚合物，且交联剂的分子量大于或等于200 g/mol 且小于或等于5000 g/mol。大分子聚合物由第一软单体、第二软单体和硬单体预聚制备形成，且大分子聚合物的分子量大于或等于10×104g/mol 且小于或等于100×104g/mol，例如，大分子聚合物包括大分子丙烯酸酯预聚物。
在一种实施方式中，为保证胶层55具有较高的粘弹性，提高显示装置的弯折性能，请再次参见图23，在垂直于衬底2所在平面的方向上，胶层55的膜厚为D2，15μm≤d5≤100μm；和/或，胶层55的弹性模量为E5，5Kpa≤E5≤50Mpa。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置的制作方法，结合图4和图5，图24为本发明实施例所提供的制作方法的流程图，如图24所示，该制作方法包括：
步骤S1：在衬底2上形成阵列层3。其中，衬底2和阵列层3构成阵列基板1。
步骤S2：形成盖板4，形成盖板4的过程包括：在阵列层3背向衬底2一侧形成第二膜层6，第二膜层6由具有粘性和剪切增稠特性的改性吸能抗冲材料形成；在第二膜层6背向衬底2一侧形成第一膜层5，第一膜层5由高模量材料形成，高模量材料形成的弹性模量为E1，50Mpa≤E1≤5Gpa。
上述制作方法所形成的盖板4为至少由第一膜层5和第二膜层6层叠形成的叠层结构，具体地，第一膜层5的弹性模量较高，硬度也相应较高，通过将其设置在显示装置的外侧，显示装置受到外力冲击或是挤压时，冲击应力或挤压应力会先作用于第一膜层5，此时，硬度较高的第一膜层5不仅可以提高耐刮擦性能，防止显示装置的屏幕被划伤，还可以有效降低冲击应力或挤压应力下的形变量，从而有效减小显示装置内部的膜层，如无机层的应变。进一步地，通过在第一膜层5内侧再设置一层具有粘性和剪切增稠特性的吸能抗冲的第二膜层6，可以利用第二膜层6进一步实现缓冲效果：一方面，第二膜层6可以将冲击或挤压产生的机械能转变为热能，对冲击能量或挤压能量进行吸收，另一方面，第二膜层6具有剪切增稠特性，在低应力速率下，第二膜层6保持材料柔软，其弯折性能更优，在高应力速率下，第二膜层6弹性模量增大，有效阻挡外界的冲击应力或挤压应力，保护显示装置不受损伤，再一方面，第二膜层6具有粘性，提高了第二膜层6与相邻两侧膜层的粘附力，当显示装置弯折或者受到外力作用时，能够降低第二膜层6脱离的风险，进而提高第二膜层6吸能抗冲的可靠性。
因此，本发明实施例通过对第一膜层5和第二膜层6进行设计，使其具有不同的特性，可以利用第一膜层5和第二膜层6性能上的相互配合，提高盖板4对显示装置的防护性能，使显示装置兼具较优的抗冲击性能、耐刮擦性能和弯折性能。
需要说明的是，第一膜层5和第二膜层6的形成材料和膜厚已在上述实施例中进行了说明，此处不再赘述。
在一种实施方式中，结合图6A，在形成第二膜层6之前，形成盖板4的过程还包括：在阵列层3背向衬底2一侧第三膜层12，第三膜层12由高模量材料形成，高模量材料形成的弹性模量为E3，50Mpa≤E3≤5Gpa。通过在第二膜层6进一步增设一个高模量的第三膜层12，第三膜层12硬度相应较高，可以对第二膜层6所产生的较大的形变进行阻隔，避免形变继续向内侧累加，导致阵列层3中的膜层也产生较大形变，使盖板4具有更好的抗冲击性能。
当盖板4包括第一膜层5、第二膜层6和第三膜层12时，以第一膜层5为CPI膜、第二膜层6为聚硼硅氧烷改性硅胶、第三膜层12为PET膜为例，形成盖板4的过程具体可包括：形成PET膜（第三膜层12），然后将聚硼硅氧烷改性硅胶溶解在溶剂中，并将其涂布在第三膜层12上，采用热风烘干溶剂后，贴附CPI膜（第一膜层5），最后进行固化。
在一种实施方式中，结合图6B，在形成第二膜层6之前，形成盖板4的过程还包括：在阵列层3背向衬底2一侧第四膜层44，第四膜层44由具有粘性和剪切增稠特性的改性吸能抗冲材料形成。通过在第二膜层6内侧进一步增设由改性吸能抗冲材料形成的第四膜层44，不仅可以利用第四膜层44进一步吸收冲击能量或挤压能量，达到更好的缓冲效果，还可以利用第四膜层44自身的粘性和剪切增稠特性使盖板4具有更好的抗挤压性能。
在一种实施方式中，结合图12，形成阵列层3的过程包括：形成无机绝缘层13，且在至少一层无机绝缘层13中形成镂空部14，并在镂空部14内填充有机材料以形成有机部15。相较于现有技术中整层覆盖的无机绝缘层13来说，本发明实施例通过在无机绝缘层13中设置镂空部14，并在镂空部14内填充有机材料，可以利用有机材料对无机绝缘层13内集中的应力进行分散，避免应力积聚至无机绝缘层13的开裂阈值，从而有效降低了阵列基板1中无机绝缘层13和金属层断裂的风险，既提高了显示装置的抗挤压性能和耐弯折性能，还避免了由金属层断线导致的碎亮点及亮线等不良显示现象。
进一步地，图25为本发明实施例所提供的阵列层制作方法的结构流程图，如图25所示，形成阵列层3的过程包括：
步骤K1：在衬底2上依次形成防护层17、半导体层18、第一栅极绝缘层19、第一栅极层20、第二栅极绝缘层21、第二栅极层22和层间绝缘层23，无机绝缘层13包括防护层17、第一栅极绝缘层19、第二栅极绝缘层21和层间绝缘层23。
具体地，步骤K1具体包括：
步骤K11：在清洗后的玻璃基板上涂覆9μm~11μm厚度的PI材料并固化，以形成衬底2。
步骤K12：利用等离子体增强化学的气相沉积（Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition ，PECVD）技术在衬底2上沉积650nm厚度的隔离层46和5nm厚度的非晶硅层，其中，隔离层46用于在后续对非晶硅层进行ELA工艺时吸收激光剥离（laser lift off，LLO）能量。
步骤K13：利用PECVD技术沉积缓冲层47，缓冲层47为 200nm厚度的SiNx和350nm厚度的SiO2的复合膜层，缓冲层47用于在后续对非晶硅层进行ELA工艺时提供保温作用。需要说明的是，在沉积缓冲层47之前，结合图13，还可先形成一层9~11μm厚度的PI层。
步骤K14：利用PECVD技术沉积非晶硅层，并对非晶硅层进行去氢处理（450℃，2h），随后进行ELA工艺，实现非晶硅层到多晶硅层的转化，并对多晶硅层进行曝光显影刻蚀等工艺，形成具有一定图案的半导体层18。
步骤K15：利用PECVD沉积120nm厚度的第一栅极绝缘层19，第一栅极绝缘层19可为SiO2层。
步骤K16：利用磁控溅射（Sputter）技术沉积220nm厚度的Mo金属层，并对Mo金属层进行曝光显影刻蚀等工艺，形成具有一定图案的第一栅极层20，第一栅极层20用于充当晶体管25的栅极28和存储电容26的第一极板31。
步骤K17：利用PECVD技术沉积130nm厚度的第二栅极绝缘层21，第二栅极绝缘层21可为SiNx层，第二栅极绝缘层21用于作为存储电容26的电容介质层。
步骤K18：利用Sputter技术沉积220nm厚度的Mo金属层，并对Mo金属层进行曝光显影刻蚀等工艺，形成具有一定图案的第二栅极层22，第二栅极层22用于作为存储电容26的第二极板32。
步骤K19：利用PECVD技术沉积层间绝缘层23，层间绝缘层23为由300nm厚度的SiNx层和下方300nm厚度的SiO2层所形成的复合膜层，随后进行氢化处理（350摄氏度，2h），修复多晶硅表面的悬挂键。
步骤K2：对层间绝缘层23和第二栅极绝缘层21进行刻蚀，以在层间绝缘层23上形成第四镂空部36以及在第二栅极绝缘层21上形成第三镂空部35，并且，在垂直于衬底2所在平面的方向上，第四镂空部36覆盖显示装置的显示区16，第三镂空部35与第二栅极层22不交叠。
步骤K3：对第一栅极绝缘层19和防护层17进行刻蚀，以在第一栅极绝缘层19上形成第二镂空部34以及在防护层17上形成第一镂空部33，并且，在垂直于衬底2所在平面的方向上，第二镂空部34和第一镂空部33与半导体层18和第一栅极层20不交叠。
步骤K4：在第一镂空部33、第二镂空部34、第三镂空部35和第四镂空部36内填充有机材料，其中，有机部15可为聚酰亚胺体系得有机物材料或选用与平坦化层、像素定义层、支撑柱同种有机材料，填充有机材料以形成有机部15后，还需进一步在有机部15上形成过孔。
需要说明的是，为提高显示装置的屏占比，进一步减小边框宽度，可以将阵列基板1中位于非显示区的边缘部分向背面弯折（Pad bending）以绑定驱动芯片，为避免弯折区域内的无机绝缘层13在弯折过程出现裂纹，可以将弯折区域的无机绝缘层13刻蚀并填充有机材料。在对该弯折区域内的无机绝缘层13进行刻蚀时，通常会采用两次刻蚀工艺。基于此，在本发明实施例中，可以通过对第一次刻蚀工艺的掩膜板的图案进行调整，在第一次刻蚀工艺中同时对层间绝缘层23和第二栅极绝缘层21进行刻蚀，以及通过对第二次刻蚀工艺的掩膜板的图案进行调整，在第二次刻蚀工艺中同时对第一栅极绝缘层19和防护层17进行刻蚀，以简化工艺流程及减少所需使用的掩膜板数量。此外，还可以同时在第一镂空部33、第二镂空部34、第三镂空部35、第四镂空部36、以及在弯折区域的镂空内填充有机材料，以简化工艺流程。
步骤K5：形成源漏极层24。源漏极层24通过有机部15中的过孔与半导体层18相连。
具体地，源漏极层24为Ti-Al-Ti复合膜层，Ti-Al-Ti复合膜层的厚度分别为50nm、650nm和50nm，复合膜层沉积完成后进行曝光显影刻蚀等工艺，形成具有一定图案的源漏极层24，源漏极层24作为晶体管25的源极29和漏极30，用于给发光器件层8传输数据信号，控制发光器件的发光亮度。
基于上述设置方式，防护层17、第一栅极绝缘层19、第二栅极绝缘层21和层间绝缘层23多个无机绝缘层13中均具有镂空部14，更大程度地利用填充在镂空部14中的有机部15提高了显示装置的抗挤压性能和耐弯折性能。而且，防护层17、第一栅极绝缘层19和第二栅极绝缘层21中的镂空部14分别与所在膜层背向衬底2一侧的金属层或半导体层18不交叠，也就是金属层或半导体层18下侧仍与无机材料相邻，从而能够利用无机材料起到更好的绝缘作用。
此外，显示装置还包括形成平坦化层56、发光器件层8、封装层9、偏振片10和触控层11等膜层。其中，结合图12，形成平坦化层56、发光器件层8、封装层9的过程具体可包括：
步骤Q1：形成1.5μm厚度的平坦化层56，并对平坦化层56进行曝光显影刻蚀等工艺，以在平坦化层56上形成过孔。
步骤Q2：沉积ITO-Ag-ITO复合膜层，复合膜层的厚度分别为10nm、100nm和7nm，并对复合膜层进行曝光显影刻蚀等工艺，完成阳极37的制备。
步骤Q3：形成1.5μm厚度的像素定义层43（pixel definition layer，PDL），并对像素定义层43进行曝光显影刻蚀等工艺以形成开口。
步骤Q4：形成2μm厚度的支撑柱45，支撑柱45用于在后续蒸镀发光层38时支撑FMM。
步骤Q5：形成300nm厚度的发光层38和12nm厚度的阴极39，并蒸镀形成光耦合层（coupling layer，CPL）、和LiF层，其中，CPL层为有机层，用于调整折射率，增大出光效率，LiF层为无机层，用于进行电磁屏蔽。
步骤Q6：形成1μm厚度的第一无机封装层40，第一无机封装层40可为SiON层，随后涂布有机材料以形成10um厚度的有机封装层41，最后形成1μm厚度的第二无机封装层42，第二无机封装层42可为SiOx层，第一无机封装层40、有机封装层41和第二无机封装层42构成封装层9。
在一种实施方式中，结合图18，形成盖板4之后，制作方法还包括形成包括抗反射层81的保护膜80；其中，形成抗反射层81的过程包括：通过自组装或表面活性剂形成内核微球/微乳液，在内核微球表面使用溶胶凝胶法制备二氧化硅壳层，然后通过溶剂反复清洗带走内核微球以形成中空二氧化硅，中空二氧化硅为减反粒子60，中空二氧化硅的颗粒粒径为r，25nm≤r≤30nm，和/或，中空二氧化硅的颗粒壁厚为k，10nm≤k≤12nm，通过减小减反粒子60的颗粒粒径以及增大颗粒壁厚的方式，提高抗反射层81对抗剪切力的能力，更快速地将剪切力分散掉，避免外力划伤保护膜80的表面。
进一步地，通过自组装或表面活性剂形成内核微球/微乳液，在内核微球表面使用溶胶凝胶法制备二氧化硅壳层，然后通过溶剂反复清洗带走内核微球以形成中空二氧化硅的过程具体可包括：
步骤H1：将0.3g~0.5g的聚丙烯酸分散至15ml~20ml的氨水中进行搅拌，直至聚丙烯酸完全均匀的分散到氨水中。
步骤H2：将聚丙烯酸氨水溶液倒入无水乙醇烧杯中，待聚丙烯酸氨水溶液均匀分散后一边磁力搅拌烧杯一边缓慢加入总量为2ml~3ml的正硅酸乙酯。
步骤H3：加入正硅酸乙酯后，混合溶液在室温下继续搅拌10h，最终形成空心球二氧化硅溶胶的透明溶液。
步骤H4：对空心球二氧化硅溶胶进行杂化，首先将氧化硅纳米颗粒溶胶进行80°左右的冷凝回流去除溶液中的氨水，冷却至室温后，再加入稀盐酸进行PH值调节，最终调节PH值在2-3左右，最后在溶液中加入1-2ml正硅酸乙酯，搅拌1~2h；
步骤H5：制备减反射涂层：在PET基底（或者带有HC涂层的PET基底）上进行溶液涂覆，在室温下采用旋涂工艺通过调整转速及涂膜次数控制最终膜厚在150nm~200nm之间。
步骤H6：涂膜完成后采用30%左右的双氧水进行浸泡加热至80-100°以去除溶液中的正硅酸乙酯，形成致密的中空氧化硅涂层，也就是抗反射层81。
在一种实施方式中，结合图18，形成抗反射层81之前，形成保护膜80的过程还包括形成硬涂层52，硬涂层52的硬度为h，1H≤h≤2H；和/或，在垂直于衬底2所在平面的方向上，硬涂层52的膜厚为d4，5μm≤d4≤8μm；和/或，硬涂层52的弹性模量为E4，80Gpa≤E4≤100Gpa。
保护膜80的硬度主要受硬涂层52的硬度的影响，通过将硬涂层52的硬度、膜厚、弹 性模量设置在上述范围内，可以增大保护膜80的整体硬度，减小保护膜80的挠度增量， 提高保护膜80的纵向抗形变能力，从而进一步提高保护膜80的耐刮擦性能，提高保护膜80 对显示装置的保护作用。
其中，形成硬涂层52的过程包括：
步骤G1：将阳离子引发剂，如硫鎓盐与甲基梯形倍半硅氧烷或者笼型倍半硅氧烷混合，比例为3%和97%，随后再按照1:2的比例与四氢呋喃混合并搅拌均匀。其中，硫鎓盐的分子结构如图26A所示，甲基梯形倍半硅氧烷的分析结构如图26B 所示，笼型倍半硅氧烷的分子结构如图26C所示。
步骤G2：采用5μm的丝棒将溶液涂覆在PET层上，涂覆速度约为5 ~10mm/s。
步骤G3：在真空环境中加热去除溶剂，具体地，加热温度在25℃~80℃之间，加热时间为5~10min。
步骤G4：紫外线固化15~20min，紫外线能量为1-3j/cm2，固化过程中光引发剂会产生大量的H，促使环氧基团以ACE（active-chain end）模式发生聚合反应，随着环氧基团的活性中心逐渐减少，聚合反应逐渐停止，转化率达到饱和。
步骤G5：进行湿热退火处理，条件为60℃加90%湿度，时间为2h。引入湿气退火可以使环氧基团上的R3O+与水分子发生反应，在末端产生-OH并产生一个H+，新产生的H+与中性环氧基团发生反应，产生有活性的二级R2HO+，使ACE反应再次发生，增加聚合，直至成膜完成形成硬涂层52。
在一种实施方式中，结合图23，形成第二膜层6之前，制作方法还包括形成胶层55。
形成胶层55的过程包括：配置胶层溶液以及利用配置的胶层溶液制备胶层55，其中，胶层溶液由包括如下质量百分比的材料合成：第一软单体40%~66%，第二软单体2%~8%，引发剂0.05%~0.4%，交联剂0.05%~0.5%，硬单体2%~10%，大分子聚合物30%~50%；第一软单体和第二软单体的玻璃化转变温度小于或等于-40℃，硬单体的玻璃化转变温度大于或等于0℃。此时，胶层55的玻璃化转变温度较低，从而使胶层55在较大的温度范围内均具有较高的粘弹特性，提高显示装置在低温下的弯折性能，增长使用寿命。
其中，配置胶层溶液的过程包括：
步骤W1：用第一软单体（如丙烯酸异辛酯）作为溶液稀释引发剂和交联剂，分别配置浓度为1%的引发剂溶液和交联剂溶液。
步骤W2：按照配比，采用搅拌桨或反应釜将第一软单体（如丙烯酸异辛酯）溶解稀释大分子聚合物（如改性丙烯酸酯预聚物）。
步骤W3：按照配比，将第二软单体（如丙烯酸羟丁酯）、硬单体（如丙烯酸二环戊基酯）、用第一软单体（如丙烯酸异辛酯）稀释后的引发剂溶液按照配比配置胶液。需要说明的是，实际加入的溶液质量可以为表1中的数值乘以100倍。
步骤W4：将上述胶液在波长为365 nm左右的紫外线灯下进行照射，并实时观察测量其粘度，待粘度在4000~6000 cps左右时停止照射。
步骤W5：按照配比，在溶液中加入用第一软单体（如丙烯酸异辛酯）稀释后的交联剂溶液，搅拌后形成胶层溶液。
其中，制备胶层55的过程包括：
步骤R1：根据胶层的厚度要求，设置垫片厚度或涂布机的刮刀间隙。
步骤R2：将配制好的胶层溶液利用涂布丝棒或涂布机涂布在离型膜或PET膜等膜材上。
步骤R3：在涂布好的胶层溶液上附上离型膜或PET膜等膜材。
步骤R4：将胶层在波长为365 nm的紫外线灯下进行照射，照射时长在1~5分钟，直至胶层固化完成。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (16)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
阵列基板，所述阵列基板包括衬底和位于所述衬底一侧的阵列层；
叠层结构，所述叠层结构位于所述阵列层背向所述衬底一侧，所述叠层结构包括第一膜层和第二膜层，所述第一膜层位于所述第二膜层背向所述衬底一侧；
其中，所述第一膜层由高模量材料形成，所述高模量材料的弹性模量为E1，50Mpa≤E1≤5Gpa，所述第二膜层由具有粘性和剪切增稠特性的改性吸能抗冲材料形成，所述改性吸能抗冲材料的分子结构包括键合的聚合物分子主链和改性聚合物分子主链，其中，所述改性聚合物分子主链具有氢键或配位键，所述配位键包括硼氧键、金属-邻苯二酚或金属-组氨酸。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述改性吸能抗冲材料包括改性硅胶、改性热塑性聚氨酯弹性体橡胶、改性聚氨酯或改性剪切增稠材料。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第二膜层的弹性模量为E2，10Kpa≤E2≤500Mpa。
4.根据权利要求1-3任一项所述的显示装置，其特征在于，
在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第一膜层的膜厚小于所述第二膜层的膜厚。
5.根据权利要求1-3任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述叠层结构还包括第三膜层，所述第三膜层位于所述第二膜层朝向所述衬底一侧，所述第三膜层由高模量材料形成，所述高模量材料形成的弹性模量为E3，50Mpa≤E3≤5Gpa。
6.根据权利要求1-3任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述叠层结构还包括第四膜层，所述第四膜层位于所述第二膜层朝向所述衬底一侧，所述第四膜层由具有粘性和剪切增稠特性的改性吸能抗冲材料形成。
7.根据权利要求1-3任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述阵列层包括无机绝缘层，至少一层所述无机绝缘层具有镂空部，所述镂空部内填充有有机部。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
所述阵列层包括沿背向所述衬底层叠设置的防护层、半导体层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、层间绝缘层和源漏极层，所述无机绝缘层包括所述防护层、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述层间绝缘层；
其中，所述防护层具有第一镂空部，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第一镂空部与所述半导体层不交叠；
所述第一栅极绝缘层具有第二镂空部，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第二镂空部与所述第一栅极层不交叠；
所述第二栅极绝缘层具有第三镂空部，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第三镂空部与所述第二栅极层不交叠；
所述层间绝缘层具有第四镂空部，所述显示装置包括显示区，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第四镂空部覆盖所述显示区。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置包括显示区和非显示区，所述非显示区包括移位寄存器电路区和扇形走线区，所述镂空部位于所述显示区和所述移位寄存器电路区，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述镂空部与所述扇形走线区不交叠。
10.一种叠层结构，其特征在于，所述叠层结构设置于显示屏上，所述叠层结构包括第一膜层和第二膜层，其中，所述第一膜层由高模量材料形成，所述高模量材料的弹性模量为E1，50Mpa≤E1≤5Gpa，所述第二膜层由具有粘性和剪切增稠特性的改性吸能抗冲材料形成，所述改性吸能抗冲材料的分子结构包括键合的聚合物分子主链和改性聚合物分子主链，其中，所述改性聚合物分子主链具有氢键或配位键，所述配位键包括硼氧键、金属-邻苯二酚或金属-组氨酸。
11.根据权利要求10所述的叠层结构，其特征在于，所述第二膜层设置于所述显示屏上，所述第一膜层设置于所述第二膜层背向所述显示屏的一侧。
12.根据权利要求10所述的叠层结构，其特征在于，所述改性吸能抗冲材料包括改性硅胶、改性热塑性聚氨酯弹性体橡胶、改性聚氨酯或改性剪切增稠材料。
13.根据权利要求10所述的叠层结构，其特征在于，所述第二膜层的弹性模量为E2，10Kpa≤E2≤500Mpa。
14.根据权利要求10-13任一项所述的叠层结构，其特征在于，在垂直于所述显示屏所在平面的方向上，所述第一膜层的膜厚小于所述第二膜层的膜厚。
15.根据权利要求10-13任一项所述的叠层结构，其特征在于，所述叠层结构还包括第三膜层，所述第三膜层位于所述第二膜层朝向所述显示屏的衬底一侧，所述第三膜层由高模量材料形成，所述高模量材料形成的弹性模量为E3，50Mpa≤E3≤5Gpa。
16.根据权利要求10-13任一项所述的叠层结构，其特征在于，所述叠层结构还包括第四膜层，所述第四膜层位于所述第二膜层朝向所述显示屏的衬底一侧，所述第四膜层由具有粘性和剪切增稠特性的改性吸能抗冲材料形成。
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