CN104992924B - 柔性显示器件及其制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 123
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 73
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 64
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 232
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 64
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 46
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 35
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 34
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 32
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 32
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 19
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 18
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 18
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 17
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims description 16
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 16
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 15
- NDXSUDIGSOJBLQ-UHFFFAOYSA-N [In][Bi][Zn][Sn] Chemical group [In][Bi][Zn][Sn] NDXSUDIGSOJBLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 14
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 claims description 14
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 12
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 12
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 9
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ZXTFQUMXDQLMBY-UHFFFAOYSA-N alumane;molybdenum Chemical compound [AlH3].[Mo] ZXTFQUMXDQLMBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 8
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 8
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 6
- 206010011732 Cyst Diseases 0.000 claims description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 4
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 4
- 208000031513 cyst Diseases 0.000 claims description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 4
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 4
- 238000010237 hybrid technique Methods 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1 JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PSMFTUMUGZHOOU-UHFFFAOYSA-N [In].[Sn].[Bi] Chemical compound [In].[Sn].[Bi] PSMFTUMUGZHOOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004945 emulsification Methods 0.000 claims 1
- 238000010556 emulsion polymerization method Methods 0.000 claims 1
- 229910000743 fusible alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 6
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000003995 emulsifying agent Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 2
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006210 lotion Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
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Abstract
本发明提供了一种柔性显示器件及其制造方法,其中,所述柔性显示器件的制造方法包括:提供一柔性基板;在所述柔性基板上形成显示器件层;在所述显示器件层上形成第一导电图形;在所述显示器件层和第一导电图形上形成第一介电绝缘层,对所述第一介电绝缘层进行刻蚀以形成沟槽;以及在所述沟槽中形成第二导电图形;其中,所述第一导电图形和/或第二导电图形由自修复导电材料制成。在本发明提供的柔性显示器件及其制造方法中,通过分步形成长宽比相对较高的金属线和长宽比相对较低的金属线,其中所述长宽比相对较高的金属线,包括数据线和栅线均由自修复导电材料制成,断裂后能够实现自动修复,从而提高了所述柔性显示器的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种柔性显示器件及其制造方法。
背景技术
柔性显示器是一种制作在柔性载体(也称为柔性基板)上的,可变型或可弯曲的显示装置。由于柔性显示器具有高轻巧性、耐冲击性、可挠取性、可穿戴性、携带方便等特点,被誉为二十一世纪最具前途的产品之一,已经越来越多地受到人们的关注。
柔性显示器通常包括显示面板和用于驱动显示面板的外围电路,所述显示面板包括柔性基板、像素阵列和金属线,所述像素阵列和金属线均设置于所述柔性基板上,所述外围电路通过所述金属线与所述像素阵列的各个的像素单元实现电性连接,所述金属线包括交叉设置且相互独立的数据线和栅线。
柔性显示器在使用时需要挠曲一定曲率半径,甚至频繁弯折。柔性显示器发生形变时产生的应力会施加于金属线,金属线会面临断裂的危险。特别是数据线和栅线,由于其线宽非常小,而长度却很长,具有超高的长宽比,因此断裂的几率更大。随着弯折次数的增加,金属线容易出现断裂或多处微连接,导致柔性显示器无法正常显示。
为了提高柔性显示器的可靠性并延长柔性显示器的使用寿命,业界通常会对金属线的设计和制作方法加以改进。公开号为CN103700320A的中国专利申请,揭示了一种在金属线上设置洞孔以释放应力,从而延长金属线的使用寿命的方法。具体请参考图1,其为现有技术的柔性显示器的结构示意图。如图1所示,现有的柔性显示器10包括:柔性基板(图中未示出)和设置于所述柔性基板上的金属线,所述金属线包括交叉设置且相互独立的数据线1和栅线2,所述数据线1和栅线2限定的像素单元3内设置有像素电极4和作为像素电极开关的薄膜晶体管5,所述数据线1和/或栅线2上设有洞孔6。
当所述柔性显示器10在发生形变时,可以通过所述洞孔6释放应力。该方法虽然能够延长金属线的使用次数,提高柔性显示器的使用寿命,但是由于金属线的线宽本来就很小,在本就不宽的金属线上打孔会有较多的问题,主要表现为两个方面:一方面,对于光刻设备的要求非常高,工艺难度较大;另一方面,打孔会在金属线上产生打孔处,所述金属线在打孔处边缘的线宽会比其他位置的线宽窄很多,因此所述金属线在打孔处非常容易出现断裂,影响器件的可靠性。而且,众所周知,随着对显示器分辨率的需求越来越高,金属线的线宽要求也越来越窄,在很窄的金属线上打孔,其技术难度也越来越大,实现的可能性也越来越低。
另外,公开号为CN103928401A的中国专利申请,揭示了一种使用石墨烯或纳米银材料制作透明导电层,来形成显示屏阵列基板用像素电极和数据线的方法。该方法虽然能够增加金属线的使用次数,延长显示器的使用寿命,但是由于材料的限制,成本较高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种柔性显示器件及其制造方法,以解决现有的柔性显示器因金属线断裂导致的可靠性差、使用寿命短的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种柔性显示器件的制造方法,所述柔性显示器件的制造方法包括:
提供一柔性基板;
在所述柔性基板上形成显示器件层;
在所述显示器件层上形成第一导电图形;
在所述显示器件层和第一导电图形上形成第一介电绝缘层,对所述第一介电绝缘层进行刻蚀以形成沟槽;以及
在所述沟槽中形成第二导电图形;
其中,所述第一导电图形和/或第二导电图形由自修复导电材料制成。
可选的,在所述的柔性显示器件的制造方法中,所述自修复导电材料为自修复型导电胶;
采用自修复导电材料在所述沟槽中形成所述第二导电图形的过程包括:
通过喷墨打印工艺或旋涂工艺在所述第一介电绝缘层上及沟槽中形成自修复型导电胶层;
通过光刻工艺在所述自修复型导电胶层上形成图形化的光阻层;以及
以所述图形化的光阻层为掩膜对所述自修复型导电胶层进行刻蚀,以形成第二导电图形;
采用自修复导电材料在所述显示器件层上形成所述第一导电图形的过程包括:
通过喷墨打印工艺或旋涂工艺在所述显示器件层上形成自修复型导电胶层;
通过光刻工艺在所述自修复型导电胶层上形成图形化的光阻层;以及
以所述图形案化的光阻层为掩膜对所述自修复型导电胶层进行刻蚀,以形成第一导电图形。
可选的,在所述的柔性显示器件的制造方法中,所述自修复型导电胶包括填充有银纳米线的导电胶、含有多孔炭材料的导电胶或含有铟的热可修复型导电胶;
所述填充有银纳米线的导电胶采用核壳结构的纳米粒子,所述核壳结构的纳米粒子的壳为聚苯乙烯,所述核壳结构的纳米粒子的核为分散有银纳米线的聚硫醇与二甲基苯胺的混合物;
所述含有多孔炭材料的导电胶的成分包括环氧树脂、固化促进剂、环氧稀释剂份、乳化剂、含孔碳材料粉末、去离子水和囊壁材料;
所述含有铟的热可修复型导电胶的成分包括环氧树脂、片状银粉、固化剂、固化促进剂、聚甲基丙烯酸酯微粉、铟填料和偶联剂;
所述填充有银纳米线的导电胶和含有多孔炭材料的导电胶的制备方法均为乳液聚合法,所述含有铟的热可修复型导电胶的制备方法为固固混合和固液混合工艺。
可选的,在所述的柔性显示器件的制造方法中,所述自修复导电材料为低熔点合金材料;
采用自修复导电材料在所述沟槽中形成所述第二导电图形的过程包括:
通过溅镀工艺、化学气相沉积工艺或旋涂工艺在所述第一介电绝缘层上及沟槽中形成低熔点合金材料层;
通过光刻工艺在所述低熔点合金材料层上形成图形化的光阻层;以及
以所述图形案化的光阻层为掩膜对所述低熔点合金材料层进行刻蚀,以形成第二导电图形;
采用自修复导电材料在所述显示器件层上形成所述第一导电图形的过程包括:
通过溅镀工艺、化学气相沉积工艺或旋涂工艺在所述显示器件层上形成低熔点合金材料层;
通过光刻工艺在所述低熔点合金材料层上形成图形化的光阻层;以及
以所述图形案化的光阻层为掩膜对所述低熔点合金材料层进行刻蚀,以形成第一导电图形。
可选的,在所述的柔性显示器件的制造方法中,所述低熔点合金材料为铟锡铋锌合金材料,所述铟锡铋锌合金材料的熔点在50℃到60℃之间,所述铟锡铋锌合金材料包括如下质量百分含量的组分:铟46%~50%;锡12~20%;铋28~42%;锌0~10%。
可选的,在所述的柔性显示器件的制造方法中,所述第一导电图形由非自修复导电材料制成,所述第二导电图形由自修复导电材料制成,采用非自修复导电材料在所述显示器件层上形成第一导电图形的过程包括:
通过溅镀工艺、化学气相沉积工艺或旋涂工艺在所述显示器件层上形成非自修复导电材料层;
通过光刻工艺在所述非自修复导电材料层上形成图形化的光阻层;以及
以所述图形案化的光阻层为掩膜对所述非自修复导电材料层进行刻蚀,以形成第一导电图形;或者
所述第一导电图形由自修复导电材料制成,所述第二导电图形由非自修复导电材料制成,采用非自修复导电材料在所述沟槽中形成第二导电图形的过程包括:
通过溅镀工艺、化学气相沉积工艺或旋涂工艺在所述第一介电绝缘层上及沟槽中形成非自修复导电材料层;
通过光刻工艺在所述非自修复导电材料层上形成图形化的光阻层;以及
以所述图形案化的光阻层为掩膜对所述非自修复导电材料层进行刻蚀,以形成第二导电图形。
可选的,在所述的柔性显示器件的制造方法中,所述非自修复导电材料为钼、钼铝钼、钛或钛铝钛。
可选的,在所述的柔性显示器件的制造方法中,在形成第二导电图形之后,还包括:
在所述第二导电图形上依次形成金属扩散阻挡层、易流动的介电层和第二介电绝缘层。
可选的,在所述的柔性显示器件的制造方法中,在形成所述第一介电绝缘层之前,在形成所述第一导电图形之后,还包括:在所述第一导电图形上形成金属扩散阻挡层;
在形成所述第二导电图形之后,还包括:
在所述第二导电图形上形成易流动的介电层;
在所述易流动的介电层上形成第二介电绝缘层。
本发明还提供一种柔性显示器件,所述柔性显示器件包括:柔性基板;形成于所述柔性基板上的显示器件层;形成于所述显示器件层的第一导电图形;形成于在所述显示器件层和第一导电图形上的第一介电绝缘层,形成于所述第一介电绝缘层中的沟槽;形成于所述沟槽中的第二导电图形;
其中,所述第一导电图形和/或第二导电图形由自修复导电材料制成。
在本发明实施例提供的柔性显示器件的制造方法中,通过分步形成长宽比相对较高的金属线和长宽比相对较低的金属线,其中长宽比相对较高的金属线,包括数据线和栅线均由自修复导电材料制成,断裂后能够实现自动修复,从而提高了所述柔性显示器的使用寿命。
附图说明
图1是现有技术的柔性显示器的结构示意图;
图2是本发明实施例一的柔性显示器件的制造方法的工艺流程图;
图3是本发明实施例一的柔性显示器件的结构示意图;
图4是本发明实施例三的柔性显示器件的制造方法的工艺流程图;
图5是本发明实施例三的柔性显示器件的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的柔性显示器件及其制造方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
【实施例一】
请参考图2,其为本发明实施例一的柔性显示器件的制造方法的工艺流程图。如图2所示,所述柔性显示器件的制造方法包括:
步骤一:提供一柔性基板;
步骤二:在所述柔性基板上形成显示器件层;
步骤三:在所述显示器件层上形成第一导电图形;
步骤四:在所述显示器件层和第一导电图形上形成第一介电绝缘层,对所述第一介电绝缘层进行刻蚀以形成沟槽;
步骤五:在所述沟槽中形成第二导电图形;
其中,所述第一导电图形由非自修复导电材料制成,所述第二导电图形由自修复导电材料制成。
下面将结合具体实施例和附图3,对本发明进行详细阐述。
首先,提供一柔性基板110。本实施例中,所述柔性基板110为塑料基板。在其他实施例中,所述柔性基板110也可以采用其他柔性材质,例如树脂或者橡胶等,只要所述柔性基板110作为柔性显示器的外壳符合柔软度的要求即可。
接着,在所述柔性基板110上形成显示器件层120。所述显示器件层120包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极,所述栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极分别通过不同的构图工艺制成。其中,所述栅极、源极和漏极均采用导电材料制成,例如钼(Mo)、钼铝钼(Mo/Al/Mo)、钛(Ti)、钛铝钛(Ti/Al/Ti)等金属材料。所述有源层的材料采用多晶硅或铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide,简称IGZO)。所述栅极绝缘层采用透明非晶氧化物制成,例如二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)或二氧化硅(SiO2)与氮化硅(SiNx)的组合物等。
然后,采用非自修复导电材料在所述显示器件层120上形成第一导电图形130。形成第一导电图形130的具体过程包括:首先,通过溅镀工艺、化学气相沉积工艺或旋涂工艺在所述显示器件层120上形成非自修复导电材料层;接着,通过光刻工艺在所述非自修复导电材料层上形成图形化的光阻层;然后,以所述图形案化的光阻层为掩膜对所述非自修复导电材料层进行刻蚀,以形成第一导电图形130。
其中,所述非自修复导电材料为钼(Mo)、钼铝钼(Mo/Al/Mo)、钛(Ti)、钛铝钛(Ti/Al/Ti)等金属材料。
此后,所述显示器件层120和第一导电图形130上形成第一介电绝缘层140,并对所述第一介电绝缘层140进行刻蚀以形成沟槽。所述第一介电绝缘层140能够保护其下面的第一导电图形130,避免所述第一导电图形130与后续形成的第二导电图形150短路。
之后,采用自修复导电材料在所述沟槽中形成第二导电图形150。形成第二导电图形150的具体过程包括:首先,通过喷墨打印工艺或旋涂工艺在所述第一介电绝缘层140上及沟槽中形成自修复型导电胶层;接着,通过光刻工艺在所述自修复型导电胶层上形成图形化的光阻层;然后,以所述图形案化的光阻层为掩膜对所述自修复型导电胶层进行刻蚀,去除所述沟槽外的自修复型导电胶层,以形成第二导电图形150。
所述第一导电图形130与第二导电图形150都是通过一次构图工艺形成的,所述第一导电图形130的线宽相对较大、长度相对较短(即长宽比相对较低),所述第二导电图形150的线宽相对较小、长度相对较长(即长宽比相对较高)。
本实施例中,所述自修复导电材料为自修复型导电胶,所述自修复型导电胶能够自动修复因外力破坏产生的胶体微裂纹。所述自修复型导电胶包括填充有银纳米线的导电胶、含有多孔炭材料的导电胶或含有铟的热可修复型导电胶。
其中,所述填充有银纳米线的导电胶是核壳结构的纳米粒子,所述核壳结构的纳米粒子的壳为聚苯乙烯,所述核壳结构的纳米粒子的核为分散有银纳米线的聚硫醇与二甲基苯胺的混合物。所述填充有银纳米线的导电胶制备方法采用乳液聚合法,通过乳液聚合法将核壳结构的纳米粒子分散在填充有银纳米线的各项同性导电胶的胶体中。
所述含有多孔炭材料的导电胶的成分包括环氧树脂、固化促进剂、环氧稀释剂份、乳化剂、含孔碳材料粉末、去离子水和囊壁材料,所述含有多孔炭材料的导电胶的制备方法采用乳液聚合法。
所述含有铟的热可修复型导电胶的成分包括环氧树脂、片状银粉、固化剂、固化促进剂、聚甲基丙烯酸酯微粉、铟填料和偶联剂等材料,所述含有铟的热可修复型导电胶的通过固固混合和固液混合工艺制备而成。其中,所述含有铟的热可修复型导电胶,在加热到150℃时可自动修复受损胶体。
形成第二导电图形150之后,在所述第二导电图形150上依次形成金属扩散阻挡层160和第二介电绝缘层180。如图3所示,所述金属扩散阻挡层160包覆在所述第二导电图形150和第二介电绝缘层180上,将所述自修复型导电胶封闭住。
在形成金属扩散阻挡层160之后,形成第二介电绝缘层180之前,还包括:在所述金属扩散阻挡层160上形成易流动的介电层170。所述易流动的介电层170能够使得后续形成的第二介电绝缘层180的表面更加平整,进而平坦化柔性显示器件的表面。
后续按照现有的工艺在所述第二介电绝缘层180上完成OLED发光器件的蒸镀或者液晶材料的填充,之后进行切割和封装,从而形成完整的柔性显示器件100。所述柔性显示器件100包括:柔性基板110;形成于所述柔性基板110上的显示器件层120;形成于所述显示器件层120的第一导电图形130;形成于在所述显示器件层120和第一导电图形130上的第一介电绝缘层140形成于所述第一介电绝缘层140中的沟槽;形成于所述沟槽中的第二导电图形150。
如图3所示,所述柔性显示器件100还包括:形成于所述第二导电图形150上的金属扩散阻挡层160和第二介电绝缘层180,所述金属扩散阻挡层160位于所述第二导电图形150和第二介电绝缘层180之间。
如图3所示,所述柔性显示器件还包括:形成于所述金属扩散阻挡层160上的易流动的介电层170,所述易流动的介电层170位于所述金属扩散阻挡层160和第二介电绝缘层180之间。
本实施例中,所述柔性显示器件100包括长宽比相对较低的第一导电图形130和长宽比相对较高的第二导电图形150,所述第一导电图形130由钼(Mo)、钼铝钼(Mo/Al/Mo)、钛(Ti)、钛铝钛(Ti/Al/Ti)等普通金属材料制成,所述第二导电图形150由自修复型导电胶制成,所述第一介电绝缘层140和第二介电绝缘层180均由氧化物、氮化物或者氧氮化合物制成,所述易流动的介电层170由硼磷硅玻璃(BPTEOS)制成。
本实施例中,所述第一导电图形130包括金属焊垫(Pad)等长宽比相对较低的器件,所述第二导电图形150包括交叉设置且相互独立的栅线和数据线,所述柔性显示器件100的栅线和数据线均为自修复金属线,所述自修复金属线在断裂后能够实现自动修复。
【实施例二】
请参考图2,其为本发明实施例一的柔性显示器件的制造方法的工艺流程图。如图2所示,所述柔性显示器件的制造方法包括:
步骤一:提供一柔性基板;
步骤二:在所述柔性基板上形成显示器件层;
步骤三:在所述显示器件层上形成第一导电图形;
步骤四:在所述显示器件层和第一导电图形上形成第一介电绝缘层,对所述第一介电绝缘层进行刻蚀以形成沟槽;
步骤五:在所述沟槽中形成第二导电图形;
其中,所述第一导电图形由非自修复导电材料制成,所述第二导电图形由自修复导电材料制成。
具体的,本实施例中的步骤一至步骤四的内容与实施例一中的步骤一至步骤四的内容相同,在此不再一一赘述,具体内容和相应的参数请参见实施例一中的步骤一至步骤四。本实施例的目的在于说明与实施例一中的不同步骤(步骤五):
如图3所示,采用自修复导电材料在所述沟槽中形成第二导电图形150的具体过程包括:首先,通过溅镀工艺、化学气相沉积工艺或旋涂工艺在所述第一介电绝缘层140上及沟槽中形成低熔点合金材料层;接着,通过光刻工艺在所述低熔点合金材料层上形成图形化的光阻层;然后,以所述图形案化的光阻层为掩膜对所述低熔点合金材料层进行刻蚀,去除所述沟槽外的低熔点合金材料层,以形成第二导电图形150。
其中,所述低熔点合金材料为铟锡铋锌合金材料,所述铟锡铋锌合金材料的熔点在50℃到60℃之间,所述铟锡铋锌合金材料包括如下质量百分含量的组分:铟46%~50%;锡12~20%;铋28~42%;锌0~10%。
优选的,所述铟锡铋锌合金材料包括如下质量百分含量的组分:In(铟)50%;Sn(锡)16%;Bi(铋)34%;Zn(锌)0%。
优选的,所述铟锡铋锌合金材料包括如下质量百分含量的组分:In(铟)56.5%;Sn(锡)12%;Bi(铋)31%;Zn(锌)0.5%。
如图3所示,所述柔性显示器件100包括长宽比相对较低的第一导电图形130和长宽比相对较高的第二导电图形150,所述第一导电图形130由普通金属材料制成,所述第二导电图形150由低熔点合金材料制成。
本实施例与实施例一不同之处在于,所述柔性显示器件100的第二导电图形150由低熔点合金材料制成,而不是采用自修复型导电胶。
【实施例三】
请参考图4,其为本发明实施例三的柔性显示器件的制造方法的工艺流程图。如图4所示,所述柔性显示器件的制造方法包括:
步骤一:提供一柔性基板;
步骤二:在所述柔性基板上形成显示器件层;
步骤三:在所述显示器件层上形成第一导电图形;
步骤四:在所述显示器件层和第一导电图形上形成第一介电绝缘层,对所述第一介电绝缘层进行刻蚀以形成沟槽;
步骤五:在所述沟槽中形成第二导电图形;
其中,所述第一导电图形由自修复导电材料制成,所述第二导电图形由非自修复导电材料制成。
下面将结合具体实施例和附图5,对本发明进行详细阐述。
首先,提供一柔性基板210。本实施例中,所述柔性基板210为塑料基板。在其他实施例中,所述柔性基板210也可以采用其他柔性材质,例如树脂或者橡胶等,只要所述柔性基板210作为柔性显示器的外壳符合柔软度的要求即可。
接着,在所述柔性基板210上形成显示器件层220。所述显示器件层220包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极,所述栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极分别通过不同的构图工艺制成。其中,所述栅极、源极和漏极均采用导电材料制成,例如钼(Mo)、钼铝钼(Mo/Al/Mo)、钛(Ti)、钛铝钛(Ti/Al/Ti)等金属材料。所述有源层的材料采用多晶硅或铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide,简称IGZO)。所述栅极绝缘层采用透明非晶氧化物制成,例如二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)或二氧化硅(SiO2)与氮化硅(SiNx)的组合物等。
然后,采用自修复导电材料在所述显示器件层220上形成第一导电图形230。形成第一导电图形230的具体过程包括:首先,通过喷墨打印工艺或旋涂工艺在所述显示器件层220上形成自修复型导电胶层;接着,通过光刻工艺在所述自修复型导电胶层上形成图形化的光阻层;然后,以所述图形案化的光阻层为掩膜对所述自修复型导电胶层进行刻蚀,以形成第一导电图形230。
本实施例中,所述自修复导电材料为自修复型导电胶,所述自修复型导电胶能够自动修复因外力破坏产生的胶体微裂纹。所述自修复型导电胶包括填充有银纳米线的导电胶、含有多孔炭材料的导电胶或含有铟的热可修复型导电胶。
其中,所述填充有银纳米线的导电胶是核壳结构的纳米粒子,所述核壳结构的纳米粒子的壳为聚苯乙烯,所述核壳结构的纳米粒子的核为分散有银纳米线的聚硫醇与二甲基苯胺的混合物。所述填充有银纳米线的导电胶制备方法采用乳液聚合法,通过乳液聚合法将核壳结构的纳米粒子分散在填充有银纳米线的各项同性导电胶的胶体中。
所述含有多孔炭材料的导电胶的成分包括环氧树脂、固化促进剂、环氧稀释剂份、乳化剂、含孔碳材料粉末、去离子水和囊壁材料,所述含有多孔炭材料的导电胶的制备方法采用乳液聚合法。
所述含有铟的热可修复型导电胶的成分包括环氧树脂、片状银粉、固化剂、固化促进剂、聚甲基丙烯酸酯微粉、铟填料和偶联剂等材料,所述含有铟的热可修复型导电胶的通过固固混合和固液混合工艺制备而成。其中,所述含有铟的热可修复型导电胶,在加热到150℃时可自动修复受损胶体。
形成第一导电图形230之后,在所述第一导电图形230上形成金属扩散阻挡层260。如图5所示,所述金属扩散阻挡层260包覆在所述第一导电图形230上,将所述自修复型导电胶封闭住。
此后,在所述金属扩散阻挡层260上形成第一介电绝缘层240,并对所述第一介电绝缘层240进行刻蚀以形成沟槽。所述第一介电绝缘层240能够保护其下面的第一导电图形230,避免所述第一导电图形230与后续形成的第二导电图形250短路。
之后,采用非自修复导电材料在所述沟槽中形成第二导电图形250。形成第二导电图形250的具体过程包括:首先,通过溅镀工艺、化学气相沉积工艺或旋涂工艺在所述第一介电绝缘层240上及沟槽中形成非自修复导电材料层;接着,通过光刻工艺在所述非自修复导电材料层上形成图形化的光阻层;然后,以所述图形案化的光阻层为掩膜对所述非自修复导电材料层进行刻蚀,去除所述沟槽外的非自修复导电材料层,以形成第二导电图形250。
其中,所述非自修复导电材料为钼(Mo)、钼铝钼(Mo/Al/Mo)、钛(Ti)、钛铝钛(Ti/Al/Ti)等金属材料。
所述第一导电图形230与第二导电图形250都是通过一次构图工艺形成的,所述第一导电图形230的线宽相对较小、长度相对较长(长宽比相对较高),所述第二导电图形250的线宽相对较大、长度相对较短(长宽比相对较低)。
形成第二导电图形250之后,在所述第二导电图形250上依次形成易流动的介电层270和第二介电绝缘层280。
在第二介电绝缘层280之前形成易流动的介电层270,能够使得后续形成的第二介电绝缘层280的表面更加平整,进而平坦化柔性显示器件的表面。
本实施例中,所述第一介电绝缘层240和第二介电绝缘层280均由氧化物、氮化物或者氧氮化合物制成,所述易流动的介电层270由硼磷硅玻璃(BPTEOS)制成。
后续按照现有的工艺在所述第二介电绝缘层280上完成OLED发光器件的蒸镀或者液晶材料的填充,之后进行切割和封装,从而形成完整的柔性显示器件200。所述柔性显示器件200包括:柔性基板210;形成于所述柔性基板210上的显示器件层220;形成于所述显示器件层220的第一导电图形230;形成于在所述显示器件层220和第一导电图形230上的第一介电绝缘层240;形成于所述第一介电绝缘层240中的沟槽;形成于所述沟槽中的第二导电图形250。
如图5所示,所述柔性显示器件200还包括:形成于所述第一导电图形230上的金属扩散阻挡层260,所述金属扩散阻挡层260位于所述第一导电图形230与所述第一介电绝缘层240之间或所述显示器件层220与第一介电绝缘层240之间。
如图5所示,所述柔性显示器件200还包括:形成于所述第二导电图形250上的易流动的介电层270和第二介电绝缘层280,所述易流动的介电层270位于所述第二导电图形250与第二介电绝缘层280之间或所述第一介电绝缘层240与第二介电绝缘层280之间。
本实施例中,所述柔性显示器件200包括长宽比相对较高的第一导电图形230和长宽比相对较低的第二导电图形250,所述第一导电图形230由自修复型导电胶制成,所述第二导电图形250由钼(Mo)、钼铝钼(Mo/Al/Mo)、钛(Ti)、钛铝钛(Ti/Al/Ti)等普通金属材料制成,所述第一介电绝缘层240和第二介电绝缘层280均由氧化物、氮化物或者氧氮化合物制成,所述易流动的介电层270由硼磷硅玻璃(BPTEOS)制成。
本实施例中,所述第一导电图形230包括交叉设置且相互独立的栅线和数据线,所述柔性显示器件200的栅线和数据线均为自修复金属线,所述自修复金属线在断裂后能够实现自动修复。所述第二导电图形250包括金属焊垫(Pad)等长宽比相对较低的器件。
【实施例四】
请参考图4,其为本发明实施例三的柔性显示器件的制造方法的工艺流程图。如图4所示,所述柔性显示器件的制造方法包括:
步骤一:提供一柔性基板;
步骤二:在所述柔性基板上形成显示器件层;
步骤三:在所述显示器件层上形成第一导电图形;
步骤四:在所述显示器件层和第一导电图形上形成第一介电绝缘层,对所述第一介电绝缘层进行刻蚀以形成沟槽;
步骤五:在所述沟槽中形成第二导电图形;
其中,所述第一导电图形由自修复导电材料制成,所述第二导电图形由非自修复导电材料制成。
具体的,本实施例中的步骤一、步骤二、步骤四、步骤五的内容与实施例三中的步骤一、步骤二、步骤四、步骤五的内容相同,在此不再一一赘述,具体内容和相应的参数请参见实施例三中的步骤一、步骤二、步骤四、步骤五。本实施例的目的在于说明与实施例三中的不同步骤(步骤三):。
如图5所示,采用自修复导电材料在所述显示器件层上形成第一导电图形230的具体过程包括:首先,通过溅镀工艺、化学气相沉积工艺或旋涂工艺在所述显示器件层220上形成低熔点合金材料层;接着,通过光刻工艺在所述低熔点合金材料层上形成图形化的光阻层;然后,以所述图形案化的光阻层为掩膜对所述低熔点合金材料层进行刻蚀,以形成第一导电图形230。
其中,所述低熔点合金材料为铟锡铋锌合金材料,所述铟锡铋锌合金材料的熔点在50℃到60℃之间,所述铟锡铋锌合金材料包括如下质量百分含量的组分:铟46%~50%;锡12~20%;铋28~42%;锌0~10%
优选的,所述铟锡铋锌合金材料包括如下质量百分含量的组分:In(铟)50%;Sn(锡)16%;Bi(铋)34%;Zn(锌)0%。
优选的,所述铟锡铋锌合金材料包括如下质量百分含量的组分:In(铟)56.5%;Sn(锡)12%;Bi(铋)31%;Zn(锌)0.5%。
如图5所示,所述柔性显示器件200包括长宽比相对较高的第一导电图形230和长宽比相对较低的第二导电图形250,所述第一导电图形230由低熔点合金材料制成,所述第二导电图形250由普通金属材料制成。
本实施例与实施例三不同之处在于,所述柔性显示器件200的第一导电图形230由低熔点合金材料制成,而不是采用自修复型导电胶。
在本发明的其他实施例中,所述第一导电图形230和第二导电图形250均由自修复导电材料制成,所述自修复导电材料包括自修复型导电胶和低熔点合金材料。所述第一导电图形230和第二导电图形250采用的材料可以相同,也可以不同。所述第一导电图形230和第二导电图形250采用的材料相同时,所述第一导电图形230和第二导电图形250均由自修复型导电胶制成,或者所述第一导电图形230和第二导电图形250均由低熔点合金材料制成。所述第一导电图形230和第二导电图形250采用的材料不同时,所述第一导电图形230由自修复型导电胶制成而所述第二导电图形250由低熔点合金材料制成,或者所述第一导电图形230由低熔点合金材料制成而所述第二导电图形250由自修复型导电胶制成。
需要说明的是,本说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
综上,在本发明实施例提供的柔性显示器件及其制造方法中,通过分步形成长宽比相对较高的金属线和长宽比相对较低的金属线,其中长宽比相对较高的金属线,包括数据线和栅线均由自修复导电材料制成,断裂后能够实现自动修复,从而提高所述柔性显示器的使用寿命。而且,自修复金属线与普通金属线先后形成,能够有效降低两者的短路现象,提高所述柔性显示器件的可靠性。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述,并非对本发明范围的任何限定,本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰,均属于权利要求书的保护范围。
Claims (10)
1.一种柔性显示器件的制造方法,其特征在于,包括:
提供一柔性基板;
在所述柔性基板上形成显示器件层;
在所述显示器件层上形成第一导电图形;
在所述显示器件层和第一导电图形上形成第一介电绝缘层,对所述第一介电绝缘层进行刻蚀以形成沟槽;以及
在所述沟槽中形成第二导电图形;
其中,所述第一导电图形由自修复导电材料制成,所述第一导电图形包括栅线和数据线;或者
所述第二导电图形由自修复导电材料制成,所述第二导电图形包括栅线和数据线。
2.如权利要求1所述的柔性显示器件的制造方法,其特征在于,所述自修复导电材料为自修复型导电胶;
采用自修复导电材料在所述沟槽中形成所述第二导电图形的过程包括:
通过喷墨打印工艺或旋涂工艺在所述第一介电绝缘层上及沟槽中形成自修复型导电胶层;
通过光刻工艺在所述自修复型导电胶层上形成图形化的光阻层;以及
以所述图形化的光阻层为掩膜对所述自修复型导电胶层进行刻蚀,以形成第二导电图形;
采用自修复导电材料在所述显示器件层上形成所述第一导电图形的过程包括:
通过喷墨打印工艺或旋涂工艺在所述显示器件层上形成自修复型导电胶层;
通过光刻工艺在所述自修复型导电胶层上形成图形化的光阻层;以及
以所述图形案化的光阻层为掩膜对所述自修复型导电胶层进行刻蚀,以形成第一导电图形。
3.如权利要求2所述的柔性显示器件的制造方法,其特征在于,所述自修复型导电胶包括填充有银纳米线的导电胶、含有多孔炭材料的导电胶或含有铟的热可修复型导电胶;
所述填充有银纳米线的导电胶采用核壳结构的纳米粒子,所述核壳结构的纳米粒子的壳为聚苯乙烯,所述核壳结构的纳米粒子的核为分散有银纳米线的聚硫醇与二甲基苯胺的混合物;
所述含有多孔炭材料的导电胶的成分包括环氧树脂、固化促进剂、环氧稀释剂份、乳化剂、含孔碳材料粉末、去离子水和囊壁材料;
所述含有铟的热可修复型导电胶的成分包括环氧树脂、片状银粉、固化剂、固化促进剂、聚甲基丙烯酸酯微粉、铟填料和偶联剂;
所述填充有银纳米线的导电胶和含有多孔炭材料的导电胶的制备方法均为乳液聚合法,所述含有铟的热可修复型导电胶的制备方法为固固混合和固液混合工艺。
4.如权利要求1所述的柔性显示器件的制造方法,其特征在于,所述自修复导电材料为低熔点合金材料;
采用自修复导电材料在所述沟槽中形成所述第二导电图形的过程包括:
通过溅镀工艺、化学气相沉积工艺或旋涂工艺在所述第一介电绝缘层上及沟槽中形成低熔点合金材料层;
通过光刻工艺在所述低熔点合金材料层上形成图形化的光阻层;以及
以所述图形案化的光阻层为掩膜对所述低熔点合金材料层进行刻蚀,以形成第二导电图形;
采用自修复导电材料在所述显示器件层上形成所述第一导电图形的过程包括:
通过溅镀工艺、化学气相沉积工艺或旋涂工艺在所述显示器件层上形成低熔点合金材料层;
通过光刻工艺在所述低熔点合金材料层上形成图形化的光阻层;以及
以所述图形案化的光阻层为掩膜对所述低熔点合金材料层进行刻蚀,以形成第一导电图形。
5.如权利要求4所述的柔性显示器件的制造方法,其特征在于,所述低熔点合金材料为铟锡铋锌合金材料,所述铟锡铋锌合金材料的熔点在50℃到60℃之间,所述铟锡铋锌合金材料包括如下质量百分含量的组分:铟46%~50%;锡12~20%;铋28~42%;锌0~10%。
6.如权利要求1所述的柔性显示器件的制造方法,其特征在于,所述第一导电图形由非自修复导电材料制成,所述第二导电图形由自修复导电材料制成,采用非自修复导电材料在所述显示器件层上形成第一导电图形的过程包括:
通过溅镀工艺、化学气相沉积工艺或旋涂工艺在所述显示器件层上形成非自修复导电材料层;
通过光刻工艺在所述非自修复导电材料层上形成图形化的光阻层;以及
以所述图形案化的光阻层为掩膜对所述非自修复导电材料层进行刻蚀,以形成第一导电图形;或者
所述第一导电图形由自修复导电材料制成,所述第二导电图形由非自修复导电材料制成,采用非自修复导电材料在所述沟槽中形成第二导电图形的过程包括:
通过溅镀工艺、化学气相沉积工艺或旋涂工艺在所述第一介电绝缘层上及沟槽中形成非自修复导电材料层;
通过光刻工艺在所述非自修复导电材料层上形成图形化的光阻层;以及
以所述图形案化的光阻层为掩膜对所述非自修复导电材料层进行刻蚀,以形成第二导电图形。
7.如权利要求6所述的柔性显示器件的制造方法,其特征在于,所述非自修复导电材料为钼、钼铝钼、钛或钛铝钛。
8.如权利要求1所述的柔性显示器件的制造方法,其特征在于,在形成第二导电图形之后,还包括:
在所述第二导电图形上依次形成金属扩散阻挡层、易流动的介电层和第二介电绝缘层。
9.如权利要求1所述的柔性显示器件的制造方法,其特征在于,在形成所述第一介电绝缘层之前,在形成所述第一导电图形之后,还包括:在所述第一导电图形上形成金属扩散阻挡层;
在形成所述第二导电图形之后,还包括:
在所述第二导电图形上形成易流动的介电层;
在所述易流动的介电层上形成第二介电绝缘层。
10.一种柔性显示器件,其特征在于,包括:柔性基板;形成于所述柔性基板上的显示器件层;形成于所述显示器件层的第一导电图形;形成于在所述显示器件层和第一导电图形上的第一介电绝缘层,形成于所述第一介电绝缘层中的沟槽;形成于所述沟槽中的第二导电图形;
其中,所述第一导电图形由自修复导电材料制成,所述第一导电图形包括栅线和数据线;或者
所述第二导电图形由自修复导电材料制成,所述第二导电图形包括栅线和数据线。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510379582.3A CN104992924B (zh) | 2015-07-01 | 2015-07-01 | 柔性显示器件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510379582.3A CN104992924B (zh) | 2015-07-01 | 2015-07-01 | 柔性显示器件及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104992924A CN104992924A (zh) | 2015-10-21 |
CN104992924B true CN104992924B (zh) | 2018-05-04 |
Family
ID=54304713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510379582.3A Active CN104992924B (zh) | 2015-07-01 | 2015-07-01 | 柔性显示器件及其制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104992924B (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106409152B (zh) * | 2016-09-26 | 2019-03-08 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种金属线、金属线自修复的方法以及柔性显示屏 |
CN106549021B (zh) * | 2016-12-02 | 2018-10-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板、柔性显示装置及其修复方法 |
CN107482044B (zh) * | 2017-08-23 | 2020-03-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 用于oled显示器的彩膜基板和oled显示器 |
CN108470831B (zh) * | 2017-11-29 | 2021-09-17 | 中芯集成电路(宁波)有限公司 | 柔性复合电极结构及其制造方法、柔性电子器件 |
CN108089768A (zh) * | 2018-01-25 | 2018-05-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 触控面板结构及柔性触控显示器件 |
CN108052239A (zh) * | 2018-01-25 | 2018-05-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 触摸屏 |
CN108899280B (zh) * | 2018-06-30 | 2021-01-29 | 广州国显科技有限公司 | 显示屏及其制造方法 |
US11444268B2 (en) | 2019-03-26 | 2022-09-13 | Apple Inc. | Electronic devices with flexible display cover layers |
CN110109569B (zh) * | 2019-05-07 | 2022-04-15 | 业成科技(成都)有限公司 | 触控结构及其制备方法和触控装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102719211A (zh) * | 2011-12-06 | 2012-10-10 | 常州大学 | 一种填充银纳米线自修复型导电胶及其制备方法 |
CN103666316A (zh) * | 2013-12-10 | 2014-03-26 | 江苏瑞德新能源科技有限公司 | 一种高温可修复导电胶及其制备方法 |
CN103666318A (zh) * | 2013-12-10 | 2014-03-26 | 江苏瑞德新能源科技有限公司 | 一种自修复导电胶及其制备方法 |
CN103700320A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示器及其制造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101267529B1 (ko) * | 2010-10-30 | 2013-05-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블한 유기전계 발광소자 제조 방법 |
-
2015
- 2015-07-01 CN CN201510379582.3A patent/CN104992924B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102719211A (zh) * | 2011-12-06 | 2012-10-10 | 常州大学 | 一种填充银纳米线自修复型导电胶及其制备方法 |
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CN103700320A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示器及其制造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN104992924A (zh) | 2015-10-21 |
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