CN117202706A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及显示装置及其制造方法。显示装置包括：第一基础层，限定其中布置有像素的显示区域；第二基础层，至少部分地在第一基础层下方；第一连接信号线，部分地在第一基础层上；以及第二连接信号线，部分地在第二基础层下方。第一连接信号线包括：第(1‑1)部，在平面图中与第一基础层重叠；以及第(1‑2)部，在平面图中不与第一基础层重叠。第二连接信号线包括：第(2‑1)部，在平面图中与第二基础层重叠；以及第(2‑2)部，在平面图中不与第二基础层重叠。第(2‑2)部的至少一部分在平面图中与第(1‑2)部重叠，并且第(1‑2)部和第(2‑2)部电连接。

Description

显示装置及其制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年6月7日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0068630号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本公开的一个或多个实施方式涉及显示装置及其制造方法。例如，一个或多个实施方式涉及具有减小的死区的显示装置及其制造方法。

背景技术

显示装置包括响应于电信号而被激活的有效区域。显示装置可以检测通过有效区域从外部施加的输入，并且可以同步(例如，同时)显示一个或多个适当的图像以向用户提供信息。近来，随着具有一个或多个适当形状的显示装置的发展，实现了具有一个或多个适当形状的有效区域。

发明内容

本公开的一个或多个实施方式的方面针对具有减小的死区的显示装置及其制造方法。

另外的方面将在随后的描述中部分阐述，并且部分将从描述中显而易见，或者可以通过本公开的所呈现的实施方式的实践来获知。

根据本公开的一个或多个实施方式，显示装置包括：第一基础层，限定其中布置有像素的显示区域；第二基础层，至少部分地在第一基础层下方；第一连接信号线，部分地在第一基础层上并且在第一方向上延伸；以及第二连接信号线，部分地在第二基础层下方并且在第一方向上延伸，第一连接信号线包括：第(1-1)部，在平面图中与第一基础层重叠；以及第(1-2)部，在平面图中不与第一基础层重叠，第二连接信号线包括：第(2-1)部，在平面图中与第二基础层重叠；以及第(2-2)部，在平面图中不与第二基础层重叠，第(2-2)部的至少一部分在平面图中与第(1-2)部重叠，并且第(1-2)部和第(2-2)部电连接。

在一个或多个实施方式中，显示装置还可以包括覆盖第一连接信号线和第二连接信号线中的每个的至少一部分的有机覆盖层。

在一个或多个实施方式中，有机覆盖层可以包括：第一有机覆盖层覆盖第一连接信号线；以及第二有机覆盖层，至少覆盖第二连接信号线的第(2-2)部。

在一个或多个实施方式中，第一有机覆盖层和第二有机覆盖层可以彼此间隔开。

在一个或多个实施方式中，第一有机覆盖层可以与显示区域的至少一部分重叠。

在一个或多个实施方式中，第一有机覆盖层的上表面可以是与第一基础层的上表面平行的平坦表面。

在一个或多个实施方式中，第一连接信号线的一端、第二连接信号线的一端、第一有机覆盖层的一端和第二有机覆盖层的一端可以在与第一方向交叉的第二方向上彼此对齐。

在一个或多个实施方式中，第一连接信号线的上表面可以与第一有机覆盖层接触，并且第二连接信号线的下表面可以与第二有机覆盖层接触。

在一个或多个实施方式中，显示装置还可以包括在第(1-2)部和第(2-2)部之间的导电粘合层。

在一个或多个实施方式中，显示装置还可以包括：电路元件层，在第一基础层上并且包括至少一个晶体管；发光元件层，在电路元件层上并且包括与显示区域重叠的发光元件；薄膜封装层，在发光元件层上并且覆盖发光元件；以及输入传感器，在薄膜封装层上。

在一个或多个实施方式中，显示装置还可以包括：第一附加基础层，在第一基础层上；第一中间层，在第一基础层和第一附加基础层之间；第二附加基础层，在第二基础层下方；以及第二中间层，在第二基础层和第二附加基础层之间。第一附加基础层可以在平面图中与第(1-2)部重叠，并且第二附加基础层可以在平面图中与第(2-2)部重叠，并且第一中间层的一部分可以与第二中间层的一部分接触。

在一个或多个实施方式中，可以在第一附加基础层在平面图中与第(1-2)部重叠的部分中限定第一接触孔，可以在第二附加基础层在平面图中与第(2-2)部重叠的部分中限定第二接触孔，第一连接信号线可以通过第一接触孔连接到第一中间层，并且第二连接信号线可通过第二接触孔连接到第二中间层。

根据本公开的一个或多个实施方式，显示装置分为其中布置有像素的显示部、在显示部下方的电路部、以及在第一方向上与显示部和电路部中的每个相邻的连接部，其中，显示装置包括：第一基础层，限定其中布置有像素的显示区域并且在显示部中；第二基础层，在电路部中；第一连接信号线，部分地在第一基础层上，该第一连接信号线包括在显示部中的第(1-1)部和在连接部中的第(1-2)部；以及第二连接信号线，部分地在第二基础层下方，并且包括在电路部中的第(2-1)部和在连接部中的第(2-2)部，并且第(2-2)部的至少一部分在平面图中与第(1-2)部重叠。

在一个或多个实施方式中，显示装置还可以包括有机覆盖层，其在显示部、连接部和电路部的至少一部分中，并且覆盖第一连接信号线和第二连接信号线中的每个的至少一部分。

根据本公开的一个或多个实施方式，制造显示装置的方法包括：提供包括初步基础层和在初步基础层上的初步连接信号线的初步显示装置，该初步基础层包括在第一方向上依次布置的第一区、中间区和第二区；去除初步基础层的与中间区重叠的部分，以形成基础开口；弯曲初步连接信号线的与中间区重叠的部分，以形成在平面图中重叠的上连接信号线和下连接信号线；以及电连接上连接信号线和下连接信号线。

在一个或多个实施方式中，方法还可以包括：在电连接上连接信号线和下连接信号线的步骤(动作或任务)之后，切割并去除上连接信号线的部分和下连接信号线的部分。

在一个或多个实施方式中，初步显示装置还可以包括覆盖初步连接信号线的初步有机覆盖层，并且在弯曲初步连接信号线的与中间区重叠的部分时，初步有机覆盖层的与中间区重叠的部分与初步连接信号线可以一起弯曲。

在一个或多个实施方式中，初步显示装置还可以包括覆盖初步连接信号线的初步有机覆盖层，并且在切割并去除上连接信号线的部分和下连接信号线的部分时，初步有机覆盖层的部分与上连接信号线的部分和下连接信号线的部分可以一起被去除。

在一个或多个实施方式中，在切割并去除上连接信号线的部分和下连接信号线的部分之后，上连接信号线的一端和下连接信号线的一端可以在与第一方向交叉的第二方向上彼此对齐。

在一个或多个实施方式中，在弯曲初步连接信号线的与中间区重叠的部分以形成上连接信号线和下连接信号线时，上连接信号线和下连接信号线可以通过导电粘合层来结合。

附图说明

从以下结合附图进行的简要描述，将更清楚地理解示例性实施方式。附图表示如本文中所描述的非限制性的示例性实施方式。

图1A是根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示装置期间的状态的立体图。

图1B是根据本公开的一个或多个实施方式的显示装置的分解立体图。

图2是根据本公开的一个或多个实施方式的显示装置的剖视图。

图3是根据本公开的一个或多个实施方式的显示面板的平面图。

图4是根据本公开的一个或多个实施方式的显示装置的像素的第一剖视图。

图5是根据本公开的一个或多个实施方式的沿着图1A的线I-I'截取的显示装置的第二剖视图。

图6A是根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示装置期间的状态的剖视图。

图6B是根据本公开的一个或多个实施方式的显示装置的剖视图。

图7A是根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示装置期间的状态的剖视图。

图7B是根据本公开的一个或多个实施方式的显示装置的剖视图。

图8是示出根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示装置的方法的流程图。

图9A至图9D是依次示出根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示装置的方法的步骤(任务)的剖视图。

具体实施方式

本公开可以以许多替代形式进行修改，并且因此具体实施方式将在附图中例示并对其进行更详细的描述。然而，应当理解的是，不旨在将本公开限制于所公开的具体形式，而是旨在覆盖落入本公开的精神和范围内的所有修改、等同物和替换。提供这些实施方式作为示例，使得本公开将是全面且完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的方面和特征。因此，可能不描述对于本领域普通技术人员完整地理解本公开的方面和特征而言不必要的过程、元件和技术。

本文中，当部件(或区域、层、部分等)被称为在另一元件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件时，其可以直接在另一部件上、直接连接到或联接到另一部件，或可以存在中间的部件。此外，还将理解，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，其可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个中间的元件或层。

除非另有说明，否则在全部附图和书面描述中，相同的附图标记表示相同的元件，并且因此，可以不重复对其的描述。此外，在附图中，为了有效地描述技术内容，部件的厚度、比例和尺寸可以被夸大。术语“和/或”包括相关所列项目的一个或多个的任何和所有组合。

将理解，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种部件，但是这些部件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个部件与另一部件区分开。例如，在不背离实施方式的教导的情况下，下面讨论的第一部件可以被称为第二部件。单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。

此外，诸如“下方”、“下”、“上方”、“上”等的术语用于描述附图中所示的配置的关系。这些术语用作相对概念，并且参照附图中所示的方向进行描述。将理解，除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在包含装置在使用中或操作中的不同定向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件将随之被定向在其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”和“之下”可以包含上方和下方两种定向。装置可以以其它方式定向(例如，旋转90度或处于其它定向)，并且本文中使用的空间相对描述语应相应地进行解释。

应当理解，术语“包含”或“包括”在本公开中旨在指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件或其组合存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在或添加。

在本公开中，“直接设置”可以意指在层、膜、区域、板等的部分与另一部分之间不添加层、膜、区域、板等。例如，“直接设置”可以意指在两个层或两个构件之间不设置诸如粘合构件的附加构件。

当位于元素列表之后时，诸如“…中的至少一个”、“…中的多个”、“…中的一个”和其它介词短语的表述如果写作连接词列表，则应理解为包括反义连接词，反之亦然。例如，表述“a、b和c中的至少一个”、“选自由a、b和c组成的组中的一个”、“选自a、b和c中的至少一个”、“a、b和c之中的至少一个”、“a、b和c之中的一个”、“a至c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部、或者其变形。

除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。术语，例如在常用词典中限定的那些术语，应当解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此限定，否则将不以理想化或过于形式化的含义进行解释。

在下文中，将参照附图描述本公开的实施方式。

图1A是根据本公开的一个或多个实施方式的在制造显示装置期间的状态的立体图。图1B是根据本公开的一个或多个实施方式的显示装置的分解立体图。图1A示出了用于制造图1B中所示的显示装置DD的初步显示装置DD-P1的状态。为了便于解释，在图1B中，以分解图示出了包括在显示装置DD中的配置。

如图1A和图1B中所示，其上显示图像的显示表面IS平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的表面。第三方向DR3指示显示表面IS的法线方向，即，初步显示装置DD-P1和显示装置DD的厚度方向。每个构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)在第三方向DR3上区分开。

如图1A和图1B中所示，初步显示装置DD-P1和显示装置DD包括其中显示图像的显示区域DA和与显示区域DA相邻的非显示区域NDA。非显示区域NDA是其中不显示图像的区域。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。

如图1A中所示，初步显示装置DD-P1包括在第一方向DR1上依次延伸的显示部P1、连接部P3和电路部P2。连接部P3限定在显示部P1和电路部P2之间。连接部P3在第三方向DR3上具有比显示部P1和电路部P2中的每个的厚度小的厚度。基础层的至少一部分在连接部P3中可以去除，并且因此连接部P3在第三方向DR3上的厚度可以小于显示部P1和电路部P2(例如，显示部P1和电路部P2中的每个)在第三方向DR3上的厚度。初步显示装置DD-P1的连接部P3的形状将在后面描述。在本公开的一个或多个实施方式中，其中设置有显示部P1的区域可以被称为第一区，其中设置有连接部P3的区域可以被称为中间区，并且其中设置有电路部P2的区域可以被称为第二区。

显示部P1可以包括非显示区域NDA的一部分(下文中，称为第一非显示区域NDA1)和显示区域DA。电路部P2可以包括非显示区域NDA的另一部分(下文中，称为第二非显示区域NDA2)，并且连接部P3可以包括第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2之间的部分(下文中，称为第三非显示区域NDA3)。

连接部P3和电路部P2可以在第二方向DR2上具有比显示部P1的宽度小的宽度。驱动芯片DC可以安装在电路部P2上。然而，本公开不限于此，并且驱动芯片DC可以安装在电路板上，并且电路板可以电连接到电路部P2。

参照图1A和图1B，在显示装置DD中，电路部P2设置在显示部P1下方。在显示装置DD中，连接部P3可以分离地设置为在第一方向DR1上与显示部P1相邻的第一连接部P3-1和在第一方向DR1上与电路部P2相邻的第二连接部P3-2。第一连接部P3-1和第二连接部P3-2可以设置成在平面图中彼此重叠。在本公开的一个或多个实施方式中，“在平面图中重叠”可以意指在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面中观察时重叠。第一连接部P3-1和第二连接部P3-2可以设置成在第三方向DR3上彼此重叠。第一连接部P3-1的侧表面P3-1S和第二连接部P3-2的侧表面P3-2S可以彼此对齐。例如，第一连接部P3-1的侧表面P3-1S和第二连接部P3-2的侧表面P3-2S可以限定为与第三方向DR3平行的一个侧表面。

在显示装置DD中，连接部P3可以分为第一连接部P3-1和第二连接部P3-2，并且电路部P2可以设置在显示部P1下方，并且因此可以减小从显示表面IS观察到的非显示区域NDA的面积。可以看出，在图1B的显示装置DD中，与图1A中所示的初步显示装置DD-P1相比，非显示区域NDA的面积减小了与至少电路部P2和第二连接部P3-2对应的面积。在根据实施方式的显示装置DD中，连接部P3可以分为设置成在平面图中重叠的第一连接部P3-1和第二连接部P3-2，并且因此可以进一步减小显示装置DD的边框的面积。

上述显示部P1、连接部P3和电路部P2可以等同地应用于作为显示装置DD的部件的显示面板DP(例如参见图2)和输入传感器ISL(例如参见图2)中的每个。显示区域DA和非显示区域NDA可以等同地应用于显示面板DP。输入传感器ISL可以包括与显示区域DA对应的感测区域和与非显示区域NDA对应的非感测区域。

在本实施方式中，显示区域DA可以具有矩形形状。然而，本公开不限于此，并且显示区域DA的形状和非显示区域NDA的形状可以改变。例如，非显示区域NDA可以设置为仅与显示区域DA的一部分相邻。尽管在该实施方式中将应用于移动电话的显示装置DD作为示例示出，但是本公开不限于此。显示装置DD可以应用于诸如电视和监视器的大型电子装置以及诸如平板、汽车导航系统、游戏控制台和智能手表的小型和中型电子装置。

图2是根据本公开的一个或多个实施方式的显示装置的剖视图。图2示出了图1B中所示的显示装置DD的显示部P1的由第二方向DR2和第三方向DR3限定的剖面。

如图2中所示，显示装置DD包括显示面板DP和输入传感器ISL。根据本公开的一个或多个实施方式的显示装置DD还可以包括设置在显示面板DP的下表面上的保护构件、以及设置在输入传感器ISL的上表面上的抗反射构件和/或窗构件。

显示面板DP可以是发光显示面板，并且没有特别限制。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板或无机发光显示面板。在有机发光显示面板中，发光层包括有机发光材料。在无机发光显示面板中，发光层包括量子点、量子棒或微型LED。在下文中，显示面板DP将作为有机发光显示面板进行描述。

显示面板DP包括基础层110、设置在基础层110上的电路元件层120、发光元件层130和薄膜封装层140。输入传感器ISL可以直接设置在薄膜封装层140上。如本文中所使用的，当本公开陈述配置A“直接设置在”配置B“上”时，意指在配置A和配置B之间不设置粘合层，并且配置A的下表面和配置B的上表面彼此接触。

基础层110可以包括至少一个塑料膜。为柔性衬底的基础层110可以包括塑料衬底、玻璃衬底、金属衬底、和/或有机/无机复合衬底。基础层110可以包括多个有机层。例如，基础层110可以包括设置在两个有机层之间的无机层。参照图1A和图1B描述的显示区域DA和非显示区域NDA可以等同地针对基础层110限定。

电路元件层120包括至少一个绝缘层和电路元件。绝缘层包括至少一个无机层和至少一个有机层。电路元件包括信号线和像素驱动电路。其详细描述将在后面更详细地给出。

发光元件层130包括发光元件，诸如有机发光二极管。发光元件层130还可以包括诸如像素限定层的有机层。

薄膜封装层140包括多个薄膜。一些薄膜被设置以改善光学效率，并且一些薄膜被设置以保护有机发光二极管。对薄膜封装层140的详细描述将在后面更详细地给出。

输入传感器ISL获取外部输入的坐标信息。输入传感器ISL可以具有多层结构。输入传感器ISL可以包括单层或多层的导电层。输入传感器ISL可以包括单层或多层的绝缘层。输入传感器ISL可以例如以电容方式感测外部输入。在本公开中，输入传感器ISL的操作方式没有特别限制，并且在本公开的一个或多个实施方式中，输入传感器ISL可以利用电磁感应方式或压力感测方式来感测外部输入。

图3是根据本公开的一个或多个实施方式的显示面板的平面图。图3示出了将根据一个或多个实施方式的显示面板DP应用于图1A中所示的初步显示装置DD-P1的状态。

如图3中所示，在平面图中，显示面板DP包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示面板DP可以包括显示部P1、连接部P3和电路部P2。

显示面板DP可以包括驱动电路GDC和EDC、多条信号线SGL和多个像素PX。多个像素PX设置在显示区域DA中。像素PX中的每个包括发光元件和与其连接的像素驱动电路。驱动电路GDC和EDC、多条信号线SGL和像素驱动电路可以包括在图2中所示的电路元件层120中。

驱动电路GDC和EDC可以包括设置在非显示区域NDA中的扫描驱动电路GDC和发光驱动电路EDC。扫描驱动电路GDC生成多个扫描信号，并且将所述多个扫描信号依次地输出到将在后面更详细地描述的多条扫描线GL。发光驱动电路EDC生成多个脉冲信号，并且将所述多个脉冲信号依次地输出到将在后面更详细地描述的多条发光信号线EL。发光驱动电路EDC可以与第二扫描驱动电路对应，所述第二扫描驱动电路生成在与扫描驱动电路GDC的时段不同的时段中激活的、不同类型或种类的扫描信号。

扫描驱动电路GDC和发光驱动电路EDC中的每个可以包括多个薄膜晶体管，其与像素PX的驱动电路通过相同的工艺形成，例如通过低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺形成。

多条信号线SGL包括扫描线GL、发光信号线EL、数据线DL和信号传输线CSL1和CSL2。数据线DL中的每一条连接到多个像素PX中的相应像素PX。数据线DL中的每一条从驱动芯片DC(例如参见图1A)向多个像素PX中的相应像素PX提供数据信号。数据线DL可以至少设置在显示部P1中，并且可以从显示部P1朝向连接部P3和电路部P2延伸。

信号传输线CSL1和CSL2可以包括向扫描驱动电路GDC提供信号的第一信号传输线CSL1和向发光驱动电路EDC提供信号的第二信号传输线CSL2。第一信号传输线CSL1和第二信号传输线CSL2与显示部P1、连接部P3和电路部P2中的每个重叠。

尽管被示出为一条信号线，但是第一信号传输线CSL1和第二信号传输线CSL2中的每个可以设置为复数。第一信号传输线CSL1和第二信号传输线CSL2可以包括接收第一偏置电压的第一信号线和接收低于第一偏置电压的第二偏置电压的第二信号线。第一偏置电压和第二偏置电压之间的电压差可以是约10V或更大，并且可以是约20V到30V。

第一信号传输线CSL1和第二信号传输线CSL2还可以包括传输时钟信号的第三信号线。第一信号传输线CSL1和第二信号传输线CSL2可以包括提供不同时钟信号的多条第三信号线。

扫描驱动电路GDC和发光驱动电路EDC中的每个可以接收时钟信号、第一偏置电压和第二偏置电压以生成脉冲信号。扫描驱动电路GDC和发光驱动电路EDC可以接收不同的时钟信号。由扫描驱动电路GDC和发光驱动电路EDC接收的第一偏置电压电平可以彼此不同，并且由扫描驱动电路GDC和发光驱动电路EDC接收的第二偏置电压电平可以彼此不同。

显示面板DP可以包括设置在电路部P2中的多个信号焊盘DP-PD。设置有多个信号焊盘DP-PD的部分可以限定为焊盘区域。多个信号焊盘DP-PD中的每个可以连接到多条数据线DL或多条信号传输线CSL1和CSL2中的相应信号线。

信号线SGL中的每一条可以从显示部P1朝向连接部P3和电路部P2延伸。信号线SGL中的每一条可以从显示部P1途经连接部P3延伸到电路部P2，以连接到多个信号焊盘DP-PD。多个信号焊盘DP-PD可以将显示面板DP电连接到驱动芯片DC(例如参见图1A)，或者将显示面板DP电连接到柔性电路板。

在根据一个或多个实施方式的显示面板DP中，信号线SGL中的一些可以包括设置在不同层上的多个部分。信号线SGL的设置在不同层上的多个部分可以通过显示接触孔CNT-D1和CNT-D2彼此连接。显示接触孔CNT-D1和CNT-D2可以包括在显示部P1中限定成与连接部P3相邻的第一显示接触孔CNT-D1和在电路部P2中限定成与连接部P3相邻的第二显示接触孔CNT-D2。信号线SGL可以包括设置在连接部P3中的连接信号线SL-C，并且连接信号线SL-C可以与剩下的信号线SGL在不同的层上。连接信号线SL-C可以通过第一显示接触孔CNT-D1连接到信号线SGL的设置在显示部P1中的部分，并且可以通过第二显示接触孔CNT-D2连接到信号线SGL的设置在电路部P2中的部分。

图4是根据本公开的一个或多个实施方式的显示装置的像素的第一剖视图。图5是根据本公开的一个或多个实施方式的显示装置的第二剖视图。图4示出了与图3中所示的一个像素PX对应的剖面。图5示出了图1A中所示的初步显示装置DD-P1的一部分的剖视图。图5，其是与图1A的I-I'对应的剖面，侧重于(例如，包括)绝缘层。在图4和图5中，绝缘层与实际厚度不同地示出，以清楚地示出绝缘层。在一个或多个实施方式中，与“有机层”相比，“无机层”具有约10％至20％的厚度。

图4示出了一发光元件LD和一像素电路PC1的一部分。示出了硅晶体管S-TFT和氧化物晶体管O-TFT作为像素电路PC1的代表。尽管描述了包括硅晶体管S-TFT和氧化物晶体管O-TFT两者(例如，同时包括硅晶体管S-TFT和氧化物晶体管O-TFT)的像素电路PC1作为示例，但是显示区域DA中的多个像素电路PC1(所述一像素电路PC1是其代表性示例)可以仅包括多个硅晶体管S-TFT，或者可以仅包括多个氧化物晶体管O-TFT。

参照图4，阻挡层10br可以设置在基础层110上。阻挡层10br防止异物从外部引入。阻挡层10br可以包括至少一个无机层。阻挡层10br可以包括硅氧化物层和硅氮化物层。这些层中的每个可以设置为多个，并且硅氧化物层和硅氮化物层可以交替堆叠。

第一屏蔽电极BMLa可以设置在阻挡层10br上。第一屏蔽电极BMLa可以包括金属。第一屏蔽电极BMLa可以包括具有高耐热性的钼(Mo)、含钼的合金、钛(Ti)或含钛的合金。第一屏蔽电极BMLa可以接收偏置电压。第一屏蔽电极BMLa可以接收电源电压。第一屏蔽电极BMLa可以阻挡或基本上阻挡由极化引起的电势对硅晶体管S-TFT造成影响。第一屏蔽电极BMLa可以阻挡或基本上阻挡外部光进入硅晶体管S-TFT。在本公开的一个或多个实施方式中，第一屏蔽电极BMLa可以是与其它电极或布线绝缘的浮置电极。

缓冲层10bf可以设置在阻挡层10br上。缓冲层10bf可以防止或减少金属原子或杂质从基础层110扩散到上部的第一半导体图案SC1中。缓冲层10bf可以包括至少一个无机层。缓冲层10bf可以包括硅氧化物层和硅氮化物层。

第一半导体图案SC1可以设置在缓冲层10bf上。第一半导体图案SC1可以包括硅半导体。例如，硅半导体可以包括非晶硅或多晶硅。例如，第一半导体图案SC1可以包括低温多晶硅。

图4仅示出了第一半导体图案SC1的一部分，并且第一半导体图案SC1可以进一步设置在另一区域中。第一半导体图案SC1可以以特定图案遍及多个像素布置。根据第一半导体图案SC1是否被掺杂，第一半导体图案SC1可以具有不同的电特性。第一半导体图案SC1可以包括具有高电导率的第一区和具有低电导率的第二区。第一区可以掺杂有N型或N类掺杂剂或者P型或P类掺杂剂。P型或P类晶体管可以包括掺杂有P型或P类掺杂剂的掺杂区，并且N型或N类晶体管可以包括掺杂有N型或N类掺杂剂的掺杂区。第二区可以是非掺杂区或者可以是以比第一区的浓度低的浓度掺杂的区。

第一区的电导率可以大于第二区的电导率，并且第一区可以基本上用作电极或信号线。第二区可以基本上与晶体管的沟道区(或有源区)对应。例如，第一半导体图案SC1的一部分可以是晶体管的沟道，另一部分可以是晶体管的源极或漏极，并且另一部分可以是连接电极或连接信号线。

硅晶体管S-TFT的源区SE1、沟道区AC1(或有源区)和漏区DE1可以由第一半导体图案SC1形成。在剖视图中，源区SE1和漏区DE1可以从沟道区AC1在相反方向上延伸。

第一绝缘层10可以设置在缓冲层10bf上。第一绝缘层10可以覆盖第一半导体图案SC1。第一绝缘层10可以是无机层。第一绝缘层10可以是单层硅氧化物层。第一绝缘层10可以具有多层结构也可以具有单层结构。后面将描述的电路元件层120的无机层可以具有单层或多层结构，并且可以包括上述材料中的至少一种，但不限于此。

硅晶体管S-TFT的栅极GT1设置在第一绝缘层10上。栅极GT1可以是金属图案的一部分。栅极GT1与沟道区AC1重叠。在掺杂第一半导体图案SC1的工艺中，栅极GT1可以是掩模。存储电容器Cst的第一电极CE10设置在第一绝缘层10上。第一电极CE10在平面图中可以具有与栅极GT1一体的形状。

第二绝缘层20可以设置在第一绝缘层10上并且可以覆盖栅极GT1。虽然未示出，但与栅极GT1重叠的上电极可以设置在第二绝缘层20上。与第一电极CE10重叠的第二电极CE20可以设置在第二绝缘层20上。

第二屏蔽电极BMLb设置在第二绝缘层20上。第二屏蔽电极BMLb可以设置成与氧化物晶体管O-TFT的下部分对应。在本公开的一个或多个实施方式中，可以不设置第二屏蔽电极BMLb。根据本公开的一个或多个实施方式，第一屏蔽电极BMLa可以延伸到氧化物晶体管O-TFT的下部分以代替第二屏蔽电极BMLb。

第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上。第二半导体图案SC2可以设置在第三绝缘层30上。第二半导体图案SC2可以包括氧化物晶体管O-TFT的沟道区AC2。第二半导体图案SC2可以包括氧化物半导体。第二半导体图案SC2可以包括诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In₂O₃)的透明导电氧化物(TCO)。

氧化物半导体可以包括根据透明导电氧化物是否被还原而划分的多个区。透明导电氧化物被还原的区(下文中，还原区)具有比透明导电氧化物未被还原的区(下文中，非还原区)大的电导率。还原区基本上用作晶体管的源极/漏极或与之连接的信号线。非还原区基本上与晶体管的半导体区(或沟道)对应。例如，第二半导体图案SC2的一部分可以是晶体管的半导体区，其另一部分可以是晶体管的源区/漏区，并且其另一部分可以是信号传输区。

第四绝缘层40可以设置在第三绝缘层30上。如图4中所示，第四绝缘层40可以覆盖第二半导体图案SC2。在本公开的一个或多个实施方式中，第四绝缘层40可以与氧化物晶体管O-TFT的沟道区AC2重叠，并且可以暴露氧化物晶体管O-TFT的源区SE2和漏区DE2。

氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2设置在第四绝缘层40上。氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2可以是金属图案的一部分。氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2与沟道区AC2重叠。

第五绝缘层50可以设置在第四绝缘层40上，并且第五绝缘层50可以覆盖栅极GT2。第一绝缘层10至第五绝缘层50中的每个可以是无机层。

第一连接电极CNE1可以设置在第五绝缘层50上。第一连接电极CNE1可以通过穿过第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50的接触孔连接到硅晶体管S-TFT的漏区DE1。

第六绝缘层60可以设置在第五绝缘层50上。第二连接电极CNE2可以设置在第六绝缘层60上。第二连接电极CNE2可以通过穿过第六绝缘层60的接触孔连接到第一连接电极CNE1。数据线DL可以设置在第六绝缘层60上。第七绝缘层70可以设置在第六绝缘层60上并且可以覆盖第二连接电极CNE2和数据线DL。第三连接电极CNE3可以设置在第七绝缘层70上。第三连接电极CNE3可以通过穿过第七绝缘层70的接触孔连接到第二连接电极CNE2。第八绝缘层80可以设置在第七绝缘层70上并且可以覆盖第三连接电极CNE3。第六绝缘层60至第八绝缘层80中的每个可以是有机层。

在该实施方式中，示出了包括七个导电层的电路元件层120作为示例，所述七个导电层包括第一屏蔽电极BMLa、硅晶体管S-TFT的栅极GT1、第二屏蔽电极BMLb、氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2、第一连接电极CNE1、第二连接电极CNE2和第三连接电极CNE3。将第一导电层至第七导电层图案化以分别从对应的导电层形成第一屏蔽电极BMLa、硅晶体管S-TFT的栅极GT1、第二屏蔽电极BMLb、氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2、第一连接电极CNE1、第二连接电极CNE2和第三连接电极CNE3。根据本公开的一个或多个实施方式，导电层的数量可以改变。电路元件层120可以包括4至7个导电层。

发光元件LD可以包括阳极AE1(或第一电极)、发射层EL1和阴极CE(或第二电极)。阴极CE可以对于多个像素PX(例如参见图3)的发光元件公共地设置。

发光元件LD的阳极AE1可以设置在第八绝缘层80上。阳极AE1可以是透射电极、半透射电极或反射电极。像素限定层PDL可以设置在第八绝缘层80上。像素限定层PDL可以具有吸收光的特性，例如，像素限定层PDL可以具有黑色。像素限定层PDL可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料和黑色颜料。黑色着色剂可以包括诸如铬的金属或者其氧化物或者炭黑。像素限定层PDL可以与具有遮光特性的遮光图案对应。

像素限定层PDL可以覆盖阳极AE1的一部分。例如，暴露阳极AE1的一部分的开口PDL-OP可以限定在像素限定层PDL中。

空穴控制层可以设置在阳极AE1和发射层EL1之间。空穴控制层可以包括空穴传输层并且还可以包括空穴注入层。电子控制层可以设置在发射层EL1和阴极CE之间。电子控制层可以包括电子传输层并且还可以包括电子注入层。空穴控制层和电子控制层可以利用开口掩模在多个像素PX(例如参见图3)中公共地形成。

薄膜封装层140可以设置在发光元件层130上。薄膜封装层140可以包括依次堆叠的无机层141、有机层142和无机层143，但是构成薄膜封装层140的层不限于此。

无机层141和143可以保护发光元件层130不受湿气和氧气的影响，并且有机层142可以保护发光元件层130不受诸如尘埃颗粒的异物的影响。无机层141和143可以包括硅氮化物层、硅氮氧化物层、硅氧化物层、钛氧化物层或铝氧化物层。有机层142可以包括基于丙烯酸的有机层，但不限于此。

输入传感器ISL可以设置在显示面板DP上。输入传感器ISL可以包括至少一个导电层和至少一个绝缘层。在本实施方式中，输入传感器ISL可以包括第一传感器绝缘层210、第一导电层220、第二传感器绝缘层230、第二导电层240和第三传感器绝缘层250。

第一传感器绝缘层210可以直接设置在显示面板DP上。第一传感器绝缘层210可以包括无机层，其包括硅氮化物、硅氮氧化物和硅氧化物中的至少一种。第一导电层220和第二导电层240中的每个可以具有在第三方向DR3上堆叠的单层结构或多层结构。第一导电层220和第二导电层240可以包括限定网格形状的电极的导电线。第一导电层220的导电线和第二导电层240的导电线可以通过穿过第二传感器绝缘层230的接触孔连接或可以不连接。第一导电层220的导电线和第二导电层240的导电线之间的连接可以根据形成为输入传感器ISL的传感器的类型或种类来确定。

具有单层结构的第一导电层220和第二导电层240可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或其合金。透明导电层可以包括诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)或铟锌锡氧化物(IZTO)的透明导电氧化物。在一个或多个实施方式中，透明导电层可以包括诸如聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)(PEDOT)的导电聚合物、金属纳米线和石墨烯。

多层结构的第一导电层220和第二导电层240可以包括金属层。金属层可以具有例如钛/铝/钛的三层结构。多层导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。

第二传感器绝缘层230覆盖第一导电层220。第二传感器绝缘层230可以包括无机层，其包括硅氮化物、硅氮氧化物和硅氧化物中的至少一种。第三传感器绝缘层250覆盖第二导电层240。第三传感器绝缘层250可以包括有机层。

参照图5，无机层10br、10bf和10至50设置在基础层110上。无机层10br、10bf和10至50可以包括阻挡层10br、缓冲层10bf和第一绝缘层10至第五绝缘层50。无机层10br、10bf和10至50与显示部P1和电路部P2重叠。无机层10br、10bf和10至50可以不设置在连接部P3中。与连接部P3对应的开口可以限定在无机层10br、10bf和10至50中。与连接部P3对应的开口在第二方向DR2上延伸。在一个或多个实施方式中，与图5中所示的不同，无机层10br、10bf和10至50可以不设置在电路部P2中。

有机层60、70、80和PDL设置在无机层10br、10bf和10至50上。有机层60、70、80和PDL可以包括第六绝缘层60至第八绝缘层80和像素限定层PDL。

输入传感器ISL的为无机层的第一传感器绝缘层210和第二传感器绝缘层230与显示部P1重叠。在一个或多个实施方式中，如图5中所示，有机层60、70、80和PDL、第一传感器绝缘层210和第二传感器绝缘层230中的每个可以不与连接部P3和电路部P2重叠。然而，本公开不限于此，并且有机层60、70、80和PDL、第一传感器绝缘层210和第二传感器绝缘层230中的至少一些可以设置成与电路部P2的一部分重叠。

有机覆盖层OC可以设置在输入传感器ISL上。有机覆盖层OC可以设置成覆盖输入传感器ISL和设置在其下方的显示面板DP的部件。在一个或多个实施方式中，有机覆盖层OC可以与显示部P1和连接部P3重叠。有机覆盖层OC可以与电路部P2的至少一部分重叠。有机覆盖层OC可以在连接部P3中填充与无机层10br、10bf和10至50对应的开口。有机覆盖层OC的上表面可以设置为平坦表面。例如，有机覆盖层OC可以包括与基础层110的上表面平行的上表面。有机覆盖层OC的上表面可以平行于第一方向DR1和第二方向DR2中的每个。

在基础层110中，可以限定与连接部P3对应的基础开口110-OP。在根据一个或多个实施方式的初步显示装置DD-P1中，限定与连接部P3重叠的基础开口110-OP，并且当中间区弯曲时，连接信号线(例如参见图3的SL-C)以小曲率半径弯曲以被连接，这将在后面描述。

图6A是根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示装置期间的状态的剖视图。图6B是根据本公开的一个或多个实施方式的显示装置的剖视图。图6A示出了用于制造图6B中所示的显示装置DD的初步显示装置DD-P1的状态。在一个或多个实施方式中，在图6A和图6B中，为了便于解释，简要示出了电路元件层120、发光元件层130、薄膜封装层140和输入传感器ISL的形状。

参照图6A，在根据一个或多个实施方式的初步显示装置DD-P1中，基础层110包括设置在显示部P1中的显示基础层110-1和设置在电路部P2中的电路基础层110-2。基础开口110-OP可以限定在显示基础层110-1和电路基础层110-2之间。基础开口110-OP可以限定为与连接部P3重叠。

显示基础层110-1和电路基础层110-2中的每个可以包括多个有机层。在一个或多个实施方式中，显示基础层110-1和电路基础层110-2中的每个可以包括设置在两个有机层之间的无机层。显示基础层110-1可以包括第一基础层110-11、第一中间层110-1C和第一附加基础层110-12。电路基础层110-2可以包括第二基础层110-21、第二中间层110-2C和第二附加基础层110-22。包括在显示基础层110-1和电路基础层110-2中的每个中的多个有机层中的每个可以是例如聚酰亚胺(PI)层。

初步显示装置DD-P1可以包括设置在显示基础层110-1和电路基础层110-2中的每个上的初步连接信号线SL-CP。初步连接信号线SL-CP可以与显示部P1、电路部P2和连接部P3中的每个重叠。在一个或多个实施方式中，初步连接信号线SL-CP可以与例如图3中所示的连接信号线SL-C对应。初步连接信号线SL-CP可以通过接触孔连接到包括在电路元件层120中的信号线中的一些。

在根据一个或多个实施方式的初步显示装置DD-P1中，初步连接信号线SL-CP的至少一部分可以由初步有机覆盖层OC-P覆盖。初步有机覆盖层OC-P可以与显示部P1、连接部P3和电路部P2中的每个重叠。初步有机覆盖层OC-P可以设置成与显示部P1的其中设置有像素PX(例如参见图3)的区域(即，显示区域DA(例如参见图3))重叠。初步有机覆盖层OC-P可以部分地覆盖设置有电路元件层120、发光元件层130、薄膜封装层140和输入传感器ISL的区域、以及设置有初步连接信号线SL-CP的区域，并且可以配置为消除由它们之间的厚度差所引起的台阶差。在一个或多个实施方式中，初步有机覆盖层OC-P可以配置为提供基础表面以支承与其中限定有基础开口110-OP的连接部P3重叠的初步连接信号线SL-CP。在一个或多个实施方式中，初步连接信号线SL-CP的至少一部分可以与初步有机覆盖层OC-P接触。

参照图6B，在根据一个或多个实施方式的显示装置DD中，电路部P2的至少一部分可以设置在显示部P1下方。在显示部P1中，设置上述显示基础层110-1，并且电路元件层120、发光元件层130、薄膜封装层140和输入传感器ISL可以依次地设置在显示基础层110-1上。

电路部P2可以基于图6A中所示的状态以倒置的形状设置在显示部P1下方。在根据一个或多个实施方式的显示装置DD中，电路基础层110-2可以以从图6A中所示的状态倒置的状态设置在显示基础层110-1下方。显示基础层110-1包括第一基础层110-11、设置在第一基础层110-11上的第一中间层110-1C、以及设置在第一中间层110-1C上的第一附加基础层110-12。电路基础层110-2包括第二基础层110-21、设置在第二基础层110-21下方的第二中间层110-2C、以及设置在第二中间层110-2C下方的第二附加基础层110-22。第二基础层110-21可以相邻地设置在第一基础层110-11下方。

根据一个或多个实施方式的显示装置DD可以包括在第一方向DR1上与显示部P1相邻设置的第一连接部P3-1以及在第一方向DR1上与电路部P2相邻设置的第二连接部P3-2。在平面图中，第一连接部P3-1和第二连接部P3-2的至少一部分可以彼此重叠。

根据一个或多个实施方式的显示装置DD包括第一连接信号线SL-C1和第二连接信号线SL-C2，第一连接信号线SL-C1部分地设置在显示基础层110-1上并且在第一方向DR1上延伸，第二连接信号线SL-C2部分地设置在电路基础层110-2下方并且在第一方向DR1上延伸。第一连接信号线SL-C1和第二连接信号线SL-C2中的每个可以是源自包括在上述初步显示装置DD-P1中的初步连接信号线SL-CP的信号线。初步连接信号线SL-CP可以在显示装置的制造工艺中弯曲并被部分地切除以形成第一连接信号线SL-C1和第二连接信号线SL-C2中的每个。第一连接信号线SL-C1和/或第二连接信号线SL-C2的至少一部分可以设置成在平面图中重叠。第二连接信号线SL-C2可以设置在第一连接信号线SL-C1下方。第一连接信号线SL-C1的一部分可以连接到第二连接信号线SL-C2的一部分。

第一连接信号线SL-C1包括第(1-1)部SL-C11和第(1-2)部SL-C12。第(1-1)部SL-C11可以是第一连接信号线SL-C1中的设置在显示部P1中的部分，并且可以在平面图中与显示基础层110-1重叠。第(1-2)部SL-C12可以是第一连接信号线SL-C1中的设置在第一连接部P3-1中的部分，并且可以不与显示基础层110-1重叠。

第二连接信号线SL-C2包括第(2-1)部SL-C21和第(2-2)部SL-C22。第(2-1)部SL-C21可以是第二连接信号线SL-C2中的设置在电路部P2中的部分，并且可以是在平面图中与电路基础层110-2重叠的部分。第(2-2)部SL-C22是第二连接信号线SL-C2中的设置在第二连接部P3-2中的部分，并且可以不与电路基础层110-2重叠。

第一连接信号线SL-C1的第(1-2)部SL-C12和第二连接信号线SL-C2的第(2-2)部SL-C22可以彼此连接，并且第(2-2)部SL-C22可以在平面图中与第(1-2)部SL-C12的一部分重叠。第(1-2)部SL-C12和第(2-2)部SL-C22可以彼此电连接。在一个或多个实施方式中，第(1-2)部SL-C12和第(2-2)部SL-C22可以彼此接触或在导电介质插入其间的情况下彼此相邻地设置。例如，如图6B中所示，导电粘合层ACF设置在第(1-2)部SL-C12和第(2-2)部SL-C22之间，并且因此，第(1-2)部SL-C12和第(2-2)部SL-C22可以彼此电连接。导电粘合层ACF可以是例如各向异性导电膜。导电粘合层ACF可以包括提供粘附力的粘合基础材料以及分散在粘合基础材料中的多个导电球。第(1-2)部SL-C12和第(2-2)部SL-C22可以通过包括在导电粘合层ACF中的多个导电球彼此电连接。然而，本公开不限于此，并且在一个或多个实施方式中，第(1-2)部SL-C12和第(2-2)部SL-C22可以通过超声结合彼此结合并且电连接。

根据一个或多个实施方式的显示装置DD可以包括覆盖第一连接信号线SL-C1和第二连接信号线SL-C2中的每个的至少一部分的有机覆盖层OC。有机覆盖层OC包括覆盖第一连接信号线SL-C1的第一有机覆盖层OC1和覆盖第二连接信号线SL-C2的至少一部分的第二有机覆盖层OC2。第一有机覆盖层OC1和第二有机覆盖层OC2中的每个可以是源自包括在上述初步显示装置DD-P1中的初步有机覆盖层OC-P的有机层。在显示装置的制造工艺期间，初步有机覆盖层OC-P可以弯曲并被部分地切除以形成第一有机覆盖层OC1和第二有机覆盖层OC2中的每个。

第一有机覆盖层OC1可以设置在显示部P1和第一连接部P3-1中。第一有机覆盖层OC1可以覆盖第一连接信号线SL-C1的第(1-1)部SL-C11和第(1-2)部SL-C12。如对初步有机覆盖层OC-P所描述的，第一有机覆盖层OC1可以设置成与显示区域DA(例如参见图3)重叠。第一有机覆盖层OC1可以设置成与显示区域DA(例如参见图3)的至少一部分重叠。第一有机覆盖层OC1可以与第一连接信号线SL-C1的上表面接触。第一有机覆盖层OC1的上表面可以设置为平坦表面。例如，第一有机覆盖层OC1可以包括与显示基础层110-1的上表面平行的上表面。

第二有机覆盖层OC2可以设置在电路部P2和第二连接部P3-2的一部分中。第二有机覆盖层OC2可以覆盖第二连接信号线SL-C2的第(2-2)部SL-C22和第(2-1)部SL-C21的一部分。然而，本公开不限于此，并且与图6B中所示的实施方式不同，第二有机覆盖层OC2可以设置成不与电路部P2重叠。例如，第二有机覆盖层OC2可以仅覆盖第(2-2)部SL-C22，并且可以不覆盖第(2-1)部SL-C21。第二有机覆盖层OC2可以与第二连接信号线SL-C2的下表面接触。第二有机覆盖层OC2可以与为第二连接信号线SL-C2的一部分的第(2-2)部SL-C22的下表面接触。

第一有机覆盖层OC1和第二有机覆盖层OC2可以设置成彼此间隔开(例如，彼此分离)。如图6B中所示，第一有机覆盖层OC1和第二有机覆盖层OC2可以在第一连接信号线SL-C1和第二连接信号线SL-C2介于其间的情况下在第三方向DR3上彼此间隔开(例如，彼此分离)。第一连接信号线SL-C1、导电粘合层ACF和第二连接信号线SL-C2可以依次设置在第一有机覆盖层OC1和第二有机覆盖层OC2之间。第一有机覆盖层OC1和第二有机覆盖层OC2可以彼此不接触。

在一个或多个实施方式的显示装置DD中，有机覆盖层OC和第一连接信号线SL-C1和第二连接信号线SL-C2中的每个的一侧可以彼此对齐。在一个或多个实施方式中，例如，如图6B中所示，分别与第一方向DR1上的一端对应的第一连接信号线SL-C1的一侧SL-C1S、第二连接信号线SL-C2的一侧SL-C2S、第一有机覆盖层OC1的一侧OC1-S和第二有机覆盖层OC2的一侧OC2-S可以彼此对齐，以限定为平行于第三方向DR3的一个侧表面。

图7A是根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示装置期间的状态的剖视图。图7B是根据本公开的一个或多个实施方式的显示装置的剖视图。图7A和图7B示出了根据与图6A和图6B中所示的实施方式不同的一个或多个实施方式的初步显示装置DD-P1'和显示装置DD'。在下文中，对与上述部件相同的部件给予相同的附图标记，并且将不提供对其的详细描述。

参照图7A，在根据一个或多个实施方式的初步显示装置DD-P1'中，与图6A中所示的不同，基础开口110-OP2可以限定在分别包括在显示基础层110-1'和电路基础层110-2'中的多个有机层中的一些中。在一个或多个实施方式中，显示基础层110-1'可以包括第一基础层110-11'、第一中间层110-1C'和第一附加基础层110-12'，并且电路基础层110-2'可以包括第二基础层110-21'、第二中间层110-2C'和第二附加基础层110-22'，并且基础开口110-OP2可以限定在第一基础层110-11'和第二基础层110-21'之间。基础开口110-OP2可以限定为与连接部P3重叠。基础开口110-OP2可以不限定在第一中间层110-1C'和第二中间层110-2C'之间以及第一附加基础层110-12'和第二附加基础层110-22'之间。如图7A中所示，第一中间层110-1C'和第二中间层110-2C'可以彼此连接，以提供一个初步中间层110-CP。除了限定第一接触孔110-CN1和第二接触孔110-CN2的部分之外，第一附加基础层110-12'和第二附加基础层110-22'可以彼此连接以提供一个有机层。在一个或多个实施方式中，第一中间层110-1C'和第二中间层110-2C'中的每个可以包括导电材料。初步中间层110-CP可以包括导电材料。例如，初步中间层110-CP可以包括金属材料。

接触孔110-CN1和110-CN2可以限定在第一附加基础层110-12'和第二附加基础层110-22'中的每个中。第一接触孔110-CN1可以限定在第一附加基础层110-12'中，并且第二接触孔110-CN2可以限定在第二附加基础层110-22'中。第一接触孔110-CN1和第二接触孔110-CN2中的每个可以限定为与连接部P3重叠。第一连接信号线SL-C1'可以通过限定在第一附加基础层110-12'中的第一接触孔110-CN1连接到初步中间层110-CP。第二连接信号线SL-C2'可以通过限定在第二附加基础层110-22'中的第二接触孔110-CN2连接到初步中间层110-CP。

在一个或多个实施方式中，第一连接信号线SL-C1'的通过第一接触孔110-CN1连接到初步中间层110-CP的部分可以被覆盖图案CVP覆盖。覆盖图案CVP可以与包括在电路元件层120和/或发光元件层130中的多个绝缘层中的至少一个通过相同的工艺形成，并且可以包括相同的材料。第二连接信号线SL-C2'的通过第二接触孔110-CN2连接到初步中间层110-CP的部分可以被初步有机覆盖层OC-P覆盖。在一个或多个实施方式中，可以不设置覆盖图案CVP，并且第一连接信号线SL-C1'的通过第一接触孔110-CN1连接到初步中间层110-CP的部分可以被初步有机覆盖层OC-P覆盖。

参照图7B，在根据一个或多个实施方式的显示装置DD'中，第一连接信号线SL-C1'可以通过第一接触孔110-CN1连接到第一中间层110-1C'，并且第二连接信号线SL-C2'可以通过第二接触孔110-CN2电连接到第二中间层110-2C'。在一个或多个实施方式中，第一中间层110-1C'和第二中间层110-2C'中的每个可以是源自包括在上述初步显示装置DD-P1'中的初步中间层110-CP的导电层。在显示装置的制造工艺中，初步中间层110-CP可以弯曲并被部分地切除，以形成第一中间层110-1C'和第二中间层110-2C'中的每个。

第一连接信号线SL-C1'的第(1-1)部SL-C11'和第(1-2)部SL-C12'可以设置在第一附加基础层110-12'上。第一接触孔110-CN1可以限定在与第(1-2)部SL-C12'重叠的部分中。

第(2-1)部SL-C21'和第(2-2)部SL-C22'可以设置在第二附加基础层110-22'下方。第二接触孔110-CN2可以限定在与第(2-2)部SL-C22'重叠的部分中。

第一中间层110-1C'和第二中间层110-2C'可以彼此电连接。在一个部分中，第一中间层110-1C'和第二中间层110-2C'可以彼此接触。如图7B中所示，第一中间层110-1C'和第二中间层110-2C'可以在第一连接部P3-1和第二连接部P3-2中彼此接触。在一个或多个实施方式中，第一中间层110-1C'和第二中间层110-2C'可以在导电介质插入其间的情况下彼此相邻地设置。

图8是示出根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示装置的方法的流程图。图9A至图9D是依次示出根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示装置的方法的每个步骤的剖视图。图9A至图9D依次示出了制造图6B中所示的根据(多个)实施方式的显示装置DD的方法的步骤。图9A至图9C中依次示出了在相应的步骤中的初步显示装置DD-P0、DD-P1和DD-P2。

参照图8，根据一个或多个实施方式的制造显示装置的方法包括：在步骤S100中，提供包括初步基础层和初步连接信号线的初步显示装置；在步骤S200中，通过去除初步基础层的一部分来形成基础开口；在步骤S300中，通过弯曲初步连接信号线的一部分来形成上连接信号线和下连接信号线；在步骤S400中，电连接上连接信号线和下连接信号线；以及在步骤S500中，部分地去除上连接信号线和下连接信号线。

参照图8和图9A，初步显示装置DD-P0包括初步基础层110-P和设置在初步基础层110-P上的初步连接信号线SL-CP。初步基础层110-P可以包括第一层110-P1、第二层110-P2和设置在其间的中间层110-PC。第一层110-P1和第二层110-P2中的每个可以包括有机材料。第一层110-P1和第二层110-P2中的每个可以包括例如聚酰亚胺。中间层110-PC可以包括无机材料。中间层110-PC可以包括例如导电金属。

初步基础层110-P可以设置成与显示部P1、电路部P2和连接部P3中的每个重叠。例如，初步基础层110-P可以设置成与对应于显示部P1的第一区、对应于连接部P3的中间区以及对应于电路部P2的第二区重叠。初步连接信号线SL-CP可以设置成分别与显示部P1的一部分、电路部P2和连接部P3重叠。

在初步显示装置DD-P0中，电路元件层120、发光元件层130、薄膜封装层140和输入传感器ISL可以设置在相应的初步基础层110-P上。初步显示装置DD-P0可以包括初步有机覆盖层OC-P，该初步有机覆盖层OC-P覆盖包括在显示部P1中的电路元件层120、发光元件层130、薄膜封装层140和输入传感器ISL中的每个，并且与显示部P1、连接部P3和电路部P2的至少一部分重叠。初步有机覆盖层OC-P可以通过例如喷墨印刷方法形成。

参照图8、图9A和图9B，去除与连接部P3对应的初步基础层110-P，以形成基础开口110-OP。当形成基础开口110-OP时，初步基础层110-P可以分为在基础开口110-OP插入其间的情况下彼此间隔开(例如，彼此分开)的显示基础层110-1和电路基础层110-2。基础开口110-OP可以通过例如激光工艺形成。可以将激光照射到与连接部P3对应的初步基础层110-P的下部分，以形成基础开口110-OP。

显示基础层110-1可以设置在显示部P1中，并且电路基础层110-2可以设置在电路部P2中。显示基础层110-1和电路基础层110-2中的每个可以包括设置在两个有机层之间的无机层。显示基础层110-1可以包括第一基础层110-11、第一中间层110-1C和第一附加基础层110-12。电路基础层110-2可以包括第二基础层110-21、第二中间层110-2C和第二附加基础层110-22。

参照图8、图9B和图9C，根据一个或多个实施方式的制造显示装置的方法包括在形成基础开口110-OP之后弯曲初步连接信号线SL-CP，以使上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB在平面图中彼此重叠。初步连接信号线SL-CP可以以小曲率半径弯曲，并且上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB可以在第三方向DR3上彼此相邻地设置。在一个或多个实施方式中，在弯曲初步连接信号线SL-CP时，设置成覆盖初步连接信号线SL-CP的初步有机覆盖层OC-P也可以弯曲。弯曲的初步有机覆盖层OC-P2可以设置成覆盖上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB两者(例如，同时覆盖上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB)。

根据一个或多个实施方式的制造显示装置的方法包括在将上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB弯曲成在平面图中彼此重叠之后，电连接上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB。在一个或多个实施方式中，上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB可以彼此接触或者可以通过其间的导电介质电连接。例如，如图9C中所示，导电粘合层ACF可以设置在上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB之间，并且上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB可以电连接。

在一个或多个实施方式中，在弯曲上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB并使之在平面图中重叠之前，可以通过将导电粘合材料施加到初步连接信号线SL-CP的下表面的一部分来形成导电粘合层ACF。在一个或多个实施方式中，可以将导电粘合材料施加到初步连接信号线SL-CP的下表面的与连接部P3对应的部分。

在将导电粘合材料施加到初步连接信号线SL-CP的下表面的一部分之后，可以将上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB弯曲成在平面图中重叠，并且因此可以将上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB设置成在导电粘合材料介于其间的情况下彼此面对。上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB可以通过包括在导电粘合材料中的粘合基础材料彼此结合，同时通过包括在导电粘合材料中的多个导电球彼此电连接。在一个或多个实施方式中，在将上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB弯曲成在平面图中重叠之后，可以通过热或光来固化导电粘合材料以形成导电粘合层ACF。在一个或多个实施方式中，可以通过热固化或光固化工艺来固化包括在导电粘合材料中的粘合基础材料来形成导电粘合层ACF。

参照图8、图9C和图9D，根据一个或多个实施方式的制造显示装置的方法还可以包括在电连接上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB之后，部分地切割并去除上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB。在根据一个或多个实施方式的制造显示装置的方法中，可以将激光沿着限定为与上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB中的每个重叠的切割线CL照射到上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB，从而部分地去除上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB。

在部分地切除上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB时，弯曲的初步有机覆盖层OC-P2也可以一起被切除。因此，包括在显示装置DD中的第一连接信号线SL-C1的一侧SL-C1S、第二连接信号线SL-C2的一侧SL-C2S、第一有机覆盖层OC1的一侧OC1-S和第二有机覆盖层OC2的一侧OC2-S可以彼此对齐，并且可以限定为与第三方向DR3平行的一个侧表面。

在部分地切除上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB时，导电粘合层ACF可以一起(例如，与上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB一起)被部分地切除。在一个或多个实施方式中，导电粘合层ACF的设置在切割线CL外侧的部分可以一起(例如，与上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB一起)被切除。更详细地，导电粘合层ACF的与上连接信号线SL-CPU和下连接信号线SL-CPB的切除部分重叠的部分可以被切除。因此，如图9D中所示，包括在显示装置DD中的第一连接信号线SL-C1的一侧SL-C1S、第二连接信号线SL-C2的一侧SL-C2S、第一有机覆盖层OC1的一侧OC1-S和第二有机覆盖层OC2的一侧OC2-S可以彼此对齐，并且可以限定为与第三方向DR3平行的一个侧表面。

根据一个或多个实施方式的制造显示装置的方法包括去除基础层的中间区以形成基础开口、弯曲设置在基础层上的信号线、以及电连接上连接信号线和下连接信号线。在一个或多个实施方式中，根据一个或多个实施方式的制造显示装置的方法包括切割并去除电连接的信号线的不必要的(或不期望的)部分。因此，通过根据一个或多个实施方式的制造显示装置的方法制造的显示装置可以具有减小的死区。

在不包括去除基础层以形成基础开口的显示装置中，基础层的一部分弯曲，并且电路板所连接的电路部设置在显示部的后表面下方，从而减小显示装置的死区。然而，基础层弯曲的曲率存在限制，并且因此可能出现被弯曲的基础层结构占据的死区，并且由于在弯曲期间施加到基础层的拉伸和压缩所引起的变形，在设置在基础层上的金属信号线中可能出现裂纹。在根据一个或多个实施方式的显示装置中，可以去除基础层的中间部分，并且可以直接弯曲金属信号线而不弯曲基础层，从而减小被弯曲结构占据的死区。在一个或多个实施方式中，在弯曲期间可能不会出现施加到基础层的应力，并且可以防止或减少诸如金属信号线中的裂纹的缺陷。在根据一个或多个实施方式的制造显示装置的方法中，可以切除电连接的信号线的不必要部分，从而进一步减小显示装置的死区。因此，在通过根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示装置的方法制造的显示装置中，可以最小化或减小死区，可以防止或减少缺陷，并且可以改善其可靠性。

根据本公开的一个或多个实施方式，可以去除弯曲基础层所必需的区域，并且可以防止或减少诸如由于基础层的弯曲应力而在信号线中出现裂纹的问题。因此，可以减小显示装置的死区，并且可以防止或减少缺陷，从而改善显示装置的可靠性。

如本文中所使用的，术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。如本文中所使用的“基本上”包括所述值并且意指在由本领域普通技术人员鉴于所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“基本上”可以意指在所述值的一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％或±5％内。

此外，本文所记载的任何数值范围旨在包括包含在所记载范围内的具有相同的数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所记载的最小值1.0与所记载的最大值10.0之间的(包含本数)所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，例如以2.4至7.6为例。本文中所记载的任何最大数值限制旨在包括包含在其中的所有更低的数值限制，并且本说明书中所记载的任何最小数值限制旨在包括包含在其中的所有更高的数值限制。因此，申请人保留修改包括权利要求在内的本说明书的权利，以清楚地叙述包含在本文中所明确记载的范围内的任何子范围。

此外，当描述本公开的实施方式时使用“可以”表示“本公开的一个或多个实施方式”。

根据本文中所描述的本发明的实施方式的显示装置和/或任何其它相关装置或部件可以利用任何适当的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件、或者软件、固件和硬件的组合来实现。例如，所述装置的各种部件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或形成在分开的IC芯片上。另外，所述装置的各种部件可以实现在柔性印刷电路膜、载带封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上，或者形成在一个衬底上。另外，所述装置的各种部件可以是在一个或多个计算装置中的一个或多个处理器上运行的、执行计算机程序指令并且与用于执行本文中所描述的各种功能的其它系统部件交互的进程或线程。计算机程序指令存储在可利用标准存储装置实现在计算装置中的存储器(例如，以随机存取存储器(RAM)为例)中。计算机程序指令还可以存储在其它非暂时性计算机可读介质(例如，以CD-ROM、闪存驱动器等为例)中。另外，本领域技术人员将认识到，在不背离本发明的示例性实施方式的范围的情况下，各种计算装置的功能可以组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以跨过一个或多个其它计算装置分布。

尽管上面描述了实施方式，但是本领域技术人员可以理解，在不背离在所附权利要求及其等同中限定的本公开的精神和范围的情况下，可以进行许多修改和变化。因此，在所附权利要求及其等同所指示的本公开的精神和范围内，本公开的示例性实施方式应当在所有方面作为说明性而非限制性来考虑。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：

第一基础层，限定其中布置有像素的显示区域；

第二基础层，至少部分地在所述第一基础层下方；

第一连接信号线，部分地在所述第一基础层上并且在第一方向上延伸；以及

第二连接信号线，部分地在所述第二基础层下方并且在所述第一方向上延伸，

其中，所述第一连接信号线包括：

第(1-1)部，在平面图中与所述第一基础层重叠；以及

第(1-2)部，在所述平面图中不与所述第一基础层重叠，其中，所述第二连接信号线包括：

第(2-1)部，在所述平面图中与所述第二基础层重叠；以及

第(2-2)部，在所述平面图中不与所述第二基础层重叠，其中，所述第(2-2)部的至少一部分在所述平面图中与所述第(1-2)部重叠，以及

其中，所述第(1-2)部和所述第(2-2)部电连接。

2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括覆盖所述第一连接信号线和所述第二连接信号线中的每个的至少一部分的有机覆盖层。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述有机覆盖层包括：

第一有机覆盖层，覆盖所述第一连接信号线；以及

第二有机覆盖层，至少覆盖所述第二连接信号线的所述第(2-2)部。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一有机覆盖层和所述第二有机覆盖层彼此间隔开。

5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一有机覆盖层与所述显示区域的至少一部分重叠。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一有机覆盖层的上表面是与所述第一基础层的上表面平行的平坦表面。

7.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一连接信号线的一端、所述第二连接信号线的一端、所述第一有机覆盖层的一端和所述第二有机覆盖层的一端在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此对齐。

8.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一连接信号线的上表面与所述第一有机覆盖层接触，以及

其中，所述第二连接信号线的下表面与所述第二有机覆盖层接触。

9.根据权利要求1所述的显示装置，还包括在所述第(1-2)部和所述第(2-2)部之间的导电粘合层。

10.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

电路元件层，在所述第一基础层上并且包括至少一个晶体管；

发光元件层，在所述电路元件层上并且包括与所述显示区域重叠的发光元件；

薄膜封装层，在所述发光元件层上并且覆盖所述发光元件；以及

输入传感器，在所述薄膜封装层上。

11.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

第一附加基础层，在所述第一基础层上；

第一中间层，在所述第一基础层和所述第一附加基础层之间；

第二附加基础层，在所述第二基础层下方；以及

第二中间层，在所述第二基础层和所述第二附加基础层之间，

其中，所述第一附加基础层在所述平面图中与所述第(1-2)部重叠，并且所述第二附加基础层在所述平面图中与所述第(2-2)部重叠，以及

其中，所述第一中间层的一部分与所述第二中间层的一部分接触。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，在所述第一附加基础层的在所述平面图中与所述第(1-2)部重叠的部分中限定第一接触孔，

其中，在所述第二附加基础层的在所述平面图中与所述第(2-2)部重叠的部分中限定第二接触孔，

其中，所述第一连接信号线通过所述第一接触孔连接到所述第一中间层，以及

其中，所述第二连接信号线通过所述第二接触孔连接到所述第二中间层。

13.一种显示装置，分为其中布置有像素的显示部、在所述显示部下方的电路部、以及在第一方向上与所述显示部和所述电路部中的每个相邻的连接部，所述显示装置包括：

第一基础层，限定其中布置有所述像素的显示区域，并且在所述显示部中；

第二基础层，在所述电路部中；

第一连接信号线，部分地在所述第一基础层上，所述第一连接信号线包括在所述显示部中的第(1-1)部和在所述连接部中的第(1-2)部；以及

第二连接信号线，部分地在所述第二基础层下方，并且包括在所述电路部中的第(2-1)部和在所述连接部中的第(2-2)部，

其中，所述第(2-2)部的至少一部分在平面图中与所述第(1-2)部重叠。

14.根据权利要求13所述的显示装置，还包括有机覆盖层，所述有机覆盖层在所述显示部、所述连接部和所述电路部的至少一部分中，并且覆盖所述第一连接信号线和所述第二连接信号线中的每个的至少一部分。

15.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：

提供包括初步基础层和在所述初步基础层上的初步连接信号线的初步显示装置，所述初步基础层包括在第一方向上依次布置的第一区、中间区和第二区；

去除所述初步基础层的与所述中间区重叠的部分，以形成基础开口；

弯曲所述初步连接信号线的与所述中间区重叠的部分，以形成在平面图中重叠的上连接信号线和下连接信号线；以及

电连接所述上连接信号线和所述下连接信号线。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述初步显示装置还包括覆盖所述初步连接信号线的初步有机覆盖层，

其中，在弯曲所述初步连接信号线的与所述中间区重叠的所述部分以形成所述上连接信号线和所述下连接信号线时，所述初步有机覆盖层的与所述中间区重叠的部分与所述初步连接信号线一起弯曲。

17.根据权利要求15所述的方法，还包括：

在电连接所述上连接信号线和所述下连接信号线之后，切割并去除所述上连接信号线的部分和所述下连接信号线的部分。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述初步显示装置还包括覆盖所述初步连接信号线的初步有机覆盖层，以及

其中，在切割并去除所述上连接信号线的所述部分和所述下连接信号线的所述部分时，所述初步有机覆盖层的部分与所述上连接信号线的所述部分和所述下连接信号线的所述部分一起被去除。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，在切割并去除所述上连接信号线的所述部分和所述下连接信号线的所述部分之后，所述上连接信号线的一端和所述下连接信号线的一端在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此对齐。

20.根据权利要求15所述的方法，其中，在弯曲所述初步连接信号线的与所述中间区重叠的所述部分以形成所述上连接信号线和所述下连接信号线时，所述上连接信号线和所述下连接信号线通过导电粘合层来结合。