CN117199002A - 半导体结构的形成方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 109
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 100
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 200
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 112
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 21
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 20
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 17
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 35
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 34
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 16
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- WDCKRYQAVLUEDJ-UHFFFAOYSA-N methyl(oxo)silicon Chemical compound C[Si]=O WDCKRYQAVLUEDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括沿第一方向排布的器件区和隔离区，隔离区位于相邻器件区之间；在器件区和隔离区上形成沿第二方向延伸的栅极结构，所述第二方向与所述第一方向垂直；在栅极结构上形成第一掩膜结构，以第一掩膜结构为掩膜，去除部分栅极结构，在栅极结构内形成第一沟槽，第一沟槽沿第一方向贯穿所述栅极结构；在第一沟槽内形成第一隔离结构，并去除第一掩膜结构；在栅极结构上形成第二掩膜结构，以第二掩膜结构为掩膜，去除隔离区的栅极结构，形成第二沟槽；在第二沟槽内形成第二隔离结构，并去除第二掩膜结构。本发明实施例提供的形成方法，有利于提升所形成的半导体结构的性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
背景技术
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度、更高的集成度的方向发展。集成电路的演进过程中，半导体器件尺寸的缩减同时增加了集成电路加工及制造的复杂性。
栅极作为器件的一部分，其极大地影响了器件的性能。传统的虚拟栅极切割技术存在诸多问题，例如导致后续形成的金属栅极末端功函数金属覆盖不完整，栅极末端缺陷等，严重影响所形成的半导体器件的性能。
因此，急需提供一种金属栅极切割工艺，以提高半导体结构的性能。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，在形成栅极结构之后对栅极结构进行切割，形成栅极切割结构，以提升半导体结构的性能。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括沿第一方向排布的器件区和隔离区，所述隔离区位于相邻所述器件区之间；在所述器件区和所述隔离区上形成栅极结构，所述栅极结构沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向垂直；在所述栅极结构上形成第一掩膜结构，所述第一掩膜结构内具有第一开口，所述第一开口暴露出部分所述栅极结构的表面；以所述第一掩膜结构为掩膜，去除部分所述栅极结构，在所述栅极结构内形成第一沟槽，所述第一沟槽所述沿第一方向贯穿所述栅极结构；在所述第一沟槽内形成第一隔离结构，并去除所述第一掩膜结构；在所述栅极结构上形成第二掩膜结构，所述第二掩膜结构内具有第二开口，所述第二开口暴露出所述隔离区的所述栅极结构的表面；以所述第二掩膜结构为掩膜，去除所述隔离区的所述栅极结构，形成第二沟槽；在所述第二沟槽内形成第二隔离结构，并去除所述第二掩膜结构。
可选的，在所述栅极结构上形成第一掩膜结构之前，还包括：在所述栅极结构上形成化学机械研磨停止层。
可选的，所述化学机械研磨停止层的材料包括氮化钛、钛或碳掺杂金属钨。
可选的，在所述第一沟槽内形成第一隔离结构以及去除所述第一掩膜结构的方法包括：在所述第一沟槽内形成第一隔离材料层，所述第一隔离材料层还覆盖所述第一掩膜结构；对所述第一隔离材料层以及所述第一掩膜结构进行化学机械掩膜，直至暴露出所述化学机械研磨停止层的表面。
可选的，所述第一隔离材料层的材料包括氮化硅或氧化硅的其中一种或两种；形成所述第一隔离材料层的方法包括原子层沉积法。
可选的，在所述第二沟槽内形成第二隔离结构以及去除所述第二掩膜结构的方法包括：在所述第二沟槽内形成第二隔离材料层，所述第二隔离材料层还覆盖所述第二掩膜结构；对所述第二隔离材料层以及所述第二掩膜结构进行化学机械掩膜，直至暴露出所述化学机械研磨停止层的表面。
可选的，所述第二隔离材料层的材料包括氮化硅或氧化硅的其中一种或两种；形成所述第二隔离材料层的方法包括原子层沉积法。
可选的，所述第一掩膜结构为单层或多层结构。
可选的，所述第一掩膜结构为多层结构时，所述第一掩膜结构包括位于所述栅极结构上的第一刻蚀阻挡层、以及位于所述第一刻蚀阻挡层表面的第一硬掩膜层。
可选的，所述第一刻蚀阻挡层的材料包括氧化硅或多晶硅的其中一种或两种；所述第一硬掩膜层的材料包括氮化硅或多晶硅的其中一种或两种。
可选的，所述第二掩膜结构为单层或多层结构。
可选的，所述第二掩膜结构为多层结构时，所述第二掩膜结构包括位于所述栅极结构上的第二刻蚀阻挡层、以及位于所述第二刻蚀阻挡层表面的第二硬掩膜层。
可选的，所述第二刻蚀阻挡层的材料包括氧化硅或多晶硅的其中一种或两种；所述第二硬掩膜层的材料包括氮化硅或多晶硅的其中一种或两种。
可选的，还包括：在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构的侧壁且暴露出所述栅极结构的顶部表面。
可选的，形成所述栅极结构和所述介质层的方法包括：在所述衬底上形成伪栅结构；在所述衬底上形成初始介质层，所述初始介质层覆盖所述伪栅结构；平坦化所述初始介质层，直至暴露出所述伪栅结构的顶部表面，形成所述介质层；去除所述伪栅结构，在所述介质层内形成栅极开口；在所述栅极开口内形成栅极结构。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
本技术方案提供的形成方法，在形成栅极结构之后再对栅极结构进行切割，通过第一掩膜结构形成第一沟槽，用于形成第一隔离结构，即栅极切割结构；通过第二掩膜结构形成第二沟槽，用于形成第二隔离结构，即单扩散隔离结构。一方面，同时形成栅极切割结构和单扩散隔离结构，有利于简化工艺步骤，优化工艺流程；另一方面，形成栅极切口之前形成金属栅极结构，有利于改善栅极结构材料的沉积，从而有利于提高所形成的半导体结构的性能。
附图说明
图1至图20是本发明一实施例中半导体结构的形成方法各步骤对应的结构示意图。
具体实施方式
由背景技术可知，目前通常采用虚拟栅极切割工艺形成栅极切割结构，在形成虚拟栅极之后，先对虚拟栅极进行切割，在虚拟栅极内形成沟槽，所述沟槽沿垂直于虚拟栅极延伸方向贯穿所述虚拟栅极；在沟槽中形成隔离结构，从而形成虚拟栅极切割结构；然后将虚拟栅极去除，形成栅极开口；最后在栅极开口中形成栅极结构。
在形成栅极结构之后，通常还需要形成单扩散隔离结构，在工艺过程中，一方面，需要进行多次化学机械研磨，工艺流程复杂，步骤多，并且形成单扩散隔离结构之后进行化学机械研磨，单扩散隔离结构区域和其他区域之间负载不同容易对后续工艺造成不利影响；另一方面，去除虚拟栅极的过程中容易有虚拟栅极残留，影响所形成的半导体结构的性能。
为了解决上述问题，本发明实施例提供了一种半导体结构的形成方法，先形成栅极结构，然后在栅极结构上形成第一掩膜结构，以第一掩膜结构为掩膜刻蚀去除部分栅极结构，在栅极结构内形成第一沟槽，所述第一沟槽沿第一方向贯穿所述栅极结构，然后在第一沟槽中形成第一隔离结构，从而形成栅极切割结构；形成栅极切割结构后，在栅极结构上形成第二掩膜结构，以第二掩膜结构为掩膜，去除隔离区的栅极结构，形成第二沟槽，然后在第二沟槽内形成第二隔离结构，从而形成单扩散隔离结构。采用上述方法形成半导体结构，一方面，简化了工艺步骤，优化了工艺流程，减少单扩散隔离区域和其他区域的研磨负载对后续工艺的影响；另一方面，形成栅极结构后进行栅极切割，减少伪栅结构的残留，有利于提升半导体结构的性能。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图1至图20是本发明一实施例中半导体结构的形成方法各步骤对应的结构示意图。
参考图1，提供衬底100，所述衬底100包括沿第一方向X排布的器件区A1和隔离区B1，所述隔离区B1位于相邻所述器件区A1之间。
在本实施例中，所述衬底100的材料为硅；在其他实施例中，所述衬底的材料还可以为锗、锗化硅、碳化硅、砷化镓或镓化铟。
本实施例中，所述衬底100用于形成鳍式场效应晶体管。
继续参考图1，在所述衬底100上形成若干分立排布的鳍部101，所述鳍部101横跨所述器件区A1和所述隔离区B1，所述鳍部101沿所述第一方向X延伸，且沿第二方向Y排布，所述第二方向Y与所述第一方向X垂直。
参考图2至图4，图2为半导体结构的俯视结构示意图，图3是图2沿a1-a1方向的剖面结构示意图，图4是图2沿b1-b1方向的剖面结构示意图，在所述器件区A1和所述隔离区B1上形成栅极结构102，所述栅极结构102横跨所述鳍部101，所述栅极结构102沿所述第二方向Y延伸。
继续参考图2至图4，在所述衬底100上形成介质层103，所述介质层103覆盖所述栅极结构102的侧壁且暴露出所述栅极结构102的顶部表面。
所述介质层103的材料包括二氧化硅、低k介质材料(低k介质材料指相对介电常数低于3.9的介质材料)或超低k介质材料(超低k介质材料指相对介电常数低于2.5的介质材料)。
所述介质层103的材料为低k介质材料或超低k介质材料时，所述介质层103的材料为碳硅氧氢化物(SiCOH)、掺氟的二氧化硅(FSG)、掺硼的二氧化硅(BSG)、掺磷的二氧化硅(PSG)、掺硼磷的二氧化硅(BPSG)、氢化硅倍半氧烷或甲基硅倍半氧烷。
本实施例中，所述介质层103的材料为超低k介质材料，所述超低k介质材料为碳硅氧氢化物(SiCOH)。
本实施例中，所述栅极结构102包括栅介质层104、位于所述栅介质层104表面的栅极层105、以及位于所述栅介质层104和所述栅极层105侧壁表面的侧墙106。
需要说明的是，图4中省略了栅介质层104。
本实施例中，所述栅介质层104的材料为高k介质材料；在其他实施例中，所述栅介质层104的材料还可以是氧化硅。
本实施例中，所述栅介质层104的形成工艺为热氧化工艺；在其他实施例中，所述栅介质层104的形成工艺还可以是原位水汽生成工艺。
所述栅极层105的材料包括金属，所述金属包括铜、钨、镍、铬、钛、钽和铝中的一种或多种组合；本实施例中，所述栅极层105的材料为铝。
所述侧墙106的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种；本实施例中，所述侧墙106的材料为氮化硅。
本实施例中，所述侧墙106的形成工艺采用化学气相沉积工艺；在其他实施例中，所述侧墙106的形成工艺还可以为原子层沉积工艺、物理气相沉积工艺。
本实施例中，所述栅极结构102和所述介质层103的形成方法包括：在所述衬底100上形成伪栅结构(未图示)；在所述伪栅结构的侧壁表面形成所述侧墙106；在所述衬底100上形成初始介质层(未图示)，所述初始介质层覆盖所述伪栅结构与所述侧墙106；平坦化所述初始介质层直至暴露出所述伪栅结构的顶部表面为止，形成所述介质层103；在形成所述介质层103之后，去除所述伪栅结构，在介质层103内形成栅极开口；在所述栅极开口内形成栅极结构102。
本实施例中，所述栅极结构102还覆盖所述介质层103，在后续工艺中，所述栅极结构102可以保护所述介质层103免受刻蚀损伤。
在其他实施例中，可以对所述栅极结构102进行化学机械研磨，至所述栅极结构102的顶部表面与所述介质层103的顶部表面齐平。
本实施例中，所述伪栅结构的材料包括多晶硅。
所述初始介质层的形成工艺包括化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺、原子层沉积工艺或旋转涂覆工艺；在本实施例中，所述初始介质层的形成工艺采用化学气相沉积工艺。
在本实施例中，平坦化所述初始介质层的工艺采用化学机械抛光工艺；在其他实施例中，所述平坦化工艺还能够为刻蚀工艺。
在本实施例中，去除所述伪栅结构的工艺为干法刻蚀；在其他实施例中，去除所述伪栅结构的工艺还可以为依次进行的等离子体刻蚀与湿法刻蚀。
本实施例中，在形成所述伪栅结构之前，还包括：在所述衬底100上形成隔离层200，所述隔离层200覆盖所述鳍部101的部分侧壁，所述隔离层200的顶部表面低于鳍部的顶部表面。
本实施例中，所述隔离层200的材料为氧化硅。
参考图5，图5和图3的视图方向一致，在所述栅极结构102上形成化学机械研磨停止层107。
本实施例中，所述化学机械研磨停止层107的材料为氮化钛；在其他实施例中，所述化学机械研磨停止层107的材料还可以是金属钛或碳掺杂金属钨。
本实施例中，所述化学机械研磨停止层107用作后续平坦化处理中的平坦化停止层，可以保护栅极结构102免受损伤。
形成化学机械研磨停止层107后，在所述化学机械研磨停止层107上形成第一掩膜结构。
本实施例中，所述第一掩膜结构为多层结构，包括位于所述化学机械研磨停止层107表面的第一刻蚀阻挡层、以及位于所述第一刻蚀阻挡层表面的第一硬掩膜层。
在其他实施例中，所述第一掩膜结构也可以是单层结构。
参考图6，本实施例中，形成所述第一掩膜结构的方法包括：在所述化学机械研磨停止层107上依次形成第一刻蚀阻挡材料层108、第一硬掩膜材料层109、第一光刻胶层110。
本实施例中，所述第一刻蚀阻挡材料层108的材料为氧化硅；在其他实施例中，所述第一刻蚀阻挡材料层108的材料还可以是多晶硅或多晶硅和氧化硅的混合。
本实施例中，所述第一刻蚀阻挡材料层108的形成方法为化学气相沉积法；在其他实施例中，所述第一刻蚀阻挡材料层108的形成方法还可以为炉管法、物理气相沉积法或原子层沉积法。
本实施例中，所述第一刻蚀阻挡材料层108起到刻蚀阻挡的作用，避免在后续刻蚀工艺中对栅极结构过刻蚀。
本实施例中，所述第一硬掩膜材料层109的材料为氮化硅；在其他实施例中，所述第一硬掩膜材料层109的材料还可以是多晶硅或多晶硅和氧化硅的混合。
本实施例中，所述第一硬掩膜材料层109的形成方法为化学气相沉积法；在其他实施例中，所述第一硬掩膜材料层109的形成方法还可以是物理气相沉积法或原子层沉积法。
参考图7，图形化所述第一光刻胶层110，形成第一图形化层111，所述第一图形化层111内具有第一图形化开口112，所述第一图形化开口112定义待形成的第一沟槽的位置和大小。
参考图8和图9，图8为俯视结构示意图，图9为图8沿a2-a2方向的剖面结构示意图，以所述第一图形化开口112为掩膜，刻蚀所述第一硬掩膜材料层109和第一刻蚀阻挡材料层108，形成第一硬掩膜层113和第一刻蚀阻挡层114；去除所述第一图形化层111。
本实施例中，所述第一掩膜结构包括第一硬掩膜层113和第一刻蚀阻挡层114，所述第一掩膜结构内具有第一开口115，所述第一开口115暴露出部分所述栅极结构102。
本实施例中，具体而言，所述第一开口115暴露出部分所述栅极结构102上方的化学机械研磨停止层107的顶部表面。
本实施例中，所述第一开口115沿所述第一方向X延伸。
参考图10和图11，图10为俯视结构示意图，图11和图9的视图方向一致，以所述第一掩膜结构为掩膜，刻蚀所述栅极结构102，在所述栅极结构102内形成第一沟槽116，所述第一沟槽116沿所述第一方向X贯穿所述栅极结构102。
本实施例中，还刻蚀部分厚度的所述衬底100，以及相邻所述栅极结构102之间的所述介质层103和所述隔离层200。
形成所述第一沟槽116后，在所述第一沟槽116内形成第一隔离结构。
本实施例中，所述第一隔离结构的形成方法包括：
参考图12，图12和图11的视图方向一致，在所述第一沟槽116内形成第一隔离材料层117，所述第一隔离材料层117还覆盖所述第一掩膜结构的顶部表面。
本实施例中，所述第一隔离材料层117的材料为氮化硅；在其他实施例中，所述第一隔离材料层117的材料还可以是氧化硅或氮化硅和氧化硅的混合。
本实施例中，所述第一隔离材料层117的形成方法为原子层沉积法，具有更好的填孔能力，以提高所形成的第一隔离结构的隔离性能。
参考图13和图14，图13为俯视结构示意图，图14和图12的视图方向一致，对所述第一隔离材料层117以及所述第一掩膜结构进行平坦化处理，直至暴露出所述化学机械研磨停止层107的表面，形成第一隔离结构118。
本实施例中，所述平坦化处理工艺为化学机械研磨，平坦化处理过程中，同时去除所述第一掩膜结构。
本实施例中，所述第一掩膜结构以及所述第一隔离材料层117的材料与所述化学机械研磨停止层107的材料不同，且研磨选择比大于20:1，所述第一隔离材料层117和所述第一掩膜结构的材料的研磨速度远远大于所述化学机械研磨停止层117的研磨速率，因此所述化学机械研磨停止层107可以保护栅极结构102免受损伤。
参考图15，图15和图4的剖面方向一致，形成第一隔离结构118后，在所述栅极结构102上形成第二掩膜结构，所述第二掩膜结构内具有第二开口119，所述第二开口119暴露出所述隔离区B1的所述栅极结构102。
本实施例中，具体而言，在所述化学机械研磨停止层107表面形成第二掩膜结构，所述第二开口119暴露出所述隔离区B1的所述栅极结构102表面的化学机械研磨停止层107表面。
本实施例中，所述第二掩膜结构为多层结构，所述第二掩膜结构包括位于所述化学机械研磨停止层107表面的第二刻蚀阻挡层120、以及位于所述第二刻蚀阻挡层120表面的第二硬掩膜层121。
在其他实施例中，所述第二掩膜结构也可以是单层结构。
本实施例中，形成所述第二掩膜结构的方法包括：在所述化学机械研磨停止层107上依次形成第二刻蚀阻挡材料层(未图示)、第二硬掩膜材料层(未图示)、第二光刻胶层(未图示)；图形化所述第二光刻胶层，形成第图形化层(未图示)，所述第二图形化层内具有第二图形化开口(未图示)，所述第二图形化开口定义待形成的第二沟槽的位置和尺寸；以所述第二图形化层为掩膜，刻蚀所述第二硬掩膜材料层以及第二刻蚀阻挡材料层，形成第二硬掩膜层121以及第二刻蚀阻挡层120；去除所述第二图形化层。
本实施例中，所述第二刻蚀阻挡材料层的材料为氧化硅；在其他实施例中，所述第二刻蚀阻挡材料层的材料还可以是多晶硅或多晶硅和氧化硅的混合。
本实施例中，所述第二刻蚀阻挡材料层的形成方法为化学气相沉积法；在其他实施例中，所述第二刻蚀阻挡材料层的形成方法还可以为炉管法、物理气相沉积法或原子层沉积法。
本实施例中，所述第二刻蚀阻挡材料层起到刻蚀阻挡的作用，避免在后续刻蚀工艺中对栅极结构过刻蚀。
本实施例中，所述第二硬掩膜材料层的材料为氮化硅；在其他实施例中，所述第二硬掩膜材料层的材料还可以是多晶硅或多晶硅和氧化硅的混合。
本实施例中，所述第二硬掩膜材料层的形成方法为化学气相沉积法；在其他实施例中，所述第二硬掩膜材料层的形成方法还可以是物理气相沉积法或原子层沉积法。
参考图16，图16和图15的剖面方向一致，以所述第二掩膜结构为掩膜，刻蚀去除所述隔离区B1的所述栅极结构102，在所述介质层103内形成第二沟槽122。
本实施例中，还刻蚀去除所述栅极结构102覆盖的部分所述鳍部101以及部分厚度的所述衬底100。
形成所述第二沟槽122后，在所述第二沟槽122内形成第二隔离结构。
本实施例中，所述第二隔离结构的形成方法包括：
参考图17，图17和图16的剖面方向一致，在所述第二沟槽122内形成第二隔离材料层123，所述第二隔离材料层123还覆盖所述第二掩膜结构的顶部表面。
本实施例中，所述第二隔离材料层123的材料为氮化硅；在其他实施例中，所述第二隔离材料层123的材料还可以是氧化硅或氮化硅和氧化硅的混合。
本实施例中，所述第二隔离材料层123的形成方法为原子层沉积法，具有更好的填孔能力，以提高所形成的第一隔离结构的隔离性能。
参考图18，图18和图17的剖面方向一致，对所述第二隔离材料层123以及所述第二掩膜结构进行平坦化处理，直至暴露出所述化学机械研磨停止层107的表面，形成第二隔离结构124。
本实施例中，所述平坦化处理工艺为化学机械研磨，平坦化处理过程中，同时去除所述第二掩膜结构。
本实施例中，所述第二掩膜结构以及所述第二隔离材料层123的材料与所述化学机械研磨停止层107的材料不同，且研磨选择比大于20:1，所述第二隔离材料层123和所述第二掩膜结构的材料的研磨速度远远大于所述化学机械研磨停止层107的研磨速率，因此所述化学机械研磨停止层107可以保护栅极结构102免受损伤。
参考图19和图20，图19为俯视结构示意图，图20的剖面方向与图18一致，对所述第一隔离结构118、所述第二隔离结构124、所述化学机械研磨停止层107进行平坦化处理，直至暴露出所述栅极结构102的顶部表面；继续对所述栅极结构102进行平坦化处理，直至所述栅极结构102的顶部表面与所述介质层103的顶部表面齐平。
本实施例中，通过平坦化处理进一步控制第一隔离结构118、第二隔离结构124表面的平整度，有利于提升半导体结构的性能；另外，最后对栅极结构102进行平坦化处理，实现了对栅极结构102高度的有效控制。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (15)
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括沿第一方向排布的器件区和隔离区，所述隔离区位于相邻所述器件区之间；
在所述器件区和所述隔离区上形成栅极结构，所述栅极结构沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向垂直；
在所述栅极结构上形成第一掩膜结构，所述第一掩膜结构内具有第一开口，所述第一开口暴露出部分所述栅极结构的表面；
以所述第一掩膜结构为掩膜，去除部分所述栅极结构，在所述栅极结构内形成第一沟槽，所述第一沟槽沿所述第一方向贯穿所述栅极结构；
在所述第一沟槽内形成第一隔离结构，并去除所述第一掩膜结构；
在所述栅极结构上形成第二掩膜结构，所述第二掩膜结构内具有第二开口，所述第二开口暴露出所述隔离区的所述栅极结构的表面；
以所述第二掩膜结构为掩膜，去除所述隔离区的所述栅极结构，形成第二沟槽；
在所述第二沟槽内形成第二隔离结构，并去除所述第二掩膜结构。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述栅极结构上形成第一掩膜结构之前，还包括：在所述栅极结构上形成化学机械研磨停止层。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述化学机械研磨停止层的材料包括氮化钛、钛或碳掺杂金属钨。
4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一沟槽内形成第一隔离结构以及去除所述第一掩膜结构的方法包括：在所述第一沟槽内形成第一隔离材料层，所述第一隔离材料层还覆盖所述第一掩膜结构；对所述第一隔离材料层以及所述第一掩膜结构进行化学机械掩膜，直至暴露出所述化学机械研磨停止层的表面。
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离材料层的材料包括氮化硅或氧化硅的其中一种或两种；形成所述第一隔离材料层的方法包括原子层沉积法。
6.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第二沟槽内形成第二隔离结构以及去除所述第二掩膜结构的方法包括：在所述第二沟槽内形成第二隔离材料层，所述第二隔离材料层还覆盖所述第二掩膜结构；对所述第二隔离材料层以及所述第二掩膜结构进行化学机械掩膜，直至暴露出所述化学机械研磨停止层的表面。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二隔离材料层的材料包括氮化硅或氧化硅的其中一种或两种；形成所述第二隔离材料层的方法包括原子层沉积法。
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜结构为单层或多层结构。
9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜结构为多层结构时，所述第一掩膜结构包括位于所述栅极结构上的第一刻蚀阻挡层、以及位于所述第一刻蚀阻挡层表面的第一硬掩膜层。
10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀阻挡层的材料包括氧化硅或多晶硅的其中一种或两种；所述第一硬掩膜层的材料包括氮化硅或多晶硅的其中一种或两种。
11.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜结构为单层或多层结构。
12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜结构为多层结构时，所述第二掩膜结构包括位于所述栅极结构上的第二刻蚀阻挡层、以及位于所述第二刻蚀阻挡层表面的第二硬掩膜层。
13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀阻挡层的材料包括氧化硅或多晶硅的其中一种或两种；所述第二硬掩膜层的材料包括氮化硅或多晶硅的其中一种或两种。
14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构的侧壁且暴露出所述栅极结构的顶部表面。
15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅极结构和所述介质层的方法包括：在所述衬底上形成伪栅结构；在所述衬底上形成初始介质层，所述初始介质层覆盖所述伪栅结构；平坦化所述初始介质层，直至暴露出所述伪栅结构的顶部表面，形成所述介质层；去除所述伪栅结构，在所述介质层内形成栅极开口；在所述栅极开口内形成栅极结构。
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| CN202210639452.9A CN117199002A (zh) | 2022-05-31 | 2022-05-31 | 半导体结构的形成方法 |
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