CN117119824A - 发光元件 - Google Patents

Abstract

一种发光元件包括发光阵列、复数个包覆层以及绝缘光敏材料层。发光阵列包括第一有机发光单元以及第二有机发光单元，其中第一有机发光单元包括第一电极，第二有机发光单元包括第二电极。复数个包覆层包括第一包覆层及第二包覆层，第一包覆层包覆第一电极的上表面的一部份及第一电极的侧壁，第二包覆层包覆第二电极的上表面的一部份及第二电极的侧壁。绝缘光敏材料层位于第一电极的侧壁与第二电极的侧壁之间，其中绝缘光敏材料层部分地覆盖第一电极的上表面。

Description

发光元件

技术领域

本揭露是关于一种发光元件，特别是关于一种有机发光元件。

背景技术

有机发光显示器已经广泛使用于最高端的电子装置中。然而，由于现有技术的限制，发光材料的发光效率与质量并无法有效地被控制，导致器件的光学效果不如预期。

发明内容

在本揭露中，一种发光元件包括发光阵列、复数个包覆层以及绝缘光敏材料层。发光阵列包括第一有机发光单元以及第二有机发光单元，其中第一有机发光单元包括第一电极，第二有机发光单元包括第二电极。复数个包覆层包括第一包覆层及第二包覆层，第一包覆层包覆第一电极的上表面的一部份及第一电极的侧壁，第二包覆层包覆第二电极的上表面的一部份及第二电极的侧壁。绝缘光敏材料层位于第一电极的侧壁与第二电极的侧壁之间，其中绝缘光敏材料层部分地覆盖第一电极的上表面。

在本揭露中，一种发光元件包括复数个有机发光单元、绝缘光敏材料层以及复数个包覆层。绝缘光敏材料层覆盖有机发光单元，其中绝缘光敏材料层具有复数个凹陷部，凹陷部用以暴露出有机发光单元的复数个有效发光区域。各包覆层环绕各有机发光单元的侧壁，且各包覆层介于有机发光单元的相邻两者的侧壁之间。

本揭露中，一种发光元件的制作方法包括：提供基板；形成复数个电极于基板上；形成包覆材料层于电极上；图案化包覆材料层，以形成复数个包覆层环绕电极的复数个侧壁，并暴露电极的复数个上表面，包覆层在电极之间彼此不连续；设置绝缘光敏材料于电极与包覆层上；图案化绝缘光敏材料以形成绝缘光敏材料层，其暴露电极的上表面的复数个有效发光区域；以及设置有机发光材料于电极的有效发光区域上。

在一些实施例中，包覆层对于光线的吸收率大于绝缘光敏材料层对于所述光线的吸收率。

在一些实施例中，包覆层与绝缘光敏材料层为一体成形且由相同材料所制成。

在一些实施例中，包覆层包括导电体，且复数个包覆层彼此分隔开。

在一些实施例中，包覆层包括金属、树脂、石墨、或上述的任意组合。

在一些实施例中，包覆层包括光敏材料。

在一些实施例中，发光元件进一步包括透明基板，其中有机发光单元设置于透明基板上。

在一些实施例中，第一电极具有第一边缘及与第一边缘相对或相邻的第二边缘，上表面的部份从第一边缘向内延伸具有第一距离，上表面的部份从第二边缘向内延伸具有第二距离，且第一距离大于第二距离。

在一些实施例中，第一电极具有第一边缘及与第一边缘相对或相邻的第二边缘，绝缘光敏材料层接触第一电极的上表面的邻近第一边缘的第一区域及邻近第二边缘的第二区域，第一区域的宽度不等于第二区域的宽度，及/或第一区域的面积不等于第二区域的面积。

在一些实施例中，第一电极与第二电极为阳极，及/或第一电极与第二电极包括透明导电材料。

在一些实施例中，第一有机发光单元以及第二有机发光单元发射相同波长的光。

在一些实施例中，有机发光材料包括电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、发射层(EM)、空穴阻挡层(HBL)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、或上述的任意组合。

在一些实施例中，透过旋转涂覆工艺或沉积工艺形成包覆材料层。

在一些实施例中，透过光刻工艺图案化包覆材料层。

附图说明

图1为俯视图，例示发光元件的中间产物。

图2A为根据一些实施例的发光元件的俯视图。

图2B为例示沿着图2A中的线2B-2B'的剖面图。

图3A为根据一些实施例的发光元件的俯视图。

图3B为例示沿着图3A中的线3B-3B'的剖面图。

图4A为根据一些实施例的发光元件的俯视图。

图4B为例示沿着图4A中的线4B-4B'的剖面图。

图4C为根据一些实施例的发光元件的俯视图。

图4D为例示沿着图4C中的线4D-4D'的剖面图。

图5A为根据一些实施例的发光元件的剖面图。

图5B为根据一些实施例的发光元件的剖面图。

图6A为根据一些实施例的发光元件的俯视图。

图6B为例示沿着图6A中的线6B-6B'的剖面图。

图7A为根据一些实施例的发光元件的俯视图。

图7B为例示沿着图7A中的线7B-7B'的剖面图。

图8A至图13B绘示根据一些实施例的发光元件的制作方法。

具体实施方式

图1为俯视图，例示发光元件10的中间产物。发光元件10具有发光层20以及位于发光层20上方的覆盖层40。对于发光层20，可设计间隔物30以提供用于容纳发光像素阵列的凹部阵列。在一些实施例中，间隔物30可包含光敏感材料。

图2A为根据一些实施例的一发光元件的俯视图，图2B为例示沿着图2A中的线2B-2B'的剖面图。在一些实施例中，图2B为例示沿着图1中的线A-A的剖面图并且仅说明发光区域。在一些实施例中，图2B为例示沿着图2A中的线2B-2B'的剖面图并且仅说明发光区域。为求简洁，此处省略覆盖层40。间隔物30具有数个凸块310，以定义发光像素图案。凹部位在两个相邻凸块310之间并且提供容纳发光像素的空间。该技艺之人士应理解从图2B的剖面图观察，凸块310以断开的方式绘示，但从图1及图2A的俯视示意图观察，它们可经由间隔物30的其他部分而彼此连接。

在一些实施例中，如图1、图2A和图2B所示，发光元件10包括基板100、在基板100上方的凸块310、以及发光阵列。在一些实施例中，发光阵列包括复数个有机发光单元(或称做发光像素)，例如包括至少有机发光单元101(或称做第一有机发光单元)以及有机发光单元102(或称做第二有机发光单元)。在一些实施例中，有机发光单元101和有机发光单元102在凸块310之间且在基板100 上方。在一些实施例中，有机发光单元101和有机发光单元102发射相同波长的光。

在一些实施例中，基板100可包括薄膜晶体管(TFT)阵列，其配置对应于发光层20中的发光像素。基板100可包含数个电容器。在一些实施例中，超过一个晶体管经配置以与一电容器与一发光像素形成电路。

在一些实施例中，有机发光单元101包括电极215(或称做第一电极)、有机层269(或称做发光层)、及在有机层269上的电极216(或称做第二电极)。有机发光单元102包括电极225(或称做第一电极)、有机层269、及在有机层269上的电极216(或称做第二电极)。在一些实施例中，电极216位在有机层269上方。

在一些实施例中，有机发光单元101的电极215与有机发光单元102的电极 225为阳极。在一些实施例中，有机发光单元101的电极215与有机发光单元102 的电极225包括透明导电材料。在一些实施例中，电极215与电极225经配置成一侧连接至嵌入基板100中的电路、且另一侧接触有机层269。

在一些实施例中，第二电极216经图案化以仅覆盖各个有机发光单元的有效发光区域。在一些实施例中，第二电极216与有机层269接触。第二电极216可为如图2B所示的连续膜并且位在有机层269与凸块310上方。换言之，第二电极216 为数个有机发光单元的共同电极。在一些实施例中，第二电极216为发光元件中的所有有机发光单元的共同电极。

在一些实施例中，有机层269包括一或多层有机发光材料。有机发光材料包括电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、发射层(EM)、空穴阻挡层(HBL)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、或上述的任意组合。

在一些实施例中，有机层269包括在凸块310和电极215上方的第一载体运输层262、在第一载体运输层262上方的第二载体运输层263，以及在第二载体运输层263上方的有机发射层264。在一些实施例中，有机层269进一步包括配置于电极215与第一载体运输层262之间的载体注入层261。在一些实施例中，有机层269 进一步包括设置在有机发射层264上方的有机载体运输层265。在一些实施例中，载体注入层261可为空穴注入层，第一载体运输层262可为第一空穴运输层，第二载体运输层263可为第二空穴运输层，有机载体运输层265可为电子运输层。

在一些实施例中，凸块310包括部份的包覆层200A与部份的绝缘光敏材料层 300。在一些实施例中，凸块310包括部份的包覆层200B与部份的绝缘光敏材料层300。在一些实施例中，凸块310包括部份的包覆层200A、部份的包覆层200B、与部份的绝缘光敏材料层300。在一些实施例中，凸块310又称为像素定义层(pixel defined layer，PDL)。

在一些实施例中，包覆层200A环绕有机发光单元101的侧壁。在一些实施例中，包覆层200A包覆电极215的上表面215a的一部份215P及电极215的侧壁215S。在一些实施例中，包覆层200A包括穿孔200A1，用以暴露出电极215的部份上表面215a。在一些实施例中，包覆层200A介于相邻的有机发光单元101的侧壁与有机发光单元102的侧壁之间。

在一些实施例中，包覆层200B环绕有机发光单元102的侧壁。在一些实施例中，包覆层200B包覆电极225的上表面225a的部份225P及电极225的侧壁225S。在一些实施例中，包覆层200B包括穿孔200B1，用以暴露出电极225的部份上表面225a。在一些实施例中，包覆层200B介于相邻的有机发光单元101的侧壁与有机发光单元102的侧壁之间。

在一些实施例中，包覆层200A、200B包括导电体，且包覆层200A与200B 彼此分隔开。在一些实施例中，包覆层200A、200B包括金属、树脂、石墨、或上述的任意组合。在一些实施例中，包覆层200A、200B包括光敏材料。在一些实施例中，包覆层200A、200B包括量子点(quantum dots)，量子点具有优异的光吸收效能。在一些实施例中，包覆层200A、200B包括碳黑材料，例如碳黑奈米颗粒、含碳黑的导电纤维、或其类似物。在一些实施例中，包覆层200A、200B 包括黑体材料，其对于可见光具有90％、95％、99％、99.5％、或99.9％以上的吸收率。

在一些实施例中，包覆层200A、200B对于一特定波长之吸收率大于或等于 50％。在一些实施例中，包覆层200A、200B对于一特定波长之吸收率大于或等于60％。在一些实施例中，包覆层200A、200B对于一特定波长之吸收率大于或等于70％。在一些实施例中，包覆层200A、200B对于一特定波长之吸收率大于或等于80％。在一些实施例中，包覆层200A、200B对于一特定波长之吸收率大于或等于90％。在一些实施例中，包覆层200A、200B对于一特定波长之吸收率大于或等于95％。在一些实施例中，包覆层200A、200B对于一特定波长之吸收率大于或等于99％。在一些实施例中，包覆层200A、200B对于一特定波长之吸收率大于或等于99.5％。在一些实施例中，包覆层200A、200B对于一特定波长之吸收率大于或等于99.9％。在一些实施例中，特定波长不大于400nm。在一些实施例中，特定波长不大于350nm。在一些实施例中，特定波长不大于300nm。在一些实施例中，特定波长不大于250nm。在一些实施例中，特定波长不大于 200nm。在一些实施例中，特定波长不大于150nm。在一些实施例中，特定波长不大于100nm。

在一些实施例中，电极215具有边缘2151及与边缘2151相对的边缘2152，电极215的上表面215a的部份215P从边缘2151向内延伸具有距离D1，电极215的上表面215a的部份215P从边缘2152向内延伸具有距离D2，且距离D1大于距离D2。在一些实施例中，电极215具有与边缘2151相邻的边缘2153，电极215的上表面 215a的部份215P从边缘2153向内延伸具有距离D3，且距离D1大于距离D3。在一些实施例中，电极215具有与边缘2151相邻的边缘2154，电极215的上表面215a 的部份215P从边缘2154向内延伸具有距离D4，且距离D1大于距离D4。在一些实施例中，距离D1、距离D2、距离D3和距离D4可以皆不相同。在一些实施例中，距离D1、距离D2、距离D3和距离D4中的至少两者相同。

在一些实施例中，电极225具有边缘2251及与边缘2251相对的边缘2252，电极225的上表面225a的部份225P从边缘2251向内延伸具有距离D5，电极225的上表面225a的部份225P从边缘2252向内延伸具有距离D6，且距离D5大于距离D6。在一些实施例中，电极225具有与边缘2251相邻的边缘2153，电极225的上表面 225a的部份225P从边缘2153向内延伸具有距离D7，且距离D5大于距离D7。在一些实施例中，电极225具有与边缘2251相邻的边缘2154，电极225的上表面225a 的部份225P从边缘2154向内延伸具有距离D8，且距离D5大于距离D8。在一些实施例中，距离D5、距离D6、距离D7和距离D8可以皆不相同。在一些实施例中，距离D5、距离D6、距离D7和距离D8中的至少两者相同。

一些实施例中，绝缘光敏材料层300位于电极215的侧壁215S与电极225的侧壁225S之间。在一些实施例中，绝缘光敏材料层300部分地覆盖电极215的上表面215a。在一些实施例中，绝缘光敏材料层300部分地覆盖电极225的上表面225a。在一些实施例中，绝缘光敏材料层300覆盖有机发光单元101和有机发光单元 102，且绝缘光敏材料层300具有复数个凹陷部300C，凹陷部300C用以暴露出复数个有机发光单元的复数个有效发光区域，例如有机发光单元101的有效发光区域和有机发光单元102的有效发光区域。

在一些实施例中，包覆层200A、200B位于绝缘光敏材料层300的下方。在一些实施例中，包覆层200A、200B嵌入(embedded)绝缘光敏材料层300。在一些实施例中，包覆层200A位于电极215的上表面215a的周围区域(部份215P与侧壁215S)与绝缘光敏材料层300之间。在一些实施例中，包覆层200B位于电极225 的上表面225a的周围区域(部份225P与侧壁225S)与绝缘光敏材料层300之间。

在一些实施例中，电极215的中心与电极215上方的凹陷部300C的中心不对齐。在一些实施例中，电极215的中心与包覆层200A的穿孔200A1的中心不对齐。在一些实施例中，电极225的中心与电极225上方的凹陷部300C的中心不对齐。在一些实施例中，电极225的中心与包覆层200B的穿孔200B1的中心不对齐。

在一些实施例中，绝缘光敏材料层300对于一特定波长之吸收率大于或等于50％。在一些实施例中，绝缘光敏材料层300对于一特定波长之吸收率大于或等于60％。在一些实施例中，绝缘光敏材料层300对于一特定波长之吸收率大于或等于70％。在一些实施例中，绝缘光敏材料层300对于一特定波长之吸收率大于或等于80％。在一些实施例中，绝缘光敏材料层300对于一特定波长之吸收率大于或等于90％。在一些实施例中，绝缘光敏材料层300对于一特定波长之吸收率大于或等于95％。在一些实施例中，特定波长不大于400nm。在一些实施例中，特定波长不大于350nm。在一些实施例中，特定波长不大于300nm。在一些实施例中，特定波长不大于250nm。在一些实施例中，特定波长不大于200nm。在一些实施例中，特定波长不大于150nm。在一些实施例中，特定波长不大于 100nm。在一些实施例中，包覆层200A、200B对于具有特定波长之光线的吸收率大于绝缘光敏材料层300对于所述具有特定波长之光线的吸收率。

在一些实施例中，绝缘光敏材料层300接触电极215的上表面215a的邻近边缘2151的区域R11，且绝缘光敏材料层300接触电极215的上表面215a的邻近边缘 2152的区域R12，区域R11的宽度W1不等于区域R12的宽度W2。在一些实施例中，区域R11的面积不等于区域R12的面积。在一些实施例中，绝缘光敏材料层300 接触电极215的上表面215a的邻近边缘2153的区域R13，且区域R11的宽度W1不等于区域R13的宽度W3。在一些实施例中，区域R11的面积不等于区域R13的面积。在一些实施例中，绝缘光敏材料层300接触电极215的上表面215a的邻近边缘2154的区域R14，且区域R11的宽度W1不等于区域R14的宽度W4。在一些实施例中，区域R11的面积不等于区域R14的面积。在一些实施例中，电极215的上表面215a的区域R11、区域R12、区域R13和区域R14围绕电极215的上表面215a的有效发光区域。在一些实施例中，电极215的上表面215a的部份215P围绕区域 R11、区域R12、区域R13和区域R14。在一些实施例中，绝缘光敏材料层300的一部份围绕电极215的上表面215a的有效发光区域。在一些实施例中，绝缘光敏材料层300的一部份接触电极215的上表面215a的有效发光区域与部份215P之间的环状区域(也就是区域R11、区域R12、区域R13和区域R14)。

在一些实施例中，绝缘光敏材料层300接触电极225的上表面225a的邻近边缘2251的区域R11，且绝缘光敏材料层300接触电极225的上表面225a的邻近边缘 2252的区域R22，区域R21的宽度W5不等于区域R22的宽度W6。在一些实施例中，区域R21的面积不等于区域R22的面积。在一些实施例中，绝缘光敏材料层300 接触电极225的上表面225a的邻近边缘2253的区域R23，且区域R21的宽度W5不等于区域R23的宽度W7。在一些实施例中，区域R21的面积不等于区域R23的面积。在一些实施例中，绝缘光敏材料层300接触电极225的上表面225a的邻近边缘2254的区域R24，且区域R21的宽度W5不等于区域R24的宽度W8。在一些实施例中，区域R21的面积不等于区域R24的面积。在一些实施例中，电极225的上表面225a的区域R21、区域R22、区域R23和区域R24围绕电极225的上表面225a的有效发光区域。在一些实施例中，电极225的上表面225a的部份225P围绕区域 R21、区域R22、区域R23和区域R24。在一些实施例中，绝缘光敏材料层300的一部份围绕电极225的上表面225a的有效发光区域。在一些实施例中，绝缘光敏材料层300的一部份接触电极225的上表面225a的有效发光区域与部份225P之间的环状区域(也就是区域R21、区域R22、区域R23和区域R24)。

根据本揭露的一些实施例，发光组件中，复数个包覆层包覆复数个有机发光单元的侧壁(例如复数个电极的侧壁)，并搭配配置绝缘光敏材料层，如此一来，可以有效降低有机发光单元之间的光学串扰、降低发光图案的光晕问题，并提高发光图案的对比。

再者，根据本揭露的一些实施例，各个包覆层包覆各个有机发光单元的电极(或阳极)的侧壁及上表面周围，且绝缘光敏材料层进一步配置在相邻有机发光单元的电极的侧壁之间，使得电极的朝上方或朝斜向反射的光可以有效地被包覆层所吸收，如此一来可以更佳地降低相邻电极的反射光的光学串扰，从而有效提高发光图案的对比。并且，绝缘光敏材料层除可以帮助吸收电极的朝上方或朝斜向反射的光，当包覆层的材料包括导电体时，绝缘光敏材料层还可以达到不同有机发光单元之间的电性隔离效果，避免因为导电包覆层接触相邻有机发光单元的电极而产生短路。

并且，根据本揭露的一些实施例，各个包覆层嵌入(embedded)绝缘光敏材料层、位于绝缘光敏材料层下方、及/或位于各个电极的周围区域与绝缘光敏材料层之间，因而可以强化对于电极的朝上方或朝斜向反射的光的吸收效果，进而可以更佳地有效降低有机发光单元之间的光学串扰、降低发光图案的光晕问题，并提高发光图案的对比。

进一步，根据本揭露的一些实施例，复数个有机发光单元可发射相同波长的光，例如相邻的复数个有机发光单元可发射相同波长的光，且每个有机发光单元的侧壁都被各自对应的包覆层所覆盖，如此一来可以透过复数个有机发光单元的数目、位置配置关系、及各个有效发光区域的外型轮廓的设计，而可以实现具有精细图案设计且高对比度的发光图案。

图3A为根据一些实施例的一发光元件的俯视图，图3B为例示沿着图3A中的线3B-3B'的剖面图。在一些实施例中，图3B为例示沿着图1中的线A-A的剖面图并且仅说明发光区域。在一些实施例中，图3B为例示沿着图3A中的线3B-3B'的剖面图并且仅说明发光区域。为求简洁，此处省略覆盖层40。

在一些实施例中，如图3A和图3B所示，部份的包覆层200A直接接触部份的有机层269。在一些实施例中，电极215的上表面215a不具有区域R11和区域R14。在一些实施例中，绝缘光敏材料层300的一部份接触电极215的上表面215a且位于有效发光区域与部份215P之间。在一些实施例中，绝缘光敏材料层300的一部份接触电极215的上表面215a的有效发光区域与部份215P之间的L形区域(也就是区域R11和区域R14)。

图4A为根据一些实施例的一发光元件的俯视图，图4B为例示沿着图4A中的线4B-4B'的剖面图。在一些实施例中，图4B为例示沿着图1中的线A-A的剖面图并且仅说明发光区域。在一些实施例中，图4B为例示沿着图4A中的线4B-4B'的剖面图并且仅说明发光区域。为求简洁，此处省略覆盖层40。

在一些实施例中，包覆层与绝缘光敏材料层为一体成形且由相同材料所制成。在一些实施例中，如图4A和图4B所示，包覆层(例如包覆层200A)与绝缘光敏材料层(例如绝缘光敏材料层300)一体成形且由相同材料制成凸块310A，包覆层(例如包覆层200B)与绝缘光敏材料层(例如绝缘光敏材料层300)一体成形且由相同材料制成凸块310B。

在一些实施例中，凸块310A环绕有机发光单元101的侧壁。在一些实施例中，凸块310A包覆电极215的上表面215a的一部份215P及电极215的侧壁215S。在一些实施例中，凸块310A包括穿孔310A1(或称做凹陷部)，用以暴露出电极215 的部份上表面215a。在一些实施例中，凸块310A介于相邻的有机发光单元101的侧壁与有机发光单元102的侧壁之间。

在一些实施例中，凸块310B环绕有机发光单元102的侧壁。在一些实施例中，凸块310B包覆电极225的上表面225a的部份225P及电极225的侧壁225S。在一些实施例中，凸块310B包括穿孔310B1(或称做凹陷部)，用以暴露出电极225的部份上表面225a。在一些实施例中，凸块310B介于相邻的有机发光单元101的侧壁与有机发光单元102的侧壁之间。

在一些实施例中，凸块310A、310B包括导电体，且凸块310A与凸块310B 彼此分隔开。

在一些实施例中，凸块310A、310B对于一特定波长之吸收率大于或等于 80％。在一些实施例中，凸块310A、310B对于一特定波长之吸收率大于或等于 90％。在一些实施例中，凸块310A、310B对于一特定波长之吸收率大于或等于 95％。在一些实施例中，凸块310A、310B对于一特定波长之吸收率大于或等于 99％。在一些实施例中，凸块310A、310B对于一特定波长之吸收率大于或等于 99.5％。在一些实施例中，凸块310A、310B对于一特定波长之吸收率大于或等于99.9％。在一些实施例中，特定波长不大于400nm。在一些实施例中，特定波长不大于350nm。在一些实施例中，特定波长不大于300nm。在一些实施例中，特定波长不大于250nm。在一些实施例中，特定波长不大于200nm。在一些实施例中，特定波长不大于150nm。在一些实施例中，特定波长不大于100nm。

在一些实施例中，电极215的中心与凸块310A的穿孔310A1的中心不对齐。在一些实施例中，电极225的中心与凸块310B的穿孔310B1的中心不对齐。

图4C为根据一些实施例的一发光元件的俯视图，图4D为例示沿着图4C中的线4D-4D'的剖面图。在一些实施例中，图4D为例示沿着图1中的线A-A的剖面图并且仅说明发光区域。在一些实施例中，图4D为例示沿着图4C中的线4D-4D'的剖面图并且仅说明发光区域。为求简洁，此处省略覆盖层40。

在一些实施例中，包覆层(例如包覆层200A、200B)与绝缘光敏材料层(例如绝缘光敏材料层300)为一体成形且由相同的非导电材料所制成以构成隔离结构320，且隔离结构320覆盖发光元件的非发光区域。在一些实施例中，多个凸块(例如凸块310A与凸块310B)彼此相连接且由相同的非导电材料所制成以构成隔离结构320。在一些实施例中，隔离结构320覆盖基板100上方的非发光区域。在一些实施例中，隔离结构320完全覆盖发光元件的非发光区域且仅暴露出有机发光单元的有效发光区域。

图5A为根据一些实施例的发光元件的剖面图。在一些实施例中，图5A为例示沿着图1中的线A-A的剖面图并且仅说明发光区域。为求简洁，此处省略覆盖层40。

在一些实施例中，绝缘光敏材料层300具有从基板100突出的弯曲表面212，并且有机层269的一部分位在弯曲表面212上方。

在一些实施例中，包覆层200A具有平坦的上表面及倾斜的侧壁。在一些实施例中，包覆层200B具有平坦的上表面及倾斜的侧壁。

在一些实施例中，电极215具有边缘2151及与边缘2151相对的边缘2152，电极215的上表面215a的部份215P从边缘2151向内延伸具有距离D1，电极215的上表面215a的部份215P从边缘2152向内延伸具有距离D2，且距离D1大于距离D2。

在一些实施例中，绝缘光敏材料层300接触电极215的上表面215a的邻近边缘2151的区域R11，且绝缘光敏材料层300接触电极215的上表面215a的邻近边缘 2152的区域R12，区域R11的宽度W1小于区域R12的宽度W2。

图5B为根据一些实施例的发光元件的剖面图。在一些实施例中，图5B为例示沿着图1中的线A-A的剖面图并且仅说明发光区域。为求简洁，此处省略覆盖层40。

在一些实施例中，绝缘光敏材料层300具有从基板100突出的弯曲表面212，并且有机层269的一部分位在弯曲表面212上方。

在一些实施例中，电极215具有边缘2151及与边缘2151相对的边缘2152，电极215的上表面215a的部份215P从边缘2151向内延伸具有距离D1，电极215的上表面215a的部份215P从边缘2152向内延伸具有距离D2，且距离D1小于距离D2。

在一些实施例中，绝缘光敏材料层300接触电极215的上表面215a的邻近边缘2151的区域R11，且绝缘光敏材料层300接触电极215的上表面215a的邻近边缘 2152的区域R12，区域R11的宽度W1小于区域R12的宽度W2。

图6A为根据一些实施例的一发光元件的俯视图，图6B为例示沿着图6A中的线6B-6B'的剖面图。在一些实施例中，图6B为例示沿着图1中的线A-A的剖面图并且仅说明发光区域。在一些实施例中，图6B为例示沿着图6A中的线6B-6B'的剖面图并且仅说明发光区域。为求简洁，此处省略覆盖层40。

在一些实施例中，发光元件进一步包括透明基板100，有机发光单元101和有机发光单元102设置于透明基板100上。在一些实施例中，图6A与6B所示的发光元件是背发光式发光元件。在一些实施例中，透明基板100可包括玻璃板。在一些实施例中，电极215是透明电极，电极216是反射式电极。

在一些实施例中，电极215从俯视角度具有十字形轮廓。在一些实施例中，包覆层200A的穿孔200A1从俯视角度具有十字形轮廓。在一些实施例中，绝缘光敏材料层300的凹陷部300C从俯视角度具有十字形轮廓。

在一些实施例中，电极215的中心与电极215上方的凹陷部300C的中心不对齐。在一些实施例中，电极215的中心与包覆层200A的穿孔200A1的中心不对齐。

图7A为根据一些实施例的一发光元件的俯视图，图7B为例示沿着图7A中的线7B-7B'的剖面图。在一些实施例中，图7B为例示沿着图1中的线A-A的剖面图并且仅说明发光区域。在一些实施例中，图7B为例示沿着图7A中的线7B-7B'的剖面图并且仅说明发光区域。为求简洁，此处省略覆盖层40。

在一些实施例中，如图7A和图7B所示，发光阵列包括复数个有机发光单元，例如包括至少有机发光单元101、102、103、104和105。在一些实施例中，有机发光单元101、102、103、104和105在凸块310之间且在基板100上方(或下方)。

在一些实施例中，有机发光单元101包括电极215，有机发光单元102包括电极225，有机发光单元103包括电极235，有机发光单元104包括电极245，有机发光单元105包括电极255。在一些实施例中，电极215、电极225、电极235、电极 245及电极255为阳极。在一些实施例中，第二电极216为发光元件中的所有有机发光单元的共同电极(或共同阴极)。

在一些实施例中，包覆层200A环绕有机发光单元101的侧壁。在一些实施例中，包覆层200B环绕有机发光单元102的侧壁。在一些实施例中，包覆层200C 环绕有机发光单元103的侧壁。在一些实施例中，包覆层200D环绕有机发光单元 104的侧壁。在一些实施例中，包覆层200E环绕有机发光单元105的侧壁。

在一些实施例中，电极215、电极225、电极235、电极245及电极255中的至少两者具有不同外型轮廓。在一些实施例中，电极215、电极225、电极235、电极245及电极255可构成一特定发光图案。

在一些实施例中，有机发光单元101、102、103、104和105中的至少两者发射相同波长的光。在一些实施例中，有机发光单元101、102、103、104和105发射相同波长的光。在一些实施例中，有机发光单元101、102、103、104和105经配置为发出相同颜色的光的同一个群组。

图8A至图13B绘示根据一些实施例的发光组件的制作方法。

如图8A和8B所示，图8A为俯视图，图8B为例示沿着图8A中的线8B-8B'的剖面图。

在一些实施例中，形成复数个电极215、225、235、245和255于基板100上。在一些实施例中，电极215、225、235、245和255构成一电极数组图案。在一些实施例中，可考虑发光图案的安排而设计电极的数组图案。

如图9A和9B所示，图9A为俯视图，图9B为例示沿着图9A中的线9B-9B'的剖面图。

在一些实施例中，形成包覆材料层200于电极215、225、235、245和255上。在一些实施例中，涂布包覆材料层200于电极215、225、235、245和255与基板 100上。在一些实施例中，可透过旋转涂覆工艺或沉积工艺形成包覆材料层200。

在一些实施例中，包覆材料层200包括导电体。在一些实施例中，包覆材料层200包括金属、树脂、石墨、或上述的任意组合。在一些实施例中，包覆材料层200包括光敏材料。在一些实施例中，包覆材料层200包括量子点(quantum dots)。在一些实施例中，包覆材料层200包括碳黑材料，例如碳黑奈米颗粒、含碳黑的导电纤维、或其类似物。在一些实施例中，包覆材料层200包括黑体材料，其对于可见光具有90％、95％、99％、99.5％、或99.9％以上的吸收率。

如图10A和10B所示，图10A为俯视图，图10B为例示沿着图10A中的线 10B-10B'的剖面图。

在一些实施例中，图案化包覆材料层200，以形成复数个包覆层200A、200B、 200C、200D和200E环绕电极215、225、235、245和255的侧壁215S、225S、235S、 245S和255S，并暴露电极215、225、235、245和255的上表面215a、225a、235a、 245a和255a。在一些实施例中，包覆层200A、200B、200C、200D和200E在电极 215、225、235、245和255之间彼此不连续。在一些实施例中，可透过光刻工艺图案化包覆材料层200。

在一些实施例中，在暴露之后，在一溶液中润湿包覆材料层200以进行显影。如图10B所示，包覆材料层200的一部分被移除，以形成包覆层200A、200B、200C、 200D和200E。在一些实施例中，形成包覆层200A、200B、200C、200D和200E 后，可执行清洁操作以清洁凸包覆层200A、200B、200C、200D和200E及电极215、 225、235、245和255的暴露表面。在一些实施例中，可在介于30℃及80℃之间的温度执行清洁操作。在一些实施例中，可使用例如水或异丙醇(IPA)等作为清洁剂，且可使用超声波执行清洁操作。

如图11A和11B所示，图11A为俯视图，图11B为例示沿着图11A中的线 11B-11B'的剖面图。

在一些实施例中，设置绝缘光敏材料300A于电极215、225、235、245和255 与包覆层200A、200B、200C、200D和200E上。在一些实施例中，可透过旋转涂覆工艺或沉积工艺形成绝缘光敏材料300A。

在一些实施例中，绝缘光敏材料300A包括光敏材料。在一些实施例中，在一些实施例中，绝缘光敏材料300A包括黑体材料，其对于可见光具有90％以上的吸收率。在一些实施例中，包覆层200A、200B、200C、200D和200E对于具有特定波长之光线的吸收率大于绝缘光敏材料300A对于所述具有特定波长之光线的吸收率。在一些实施例中，特定波长不大于400nm、不大于350nm、不大于 300nm、不大于250nm、不大于200nm、或不大于150nm。

如图12A和12B所示，图12A为俯视图，图12B为例示沿着图12A中的线 12B-12B'的剖面图。

在一些实施例中，图案化绝缘光敏材料300A以形成绝缘光敏材料层300，其暴露所述电极215、225、235、245和255的上表面215a、225a、235a、245a和255a 的复数个有效发光区域。在一些实施例中，可透过光刻工艺图案化绝缘光敏材料300A。

在一些实施例中，在暴露之后，在一溶液中润湿绝缘光敏材料300A以进行显影。如图12B所示，绝缘光敏材料300A的一部分被移除，以形成绝缘光敏材料层300。在一些实施例中，形成绝缘光敏材料层300后，可执行清洁操作以清洁凸绝缘光敏材料层300及电极215、225、235、245和255的暴露表面。在一些实施例中，可在介于30℃及80℃之间的温度执行清洁操作。在一些实施例中，可使用例如水或异丙醇(IPA)等作为清洁剂，且可使用超声波执行清洁操作。

如图13A和13B所示，图13A为俯视图，图13B为例示沿着图13A中的线 13B-13B'的剖面图。

在一些实施例中，设置有机发光材料于电极215、225、235、245和255的上表面215a、225a、235a、245a和255a的有效发光区域上。在一些实施例中，设置电极216于有机发光材料上。

在一些实施例中，在绝缘光敏材料层300及电极215、225、235、245和255 的暴露的上表面215a、225a、235a、245a和255a上依序设置载体注入层261、第一载体运输层262、第二载体运输层263、有机发射层264、及有机载体运输层265。在一些实施例中，各个有机发光单元具有个别的第二载体运输层263与有机发射层264。

前述内容概述一些实施方式的特征，因而熟知此技艺的人士可更加理解本揭露的各方面。熟知此技艺的人士应理解可轻易使用本揭露作为基础，用于设计或修饰其他制程与结构而实现与本申请案所述的实施例具有相同目的与/或达到相同优点。熟知此技艺的人士亦应理解此均等架构并不脱离本揭露揭示内容的精神与范围，并且熟知此技艺的人士可进行各种变化、取代与替换，而不脱离本揭露的精神与范围。

符号说明

10 发光元件

20 发光层

30 间隔物

40 覆盖层

100 基板

101 有机发光单元

102 有机发光单元

103 有机发光单元

104 有机发光单元

105 有机发光单元

200 包覆材料层

200A 包覆层

200A1 穿孔

200B 包覆层

200B1 穿孔

200C 包覆层

200D 包覆层

200E 包覆层

215 电极

2151 边缘

2152 边缘

2153 边缘

2154 边缘

215a 上表面

215P 部份

215S 侧壁

216 电极

225 电极

2251 边缘

2252 边缘

2253 边缘

2254 边缘

225a 上表面

225P 部份

225S 侧壁

235 电极

235a 上表面

245 电极

245a 上表面

255 电极

255a 上表面

261 载体注入层

262 第一载体运输层

263 第二载体运输层

264 有机发射层

265 有机载体运输层

269 有机层

300 绝缘光敏材料层

300A 绝缘光敏材料

300C 凹陷部

310 凸块

310A 凸块

310A1 穿孔

310B 凸块

310B1 穿孔

D1 距离

D2 距离

D3 距离

D4 距离

D5 距离

D6 距离

D7 距离

D8 距离

R11 区域

R12 区域

R13 区域

R14 区域

R21 区域

R22 区域

R23 区域

R24 区域

W1 宽度

W2 宽度

W3 宽度

W4 宽度

W5 宽度

W6 宽度

W7 宽度

W8 宽度

A-A 线

2B-2B' 线

3B-3B' 线

4B-4B' 线

6B-6B' 线

7B-7B' 线

8B-8B' 线

9B-9B' 线

10B-10B' 线

11B-11B' 线

12B-12B' 线

13B-13B' 线。

Claims (17)

1.一种发光元件，包括：

发光阵列，其包括第一有机发光单元以及第二有机发光单元，其中所述第一有机发光单元包括第一电极，所述第二有机发光单元包括第二电极；

复数个包覆层，其包括：

第一包覆层，其包覆所述第一电极的上表面的一部份及所述第一电极的侧壁；及

第二包覆层，其包覆所述第二电极的上表面的一部份及所述第二电极的侧壁；以及

绝缘光敏材料层，其位于所述第一电极的所述侧壁与所述第二电极的所述侧壁之间，其中所述绝缘光敏材料层部分地覆盖所述第一电极的所述上表面。

2.一种发光元件，包括：

复数个有机发光单元；

绝缘光敏材料层，其覆盖所述复数个有机发光单元，其中所述绝缘光敏材料层具有复数个凹陷部，所述复数个凹陷部用以暴露出所述复数个有机发光单元的复数个有效发光区域；以及

复数个包覆层，各所述包覆层环绕各所述有机发光单元的侧壁，且各所述包覆层介于所述复数个有机发光单元的相邻两者的所述侧壁之间。

3.如权利要求1或2所述的发光元件，其中所述复数个包覆层对于光线的吸收率大于所述绝缘光敏材料层对于所述光线的吸收率。

4.如权利要求1或2所述的发光元件，其中所述复数个包覆层与所述绝缘光敏材料层为一体成形且由相同材料所制成。

5.如权利要求1或2所述的发光元件，其中所述复数个包覆层与所述绝缘光敏材料层为一体成形且由相同非导电材料所制成以构成隔离结构，所述隔离结构覆盖所述发光元件的非发光区域。

6.如权利要求1或2所述的发光元件，其中所述复数个包覆层包括导电体，且所述复数个包覆层彼此分隔开。

7.如权利要求1或2所述的发光元件，其中所述复数个包覆层包括金属、树脂、石墨、或上述的任意组合。

8.如权利要求1或2所述的发光元件，其中所述复数个包覆层包括光敏材料。

9.如权利要求1或2所述的发光元件，进一步包括透明基板，其中所述复数个有机发光单元设置于所述透明基板上。

10.如权利要求1所述的发光元件，其中所述第一电极具有第一边缘及与所述第一边缘相对或相邻的第二边缘，所述上表面的所述部份从所述第一边缘向内延伸具有第一距离，所述上表面的所述部份从所述第二边缘向内延伸具有第二距离，且所述第一距离大于所述第二距离。

11.如权利要求1所述的发光元件，其中所述第一电极具有第一边缘及与所述第一边缘相对或相邻的第二边缘，所述绝缘光敏材料层接触所述第一电极的所述上表面的邻近所述第一边缘的第一区域及邻近所述第二边缘的第二区域，所述第一区域的宽度不等于所述第二区域的宽度，及/或所述第一区域的面积不等于所述第二区域的面积。

12.如权利要求1所述的发光元件，其中所述第一电极与所述第二电极为阳极，及/或所述第一电极与所述第二电极包括透明导电材料。

13.如权利要求1所述的发光元件，其中所述第一有机发光单元以及所述第二有机发光单元发射相同波长的光。

14.一种发光元件的制作方法，包括：

提供基板；

形成复数个电极于所述基板上；

形成包覆材料层于所述复数个电极上；

图案化所述包覆材料层，以形成复数个包覆层环绕所述复数个电极的复数个侧壁，并暴露所述复数个电极的复数个上表面，所述复数个包覆层在所述复数个电极之间彼此不连续；

设置绝缘光敏材料于所述复数个电极与所述复数个包覆层上；

图案化所述绝缘光敏材料以形成绝缘光敏材料层，其暴露所述复数个电极的所述复数个上表面的复数个有效发光区域；以及

设置有机发光材料于所述复数个电极的所述复数有效发光区域上。

15.如权利要求14所述的制作方法，其中所述有机发光材料包括电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、发射层(EM)、空穴阻挡层(HBL)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、或上述的任意组合。

16.如权利要求14所述的制作方法，其中透过旋转涂覆工艺或沉积工艺形成所述包覆材料层。

17.如权利要求14所述的制作方法，其中透过光刻工艺图案化所述包覆材料层。