JP2023168272A - 発光素子 - Google Patents

発光素子 Download PDF

Info

Publication number
JP2023168272A
JP2023168272A JP2023077296A JP2023077296A JP2023168272A JP 2023168272 A JP2023168272 A JP 2023168272A JP 2023077296 A JP2023077296 A JP 2023077296A JP 2023077296 A JP2023077296 A JP 2023077296A JP 2023168272 A JP2023168272 A JP 2023168272A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
electrode
layer
organic light
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023077296A
Other languages
English (en)
Inventor
クオ－チェン シュー
Kuo-Cheng Hsu
チー－チェン イェン
Chih-Cheng Yen
フェイ－シオウ チェン
Huei-Siou Chen
カー タイ チュー
Ker Tai Chu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taizhou Guanyu Technology Co Ltd
Original Assignee
Taizhou Guanyu Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from CN202210973295.5A external-priority patent/CN117119824A/zh
Application filed by Taizhou Guanyu Technology Co Ltd filed Critical Taizhou Guanyu Technology Co Ltd
Publication of JP2023168272A publication Critical patent/JP2023168272A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/90—Assemblies of multiple devices comprising at least one organic light-emitting element
    • H10K59/95—Assemblies of multiple devices comprising at least one organic light-emitting element wherein all light-emitting elements are organic, e.g. assembled OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

【課題】発光素子を提供することを課題とする。【解決手段】発光素子であって、発光アレイと、複数のクラッド層と、感光性絶縁材料層とを備える。発光アレイは、第１有機発光ユニットと、第２有機発光ユニットとを備え、第１有機発光ユニットは第１電極を備え、第２有機発光ユニットは第２電極を備える。複数のクラッド層は、第１クラッド層と、第２クラッド層とを備え、第１クラッド層は第１電極の上面の一部及び第１電極の側壁を覆い、第２クラッド層は第２電極の上面の一部及び第２電極の側壁を覆う。感光性絶縁材料層は、第１電極の側壁と第２電極の側壁との間に位置し、第１電極の上面を部分的に覆う。【選択図】図２Ｂ

Description

本開示は、発光素子に関し、特に、有機発光素子に関する。
有機発光ディスプレイは、最もハイエンドな電子機器で広く使用されている。しかしながら、従来技術の制限により、発光材料の発光効率及び品質は効果的に制御されることができないことにより、デバイスの光学的効果が予想通りにいかなかった。
本開示において、発光素子は、発光アレイと、複数のクラッド層と、感光性絶縁材料層とを備える。発光アレイは、第１有機発光ユニットと、第２有機発光ユニットとを備え、第１有機発光ユニットは第１電極を備え、第２有機発光ユニットは第２電極を備える。複数のクラッド層は、第１クラッド層と、第２クラッド層とを備え、第１クラッド層は第１電極の上面の一部及び第１電極の側壁を覆い、第２クラッド層は第２電極の上面の一部及び第２電極の側壁を覆う。感光性絶縁材料層は、第１電極の側壁と第２電極の側壁との間に位置し、第１電極の上面を部分的に覆う。
本開示において、発光素子は、複数の有機発光ユニットと、感光性絶縁材料層と、複数のクラッド層とを備える。感光性絶縁材料層は、有機発光ユニットを覆い、有機発光ユニットの複数の有効発光領域を露出するための複数の凹陥部を有する。各クラッド層は、各有機発光ユニットの側壁を環囲し、且つ各クラッド層は有機発光ユニットの２つの隣り合う側壁の間に介在する。
本開示において、発光素子の製造方法は、基板を用意するステップと、基板に複数の電極を形成するステップと、電極に被覆材料層を形成するステップと、被覆材料層をパターニングして、電極の複数の側壁を環囲し、電極の複数の上面を露出させ複数のクラッド層（クラッド層が電極間で不連続である）を形成するステップと、感光性絶縁材料を電極及びクラッド層の上に設けるステップと、感光性絶縁材料をパターニングして、電極の上面の複数の有効発光領域を露出させる感光性絶縁材料層を形成するステップと、有機発光材料を電極の有効発光領域の上に設けるステップとを含む。
いくつかの実施形態において、クラッド層の光吸収率は、感光性絶縁材料層の光吸収率より大きい。
いくつかの実施形態において、クラッド層及び感光性絶縁材料層は、一体的に成形され、同じ材料で作られる。
いくつかの実施形態において、クラッド層は、導電体を備え、かつ複数のクラッド層が互いに分離されている。
いくつかの実施形態において、クラッド層は、金属、樹脂、グラファイト、又はこれらの任意の組み合わせを含む。
いくつかの実施形態において、クラッド層は、感光性材料を含む。
いくつかの実施形態において、発光素子は、透明基板をさらに備え、有機発光ユニットが透明基板に設けられる。
いくつかの実施形態において、第１電極は、第１縁部と、第１縁部に対向する又は隣り合う第２縁部とを有し、上面の一部は第１縁部から内方に延びて第１距離を有し、上面の一部は第２縁部から内方に延びて第２距離を有し、第１距離は第２距離より大きい。
いくつかの実施形態において、第１電極は、第１縁部と、第１縁部に対向する又は隣り合う第２縁部とを有し、感光性絶縁材料層は第１電極の上面の第１縁部に近い第１領域及び第２縁部に近い第２領域に接触し、第１領域の幅は第２領域の幅に等しくなく、及び／又は第１領域の面積は第２領域の面積に等しくない。
いくつかの実施形態において、第１電極及び第２電極はアノードであり、及び／又は第１電極及び第２電極は、透明導電材料を含む。
いくつかの実施形態において、第１有機発光ユニット及び第２有機発光ユニットは、同じ波長の光を発する。
いくつかの実施形態において、有機発光材料は、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）、発光層（ＥＭ）、正孔阻止層（ＨＢＬ）、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、又はこれらの任意の組み合わせを含む。
いくつかの実施形態において、スピンコート法又はデポジション法により被覆材料層を形成する。
いくつかの実施形態において、フォトリソグラフィプロセスにより被覆材料層をパターニングする。
発光素子の中間製品を示す上面図である。 いくつかの実施形態による発光素子の上面図である。 図２Ａ中の２Ｂ－２Ｂ´線に沿った断面図である。 いくつかの実施形態による発光素子の上面図である。 図３Ａの３Ｂ－３Ｂ線´に沿った断面図である。 いくつかの実施形態による発光素子の上面図である。 図４Ａの４Ｂ－４Ｂ線´に沿った断面図である。 いくつかの実施形態による発光素子の上面図である。 図４Ｃの４Ｄ－４Ｄ線´に沿った断面図である。 いくつかの実施形態による発光素子の上面図である。 いくつかの実施形態による発光素子の断面図である。 いくつかの実施形態による発光素子の上面図である。 図３Ａの６Ｂ－６Ｂ線´に沿った断面図である。 いくつかの実施形態による発光素子の上面図である。 図７Ａの７Ｂ－７Ｂ線´に沿った断面図である。 いくつかの実施形態による発光素子の製造方法を示す概略図である。 いくつかの実施形態による発光素子の製造方法を示す概略図である。 いくつかの実施形態による発光素子の製造方法を示す概略図である。 いくつかの実施形態による発光素子の製造方法を示す概略図である。 いくつかの実施形態による発光素子の製造方法を示す概略図である。 いくつかの実施形態による発光素子の製造方法を示す概略図である。 いくつかの実施形態による発光素子の製造方法を示す概略図である。 いくつかの実施形態による発光素子の製造方法を示す概略図である。 いくつかの実施形態による発光素子の製造方法を示す概略図である。 いくつかの実施形態による発光素子の製造方法を示す概略図である。 いくつかの実施形態による発光素子の製造方法を示す概略図である。 いくつかの実施形態による発光素子の製造方法を示す概略図である。
図１は、発光素子１０の中間製品を示す上面図である。発光素子１０は、発光層２０と、発光層２０の上に位置する被覆層４０とを備える。発光層２０について、発光画素アレイを収容するための凹部アレイを提供するようにスペーサ３０を設計できる。いくつかの実施形態において、スペーサ３０は、感光性材料を含み得る。
図２Ａは、いくつかの実施形態による発光素子の上面図で、図２Ｂは図２Ａ内の２Ｂ－２Ｂ´線に沿った断面図である。いくつかの実施形態において、図２Ｂは図１内のＡ－Ａ線に沿った断面図であり、発光領域のみを示している。いくつかの実施形態において、図２Ｂは、図２Ａ内の２Ｂ－２Ｂ´線に沿った断面図であり、発光領域のみを示している。簡単にするため、ここで被覆層４０を省略する。スペーサ３０は、発光画素パターンを定義するため、複数のバンプ３１０を有する。凹部は、２つの隣り合うバンプ３１０の間にあり、発光画素を収容するための空間を提供する。当業者は、図２Ｂの断面図から観察すると、バンプ３１０が切り離されて示されているが、図１及び図２Ａの上面図から観察すると、これらはスペーサ３０の他の部分を介して互いに連結され得ることを理解すべきである。
いくつかの実施形態において、図１、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、発光素子１０は、基板１００と、基板１００の上にあるバンプ３１０と、発光アレイとを備える。いくつかの実施形態において、発光アレイは、複数の有機発光ユニット（又は発光画素と呼ばれる）を備え、例えば少なくとも有機発光ユニット１０１（或いは第１有機発光ユニットと呼ばれる）及び有機発光ユニット１０２（或いは第２有機発光ユニットと呼ばれる）を備える。いくつかの実施形態において、有機発光ユニット１０１及び有機発光ユニット１０２は、バンプ３１０の間で基板１００の上にある。いくつかの実施形態において、有機発光ユニット１０１及び有機発光ユニット１０２は、同じ波長の光を発する。
いくつかの実施形態において、基板１００は、発光層２０内の発光画素に対応するように構成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイを備え得る。基板１００は、複数のコンデンサを含み得る。いくつかの実施形態において、２つ以上のトランジスタは、コンデンサ及び発光画素と回路を形成するように構成される。
いくつかの実施形態において、有機発光ユニット１０１は、電極２１５（又は第１電極と呼ばれる）と、有機層２６９（或いは発光層と呼ばれる）と、有機層２６９にある電極２１６（又は第２電極と呼ばれる）とを備える。有機発光ユニット１０２は、電極２２５（又は第１電極と呼ばれる）と、有機層２６９と、有機層２６９にある電極２１６（或いは第２電極と呼ばれる）とを備える。いくつかの実施形態において、電極２１６は、有機層２６９の上に位置する。
いくつかの実施形態において、有機発光ユニット１０１の電極２１５及び有機発光ユニット１０２の電極２２５は、アノードである。いくつかの実施形態において、有機発光ユニット１０１の電極２１５及び有機発光ユニット１０２の電極２２５は、透明導電材料を含む。いくつかの実施形態において、電極２１５及び電極２２５は、一側が基板１００に埋め込まれた回路に接続され、他側が有機層２６９に接触するよう構成される。
いくつかの実施形態において、第２電極２１６は、各有機発光ユニットの有効発光領域のみを覆うようにパターニングされる。いくつかの実施形態において、第２電極２１６は、有機層２６９と接触する。第２電極２１６は、図２Ｂに示すような連続膜であり得、有機層２６９及びバンプ３１０の上に位置する。換言すれば、第２電極２１６は、複数の有機発光ユニットの共通電極である。いくつかの実施形態において、第２電極２１６は、発光素子内の全ての有機発光ユニットの共通電極である。
いくつかの実施形態において、有機層２６９は、１層又は多層の有機発光材料を含む。有機発光材料は、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）、発光層（ＥＭ）、正孔阻止層（ＨＢＬ）、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、又はこれらの任意の組み合わせを含む。
いくつかの実施形態において、有機層２６９は、バンプ３１０及び電極２１５の上にある第１キャリア輸送層２６２、第１キャリア輸送層２６２の上にある第２キャリア輸送層２６３、及び第２キャリア輸送層２６３の上にある有機発光層２６４を含む。いくつかの実施形態において、有機層２６９は、電極２１５と第１キャリア輸送層２６２との間に配置されたキャリア注入層２６１をさらに含む。いくつかの実施形態において、有機層２６９は、有機発光層２６４の上に設けられた有機キャリア輸送層２６５をさらに含む。いくつかの実施形態において、キャリア注入層２６１は、正孔注入層であり得、第１キャリア輸送層２６２は第１正孔輸送層であり得、第２キャリア輸送層２６３は第２正孔輸送層であり得、有機キャリア輸送層２６５は電子輸送層であり得る。
いくつかの実施形態において、バンプ３１０は、クラッド層２００Ａの一部及び感光性絶縁材料層３００の一部を含む。いくつかの実施形態において、バンプ３１０は、クラッド層２００Ｂの一部及び感光性絶縁材料層３００の一部を含む。いくつかの実施形態において、バンプ３１０は、クラッド層２００Ａの一部、クラッド層２００Ｂの一部、及び感光性絶縁材料層３００の一部を含む。いくつかの実施形態において、バンプ３１０は画素定義層（ｐｉｘｅｌ ｄｅｆｉｎｅｄ ｌａｙｅｒ、ＰＤＬ）とも呼ばれる。
いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ａは、有機発光ユニット１０１の側壁を環囲する。いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ａは、電極２１５の上面２１５ａの一部２１５Ｐ及び電極２１５の側壁２１５Ｓを覆う。いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ａは、電極２１５の上面２１５ａの一部を露出させるためのスルーホール２００Ａ１を備える。いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ａは、隣り合う有機発光ユニット１０１の側壁と有機発光ユニット１０２の側壁との間に介在する。
いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ｂは、有機発光ユニット１０２の側壁を環囲する。いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ｂは、電極２２５の上面２２５ａの一部２２５Ｐ及び電極２２５の側壁２２５Ｓを覆う。いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ｂは、電極２２５の上面２２５ａの一部を露出させるためのスルーホール２００Ｂ１を備える。いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ｂは、隣り合う有機発光ユニット１０１の側壁と有機発光ユニット１０２の側壁との間に介在する。
いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ａ、２００Ｂは、導電体を含み、且つクラッド層２００Ａ及び２００Ｂは互いに分離されている。いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ａ、２００Ｂは、金属、樹脂、グラファイト、或いはこれらの任意の組み合わせを含む。いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ａ、２００Ｂは感光性材料を含む。いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ａ、２００Ｂは、優れた光吸収特性を有する量子ドット（ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔｓ）を有する。いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ａ、２００Ｂは、例えばカーボンブラックナノ粒子、カーボンブラック含有導電性繊維などのカーボンブラック材料又はその類似物を含む。いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ａ、２００Ｂは、可視光に対して９０％、９５％、９９％、９９．５％、或いは９９．９％以上の吸収率を有する黒体材料を含む。
いくつかの実施形態において、特定の波長に対するクラッド層２００Ａ、２００Ｂの吸収率は、５０％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対するクラッド層２００Ａ、２００Ｂの吸収率は、６０％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対するクラッド層２００Ａ、２００Ｂの吸収率は、７０％である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対するクラッド層２００Ａ、２００Ｂの吸収率は、８０％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対するクラッド層２００Ａ、２００Ｂの吸収率は、９０％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対するクラッド層２００Ａ、２００Ｂの吸収率は、９５％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対するクラッド層２００Ａ、２００Ｂの吸収率は、９９％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対するクラッド層２００Ａ、２００Ｂの吸収率は、９９．５％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対するクラッド層２００Ａ、２００Ｂの吸収率は、９９．９％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、４００ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、３５０ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、３００ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、２５０ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、２００ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、１５０ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、１００ｎｍ未満である。
いくつかの実施形態において、電極２１５は、縁部２１５１と、縁部２１５１に対向する縁部２１５２とを有し、電極２１５の上面２１５ａの一部２１５Ｐは、縁部２１５１から内方に向けて距離Ｄ１まで延び、電極２１５の上面２１５ａの一部２１５Ｐは縁部２１５２から内方に向けて距離Ｄ２まで延び、距離Ｄ１は距離Ｄ２より大きい。いくつかの実施形態において、電極２１５は、縁部２１５１と隣り合う縁部２１５３を有し、電極２１５の上面２１５ａの一部２１５Ｐは縁部２１５３から内方に向けて距離Ｄ３まで延び、距離Ｄ１は距離Ｄ３より大きい。いくつかの実施形態において、電極２１５は縁部２１５１と隣り合う縁部２１５４を有し、電極２１５の上面２１５ａの一部２１５Ｐは縁部２１５４から内方に向けて距離Ｄ４まで延び、距離Ｄ１は距離Ｄ４より大きい。いくつかの実施形態において、距離Ｄ１、距離Ｄ２、距離Ｄ３及び距離Ｄ４は全て異なっていてもよい。いくつかの実施形態において、距離Ｄ１、距離Ｄ２、距離Ｄ３及び距離Ｄ４のうちの少なくとも２つは同じである。
いくつかの実施形態において、電極２２５は、縁部２２５１と、縁部２２５１に対向する縁部２２５２とを有し、電極２２５の上面２２５ａの一部２２５Ｐは、縁部２２５１から内方に向けて距離Ｄ５まで延び、電極２２５の上面２２５ａの一部２２５Ｐは縁部２２５２から内方に向けて距離Ｄ６まで延び、距離Ｄ５は距離Ｄ６より大きい。いくつかの実施形態において、電極２２５は、縁部２２５１と隣り合う縁部２２５３を有し、電極２２５の上面２２５ａの一部２２５Ｐは縁部２２５３から内方に向けて距離Ｄ７まで延び、距離Ｄ５は距離Ｄ７より大きい。いくつかの実施形態において、電極２２５は縁部２２５１と隣り合う縁部２２５４を有し、電極２２５の上面２２５ａの一部２２５Ｐは縁部２２５４から内方に向けて距離Ｄ８まで延び、距離Ｄ５は距離Ｄ８より大きい。いくつかの実施形態において、距離Ｄ５、距離Ｄ６、距離Ｄ７及び距離Ｄ８は全て異なっていてもよい。いくつかの実施形態において、距離Ｄ５、距離Ｄ６、距離Ｄ７及び距離Ｄ８のうちの少なくとも２つは同じである。
いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００は、電極２１５の側壁２１５Ｓと電極２２５の側壁２２５Ｓとの間に位置する。いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００は、電極２１５の上面２１５ａを部分的に覆う。いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００は、電極２２５の上面２２５ａを部分的に覆う。いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００は、有機発光ユニット１０１及び有機発光ユニット１０２を覆い、複数の有機発光ユニットの複数の有効発光領域、例えば有機発光ユニット１０１の有効発光領域及び有機発光ユニット１０２の有効発光領域を露出させるための複数の凹陥部３００Ｃを有する。
いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ａ、２００Ｂは、感光性絶縁材料層３００の下に位置する。いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ａ、２００Ｂは、感光性絶縁材料層３００に埋め込まれる（ｅｍｂｅｄｄｅｄ）。いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ａは、電極２１５の上面２１５ａの周囲領域（一部２１５Ｐ及び側壁２１５Ｓ）と感光性絶縁材料層３００との間に位置する。いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ｂは、電極２２５の上面２２５ａの周囲領域（一部２２５Ｐ及び側壁２２５Ｓ）と感光性絶縁材料層３００との間に位置する。
いくつかの実施形態において、電極２１５の中心は、電極２１５の上の凹陥部３００Ｃの中心と整列していない。いくつかの実施形態において、電極２１５の中心は、クラッド層２００Ａのスルーホール２００Ａ１の中心と整列していない。いくつかの実施形態において、電極２２５の中心は、電極２２５の上の凹陥部３００Ｃの中心と整列していない。いくつかの実施形態において、電極２２５の中心は、クラッド層２００Ｂのスルーホール２００Ｂ１の中心と整列していない。
いくつかの実施形態において、特定の波長に対する感光性絶縁材料層３００の吸収率は、５０％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対する感光性絶縁材料層３００の吸収率は、６０％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対する感光性絶縁材料層３００の吸収率は、７０％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対する感光性絶縁材料層３００の吸収率は、８０％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対する感光性絶縁材料層３００の吸収率は、９０％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対する感光性絶縁材料層３００の吸収率は、９５％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長は４００ｎｍ未満（波長不大於４００ｎｍ）である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、３５０ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、３００ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、２５０ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、２００ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、１５０ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、１００ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長を有する光に対するクラッド層２００Ａ、２００Ｂの吸収率は、特定の波長を有する光に対する感光性絶縁材料層３００の吸収率より大きい。
いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００は、電極２１５の上面２１５ａの縁部２１５１に近い領域Ｒ１１に接触し、且つ感光性絶縁材料層３００は電極２１５の上面２１５ａの縁部２１５２に近い領域Ｒ１２に接触し、領域Ｒ１１の幅Ｗ１は領域Ｒ１２の幅Ｗ２と等しくない。いくつかの実施形態において、領域Ｒ１１の面積は、領域Ｒ１２の面積と等しくない。いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００は、電極２１５の上面２１５ａの縁部２１５３に近い領域Ｒ１３に接触し、領域Ｒ１１の幅Ｗ１は領域Ｒ１３の幅Ｗ３と等しくない。いくつかの実施形態において、領域Ｒ１１の面積は、領域Ｒ１３の面積と等しくない。いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００は、電極２１５の上面２１５ａの縁部２１５４に近い領域Ｒ１４に接触し、領域Ｒ１１の幅Ｗ１は領域Ｒ１４の幅Ｗ４と等しくない。いくつかの実施形態において、領域Ｒ１１の面積は、領域Ｒ１４の面積と等しくない。いくつかの実施形態において、電極２１５の上面２１５ａの領域Ｒ１１、領域Ｒ１２、領域Ｒ１３和領域Ｒ１４は、電極２１５の上面２１５ａの有効発光領域を取り囲む。いくつかの実施形態において、電極２１５の上面２１５ａの一部２１５Ｐは、領域Ｒ１１、領域Ｒ１２、領域Ｒ１３及び領域Ｒ１４を取り囲む。いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００の一部は、電極２１５の上面２１５ａの有効発光領域を取り囲む。いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００の一部は、電極２１５の上面２１５ａの有効発光領域と一部２１５Ｐとの間の環状領域（すなわち、領域Ｒ１１、領域Ｒ１２、領域Ｒ１３及び領域Ｒ１４）に接触する。
いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００は、電極２２５の上面２２５ａの縁部２２５１に近い領域Ｒ２１に接触し、且つ感光性絶縁材料層３００は電極２２５の上面２２５ａの縁部２２５２に近い領域Ｒ２２に接触し、領域Ｒ２１の幅Ｗ５は領域Ｒ２２の幅Ｗ６と等しくない。いくつかの実施形態において、領域Ｒ２１の面積は、領域Ｒ２２の面積と等しくない。いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００は、電極２２５の上面２２５ａの縁部２２５３に近い領域Ｒ２３に接触し、領域Ｒ２１の幅Ｗ５は領域Ｒ２３の幅Ｗ７と等しくない。いくつかの実施形態において、領域Ｒ２１の面積は、領域Ｒ２３の面積と等しくない。いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００は、電極２２５の上面２２５ａの縁部２２５４に近い領域Ｒ２４に接触し、領域Ｒ２１の幅Ｗ５は領域Ｒ２４の幅Ｗ８と等しくない。いくつかの実施形態において、領域Ｒ２１の面積は、領域Ｒ２４の面積と等しくない。いくつかの実施形態において、電極２２５の上面２２５ａの領域Ｒ２１、領域Ｒ２２、領域Ｒ２３及び領域Ｒ２４は、電極２２５の上面２２５ａの有効発光領域を取り囲む。いくつかの実施形態において、電極２２５の上面２２５ａの一部２２５Ｐは、領域Ｒ２１、領域Ｒ２２、領域Ｒ２３及び領域Ｒ２４を取り囲む。いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００の一部は、電極２２５の上面２２５ａの有効発光領域を取り囲む。いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００の一部は、電極２２５の上面２２５ａの有効発光領域と一部２２５Ｐとの間の環状領域（すなわち、領域Ｒ２１、領域Ｒ２２、領域Ｒ２３及び領域Ｒ２４）に接触する。
本開示のいくつかの実施形態によれば、発光素子において、複数のクラッド層が複数の有機発光ユニットの側壁（例えば複数の電極の側壁）を覆い、感光性絶縁材料層とともに配置される。これにより、有機発光ユニット間の光学的なクロストークを効果的に低減させ、発光パターンのハレーション問題を減らし、発光パターンのコントラストを向上させることができる。
次に、本開示のいくつかの実施形態によれば、各クラッド層は、各有機発光ユニットの電極（又はアノード）の側壁及び上面の周囲を覆い、且つ感光性絶縁材料層は隣り合う有機発光ユニットの電極の側壁間に配置され、電極によって上向き又は斜めに反射された光がクラッド層に効果的に吸収され、これにより隣り合う電極の反射光の光学的なクロストークをより良く低減することで、発光パターンのコントラストを効果的に向上させる。感光性絶縁材料層は、電極によって上向き又は斜めに反射された光を吸収するのを助けることができる以外に、クラッド層の材料が導電体を含む場合、感光性絶縁材料層は異なる有機発光ユニット間の電気的分離の効果を奏し、導電性クラッド層が隣り合う有機発光ユニットの電極に接触することによる短絡を防ぐことができる。
かつ、本開示のいくつかの実施形態によれば、各クラッド層は、感光性絶縁材料層に埋め込まれ（ｅｍｂｅｄｄｅｄ）、感光性絶縁材料層の下、及び／又は各電極の周囲領域と感光性絶縁材料層との間に位置するため、電極によって上向き又は斜めに反射された光の吸収効果を強化することができることで、有機発光ユニット間の光学的なクロストークをより効果的に低減し、発光パターンのハレーション問題を減らし、発光パターンのコントラストを向上させることができる。
さらに、本開示のいくつかの実施形態によれば、複数の有機発光ユニットは、同じ波長の光を発することができ、例えば隣り合う複数の有機発光ユニットは同じ波長の光を発することができ、且つ各有機発光ユニットの側壁が各々対応するクラッド層で覆われ、これにより複数の有機発光ユニットの数、位置配置関係、及び各有効発光領域の外形輪郭の設計を介して、精細パターン設計、高いコントラストの発光パターンを実現できる。
図３Ａは、いくつかの実施形態による発光素子の上面図で、図３Ｂは図３Ａ内の３Ｂ－３Ｂ´線に沿った断面図である。いくつかの実施形態において、図３Ｂは図１内のＡ－Ａ線に沿った断面図で、発光領域のみを示している。いくつかの実施形態において、図３Ｂは、図３Ａ内の３Ｂ－３Ｂ´線に沿った断面図で、発光領域のみを示している。簡単にするため、ここでは被覆層４０を省略する。
いくつかの実施形態において、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、クラッド層２００Ａの一部が有機層２６９の一部に直接接触する。いくつかの実施形態において、電極２１５の上面２１５ａは、領域Ｒ１１及び領域Ｒ１４を有さない。いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００の一部は、電極２１５の上面２１５ａに接触し、有効発光領域と一部２１５Ｐとの間に位置する。いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００の一部は、電極２１５の上面２１５ａの有効発光領域と一部２１５Ｐとの間のＬ字形領域（すなわち、領域Ｒ１１及び領域Ｒ１４）に接触する。
図４Ａは、いくつかの実施形態による発光素子の上面図で、図４Ｂは図４Ａ内の４Ｂ－４Ｂ´線に沿った断面図である。いくつかの実施形態において、図４Ｂは図１内のＡ－Ａ線に沿った断面図で、発光領域のみを示している。いくつかの実施形態において、図４Ｂは図４Ａ内の４Ｂ－４Ｂ´線に沿った断面図で、発光領域のみを示している。簡単にするため、ここで被覆層４０を省略する。
いくつかの実施形態において、クラッド層と感光性絶縁材料層は、一体的に成形され、同じ材料で製造される。いくつかの実施形態において、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、クラッド層（例えばクラッド層２００Ａ）と感光性絶縁材料層（例えば感光性絶縁材料層３００）は、一体的に成形され、同じ材料でバンプ３１０Ａを作製し、クラッド層（例えばクラッド層２００Ｂ）と感光性絶縁材料層（例えば感光性絶縁材料層３００）は一体的に成形され、同じ材料でバンプ３１０Ｂを作製する。
いくつかの実施形態において、バンプ３１０Ａは、有機発光ユニット１０１の側壁を環囲する。いくつかの実施形態において、バンプ３１０Ａは、電極２１５の上面２１５ａの一部２１５Ｐ及び電極２１５の側壁２１５Ｓを覆う。いくつかの実施形態において、バンプ３１０Ａは、電極２１５の上面２１５ａの一部を露出させるためのスルーホール３１０Ａ１（又は凹陥部と呼ばれる）を備える。いくつかの実施形態において、バンプ３１０Ａは、隣り合う有機発光ユニット１０１の側壁と有機発光ユニット１０２の側壁との間に介在する。
いくつかの実施形態において、バンプ３１０Ｂは、有機発光ユニット１０２の側壁を環囲する。いくつかの実施形態において、バンプ３１０Ｂは、電極２２５の上面２２５ａの一部２２５Ｐ及び電極２２５の側壁２２５Ｓを覆う。いくつかの実施形態において、バンプ３１０Ｂは、電極２２５の上面２２５ａの一部を露出させるためのスルーホール３１０Ｂ１（又は凹陥部と呼ばれる）を備える。いくつかの実施形態において、バンプ３１０Ｂは、隣り合う有機発光ユニット１０１の側壁と有機発光ユニット１０２の側壁との間に介在する。
いくつかの実施形態において、バンプ３１０Ａ、３１０Ｂは、導電体を含み、且つバンプ３１０Ａ及びバンプ３１０Ｂは互いに分離されている。
いくつかの実施形態において、特定の波長に対するバンプ３１０Ａ、３１０Ｂの吸収率は、８０％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対するバンプ３１０Ａ、３１０Ｂの吸収率は、９０％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対するバンプ３１０Ａ、３１０Ｂの吸収率は、９５％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対するバンプ３１０Ａ、３１０Ｂの吸収率は、９９％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対するバンプ３１０Ａ、３１０Ｂの吸収率は、９９．５％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対するバンプ３１０Ａ、３１０Ｂの吸収率は、９９．９％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、４００ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、３５０ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、３００ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、２５０ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、２００ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、１５０ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、１００ｎｍ未満である。
いくつかの実施形態において、電極２１５の中心は、バンプ３１０Ａのスルーホール３１０Ａ１の中心と整列していない。いくつかの実施形態において、電極２２５の中心は、バンプ３１０Ｂのスルーホール３１０Ｂ１の中心と整列していない。
図４Ｃは、いくつかの実施形態による発光素子の上面図で、図４Ｄは図４Ｃ内の４Ｄ－４Ｄ´線に沿った断面図である。いくつかの実施形態において、図４Ｄは、図１内のＡ－Ａ線に沿った断面図で、発光領域のみを示している。いくつかの実施形態において、図４Ｄは、図４Ｃ内の４Ｄ－４Ｄ´線に沿った断面図で、発光領域のみを示している。簡単にするため、ここで被覆層４０を省略する。
いくつかの実施形態において、クラッド層（例えばクラッド層２００Ａ、２００Ｂ）と感光性絶縁材料層（例えば感光性絶縁材料層３００）は、一体的に成形され、同じ非導電性材料から作られて隔離構造３２０を形成し、隔離構造３２０が発光素子の非発光領域を覆う。いくつかの実施形態において、複数のバンプ（例えばバンプ３１０Ａ及びバンプ３１０Ｂ）は互いに連結され、同じ非導電材料から作られて隔離構造３２０を形成する。いくつかの実施形態において、隔離構造３２０は、基板１００の上の非発光領域を覆う。いくつかの実施形態において、隔離構造３２０は、発光素子の非発光領域を完全に覆い、有機発光ユニットの有効発光領域のみを露出させる。
図５Ａは、いくつかの実施形態による発光素子の断面図である。いくつかの実施形態において、図５Ａは、図１内のＡ－Ａ線に沿った断面図で、発光領域のみを示している。簡単にするため、ここで、被覆層４０を省略する。
いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００は、基板１００から突出する曲面２１２を有し、有機層２６９の一部は曲面２１２の上に位置する。
いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ａは、平坦な上面及び傾斜した側壁を有する。いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ｂは、平坦な上面及び傾斜した側壁を有する。
いくつかの実施形態において、電極２１５は、縁部２１５１と、縁部２１５１に対向する縁部２１５２とを有し、電極２１５の上面２１５ａの一部２１５Ｐは、縁部２１５１から内方に向けて距離Ｄ１まで延び、電極２１５の上面２１５ａの一部２１５Ｐは縁部２１５２から内方に向けて距離Ｄ２まで延び、距離Ｄ１は距離Ｄ２より大きい。
いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００は、電極２１５の上面２１５ａの縁部２１５１に近い領域Ｒ１１に接触し、かつ感光性絶縁材料層３００は電極２１５の上面２１５ａの縁部２１５２に近い領域Ｒ１２に接触し、領域Ｒ１１の幅Ｗ１は領域Ｒ１２の幅Ｗ２より小さい。
図５Ｂは、いくつかの実施形態による発光素子の断面図である。いくつかの実施形態において、図５Ｂは、図１内のＡ－Ａ線に沿った断面図で、発光領域のみを示している。簡単にするため、ここで、被覆層４０を省略する。
いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００は、基板１００から突出する曲面２１２を有し、有機層２６９の一部は曲面２１２の上に位置する。
いくつかの実施形態において、電極２１５は、縁部２１５１と、縁部２１５１に対向する縁部２１５２とを有し、電極２１５の上面２１５ａの一部２１５Ｐは、縁部２１５１から内方に向けて距離Ｄ１まで延び、電極２１５の上面２１５ａの一部２１５Ｐは縁部２１５２から内方に向けて距離Ｄ２まで延び、距離Ｄ１は距離Ｄ２より大きい。
いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００は、電極２１５の上面２１５ａの縁部２１５１に近い領域Ｒ１１に接触し、かつ感光性絶縁材料層３００は電極２１５の上面２１５ａの縁部２１５２に近い領域Ｒ１２に接触し、領域Ｒ１１の幅Ｗ１は領域Ｒ１２の幅Ｗ２より小さい。
図６Ａは、いくつかの実施形態による発光素子の上面図で、図６Ｂは図６Ａ内の６Ｂ－６Ｂ´線に沿った断面図である。いくつかの実施形態において、図６Ｂは図１内のＡ－Ａ線に沿った断面図で、発光領域のみを示している。いくつかの実施形態において、図６Ｂは、図６Ａ内の６Ｂ－６Ｂ´線に沿った断面図で、発光領域のみを示している。簡単にするため、ここで、被覆層４０を省略する。
いくつかの実施形態において、発光素子は、透明基板１００をさらに備え、有機発光ユニット１０１及び有機発光ユニット１０２が透明基板１００に設けられる。いくつかの実施形態において、図６Ａ及び６Ｂに示される発光素子は、裏面発光式発光素子である。いくつかの実施形態において、透明基板１００は、ガラス板を含み得る。いくつかの実施形態において、電極２１５は、透明電極で、電極２１６は反射電極である。
いくつかの実施形態において、電極２１５は、上から見たときに十字形の輪郭を有する。いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ａのスルーホール２００Ａ１は、上から見たときに十字形の輪郭を有する。いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００の凹陥部３００Ｃは、上から見たとき十字形の外形を有する。
いくつかの実施形態において、電極２１５の中心は、電極２１５の上の凹陥部３００Ｃの中心と整列していない。いくつかの実施形態において、電極２１５の中心は、クラッド層２００Ａのスルーホール２００Ａ１の中心と整列していない。
図７Ａは、いくつかの実施形態による発光素子の上面図で、図７Ｂは図７Ａ内の７Ｂ－７Ｂ´線に沿った断面図である。いくつかの実施形態において、図７Ｂは図１内のＡ－Ａ線に沿った断面図で、発光領域のみを示している。いくつかの実施形態において、図７Ｂは図７Ａ内の７Ｂ－７Ｂ´線に沿った断面図で、発光領域のみを示している。簡単にするため、ここで、被覆層４０を省略する。
いくつかの実施形態において、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、発光アレイは、複数の有機発光ユニットを備え、例えば少なくとも有機発光ユニット１０１、１０２、１０３、１０４及び１０５を備える。いくつかの実施形態において、有機発光ユニット１０１、１０２、１０３、１０４及び１０５は、バンプ３１０の間で、基板１００の上（又は下）にある。
いくつかの実施形態において、有機発光ユニット１０１は、電極２１５を備え、有機発光ユニット１０２は電極２２５を備え、有機発光ユニット１０３は電極２３５を備え、有機発光ユニット１０４は電極２４５を備え、有機発光ユニット１０５は電極２５５を備える。いくつかの実施形態において、電極２１５、電極２２５、電極２３５、電極２４５及び電極２５５は、アノードである。いくつかの実施形態において、第２電極２１６は、発光素子内の全ての有機発光ユニットの共通電極（或いは共通カソード）である。
いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ａは、有機発光ユニット１０１の側壁を環囲する。いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ｂは、有機発光ユニット１０２の側壁を環囲する。いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ｃは、有機発光ユニット１０３の側壁を環囲する。いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ｄは、有機発光ユニット１０４の側壁を環囲する。いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ｅは、有機発光ユニット１０５の側壁を環囲する。
いくつかの実施形態において、電極２１５、電極２２５、電極２３５、電極２４５及び電極２５５のうちの少なくとも２つは、異なる外形輪郭を有する。いくつかの実施形態において、電極２１５、電極２２５、電極２３５、電極２４５及び電極２５５は、特定の発光パターンを形成することができる。
いくつかの実施形態において、有機発光ユニット１０１、１０２、１０３、１０４及び１０５のうちの少なくとも２つは、同じ波長の光を発する。いくつかの実施形態において、有機発光ユニット１０１、１０２、１０３、１０４及び１０５は、同じ波長の光を発する。いくつかの実施形態において、有機発光ユニット１０１、１０２、１０３、１０４及び１０５は、同じ色の光を発する同じ群になるように構成される。
図８Ａ～図１３Ｂは、いくつかの実施形態による発光素子の製造方法を示す概略図である。
図８Ａ及び図８Ｂに示すように、図８Ａは、上面図で、図８Ｂは図８Ａ内の８Ｂ－８Ｂ´線に沿った断面図である。
いくつかの実施形態において、複数の電極２１５、２２５、２３５、２４５及び２５５を基板１００上に形成する。いくつかの実施形態において、電極２１５、２２５、２３５、２４５及び２５５は、電極アレイパターンを形成する。いくつかの実施形態において、発光パターンの配置を考慮して電極のアレイパターンを設計することができる。
図９Ａ及び９Ｂに示すように、図９Ａは、上面図で、図９Ｂは図９Ａ内の９Ｂ－９Ｂ´線に沿った断面図である。
いくつかの実施形態において、被覆材料層２００を電極２１５、２２５、２３５、２４５及び２５５に形成する。いくつかの実施形態において、被覆材料層２００を電極２１５、２２５、２３５、２４５及び２５５ならびに基板１００にコーティングする。いくつかの実施形態において、スピンコート法又はデポジション法により被覆材料層２００を形成することができる。
いくつかの実施形態において、被覆材料層２００は、導電体を含む。いくつかの実施形態において、被覆材料層２００は、金属、樹脂、グラファイト、或いはこれらの任意の組み合わせを含む。いくつかの実施形態において，被覆材料層２００は、感光性材料を含む。いくつかの実施形態において、被覆材料層２００は、量子ドット（ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔｓ）を含む。いくつかの実施形態において、被覆材料層２００は、例えばカーボンブラックナノ粒子、カーボンブラック含有導電性繊維などのカーボンブラック材料又はその類似物を含む。いくつかの実施形態において、被覆材料層２００は、可視光に対して９０％、９５％、９９％、９９．５％、或いは９９．９％以上の吸収率を有する黒体材料を含む。
図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、図１０Ａは、上面図で、図１０Ｂは図１０Ａ内の１０Ｂ－１０Ｂ´線に沿った断面図である。
いくつかの実施形態において、複数のクラッド層２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ及び２００Ｅが電極２１５、２２５、２３５、２４５及び２５５の側壁２１５Ｓ、２２５Ｓ、２３５Ｓ、２４５Ｓ及び２５５Ｓを環囲するよう形成し、電極２１５、２２５、２３５、２４５及び２５５の上面２１５ａ、２２５ａ、２３５ａ、２４５ａ及び２５５ａを露出させるため、被覆材料層２００をパターニングする。いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ及び２００Ｅは、電極２１５、２２５、２３５、２４５及び２５５の間で互いに不連続である。いくつかの実施形態において、フォトリソグラフィプロセスにより被覆材料層２００をパターニングすることができる。
いくつかの実施形態において、露光後、被覆材料層２００を溶液で濡らして現像する。図１０Ｂに示すように、被覆材料層２００の一部が除去されて、クラッド層２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ及び２００Ｅを形成する。いくつかの実施形態において、クラッド層２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ及び２００Ｅを形成した後、クラッド層２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ及び２００Ｅと電極２１５、２２５、２３５、２４５及び２５５の露出面を洗浄するため、洗浄操作を実行し得る。いくつかの実施形態において、３０℃～８０℃の温度で洗浄操作を実行できる。いくつかの実施形態において、例えば水又はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）などを洗浄剤として使用し、且つ超音波で洗浄操作を実行することができる。
図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、図１１Ａは、上面図で、図１１Ｂは図１１Ａ内の１１Ｂ－１１Ｂ´線に沿った断面図である。
いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料３００Ａを電極２１５、２２５、２３５、２４５及び２５５とクラッド層２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ及び２００Ｅの上に設ける。いくつかの実施形態において、スピンコート法或いはデポジション法により感光性絶縁材料３００Ａを形成し得る。
いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料３００Ａは、感光性材料を含む。いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料３００Ａは、可視光に対して９０％以上の吸収率を有する黒体材料を含む。いくつかの実施形態において、特定の波長を有する光に対するクラッド層２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ及び２００Ｅの吸収率は、前記特定の波長を有する光に対する感光性絶縁材料３００Ａの吸収率より大きい。いくつかの実施形態において、特定の波長は、４００ｎｍ未満、３５０ｎｍ未満、３００ｎｍ未満、２５０ｎｍ未満、２００ｎｍ未満、或いは１５０ｎｍ未満である。
図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、図１２Ａは、上面図で、図１２Ｂは図１２Ａ内の１２Ｂ－１２Ｂ´線に沿った断面図である。
いくつかの実施形態において、前記電極２１５、２２５、２３５、２４５及び２５５の上面２１５ａ、２２５ａ、２３５ａ、２４５ａ及び２５５ａの複数の有効発光領域を露出させる感光性絶縁材料層３００を形成するため、感光性絶縁材料３００Ａをパターニングする。いくつかの実施形態において、フォトリソグラフィプロセスにより感光性絶縁材料３００Ａをパターニングすることができる。
いくつかの実施形態において、露光後、感光性絶縁材料３００Ａを溶液で濡らして現像する。図１２Ｂに示すように、感光性絶縁材料３００Ａの一部が除去されて、感光性絶縁材料層３００を形成する。いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００を形成した後、凸状感光性絶縁材料層３００と電極２１５、２２５、２３５、２４５及び２５５の露出面を洗浄するため、洗浄操作を実行し得る。いくつかの実施形態において、３０℃～８０℃の温度で洗浄操作を実行できる。いくつかの実施形態において、例えば水又はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）などを洗浄剤として使用し、且つ超音波で洗浄操作を実行することができる。
図１３Ａ及び１３Ｂに示すように、図１３Ａは、上面図で、図１３Ｂは図１３Ａ内の１３Ｂ－１３Ｂ´線に沿った断面図である。
いくつかの実施形態において、機発光材料を電極２１５、２２５、２３５、２４５及び２５５の上面２１５ａ、２２５ａ、２３５ａ、２４５ａ及び２５５ａの有効発光領域の上に設ける。いくつかの実施形態において、電極２１６を有機発光材料に設ける。
いくつかの実施形態において、感光性絶縁材料層３００と電極２１５、２２５、２３５、２４５及び２５５の露出する上面２１５ａ、２２５ａ、２３５ａ、２４５ａ及び２５５ａにキャリア注入層２６１、第１キャリア輸送層２６２、第２キャリア輸送層２６３、有機発光層２６４、及び有機キャリア輸送層２６５を順次設ける。いくつかの実施形態において、各有機発光ユニットは、別個の第２キャリア輸送層２６３及び有機発光層２６４を有する。
前述の概要は、いくつかの実施形態の特徴を概説したため、当業者が本開示の各態様をよりよく理解できる。本開示に基づいて他の製造工程及び構造を設計又は潤色して容易に本出願に記載された実施形態と同じ目的を達成し、及び／又は同じ利点を達成できることは当業者には明白になるであろう。当業者はまた、この均等な構造が本開示の精神及び範囲から逸脱せず、多種多様な変化、置換及び代替を行うことができるが、本開示の精神及び範囲に収まることを理解すべきである。
１００ 基板
１０１ 有機発光ユニット
１０２ 有機発光ユニット
１０３ 有機発光ユニット
１０４ 有機発光ユニット
１０５ 有機発光ユニット
１０ 発光素子
２００ 被覆材料層
２００Ａ クラッド層
２００Ａ１ スルーホール
２００Ｂ クラッド層
２００Ｂ１ スルーホール
２００Ｃ クラッド層
２００Ｄ クラッド層
２００Ｅ クラッド層
２０ 発光層
２１５ 電極
２１５１ 縁部
２１５２ 縁部
２１５３ 縁部
２１５４ 縁部
２１５ａ 上面
２１５Ｐ 一部
２１５Ｓ 側壁
２１６ 電極
２２５ 電極
２２５１ 縁部
２２５２ 縁部
２２５３ 縁部
２２５４ 縁部
２２５ａ 上面
２２５Ｐ 一部
２２５Ｓ 側壁
２３５ 電極
２３５ａ 上面
２４５ 電極
２４５ａ 上面
２５５ 電極
２５５ａ 上面
２６１ キャリア注入層
２６２ 第１キャリア輸送層
２６３ 第２キャリア輸送層
２６４ 有機発光層
２６５ 有機キャリア輸送層
２６９ 有機層
３００ 感光性絶縁材料層
３００Ａ 感光性絶縁材料
３００Ｃ 凹陥部
３０ スペーサ
３１０ バンプ
３１０Ａ バンプ
３１０Ａ１ スルーホール
３１０Ｂ バンプ
３１０Ｂ１ スルーホール
４０ 被覆層
Ｄ１ 距離
Ｄ２ 距離
Ｄ３ 距離
Ｄ４ 距離
Ｄ５ 距離
Ｄ６ 距離
Ｄ７ 距離
Ｄ８ 距離
Ｒ１１ 領域
Ｒ１２ 領域
Ｒ１３ 領域
Ｒ１４ 領域
Ｒ２１ 領域
Ｒ２２ 領域
Ｒ２３ 領域
Ｒ２４ 領域
Ｗ１ 幅
Ｗ２ 幅
Ｗ３ 幅
Ｗ４ 幅
Ｗ５ 幅
Ｗ６ 幅
Ｗ７ 幅
Ｗ８ 幅
Ａ－Ａ 線
２Ｂ－２Ｂ´ 線
３Ｂ－３Ｂ´ 線
４Ｂ－４Ｂ´ 線
６Ｂ－６Ｂ´ 線
７Ｂ－７Ｂ´ 線
８Ｂ－８Ｂ´ 線
９Ｂ－９Ｂ´ 線
１０Ｂ－１０Ｂ´ 線
１１Ｂ－１１Ｂ´ 線
１２Ｂ－１２Ｂ´ 線
１３Ｂ－１３Ｂ´ 線

Claims (17)

  1. 第１電極を備えた第１有機発光ユニットと、第２電極を備えた第２有機発光ユニットとを含む発光アレイと、
    第１クラッド層は前記第１電極の上面の一部及び前記第１電極の側壁を覆う第１クラッド層と、前記第２電極の上面の一部及び前記第２電極の側壁を覆う第２クラッド層とを備えた複数のクラッド層と、
    前記第１電極の前記側壁と前記第２電極の前記側壁との間に位置し、前記第１電極の前記上面を部分的に覆う感光性絶縁材料層と
    を備えた発光素子。
  2. 複数の有機発光ユニットと、
    前記複数の有機発光ユニットを覆い、前記複数の有機発光ユニットの複数の有効発光領域を露出するための複数の凹陥部を有する感光性絶縁材料層と、
    各前記有機発光ユニットの側壁を環囲し、前記複数の有機発光ユニットの２つの隣り合う前記側壁の間に介在する複数のクラッド層と、
    を備えた発光素子。
  3. 前記複数のクラッド層の光吸収率は、前記感光性絶縁材料層の光吸収率より大きい請求項１又は２に記載の発光素子。
  4. 前記複数のクラッド層及び前記感光性絶縁材料層は、一体的に成形され、同じ材料で作られる請求項１又は２に記載の発光素子。
  5. 前記複数のクラッド層と前記感光性絶縁材料層は、一体的に成形され、同じ非導電性材料から作られて隔離構造を形成し、前記隔離構造が前記発光素子の非発光領域を覆う請求項１又は２に記載の発光素子。
  6. 前記複数のクラッド層は、導電体を備え、かつ前記複数のクラッド層が互いに分離されている請求項１又は２に記載の発光素子。
  7. 前記複数のクラッド層は、金属、樹脂、グラファイト、又はこれらの任意の組み合わせを含む請求項１又は２に記載の発光素子。
  8. 前記複数のクラッド層は、感光性材料を含む請求項１又は２に記載の発光素子。
  9. 透明基板をさらに備え、前記複数の有機発光ユニットが前記透明基板の上に設けられる請求項１又は２に記載の発光素子。
  10. 前記第１電極は、第１縁部と、前記第１縁部に対向する又は隣り合う第２縁部とを有し、前記上面の前記一部は前記第１縁部から内方に延びて第１距離を有し、前記上面の前記一部は前記第２縁部から内方に延びて第２距離を有し、前記第１距離は前記第２距離より大きい請求項１に記載の発光素子。
  11. 前記第１電極は、第１縁部と、前記第１縁部に対向する又は隣り合う第２縁部とを有し、前記感光性絶縁材料層は前記第１電極の前記上面の前記第１縁部に近い第１領域及び前記第２縁部に近い第２領域に接触し、前記第１領域の幅は前記第２領域の幅に等しくなく、及び／又は前記第１領域の面積は前記第２領域の面積に等しくない請求項１に記載の発光素子。
  12. 前記第１電極及び前記第２電極は、アノードであり、及び／又は前記第１電極及び前記第２電極は、透明導電材料を含む請求項１に記載の発光素子。
  13. 前記第１有機発光ユニット及び前記第２有機発光ユニットは、同じ波長の光を発する請求項１に記載の発光素子。
  14. 基板を用意するステップと
    前記基板の上に複数の電極を形成するステップと、
    前記複数の電極の上に被覆材料層を形成するステップと、
    前記被覆材料層をパターニングして、前記複数の電極の複数の側壁を環囲し、前記複数の電極の複数の上面を露出させ、前記複数の電極間で不連続である複数のクラッド層を形成するステップと、
    感光性絶縁材料を前記複数の電極及び前記複数のクラッド層の上に設けるステップと、
    前記感光性絶縁材料をパターニングして、前記複数の電極の前記複数の上面の複数の有効発光領域を露出させる感光性絶縁材料層を形成するステップと、
    有機発光材料を前記複数の電極の前記複数の有効発光領域の上に設けるステップと
    を含む発光素子の製造方法。
  15. 前記有機発光材料は、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）、発光層（ＥＭ）、正孔阻止層（ＨＢＬ）、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、又はこれらの任意の組み合わせを含む請求項１４に記載の製造方法。
  16. スピンコート法又はデポジション法により前記被覆材料層を形成する請求項１４に記載の製造方法。
  17. フォトリソグラフィプロセスにより前記被覆材料層をパターニングする請求項１４に記載の製造方法。
JP2023077296A 2022-05-11 2023-05-09 発光素子 Pending JP2023168272A (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210515112 2022-05-11
CN202210515112.5 2022-05-11
CN202210973295.5 2022-08-15
CN202210973295.5A CN117119824A (zh) 2022-05-11 2022-08-15 发光元件

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023168272A true JP2023168272A (ja) 2023-11-24

Family

ID=86330485

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023077296A Pending JP2023168272A (ja) 2022-05-11 2023-05-09 発光素子

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230371327A1 (ja)
EP (1) EP4277451A1 (ja)
JP (1) JP2023168272A (ja)
TW (1) TW202345385A (ja)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101084177B1 (ko) * 2009-11-30 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
KR20180097808A (ko) * 2017-02-23 2018-09-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그것의 제조 방법
KR20200119946A (ko) * 2019-04-10 2020-10-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20230371327A1 (en) 2023-11-16
TW202345385A (zh) 2023-11-16
EP4277451A1 (en) 2023-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109300919B (zh) Micro LED显示基板及其制作方法、显示装置
KR100768995B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
JP3247388B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
US7550306B2 (en) Dual panel-type organic electroluminescent device and method for fabricating the same
US8395569B2 (en) Dual panel type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
US20060113903A1 (en) Organic electroluminescent display device and fabricating method thereof
US20050023967A1 (en) Substrate for optical element, organic electroluminescence element and organic electroluminescence display device
JP4145857B2 (ja) アクティブマトリックス有機電界発光表示装置及びその製造方法
CN104576957A (zh) 有机电致发光显示设备及其制造方法
US20090061724A1 (en) Method of making a top-emitting oled device having improved power distribution
TW201541629A (zh) Oled發光裝置及其製造方法
CN111162095B (zh) 驱动背板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN110112142B (zh) 阵列基板及其制造方法、显示面板及电子装置
KR20070011105A (ko) 자발광 패널의 제조 방법 및 자발광 패널
TWI543420B (zh) 電光裝置及其製造方法
KR20090073352A (ko) 투명 전극 패턴 제조 방법 및 이를 갖는 전기 광학 소자의제조 방법
JP2023168272A (ja) 発光素子
US7018860B1 (en) Method of preventing cathode of active matrix organic light emitting diode from breaking
CN219165069U (zh) 发光元件
KR100669686B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치와 그 제조 방법
US20060267489A1 (en) Display device with improved hole injection efficiency and method of making the same
CN113571668B (zh) 一种阵列基板、其制备方法及显示装置
KR100875423B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
US20040009627A1 (en) Method of preventing cathode of active matrix organic light emitting diode from breaking
TWI842528B (zh) 發光元件

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230509

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20240327

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240402