CN117062862A - 多孔质液晶聚合物的制造方法 - Google Patents

Abstract

制造方法具备第1工序、第2工序和第3工序。在第1工序中，对液晶聚合物进行片材化从而形成无孔质片材(3)。在第2工序中，使超临界流体15浸渗至无孔质片材(3)。在第3工序中，使浸渗有超临界流体(15)的无孔质片材3的气氛的压力及温度中的任一者下降以使其低于超临界流体(3)的临界点，由此使无孔质片材3发泡，制造多孔质液晶聚合物片材(1)。

Description

多孔质液晶聚合物的制造方法

技术领域

本发明涉及多孔质液晶聚合物的制造方法。

背景技术

作为多孔质液晶聚合物的制造方法，已知有使用超临界流体作为发泡材料的发泡法(例如，参照下述专利文献1。)。在发泡法中，首先，将液晶聚合物与超临界流体一起进行混炼而制备树脂组合物，接着，将制备的树脂组合物注射到模具内，以使超临界流体的压力和/或温度低于临界点的方式使树脂组合物发泡。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019-172943号公报

发明内容

发明要解决的问题

根据多孔质液晶聚合物的用途及目的，谋求薄的多孔质液晶聚合物。但是，专利文献1记载的发泡法中，由于将树脂组合物注射到模具内，因此有无法得到薄的多孔质液晶聚合物的不良情况。

本发明提供能够制造薄的多孔质液晶聚合物的多孔质液晶聚合物的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明(1)包括一种多孔质液晶聚合物的制造方法，其具备：第1工序，准备液晶聚合物；第2工序，使超临界流体浸渗至前述液晶聚合物；和第3工序，使浸渗有前述超临界流体的前述液晶聚合物的气氛的压力及温度中的至少一者下降以使其低于前述超临界流体的临界点，由此使前述液晶聚合物发泡，从而制造多孔质液晶聚合物。

该多孔质液晶聚合物的制造方法中，在第2工序中，使超临界流体浸渗至通过第1工序准备的液晶聚合物中，在其后的第3工序中，使浸渗有超临界流体的液晶聚合物发泡，因此能够制造薄的多孔质液晶聚合物。

本发明(2)包含(1)所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，在前述第1工序中，对前述液晶聚合物进行片材化而形成无孔质片材，在前述第3工序中，使前述无孔质片材发泡从而制造多孔质液晶聚合物片材。

该多孔质液晶聚合物的制造方法中，能够制造薄的多孔质液晶聚合物片材。

本发明(3)包含(1)或(2)所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其在第3工序之后还具备在厚度方向对前述多孔质液晶聚合物进行压制的第4工序。

该多孔质液晶聚合物的制造方法中，在第3工序之后的第4工序中，在厚度方向对多孔质液晶聚合物进行压制，因此能够制造更薄的多孔质液晶聚合物。

本发明(3)包含(1)～(3)中任一项所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，制造厚度为25μm以上且200μm以下的前述多孔质液晶聚合物。

该制造方法中，能够制造厚度为200μm以下的薄的多孔质液晶聚合物。

另一方面，由于制造厚度为25μm以上的多孔质液晶聚合物，因此能够制造加工性及处理性优异的多孔质液晶聚合物。

本发明(4)包含(1)～(5)中任一项所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，在前述第2工序中，将前述液晶聚合物浸渍于比由前述液晶聚合物的熔点减去30℃而得的温度高的温度的前述超临界流体中。

该多孔质液晶聚合物的制造方法的第2工序中，由于将液晶聚合物浸渍于比由液晶聚合物的熔点减去30℃而得的温度高的温度的超临界流体中，因此在第2工序中能够使超临界流体充分浸渗至液晶聚合物。因此，能够制造具有高的孔隙率P的多孔质液晶聚合物。其结果，能够得到介电常数低、及介电损耗角正切低的多孔质液晶聚合物。

发明的效果

根据本发明的制造方法，能够制造薄的多孔质液晶聚合物。

附图说明

图1中，图1的A～图1的D为本发明的多孔质液晶聚合物的制造方法的一实施方式的工序图。图1的A为第1工序。图1的B为第2工序。图1的C为第3工序。图1的D为第4工序。

图2为具备多孔质液晶聚合物片材的布线电路基板的截面图。

具体实施方式

<多孔质液晶聚合物的制造方法的一实施方式>

参照图1的A～图1的D，对作为本发明的多孔质液晶聚合物的制造方法的一实施方式的多孔质液晶聚合物片材的制造方法进行说明。多孔质液晶聚合物片材1的制造方法具备第1工序、第2工序和第3工序作为必需的工序。多孔质液晶聚合物片材1的制造方法还具备第4工序作为任选工序。本实施方式的多孔质液晶聚合物片材1的制造方法中，依次实施第1工序～第4工序。

<第1工序>

如图1的A所示，在第1工序中，对液晶聚合物进行片材化从而形成无孔质片材3。

<液晶聚合物>

液晶聚合物没有限定。液晶聚合物为液晶性的热塑性树脂。作为液晶聚合物，例如，可举出液晶聚酯、优选芳香族液晶聚酯。液晶聚合物例如具体记载于日本特开2020-147670号公报、及日本特开2004-189867号公报中。液晶聚合物可以使用市售品。作为市售品，例如，可举出UENO LCP(注册商标、以下同样)8100系列(低熔点型、上野制药株式会社制)、及UENO LCP5000系列(高熔点型、上野制药株式会社制)。优选可举出UENO LCP8100系列。

液晶聚合物的熔点没有限定。液晶聚合物的熔点例如为200℃以上，优选为220℃以上，另外，例如为400℃以下，优选为370℃以下。液晶聚合物的熔点通过差示扫描量热测定来求出。差示扫描量热测定中，升温速度为10℃/min，在25℃～400℃的范围进行扫描，在氮气气氛中对液晶聚合物进行加热。另外，液晶聚合物如果为市售品，则可以直接采用市售品的目录值。液晶聚合物的熔点为上述上限以下时，多孔质液晶聚合物片材1的处理性及加工性优异。液晶聚合物的熔点为上述下限以上时，多孔质液晶聚合物片材1的耐热性优异。

还可以在液晶聚合物中添加添加剂。作为添加剂，例如，可举出填料。作为填料，例如，可举出中空球体。中空球体例如包含玻璃球囊。中空球体例如记载于日本特开2004-189867号公报中。优选液晶聚合物中不添加添加剂。如果液晶聚合物中不添加添加剂，则能够抑制多孔质液晶聚合物片材1变脆。

<片材化>

为了对液晶聚合物进行片材化，例如，首先，对以块形状或颗粒形状供给的液晶聚合物进行混炼，接着，对混炼物进行片材化。混炼条件没有限定。混炼温度例如为200℃以上，优选为210℃以上，另外，例如为300℃以下，优选为270℃以下、更优选为250℃以下。

通过混炼物的片材化，制作无孔质片材3。对混炼物进行片材化时，例如可举出压制、挤出、及注射。优选可举出压制，更优选可举出热压。另外，也优选真空压制。尤其优选可举出真空热压。

压制的温度例如为200℃以上且300℃以下。压制压力例如为1MPa以上、优选4MPa以上，例如为20MPa以下、优选10MPa以下。作为压制的气氛的压力，例如为0.05MPa以下、优选0.01MPa以下。

无孔质片材3的厚度没有限定。具体而言，无孔质片材3的厚度例如为1000μm以下、优选500μm以下、更优选300μm以下、进一步优选200μm以下，另外，例如为10μm以上、优选50μm以上。

需要说明的是，可以直接利用由上述液晶聚合物形成的无孔质片材3。具体而言，可以直接使用市售品的无孔质片材3。

<第2工序>

第2工序中，如图1的B所示，使超临界流体15浸渗至无孔质片材3。具体而言，使无孔质片材3接触超临界流体15。为了使超临界流体15浸渗至无孔质片材3，使用超临界装置10。超临界装置10具备：压力容器11、未图示的循环装置、和未图示的温度调节装置。压力容器11收纳超临界流体15并能够使其在内部流通。循环装置使超临界流体15在压力容器11中循环。温度调节装置能调节压力容器11的温度。

<超临界流体15>

超临界流体15的种类没有限定。作为超临界流体15，例如，可举出超临界二氧化碳、及超临界氮。作为超临界流体15，从制造成本的观点出发，优选可举出超临界二氧化碳(临界温度31℃、临界压力7.4MPa)。

在第2工序中，将无孔质片材3设置于压力容器11。接着，在超临界装置10中使超临界流体15流入至压力容器11。接着，利用未图示的循环装置使超临界流体15循环。由此，超临界流体15与无孔质片材3接触。

这样，首先，无孔质片材3的外部的超临界流体15浸渗至无孔质片材3。即，超临界流体15浸入至无孔质片材3的内部。由此，使超临界流体15浸渗至无孔质片材3。

第2工序的条件没有限定。具体而言，超临界流体15的温度例如比由液晶聚合物的熔点减去30℃而得的温度高。超临界流体15的温度如果比由液晶聚合物的熔点减去30℃而得的温度高，则在第2工序中能够使超临界流体15充分浸渗至无孔质片材3。因此，能够制造具有高的孔隙率P的多孔质液晶聚合物片材1。其结果，能够得到介电常数低、及介电损耗角正切低的多孔质液晶聚合物片材1。具体而言，超临界流体15的温度例如为150℃以上、优选175℃以上、更优选200℃以上，另外，例如为370℃以下、优选340℃以下、更优选300℃以下、进一步优选275℃以下、尤其优选230℃以下。

超临界流体15的压力例如为5MPa以上、优选10MPa以上，另外，例如为50MPa以下、优选30MPa以下。浸渗时间没有限定。浸渗时间例如为20分钟以上、优选1小时以上，另外，例如为100小时以下、优选24小时以下。

<第3工序>

第3工序中，如图1的C所示，使浸渗有超临界流体的无孔质片材3的气氛的压力及温度中的至少一者下降以使其低于超临界流体的临界点。该实施方式中，使浸渗有超临界流体的无孔质片材3的气氛的压力下降以使其低于超临界流体的临界压力。需要说明的是，临界点为相当于流体能够维持为超临界流体的压力的下限及温度的下限的点。

具体而言，以无孔质片材3的气氛的压力成为大气压(0.1MPa)的方式对压力容器11的内部进行减压。去除压力容器11的内部的超临界流体15，并且使压力容器11的压力下降。调整压力容器11的内部的减压以促进浸渗至无孔质片材3的超临界流体15所引起的发泡。具体而言，将从压力容器11的内部存在超临界流体15时的压力下降至大气压(0.1MPa)时所需的时间设定为例如5分钟以下、优选1分钟以下、更优选10秒以下、进一步优选3秒以下。时间的下限没有限定。时间的下限例如为0.1秒。另外，压力下降速度的平均例如为1MPa/秒以上、优选10MPa/秒以上、更优选15MPa/秒以上、进一步优选20MPa/秒以上。压力下降速度的平均的上限没有限定。压力下降速度的平均的上限例如为100MPa/秒。

通过第3工序，无孔质片材3进行发泡，从而得到包含多个气孔2的多孔质液晶聚合物片材1。该多孔质液晶聚合物片材1相对于发泡前的无孔质片材3在厚度方向及面方向大。即，无孔质片材3膨胀而成为多孔质液晶聚合物片材1。

<第4工序>

第4工序中，减薄第3工序中得到的多孔质液晶聚合物片材1。作为减薄多孔质液晶聚合物片材1的方法，例如，可举出压制、拉伸、及压延。从作为制品而得到的多孔质液晶聚合物片材1的厚度的调整的精度的观点出发，优选可举出压制。

具体而言，在厚度方向将多孔质液晶聚合物片材1进行压制。更具体而言，对多孔质液晶聚合物片材1进行热压。热压中例如使用具备2张压制板构件30的压制装置。另外，在热压中，可以在2张压制板构件30间、且多孔质液晶聚合物片材1的周围配置间隔构件35。在热压中，通过调整间隔构件35的厚度，从而调整制造的多孔质液晶聚合物片材1的厚度。热压的条件没有限定。

通过上述第1工序～第4工序的实施，制造多孔质液晶聚合物片材1。

<多孔质液晶聚合物片材1>

多孔质液晶聚合物片材1具有厚度、且具有片形状。片形状包含薄膜形状。多孔质液晶聚合物片材1在面方向延伸。面方向与厚度方向正交。多孔质液晶聚合物片材1具有多个微细的气孔(孔隙)2。另外，作为多孔质液晶聚合物片材1的气泡结构，例如，可举出独立气泡结构、连续气泡结构、及半独立半连续气泡结构。优选为独立气泡结构。

<厚度>

多孔质液晶聚合物片材1的厚度例如优选为10μm以上、更优选为30μm以上，另外，例如为1000μm以下、优选500μm以下、更优选250μm以下、进一步优选200μm以下。

多孔质液晶聚合物片材1的厚度为上述下限以上时，多孔质液晶聚合物片材1的加工性及处理性优异。多孔质液晶聚合物片材1的厚度为上述上限以下时，可实现多孔质液晶聚合物片材1的薄型化。

<孔隙率P>

多孔质液晶聚合物片材1的孔隙率P例如为1％以上、优选1.5％以上、更优选10％以上、进一步优选20％以上，进而22％以上、30％以上、进而35％以上、进而40％以上、进而50％以上、进而55％以上是适当的。多孔质液晶聚合物片材1的孔隙率P的上限没有限定。多孔质液晶聚合物片材1的孔隙率P的上限例如为95％，从确保多孔质液晶聚合物片材1的机械强度的观点出发，优选为90％。对于多孔质液晶聚合物片材1的孔隙率P，可以使用与多孔质液晶聚合物片材1对应的无孔质液晶聚合物薄膜来求出多孔质液晶聚合物片材1的孔隙率P。具体而言，分别测定多孔质液晶聚合物片材1的比重G1和无孔质液晶聚合物片材的比重G0，通过下式求出多孔质液晶聚合物片材1的孔隙率P。

P＝100×(1-G1/G0)

P：多孔质液晶聚合物片材1的孔隙率P

G1：多孔质液晶聚合物片材1的比重

G0：无孔质液晶聚合物薄膜的比重

<介电常数>

10GHz下的多孔质液晶聚合物片材1的介电常数例如低于3.10、优选2.60以下、更优选2.50以下、进一步优选2.20以下、进而2.10以下、2.00以下、1.90以下是适当的。多孔质液晶聚合物片材1的介电常数为上述上限以下时，多孔质液晶聚合物片材1为低介电。10GHz下的多孔质液晶聚合物片材1的介电常数的下限没有限定。例如，10GHz下的多孔质液晶聚合物片材1的介电常数为1.00。多孔质液晶聚合物片材1的介电常数的测定方法在后面的实施例中进行记载。

<介电损耗角正切>

10GHz下的多孔质液晶聚合物片材1的介电损耗角正切例如为0.00129以下、优选0.00100以下、更优选0.00080以下、进一步优选0.00070以下、尤其优选0.00060以下。

多孔质液晶聚合物片材1的介电损耗角正切为上述上限以下时，多孔质液晶聚合物片材为低介电。10GHz下的多孔质液晶聚合物片材1的介电损耗角正切的下限没有限定。例如，10GHz下的多孔质液晶聚合物片材1的介电损耗角正切为0.00000。多孔质液晶聚合物片材1的介电损耗角正切的测定方法在后面的实施例中进行记载。

<多孔质液晶聚合物片材1的用途>

多孔质液晶聚合物片材1的用途没有限定。作为多孔质液晶聚合物片材1的用途，例如，可举出布线电路基板的绝缘层、及无线通信的天线基板。

接着，将具备多孔质液晶聚合物片材1作为绝缘层的布线电路基板的一例示于图2。

如图2所示，布线电路基板21沿面方向延伸。布线电路基板21具有片形状。布线电路基板21朝向厚度方向的一侧依次具备绝缘层12和导体层13。

绝缘层12包含上述多孔质液晶聚合物片材1。

导体层13与绝缘层12的厚度方向的一个面接触。导体层13具有规定的布线图案14。

为了得到布线电路基板21，例如准备具备绝缘层12和导体片材25的层叠板16。导体片材25在图2中用虚线描画。例如，准备具备上述无孔质片材3和导体片材25的无孔质层叠板(图1的A的虚线)，用上述制造方法(第1工序～第4工序)使无孔质层叠板中的无孔质片材3多孔化，从而得到上述层叠板16。

其后，对层叠板16中的导体片材25进行图案化，形成导体层13。在图案化中例如使用蚀刻。

<作用效果>

一实施方式的多孔质液晶聚合物片材1的制造方法中，在第2工序中，使超临界流体15浸渗至在第1工序中进行了片材化的无孔质片材3，在其后的第3工序中，使浸渗有超临界流体15的无孔质片材3发泡，因此能够制造薄的多孔质液晶聚合物片材1。

该多孔质液晶聚合物片材1的制造方法中，在第3工序之后的第4工序中，将多孔质液晶聚合物片材1在厚度方向进行压制，因此能够制造更薄的多孔质液晶聚合物片材1。

该制造方法中，厚度为200μm以下时，能够制造薄的多孔质液晶聚合物片材1。

另一方面，由于制造厚度为25μm以上的多孔质液晶聚合物片材1，因此能够制造加工性及处理性优异的多孔质液晶聚合物片材1。

在该多孔质液晶聚合物片材1的制造方法的第2工序中，如果将无孔质片材3浸渍于比由液晶聚合物的熔点减去30℃而得的温度高的温度的超临界流体15，则能够使超临界流体15充分浸渗至无孔质片材3。因此，能够制造具有高的孔隙率P的多孔质液晶聚合物片材1。其结果，能够得到介电常数低、及介电损耗角正切低的多孔质液晶聚合物片材1。

<变形例>

在变形例中，对与一实施方式同样的构件及工序标记同一参照符号，省略其详细的说明。另外，对于变形例，除了特殊记载以外，可以发挥与一实施方式同样的作用效果。进而可以将一实施方式及其变形例适宜组合。

一实施方式中，在第3工序中使压力容器11的内部的压力下降，但在变形例中，使压力容器11的内部的温度下降以使其低于临界温度。进而也可以使压力容器11的内部的压力及温度这两者下降以使其低于临界点(临界压力及临界温度各自)。

变形例的制造方法不具备第4工序。

多孔质液晶聚合物片材1的制造方法优选具备第4工序。制造方法具备第4工序时，能够制造更薄的多孔质液晶聚合物片材1。

另一方面，从制造获得高孔隙率P的多孔质液晶聚合物片材1的观点出发，优选多孔质液晶聚合物片材1的制造方法不具备第4工序。即，制造方法不具备第4工序的情况下，能够抑制在第4工序中减薄多孔质液晶聚合物片材1所引起的气孔2的狭小化。因此，能够得到介电常数低、及介电损耗角正切低的多孔质液晶聚合物片材1。

变形例的布线电路基板朝向厚度方向的一侧依次具备导体层、绝缘层、和导体层。

本发明中，只要制造多孔质液晶聚合物即可，例如，可以制造块形状的多孔质液晶聚合物。该情况下，第1工序中，准备块形状的液晶聚合物。第2工序中，将超临界流体浸渍至块形状的液晶聚合物。第3工序中，使块形状的液晶聚合物发泡，制造块形状的多孔质液晶聚合物。

另一方面，在一个实施方式中，能够制造薄的多孔质液晶聚合物片材1。

实施例

以下，示出实施例，更具体地对本发明进行说明。需要说明的是，本发明不受实施例任何限定。另外，以下的记载中使用的配混比例(含有比例)、物性值、参数等的具体的数值可以替换上述“具体实施方式”中记载的与它们对应的配混比例(含有比例)、物性值、参数等该记载的上限(定义为“以下”、“低于”的数值)或下限(定义为“以上”、“超过”的数值)。

首先，以下记载使用的液晶聚合物的详情。

<液晶聚合物的种类>

A5000：UENO LCP(注册商标)A5000、高熔点型(目录值、熔点280℃)、上野制药株式会社制

A8100：UENO LCP(注册商标)A8100、低熔点型(目录值、熔点220℃)、上野制药株式会社制

<实施例1>

第1工序

将作为液晶聚合物的上野制药株式会社制的UENO LCPA5000用东洋精机株式会社制的Labo Plastomill(型号：100C100)进行混炼，接着，使用井元制作所株式会社制的手动液压真空压制机(型号：11FD)，制作厚度100μm的无孔质片材3(图1的A)。混炼中的温度为300℃、转速为30min^-1。压制的温度为300℃，压制压力为4～10MPa，气氛的压力为0.1MPa。

第2工序

使用AKICO制“CO₂超临界流体实验装置”，使作为超临界流体的超临界二氧化碳浸渗至无孔质片材3(图1的B)。第5工序中的超临界二氧化碳的温度为263℃，超临界二氧化碳的压力为25.0MPa，浸渗时间(提取时间)为60分钟。

第3工序

去除压力容器11的内部的超临界二氧化碳，并且用1秒使压力容器11的压力下降至常压(0.1MPa)(图1的C)。压力下降速度的平均为25MPa/秒。通过第3工序，得到厚度为200μm、且具有多个气孔2的多孔质液晶聚合物片材1。

<实施例2～实施例5>

使用与实施例1同样的制造方法制造多孔质液晶聚合物片材1。其中，将发泡法的条件变更为表1所记载那样。

<实施例6>

使用与实施例1同样的制造方法制造多孔质液晶聚合物片材1。在第3工序之后实施第4工序(真空热压)。

第4工序中，通过真空热压进一步减薄第3工序中得到的多孔质液晶聚合物片材1(图1的D)。温度为245℃，压制压力为2.0MPa，气氛的压力为0.1MPa。在真空热压中使用厚度0.1mm的间隔构件35。由此，得到厚度100μm的多孔质液晶聚合物片材1。

<评价>

对实施例1～实施例6的多孔质液晶聚合物片材1评价以下的事项。

将它们的结果示于表1。

<孔隙率P>

使用Alfa Mirage Co.,Ltd.制的电子比重计(型号：EW300SG)测定多孔质液晶聚合物片材1的比重G1和由与多孔质液晶聚合物片材1对应的液晶聚合物形成的无孔质片材3的比重G0。其后，用下式求出多孔质液晶聚合物片材1的孔隙率P。

P＝100×(1-G1/G0)

P：多孔质液晶聚合物片材1的孔隙率P

G1：多孔质液晶聚合物片材1的比重

G0：无孔质片材3的比重

<介电常数及介电损耗角正切>

利用依据ASTMD150的SPDR方式，使用QWED公司制“10GHzSPDR共振器”，分别测定10GHz下的多孔质液晶聚合物片材1的介电常数及介电损耗角正切。

[表1]

需要说明的是，上述发明作为本发明的例示的实施方式而提供，但其不过是单纯的例示，不作限定性解释。对于本领域技术人员而言显而易见的本发明的变形例包含前述权利要求书中。

产业上的可利用性

本发明的多孔质液晶聚合物片材用于布线电路基板的绝缘层、及无线通信的天线基板。

附图标记说明

1 多孔质液晶聚合物片材

3 无孔质片材

15 超临界流体

Claims (9)

1.一种多孔质液晶聚合物的制造方法，其具备：

第1工序，准备液晶聚合物；

第2工序，使超临界流体浸渗至所述液晶聚合物；和

第3工序，使浸渗有所述超临界流体的所述液晶聚合物的气氛的压力及温度中的至少一者下降以使其低于所述超临界流体的临界点，由此使所述液晶聚合物发泡，从而制造多孔质液晶聚合物。

2.根据权利要求1所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，在所述第1工序中，对所述液晶聚合物进行片材化而形成无孔质片材，

在所述第3工序中，使所述无孔质片材发泡从而制造多孔质液晶聚合物片材。

3.根据权利要求1或2所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，在第3工序之后，还具备在厚度方向对所述多孔质液晶聚合物进行压制的第4工序。

4.根据权利要求1或2所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，制造厚度为25μm以上且200μm以下的所述多孔质液晶聚合物。

5.根据权利要求3所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，制造厚度为25μm以上且200μm以下的所述多孔质液晶聚合物。

6.根据权利要求1或2所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，在所述第2工序中，将所述液晶聚合物浸渍于比由所述液晶聚合物的熔点减去30℃而得的温度高的温度的所述超临界流体中。

7.根据权利要求3所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，在所述第2工序中，将所述液晶聚合物浸渍于比由所述液晶聚合物的熔点减去30℃而得的温度高的温度的所述超临界流体中。

8.根据权利要求4所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，在所述第2工序中，将所述液晶聚合物浸渍于比由所述液晶聚合物的熔点减去30℃而得的温度高的温度的所述超临界流体中。

9.根据权利要求5所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，在所述第2工序中，将所述液晶聚合物浸渍于比由所述液晶聚合物的熔点减去30℃而得的温度高的温度的所述超临界流体中。