CN117049877B - 一种电致伸缩陶瓷及其制备方法、电致伸缩装置 - Google Patents
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Abstract
本发明属于功能陶瓷领域，公开了一种电致伸缩陶瓷及其制备方法、电致伸缩装置。电致伸缩陶瓷的化学通式为：Pb(1‑y‑z)PryLiz(Mg1/ 3Nb2/3)(1‑x)TixO3，其中：0.25≤x≤0.35，0.04≤y+z≤0.08，y>0，z>0。本发明选择具有优异的电学性能的PMN‑PT陶瓷为基体，通过Pr和Li复合离子掺杂的方式，在纳米尺度引入大量异质结构，增强陶瓷的弛豫特征，从而完全破坏陶瓷基体中的宏观铁电畴结构，降低不可逆畴壁运动带来的应变滞后系数，制备了高介电常数和高电致伸缩应变的电致伸缩陶瓷。同时，Pr和Li复合离子掺杂，有利于获得稳定钙钛矿结构，进一步提高了材料的电学性能。
Description
技术领域
本发明属于功能陶瓷技术领域，尤其涉及一种电致伸缩陶瓷及其制备方法、电致伸缩装置。
背景技术
电致伸缩驱动器可以将电能转化为机械应变，具有位移精度高、响应速度快、抗疲劳、重量轻等优点，被认为是最有潜力的驱动器之一。电致伸缩驱动器的性能与所用电致伸缩材料的电场致应变特性直接相关。相对于逆压电效应在场致应变过程中不可逆畴壁运动而产生高迟滞，电致伸缩材料具有迟滞低、响应快、发热少、功耗低等明显优势，在纳米级驱动器和精密控制技术中发挥着重要作用。电致伸缩的应变S与电致伸缩系数M和电场强度E的平方成正比，即S=ME2。由于电致伸缩效应为机电耦合的二阶应变，其应变远低于相同电场下逆压电效应产生的应变。
尽管在过去的几十年里，研究者对电致伸缩陶瓷进行了大量的研究，但在电致伸缩性能的提高方面却没有取得重大突破。通过组份设计提高弛豫铁电陶瓷的化学和结构的非均质性有利于提高其电致伸缩性能。在前期研究中，相当多的研究采用固溶其它弛豫体的方式来增强弛豫特性。然而，电致伸缩应变的增强通常伴随着高迟滞系数和高驱动电场，这对驱动器在实用过程中的寿命和精度提出了很大的威胁，同时产生的高迟滞也破坏了电致伸缩的固有特性。迄今为止，在不牺牲电致伸缩材料迟滞的情况下实现高电致伸缩应变方面还没有取得显著的突破，这是高性能电致伸缩驱动器商业应用的绊脚石。随着电子元器件的快速发展，对高精密传感器和驱动器的性能提出了更高的要求。
因此，亟需研发一种高性能的电致伸缩陶瓷材料，可同时兼具高介电常数和高电致伸缩应变。
发明内容
本发明旨在至少解决上述现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种电致伸缩陶瓷及其制备方法、电致伸缩装置，所述电致伸缩陶瓷具有高介电常数和高电致伸缩应变。
为解决上述技术问题，本发明的第一方面提供了电致伸缩陶瓷，所述电致伸缩陶瓷的化学通式为：Pb(1-y-z)PryLiz(Mg1/3Nb2/3)(1-x)TixO3，其中：0.25≤x≤0.35，0.04≤y+z≤0.08，y>0，z>0。
具体地，本发明的电致伸缩陶瓷，以铌镁酸铅Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-钛酸铅PbTiO3（PMN-PT）为基体材料，利用三价镨离子（Pr3+）和一价锂离子（Li+）共同掺杂，取代钙钛矿结构（ABO3）中A位二价铅离子（Pb2+）的位置，以综合掺杂带来的电价不平衡，可获得稳定的钙钛矿结构，避免单一离子大量掺杂产生的杂相（如焦绿石相），从而有利于提高材料的介电常数和电致伸缩性能。同时，采用Pr和Li复合离子掺杂的方式，在局部纳米尺度上引入了大量化学和结构异质性，达到完全破坏其长程有序的铁电畴结构，从而降低不可逆畴壁运动带来的高滞后系数；且大量的异质结构还可协助材料获得高的电致伸缩性能。
优选的，所述y和z的取值范围分别为：0.03≤y≤0.05，0.01≤z≤0.05。
本发明的第二方面提供了一种电致伸缩陶瓷的制备方法，用于制备第一方面所述的电致伸缩陶瓷，包括以下步骤：
（1）将PbO、(MgCO3)4·Mg(OH)2·xH2O、Nb2O5、TiO2、Li2CO3、Pr6O11按化学计量比混合，经球磨、干燥、预烧后，得预烧粉末；
（2）在所述预烧粉末中加入有机粘结剂，依次进行球磨、干燥、过筛、压制成型，得陶瓷生坯；
（3）将所述陶瓷生坯排胶后，进行烧结，得致密陶瓷；
（4）对所述致密陶瓷的表面进行抛光、被银，得所述电致伸缩陶瓷。
具体地，本发明的电致伸缩陶瓷在制备时，先将各原料进行预烧，通过固相烧结的方式使各原料反应获得稳定的具有钙钛矿结构的预烧粉体，以减少后期烧结过程中杂相的产生，为制得高介电常数和电致伸缩性能的陶瓷材料奠定基础。
优选的，步骤（1）中，所述化学计量比与所述化学通式中的化学计量比一致。
优选的，步骤（1）和步骤（2）中，所述球磨的介质为无水乙醇或水。
优选的，步骤（1）和步骤（2）中，所述球磨的物料与介质的质量比为1：（1-2）。
优选的，步骤（1）和步骤（2）中，所述球磨的转速为200-300r/min。
优选的，步骤（1）和步骤（2）中，所述球磨的时间为12-24小时。
优选的，步骤（1）中，所述预烧的温度为800-850℃。
优选的，步骤（1）中，所述预烧的时间为1-2小时。
优选的，步骤（2）中，所述有机粘结剂选自Phoplex溶液。
优选的，步骤（2）中，所述有机粘结剂的添加量为所述预烧粉体的2-4wt%。
优选的，步骤（3）中，所述排胶的温度为550-750℃，以去除所述有机粘结剂。
优选的，步骤（3）中，所述排胶的升温速率为1-2℃/min。
优选的，步骤（3）中，所述排胶的时间为1-2小时。
优选的，步骤（3）中，所述烧结的温度为1180-1250℃。
优选的，步骤（3）中，所述烧结升温速率为2-5℃/min。
优选的，步骤（3）中，所述烧结的时间为1-2小时。
本发明的第三方面提供了一种电致伸缩装置，包括第一方面所述的电致伸缩陶瓷。
优选的，所述电致伸缩装置为微位移驱动器或高精密传感器。
本发明的上述技术方案相对于现有技术，至少具有如下技术效果或优点：
（1）本发明选择具有优异的电学性能的PMN-PT陶瓷为基体，通过Pr和Li复合离子掺杂的方式，在纳米尺度引入大量异质结构，增强陶瓷的弛豫特征，从而完全破坏PMN-PT陶瓷中的宏观铁电畴结构，降低不可逆畴壁运动带来的应变滞后系数，制备了高介电常数和高电致伸缩应变的电致伸缩陶瓷。同时，三价Pr离子和一价Li离子复合掺杂共同取代二价的Pb离子，有利于获得稳定的钙钛矿结构，避免单一离子大量掺杂产生的杂相（如焦绿石相），进一步提高了材料的电学性能。
（2）本发明的电致伸缩陶瓷，其电滞伸缩率可达0.155-0.180%，室温介电常数ε33可达14380-17900，适用于微位移驱动器或高精密传感器。
附图说明
图1是实施例1制得的电致伸缩陶瓷的XRD图；
图2是实施例1制得的电致伸缩陶瓷的介温谱图；
图3是实施例1制得的电致伸缩陶瓷的电滞回线图；
图4是实施例1制得的电致伸缩陶瓷的电致伸缩应变图；
图5是实施例2制得的电致伸缩陶瓷的电致伸缩应变图；
图6是实施例3制得的电致伸缩陶瓷的电致伸缩应变图；
图7是实施例4制得的电致伸缩陶瓷的电致伸缩应变图；
图8是对比例1制得的电致伸缩陶瓷的介温谱图；
图9是对比例1制得的电致伸缩陶瓷的电滞回线图；
图10是对比例1得到的电致伸缩陶瓷的场致应变图；
图11是对比例2得到的电致伸缩陶瓷的场致应变图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进行具体描述，以便于所属技术领域的人员对本发明的理解。有必要在此特别指出的是，实施例只是用于对本发明做进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，所属领域技术熟练人员，根据上述发明内容对本发明作出的非本质性的改进和调整，应仍属于本发明的保护范围。同时下述所提及的原料未详细说明的，均为市售产品；未详细提及的工艺步骤或制备方法均为本领域技术人员所知晓的工艺步骤或制备方法。
实施例1
一种电致伸缩陶瓷，其化学式为：Pb0.95Pr0.04Li0.01(Mg1/3Nb2/3)0.71Ti0.29O3。该电致伸缩陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
（1）按化学式Pb0.95Pr0.04Li0.01(Mg1/3Nb2/3)0.71Ti0.29O3的化学计量比称取PbO、(MgCO3)4·Mg(OH)2·xH2O、Nb2O5、TiO2、Li2CO3和Pr6O11，然后将各原料放入球磨罐中进行球磨12小时（球磨的介质为无水乙醇，物料与无水乙醇的质量比为1：1），再放入100℃烘箱中干燥，最后放入氧化铝坩埚中，并在850℃预烧2小时，得到预烧粉体；
（2）在步骤（1）制得的预烧粉体中加入Rhoplex粘结剂（粘结剂添加量为预烧粉体质量的4wt%），然后放入球磨罐中进行球磨12小时（球磨的介质为无水乙醇，物料与无水乙醇的质量比为1：1），再放入100℃烘箱中干燥，最后放入玛瑙研钵中研磨，过筛后压制成型，得到陶瓷生坯；
（3）将步骤（2）制得的陶瓷生坯放入马弗炉中，以1℃/min速率升温至600℃并保温2小时，去除粘结剂；然后以2℃/min速率升温至1250℃，保温2小时，自然降温后，得到致密陶瓷；
（4）将步骤（3）制得的致密陶瓷打磨抛光至1mm厚度，然后将抛光后的致密陶瓷的两侧表面进行被银，得到本实施例的电致伸缩陶瓷样品。
性能测试与表征：
（1）将实施例1制得的电致伸缩陶瓷样品研磨成粉体，并对其进行X射线衍射（XRD）表征，结果如图1所示，其中：图1的横坐标“2θ”表示衍射角度，纵坐标“Intensity”表示衍射强度。从图1中可以看出，该样品为单一的钙钛矿结构，没有产生焦绿石相或其它杂相，同时也表明掺杂离子已经进入陶瓷的晶格内部。
（2）将实施例1制得的电致伸缩陶瓷样品进行介温性能测试，结果如图2所示，其中：图2的横坐标“Temperature”表示测试温度，纵坐标“Dielectric constant”表示相对介电常数。从图2中可以看出，介电常数随着温度的升高呈现出先增加后减小的趋势，且在1kHz的室温下介电常数为16700，介电常数呈现出较强的介电弛豫特性。
（3）将实施例1制得的电致伸缩陶瓷样品进行铁电性能测试，其电滞回线如图3所示，其中：图3的横坐标“Electric field”表示施加的电场，纵坐标“Polarization”表示极化值。从图3可以看出，其电滞回线曲线均呈现出苗条的形状，并伴随着低的剩余极化为1μC/cm2，表明其宏观铁电畴的消失。
（4）将实施例1制得的电致伸缩陶瓷样品进行电致伸缩应变性能测试，结果如图4所示，其中：图4的横坐标“Electric field”表示施加的电场，纵坐标“Strain”表示应变。从图4可以看出，在不同的电压下，其应变曲线均呈现出无滞后的电致伸缩曲线，在驱动器的应用中可以展示出高精度的特点。电致伸缩应变随着驱动电场的升高而增加，电致伸缩应变最高为0.180%，远高于普通电致伸缩材料。
实施例2
一种电致伸缩陶瓷，其化学式为：Pb0.92Pr0.04Li0.04(Mg1/3Nb2/3)0.68Ti0.32O3。该电致伸缩陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
（1）按化学式Pb0.92Pr0.04Li0.04(Mg1/3Nb2/3)0.68Ti0.32O3的化学计量比称取PbO、(MgCO3)4·Mg(OH)2·xH2O、Nb2O5、TiO2、Li2CO3和Pr6O11，然后将各原料放入球磨罐中进行球磨18小时（球磨的介质为无水乙醇，物料与无水乙醇的质量比为1：1），再放入100℃烘箱中干燥，最后放入氧化铝坩埚中，并在850℃预烧1.5小时，得到预烧粉体；
（2）在步骤（1）制得的预烧粉体中加入Rhoplex粘结剂（粘结剂添加量为预烧粉体质量的3wt%），然后放入球磨罐中进行球磨18小时（球磨的介质为无水乙醇，物料与无水乙醇的质量比为1：1），再放入100℃烘箱中干燥，最后放入玛瑙研钵中研磨，过筛后压制成型，得到陶瓷生坯；
（3）将步骤（2）制得的陶瓷生坯放入马弗炉中，以2℃/min速率升温至700℃并保温1小时，去除粘结剂；然后以5℃/min速率升温至1220℃，保温2小时，自然降温后，得到致密陶瓷；
（4）将步骤（3）制得的致密陶瓷打磨抛光至1mm厚度，然后将抛光后的致密陶瓷的两侧表面进行被银，得到本实施例的电致伸缩陶瓷样品。
性能测试：
（1）将实施例2制得的电致伸缩陶瓷样品进行介温性能测试，其在1kHz的室温下介电常数为14380。
（2）将实施例2制得的电致伸缩陶瓷样品进行电致伸缩应变性能测试，结果如图5所示，其电致伸缩应变最高为0.168%。
实施例3
一种电致伸缩陶瓷，其化学式为：Pb0.92Pr0.03Li0.05(Mg1/3Nb2/3)0.73Ti0.27O3。该电致伸缩陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
（1）按化学式Pb0.92Pr0.03Li0.05(Mg1/3Nb2/3)0.73Ti0.27O3的化学计量比称取PbO、(MgCO3)4·Mg(OH)2·xH2O、Nb2O5、TiO2、Li2CO3和Pr6O11，然后将各原料放入球磨罐中进行球磨24小时（球磨的介质为无水乙醇，物料与无水乙醇的质量比为1：1），再放入100℃烘箱中干燥，最后放入氧化铝坩埚中，并在820℃预2小时，得到预烧粉体；
（2）在步骤（1）制得的预烧粉体中加入Rhoplex粘结剂（粘结剂添加量为预烧粉体质量的2wt%），然后放入球磨罐中进行球磨24小时（球磨的介质为无水乙醇，物料与无水乙醇的质量比为1：1），再放入100℃烘箱中干燥，最后放入玛瑙研钵中研磨，过筛后压制成型，得到陶瓷生坯；
（3）将步骤（2）制得的陶瓷生坯放入马弗炉中，以2℃/min速率升温至750℃并保温2小时，去除粘结剂；然后以5℃/min速率升温至1250℃，保温2小时，自然降温后，得到致密陶瓷；
（4）将步骤（3）制得的致密陶瓷打磨抛光至1mm厚度，然后将抛光后的致密陶瓷的两侧表面进行被银，得到本实施例的电致伸缩陶瓷样品。
性能测试：
（1）将实施例3制得的电致伸缩陶瓷样品进行介温性能测试，其在1kHz的室温下介电常数为12360。
（2）将实施例3制得的电致伸缩陶瓷样品进行电致伸缩应变性能测试，结果如图6所示，其电致伸缩应变最高为0.155%。
实施例4
一种电致伸缩陶瓷，其化学式为：Pb0.94Pr0.05Li0.01(Mg1/3Nb2/3)0.68Ti0.32O3。该电致伸缩陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
（1）按化学式Pb0.94Pr0.05Li0.01(Mg1/3Nb2/3)0.68Ti0.32O3的化学计量比称取PbO、(MgCO3)4·Mg(OH)2·xH2O、Nb2O5、TiO2、Li2CO3和Pr6O11，然后将各原料放入球磨罐中进行球磨12小时（球磨的介质为无水乙醇，物料与无水乙醇的质量比为1：1），再放入100℃烘箱中干燥，最后放入氧化铝坩埚中，并在800℃预2小时，得到预烧粉体；
（2）在步骤（1）制得的预烧粉体中加入Rhoplex粘结剂（粘结剂添加量为预烧粉体质量的4wt%），然后放入球磨罐中进行球磨12小时（球磨的介质为无水乙醇，物料与无水乙醇的质量比为1：1），再放入100℃烘箱中干燥，最后放入玛瑙研钵中研磨，过筛后压制成型，得到陶瓷生坯；
（3）将步骤（2）制得的陶瓷生坯放入马弗炉中，以2℃/min速率升温至550℃并保温2小时，去除粘结剂；然后以2℃/min速率升温至1180℃，保温2小时，自然降温后，得到致密陶瓷；
（4）将步骤（3）制得的致密陶瓷打磨抛光至1mm厚度，然后将抛光后的致密陶瓷的两侧表面进行被银，得到本实施例的电致伸缩陶瓷样品。
性能测试：
（1）将实施例4制得的电致伸缩陶瓷样品进行介温性能测试，其在1kHz的室温下介电常数为17900。
（2）将实施例4制得的电致伸缩陶瓷样品进行电致伸缩应变性能测试，结果如图7所示，其电致伸缩应变最高为0.166%。
对比例1
一种场致应变陶瓷，其化学式为：Pb(Mg1/3Nb2/3)0.71Ti0.29O3。该场致应变陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
（1）按化学式Pb(Mg1/3Nb2/3)0.71Ti0.29O3的化学计量比称取PbO、(MgCO3)4·Mg(OH)2·xH2O、Nb2O5、TiO2，然后将各原料放入球磨罐中进行球磨12小时（球磨的介质为无水乙醇，物料与无水乙醇的质量比为1：1），再放入100℃烘箱中干燥，最后放入氧化铝坩埚中，并在850℃预烧2小时，得到预烧粉体；
（2）在步骤（1）制得的预烧粉体中加入Rhoplex粘结剂（粘结剂添加量为预烧粉体质量的4wt%），然后放入球磨罐中进行球磨12小时（球磨的介质为无水乙醇，物料与无水乙醇的质量比为1：1），再放入100℃烘箱中干燥，最后放入玛瑙研钵中研磨，过筛后压制成型，得到陶瓷生坯；
（3）将步骤（2）制得的陶瓷生坯放入马弗炉中，以1℃/min速率升温至600℃并保温2小时，去除粘结剂；然后以2℃/min速率升温至1250℃，保温2小时，自然降温后，得到致密陶瓷；
（4）将步骤（3）制得的致密陶瓷打磨抛光至1mm厚度，然后将抛光后的致密陶瓷的两侧表面进行被银，得到本对比例的场致应变陶瓷样品。
性能测试：
（1）将对比例1制得的场致应变陶瓷样品进行介温性能测试，结果如图8所示。从图8中可以看出，介电常数随着温度的升高呈现出先增加后减小的趋势，且在1kHz的室温下介电常数为2180，介电常数呈现出较弱的介电弛豫特性。
（2）将对比例1制得的场致应变陶瓷样品进行铁电性能测试，其电滞回线如图9所示。从图9可以看出，在20kV/cm的电场下呈现出标准的电滞回线曲线，并伴随着高的剩余极化为32 μC/cm2，表明具有较强的自发极化，具有较多的宏观铁电畴。
（3）将对比例1制得的场致应变陶瓷样品进行场致应变性能测试，结果如图10所示。由图10可以看出，该样品呈现出蝴蝶状的场致应变曲线，具有较高的应变滞后。其场致应变为0.12%，不仅低于实施例1，而且应变滞后系数也远高于实施例1。通过与实施例1进行对比可以看出，宏观铁电畴向微观纳米畴的转变是导致较高电致伸缩性能的主要原因。
对比例2
一种场致应变陶瓷，其化学式为：Pb0.98Pr0.02(Mg1/3Nb2/3)0.71Ti0.29O3。该场致应变陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
（1）按化学式Pb0.98Pr0.02(Mg1/3Nb2/3)0.71Ti0.29O3的化学计量比称取PbO、(MgCO3)4·Mg(OH)2·xH2O、Nb2O5、TiO2和Pr6O11，然后将各原料放入球磨罐中进行球磨12小时（球磨的介质为无水乙醇，物料与无水乙醇的质量比为1：1），再放入100℃烘箱中干燥，最后放入氧化铝坩埚中，并在850℃预烧2小时，得到预烧粉体；
（2）在步骤（1）制得的预烧粉体中加入Rhoplex粘结剂（粘结剂添加量为预烧粉体质量的4wt%），然后放入球磨罐中进行球磨12小时（球磨的介质为无水乙醇，物料与无水乙醇的质量比为1：1），再放入100℃烘箱中干燥，最后放入玛瑙研钵中研磨，过筛后压制成型，得到陶瓷生坯；
（3）将步骤（2）制得的陶瓷生坯放入马弗炉中，以1℃/min速率升温至600℃并保温2小时，去除粘结剂；然后以2℃/min速率升温至1250℃，保温2小时，自然降温后，得到致密陶瓷；
（4）将步骤（3）制得的致密陶瓷打磨抛光至1mm厚度，然后将抛光后的致密陶瓷的两侧表面进行被银，得到本对比例的场致应变陶瓷样品。
性能测试：
（1）将对比例2制得的场致应变陶瓷样品进行介温性能测试，其在1kHz的室温下介电常数为6020。
（2）将对比例2制得的场致应变陶瓷样品进行场致应变性能测试，测试结果如图11所示。从图11可以看出，该样品呈现出蝴蝶状的场致应变曲线，其场致应变为0.136%，具有较大的应变滞后系数。通过与对比例5和实施例1进行对比，可以看出，虽然通过少量的Pr掺杂可以改善场致应变性能，但是其场致应变性能仍具有较高的应变滞后系数，不能满足低滞后电致伸缩应用的需求。
对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下还可以做出若干简单推演或替换，而不必经过创造性的劳动。因此，本领域技术人员根据本发明的揭示，对本发明做出的简单改进都应该在本发明的保护范围之内。上述实施例为本发明的优选实施例，凡与本发明类似的工艺及所作的等效变化，均应属于本发明的保护范畴。
Claims (8)
1.一种电致伸缩陶瓷，其特征在于，所述电致伸缩陶瓷的化学通式为：Pb(1-y-z)PryLiz(Mg1/3Nb2/3)(1-x)TixO3，其中：0.25≤x≤0.35，0.04≤y+z≤0.08，0.03≤y≤0.05，0.01≤z≤0.05。
2.权利要求1所述的电致伸缩陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）将PbO、(MgCO3)4·Mg(OH)2·xH2O、Nb2O5、TiO2、Li2CO3、Pr6O11按化学计量比混合，经球磨、干燥、预烧后，得预烧粉末；所述化学计量比与所述化学通式中的化学计量比一致；
（2）在所述预烧粉末中加入有机粘结剂，依次进行球磨、干燥、过筛、压制成型，得陶瓷生坯；
（3）将所述陶瓷生坯排胶后，进行烧结，得致密陶瓷；
（4）对所述致密陶瓷的表面进行抛光、被银，得所述电致伸缩陶瓷。
3.根据权利要求2所述的电致伸缩陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤（1）和步骤（2）中，所述球磨的介质为无水乙醇或水，所述球磨的转速为200-300r/min，所述球磨的时间为12-24小时。
4.根据权利要求2所述的电致伸缩陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述预烧的温度为800-850℃，所述预烧的时间为1-2小时。
5.根据权利要求2所述的电致伸缩陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述有机粘结剂的添加量为所述预烧粉末的2-4wt%。
6.根据权利要求2所述的电致伸缩陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所述排胶的温度为550-750℃，所述排胶的时间为1-2小时。
7.根据权利要求2所述的电致伸缩陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所述烧结的温度为1180-1250℃，所述烧结的时间为1-2小时。
8.一种电致伸缩装置，其特征在于，包括权利要求1所述的电致伸缩陶瓷。
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