CN117012656B - 高密度大矩阵sot89封装结构的制备方法 - Google Patents

高密度大矩阵sot89封装结构的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN117012656B
CN117012656B CN202311210769.1A CN202311210769A CN117012656B CN 117012656 B CN117012656 B CN 117012656B CN 202311210769 A CN202311210769 A CN 202311210769A CN 117012656 B CN117012656 B CN 117012656B
Authority
CN
China
Prior art keywords
injection molding
hole
pin
frame
sot89
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202311210769.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN117012656A (zh
Inventor
蔡择贤
曹周
陈勇
雷楚宜
张怡
卢茂聪
桑林波
孙少林
李亚飞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong Chippacking Technology Co ltd
Original Assignee
Guangdong Chippacking Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong Chippacking Technology Co ltd filed Critical Guangdong Chippacking Technology Co ltd
Priority to CN202311210769.1A priority Critical patent/CN117012656B/zh
Publication of CN117012656A publication Critical patent/CN117012656A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN117012656B publication Critical patent/CN117012656B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517Additional leads
    • H01L23/4952Additional leads the additional leads being a bump or a wire
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49537Plurality of lead frames mounted in one device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

本发明提供了一种高密度大矩阵SOT89封装结构的制备方法,涉及芯片封装技术领域,基板包括有散热片、第一引脚和第二引脚,散热片下侧设有第一引脚,第一引脚左右两侧设置有第二引脚,基板上设置有塑封体,塑封体上侧设置有第一框架,第一框架设置在散热片上,塑封体下侧设置有第二框架,第二框架与第一引脚和第二引脚左右两侧贴合。本发明通过设置第一框架和第二框架,在塑封时会阻挡塑封料流动至管脚端处,塑封后管脚间废胶尺寸缩小,改善后缩小了废胶尺寸,减少了塑封脱模后模具通过废胶传导到框架的力,减少了塑封脱模导致产品塑封体拉裂的风险。

Description

高密度大矩阵SOT89封装结构的制备方法
技术领域
本发明涉及芯片技术领域,特别涉及一种高密度大矩阵SOT89封装结构的制备方法。
背景技术
SOT的英文全名是:Small Outline Transistor,是一种表面贴装的封装形式,一般引脚小于等于5个的小外形晶体管,根据表面宽度的不同分为两种,一种宽度为1.3mm,一种宽度为1.6mm。
传统的封装行业内,SOT89产品均存在管脚侧面溢胶现象;其次,在塑封合模时候存在管脚压伤异常;且存在脱模时候存在塑封体拉裂异常等情况,容易造成芯片的损失,次品率较高。
发明内容
本发明提供一种高密度大矩阵SOT89封装结构的制备方法,以解决上述背景技术中提出的问题的至少一种。
为解决上述技术问题,本发明公开了一种高密度大矩阵SOT89封装结构,基板包括有散热片、第一引脚和第二引脚,散热片下侧设有第一引脚,第一引脚左右两侧设置有第二引脚,基板上设置有塑封体,塑封体上侧设置有第一框架,第一框架设置在散热片上,塑封体下侧设置有第二框架,第二框架与第一引脚和第二引脚左右两侧贴合。
一种高密度大矩阵SOT89封装结构的制备方法,用于制备SOT89,SOT89包括如上所述的封装结构,制备方法包括以下步骤,
步骤1:获取晶圆,对晶圆上的若干芯片进行切割;
步骤2:获取基板,将若干芯片贴合于基板上,然后完成引线键合,之后在基板上安装第一框架和第二框架;
步骤3:获取模型腔,将基板放置于模型腔中,通过注塑组件将注塑液注入模型腔内,完成塑封;
步骤4:待塑封固化后形成塑封体,然后进行切筋成型,在切筋时去除第二框架,然后进行电镀,二次固化,之后进行分离,分离时去除第一框架之后检测即可。
优选的,在步骤3中,模型腔包括有下型腔和上型腔,下型腔上左右两侧边缘位置安装有全齿,下型腔上还左右分设有半齿,两个半齿位于两个全齿相互靠近的一侧,第二引脚上表面为第一毛刺面,第二引脚下表面为第一冲压面,第一引脚上表面为第二毛刺面,第一引脚下表面为第二冲压面,第一冲压面与半齿和全齿之间的凹槽相配合,第二冲压面与两个半齿之间的凹槽相配合,第一毛刺面和第二毛刺面与上型腔相接触。
优选的,注塑液为环氧树脂。
优选的,注塑组件包括有注塑壳,注塑壳上表面安装有倒U型框,倒U型框内设有驱动电机,驱动电机的下侧输出端固定连接转动杆,转动杆向下穿过注塑壳上侧壁延伸进注塑壳内,且转动杆与注塑壳延伸位置转动连接,注塑壳内设有往复丝杠,转动杆下端与往复丝杠固定连接,注塑壳下表面还设有固定块,往复丝杠下端与固定块转动连接,往复丝杠上还安装有移动块,移动块与注塑壳内壁滑动连接,注塑壳下端安装有注塑头。
优选的,注塑壳下侧壁上开设有第一通孔,固定块设置于第一通孔处,且固定块设置为圆柱形,固定块的直径小于第一通孔的直径,固定块周侧安装有若干固定杆,固定杆与第一通孔固定连接,第一通孔下侧设置有注塑头,注塑头与注塑壳下侧壁固定连接。
优选的,注塑头包括阻挡箱,阻挡箱固定设置于注塑壳下侧壁上,且阻挡箱上侧设有第二通孔,第二通孔与第一通孔直径相同,且第二通孔与第一通孔相对应,阻挡箱内还设有环形挡板,环形挡板周侧与阻挡箱固定连接,阻挡箱两侧均固定连接有安装杆,安装杆上均设有监测组件,且监测组件与驱动电机电连接,阻挡箱下表面固定设有第一注塑筒,第一注塑筒周侧包覆有第二注塑筒,且第二注塑筒上下两端均设有开口,第一注塑筒下侧内壁上固定设有电动伸缩杆,电动伸缩杆的输出端向上穿过第一注塑筒和阻挡箱延伸进阻挡箱内,且电动伸缩杆的输出端与第一注塑筒和阻挡箱延伸位置滑动连接,电动伸缩杆的输出端上端固定连接阻挡块,阻挡块与环形挡板相配合,阻挡箱下侧壁上设有环形通孔,环形通孔的内径等于第一注塑筒的直径,第二注塑筒与环形通孔相固定,监测组件与电动伸缩杆电连接。
优选的,注塑壳右侧壁上固定设有储存箱,储存箱内设有转动轴,转动轴上设有若干搅拌杆,转动轴与储存箱下侧内壁转动连接,转动轴向上延伸出储存箱,且转动轴与储存箱延伸位置转动连接,转动轴上还固定设有第一带轮,转动杆上设有第二带轮,第一带轮和第二带轮周侧设有皮带,倒U型框的右侧竖直段上设有第三通孔,皮带穿过第三通孔。
优选的,储存箱上设有入料口和出料口,入料口处安装有入料管,出料口处安装有出料管,出料管向下延伸进储存箱内,储存箱内安装有若干保温棒。
优选的,注塑壳上侧内壁上固定设有第一管道,注塑壳上侧壁上开设有第四通孔,第四通孔处安装有软管,软管的另一端连通出料管,软管内设有单向阀,第一管道上端开设有第五通孔,第四通孔与第五通孔相对应,第一管道内设有滑块,滑块与第一管道内壁滑动连接,滑块上开设有第六通孔,第六通孔处安装有第二管道,移动块上开设有第七通孔,第二管道延伸进第七通孔内,且第二管道与第七通孔固定连接,第二管道下端固定设有复位弹簧,复位弹簧下端固定设有限位板,限位板设置为圆形,限位板的直径大于第七通孔的直径。
与现有技术相比,本发明提供了一种高密度大矩阵SOT89封装结构的制备方法,具备以下有益效果:本发明通过设置第一框架和第二框架,且第一框架与散热片左右两侧贴合,第二框架与第一引脚和第二引脚左右两侧贴合,在塑封时会阻挡塑封料流动至管脚端处,塑封后管脚间废胶尺寸缩小,改善后缩小了废胶尺寸,减少了塑封脱模后模具通过废胶传导到框架的力,从而减少了塑封脱模导致产品塑封体拉裂的风险。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例一起用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1为本发明的散热片及引脚的安装示意图;
图2为本发明的结构示意图;
图3为本发明的模型腔的结构示意图;
图4为本发明的注塑组件的结构示意图;
图5为本发明的图4的A处放大图;
图6为本发明的图4的B处放大图;
图7为本发明的图4的C处放大图;
图8为本发明的储存箱的内部结构示意图;
图9为本发明的SOT89的结构示意图。
图中:1、基板;2、第一引脚;3、第二引脚;4、散热片;5、塑封体;6、第二框架;7、第一框架;8、下型腔;9、全齿;10、半齿;11、第一毛刺面;12、第二毛刺面;13、注塑壳;14、保温棒;15、往复丝杠;16、移动块;17、储存箱;18、入料管;19、第一带轮;20、转动轴;21、皮带;22、驱动电机;23、倒U型框;24、第二带轮;25、软管;26、第二管道;27、第一管道;28、滑块;29、复位弹簧;30、限位板;31、固定块;32、固定杆;33、阻挡块;34、监测组件;35、阻挡箱;36、出料管;37、第一注塑筒;38、第二注塑筒;39、电动伸缩杆;40、环形挡板;41、安装杆;42、搅拌杆。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明,并不用于限定本发明。
另外,在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,并非特别指称次序或顺位的意思,亦非用以限定本发明,其仅仅是为了区别以相同技术用语描述的组件或操作而已,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施例之间的技术方案以及技术特征可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本发明要求的保护范围之内。
实施例1
本发明的实施例提供了一种高密度大矩阵SOT89封装结构,如图1-2所示,基板1包括有散热片4、第一引脚2和第二引脚3,散热片4下侧设有第一引脚2,第一引脚2左右两侧设置有第二引脚3,基板1上设置有塑封体5,塑封体5上侧设置有第一框架7,第一框架7设置在散热片4上,塑封体5下侧设置有第二框架6,第二框架6与第一引脚2和第二引脚3左右两侧贴合。
上述技术方案的工作原理及有益效果为:在基板上安装散热片4、第一引脚2、第二引脚3,并将第一框架7与散热片4左右两侧贴合,第二框架6与第一引脚2和第二引脚3左右两侧贴合;通过设置第一框架7和第二框架6,且第一框架7与散热片4左右两侧贴合,第二框架6与第一引脚2和第二引脚3左右两侧贴合,在塑封时会阻挡塑封料流动至管脚端处,塑封后管脚间废胶尺寸缩小,改善后缩小了废胶尺寸,减少了塑封脱模后模具通过废胶传导到框架的力,从而减少了塑封脱模导致产品塑封体拉裂的风险。
实施例2
在上述实施例1的基础上,一种高密度大矩阵SOT89封装结构的制备方法,用于制备SOT89,SOT89包括如上所述的封装结构,制备方法包括以下步骤,
步骤1:获取晶圆,对晶圆上的若干芯片进行切割;
步骤2:获取基板1,将若干芯片贴合于基板1上,然后完成引线键合,之后在基板1上安装第一框架7和第二框架6;
步骤3:获取模型腔,将基板1放置于模型腔中,通过注塑组件将注塑液注入模型腔内,完成塑封;
步骤4:待塑封固化后形成塑封体5,然后进行切筋成型,在切筋时去除第二框架6,然后进行电镀,二次固化,之后进行分离,分离时去除第一框架7之后检测即可。
其中,第一框架7和第二框架6可在基板1制造时一体成型。
上述技术方案的工作原理及有益效果为:第一步,获取晶圆,对晶圆上的若干芯片进行切割;第二步,获取基板1,将若干芯片贴合于基板1上,然后完成引线键合,之后在基板1上安装第一框架7和第二框架6;第三步,获取模型腔,将基板1放置于模型腔中,通过注塑组件将注塑液注入模型腔内,完成塑封;第四步,待塑封固化后形成塑封体5,然后进行切筋成型,在切筋时去除第一框架7和第二框架6,然后进行电镀,二次固化,分离,检测即可;在现有的SOT89制作工艺中,通常采用划片-装片-键合-塑封-固化-电镀-二次固化-切经-检测,但是由于第一框架和第二框架的设置,如使仍使用原工艺流程,管脚及散热片正面看两侧会有突起的外观结构,产品侧面看相应处会露铜材色(如图9所示),为使管脚侧面不露铜,因此采用上述工艺,先切除框架后进行电镀,电镀后成型分离,以保证管脚与框架的切断面露铜能镀上锡,有效提高实用性。
实施例3
在实施例1-2的基础上,如图3所示,在步骤3中,模型腔包括有下型腔8和上型腔,下型腔8上左右两侧边缘位置安装有全齿9,下型腔8上还左右分设有半齿10,两个半齿10位于两个全齿9相互靠近的一侧,第二引脚3上表面为第一毛刺面11,第二引脚3下表面为第一冲压面,第一引脚2上表面为第二毛刺面12,第一引脚2下表面为第二冲压面,第一冲压面与半齿10和全齿9之间的凹槽相配合,第二冲压面与两个半齿10之间的凹槽相配合,第一毛刺面11和第二毛刺面12与上型腔相接触。
其中,优选的,注塑液为环氧树脂。
上述技术方案的工作原理及有益效果为:将基板1放入模型腔内,使得第一引脚2上的第二冲压面与两个半齿10之间的凹槽相配合,第二引脚3的第一冲压面与半齿10和全齿9之间的凹槽相配合,之后进行注塑即可,通过设置两个半齿10(现有工艺中采用的是全齿),塑封模具由原全齿结构→半齿结构,减少了模具压合面的面积,从而减少了减少管脚压伤情况。
实施例4
在实施例1-3的基础上,如图4、7所示,注塑组件包括有注塑壳13,注塑壳13上表面安装有倒U型框23,倒U型框23内设有驱动电机22,驱动电机22的下侧输出端固定连接转动杆,转动杆向下穿过注塑壳13上侧壁延伸进注塑壳13内,且转动杆与注塑壳13延伸位置转动连接,注塑壳13内设有往复丝杠15,转动杆下端与往复丝杠15固定连接,注塑壳13下表面还设有固定块31,往复丝杠15下端与固定块31转动连接,往复丝杠15上还安装有移动块16,移动块16与注塑壳13内壁滑动连接,注塑壳13下端安装有注塑头。
其中,优选的,注塑壳13下侧壁上开设有第一通孔,固定块31设置于第一通孔处,且固定块31设置为圆柱形,固定块31的直径小于第一通孔的直径,固定块31周侧安装有若干固定杆32,固定杆32与第一通孔固定连接,第一通孔下侧设置有注塑头,注塑头与注塑壳13下侧壁固定连接。
其中,优选的,注塑头包括阻挡箱35,阻挡箱35固定设置于注塑壳13下侧壁上,且阻挡箱35上侧设有第二通孔,第二通孔与第一通孔直径相同,且第二通孔与第一通孔相对应,阻挡箱35内还设有环形挡板40,环形挡板40周侧与阻挡箱35固定连接,阻挡箱35两侧均固定连接有安装杆41,安装杆41上均设有监测组件34,且监测组件34与驱动电机22电连接,阻挡箱35下表面固定设有第一注塑筒37,第一注塑筒37周侧包覆有第二注塑筒38,且第二注塑筒38上下两端均设有开口,第一注塑筒37下侧内壁上固定设有电动伸缩杆39,电动伸缩杆39的输出端向上穿过第一注塑筒37和阻挡箱35延伸进阻挡箱35内,且电动伸缩杆39的输出端与第一注塑筒37和阻挡箱35延伸位置滑动连接,电动伸缩杆39的输出端上端固定连接阻挡块33,阻挡块33与环形挡板40相配合,阻挡箱35下侧壁上设有环形通孔,环形通孔的内径等于第一注塑筒37的直径,第二注塑筒38与环形通孔相固定,监测组件34与电动伸缩杆39电连接。
上述技术方案的工作原理及有益效果为:将第二注塑筒38和第一注塑筒37插入模型腔中(本领域技术人员可以在模型腔上开孔等方式,从而将第二注塑筒38和第一注塑筒37插入即可),此时,通过监测组件34观测第二注塑筒38是否插入到模型腔内(监测组件34可以为距离传感器或摄像头等,能够进行监测即可),当监测组件34监测到第二注塑筒38插入后,监测组件34给驱动电机22和电动伸缩杆39发出信号,驱动电机22启动,转动杆开始旋转,转动杆带动往复丝杠15开始旋转,往复丝杠15带动移动块16下降,移动块16将注塑壳13内的注塑液向下推动,电动伸缩杆39启动,电动伸缩杆39带动阻挡块33向下移动,阻挡块33离开环形挡板40中央,注塑液从第一通孔、第二通孔进入阻挡箱35中,然后从环形通孔流入到第二注塑筒38中,最后注入到模型腔内即可;通过设置监测组件34,可以有效监测第二注塑筒38与模型腔的配合,从而有效驱动移动块16的移动和解除阻挡块33的限位,方便注塑液通过第二注塑筒38注入模型腔中,有效提高实用性和便捷性。
实施例5
在实施例1-4的基础上,如图4、5-8所示,注塑壳13右侧壁上固定设有储存箱17,储存箱17内设有转动轴20,转动轴20上设有若干搅拌杆42,转动轴20与储存箱17下侧内壁转动连接,转动轴20向上延伸出储存箱17,且转动轴20与储存箱17延伸位置转动连接,转动轴20上还固定设有第一带轮19,转动杆上设有第二带轮24,第一带轮19和第二带轮24周侧设有皮带21,倒U型框23的右侧竖直段上设有第三通孔,皮带21穿过第三通孔。
其中,优选的,储存箱17上设有入料口和出料口,入料口处安装有入料管18,出料口处安装有出料管36,出料管36向下延伸进储存箱17内,储存箱17内安装有若干保温棒14。
其中,优选的,注塑壳13上侧内壁上固定设有第一管道27,注塑壳13上侧壁上开设有第四通孔,第四通孔处安装有软管25,软管25的另一端连通出料管36,软管25内设有单向阀,第一管道27上端开设有第五通孔,第四通孔与第五通孔相对应,第一管道27内设有滑块28,滑块28与第一管道27内壁滑动连接,滑块28上开设有第六通孔,第六通孔处安装有第二管道26,移动块16上开设有第七通孔,第二管道26延伸进第七通孔内,且第二管道26与第七通孔固定连接,第二管道26下端固定设有复位弹簧29,复位弹簧29下端固定设有限位板30,限位板30设置为圆形,限位板30的直径大于第七通孔的直径。
上述技术方案的工作原理及有益效果为:将注塑液通过入料管18注入到储存箱17内,当转动杆开始旋转时,第二带轮24也开始旋转,第二带轮24通过皮带21带动第一带轮19旋转,第一带轮19带动转动轴20旋转,转动轴20带动第二带轮24对注塑液进行搅拌,保温棒14对注塑液进行保温,可以有效减少注塑液凝固;
当移动块16向下移动时,移动块16带动第二管道26下降,第二管道26带动滑块28在第一管道27内向下滑动,在注塑液的阻挡下,限位板30会向上移动挡住第七通孔下端,复位弹簧29压缩,从而在第一管道27内形成负压,注塑液从储存箱17内经过出料管36和软管25进入到第一管道27内,当一次注塑完成后,往复丝杠15继续旋转,而此时移动块16会上升,移动块16带动第二管道26上升,第二管道26带动滑块28在第一管道27内向上滑动,而由于单向阀的设置,第一管道27内的注塑液会通过滑块28上的第六通孔、第二管道26和第七通孔进入到移动块16的下方,此时由于移动块16的上升,注塑液不再挤压限位板30,从而在复位弹簧29的作用下复位,限位板30不再挡住第七通孔下端,从而方便的完成注塑液的补充,且仅通过一个动力源(驱动电机22)即可完成移动块16的挤压注塑,注塑液的搅拌,注塑液的补充等,有效提高装置的智能性性和实用性。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种高密度大矩阵SOT89封装结构的制备方法,其特征在于,制备方法包括以下步骤,
步骤1:获取晶圆,对晶圆上的若干芯片进行切割;
步骤2:获取基板(1),将若干芯片贴合于基板(1)上,然后完成引线键合,之后在基板(1)上安装第一框架(7)和第二框架(6);
步骤3:获取模型腔,将基板(1)放置于模型腔中,通过注塑组件将注塑液注入模型腔内,完成塑封;
步骤4:待塑封固化后形成塑封体(5),然后进行切筋成型,在切筋时去除第二框架(6),然后进行电镀,二次固化,之后进行分离,分离时去除第一框架(7)之后检测即可;
SOT89包括封装结构,封装结构包括基板(1),基板(1)包括有散热片(4)、第一引脚(2)和第二引脚(3),散热片(4)下侧设有第一引脚(2),第一引脚(2)左右两侧设置有第二引脚(3),基板(1)上设置有塑封体(5),塑封体(5)上侧设置有第一框架(7),第一框架(7)设置在散热片(4)上,塑封体(5)下侧设置有第二框架(6),第二框架(6)与第一引脚(2)和第二引脚(3)左右两侧贴合。
2.根据权利要求1所述的高密度大矩阵SOT89封装结构的制备方法,其特征在于,在步骤3中,模型腔包括有下型腔(8)和上型腔,下型腔(8)上左右两侧边缘位置安装有全齿(9),下型腔(8)上还左右分设有半齿(10),两个半齿(10)位于两个全齿(9)相互靠近的一侧,第二引脚(3)上表面为第一毛刺面(11),第二引脚(3)下表面为第一冲压面,第一引脚(2)上表面为第二毛刺面(12),第一引脚(2)下表面为第二冲压面,第一冲压面与半齿(10)和全齿(9)之间的凹槽相配合,第二冲压面与两个半齿(10)之间的凹槽相配合,第一毛刺面(11)和第二毛刺面(12)与上型腔相接触。
3.根据权利要求1所述的高密度大矩阵SOT89封装结构的制备方法,其特征在于,注塑液为环氧树脂。
4.根据权利要求1所述的高密度大矩阵SOT89封装结构的制备方法,其特征在于,注塑组件包括有注塑壳(13),注塑壳(13)上表面安装有倒U型框(23),倒U型框(23)内设有驱动电机(22),驱动电机(22)的下侧输出端固定连接转动杆,转动杆向下穿过注塑壳(13)上侧壁延伸进注塑壳(13)内,且转动杆与注塑壳(13)延伸位置转动连接,注塑壳(13)内设有往复丝杠(15),转动杆下端与往复丝杠(15)固定连接,注塑壳(13)下表面还设有固定块(31),往复丝杠(15)下端与固定块(31)转动连接,往复丝杠(15)上还安装有移动块(16),移动块(16)与注塑壳(13)内壁滑动连接,注塑壳(13)下端安装有注塑头。
5.根据权利要求4所述的高密度大矩阵SOT89封装结构的制备方法,其特征在于,注塑壳(13)下侧壁上开设有第一通孔,固定块(31)设置于第一通孔处,且固定块(31)设置为圆柱形,固定块(31)的直径小于第一通孔的直径,固定块(31)周侧安装有若干固定杆(32),固定杆(32)与第一通孔固定连接,第一通孔下侧设置有注塑头,注塑头与注塑壳(13)下侧壁固定连接。
6.根据权利要求5所述的高密度大矩阵SOT89封装结构的制备方法,其特征在于,注塑头包括阻挡箱(35),阻挡箱(35)固定设置于注塑壳(13)下侧壁上,且阻挡箱(35)上侧设有第二通孔,第二通孔与第一通孔直径相同,且第二通孔与第一通孔相对应,阻挡箱(35)内还设有环形挡板(40),环形挡板(40)周侧与阻挡箱(35)固定连接,阻挡箱(35)两侧均固定连接有安装杆(41),安装杆(41)上均设有监测组件(34),且监测组件(34)与驱动电机(22)电连接,阻挡箱(35)下表面固定设有第一注塑筒(37),第一注塑筒(37)周侧包覆有第二注塑筒(38),且第二注塑筒(38)上下两端均设有开口,第一注塑筒(37)下侧内壁上固定设有电动伸缩杆(39),电动伸缩杆(39)的输出端向上穿过第一注塑筒(37)和阻挡箱(35)延伸进阻挡箱(35)内,且电动伸缩杆(39)的输出端与第一注塑筒(37)和阻挡箱(35)延伸位置滑动连接,电动伸缩杆(39)的输出端上端固定连接阻挡块(33),阻挡块(33)与环形挡板(40)相配合,阻挡箱(35)下侧壁上设有环形通孔,环形通孔的内径等于第一注塑筒(37)的直径,第二注塑筒(38)与环形通孔相固定,监测组件(34)与电动伸缩杆(39)电连接。
7.根据权利要求6所述的高密度大矩阵SOT89封装结构的制备方法,其特征在于,注塑壳(13)右侧壁上固定设有储存箱(17),储存箱(17)内设有转动轴(20),转动轴(20)上设有若干搅拌杆(42),转动轴(20)与储存箱(17)下侧内壁转动连接,转动轴(20)向上延伸出储存箱(17),且转动轴(20)与储存箱(17)延伸位置转动连接,转动轴(20)上还固定设有第一带轮(19),转动杆上设有第二带轮(24),第一带轮(19)和第二带轮(24)周侧设有皮带(21),倒U型框(23)的右侧竖直段上设有第三通孔,皮带(21)穿过第三通孔。
8.根据权利要求7所述的高密度大矩阵SOT89封装结构的制备方法,其特征在于,储存箱(17)上设有入料口和出料口,入料口处安装有入料管(18),出料口处安装有出料管(36),出料管(36)向下延伸进储存箱(17)内,储存箱(17)内安装有若干保温棒(14)。
9.根据权利要求8所述的高密度大矩阵SOT89封装结构的制备方法,其特征在于,注塑壳(13)上侧内壁上固定设有第一管道(27),注塑壳(13)上侧壁上开设有第四通孔,第四通孔处安装有软管(25),软管(25)的另一端连通出料管(36),软管(25)内设有单向阀,第一管道(27)上端开设有第五通孔,第四通孔与第五通孔相对应,第一管道(27)内设有滑块(28),滑块(28)与第一管道(27)内壁滑动连接,滑块(28)上开设有第六通孔,第六通孔处安装有第二管道(26),移动块(16)上开设有第七通孔,第二管道(26)延伸进第七通孔内,且第二管道(26)与第七通孔固定连接,第二管道(26)下端固定设有复位弹簧(29),复位弹簧(29)下端固定设有限位板(30),限位板(30)设置为圆形,限位板(30)的直径大于第七通孔的直径。
CN202311210769.1A 2023-09-20 2023-09-20 高密度大矩阵sot89封装结构的制备方法 Active CN117012656B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311210769.1A CN117012656B (zh) 2023-09-20 2023-09-20 高密度大矩阵sot89封装结构的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311210769.1A CN117012656B (zh) 2023-09-20 2023-09-20 高密度大矩阵sot89封装结构的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN117012656A CN117012656A (zh) 2023-11-07
CN117012656B true CN117012656B (zh) 2023-12-05

Family

ID=88569315

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311210769.1A Active CN117012656B (zh) 2023-09-20 2023-09-20 高密度大矩阵sot89封装结构的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117012656B (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5244838A (en) * 1990-10-31 1993-09-14 Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. Process and apparatus for assembling and resin-encapsulating a heat sink-mounted semiconductor power device
US6281579B1 (en) * 1997-02-14 2001-08-28 International Rectifier Corporation Insert-molded leadframe to optimize interface between powertrain and driver board
JP2012174748A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Calsonic Kansei Corp 半導体モジュールの構造およびその製造方法
JP2012227438A (ja) * 2011-04-21 2012-11-15 Panasonic Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置
WO2016086769A1 (zh) * 2014-12-02 2016-06-09 天水华天科技股份有限公司 基于定制引线框架的csp型mems封装件及生产方法
CN109686717A (zh) * 2018-12-27 2019-04-26 天水华天科技股份有限公司 一种引线框架及其led驱动存储电路sot33-6l封装件和生产方法
CN110429075A (zh) * 2019-07-19 2019-11-08 广东气派科技有限公司 高密度多侧面引脚外露的封装结构及其生产方法
CN111112495A (zh) * 2019-12-03 2020-05-08 铜陵三佳山田科技股份有限公司 Sot类集成电路封装产品引脚柔性成型方法及成型模具

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6429028B1 (en) * 2000-08-29 2002-08-06 Dpa Labs, Incorporated Process to remove semiconductor chips from a plastic package

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5244838A (en) * 1990-10-31 1993-09-14 Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. Process and apparatus for assembling and resin-encapsulating a heat sink-mounted semiconductor power device
US6281579B1 (en) * 1997-02-14 2001-08-28 International Rectifier Corporation Insert-molded leadframe to optimize interface between powertrain and driver board
JP2012174748A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Calsonic Kansei Corp 半導体モジュールの構造およびその製造方法
JP2012227438A (ja) * 2011-04-21 2012-11-15 Panasonic Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置
WO2016086769A1 (zh) * 2014-12-02 2016-06-09 天水华天科技股份有限公司 基于定制引线框架的csp型mems封装件及生产方法
CN109686717A (zh) * 2018-12-27 2019-04-26 天水华天科技股份有限公司 一种引线框架及其led驱动存储电路sot33-6l封装件和生产方法
CN110429075A (zh) * 2019-07-19 2019-11-08 广东气派科技有限公司 高密度多侧面引脚外露的封装结构及其生产方法
CN111112495A (zh) * 2019-12-03 2020-05-08 铜陵三佳山田科技股份有限公司 Sot类集成电路封装产品引脚柔性成型方法及成型模具

Also Published As

Publication number Publication date
CN117012656A (zh) 2023-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111916373A (zh) 一种自动化半导体芯片封装装置
CN215550712U (zh) 一种冷却水循环效果好的汽车防尘盖注塑模具
CN117012656B (zh) 高密度大矩阵sot89封装结构的制备方法
CN114678298A (zh) 一种集成电路块引脚封装装置
CN114523632B (zh) 一种汽车零件注塑模具
CN212676225U (zh) 一种自动化半导体芯片封装装置
CN212472249U (zh) 一种壳体注塑装置
CN212888758U (zh) 一种双斜顶顶出结构的注塑模具
CN212826548U (zh) 芯片注塑模具
CN216506483U (zh) 一种注塑机用快速顶出装置
CN214082576U (zh) 一种五金塑胶配件注塑成型装置
CN218749016U (zh) 一种便于脱模的塑胶产品注塑模具
CN213440867U (zh) 一种可快速冷却且自下料的注塑模具
CN221136767U (zh) 一种辅助注塑机注塑产品脱模的设备
CN218857581U (zh) 一种牛角浇口模具
CN211125580U (zh) 一种半导体处理设备
JPH06344389A (ja) モールド金型
CN221392078U (zh) 一种可快速脱料的注塑模具
CN117944234B (zh) 一种注塑模具用切断装置
CN210880674U (zh) 吸尘器盖子注塑模具
CN213830172U (zh) 一种塑料制品生产用注塑模具
JP3371795B2 (ja) 金型構造
CN116885075B (zh) 一种引脚快速焊接切断式led封装装置
CN212352782U (zh) 一种稳定型注塑模具
CN214056246U (zh) 一种高效出料型塑胶模具

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant