CN116990656B - 半导体测试器用测试片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种半导体测试器用测试片及其制备方法，涉及半导体的测试技术领域。本申请的制备方法包括：选取矩形的金属片，在金属片上沿其宽度方向切割出多条相互平行且槽宽相同的长槽，每条长槽宽度方向的两侧部分别形成宽度相同的金属条，金属条的长度大于测试针的长度；选取长度与标准针本体的长度相同的绝缘膜，将绝缘膜贴合于金属片的中部，并使绝缘膜的长度方向与金属条的长度方向一致；将金属片长度方向上突出绝缘膜的两端部向着远离绝缘膜的方向弯折并形成两个弯折部，两个弯折部远离绝缘膜的一端部为废料端，随后切除废料端即可。本申请的制备方法，能够确保金属片弯折并切割后制得的测试片上的多根测试针之间的间距相等。
Description
技术领域
本申请涉及半导体的测试技术领域，尤其是涉及一种半导体测试器用测试片及其制备方法。
背景技术
半导体测试器用的测试片，其包括绝缘膜、设于绝缘膜上的多根测试针。为了保证测试片的检测精度，多根测试针之间的间距需要相等。
现有技术中，在制备测试片时，通常是预先加工出多根长度相同的测试针，随后将多根测试针贴合在绝缘膜上。但是，将多根测试针依次贴合在绝缘膜上，不仅制备效率较低，而且由于多根测试针是逐次贴合，测试针的贴合位置、贴合角度等参数不可避免的会出现误差，导致多根测试针之间的间距出现差异，影响制得的测试片的检测精度。
发明内容
本申请的第一个目的是提供一种能够保证制得的测试片的多根测试针之间的间距相等的半导体测试器用测试片的制备方法。
本申请提供的一种制备方法采用如下技术方案：
一种半导体测试器用测试片的制备方法，用于制备标准测试片，所述标准测试片包括多根相互平行且间距相等的标准测试针，所述标准测试针包括标准针本体、两个分别设于所述标准针本体两端的弯曲状的标准针头，所述制备方法包括如下步骤：
步骤a，选取矩形的金属片，在所述金属片上沿其宽度方向切割出多条相互平行且槽宽相同的长槽，每条长槽宽度方向的两侧部分别形成宽度相同的金属条，所述金属条的长度大于所述标准测试针的长度；
步骤b，选取长度与所述标准针本体的长度相同的绝缘膜，将所述绝缘膜贴合于所述金属片的中部，并使所述绝缘膜的长度方向与所述金属条的长度方向一致；
步骤c，将所述金属片长度方向上突出所述绝缘膜的两端部向着远离所述绝缘膜的方向弯折并形成两个弯折部，所述的两个弯折部远离所述绝缘膜的一端部为废料端，根据所述标准测试片的尺寸确定所述废料端的长度，随后切除所述废料端即可。
通过采用上述技术方案，在切割金属片时，能够通过对长槽的槽宽控制来实现对多根金属条之间的间距的控制，确保多根金属条之间的间距相等，从而能够确保金属片弯折并切割后后制得的测试片上的多根测试针之间的间距相等。
优选的，在步骤a中，切割后的金属片在其长度方向的两端部分别具有用于连接多根金属条的连接条，所述连接条的长度方向与所述金属条的长度方向相垂直。
通过采用上述技术方案，在金属片上切割出多条长槽后形成的多根金属条能够通过连接条得到有效的固定，避免多根金属条之间的间距在后续加工时发生变化。
优选的，在步骤c中，所述废料端的长度大于所述连接条的宽度。
通过采用上述技术方案，能够避免制得的测试片上的多根测试针通过残余的连接条互相连接而影响每根测试针的测试效果。
优选的，步骤a还包括在所述连接条上开设通孔，所述通孔用于连接外部电源并同步向所述的多根金属条通电。
通过采用上述技术方案，在对测试片实施镀金工艺或检测工艺时，能够直接利用通孔同步对多根金属条通电，无需单独对每根金属条通电，极大的提升了镀金工艺和检测工艺的效率，同时也节约了成本。
优选的，在步骤b中，所述金属片长度方向的两端部关于所述绝缘膜对称设置。
通过采用上述技术方案，使得制得的测试片的两端针头能够关于绝缘膜对称，提升了测试片的检测精度。
优选的，在步骤b中，所述绝缘膜的中心线与所述金属片的中心线相重合，所述绝缘膜的宽度大于所述金属片的宽度，或所述绝缘膜的宽度等于所述金属片的宽度。
通过采用上述技术方案，能够避免位于测试片宽度方向的两侧的测试针暴露于绝缘膜之外，避免了安全隐患。
优选的，在步骤b中，所述绝缘膜宽度方向的两侧部分别设有膜耳，将所述绝缘膜贴合在所述金属片上时，所述的两个膜耳关于所述金属片对称设置。
通过采用上述技术方案，不仅便于将绝缘膜贴合在金属片上，而且也便于拿取制备完成的测试片。
优选的，在步骤c中，所述的两个弯折部关于所述绝缘膜对称设置。
通过采用上述技术方案，使得制得的测试片的两端针头能够关于绝缘膜对称，提升了测试片的检测精度。
本申请的第二个目的是提供一种由上述的制备方法制得的半导体测试器用测试片。
本申请提供的一种测试片采用如下技术方案：
一种半导体测试器用测试片，所述测试片通过如上所述的制备方法制得。
通过采用上述技术方案，能够有效的保证制得的测试片上的多根测试针的间距相等，提升了测试片的检测精度。
优选的，所述测试片包括绝缘膜、设于所述绝缘膜宽度方向的两侧的膜耳，所述绝缘膜上沿其宽度方向间隔设置有多根测试针，所述的多根测试针之间的间距相等，每根测试针均包括针本体、两个分别设于所述针本体两端的弯曲状的针头，所述的两个针头突出所述绝缘膜设置。
综上所述，本发明包括以下至少一种有益技术效果：
本申请的制备方法，通过对金属片上的长槽的槽宽控制来实现对多根金属条之间的间距的控制，确保多根金属条之间的间距相等，从而能够确保金属片弯折并切割后制得的测试片上的多根测试针之间的间距相等。
附图说明
图1是本申请的具体实施例中的制备方法在完成步骤a和步骤b后的状态示意图；
图2是本申请的具体实施例中的制备方法在完成步骤c后的状态示意图；
图3是本申请的具体实施例中的制备方法制得的测试片的结构示意图。
附图中标记：
1、金属片；11、长槽；12、金属条；13、弯折部；14、废料端；15、连接条；16、通孔；2、绝缘膜；21、膜耳；3、测试针；31、针本体；32、针头。
具体实施方式
以下结合附图1-3对本发明作进一步详细说明。
在本发明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
本实施例提供了一种半导体测试器用测试片的制备方法，用于制备标准测试片，标准测试片包括多根相互平行且间距相等的标准测试针，标准测试针包括标准针本体、两个分别设于标准针本体两端的弯曲状的标准针头。
本申请的制备方法包括如下步骤：
步骤a，结合图1所示，选取矩形的金属片1，在金属片1上沿其宽度方向切割出多条相互平行且槽宽相同的长槽11，每条长槽11宽度方向的两侧部分别形成宽度相同的金属条12，金属条12的长度大于标准测试针的长度。
在本实施例中，通过慢走丝的切割方式在金属片1上切割出多条相互平行且槽宽相同的长槽11，慢走丝的切割过程通过数控控制，能够确保多条长槽11的槽宽完全相等，也即是说，在慢走丝切割和数控控制的配合下能够保证切割后的多根金属条12之间的间距完全相等。其中，慢走丝切割和数控控制均为现有技术，具体原理不赘述。
这样一来，通过对金属片1上的长槽11的槽宽控制来实现对多根金属条12之间的间距的控制，确保多根金属条12之间的间距相等，从而能够确保金属片1弯折并切割后制得的测试片上的多根测试针3之间的间距相等，提升了制得的测试片的测试精度。
当然，也可根据具体需要采用其他切割方式与控制方式的配合来实现本申请的切割方案。
在本实施例中，切割后的金属片1在其长度方向的两端部分别具有用于连接多根金属条12的连接条15，连接条15的长度方向与金属条12的长度方向相垂直。在金属片1上切割出多条长槽11后形成的多根金属条12能够通过连接条15得到有效的固定，避免多根金属条12之间的间距在后续加工时发生变化。
步骤a还包括在连接条15上开设通孔16，通孔16用于连接外部电源并同步向多根金属条12通电。在本实施例中，开孔方式为现有技术，在此不赘述，通孔16有两个且开设于其中一根连接条15上，两个通孔16分别位于连接条15长度方向的两端。通过通孔16的设置，在对测试片实施镀金工艺或检测工艺时，能够直接利用通孔16连接外部电源并同步对多根金属条12通电，通电后即可实施镀金工艺或检测工艺，无需单独对每根金属条12通电，极大的提升了镀金工艺和检测工艺的效率，同时也节约了成本。
步骤b，结合图1所示，选取长度与针本体31的长度相同的绝缘膜2，将绝缘膜2贴合于金属片1的中部，并使绝缘膜2的长度方向与金属条12的长度方向一致。
在本实施例中，绝缘膜2通过机械手抓取并贴合在金属片1的中部，其中，具体的贴合方式与现有技术中的测试针3与绝缘膜2的贴合方式相同，在此不赘述。在绝缘膜2宽度方向的两侧部分别设有膜耳21，将绝缘膜2贴合在金属片1上时，两个膜耳21关于金属片1对称设置。通过设置膜耳21，不仅便于将绝缘膜2贴合在金属片1上，而且也便于拿取制备完成的测试片。
在本实施例中，金属片1长度方向的两端部关于绝缘膜2对称设置，使得制得的测试片的两端针头能够关于绝缘膜2对称，提升了测试片的检测精度。同时，绝缘膜2的中心线与金属片1的中心线相重合，绝缘膜2的宽度大于金属片1的宽度，或绝缘膜2的宽度等于金属片1的宽度。如此，能够避免位于测试片宽度方向的两侧的测试针3暴露于绝缘膜2之外，避免了安全隐患。
步骤c，结合图2所示，将金属片1长度方向上突出绝缘膜2的两端部向着远离绝缘膜2的方向弯折并形成两个弯折部13，两个弯折部13远离绝缘膜2的一端部为废料端14，根据标准测试片的尺寸确定废料端14的长度，随后切除废料端14即可。
其中，两个弯折部13的具体弯折角度、弯折尺寸以及废料端14的切除尺寸等参数均可根据现有技术中的测试片的具体要求灵活确定，本申请在此不做限定。
在本实施例中，两个弯折部13关于绝缘膜2对称设置，使得制得的测试片的两端针头能够关于绝缘膜2对称，提升了测试片的检测精度。
在本实施例中，在弯折部13上切除的废料端14的长度大于连接条15的宽度，能够避免制得的测试片上的多根测试针3通过残余的连接条15互相连接而影响每根测试针3的测试效果。
本实施例还提供了一种通过上述的制备方法制得的半导体测试器用测试片，该测试片上的多根测试针3的间距相等，有效的提升了测试片的检测精度。
具体的，结合图3所示，测试片包括绝缘膜2、设于绝缘膜2宽度方向的两侧的膜耳21，绝缘膜2上沿其宽度方向间隔设置有多根测试针3，多根测试针3之间的间距相等，每根测试针3均包括针本体31、两个分别设于针本体31两端的弯曲状的针头32，两个针头32突出所述绝缘膜2设置。
该测试片通过本申请的制备方法制得，能够确保多根测试针3之间的间距相等，有效的提升了测试片的测试精度。
本具体实施方式的实施例均为本发明的较佳实施例，并非依此限制本发明的保护范围，故：凡依本发明的结构、形状、原理所做的等效变化，均应涵盖于本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种半导体测试器用测试片的制备方法，用于制备标准测试片，所述标准测试片包括多根相互平行且间距相等的标准测试针，所述标准测试针包括标准针本体、两个分别设于所述标准针本体两端的弯曲状的标准针头，其特征在于：所述制备方法包括如下步骤：
步骤a，选取矩形的金属片(1)，在所述金属片(1)上沿其宽度方向切割出多条相互平行且槽宽相同的长槽(11)，每条长槽(11)宽度方向的两侧部分别形成宽度相同的金属条(12)，所述金属条(12)的长度大于所述标准测试针的长度；
其中，切割后的金属片(1)在其长度方向的两端部分别具有用于连接多根金属条(12)的连接条(15)，所述连接条(15)的长度方向与所述金属条(12)的长度方向相垂直；
步骤b，选取长度与所述标准针本体的长度相同的绝缘膜(2)，将所述绝缘膜(2)贴合于所述金属片(1)的中部，并使所述绝缘膜(2)的长度方向与所述金属条(12)的长度方向一致；
步骤c，将所述金属片(1)长度方向上突出所述绝缘膜(2)的两端部向着远离所述绝缘膜(2)的方向弯折并形成两个弯折部(13)，所述的两个弯折部(13)远离所述绝缘膜(2)的一端部为废料端(14)，根据所述标准测试片的尺寸确定所述废料端(14)的长度，随后切除所述废料端(14)即可。
2.根据权利要求1所述的半导体测试器用测试片的制备方法，其特征在于：在步骤c中，所述废料端(14)的长度大于所述连接条(15)的宽度。
3.根据权利要求1所述的半导体测试器用测试片的制备方法，其特征在于：步骤a还包括在所述连接条(15)上开设通孔(16)，所述通孔(16)用于连接外部电源并同步向所述的多根金属条(12)通电。
4.根据权利要求1所述的半导体测试器用测试片的制备方法，其特征在于：在步骤b中，所述金属片(1)长度方向的两端部关于所述绝缘膜(2)对称设置。
5.根据权利要求1所述的半导体测试器用测试片的制备方法，其特征在于：在步骤b中，所述绝缘膜(2)的中心线与所述金属片(1)的中心线相重合，所述绝缘膜(2)的宽度大于或等于所述金属片(1)的宽度。
6.根据权利要求5所述的半导体测试器用测试片的制备方法，其特征在于：在步骤b中，所述绝缘膜(2)宽度方向的两侧部分别设有膜耳(21)，将所述绝缘膜(2)贴合在所述金属片(1)上时，所述的两个膜耳(21)关于所述金属片(1)对称设置。
7.根据权利要求1所述的半导体测试器用测试片的制备方法，其特征在于：在步骤c中，所述的两个弯折部(13)关于所述绝缘膜(2)对称设置。
8.一种半导体测试器用测试片，其特征在于：所述测试片通过权利要求1-7中任一项权利要求所述的制备方法制得。
9.根据权利要求8所述的半导体测试器用测试片，其特征在于：所述测试片包括绝缘膜(2)、设于所述绝缘膜(2)宽度方向的两侧的膜耳(21)，所述绝缘膜(2)上沿其宽度方向间隔设置有多根测试针(3)，所述的多根测试针(3)之间的间距相等，每根测试针(3)均包括针本体(31)、两个分别设于所述针本体(31)两端的弯曲状的针头(32)，所述的两个针头(32)突出所述绝缘膜(2)设置。
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| 半导体表面电学特性微观四点探针测试技术研究进展;李建昌;王永;简晓慧;巴德纯;;真空(第01期);全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116990656A (zh) | 2023-11-03 |
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