CN116982123A - 透明导电性薄膜 - Google Patents

透明导电性薄膜 Download PDF

Info

Publication number
CN116982123A
CN116982123A CN202280020970.0A CN202280020970A CN116982123A CN 116982123 A CN116982123 A CN 116982123A CN 202280020970 A CN202280020970 A CN 202280020970A CN 116982123 A CN116982123 A CN 116982123A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transparent conductive
conductive layer
layer
crystalline
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202280020970.0A
Other languages
English (en)
Inventor
鸦田泰介
藤野望
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN116982123A publication Critical patent/CN116982123A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

透明导电性薄膜(1)朝向厚度方向的一侧依次具备基材(2)和结晶质透明导电层(3)。结晶质透明导电层(3)含有原子序数比氩大的稀有气体。结晶质透明导电层(3)的载流子密度为13.0×1020(/cm3)以上。

Description

透明导电性薄膜
技术领域
本发明涉及透明导电性薄膜。
背景技术
已知有在厚度方向的一侧依次具备基材、第1无机氧化物层、金属层和第2无机氧化物层的透明导电性薄膜(例如，参照下述专利文献1。)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平05-334924号公报
发明内容
发明要解决的问题
透明导电性薄膜有时在高温高湿下长期使用。在该情况下，也要求高的耐腐蚀性。
根据用途及目的，对透明导电性薄膜要求对红外线更高的反射率。
本发明提供耐腐蚀性优异、对红外线的反射率高的透明导电性薄膜。
用于解决问题的方案
本发明(1)包含一种透明导电性薄膜，其朝向厚度方向的一侧依次具备基材和结晶质透明导电层，前述结晶质透明导电层含有原子序数比氩大的稀有气体，前述结晶质透明导电层的载流子密度为13.0×1020(/cm3)以上。
该透明导电性薄膜不具备专利文献1中记载的金属层，而是具备结晶质透明导电层，因此耐腐蚀性优异。
另外，该透明导电性薄膜中，结晶质透明导电层的载流子密度高，为13.0×1020(/cm3)以上，因此能够有助于红外线的反射的载流子量多。因此，对红外线的反射率高。
本发明(2)包含(1)所述的透明导电性薄膜，其中，前述结晶质透明导电层为无机氧化物层。
发明的效果
本发明的透明导电性薄膜的耐腐蚀性优异，对红外线的反射率高。
附图说明
图1为本发明的透明导电性薄膜的一实施方式的截面图。
图2为比较例1的透明导电性薄膜的截面图。
具体实施方式
1.透明导电性薄膜1
参照图1对作为本发明的一实施方式的透明导电性薄膜1进行说明。该透明导电性薄膜1沿面方向延伸。面方向与厚度方向正交。
1.1透明导电性薄膜1的层构成
透明导电性薄膜1朝向厚度方向的一侧依次具备基材2和结晶质透明导电层3。即，该透明导电性薄膜1中，基材2和结晶质透明导电层3朝向厚度方向的一侧依次配置。本实施方式中，透明导电性薄膜1仅具备基材2和结晶质透明导电层3。
1.2基材2
本实施方式中，基材2形成厚度方向的透明导电性薄膜1的另一面。基材2使透明导电性薄膜1的机械强度提高。基材2沿面方向延伸。
1.2.2基材2的层构成
本实施方式中，基材2在厚度方向依次具备基材片21和功能层20。本实施方式中，功能层20为多层。功能层20与厚度方向的基材片21的一个面及另一面接触。功能层20优选具备光学调整层22和硬涂层23。本实施方式中，基材2优选朝向厚度方向的另一侧依次具备光学调整层22、基材片21和硬涂层23。
1.2.2.1基材片21
基材片21具有挠性。作为基材片21，例如，可举出树脂薄膜。树脂薄膜中的树脂没有限定。作为树脂，例如可举出聚酯树脂、丙烯酸类树脂、烯烃树脂、聚碳酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚芳酯树脂、三聚氰胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、纤维素树脂、聚苯乙烯树脂、及降冰片烯树脂。作为树脂，从透明性及机械强度的观点出发，优选可举出聚酯树脂。
作为聚酯树脂，例如，可举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、及聚萘二甲酸乙二醇酯，优选可举出PET。
基材片21的厚度优选为1μm以上、更优选为10μm以上、进一步优选为30μm以上。基材片21的厚度优选为300μm以下、更优选为200μm以下、进一步优选为150μm以下、尤其优选为100μm以下。基材片21的厚度相对于基材2的厚度的比例例如为80％以上，优选为95％以上，另外，例如为100％以下，优选为99％以下。
1.2.2.2光学调整层22
光学调整层22使得结晶质透明导电层3的图案形状不易被视觉辨识到。光学调整层22配置于厚度方向上的基材片21的一个面。光学调整层22与厚度方向上的基材片21的一个面接触。光学调整层22例如为包含固化性树脂的固化性组合物(第1固化性组合物)的固化物层。作为固化性树脂，例如，可举出丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯树脂、酰胺树脂、有机硅树脂、环氧树脂、及三聚氰胺树脂。本实施方式中，固化物层优选不含颗粒。光学调整层22的折射率例如为1.40以上，优选为1.55以上，另外，例如为1.80以下，优选为1.70以下。光学调整层22的厚度例如为5nm以上，优选为10nm以上，另外，例如为200nm以下，优选为100nm以下。光学调整层22的厚度相对于基材2的厚度的比例例如为0.01％以上，优选为0.1％以上，另外，例如，为2％以下，优选为1％以下。
1.2.2.3硬涂层23
硬涂层23在卷取透明导电性薄膜1来制作卷体时使得厚度方向的结晶质透明导电层3的一个面不易形成擦伤。硬涂层23配置于厚度方向的基材片21的另一面。硬涂层23与厚度方向的基材片21的另一面接触。硬涂层23例如为含有颗粒及固化性树脂的固化性组合物(第2固化性组合物)的固化物层。作为颗粒，例如，可举出氧化物颗粒、玻璃颗粒、及有机颗粒。作为氧化物颗粒，例如，可举出二氧化硅颗粒、氧化铝颗粒、二氧化钛颗粒、氧化锆颗粒、氧化钙颗粒、氧化锡颗粒、氧化铟颗粒、氧化镉颗粒、及氧化锑颗粒。作为有机颗粒的材料，例如，可举出聚甲基丙烯酸甲酯颗粒、聚苯乙烯颗粒、聚氨酯颗粒、丙烯酸类-苯乙烯共聚物颗粒、苯并胍胺颗粒、三聚氰胺颗粒、及聚碳酸酯颗粒。作为固化性树脂，可举出第1固化性组合物中包含的固化性树脂。硬涂层23的厚度例如为0.1μm以上，优选为0.5μm以上，另外，例如为10μm以下，优选为3μm以下。硬涂层23的厚度相对于基材2的厚度的比例例如为0.1％以上，优选为2％以上，另外，例如为10％以下，优选为5％以下。
功能层20的厚度例如为0.15μm以上，另外，例如为3.5μm以下。功能层20的厚度为光学调整层22及硬涂层23的合计厚度。功能层20的厚度相对于基材片21的厚度的比例例如为0.01以上，优选为0.02以上，另外，例如为0.10以下，优选为0.05以下。功能层20的厚度相对于基材2的厚度的比例例如为1％以上，优选为2％以上，另外，例如为10％以下，优选为5％以下。
1.2.3基材2的厚度
基材2的厚度例如为5μm以上，优选为10μm以上、更优选为25μm以上，另外，例如为500μm以下，优选为200μm以下、更优选为100μm以下。基材2的厚度为基材片21、光学调整层22及硬涂层23的总计厚度。
1.2.4基材2的物性
基材2的总透光率例如为75％以上，优选为80％以上、更优选为85％以上、进一步优选为90％以上。基材2的总透光率的上限没有限定。基材2的总透光率的上限例如为100％以下。基材2的总透光率基于JIS K 7375-2008来求出。以下的构件的总透光率基于与上述同样的方法求出。
基材2可以使用市售品。作为市售品，例如，可举出GF-50JBN(三菱化学株式会社制)。
1.3结晶质透明导电层3
本实施方式中，结晶质透明导电层3优选被称为红外线反射层(或红外线截止(cut)层)。红外线至少包含波长1500nm的光(电磁波)，具体而言，包含波长为800nm以上且1mm以下的光。
透明导电层的结晶质性例如通过如下来判断：将透明导电层在盐酸(20℃、浓度5质量％)中浸渍15分钟，接着，进行水洗及干燥后，对透明导电层的一个面测定15mm左右间的端子间电阻。在上述浸渍/水洗/干燥后的透明导电层中，15mm间的端子间电阻(2端子间电阻)为10kΩ以下的情况下，透明导电层为结晶质(即，结晶质透明导电层3)，另一方面，上述电阻超过10kΩ的情况下，透明导电层为非晶质(即，非晶质透明导电层31)。
本实施方式中，结晶质透明导电层3形成厚度方向上的透明导电性薄膜1的一个面。结晶质透明导电层3配置在厚度方向上的基材2的一个面。结晶质透明导电层3与厚度方向上的基材2的一个面接触。本实施方式中，结晶质透明导电层3与厚度方向上的光学调整层22(功能层20)的一个面接触。
1.3.1结晶质透明导电层3的载流子密度
结晶质透明导电层3的载流子密度为13.0×1020(/cm3)以上。
另一方面，如果结晶质透明导电层3的载流子密度不足13.0×1020(/cm3)，则结晶质透明导电层3中有助于红外线的反射的载流子量不充分。
因此，结晶质透明导电层3不会充分反射红外线，其结果，透明导电性薄膜1对红外线的反射率变低。
另一方面，本发明中，结晶质透明导电层3的载流子密度为13.0×1020(/cm3)以上，因此结晶质透明导电层3中有助于红外线的反射的载流子量充分。因此，结晶质透明导电层3充分反射红外线，其结果，透明导电性薄膜1对红外线的反射率变高。
结晶质透明导电层3的载流子密度优选为13.2×1020(/cm3)以上、更优选为14.0×1020(/cm3)以上、进一步优选为15.0×1020(/cm3)以上、尤其优选为16.0×1020(/cm3)以上、最优选为16.7×1020(/cm3)以上，进而17.0×1020(/cm3)以上、进而18.0×1020(/cm3)以上是适当的。
结晶质透明导电层3的载流子密度的上限没有限定。结晶质透明导电层3的载流子密度的上限例如为50.0×1020(/cm3)，进而为40.0×1020(/cm3)、进而为30.0×1020(/cm3)。
结晶质透明导电层3的载流子密度例如通过结晶质透明导电层3的形成方法及其条件来调整。通过反应性溅射形成结晶质透明导电层3的情况下，优选减小反应性气体的导入量、和/或使溅射气体包含原子序数比氩大的稀有气体。更优选减小反应性气体的导入量和使溅射气体包含原子序数比氩大的稀有气体。
结晶质透明导电层3的载流子密度使用霍尔效应测定系统来求出。
1.3.2结晶质透明导电层3的材料、厚度、其他物性
作为结晶质透明导电层3的材料，例如，可举出无机氧化物，优选可举出金属氧化物。金属氧化物包含选自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Nb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W组成的组中的至少1种金属。具体而言，作为结晶质透明导电层3的材料，优选可举出铟锌复合氧化物(IZO)、铟镓锌复合氧化物(IGZO)、铟镓复合氧化物(IGO)、铟锡复合氧化物(ITO)、及锑锡复合氧化物(ATO)，从提高耐裂纹性的观点出发，优选可举出铟锡复合氧化物(ITO)。
需要说明的是，铟锡复合氧化物中的氧化锡(SnO2)的含量例如为0.5质量％以上，优选为3质量％以上、更优选为6质量％以上，另外，例如不足50质量％，优选为25质量％以下、更优选为15质量％以下。
结晶质透明导电层3含有原子序数比氩大的稀有气体。本实施方式中，优选的是，结晶质透明导电层3含有原子序数比氩大的稀有气体，且不含有氩。
后述的第1工序中，溅射气体含有氩的情况下，大量氩进入至结晶质透明导电层3。与此相对，溅射气体含有原子序数比氩大的稀有气体且不含有氩的本实施方式中，结晶质透明导电层3抑制溅射气体的大量的进入。因此，结晶质透明导电层3变得致密，其结果，结晶质透明导电层3的载流子密度变高。
具体而言，结晶质透明导电层3为含有原子序数比氩大的稀有气体的无机氧化物(优选金属氧化物)。即，在无机氧化物(优选金属氧化物)中混入有原子序数比氩大的稀有气体的组合物为结晶质透明导电层3。结晶质透明导电层3优选不含金属的单质。
作为原子序数比氩大的稀有气体，例如，可举出氪、氙、及氡。这些可以单独或组合使用。作为原子序数比氩大的稀有气体，优选可举出氪及氙，从低价格和获得优异的电导性的观点出发，更优选可举出氪(Kr)。
稀有气体的鉴定方法没有限定。例如，可通过卢瑟福背散射分析(RutherfordBackscattering Spectrometry)、二次离子质谱法、激光共振电离质谱法和/或荧光X射线分析来鉴定结晶质透明导电层3中的原子序数比氩大的稀有气体。
结晶质透明导电层3中的原子序数比氩大的稀有气体的含有比例例如为0.0001atom％以上，优选为0.001atom％以上，另外，例如为1.0atom％以下，更优选为0.7atom％以下、进一步优选为0.5atom％以下、进一步优选为0.3atom％以下、特别优选为0.2atom％以下、最优选为0.15atom％以下。结晶质透明导电层3中的原子序数比氩大的稀有气体的含有比例为上述范围时，能够提高结晶质透明导电层3对红外线的反射率。
上述含量的下限为与利用荧光X射线分析装置能够确认原子序数比氩大的稀有气体的存在时对应的比例，至少为0.0001原子％以上。
结晶质透明导电层3的厚度例如为15nm以上，优选为35nm以上、更优选为50nm以上、进一步优选为75nm以上、进一步优选为100nm以上、尤其优选为120nm以上。结晶质透明导电层3的厚度例如为500nm以下，优选为300nm以下、更优选为200nm以下。
结晶质透明导电层3的总透光率例如为75％以上，优选为80％以上、更优选为85％以上、进一步优选为90％以上。结晶质透明导电层3的总透光率的上限没有限定。结晶质透明导电层3的总透光率的上限例如为100％。
结晶质透明导电层3的表面电阻例如为300Ω/□以下，优选为100Ω/□以下、更优选为14Ω/□以下、进一步优选为10.5Ω/□以下、尤其优选为10.1Ω/□以下、最优选为10.0Ω/□以下。结晶质透明导电层3的表面电阻例如为0.1Ω/□以上、优选为1Ω/□以上。电阻率通过四端子法来测定。
1.4透明导电性薄膜1对波长1500nm的光的反射率
透明导电性薄膜1对波长1500nm的光的反射率例如为40％以上，优选为45％以上、更优选为47％以上、进一步优选为50％以上、尤其优选为51％以上、最优选为52％以上。透明导电性薄膜1对波长1500nm的光的反射率为上述下限以上时，透明导电性薄膜1对红外线的遮光(截止)性优异，透明导电性薄膜1适合用作红外线屏蔽薄膜。
透明导电性薄膜1对波长1500nm的光的反射率的上限没有限定。透明导电性薄膜1对波长1500nm的光的反射率的上限例如为100％。
1.5透明导电性薄膜1的厚度、其他物性
透明导电性薄膜1的厚度例如为2μm以上，优选为20μm以上、更优选为30μm以上，另外，例如为300μm以下，优选为200μm以下、更优选为100μm以下。
透明导电性薄膜1的总透光率例如为75％以上，优选为80％以上，另外，例如为100％以下。
1.6透明导电性薄膜1的制造方法
该方法中，例如，通过卷对卷法分别配置各层。
1.6.1基材2的准备
首先，准备长条的基材2。具体而言，分别在长条的基材片21的一个面及另一面分别涂布第1固化性组合物及第2固化性组合物。其后，通过热或紫外线照射使第1固化性组合物及第2固化性组合物各自中的固化性树脂固化。由此，在基材片21的一个面及另一面分别形成光学调整层22及硬涂层23。由此，准备基材2。
1.6.2结晶质透明导电层3的形成
其后，在厚度方向上的基材2的一个面形成结晶质透明导电层3。具体而言，首先，在厚度方向上的基材2的一个面形成非晶质透明导电层31(参照图1中的带括号的标记)，其后，将非晶质透明导电层31转化为结晶质，形成结晶质透明导电层3。
1.6.2.1非晶质透明导电层31的形成
为了形成非晶质透明导电层31，例如，实施溅射，优选实施反应性溅射。
溅射中使用溅射装置。溅射装置具备成膜辊。
溅射(优选反应性溅射)中使用上述金属氧化物(的烧结体)作为靶。
溅射中使用溅射气体。作为溅射气体，可举出原子序数比氩大的稀有气体。作为原子序数比氩大的稀有气体，例如，可举出氪、氙、及氡，优选可举出氪(Kr)。溅射气体优选不含氩。
溅射气体优选与反应性气体混合。作为反应性气体，例如，可举出氧。反应性气体的导入量相对于溅射气体及反应性气体的总计导入量的比例例如为0.1流量％以上，优选为0.5流量％以上，另外，例如为5.0流量％以下，优选为3.5流量％以下、更优选为3.3流量％以下、进一步优选为3.1流量％以下、尤其优选为3.0流量％以下、最优选为2.9流量％以下。反应性气体的导入量相对于溅射气体及反应性气体的总计导入量的比例为上述上限以下时，能够提高结晶质透明导电层3的载流子密度，进而能够提高透明导电性薄膜1对红外线的反射率。
溅射装置内的气压例如为1.0Pa以下，另外，例如为0.01Pa以上。
由此，制造具备基材2和非晶质透明导电层31的层叠体。
1.6.2.2非晶质透明导电层31向结晶质的转化
其后，将非晶质透明导电层31转化为结晶质，形成结晶质透明导电层3。
为了将结晶质透明导电层3转化为结晶质，对结晶质透明导电层3(具备结晶质透明导电层3的层叠体)进行加热。
加热温度例如为80℃以上，优选为110℃以上、进一步优选为130℃以上、尤其优选为150℃以上，另外，例如为200℃以下，优选为180℃以下、更优选为175℃以下、进一步优选为170℃以下。加热时间例如为1分钟以上，优选为3分钟以上、更优选为5分钟以上，另外，例如为5小时以下，优选为3小时以下、更优选为2小时以下。
加热例如在真空下或在大气下实施。从进一步提高结晶质透明导电层3的载流子密度，进一步提高透明导电性薄膜1对红外线的反射性的观点出发，优选在真空下实施加热。
或者，也可以将具备结晶质透明导电层3的透明导电性薄膜1在大气下、在20℃以上且低于80℃的范围放置例如10小时以上、优选24小时以上，从而将结晶质透明导电层3转化为结晶质。
1.7透明导电性薄膜1的用途
透明导电性薄膜1例如用于物品。作为物品，可举出光学用的物品。详细而言，作为物品，例如，可举出接触式传感器、电磁波屏蔽、调光元件、光电变换元件、热线控制构件、透光性天线构件、透光性加热器构件、图像显示装置、及照明。
优选透明导电性薄膜1用作红外线反射薄膜(或红外线屏蔽(cut)薄膜)。
2.一实施方式的作用效果
该透明导电性薄膜1中，不具备专利文献1中记载的金属层，而是具备结晶质透明导电层3，因此耐腐蚀性优异。
另外，该透明导电性薄膜1中，结晶质透明导电层3的载流子密度高，为13.0×1020(/cm3)以上，因此能够有助于红外线的反射的载流子量多。
因此，透明导电性薄膜1对红外线的反射率高。
另外，该透明导电性薄膜1中，结晶质透明导电层3为无机氧化物层，不含金属的单质，因此耐腐蚀性优异。
3.变形例
以下的各变形例中，对与上述一实施方式同样的构件及工序标记同一参照符号，省略其详细的说明。另外，各变形例除了特别记载以外，可以发挥与一实施方式同样的作用效果。进而，可以将一实施方式及变形例适宜组合。
在变形例中，虽然未图示，但功能层20配置在厚度方向上的基材片21的一个面或另一面。功能层20可以为硬涂层及光学调整层中任1者。即，单个或多个功能层20配置在厚度方向上的基材片21的一个面和/或另一面。
实施例
以下，示出实施例，更具体地对本发明进行说明。需要说明的是，本发明不受实施例任何限定。另外，以下的记载中使用的配混比例(含有比例)、物性值、参数等的具体数值可以替换上述的“具体实施方式”中记载的与它们对应的配混比例(含有比例)、物性值、参数等该记载的上限(定义为“以下”、“不足”的数值)或下限(定义为“以上”、“超过”的数值)。
<实施例1>
准备长条的基材2。具体而言，准备具备由PET形成的基材片21、配置于厚度方向的基材2的一个面的光学调整层22、和配置于厚度方向的基材2的另一面的硬涂层23的厚度52μm的基材2(三菱化学株式会社制，品名：GF-50JBN)的卷体。
通过反应性溅射法在基材2的一个面形成厚度145nm的非晶质透明导电层31。在反应性溅射法中，将上述卷体设置于DC磁控溅射装置，边从卷体抽出基材2，边在基材2的一个面连续形成非晶质透明导电层31，制作朝向厚度方向的一侧依次具备基材2和非晶质透明导电层31的层叠体。
溅射的条件如下。作为靶，使用氧化铟与氧化锡的烧结体。烧结体中的氧化锡浓度为10质量％。使用DC电源，对靶施加电压。靶上的水平磁场强度设为90mT。另外，对成膜室内进行真空排气直到DC磁控溅射装置中的成膜室内的到达真空度为0.9×10-4Pa为止，对基材2实施脱气处理。其后，向成膜室内导入作为溅射气体的Kr和作为反应性气体的氧，将成膜室内的气压设为0.2Pa。导入至成膜室的氧导入量相对于Kr及氧的总计导入量的比例为约3.1流量％。
其后，将层叠体在大气下、160℃的热风烘箱下加热。由此，将非晶质透明导电层31转化为结晶质，形成结晶质透明导电层3。
由此，制造朝向厚度方向的一侧依次具备基材2和非晶质透明导电层31的透明导电性薄膜1。
<实施例2～实施例4和比较例1～比较例3>
与实施例1同样地操作，制造透明导电性薄膜1。其中，将溅射气体中的稀有气体的种类、氧导入量的比例、和/或加热时的气氛变更为表1所述。
具体而言，实施例2～实施例4中的“加热时的气氛”栏的“真空”是指，使层叠有非晶质透明导电层31的层叠体在不卷取成卷体的状态下、在真空下边与160℃的加热辊接触边进行输送。即，在溅射装置内、在真空下对非晶质透明导电层31进行加热。
如图2所示，比较例1中，使透明导电性薄膜1具备透明导电层32，透明导电层32在厚度方向的一侧依次具备第1无机氧化物层33、金属层34、和第2无机氧化物层35。透明导电层32的形成方法如下。
通过反应性溅射法在厚度方向上的基材2的一个面形成由ITO构成的厚度为40nm的第1无机氧化物层33。第1无机氧化物层33的形成方法与实施例1的非晶质透明导电层31的形成同样。其中，使用Ar作为溅射气体，将导入至成膜室的氧导入量相对于Ar及氧的总计导入量的比例变更为3.8流量％。
通过溅射在厚度方向上的第1无机氧化物层33的一个面上形成由Ag合金构成的厚度为8nm的金属层34。具体而言，在导入有Ar的气压0.4Pa的真空气氛中溅射Ag合金靶(Mitsubishi Materials Corporation制，产品编号“No.317”)。
通过反应性溅射法在厚度方向的金属层34的一个面形成由ITO构成的厚度为38nm的第2无机氧化物层35。第2无机氧化物层35的形成方法与实施例1的非晶质透明导电层31的形成同样。其中，使用Ar作为溅射气体，将导入至成膜室的氧导入量相对于Ar及氧的合计导入量的比例变更为3.8流量％。
透明导电层32中的第1无机氧化物层33及第2无机氧化物层35均为非晶质。
另外，比较例3中，未使非晶质透明导电层31转化为结晶质。
<评价>
针对各实施例及各比较例的透明导电性薄膜1评价下述的项目。
(1)透明导电层的载流子密度
使用霍尔效应测定系统(商品名“HL5500PC”，Bio-Rad公司制)测定透明导电层的载流子密度。
(2)透明导电性薄膜对1500nm的光的反射率
使用分光光度计U4100(日立制作所制)测定透明导电性薄膜1对波长1500nm的光的反射率。具体而言，在厚度方向上的透明导电性薄膜1的另一面贴合粘合层(日东电工株式会社制)，在厚度方向上的粘合面的另一面进一步贴合黑亚克力板，测定透明导电性薄膜1对波长1500nm的光的反射率。
(3)耐腐蚀性
将透明导电性薄膜1切出10cm×10cm的尺寸。其后，将透明导电性薄膜1投入到60℃、95％RH的高温高湿器中240小时。其后，观察厚度方向上的透明导电性薄膜1的一个面(结晶质透明导电层3的表面)的外观。具体而言，通过目视观察中央8cm×8cm的区域。基于以下的基准评价耐腐蚀性。
○：未观察到由腐蚀引起的白色的点状的坏点。即，坏点为0个。
△：观察到1个以上且4个以下的由腐蚀引起的白色的点状的坏点。
×：观察到5个以上的由腐蚀引起的白色的点状的坏点。
(4)透明导电层的表面电阻
依据JIS K7194(1994年)通过四端子法测定透明导电层的表面电阻。
(5)透明导电层中的Kr的确认
如下来确认透明导电层中的Kr的存在与否。
首先，使用扫描型荧光X射线分析装置(商品名“ZSX PrimusIV”，RigakuCorporation制)，在下述的测定条件下重复进行5次荧光X射线分析测定，算出各扫描角度的平均值，制作X射线光谱。然后，在制作的X射线光谱中，实施例1～实施例4及比较例3中，确认在扫描角度28.2°附近出现了峰。
另一方面，比较例1及2中，确认未出现上述峰。
<测定条件>
光谱；Kr-KA
测定直径：30mm
气氛：真空
靶：Rh
管电压：50kV
管电流：60mA
1次滤波器：Ni40
扫描角度(deg)：27.0～29.5
步长(deg)：0.020
速度(deg/分钟)：0.75
衰减器：1/1
狭缝：S2
分光晶体：LiF(200)
检测器：SC
PHA：100～300
(6)透明导电层中的Ar的确认
通过卢瑟福背散射分光法(RBS)，确认了实施例1～实施例4及比较例3各自的透明导电层均不含有Ar，以及比较例1及比较例2的透明导电层均含有Ar。
具体而言，将In+Sn(对于卢瑟福背散射分光法，由于难以将In和Sn分离测定，因此以2元素的合计的形式进行评价)、O、Ar这4种元素作为检测元素进行测定，确认有无Ar的存在。使用装置及测定条件如下。
<使用装置>
Pelletron 3SDH(National Electrostatics Corporation制)
<测定条件>
入射离子：4He++
入射能量：2300keV
入射角：0deg
散射角：160deg
试样电流：6nA
射束直径：
面内旋转：无
照射量：75μC
[表1]
需要说明的是，上述发明作为本发明的例示的实施方式而提供，但其不过为单纯的例示，并不作限定性的解释。对于本领域技术人员而言显而易见的本发明的变形例包含在前述权利要求书中。
产业上的可利用性
透明导电性薄膜用于光学用的物品。
附图标记说明
1 透明导电性薄膜
2 基材
3 结晶质透明导电层

Claims (2)

1.一种透明导电性薄膜，其朝向厚度方向的一侧依次具备基材和结晶质透明导电层，
所述结晶质透明导电层含有原子序数比氩大的稀有气体，
所述结晶质透明导电层的载流子密度为13.0×1020(/cm3)以上。
2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述结晶质透明导电层为无机氧化物层。
CN202280020970.0A 2021-09-17 2022-09-14 透明导电性薄膜 Pending CN116982123A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-152345 2021-09-17
JP2021152345 2021-09-17
PCT/JP2022/034347 WO2023042844A1 (ja) 2021-09-17 2022-09-14 透明導電性フィルム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116982123A true CN116982123A (zh) 2023-10-31

Family

ID=85602906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202280020970.0A Pending CN116982123A (zh) 2021-09-17 2022-09-14 透明导电性薄膜

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPWO2023042844A1 (zh)
KR (1) KR20240054221A (zh)
CN (1) CN116982123A (zh)
WO (1) WO2023042844A1 (zh)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05334924A (ja) * 1992-05-29 1993-12-17 Tonen Corp 透明導電薄膜の製造法
JP6159490B1 (ja) * 2015-09-30 2017-07-05 積水化学工業株式会社 光透過性導電フィルム、及び、アニール処理された光透過性導電フィルムの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20240054221A (ko) 2024-04-25
WO2023042844A1 (ja) 2023-03-23
JPWO2023042844A1 (zh) 2023-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN115280430B (zh) 透明导电层和透明导电性片
JP2024032742A (ja) 光透過性導電層および光透過性導電フィルム
JP7372995B2 (ja) 光透過性導電層積層体の製造方法および光透過性導電層積層体
CN116982123A (zh) 透明导电性薄膜
KR20220155285A (ko) 광투과성 도전막 및 투명 도전성 필름
CN117099169A (zh) 透明导电性薄膜
JP7389940B2 (ja) 透明導電層、透明導電性フィルムおよび物品
JP7488425B2 (ja) 透明導電性フィルムおよび物品
JP7213961B2 (ja) 透明導電性フィルムおよび透明導電性フィルムの製造方法
CN116348293B (zh) 层叠体
WO2021187576A1 (ja) 透明導電性フィルム
WO2022092190A2 (ja) 透明導電性フィルム、および透明導電性フィルムの製造方法
KR20220155280A (ko) 광투과성 도전막 및 투명 도전성 필름
KR20240019750A (ko) 투명 도전성 필름
KR20240058046A (ko) 투명 도전층 및 투명 도전성 필름
KR20240018403A (ko) 투명 도전성 필름
KR20220155279A (ko) 투명 도전성 필름의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication