CN116940159A - 一种电致发光器件、电致发光显示屏及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开一种电致发光器件、电致发光显示屏及其制备方法，属于电致发光技术领域。本申请的电致发光器件包括多层结构的器件功能层，器件功能层的其中两层之间还夹设有第一材料层，第一材料层的材料选自第一吸光材料，第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm。本申请能够通过第一材料层减弱器件功能层内经过空穴功能层的红光，以减弱这些红光对空穴功能层的影响，进而提升器件的性能及稳定性。

Description

一种电致发光器件、电致发光显示屏及其制备方法

技术领域

本申请涉及电致发光技术领域，具体涉及一种电致发光器件、电致发光显示屏及其制备方法。

背景技术

在量子点电致发光(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)器件/有机电激光显示(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)器件中，其发光层发光时，发射的光线会经过包括空穴功能层在内的器件功能层。同时，由于现有的空穴功能层的应用材料一般为具有强酸性的高分子材料(在光线(尤其是红光)的光催化作用下，其强酸性会进一步增强)。因而，当QLED器件/OLED器件在电制状态下，其发光层发射红光时，其直接经过空穴功能层的红光会对空穴功能层的应用材料具有一定程度的光催化作用，使得空穴功能层的应用材料的强酸性进一步增强，而腐蚀邻近的阳极，阳极的破坏又会加速水氧侵蚀空穴功能层的应用材料，使得空穴功能层的应用材料吸收水分后水解腐蚀邻近的阳极，最终导致界面缺陷和腐蚀物质向空穴功能层的应用材料中的扩散污染，进而影响器件的性能及稳定性。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种电致发光器件、电致发光显示屏及其制备方法，旨在改善器件的性能及稳定性。

本申请实施例是这样实现的，一种电致发光器件，包括多层结构的器件功能层，所述器件功能层的其中两层之间还夹设有第一材料层，所述第一材料层的材料选自第一吸光材料，所述第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一吸光材料为氧化钕或氟化镁。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述器件功能层包括层叠设置的阴极、发光层、空穴功能层以及阳极，所述第一材料层夹设于所述发光层与所述空穴功能层之间。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述空穴功能层的材料为PEDOT/PSS。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述器件功能层包括层叠设置的阴极、发光层、空穴功能层以及阳极，所述空穴功能层包括空穴传输层与空穴注入层，所述第一材料层夹设于所述空穴传输层与所述空穴注入层之间。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述空穴注入层的材料为PEDOT/PSS；和/或，所述空穴传输层的材料为TFB、PVK、poly-TPD、TCTA、CBP。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述阳极为金属氧化物电极或复合电极，所述金属氧化物电极选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO及AMO中的至少一种，所述复合电极为AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS或ZnS/Al/ZnS；和/或，所述发光层为有机发光层或量子点发光层，所述有机发光层的材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPA荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料及发红色光的DBP荧光材料中的至少一种，所述量子点发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnO、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、InSb、AlAs、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种；所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种，所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种；和/或，所述阴极选自Ag电极、Al电极、Au电极、Pt电极或合金电极的至少一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述电致发光器件还包括基板，所述基板包括功能区和位于功能区四周的非功能区，所述功能区设置有所述器件功能层，所述非功能区设置有所述第一材料层和/或，所述电致发光器件为发射红光的OLED器件或发射红光的QLED器件。

相应的，本申请实施例还提供一种电致发光器件的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：制备多层结构的器件功能层，所述器件功能层至少包括两层结构层；在制备所述两层结构层中的第一层与第二层的步骤之间，还包括制备第一材料层，所述第一材料层的材料选自第一吸光材料，所述第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一吸光材料为氧化钕或氟化镁；和/或，所述电致发光器件还包括基板，所述基板包括功能区和位于功能区四周的非功能区，所述器件功能层制备在所述基板的功能区，所述制备方法还包括以下步骤：在所述基板的非功能区制备所述第一材料层。

本申请还提供一种电致发光显示屏，包括红色像素点，所述红色像素点为电致发光器件，所述电致发光器件包括多层结构的器件功能层，所述器件功能层的其中两层之间还夹设有第一材料层，所述第一材料层的材料选自第一吸光材料。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述红色像素点的边缘亦设置有所述第一材料层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述红色像素点，所述红色像素点与相邻的像素点之间设置有像素界定层，所述第一材料层设置在所述像素界定层上邻近所述红色像素点的一侧。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一吸光材料为氧化钕或氟化镁。

可选的，在本申请的一些实施例中，还包括蓝色像素点，所述蓝色像素点的边缘设置有第二材料层，所述第二材料层的材料选自第二吸光材料，所述第二吸光材料的吸收波长范围为380nm～480nm；和/或，所述蓝色像素点为电致发光器件，所述电致发光器件包括多层结构的器件功能层，所述器件功能层的其中两层之间还夹设有第二材料层，所述第二材料层的材料选自第二吸光材料，所述第二吸光材料的吸收波长范围为380nm～480nm。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述蓝色像素点与相邻的像素点之间设置有像素界定层，当所述蓝色像素点的边缘设置有第二材料层时，所述第二材料层设置在所述像素界定层上邻近所述蓝色像素点的一侧；和/或，所述第二吸光材料选自邻羟基苯甲酸苯酯、2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并三唑以及二苯甲酮中的任意一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，还包括绿色像素点，所述绿色像素点的边缘设置有第三材料层，所述第三材料层的材料选自第三吸光材料，所述第三吸光材料的吸收波长范围为492nm～580nm。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述绿色像素点与相邻的像素点之间设置有像素界定层，所述第三材料层设置在所述像素界定层上邻近所述绿色像素点的一侧；和/或，所述第三吸光材料为视黄醛。

相应的，本申请实施例还提供一种电致发光显示屏的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，所述基板上设有像素区阵列，所述像素区阵列包括若干像素区；在所述像素区制备红色像素点，所述红色像素点为电致发光器件，所述电致发光器件包括多层结构的器件功能层，所述器件功能层的其中两层之间还夹设有第一材料层，所述第一材料层的材料选自第一吸光材料，所述第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm。

可选的，在本申请的一些实施例中，还包括以下步骤：在所述红色像素点的边缘制备所述第一材料层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述基板上还设有像素界定层，各所述像素区通过所述像素界定层隔开，所述在所述红色像素点的边缘制备所述第一材料层，包括：在邻近所述红色像素点的所述像素界定层上制备所述第一材料层，且所述第一材料层制备在所述像素界定层上邻近所述红色像素点的一侧。

可选的，在本申请的一些实施例中，还包括以下步骤：在所述像素区制备蓝色像素点，在所述蓝色像素点的边缘设置第二材料层，所述第二材料层的材料选自第二吸光材料，所述第二吸光材料的吸收波长范围为380nm～480nm；和/或，所述蓝色像素点为电致发光器件，所述电致发光器件包括多层结构的器件功能层，所述器件功能层的其中两层之间还夹设有第二材料层，所述第二材料层的材料选自第二吸光材料，所述第二吸光材料的吸收波长范围为380nm～480nm。

可选的，在本申请的一些实施例中，还包括以下步骤：在所述像素区制备绿色像素点，在所述绿色像素点的边缘设置第三材料层，所述第三材料层的材料选自第三吸光材料，所述第三吸光材料的吸收波长范围为492nm～580nm。

在本申请中，其电致发光器件包括多层结构的器件功能层，器件功能层的其中两层之间还夹设有第一材料层，第一材料层的材料选自第一吸光材料，第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm，涵盖了红光的波长范围，可在阻隔红光透过的同时，不影响其它波长范围的可见光的透过效果，即第一材料层具有很好的红光吸收性能的同时，不影响其它波长范围的可见光的透射率。藉此，本申请能够通过第一材料层减弱器件功能层内经过空穴功能层的红光，以减弱这些红光对空穴功能层的影响，进而提升器件的性能及稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的电致发光器件的一种结构示意图。

图2是本申请实施例提供的电致发光器件的另一种结构示意图。

图3是本申请实施例提供的电致发光器件的又一种结构示意图。

图4是本申请实施例提供的电致发光器件的制备方法的一种流程框图。

图5是图4所示电致发光器件的制备方法的另一种流程框图。

图6是本申请实施例提供的电致发光显示屏的局部结构示意图。

图7是本申请实施例提供的电致发光显示屏的制备方法的流程框图。

图8是图7所示电致发光显示屏的制备方法的另一种流程框图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”具体为附图中的图面方向。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本发明的各种实施例可以以一个范围的形式存在；应当理解，以一范围形式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所述范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。

在QLED器件/OLED器件中，其发光层发光时，发射的光线会经过包括空穴功能层在内的器件主体。同时，由于现有的空穴功能层的应用材料一般为具有强酸性的高分子材料(在光线(尤其是红光)的光催化作用下，其强酸性会进一步增强)。因而，当QLED器件/OLED器件在电制状态下，其发光层发射红光时，其直接经过空穴功能层的红光会对空穴功能层的应用材料具有一定程度的光催化作用，使得空穴功能层的应用材料的强酸性进一步增强，而腐蚀邻近的阳极，阳极的破坏又会加速水氧侵蚀空穴功能层的应用材料，使得空穴功能层的应用材料吸收水分后水解腐蚀邻近的阳极，最终导致界面缺陷和腐蚀物质向空穴功能层的应用材料中的扩散污染，进而影响器件的性能及稳定性。

基于此，有必要提供一种新的电致发光器件的结构解决方案，以改善红光对空穴功能层的影响，进而影响器件的性能及稳定性的技术问题。

在一个实施例中，如图1所示，本实施例提一种电致发光器件，该电致发光器件包括多层结构的器件功能层100，该器件功能层100的其中两层之间还夹设有第一材料层200，第一材料层200的材料选自第一吸光材料，第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm。

需要说明的是，图1仅为本实施例电致发光器件的各层布局的简单示意，而非该电致发光器件的实际结构。上述电致发光器件具体可为发射红光的OLED器件或发射红光的QLED器件，亦可以是其同类型进行电致发光的发射红光的器件。上述第一吸光材料具体可选自氧化钕或氟化镁，其吸收波长范围均为660nm～760nm，具有很好的红光吸收性能。

在一些示例中，上述第一材料层200的红光吸收率在2％～10％为佳，最好为2％～5％，而通过调整第一材料层200的厚度，可对其红光吸收率进行相应的调整。因而，上述第一材料层200的厚度具体可为2nm～5nm，其在有效减弱器件功能层100内红光对空穴功能层的影响的同时，提升器件的性能及稳定性的效果最佳。

这样一来，由于第一材料层200的材料选自第一吸光材料，第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm，涵盖了红光的波长范围，可在阻隔红光透过的同时，不影响其它波长范围的可见光的透过效果，即第一材料层200具有很好的红光吸收性能的同时，不影响其它波长范围的可见光的透射率。因而，本申请实施例能够通过第一材料层200减弱器件功能层100内经过空穴功能层的红光，以减弱这些红光对空穴功能层的影响，进而提升器件的性能及稳定性。

在一些示例中，如图1所示，上述器件功能层100具体可包括层叠设置的阴极110、发光层120、空穴功能层130以及阳极140，以实现本电致发光器件的基本发光功能。第一材料层200具体可夹设于发光层120与空穴功能层130之间，即上述提到的器件功能层100的其中两层具体可为发光层120与空穴功能层130，以通过第一材料层200更好地减弱器件功能层100内发光层120照射向空穴功能层130的红光，以减弱这些红光对空穴功能层130的影响，进而提升器件的性能及稳定性。

上述空穴功能层130的材料具体可为PEDOT(PEDOT是EDOT(3,4-乙烯二氧噻吩单体)的聚合物)/PSS(聚苯乙烯磺酸钠)，即为包含PEDOT与PSS两种聚合物的混合材料，其吸收峰较宽，最大吸收位于610nm左右，同时具有透明度高、热稳定好、表面粗糙度低、易沉积等优点，可在本电致发光器件中更好地实现其空穴功能。上述空穴功能层130具体可以是空穴注入层，以实现相应的空穴注入功能，亦可以具体是空穴传输层，以实现相应的空穴传输功能。虽然PEDOT/PSS是具有强酸性的高分子材料(在光线(尤其是红光)的光催化作用下，其强酸性会进一步增强)，但由于本实施例在发光层120与空穴功能层130之间夹设了上述第一材料层200，其可减弱器件功能层100内发光层120照射向空穴功能层130的红光，进而可减弱这些红光对空穴功能层130的影响(即红光对PEDOT/PSS的光催化作用)，因而，上述空穴功能层130的材料具体采用PEDOT/PSS时，可在不受发光层120的红光影响下，在本电致发光器件中更好地实现其空穴功能。

在一些示例中，如图2所示，上述空穴功能层130具体可包括空穴传输层131与空穴注入层132，此时，空穴注入层132的材料具体可为PEDOT/PSS，即为包含PEDOT与PSS两种聚合物的混合材料，其吸收峰较宽，最大吸收位于610nm左右，同时具有透明度高、热稳定好、表面粗糙度低、易沉积等优点，可在本电致发光器件中更好地实现其空穴注入功能。而空穴传输层131的材料选择，一是具有合格的最高被占据分子轨道能级(HOMO),二是较高的空穴迁移率，具体可为TFB、PVK、poly-TPD、TCTA、CBP中的任意一种。这样一来，上述器件主体内发光层120红光对空穴功能层130的影响主要体现在对空穴注入层132的影响，此时，上述夹设于发光层120与空穴功能层130之间的第一材料层200可改为夹设于空穴传输层131与空穴注入层132之间，即上述提到的器件功能层100的其中两层具体可为空穴传输层131与空穴注入层132，以通过第一材料层200更好地减弱器件功能层100内发光层120照射向空穴注入层132的红光，以减弱这些红光对空穴注入层132的影响，进而提升器件的性能及稳定性。

在一些示例中，如图1及图2所示，上述阳极140具体可为金属氧化物电极或复合电极，该金属氧化物电极选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO及AMO中的至少一种，该复合电极为AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS或ZnS/Al/ZnS。上述发光层120具体可为有机发光层或量子点发光层，有机发光层的材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPA荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料及发红色光的DBP荧光材料中的至少一种，量子点发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，单一结构量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnO、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、InSb、AlAs、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种；I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种，核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种。上述阴极110具体可选自Ag电极、Al电极、Au电极、Pt电极或合金电极的至少一种。

在一些示例中，如图2所示，上述器件功能层100还包括电子功能层150，电子功能层150夹设于阴极110与发光层120之间。上述电子功能层150的材料具体可为ZnO、ZnMgO、ZnMgLiO、ZnInO、ZrO、ZrO2、TiO2、TiO2、SnO2、Ta2O3、NiO、TiLiO、Alq3、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉中的至少一种，以在本电致发光器件中更好地实现其电子功能。电子功能层150具体可以是电子注入层，以实现相应的电子注入功能，亦可以具体是电子传输层，以实现相应的电子传输功能。除此之外，电子功能层150还可具体包括电子注入层与电子传输层，电子传输层所采用的材料与电子注入层所采用的材料可以相同，亦可以不相同，以分别实现相应的电子注入及电子传输功能。

在一些示例中，如图3所示，上述电致发光器件还包括基板300，基板300具体可包括功能区310和位于功能区310四周的非功能区320，功能区310设置有器件功能层100，非功能区320设置有第一材料层200。这是因为，从器件功能层100的结构上看，其外侧边缘(尤其是空穴功能层130的外侧边缘)易受水氧侵蚀。同时，基板300一般为玻璃基板，当QLED器件/OLED器件在电制状态下，其发光层120发射红光时，其照射到基板300上的红光，会由于非功能区320的漫反射作用而反射到器件功能层100的外侧边缘(尤其是空穴功能层130的外侧边缘)，进而对空穴功能层130的应用材料具有一定程度的光催化作用，使得空穴功能层130的应用材料的强酸性进一步增强，而腐蚀邻近的阳极140，阳极140的破坏又会加速水氧侵蚀空穴功能层130的应用材料，使得空穴功能层130的应用材料吸收水分后水解腐蚀邻近的阳极140，最终导致界面缺陷和腐蚀物质向空穴功能层130的应用材料中的扩散污染，进而影响器件的性能及稳定性。因而，通过在非功能区320设置有第一材料层200，其可通过该第一材料层200吸收经基板300的非功能区320漫反射作用产生的红光，以减弱这些红光对空穴功能层130的影响，进而提升器件的性能及稳定性。上述在非功能区320设置的第一材料层200的厚度具体可为5nm～10nm，其在有效吸收经基板300的非功能区320漫反射作用产生的红光的同时，提升器件的性能及稳定性的效果最佳。

另外，本实施例中的器件功能层100既可以是正置设置的，即阴极110、电子功能层150、发光层120、空穴功能层130以及阳极140依次层叠设置在基板300的功能区310；亦可以是倒置设置的，即阳极140、空穴功能层130、发光层120、电子功能层150以及阴极110依次层叠设置在基板300的功能区310。

在一个实施例中，如图4所示，本实施例提供一种电致发光器件的制备方法，该制备方法包括以下步骤：

步骤S110：制备多层结构的器件功能层，该器件功能层至少包括两层结构层。

具体的，本实施例的制备方法主要应用于上述实施例中电致发光器件的制备过程中，以图1的电致发光器件为例，多层结构的器件功能层100包括层叠设置的阴极110、发光层120、空穴功能层130以及阳极140，以实现本电致发光器件的基本发光功能。此时，该器件功能层100至少包括两层结构层，该两层结构层具体可以是发光层120与空穴功能层130。又以图2的电致发光器件为例，上述图1的空穴功能层130具体可包括空穴传输层131与空穴注入层132，此时，该器件功能层100至少包括两层结构层，该两层结构层具体可以是空穴传输层131与空穴注入层132。

步骤S120：在制备两层结构层中的第一层与第二层的步骤之间，还包括设置制备第一材料层，第一材料层的材料选自第一吸光材料，第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm。

具体地，基于上述以图1的电致发光器件为例，该两层结构层具体可以是发光层120与空穴功能层130。此时，在制备两层结构层中的第一层与第二层的步骤之间，还包括设置制备第一材料层，具体可以是将第一材料层200设置于发光层120与空穴功能层130之间，即在发光层120与空穴功能层130之间沉积一层第一吸光材料，第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm，形成图1所示的第一材料层200，该第一材料层200的厚度具体可为2nm～5nm，以通过第一材料层200更好地减弱器件功能层100内发光层120照射向空穴功能层130的红光，以减弱这些红光对空穴功能层130的影响，进而提升器件的性能及稳定性。

又以基于上述图2的电致发光器件为例，该两层结构层具体可以是空穴传输层131与空穴注入层132。此时，在制备两层结构层中的第一层与第二层的步骤之间，还包括设置制备第一材料层，具体可以是将第一材料层200设置于空穴传输层131与空穴注入层132之间，即在空穴传输层131与空穴注入层132之间沉积一层第一吸光材料，第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm，形成图2所示的第一材料层200，该第一材料层200的厚度具体可为2nm～5nm，以通过第一材料层200更好地减弱器件功能层100内发光层120照射向空穴注入层132的红光，以减弱这些红光对空穴注入层132的影响，进而提升器件的性能及稳定性。

在一些示例中，如图3所示，上述电致发光器件还包括基板300，基板300具体可包括功能区310与和位于功能区310四周的非功能区320，器件功能层100制备在基板300的功能区310，此时，如图5所示，该制备方法还可包括以下步骤：

步骤S130：在基板的非功能区制备第一材料层。

具体地，如图3所示，可在基板300的中间位置上划分出功能区310，以及在基板300的四周边缘划分出非功能区320。这里提到的基板300既可以是普通的玻璃基板，亦可以是ITO玻璃基板，由于ITO玻璃基板本身电镀有器件功能层100的ITO电极(可以是阴极110或阳极140)，故当基板300选择为ITO玻璃基板时，可直接将ITO电极所在位置对应划分为功能区310。

以图2的电致发光器件为例，在功能区310制备器件功能层100过程具体如下：(1)在功能区310制备阳极140(对于基板300选择为ITO玻璃基板时，ITO电极即为阳极140，故可省略这一制备置过程，此时，只需对ITO玻璃基板进行超声清理处理及紫外臭氧处理，以提高ITO玻璃基板的表面功函数)；(2)在阳极140上制备空穴注入层132(空穴注入层132的材料具体可为PEDOT/PSS，其具有透明度高、热稳定好、表面粗糙度低、易沉积等优点，具体设置过程可以是在阳极140上沉积PEDOT/PSS材料，并在140℃退火处理15min，得到空穴注入层132)；(3)在空穴注入层132上沉积一层第一吸光材料，第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm，形成图2所示的第一材料层200，该第一吸光材料具体可选自氧化钕或氟化镁，其具有很好的红光吸收性能；(4)在第一材料层200上制备空穴传输层131(具体设置过程可以是将器件整体转移至氮气手套箱中，在第一材料层200上以3000rad·min-1的速度旋涂TFB溶液，并在110℃退火处理30min，得到空穴传输层131)；(5)在空穴传输层131上制备发光层120(以发光层120为量子点发光层为例，具体设置过程可以是在氮气手套箱中，以3000rad·min-1的速度在空穴传输层131上旋涂CdZnSeS或ZnS材料的量子点溶液，并在70℃下退火30min，得到发光层230)；(5)在发光层120上制备电子功能层150(具体设置过程可以是在发光层120上沉积ZnO，退火，得到电子功能层150)；(6)在电子功能层150上制备阴极110(具体设置过程可以是在真空度为4*10-6的真空镀膜机中，在电子功能层150上蒸镀Au电极，蒸镀速率为Au电极厚度为100nm，Au电极即为阴极110)，以在功能区310上完成器件功能层100的制备。

上述在功能区310制备器件功能层100的举例说明以正置制备的方式进行相应说明，对于本领域技术人员而言，亦可采用倒置制备的方式将器件功能层100制备在功能区310，即阳极140、空穴注入层132、第一材料层200、空穴传输层131、发光层120、电子功能层150以及阴极110依次层叠制备在功能区310。此时，在该功能区310上制备器件功能层100的过程与上述制备过程相反，具体可为在功能区310上制备阴极110，在阴极110上制备电子功能层150，在电子功能层150上制备发光层120，在发光层120上制备空穴传输层131，在空穴传输层131上制备第一材料层200，在第一材料层200上制备空穴注入层132，在空穴注入层132上制备阳极140，以在功能区310上完成器件功能层100的设置。

如图3所示，在非功能区320制备第一材料层200，具体可以是，在非功能区320沉积一层第一吸光材料，第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm，以形成图3所示的第一材料层200，该第一材料层200的厚度具体可为5nm～10nm，以通过该第一材料层200吸收经基板300的非功能区320漫反射作用产生的红光，以减弱这些红光对空穴功能层130的影响，进而提升器件的性能及稳定性。

另外，为确保上述第一材料层200的红光吸收性能，上述第一吸光材料具体可选自氧化钕或氟化镁，第一吸光材料选自氧化钕时，氧化钕以3mg.Ml^-1的浓度溶于氯苯中。

这样一来，由于第一材料层200的材料选自第一吸光材料，第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm，涵盖了红光的波长范围，可在阻隔红光透过的同时，不影响其它波长范围的可见光的透过效果，即第一材料层200具有很好的红光吸收性能的同时，不影响其它波长范围的可见光的透射率。因而，本申请实施例制备出来的电致发光器件，能够通过第一材料层200减弱器件功能层100内经过空穴功能层130的红光以及吸收经基板300漫反射作用产生的红光，以减弱这些红光对空穴功能层130的影响，进而提升器件的性能及稳定性。

在一个实施例中，如图6所示，本实施例提供一种电致发光显示屏，包括红色像素点410，红色像素点410为电致发光器件，该电致发光器件包括多层结构的器件功能层，该器件功能层的其中两层之间还夹设有第一材料层，第一材料层的材料选自第一吸光材料，第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm。

需要说明的是，图6仅为本实施例电致发光显示屏局部的各像素点布局的简单示意，而非该电致发光显示屏的实际结构。上述提到电致发光显示屏具体可为OLED显示屏或QLED显示屏，亦可以是其同类型进行电致发光的显示屏。上述红色像素点410的其中两层之间还夹设有第一材料层的情形具体可参照上述实施例中图1所示的将第一材料层200设置于发光层120与空穴功能层130之间，该第一材料层200的厚度具体可为2nm～5nm，以通过该第一材料层200更好地减弱器件功能层100内发光层120照射向空穴功能层130的红光，以减弱这些红光对空穴功能层130的影响，进而提升器件的性能及稳定性。亦可参照上述实施例中图2所示的将第一材料层200设置于空穴传输层131与空穴注入层132之间，该第一材料层200的厚度具体可为2nm～5nm，以通过第一材料层200更好地减弱器件功能层100内发光层120照射向空穴注入层132的红光，以减弱这些红光对空穴注入层132的影响，进而提升器件的性能及稳定性。

在一些示例中，如图6所示，上述红色像素点410的边缘亦设置有第一材料层401，其情形有点类似于上述实施例中图3所示的非功能区320的表面上设置有第一材料层200，即本实施例中的第一材料层401的材料同样选自第一吸光材料，第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm。第一吸光材料具体选自氧化钕或氟化镁，其吸收波长范围均为660nm～760nm，具有很好的红光吸收性能。当第一材料层401设置于红色像素点410的边缘时，该第一材料层401的厚度具体可为5nm～10nm。

这样一来，由于第一材料层的材料选自第一吸光材料，第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm，涵盖了红光的波长范围，可在阻隔红光透过的同时，不影响其它波长范围的可见光的透过效果，即第一材料层具有很好的红光吸收性能的同时，不影响其它波长范围的可见光的透射率。因而，本申请实施例的电致发光显示屏，其红色像素点410发出红光时，能够通过第一材料层减弱红色像素点410的器件功能层内经过空穴功能层的红光以及吸收经基板漫反射作用产生的红光，以减弱这些红光对其空穴功能层的影响，进而提升红色像素点410的性能及稳定性，同时，电致发光显示屏亦可通过在红色像素点410边缘设置的第一材料层401对红光的吸收，来有效的抑制相邻颜色的影响，以避免红色像素点410在出光过程中出现溢光现象。

在一些示例中，如图6所示，红色像素点410与相邻的像素点之间设置有像素界定层40，红色像素点410的边缘设置有第一材料层401时，第一材料层401设置在像素界定层40上邻近红色像素点410的一侧。此时，可利用像素界定层40作为设置第一材料层401的载体，使得电致发光显示屏通过第一材料层401对红色像素点410边缘的红光的吸收，来有效的抑制相邻颜色的影响，以避免红色像素点410在出光过程中出现溢光现象。

在一些示例中，如图6所示，本电致发光显示屏具体还可包括蓝色像素点420，蓝色像素点420同样为电致发光器件，该电致发光器件包括多层结构的器件功能层，该器件功能层的其中两层之间还夹设有第二材料层，第二材料层的材料选自第二吸光材料，第二吸光材料的吸收波长范围为380nm～480nm(涵盖了蓝光的波长范围，可在阻隔蓝光透过的同时，不影响其它波长范围的可见光的透过效果，即第二材料层具有很好的蓝光吸收性能的同时，不影响其它波长范围的可见光的透射率)。这是因为，电致发光器件的电子功能层的应用材料一般为光敏感性材料，当其发光层发射蓝光时，其直接经过电子功能层的蓝光会对电子传输层的应用材料具有一定程度的光催化作用，容易造成该应用材料配体脱落而导致发光层淬灭，进而影响器件的性能及稳定性。为改善蓝光对电子功能层的影响，上述在器件功能层的其中两层之间还夹设有第二材料层，具体可以是在其电子功能层与发光层之间夹设该第二材料层，以通过第二材料层减弱器件主体功能层内发光层照射向电子功能层的蓝光，来减弱这些蓝光对电子功能层的影响，进而提升器件的性能及稳定性。

在一些示例中，上述第二材料层的蓝光吸收率在2％～10％为佳，最好为2％～5％，而通过调整第二材料层的厚度，可对其蓝光吸收率进行相应的调整。因而，上述第二材料层的厚度具体可为2nm～5nm，其在有效减弱器件功能层内蓝光对电子功能层的影响的同时，提升器件的性能及稳定性的效果最佳。

在一些示例中，上述蓝色像素点420的边缘亦可设置有第二材料层402，第二材料层402的材料同样选自第二吸光材料，第二吸光材料的吸收波长范围为380nm～480nm，涵盖了蓝光的波长范围，可在阻隔蓝光透过的同时，不影响其它波长范围的可见光的透过效果，即第二材料层402具有很好的蓝光吸收性能的同时，不影响其它波长范围的可见光的透射率。这样一来，电致发光显示屏亦可通过第二材料层402对蓝色像素点420边缘的蓝光的吸收，来有效的抑制相邻颜色的影响，以避免蓝色像素点420在出光过程中出现溢光现象。

在一些示例中，如图6所示，本电致发光显示屏具体还可包括绿色像素点430，绿色像素点430的边缘设置有第三材料层403，第三材料层403的材料选自第三吸光材料，第三吸光材料的吸收波长范围为492nm～580nm，涵盖了绿光的波长范围，可在阻隔绿光透过的同时，不影响其它波长范围的可见光的透过效果，即第三材料层403具有很好的绿光吸收性能的同时，不影响其它波长范围的可见光的透射率。同样的，上述第三材料层403的绿光吸收率在2％～10％为佳，最好为2％～5％，而通过调整第三材料层403的厚度，可对其绿光吸收率进行相应的调整。这样一来，电致发光显示屏亦可通过第三材料层403对绿色像素点430边缘的绿光的吸收，来有效的抑制相邻颜色的影响，以避免绿色像素点430在出光过程中出现溢光现象。

在一些示例中，如图5所示，蓝色像素点420与相邻的像素点之间亦设置有像素界定层40，第二材料层402设置在像素界定层40上邻近蓝色像素点420的一侧。绿色像素点430与相邻的像素点之间亦设置有像素界定层40，第三材料层403设置在像素界定层40上邻近绿色像素点430的一侧。这样一来，本申请实施例的电致发光显示屏通过在相邻像素点间加入相应的材料层来吸收相邻像素点发出的相应颜色光，消除溢光现象，可有效防止不同颜色像素间的颜色串扰，提高整体屏幕画面的锐度。

上述第二吸光材料具体可选自邻羟基苯甲酸苯酯、2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并三唑以及二苯甲酮中的任意一种，上述第三吸光材料具体可选自视黄醛。上述像素界定层40上设置的第一材料层401、第二材料层402以及第三材料层403，其厚度均具体可为5nm～10nm。同时本申请实施例设置材料层来吸收相邻像素点的颜色光时，采用不同颜色的像素点的边缘分别设置不同的材料层来吸收相邻像素点发出的相应颜色光的形式，对于本领域技术人员而言，亦可采用以下方案替代，将第一材料层401、第二材料层402以及第三材料层403的材料三者混合后再设置在每一像素界定层40上，或在每一像素界定层40上设置碳纳米管黑体，亦可同样消除上述溢光现象，有效防止不同颜色像素间的颜色串扰，提高整体屏幕画面的锐度。

在一个实施例中，如图7所示，本实施例提供一种电致发光显示屏的制备方法，该制备方法具体包括以下步骤：

步骤S210：提供一基板，该基板上设有像素区阵列，该像素区阵列包括若干像素区。

具体地，本实施例的制备方法主要应用于上述实施例中图5所示的电致发光显示屏的制备过程中。如图5所示，提供一基板，该基板上设有像素区阵列，具体可以是在基板上形成像素区阵列，具体过程如下：在基板上制备导电薄膜，然后通过构图工艺在基板上形成与若干电极，一电极所在区域为一像素区，以形成像素区阵列。其中，基板具体可为具有TFT阵列的基板，此时，形成的若干电极与TFT阵列漏极相连。上述电极具体可以是阳极，以便后续在像素区制备像素点时，对应上述实施例中器件功能层的正置制备方式。上述电极具体亦可以是阴极，以便在像素区制备像素点时，对应上述实施例中器件功能层的倒置制备方式。

步骤S220：在像素区制备红色像素点，该红色像素点为电致发光器件，该电致发光器件包括多层结构的器件功能层，该器件功能层的其中两层之间还夹设有第一材料层，第一材料层的材料选自第一吸光材料，第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm。

具体地，如图6所示，在像素区制备红色像素点410，红色像素点410的结构可参照图1或图2所示，除了阳极(以通过上述方法步骤制得)及阴极外，器件功能层的其余中间各层均可通过印刷工艺在相应的像素区中依次沉积而成，最后，再通过在中间各功能层顶部设置导电薄膜形成各器件功能层的阴极或阳极。

上述器件功能层的其中两层之间还夹设有第一材料层的情形具体可参照上述实施例中图1所示的将第一材料层200制备在发光层120与空穴功能层130之间，即在发光层120与空穴功能层130之间沉积一层第一吸光材料，第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm，形成图1所示的第一材料层200，该第一材料层200的厚度具体可为2nm～5nm，以通过该第一材料层200更好地减弱器件功能层100内发光层120照射向空穴功能层130的红光，以减弱这些红光对空穴功能层130的影响，进而提升器件的性能及稳定性。亦可参照上述实施例中图2所示的将第一材料层200制备在空穴传输层131与空穴注入层132之间，即在空穴传输层131与空穴注入层132之间沉积一层第一吸光材料，第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm，形成图2所示的第一材料层200，该第一材料层200的厚度具体可为2nm～5nm，以通过第一材料层200更好地减弱器件功能层100内发光层120照射向空穴注入层132的红光，以减弱这些红光对空穴注入层132的影响，进而提升器件的性能及稳定性。

在一些示例中，如图8所示，该制备方法还可包括以下步骤：

步骤S230：在红色像素点的边缘制备第一材料层。

具体地，如图6所示，为便于后续在像素点之间形成隔离，及便于在像素点边缘制备相应的材料层来吸收相应颜色光，在上述方法步骤形成像素区阵列之后，还包括：在基板上形成像素界定层阵列，像素界定层阵列包括若干像素界定层40，两两像素区之间形成有一像素界定层40。其中，在基板上形成像素界定层阵列的具体过程如下：先在基板上涂布一层含有黑色染料的负性光刻胶，然后通过构图工艺在两两相邻的电极之间形成一像素坑后，再在基板上涂布一层含有黑色染料的正性光刻胶，然后通过构图工艺在所有像素坑上各形成一像素界定层40，以形成像素界定层阵列。另外，该基板上设有像素区阵列亦可以是直接制备像素界定层40从而形成了相应的像素区阵列。

此时，在红色像素点410的边缘制备第一材料层401，具体过程如下：在邻近红色像素点410的像素界定层40上制备第一材料层401，且第一材料层401设置在像素界定层40上邻近红色像素点410的一侧。

这样一来，由于第一材料层的材料选自第一吸光材料，第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm，涵盖了红光的波长范围，可在阻隔红光透过的同时，不影响其它波长范围的可见光的透过效果，即第一材料层具有很好的红光吸收性能的同时，不影响其它波长范围的可见光的透射率。因而，本申请实施例制备出来的电致发光显示屏，其红色像素点410发出红光时，能够通过第一材料层减弱红色像素点410的器件功能层内经过空穴功能层的红光和/或吸收经基板漫反射作用产生的红光，以减弱这些红光对其空穴功能层的影响，进而提升红色像素点410的性能及稳定性，同时，电致发光显示屏亦可通过在红色像素点410边缘设置的第一材料层401对红光的吸收，来有效的抑制相邻颜色的影响，以避免红色像素点410在出光过程中出现溢光现象。

另外，如图6所示，电致发光显示屏除了包括红色像素点410外，还可包括蓝色像素点420，因而，上述制备方法除了可在一些像素区制备红色像素点410外，还可在一些像素区制备蓝色像素点420，即还可包括以下过程：在像素区制备蓝色像素点420，蓝色像素点420同样为电致发光器件，该电致发光器件包括多层结构的器件功能层，该器件功能层的其中两层之间还夹设有第二材料层，第二材料层的材料选自蓝光吸收材料。同时，如上面实施例所言，该第二材料层具体制备在电子功能层与发光层之间，以通过第二材料层减弱器件主体功能层内发光层照射向电子功能层的蓝光，来减弱这些蓝光对电子功能层的影响，进而提升器件的性能及稳定性。

同样的，如图6所示，电致发光显示屏除了包括红色像素点410外，还可包括绿色像素点430，因而，上述制备方法除了可在一些像素区制备红色像素点410外，还可在一些像素区制备绿色像素点430，即还可包括以下过程：在像素区制备绿色像素点430，该绿色像素点430同样为电致发光器件，该电致发光器件包括多层结构的器件功能层。

在一些示例中，除了在红色像素点410的边缘设置第一材料层401外，还可在蓝色像素点420的边缘设置第二材料层402，及在绿色像素点430的边缘设置第三材料层403。具体可以是，在邻近蓝色像素点420的像素界定层40上设置第二材料层402，且第二材料层402设置在像素界定层40上邻近蓝色像素点420的一侧。在邻近绿色像素点430的像素界定层40上设置第三材料层403，且第三材料层403设置在像素界定层40上邻近绿色像素点430的一侧，第二材料层402的材料选自第二吸光材料，第二吸光材料的吸收波长范围为380nm～480nm(涵盖了蓝光的波长范围，可在阻隔蓝光透过的同时，不影响其它波长范围的可见光的透过效果，即第二材料层402具有很好的蓝光吸收性能的同时，不影响其它波长范围的可见光的透射率)。第三材料层403的材料选自第三吸光材料，第三吸光材料的吸收波长范围为492nm～580nm(涵盖了绿光的波长范围，可在阻隔绿光透过的同时，不影响其它波长范围的可见光的透过效果，即第三材料层403具有很好的绿光吸收性能的同时，不影响其它波长范围的可见光的透射率)。这样一来，最终制得的电致发光显示屏亦可通过第二材料层402对蓝色像素点420边缘的蓝光的吸收，以及第三材料层403对绿色像素点430边缘的绿光的吸收来有效的抑制相邻颜色的影响，以避免蓝色像素点420与绿色像素点430在出光过程中出现溢光现象。

上述第二吸光材料具体可选自邻羟基苯甲酸苯酯、2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并三唑以及二苯甲酮中的任意一种，上述第三吸光材料具体可选自视黄醛。上述像素界定层40上设置的第一材料层401、第二材料层402以及第三材料层403，其厚度均具体可为5nm～10nm。同时本申请实施例设置材料层来吸收相邻像素点的颜色光时，采用不同颜色的像素点的边缘分别设置不同的材料层来吸收相邻像素点发出的相应颜色光的形式，对于本领域技术人员而言，亦可采用以下方案替代，将第一材料层401、第二材料层402以及第三材料层403的材料三者混合后再设置在每一像素界定层40上，或在每一像素界定层40上设置碳纳米管黑体，亦可同样消除上述溢光现象，有效防止不同颜色像素间的颜色串扰，提高整体屏幕画面的锐度。

以上对本申请实施例所提供的电致发光器件、电致发光显示屏及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (23)

1.一种电致发光器件，其特征在于，包括多层结构的器件功能层，所述器件功能层的其中两层之间还夹设有第一材料层，所述第一材料层的材料选自第一吸光材料，所述第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm。

2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述第一吸光材料为氧化钕或氟化镁。

3.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述器件功能层包括层叠设置的阴极、发光层、空穴功能层以及阳极，所述第一材料层夹设于所述发光层与所述空穴功能层之间。

4.根据权利要求3所述的电致发光器件，其特征在于，所述空穴功能层的材料为PEDOT/PSS。

5.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述器件功能层包括层叠设置的阴极、发光层、空穴功能层以及阳极，所述空穴功能层包括层叠的空穴传输层与空穴注入层，所述第一材料层夹设于所述空穴传输层与所述空穴注入层之间。

6.根据权利要求5所述的电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料为PEDOT/PSS；

和/或，所述空穴传输层的材料为TFB、PVK、poly-TPD、TCTA、CBP。

7.根据权利要求3或5所述的电致发光器件，其特征在于，所述阳极为金属氧化物电极或复合电极，所述金属氧化物电极选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO及AMO中的至少一种，所述复合电极为AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS或ZnS/Al/ZnS；

和/或，所述发光层为有机发光层或量子点发光层，所述有机发光层的材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPA荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料及发红色光的DBP荧光材料中的至少一种，所述量子点发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnO、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、InSb、AlAs、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种；所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种，所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种；

和/或，所述阴极选自Ag电极、Al电极、Au电极、Pt电极或合金电极的至少一种。

8.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件还包括基板，所述基板包括功能区和位于功能区四周的非功能区，所述功能区设置有所述器件功能层，所述非功能区设置有所述第一材料层；

和/或，所述电致发光器件为发射红光的OLED器件或发射红光的QLED器件。

9.一种电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

制备多层结构的器件功能层，所述器件功能层至少包括两层结构层；

在制备所述两层结构层中的第一层与第二层的步骤之间，还包括制备第一材料层，所述第一材料层的材料选自第一吸光材料，所述第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第一吸光材料为氧化钕或氟化镁；

和/或，所述电致发光器件还包括基板，所述基板包括功能区和位于功能区四周的非功能区，所述器件功能层制备在所述基板的功能区，所述制备方法还包括以下步骤：在所述基板的非功能区制备所述第一材料层。

11.一种电致发光显示屏，其特征在于，包括红色像素点，所述红色像素点为电致发光器件，所述电致发光器件包括多层结构的器件功能层，所述器件功能层的其中两层之间还夹设有第一材料层，所述第一材料层的材料选自第一吸光材料，所述第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm。

12.根据权利要求11所述的电致发光显示屏，其特征在于，所述红色像素点的边缘亦设置有所述第一材料层。

13.根据权利要求12所述的电致发光显示屏，其特征在于，所述红色像素点与相邻的像素点之间设置有像素界定层，所述第一材料层设置在所述像素界定层上邻近所述红色像素点的一侧。

14.根据权利要求11～13任一项所述的电致发光显示屏，其特征在于，所述第一吸光材料为氧化钕或氟化镁。

15.根据权利要求11所述的电致发光显示屏，其特征在于，还包括蓝色像素点，

所述蓝色像素点的边缘设置有第二材料层，所述第二材料层的材料选自第二吸光材料，所述第二吸光材料的吸收波长范围为380nm～480nm；和/或，

所述蓝色像素点为电致发光器件，所述电致发光器件包括多层结构的器件功能层，所述器件功能层的其中两层之间还夹设有第二材料层，所述第二材料层的材料选自第二吸光材料，所述第二吸光材料的吸收波长范围为380nm～480nm。

16.根据权利要求15所述的电致发光显示屏，其特征在于，所述蓝色像素点与相邻的像素点之间设置有像素界定层，当所述蓝色像素点的边缘设置有第二材料层时，所述第二材料层设置在所述像素界定层上邻近所述蓝色像素点的一侧；

和/或，所述第二吸光材料选自邻羟基苯甲酸苯酯、2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并三唑以及二苯甲酮中的任意一种。

17.根据权利要求11所述的电致发光显示屏，其特征在于，还包括绿色像素点，所述绿色像素点的边缘设置有第三材料层，所述第三材料层的材料选自第三吸光材料，所述第三吸光材料的吸收波长范围为492nm～580nm。

18.根据权利要求17所述的电致发光显示屏，其特征在于，所述绿色像素点与相邻的像素点之间设置有像素界定层，所述第三材料层设置在所述像素界定层上邻近所述绿色像素点的一侧；

和/或，所述第三吸光材料为视黄醛。

19.一种电致发光显示屏的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板，所述基板上设有像素区阵列，所述像素区阵列包括若干像素区；

在所述像素区制备红色像素点，所述红色像素点为电致发光器件，所述电致发光器件包括多层结构的器件功能层，所述器件功能层的其中两层之间还夹设有第一材料层，所述第一材料层的材料选自第一吸光材料，所述第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm。

20.根据权利要求19所述的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在所述红色像素点的边缘制备所述第一材料层。

21.根据权利要求20所述的制备方法，其特征在于，所述基板上还设有像素界定层，各所述像素区通过所述像素界定层隔开，

所述在所述红色像素点的边缘制备所述第一材料层，包括：

在邻近所述红色像素点的所述像素界定层上制备所述第一材料层，且所述第一材料层制备在所述像素界定层上邻近所述红色像素点的一侧。

22.根据权利要求19～21任一项所述的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在所述像素区制备蓝色像素点，

在所述蓝色像素点的边缘设置第二材料层，所述第二材料层的材料选自第二吸光材料，所述第二吸光材料的吸收波长范围为380nm～480nm；和/或，

所述蓝色像素点为电致发光器件，所述电致发光器件包括多层结构的器件功能层，所述器件功能层的其中两层之间还夹设有第二材料层，所述第二材料层的材料选自第二吸光材料，所述第二吸光材料的吸收波长范围为380nm～480nm。

23.根据权利要求19～21任一项所述的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：在所述像素区制备绿色像素点，在所述绿色像素点的边缘设置第三材料层，所述第三材料层的材料选自第三吸光材料，所述第三吸光材料的吸收波长范围为492nm～580nm。