CN116490823A - 发光元件的制造方法、发光元件 - Google Patents

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Abstract

一种发光元件的制造方法，包括:涂布包含第一量子点的第一量子点溶液来形成第一发光层的第一发光层形成工序；在所述第一发光层上涂布第一感光性树脂组合物来形成第一抗蚀层的第一抗蚀层形成工序；以规定的图案对所述第一抗蚀层进行曝光的曝光工序；以及用显影液对所述第一抗蚀层进行显影来形成图案化的第一抗蚀层，以所述图案化的第一抗蚀层作为掩模，利用处理液对所述第一发光层进行处理来形成图案化的第一发光层的图案化形成工序。

Description

发光元件的制造方法、发光元件
技术领域
本公开涉及发光元件的制造方法、发光元件。
背景技术
例如，在专利文献1中公开了对量子点层进行图案化的方法。更具体而言，在形成于基板上的量子点层上形成光致抗蚀层后，进行曝光、显影，使光致抗蚀层图案化，将该图案化的光致抗蚀层作为掩模，通过蚀刻等对量子点层进行图案化。然后，被图案化的上述光致抗蚀层最终被剥离。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：
美国专利申请公开第2017/0254934号说明书
发明内容
发明要解决的问题
然而，在对专利文献1记载的量子点层进行图案化的情况下，剥离光致抗蚀层的工序等工序数变多，并且有可能在先形成的层产生损伤。本公开的主要目的例如提供能够更简便地形成包含量子点的量子点层的发光元件的制造方法。
用于解决问题的方案
本公开中一方式的发光元件的制造方法包括:涂布包含第一量子点的第一量子点溶液来形成第一发光层的第一发光层形成工序；在所述第一发光层上涂布第一感光性树脂组合物来形成第一抗蚀层的第一抗蚀层形成工序；以规定的图案对所述第一抗蚀层进行曝光的曝光工序；以及用显影液对所述第一抗蚀层进行显影来形成图案化的第一抗蚀层，以所述图案化的第一抗蚀层作为掩模，利用处理液对所述第一发光层进行处理来形成图案化的第一发光层的图案化形成工序。
本公开中另一方式的发光元件的制造方法，包括:剥离用抗蚀层形成工序，其涂布正型感光性树脂组合物形成剥离用抗蚀层；剥离用曝光工序，其以规定的图案对所述剥离用抗蚀层进行曝光；剥离用图案化形成工序，其对所述剥离用抗蚀层进行显影来形成图案化的剥离用抗蚀层；第一发光层形成工序，其在所述图案化的剥离用抗蚀层上涂布包含第一量子点的第一量子点溶液来形成第一发光层；第一抗蚀层形成工序，其在所述第一发光层上涂布负型感光性树脂组合物来形成第一抗蚀层；以及图案化形成工序，其在对整个面进行曝光的全面曝光后，用显影液对所述图案化的剥离用抗蚀层进行处理，由此将在所述图案化的剥离用抗蚀层上形成的所述第一发光层和所述第一抗蚀层剥离，将所述第一发光层和所述第一抗蚀层图案化。
本公开的一方式的发光元件包括:图案化的第一发光层，其包含第一量子点；以及抗蚀层，其由包含功能性材料的感光性树脂组合物的固化物形成，层叠于所述图案化的第一发光层的各个上。
附图说明
图1是示意性示出第一实施方式所涉及的发光元件的层叠构成的一个示例的图。
图2A是用于说明第一实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一例的工序的图。
图2B是用于说明第一实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一例的工序的图。
图2C是用于说明第一实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一例的工序的图。
图2D是用于说明第一实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一例的工序的图。
图2E是用于说明第一实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一例的工序的图。
图2F是用于说明第一实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一例的工序的图。
图2G是用于说明第一实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一例的工序的图。
图2H是用于说明第一实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一例的工序的图。
图2I是用于说明第一实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一例的工序的图。
图2J是用于说明第一实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一例的工序的图。
图3是用于说明第一实施方式所涉及的发光元件的制造方法的变形例的图。
图4A是用于说明第二实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一例的工序的图。
图4B是用于说明第二实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一例的工序的图。
图4C是用于说明第二实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一例的工序的图。
图4D是用于说明第二实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一例的工序的图。
图4E是用于说明第二实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一例的工序的图。
图4F是用于说明第二实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一例的工序的图。
图4G是用于说明第二实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一例的工序的图。
图4H是用于说明第二实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一例的工序的图。
图4I是示意性示出第二实施方式所涉及的发光元件的层叠构成的一个示例的图。
具体实施方式
以下，对实施本发明的优选方式的一例进行说明。但是，下述的实施方式仅为例示。本发明并不限定于下述的实施方式。
(第一实施方式)
图1是示意性示出本实施方式所涉及的发光元件100A的层叠构成的一个示例的图。
发光元件100A是出射光的装置。发光元件100A例如可以是出射白色光等光的照明装置(例如，背光源等)，可以是通过出射光显示图像(例如，文字信息等。)的显示装置。在本实施方式中，对发光元件100A是显示装置中的一个像素的示例进行说明。例如，能够通过将多个像素排列成矩阵状而构成显示装置。
如图1所示，发光元件100A包括例如发出红色光的第一发光元件10R、发出绿色光的第二发光元件10G、发出蓝色光的第三发光元件10B。第一发光元件10R的发光中心波长为第一波长，例如以约630nm发光。第二发光元件10G的发光中心波长为比第一波长短的第二波长，例如以约530nm发光。第三发光元件10B的发光中心波长为比第二波长短的第三波长，例如以约440nm发光。
第一发光元件10R具有在基板1上依次层叠有第一电极2R、第一电荷传输层4、第一发光层5R、第一抗蚀层6R、第二电荷传输层7、第二电极8的构成。
基板1例如由玻璃等构成，作为支撑上述各层的支撑体而起作用。基板1例如可以是形成有薄膜晶体管(TFT)等的阵列基板。
第一电极2R配置在基板1上。第一电极例如向第一发光层5R供给第一电荷。
第一电荷传输层4配置在第一电极2R上。第一电荷传输层4将从第一电极2R注入的第一电荷传输至第一发光层5R。另外，第一电荷传输层4既可以由一层构成，也可以由多层构成。
第一发光层5R配置在第一电荷传输层4上。第一发光层5R以发光中心波长为第一波长，例如约630nm发光。第一发光层5R例如包括以发光中心波长为第一波长即例如约630nm发光的第一发光材料。
第一抗蚀层6R配置在第一发光层5R上。第一抗蚀层6R的厚度例如优选为1nm以上且50nm以下。另外，为了抑制驱动电压上升，第一抗蚀层6R的厚度的上限更优选为40nm以下，进一步优选为30nm以下，更进一步优选为20nm以下。在第一抗蚀层6R作为永久膜残留的情况下，通过设为上述厚度，能够抑制发光元件的驱动电压的上升等性能下降，或进行载流子平衡调整。第一抗蚀层6R中包含感光性树脂组合物的固化物，例如，也可以包含传输第一发光材料或者第二电荷的第二电荷传输性材料等功能性材料。第一抗蚀层6R例如在包含第一发光材料的情况下，作为第一发光层5R的一部分发挥功能。另外，第一抗蚀层6R例如在包含第二电荷传输性材料的情况下，作为第二电荷传输层7的一部分发挥功能。第一抗蚀层6R在不含有第一发光材料或者第二电荷传输性材料的情况下，在从第二电极8经由第二电荷传输层7将第二电荷传输至第一发光层5R上，其厚度优选为5nm以上且30nm以下。另外，第一抗蚀层6R考虑后面的显影引起的膜流平等而设定其厚度。
第二电荷传输层7配置在第一抗蚀层6R上。第二电荷传输层7将从第二电极8注入的第二电荷向第一发光层5R传输。第二电荷具有与第一电荷相反的极性。另外，第二电荷传输层7既可以由一层构成，也可以由多层构成。
第二电极8配置在第二电荷传输层7上。第二电极8例如向第一发光层5R供给第二电荷。
第一电极2R及第二电极8例如由金属或透明导电性氧化物等导电材料构成。作为上述金属，例如可以举出Al、Cu、Au、Ag等。作为上述透明导电性氧化物，例如可以举出铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、铝锌氧化物(ZnO:Al(AZO))、硼锌氧化物(ZnO:B(BZ/O))等。另外，第一电极2R及第二电极8例如可以是含有至少1层的金属层及/或至少1层的透明导电性氧化物层的层叠体。
第一电极2R及第二电极8中的一方由光透过性材料构成。此外，第一电极2R及第二电极8中的一方也可以由光反射性材料形成。在将发光元件100A作为顶部发光型的发光元件的情况下，例如，以光透过性材料形成作为上层的第二电极8，以光反射性材料形成作为下层的第一电极2R。另外，在将发光元件100A作为底部发光型的发光元件的情况下，例如，以光反射性材料形成作为上层的第二电极8，以光透过性材料形成作为下层的第一电极2R。而且，通过使第一电极2R及第二电极8中的任一个成为光透过性材料与光反射性材料的层叠体，可以作为具有光反射性的电极。
作为光透过性材料，例如可以使用透明的导电性材料。作为光透过性材料，具体而言，例如可以使用ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、SnO2(氧化锡)、FTO(氟掺杂氧化锡)等。这些材料由于可见光的透过率高，因而提高了发光元件100A的发光效率。
作为光反射性材料，例如可以使用金属材料。作为光反射性材料，具体而言，例如可以使用Al(铝)、Ag(银)、Cu(铜)、Au(金)等。这些材料由于可见光的反射率高，因而发光效率提高。
作为第一发光材料，例如可列举量子点。量子点例如是具有100nm以下的粒子尺寸的半导体微粒，可以具有MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe、BaTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe等II-VI族半导体化合物和/或GaAs、GaP、InN、In-As、InP、InSb等III-V族半导体化合物的结晶和/或Si-Gevi等IV族半导体化合物的结晶。另外，量子点例如也可以具有以上述半导体晶体为核、用带隙较宽的壳材料对该核进行了外涂层的核/壳构成。
第一电荷传输层4和第二电荷传输层7分别能够成为空穴传输层或电子传输层。例如，当第一电极2R为阳极，第二电极8为阴极时，第一电荷为空穴，第二电荷为电子，第一电荷传输层4为空穴传输层，第二电荷传输层7为电子传输层。另外，例如，当第一电极2R为阴极、第二电极8为阳极时，第一电荷为电子，第二电荷为空穴，第一电荷传输层4为电子传输层，第二电荷传输层7为空穴传输层。例如，空穴传输层以及电子传输层可以是一层也可以是多层。在空穴传输层为多层的情况下，例如可举出在最靠阳极侧具备具有空穴注入能力的层的层叠构成。另外，在电子传输层为多层的情况下，例如可列举在最靠阴极侧具备具有电子注入能力的层的层叠构造。
作为空穴传输性材料，例如可以举出含有选自含有Zn、Cr、Ni、Ti、Nb、Al、Si、Mg、Ta、Hf、Zr、Y、La、Sr中任一种以上的氧化物、氮化物或碳化物中的一种以上的材料、或4，4’，4”-三(9-咔唑基)三苯胺(TCTA)、4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]-联苯(NPB)、锌酞菁(ZnPC)、二[4-(N，N-二甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)、4，4’-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)、2，3，6，7，10，11-六氰基-1，4，5，8，9，12-六氮杂亚苯基(HATCN)、MoO3等材料，以及聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、聚(2，7-(9，9-二正辛基芴)-(1，4-亚苯基-((4-叔丁基苯基)亚氨基)-1，4-亚苯基(TFB)、聚(三苯胺)衍生物(Poly-TPD)、聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸)(PEDOT-PSS)等空穴传输性有机材料等。该些空穴传输性材料可以仅使用一种，也可以适当地混合两种以上使用。
作为形成电子传输层的材料，使用例如氧化锌(例如ZnO)、氧化钛(例如TiO2)、氧化锶钛(例如SrTiO3)等电子传输性材料。该些电子传输性材料可以仅使用一种，也可以适当地混合两种以上使用。
形成这些空穴传输层以及电子传输层的材料根据发光装置100A的构成、特性而适当选择。
接着，对第二发光元件10G进行说明。
第二发光元件10G为与第一发光元件10R相同的构成。但是，在将第一发光层5R变更为第一发光层5G这点上不同。
第一发光层5G以发光中心波长为第二波长，例如约530nm发光。第一发光层5G例如包括以发光中心波长为第二波长即例如约530nm发光的第二发光材料。
作为第二发光材料，例如可列举量子点。该量子点虽然与上述第一发光材料相同，但发光中心波长是第二波长。
接着，对第三发光元件10B进行说明。
第三发光元件10B为与第一发光元件10R相同的构成。但是，在将第一发光层5R变更为第一发光层5B这点上不同。
第一发光层5B以发光中心波长为第三波长，例如约440nm发光。第一发光层5B例如包括以发光中心波长为第三波长即例如约440nm发光的第三发光材料。
作为第三发光材料，例如可列举量子点。该量子点虽然与上述第一发光材料相同，但发光中心波长是第三波长。
进而，在上述发光元件100A中，以隔离各色的发光元件的方式设置有堤部3。堤部3例如由聚酰亚胺、丙烯酸树脂等绝缘性树脂形成。
此外，在上述发光元件100A中，将第一电荷传输层4、第二电荷传输层7、第二电极8作为共用的层。然而，不限于这些，例如，也可以是将第一电荷传输层4、第二电荷传输层7、第二电极8按各颜色的发光元件分别分离的构成。
另外，在上述发光元件100A中，在上述堤部3上，第一发光层5R及第一抗蚀层6R与第一发光层5G及第一抗蚀层6G重叠，第一发光层5G及第一抗蚀层6G与第一发光层5B及第一抗蚀层6B重叠，第一发光层5B及第一抗蚀层6B与第一发光层5R及第一抗蚀层6R重叠。这样，由于各层重叠，形成在堤部3上的第二电极8与第一电极2R、2G、2B之间的绝缘性增加，因此能够抑制漏电流。此外，在堤部3上设置的各层也可以不形成。此外，第一发光层5R、5G、5B以及第一抗蚀层6R、6G、6B分别被图案化。
以下，参照图1、图2A至图2I说明本实施方式所涉及的发光元件100A的制造方法的一个示例。
首先，如图2A所示，在基板1上形成第一电极2R、2G、2B(S1)。第一电极2R、2G、2B可以通过例如溅射法、真空蒸镀法等以往公知的各种方法来形成。
接着，如图2B所示，以分离第一电极2R、2G、2B的各个的方式形成堤部3(S2)。堤部3例如能够通过在整个面上涂敷液状的树脂后进行图案形成而形成。
接着，如图2C所示，在第一电极2R·2G·2B上形成第一电荷传输层4(S3)。第一电荷传输层4可以通过例如真空蒸镀、溅射、或者涂布法等以往公知的各种方法来形成。在本实施方式中，第一电荷传输层4在堤部3上也形成有第一电荷传输层4，但也可以不在堤部3上形成，而是以与各第一电极2R、2G、2B对应的方式进行图案化。
接着，如图2D所示，在第一电荷传输层4上形成第一发光层5(S4:第一发光层形成工序)。第一发光层5例如可以通过将发红色光的量子点(第一量子点)的胶体溶液(第一量子点溶液)涂布在整个面上并进行烧结而形成。
接着，如图2E所示，在第一发光层5上形成第一抗蚀层6(S5:第一抗蚀层形成工序)。第一抗蚀层6例如可以通过将感光性树脂组合物的溶液涂布在整个面上并进行烧结而形成。本实施方式中上述感光性树脂组合物作为使用了正型的感光性树脂组合物的示例，但感光性树脂组合物也可以是负型。作为这样的感光性树脂组合物，例如可列举包含丙烯酸系树脂、酚醛清漆树脂等酚系树脂、橡胶系、苯乙烯系、环氧系树脂等树脂成分、感光剂、溶剂的物质。进而，上述感光性树脂组合物可以含有第一发光材料或电荷传输性材料等功能性材料。作为该功能性材料，优选为粒子的功能性粒子，该功能性粒子优选为纳米粒子。作为这样的纳米粒子，例如可列举量子点、电荷传输性纳米粒子等。此外，将感光性树脂组合物中包含的量子点称为第二量子点。该第二量子点既可以与第一量子点相同，也可以不同。另外，作为电荷传输性纳米粒子，例如可举出NiO、CuI、Cu20、CoO、Cr2O3、CuAlS2等作为空穴传输性纳米粒子，可举出ZnO、ZnS、ZrO、MgZnO、AlZnO、TiO2等作为电子传输性的纳米粒子。这些纳米粒子也可以是一种或者多种混合物、或者多种混晶体。此外，作为上述溶剂，优选选择难以溶解第一发光层5的溶剂，例如，优选与上述第一量子点溶液中的溶剂不同。此外，上述量子点例如也可以被具有由羧酸酯基、磷酸酯基、硫酸酯基、氨基、硫醇基、膦基、氧化膦基构成的官能团的配体修饰。
接着，如图2F所示，例如使用规定的图案的掩膜20对第一抗蚀层6进行曝光(S6:曝光工序)。上述掩模20通过之后的显影，与第一抗蚀层6的第一发光元件对应的区域成为残留图案。在本实施方式中，因为用正型的感光性树脂组合物形成第一抗蚀层6，所以成为与第一发光元件对应的区域以外被曝光的图案。此外，在用负型的感光性树脂组合物形成第一抗蚀层6的情况下，上述掩模20只要是与正型相反、与第一发光元件对应的区域曝光的图案即可。
接着，如图2G所示，通过用显影液显影第一抗蚀层6，将第一抗蚀层6图案化为第一抗蚀层6R(S7)。
接着，如图2H所示，将图案化的第一抗蚀层6R作为掩模，通过处理液进行处理，从而将第一发光层5图案化为第一发光层5R(S8:图案化形成工序)。在此，作为上述处理液，通过使用显影上述第一抗蚀层6的显影液，在同一工序中显影第一发光层5以及第一抗蚀层6，从而在共用S7和S8的工序的情况下，能够简化整体的工序。此时，显影液优选含有表面活性剂。在显影液含有表面活性剂的情况下，能够更容易地将第一发光层5图案化为第一发光层5R。另外，通过将第一抗蚀层6R作为掩模，将第一发光层5图案化，从而防止第一发光层5R的发光区域直接暴露于处理液。由此，降低了第一发光层5R的发光区域因处理液的处理而产生损伤的可能性。在第一发光层5R上图案化后，进一步进行例如水洗、风干后，进行硬烘烤。
接下来，如图2I所示，通过重复S4～S8的工序，形成与第二发光元件10G对应的第一发光层(第二的第一发光层)5G及第一抗蚀层6G、与第三发光元件10B对应的第一发光层(第三的第一发光层)5B及第一抗蚀层6B(S9)。此外，在形成第一发光层5G时，在S5中，变更第一发光层5，使用绿色发光的量子点(第二的第一量子点)的胶体溶液来形成第一发光层即可。另外，在形成第一发光层5B时，在S5中，变更第一发光层5，使用发出蓝色光的量子点(第三第一量子点)的胶体溶液来形成第一发光层即可。而且，上述第一抗蚀层6G、第一抗蚀层6B只要由感光性树脂组合物形成即可，可以与第一抗蚀层6R相同，也可以不同。
接着，如图2J所示，在第一抗蚀层6R、第一抗蚀层6G、第一抗蚀层6B上形成第二电荷传输层7(S10)。第二电荷传输层7可以通过例如真空蒸镀、溅射、或者涂布法等以往公知的各种方法来形成。该第二电荷传输层7可以以与各色的发光元件对应的方式进行图案化。另外，该第二电荷传输层7相当于第一功能层。
接着，在第二电荷传输层7上形成第二电极8(S11)。第二电极8例如能够通过溅射法、真空蒸镀法等以往公知的各种方法来形成。
通过以上，能够制造图1所示的发光元件100A。
在上述中，通过同样的工序制造第一发光元件10R、第二发光元件10G、第三发光元件10B，但不限于此，例如也可以通过喷墨方式形成第一发光元件10R、第二发光元件10G、第三发光元件10B中的一个或两个的发光层、电荷传输层等。
根据本实施方式的发光元件的制造方法，由于将第一抗蚀层设为永久膜，因此能够省略剥离的工序。
此外，作为变形例，例如，如图3所示那样，也可以在由S4形成的第一发光层5上形成至少一个第二功能层30之后，进行S5～S7的工序，从而形成对至少一个第二功能层30进行了图案化的至少一个第二功能层30R。在该情况下，至少一个第二功能层30由在利用上述处理液进行处理时能够图案化的材料形成。作为这样的材料，例如可列举以ZnO、AlZnO、LiZnO、MgZnO等两性金属为主组成的氧化物。该第二功能层30相当于第二电荷传输层7。
另外，在上述S8中，将第一发光层5图案化，但是也可以将图案化的第一抗蚀层6R作为掩模，用上述处理液处理第一电荷传输层4，将第一电荷传输层4图案化。另外，该第一电荷传输层4由通过上述处理液进行处理而能够图案化的材料形成。作为这样的材料，例如可列举以ZnO、AlZnO、LiZnO、MgZnO等两性金属为主组成的氧化物。第一电荷传输层4相当于功能层。该功能层既可以为一层，也可以为多层，全部由能够图案化的材料形成。
(第二实施方式)
参照图4A至图4I，对本实施方式涉及的发光元件100B及其制造方法的一例进行说明。此外，对于与第一实施方式同样的工序、附图标记，省略说明。
S1～S3与第一实施方式相同。
接着，如图4A所示，在第一电荷传输层4上形成剥离用抗蚀层101(S21)。剥离用抗蚀层101例如可以通过将正型感光性树脂组合物涂布在整个面上并进行烧结而形成。
接着，如图4B所示，例如使用规定的图案的掩模120，对剥离用抗蚀层101进行曝光(S22)。上述掩模120通过之后的显影，剥离用抗蚀层101中的与第一发光元件对应的区域以外成为残留的图案。
接着，如图4C所示，例如通过用显影液将剥离用抗蚀层101显影，将剥离用抗蚀层101图案化为剥离用图案101R(S23)。
接着，如图4D所示，例如，与上述S4同样地，在形成有剥离用图案101R的第一电荷传输层4上形成第一发光层5(S24)。
接着，如图4E所示，例如与上述S5同样地，在第一发光层5上形成第一抗蚀层6(S25)。另外，在本工序中，作为形成第一抗蚀层6的感光性树脂组合物，使用负型的感光性树脂组合物。
接着，如图4F所示，例如进行全面曝光(S26)。通过该全面曝光，第一抗蚀层6由负型的感光性树脂组合物形成，因此固化，不溶于显影液。另一方面，剥离用图案101R由正型的感光性树脂组合物形成，因此可溶于显影液。
接着，如图4G所示，例如通过显影液进行处理，与上述剥离用图案101R—起将形成于该剥离用图案101R上的区域的第一发光层5及第一抗蚀层6剥离(S27)。由此，可以在与第一发光元件对应的区域形成图案化的第一发光层5R和第一抗蚀层6R。此外，在该工序中，由于对应于第一发光元件的区域的第一发光层5R被固化的第一抗蚀层6R保护，因此，由于上述显影液的处理而难以受到损伤。
接着，如图4H所示，例如通过重复S24～S27，形成与第二发光元件10G对应的第一发光层5G和第一抗蚀层6G、以及与第三发光元件10B对应的第一发光层5B和第一抗蚀层6B(S28)。
接着，如图4I所示，例如与上述S10同样地，形成第二电荷传输层7，并且，与上述S11同样地，形成第二电极8(S29)。通过以上，能够制造发光元件100B。
根据本实施方式的发光元件的制造方法，第一发光层5R、5G、5B被第一抗蚀层6R、6G、6B保护。因此，能够抑制显影时等发光层5R、5G、5B的剥离、膜偏离。
此外，在本实施方式中，在S28中形成有第二电荷传输层7，但也可以例如在S27中用显影液处理之前，在剥离用图案101R上例如整面地形成第二电荷传输层7，在用显影液进行处理时通过去除剥离用图案101R时部分地剥离，从而以仅保留与第一发光元件对应的区域的方式对第二电荷传输层7进行图案化。由此，电荷传输层按每个像素分离，因此能够抑制电流泄漏，提高发光效率，防止串扰等，提高发光元件的特性。而且，也可以与该图案化的第二电荷传输层7同样地形成其它层，并对该其它层进行图案化。
本发明不限于上述实施方式，可以用上述实施方式所示的构成基本相同的构成、实现相同作用效果的构成、或者可以实现相同目的的构成替换。

Claims (19)

1.一种发光元件的制造方法，其特征在于，包括:
第一发光层形成工序，其涂布包含第一量子点的第一量子点溶液来形成第一发光层；
第一抗蚀层形成工序，其在所述第一发光层上涂布第一感光性树脂组合物来形成第一抗蚀层；
曝光工序，其以规定的图案曝光所述第一抗蚀层；以及
图案化形成工序，其用显影液使所述第一抗蚀层显影，形成图案化的第一抗蚀层，以所述图案化的第一抗蚀层作为掩模，利用处理液处理所述第一发光层，形成图案化的第一发光层。
2.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其特征在于，所述处理液为所述显影液。
3.根据权利要求2所述的发光元件的制造方法，其特征在于，所述显影液含有表面活性剂。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
所述第一感光性树脂组合物为正型感光性树脂组合物，
还包括在所述图案化的第一抗蚀层上形成至少一个第一功能层的工序，
在所述图案化形成工序中，在将所述第一抗蚀层图案化时，将所述至少一个第一功能层剥离，形成图案化的至少一个第一功能层。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光元件的制造方法，其特征在于，所述第一感光性树脂组合物含有功能性材料。
6.根据权利要求5所述的发光元件的制造方法，其特征在于，所述功能性材料包含第二量子点。
7.根据权利要求5或6所述的发光元件的制造方法，其特征在于，所述功能性材料包含电荷传输性纳米粒子。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光元件的制造方法，其特征在于，包含将所述图案化的第一抗蚀层烘烤而使其固化的硬烘烤工序。
9.根据权利要求8所述的发光元件的制造方法，其特征在于，在烘烤后的所述第一抗蚀层上形成了包含发光颜色与所述第一量子点不同的第二的第一量子点的第二的第一发光层后，进一步进行所述第一抗蚀层形成工序、所述曝光工序及所述图案化形成工序。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的发光元件的制造方法，其特征在于，在形成所述第一抗蚀层之前，包括在所述第一发光层上形成至少一个第二功能层的工序，
在所述图案化形成工序中，将所述图案化的第一抗蚀层作为掩模，将所述至少一个第二功能层用处理液处理，进行图案化。
11.一种发光元件的制造方法，其特征在于，包括:
剥离用抗蚀层形成工序，其涂布正型感光性树脂组合物形成剥离用抗蚀层；
剥离用曝光工序，其以规定的图案对所述剥离用抗蚀层进行曝光；
剥离用图案化形成工序，其对所述剥离用抗蚀层进行显影来形成图案化的剥离用抗蚀层；
第一发光层形成工序，其在所述图案化的剥离用抗蚀层上涂布包含第一量子点的第一量子点溶液来形成第一发光层；
第一抗蚀层形成工序，其在所述第一发光层上涂布负型感光性树脂组合物来形成第一抗蚀层；以及
图案化形成工序，其在对整个面进行曝光的全面曝光后，用显影液对所述图案化的剥离用抗蚀层进行处理，由此将在所述图案化的剥离用抗蚀层上形成的所述第一发光层和所述第一抗蚀层剥离，将所述第一发光层和所述第一抗蚀层图案化。
12.根据权利要求11所述的发光元件的制造方法，其特征在于，还包括在所述第一抗蚀层上形成至少一个第一功能层的工序，
在所述图案化形成工序中，在用所述显影液对所述图案化的剥离用抗蚀层进行处理时，使形成在所述图案化的剥离用抗蚀层上的所述至少一个第一功能层剥离，使所述至少一个第一功能层图案化。
13.根据权利要求11或12所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
还包括在所述图案化的剥离用抗蚀层上且所述第一发光层之下，形成至少一个第二功能层的工序，
在所述图案化形成工序中，在用所述显影液对所述图案化的剥离用抗蚀层进行处理时，将形成在所述图案化的剥离用抗蚀层上的所述至少一个第二功能层剥离，使所述至少一个第二功能层图案化。
14.一种发光元件，其特征在于，包括:
图案化的第一发光层，其包含第一量子点；以及
抗蚀层，其由包含功能性材料的感光性树脂组合物形成，层叠于所述图案化的第一发光层的各个上。
15.根据权利要求14所述的发光元件，其特征在于，所述功能性材料包含第二量子点。
16.根据权利要求14或15所述的发光元件，其特征在于，所述功能性材料包含电荷传输性纳米粒子。
17.根据权利要求14至16中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述抗蚀层的厚度为50nm以下。
18.根据权利要求14至17中任一项所述的发光元件，其特征在于，在所述图案化的第一发光层和所述抗蚀层之间具有至少一个第二功能层。
19.根据权利要求18所述的发光元件，其特征在于，所述至少一个第二功能层与所述图案化的第一发光层同样地被图案化。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002341526A (ja) * 2001-05-15 2002-11-27 Fuji Photo Film Co Ltd カラーマスク、カラーマスク形成材料、カラーマスクの製造方法およびカラー画像の再製方法
FR3043838B1 (fr) * 2015-11-17 2018-06-08 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'une couche contenant des boites quantiques
KR101865499B1 (ko) * 2017-02-14 2018-06-07 동우 화인켐 주식회사 컬러필터 및 화상표시장치
EP3410208A1 (en) * 2017-06-01 2018-12-05 Evonik Degussa GmbH Device containing metal oxide-containing layers
JP7152940B2 (ja) * 2017-12-11 2022-10-13 東京応化工業株式会社 硬化性組成物、フィルム、光学フィルム、発光表示素子パネル、及び発光表示装置

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