CN116848571A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

一个实施方式的显示装置具备：基材；配置在上述基材之上的多个像素电路；覆盖上述多个像素电路的绝缘层；配置在上述绝缘层之上且与上述多个像素电路分别连接的多个第1电极；配置在上述多个第1电极之上的有机层；配置在上述有机层之上的多个线状的第2电极；与重叠于上述基材的传感器相对的传感器区域；配置在上述基材与上述绝缘层之间的中继布线；和第1连接部及第2连接部。上述多个第2电极中的至少一个具有在俯视观察时隔着上述传感器区域分开的第1线部及第2线部。上述中继布线通过上述第1连接部与上述第1线部连接，通过上述第2连接部与上述第2线部连接。

Description

显示装置
技术领域
本发明的实施方式涉及显示装置。
背景技术
近年来，作为显示元件而适用了有机发光二极管(OLED)的显示装置正被实用化。该显示元件具备第1电极、第2电极和配置在这些电极之间的有机层。
存在各种传感器重叠地配置于包含多个像素的显示区域的情况。该情况下，在与传感器相对的传感器区域及其附近，为了避免传感检测受到妨碍而有可能产生适用与显示区域的其他部分不同的构造的必要。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5386554号公报
专利文献2：日本特开2008-135325号公报
专利文献3：日本特开2000-195677号公报
发明内容
本发明的目的为在传感器重叠配置于显示区域的显示装置中改善与传感器相对的传感器区域及其附近的构造。
一个实施方式的显示装置具备：基材；配置在上述基材之上的多个像素电路；覆盖上述多个像素电路的绝缘层；配置在上述绝缘层之上且与上述多个像素电路分别连接的多个第1电极；配置在上述多个第1电极之上的有机层；配置在上述有机层之上的多个线状的第2电极；与重叠于上述基材的传感器相对的传感器区域；配置在上述基材与上述绝缘层之间的中继布线；和第1连接部及第2连接部。上述多个第2电极中的至少一个具有在俯视观察时隔着上述传感器区域分开的第1线部及第2线部。上述中继布线通过上述第1连接部与上述第1线部连接，通过上述第2连接部与上述第2线部连接。
其他实施方式的显示装置具备：基材；配置在上述基材之上的多个像素电路；覆盖上述多个像素电路的绝缘层；配置在上述绝缘层之上且与上述多个像素电路分别连接的多个第1电极；配置在上述多个第1电极之上的有机层；配置在上述有机层之上的多个线状的第2电极；和与重叠于上述基材的传感器相对的传感器区域。上述传感器区域为包含上述基材及上述绝缘层且不包含上述第1电极及上述像素电路中的至少一方的区域。上述多个第2电极中的至少一个横穿上述传感器区域。
另一其他实施方式的显示装置具备：基材；配置在上述基材之上的多个像素电路；覆盖上述多个像素电路的绝缘层；配置在上述绝缘层之上且与上述多个像素电路分别连接的多个第1电极；配置在上述多个第1电极之上的有机层；配置在上述有机层之上的多个线状的第2电极；与重叠于上述基材的传感器相对的传感器区域；和覆盖上述传感器区域的导电性的被覆层。上述传感器区域为包含上述基材及上述绝缘层且不包含上述第1电极及上述像素电路中的至少一方的区域。上述被覆层与上述多个第2电极中的至少一个连接。
附图说明
图1是表示第1实施方式的显示装置的一个结构例的图。
图2是表示第1实施方式的副像素的布局的一个例子的图。
图3是沿着图2的III-III线的显示装置的概略剖视图。
图4是表示能够适用于有机层的层结构的一个例子的剖视图。
图5是第1实施方式的隔断构造及其附近的概略剖视图。
图6是第1实施方式的第2电极、中继布线及传感器区域的概略俯视图。
图7是沿着图6中的VII-VII线的显示装置的概略剖视图。
图8是第2实施方式的第2电极、中继布线及传感器区域的概略俯视图。
图9是第3实施方式的第1连接部的概略剖视图。
图10是第4实施方式的第2电极、中继布线及传感器区域的概略俯视图。
图11是沿着图10中的XI-XI线的显示装置的概略剖视图。
图12是表示能够适用于第4实施方式的第1连接部的构造的其他例子的概略剖视图。
图13是表示能够适用于第4实施方式的中继布线的结构的一个例子的概略俯视图。
图14是表示能够适用于第4实施方式的中继布线的其他结构的概略俯视图。
图15是第5实施方式的第2电极及传感器区域的概略俯视图。
图16是沿着图15中的XVI-XVI线的显示装置的概略剖视图。
图17是能够适用于第5实施方式的显示装置的其他例子的概略剖视图。
图18是第6实施方式的第2电极及传感器区域的概略俯视图。
图19是第7实施方式的显示装置的概略剖视图。
具体实施方式
以下，一边参照附图一边说明几个实施方式。
此外，公开内容原则上只是一个例子，关于本领域技术人员能够容易想到的确保了发明主旨的适当变更当然包含在本发明的范围内。另外，关于附图，为了使说明更加明确，而存在与实际样态相比示意地表示各部分的宽度、厚度、形状等的情况，但原则上是一个例子，并不限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，存在对发挥关于已出现的图与前述的结构要素相同或类似的功能的结构要素标注相同的附图标记、并适当省略重复的详细说明的情况。
此外，在附图中，为了根据需要使得理解容易，而记载相互正交的X轴、Y轴及Z轴。将沿着X轴的方向称为第1方向，将沿着Y轴的方向称为第2方向，将沿着Z轴的方向称为第3方向。将由X轴及Y轴规定的面称为X-Y平面，将由X轴及Z轴规定的面称为X-Z平面。将观察X-Y平面称为俯视观察。
本实施方式的显示装置DSP为作为显示元件而具备有机发光二极管(OLED)的有机电致发光显示装置，能够搭载于电视、个人计算机、车载设备、平板终端、智能手机、移动电话终端等。
[第1实施方式]
图1是表示第1实施方式的显示装置DSP的一个结构例的图。显示装置DSP在绝缘性的基材10之上具有显示图像的显示区域DA、和显示区域DA外侧的周边区域SA。基材10可以为玻璃，也可以为具有挠性的树脂膜。
显示区域DA具备沿第1方向X及第2方向Y排列成矩阵状的多个像素PX。像素PX具备多个副像素SP。在一个例子中，像素PX具备红色的副像素SP1、绿色的副像素SP2及蓝色的副像素SP3。此外，像素PX也可以具备除了上述三个颜色的副像素以外还添加了白色等其他颜色的副像素的四个以上的副像素。
副像素SP具备像素电路1和通过像素电路1而被驱动的显示元件20。像素电路1具备像素开关2、驱动晶体管3和电容器4。像素开关2及驱动晶体管3是由例如薄膜晶体管构成的开关元件。
在像素开关2中，栅极与扫描线GL连接。像素开关2的源极及漏极中的一方与信号线SL连接，另一方与驱动晶体管3的栅极及电容器4连接。在驱动晶体管3中，源极及漏极中的一方与电源线PL及电容器4连接，另一方与显示元件20的阳极连接。对显示元件20的阴极供给公共电压。此外，像素电路1的结构并不限于图示的例子。
显示元件20是作为发光元件的有机发光二极管(OLED)。例如，副像素SP1具备射出与红光波长相对应的光的显示元件，副像素SP2具备射出与绿光波长相对应的光的显示元件，副像素SP3具备射出与蓝光波长相对应的光的显示元件。关于显示元件20的结构将在后叙述。
显示装置DSP还具备传感器5。传感器5配置在基材10的背面侧。如图示那样，传感器5在俯视观察时与显示区域DA重叠。以下，将在显示区域DA中与传感器5重叠的区域称为传感器区域50。
例如，传感器5包括摄像头、用于检测环境光的传感器、用于检测对象物的接近的传感器、以及用于检测指纹的传感器中的至少一个。传感器5也可以为其他种类的传感器。也可以在与显示区域DA重叠的位置处配置多个传感器5，针对这些传感器5的多个传感器区域50配置于显示区域DA。
显示区域DA为具有第1边S1、第2边S2、第3边S3和第4边S4的矩形状。第1边S1及第2边S2与第1方向X平行。第3边S3及第4边S4与第2方向Y平行。在图1的例子中，传感器区域50与第1边S1之间的距离比传感器区域50与第2边S2之间的距离小。另外，传感器区域50与第3边S3之间的距离和传感器区域50与第4边S4之间的距离相同。此外，图1所示的传感器5及传感器区域50的位置为一个例子，传感器5及传感器区域50能够以其他的各种样态配置于显示区域DA。
图2是表示副像素SP1、SP2、SP3的布局的一个例子的图。在此，关注四个像素PX。在各个像素PX中，副像素SP1、SP2、SP3按照该顺序沿第1方向X排列。即，在显示区域DA中，由沿第2方向Y排列的多个副像素SP1构成的列、由沿第2方向Y排列的多个副像素SP2构成的列和由沿第2方向Y排列的多个副像素SP3构成的列在第1方向X上交替配置。
在副像素SP1、SP2、SP3的边界配置有肋14。在图2的例子中，肋14为具有位于沿第1方向X相邻的副像素SP之间的部分、和位于沿第2方向Y相邻的副像素SP之间的部分的格子状。肋14在副像素SP1、SP2、SP3各自中形成开口OP。
在副像素SP1、SP2之间、副像素SP2、SP3之间以及副像素SP1、SP3之间，配置有沿第2方向Y延伸的隔断构造SSa。即，各隔断构造SSa位于不同颜色的副像素SP的边界。例如，隔断构造SSa为跨在显示区域DA的第2方向Y上的两端之间的直线状。
图3是沿着图2的III-III线的显示装置DSP的概略剖视图。在图3中，作为配置于副像素SP1、SP2、SP3的元件而示出了驱动晶体管3及显示元件20，省略了其他元件的图示。
显示装置DSP具备上述的基材10、绝缘层11、12、13、上述的肋14、密封层15和上述的隔断构造SSa。绝缘层11、12、13在基材10之上沿第3方向Z层叠。例如，绝缘层11、12由无机材料形成，绝缘层13、肋14及密封层15由有机材料形成。
驱动晶体管3具备半导体层30和电极31、32、33。电极31相当于栅极。电极32、33中的一方相当于源极，另一方相当于漏极。半导体层30配置在基材10与绝缘层11之间。电极31配置在绝缘层11、12之间。电极32、33配置在绝缘层12、13之间，通过贯穿绝缘层11、12的接触孔与半导体层30接触。
像这样，驱动晶体管3配置在基材10之上，被绝缘层13覆盖。图1所示的像素电路1的其他要素也同样地，配置在基材10之上，被绝缘层13覆盖。在像素电路1与基材10之间也可以夹设其他绝缘层。
显示元件20具备第1电极E1、有机层OR和第2电极E2。第1电极E1为对每个副像素SP配置的电极，存在被称为像素电极、下部电极或阳极的情况。第2电极E2为针对多个副像素SP或多个显示元件20公共配置的电极，存在被称为公共电极、上部电极或阴极的情况。
肋14配置在绝缘层13之上。第1电极E1配置在绝缘层13之上，与开口OP重叠。第1电极E1的周缘部被肋14覆盖。第1电极E1通过贯穿绝缘层13的接触孔与电极33电连接。第1电极E1由金属材料形成。但是，第1电极E1可以由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等透明导电材料形成，也可以为透明导电材料与金属材料的层叠体。
有机层OR覆盖第1电极E1及肋14。有机层OR通过开口OP与第1电极E1接触。有机层OR的一部分位于肋14之上。
第2电极E2覆盖有机层OR。第2电极E2由金属材料形成。但是，第2电极E2也可以由ITO或IZO等透明导电材料形成。
详情将在后叙述，在本实施方式中隔断构造SSa配置在肋14之上。密封层15覆盖隔断构造SSa及第2电极E2。密封层15形成得比例如绝缘层11、12、13和肋14厚，在保护有机层OR免受水分等影响的同时，将因肋14产生的凹凸平坦化。
图4是表示能够适用于有机层OR的层结构的一个例子的剖视图。例如，有机层OR包括从第1电极E1朝向第2电极E2按顺序层叠的第1功能层F1、发光层EL及第2功能层F2。
在第1电极E1的电位比第2电极E2的电位相对高的情况下，第1电极E1相当于阳极，第2电极E2相当于阴极。另外，在第2电极E2的电位比第1电极E1的电位相对高的情况下，第2电极E2相当于阳极，第1电极E1相当于阴极。
作为一个例子，在第1电极E1相当于阳极的情况下，第1功能层F1包含空穴注入层、空穴传输层及电子阻挡层中的至少一个层，第2功能层F2包含电子传输层、电子注入层及空穴阻挡层中的至少一个层。
若在第1电极E1与第2电极E2之间形成电位差，则发光层EL发光。在本实施方式中，设想副像素SP1、SP2、SP3的有机层OR所含的发光层EL均发出相同颜色(例如白色)的光的情况。在该情况下，例如也可以在密封层15的上方配置与副像素SP1、SP2、SP3的颜色相应的彩色滤光片。另外，也可以将含有受到发光层EL发出的光激发而生成与副像素SP1、SP2、SP3相应的颜色的光的量子点的层配置于副像素SP1、SP2、SP3。
图5是隔断构造SSa及其附近的概略剖视图。在该图中示出了副像素SP1、SP2的边界的构造，但也能够对副像素SP2、SP3的边界和副像素SP1、SP3的边界适用相同的构造。
隔断构造SSa具备配置在肋14的上表面14a上的分隔壁PTa。分隔壁PTa具有上部Ua和位于上部Ua的下方的下部Ba。下部Ba与上表面14a接触。上部Ua的第1宽度W1a比下部Ba的第2宽度W2a大(W1a＞W2a)。分隔壁PTa的宽度在上部Ua与下部Ba之间阶梯性地减少。这样的分隔壁PTa的形状也能够称为悬臂形状。
有机层OR及第2电极E2通过隔断构造SSa而被隔断。即，与副像素SP1的开口OP重叠的有机层OR和与副像素SP2的开口OP重叠的有机层OR分开，在这些有机层OR之间夹设有分隔壁PTa。另外，与副像素SP1的开口OP重叠的第2电极E2和与副像素SP2的开口OP重叠的第2电极E2分开，在这些第2电极E2之间夹设有分隔壁PTa。像这样，通过使不同颜色的副像素SP的有机层OR分开，能够抑制该副像素SP之间的串扰。
在分隔壁PTa之上配置有有机层ORa和覆盖有机层ORa的导电层E2a。有机层ORa由与有机层OR相同的材料形成。导电层E2a由与第2电极E2相同的材料形成。有机层ORa与配置在副像素SP1、SP2上的有机层OR分开。导电层E2a与配置在副像素SP1、SP2上的第2电极E2分开。
有机层OR及第2电极E2例如通过真空蒸镀形成在显示区域DA的整个面。此时，通过来自蒸镀源的材料附着于分隔壁PTa的上表面，形成有机层ORa及导电层E2a。另一方面，来自蒸镀源的材料难以附着于分隔壁PTa的侧面。由此，有机层OR和有机层ORa被隔断，第2电极E2和导电层E2a被隔断。
图6是第2电极E2及传感器区域50的概略俯视图。在本实施方式中，传感器区域50为将图3所示的基材10以及配置在基材10之上的各层(基材10、绝缘层11、12、13及密封层15等)贯穿的正圆形的孔(传感器孔)。作为一个例子，传感器区域50具有几mm的直径。此外，传感器区域50的形状并不限于正圆形，也可以为椭圆形或矩形等其他形状。
第2电极E2为沿第2方向Y延伸的线状(带状)。例如，图6的左端所示的第2电极E2与沿第2方向Y排列的多个副像素SP1重叠，从左端起的第二个第2电极E2与沿第2方向Y排列的多个副像素SP2重叠，从左端起的第三个第2电极E2与沿第2方向Y排列的多个副像素SP3重叠。像这样，与副像素SP1重叠的第2电极E2、与副像素SP2重叠的第2电极E2、与副像素SP3重叠的第2电极E2在显示区域DA中沿第1方向X排列。
虽然在图6中没有示出，但在相邻的第2电极E2之间配置有上述的隔断构造SSa(分隔壁PTa)。另外，在图6所示的第2电极E2的下方配置有与第2电极E2大致相同形状的有机层OR。
第2电极E2的一端部在显示区域DA的第1边S1侧位于周边区域SA。第2电极E2的另一端部在显示区域DA的第2边S2侧位于周边区域SA。这些端部均通过设在周边区域SA的连接部CP与作为公共电压的供给源的馈电线FL连接。
多个第2电极E2中的一部分具有隔着传感器区域50分开的第1线部LP1及第2线部LP2。第1线部LP1与传感器区域50相比位于第1边S1侧的位置。第2线部LP2与传感器区域50相比位于第2边S2侧的位置。线部LP1、LP2均通过连接部CP与馈电线FL连接。
在传感器区域50周围配置有绕过传感器区域50的多根中继布线RL。中继布线RL和第1线部LP1通过第1连接部CP1而连接。中继布线RL和第2线部LP2通过第2连接部CP2而连接。在图6的例子中，中继布线RL是沿着传感器区域50的周缘的圆弧状。
传感器区域50被副像素SP1、SP2、SP3包围。在传感器区域50周围配置有不发光的虚拟副像素DP。例如，虚拟副像素DP为有规则地排列的副像素SP1、SP2、SP3中的、一部分与传感器区域50重叠的副像素。也可以在像这样一部分与传感器区域50重叠的虚拟副像素DP周围进一步配置虚拟副像素DP。连接部CP1、CP2均配置于虚拟副像素DP。
此外，图6所示的传感器区域50、第2电极E2、中继布线RL、副像素SP1、SP2、SP3及虚拟副像素DP的尺寸只是一个例子。在图6中，省略了通过传感器区域50而被隔断成线部LP1、LP2的第2电极E2、将这些线部LP1、LP2连接的中继布线RL的一部分。
图7是沿着图6中的VII-VII线的显示装置DSP的概略剖视图。在该图中，简化示出了像素电路1。像素电路1配置在基材10与绝缘层13之间。
中继布线RL配置在绝缘层12、13之间。并不限于该例，中继布线RL也可以配置在基材10与绝缘层13之间的其他位置，例如绝缘层11、12之间或基材10与绝缘层11之间。例如，中继布线RL能够由与构成像素电路1的导电层中的某一个导电层相同的材料且利用与之相同的工艺形成。作为一个例子，中继布线RL由与图3所示的电极31、32、33中的某一个电极相同的材料且利用与之相同的工艺形成。
第1连接部CP1具备贯穿绝缘层13的接触孔CH和配置在绝缘层13之上的导电层CL。接触孔CH及导电层CL均配置于虚拟副像素DP。导电层CL通过接触孔CH与中继布线RL接触。导电层CL例如由与第1电极E1相同的材料且利用与之相同的工艺形成。
第1线部LP1在副像素SP1及虚拟副像素DP的范围连续延伸。第1线部LP1与导电层CL接触。由此，第1线部LP1和中继布线RL经由导电层CL导通。
在图7的例子中，有机层OR没有配置于虚拟副像素DP。另外，在虚拟副像素DP也没有配置像素电路1。作为其他例子，有机层OR可以达到虚拟副像素DP，像素电路1可以配置于虚拟副像素DP。如上述那样作为孔的传感器区域50例如为没有配置任何部件的空间。作为其他例子，也可以在传感器区域50中填充透明的树脂等。
第2连接部CP2的构造与第1连接部CP1的构造相同。即，第2连接部CP2具备贯穿绝缘层13的接触孔CH和配置在绝缘层13之上的导电层CL。经由该导电层CL连接第2线部LP2和中继布线RL。
在以上的本实施方式中，几个第2电极E2具有隔着传感器区域50分开的第1线部LP1和第2线部LP2，该线部LP1、LP2通过绕过传感器区域50的中继布线RL而连接。由此，能够在从第1边S1到第2边S2的范围使第2电极E2导通。
此外，假设即使在线部LP1、LP2没有通过中继布线RL而连接的情况下，也会通过第1边S1附近的连接部CP对第1线部LP1施加公共电压，通过第2边S2附近的连接部CP对第2线部LP2施加公共电压。但是，例如由于第2线部LP2的传感器区域50侧的端部附近距连接部CP远，所以电压会降低，而有可能在传感器区域50附近的副像素SP中产生显示不良。对此，若如本实施方式那样线部LP1、LP2通过中继布线RL连接，则在传感器区域50附近也能够实现良好的图像显示。
在本实施方式中，在相邻的第2电极E2之间配置有隔断构造SSa。该情况下，假设即使要在第2电极E2形成与中继布线RL相同的绕过构造，由于隔断构造SSa而难以实现那样的绕过构造。若如本实施方式那样在绝缘层13的下方形成中继布线RL，则中继布线RL不会受到隔断构造SSa的影响。
在本实施方式中，中继布线RL与线部LP1、LP2的连接部CP1、CP2配置于虚拟副像素DP。由此，能够抑制连接部CP1、CP2对传感器区域50周围的副像素SP1、SP2、SP3的显示等级造成影响。
以下，说明显示装置DSP的第2至第7实施方式。关于在各实施方式中没有特别言及的结构，能够适用与先前的实施方式相同的结构。
[第2实施方式]
中继布线RL的形状并不限于第1实施方式中公开的形状。在第2实施方式中，公开能够适用于中继布线RL的其他例子。
图8是本实施方式的第2电极E2、中继布线RL及传感器区域50的概略俯视图。中继布线RL为包围传感器区域50的环状。各第1线部L1经由第1连接部CP1与中继布线RL连接。各第2线部L2经由第2连接部CP2与中继布线RL连接。
像这样，在本实施方式中通过一根中继布线RL连接多个第1线部LP1和多个第2线部LP2。该情况下，无需在传感器区域50周围排列多根中继布线RL。因此，能够减小中继布线RL的配置空间。
[第3实施方式]
第1连接部CP1及第2连接部CP2的构造并不限于图7所示的构造。在第3实施方式中，公开能够适用于该连接部CP1、CP2的其他例子。
图9是本实施方式的第1连接部CP1的概略剖视图。第1连接部CP1具有导电层CL和接触孔CH。导电层CL配置在位于副像素SP1与虚拟副像素DP之间的肋14的上表面14a。导电层CL的一部分被有机层OR覆盖。接触孔CH贯穿绝缘层13及肋14。导电层CL通过接触孔CH与中继布线RL接触。
第1连接部CP1还具备隔断构造SSb。图9的例子中的隔断构造SSb为配置在导电层CL之上的分隔壁PTb。分隔壁PTb具有上部Ub和位于上部Ub的下方的下部Bb。下部Bb与导电层CL接触。上部Ub的第1宽度W1b比下部Bb的第2宽度W2b大(W1b＞W2b)。分隔壁PTb的宽度从上部Ub朝向下部Bb逐渐减少。这样的分隔壁PTb的形状也能够称为倒锥形状。
分隔壁PTb与上述的分隔壁PTa同样地将有机层OR及第2电极E2(第1线部LP1)隔断。与图5所示的有机层ORa及导电层E2a同样地，在分隔壁PTb之上配置有由与有机层OR相同的材料形成的有机层ORb、和由与第2电极E2相同的材料形成的导电层E2b。
通过利用分隔壁PTb隔断有机层OR，而在导电层CL的上表面上形成有从有机层OR露出的露出区域EA。第1线部LP1通过露出区域EA与导电层CL接触。由此，第1线部LP1和中继布线RL经由导电层CL导通。
第2连接部CP2的构造与第1连接部CP1的构造相同。即，第2连接部CP2具备接触孔CH、导电层CL和隔断构造SSb。第2线部LP2通过利用隔断构造SSb形成的露出区域EA与导电层CL接触。
本实施方式中的连接部CP1、CP2的结构针对来自传感器区域50的水分侵入能够发挥高耐受性。即，在图9的例子中在虚拟副像素DP也配置有有机层OR，该有机层OR的端部露出到传感器区域50。即使在水分从该端部侵入的情况下，由于虚拟副像素DP的有机层OR和副像素SP1的有机层OR通过隔断构造SSb而被隔断，所以水分难以到达副像素SP1的有机层OR。由此，能够抑制副像素SP的显示等级降低。
隔断构造SSb并不限于图9所示的构造。例如，作为隔断构造SSb的一个例子的分隔壁PTb可以具有与图5所示的分隔壁PTa相同的悬臂形状。另外，隔断构造SSb可以为设于肋14的沟道(槽)。例如若形成上部的宽度比下部的宽度小的形状的沟道，则能够通过沟道隔断利用蒸镀形成在肋14之上的有机层OR。
此外，关于隔断构造SSa，并不限于图5所示的构造。例如，作为隔断构造SSa的一个例子的分隔壁PTa可以具有与图9所示的分隔壁PTb相同的倒锥形状。另外，隔断构造SSa可以为设于肋14的沟道。
[第4实施方式]
图10是第4实施方式的第2电极E2、中继布线RL及传感器区域50的概略俯视图。在第1实施方式中，设想传感器区域50为孔的情况。在本实施方式中，在传感器区域50中也配置有基材10、绝缘层11、12、13及密封层15等。优选的是基材10、绝缘层11、12、13及密封层15为了避免妨碍传感器5的传感检测而具有高透光性。例如，在传感器区域50中没有配置肋14及隔断构造SSa。
例如，传感器区域50为不含第1电极E1及像素电路1中的至少一方的区域。传感器区域50也能够称为不含副像素SP的区域。这样的传感器区域50的光透射率比配置有副像素SP的周围区域高。由此，传感器5的传感检测难以受到妨碍。
在图10的例子中，与上述的各实施方式同样地，第1线部LP1和第2线部LP2通过中继布线RL而连接。中继布线RL横穿传感器区域50。中继布线RL将一个第1线部LP1和一个第2线部LP2连接。
图11是沿着图10中的XI-XI线的显示装置DSP的概略剖视图。传感器区域50包含基材10、绝缘层11、12、13及密封层15。中继布线RL配置在绝缘层12、13之间。并不限于该例，中继布线RL也可以配置在基材10与绝缘层13之间的其他位置，例如绝缘层11、12之间或基材10与绝缘层11之间。第1连接部CP1与图7所示的例子同样地，具备接触孔CH和导电层CL。
图12是表示能够适用于第1连接部CP1的构造的其他例子的概略剖视图。该第1连接部CP1与图9所示的例子同样地，具备隔断构造SSb。第1线部LP1通过利用隔断构造SSb形成的露出区域EA与导电层CL接触。对于第2连接部CP2，也能够适用图11及图12中分别示出的构造中的某一个。
图13是表示能够适用于中继布线RL的结构的一个例子的概略俯视图。中继布线RL例如由网眼状的金属线构成。若中继布线RL具有这样的结构，则能够提高传感器区域50的透射率，从而传感器5的传感检测难以受到中继布线RL的妨碍。
图14是表示能够适用于中继布线RL的其他结构的概略俯视图。在该图的例子中，由网眼状的金属线构成的中继布线RL为与传感器区域50整体重叠的圆形。中继布线RL将多个第1线部LP1和多个第2线部LP2连接。
中继布线RL并不限于网眼状。作为其他例子，中继布线RL可以由ITO等透明导电材料形成。在该情况下，中继布线RL可以为连接一个第1线部LP1和一个第2线部LP2的带状。另外，中继布线RL可以为与传感器区域50整体重叠、且连接多个第1线部LP1和多个第2线部LP2的形状。在由透明导电材料形成中继布线RL的情况下，也能够提高传感器区域50的透射率。
[第5实施方式]
图15是第5实施方式的第2电极E2及传感器区域50的概略俯视图。与第4实施方式同样地，传感器区域50不是孔，配置有基材10、绝缘层11、12、13及密封层15等。
在本实施方式中，第2电极E2不经由中继布线RL，而是横穿传感器区域50。例如，第2电极E2的宽度在从第1边S1侧的端部到第2边S2侧的端部的范围内固定。作为其他例子，传感器区域50中的第2电极E2的宽度和传感器区域50以外的区域中的第2电极E2的宽度也可以不同。第2电极E2中的与传感器区域50重叠的部分的形状也可以为图13所示那样的网眼状。
为了形成横穿传感器区域50的形状的第2电极E2，可以在传感器区域50中也配置肋14和隔断构造SSa。由此，只要针对包含传感器区域50的显示区域DA整体蒸镀第2电极E2的材料，就能够如图15所示那样形成横穿传感器区域50的第2电极E2。
图16是沿着图15中的XVI-XVI线的显示装置DSP的概略剖视图。在传感器区域50中，第2电极E2配置在绝缘层13之上，被密封层15覆盖。在传感器区域50中没有配置有机层OR。有机层OR的端部位于例如接近传感器区域50的肋14的上方。
图17是能够适用于显示装置DSP的其他例子的概略剖视图。在该图的例子中，在传感器区域50中也配置有有机层OR。在传感器区域50中，有机层OR位于绝缘层13与第2电极E2之间。
若如本实施方式那样以横穿传感器区域50的方式形成第2电极E2，则无需设置中继布线RL和连接部CP1、CP2。因此，显示装置DSP的制造工艺比上述的各实施方式简化。
[第6实施方式]
图18是第6实施方式的第2电极E2及传感器区域50的概略俯视图。与第4及第5实施方式同样地，传感器区域50不是孔，配置有基材10、绝缘层11、12、13及密封层15等。
在图18的例子中，配置有覆盖传感器区域50的导电性的被覆层CV。被覆层CV例如为与传感器区域50相同的圆形，与传感器区域50整体重叠。被覆层CV也可以具有比传感器区域50大的形状。另外，被覆层CV也可以具有仅覆盖传感器区域50的一部分的形状。
被覆层CV与多个第2电极E2连接。被覆层CV能够由与第2电极E2相同的材料且利用与之相同的工艺形成。在该情况下，在传感器区域50中没有配置隔断构造SSa。
包含被覆层CV的截面构造例如与图16的例子相同。即，被覆层CV在传感器区域50中位于绝缘层13与密封层15之间。包含被覆层CV的截面构造可以与图17的例子相同。在该情况下，有机层OR夹设在被覆层CV与绝缘层13之间。例如，有机层OR在传感器区域50中具有与被覆层CV相同的平面形状。
例如，在如图10的例子那样中继布线RL横穿传感器区域50的情况下，在如图14的例子那样中继布线RL为与传感器区域50重叠的网眼状的情况下，在如图15的例子那样第2电极E2横穿传感器区域50的情况下，会产生因中继布线RL或第2电极E2引起的光的衍射，而有可能给传感器5的传感检测造成影响。另外，在传感器5为摄像头的情况下，有可能会产生因中继布线RL或第2电极E2引起的重影。对此，若为配置将传感器区域50覆盖的被覆层CV的结构，则能够抑制衍射和重影的产生。
[第7实施方式]
在上述的各实施方式中，设想副像素SP1、SP2、SP3的有机层OR所含的发光层EL均发出相同颜色的光的情况。在本实施方式中，设想副像素SP1、SP2、SP3的有机层OR所含的发光层EL发出不同颜色的光的情况。
图19是第7实施方式的显示装置DSP的概略剖视图。在该图中示出了副像素SP1、SP2的边界的构造，但也能够对副像素SP2、SP3的边界和副像素SP1、SP3的边界适用相同的构造。图19所示的隔断构造SSa(分隔壁PTa)的形状与图5的例子相同。
在图19的例子中，在副像素SP1配置有有机层OR1，在副像素SP2配置有有机层OR2。有机层OR1具备例如发出红色的光的发光层EL。有机层OR2具备例如发出绿色的光的发光层EL。虽然在图19的截面中没有表现出，但配置于副像素SP3的有机层OR具备发出蓝色的光的发光层EL。
有机层OR1通过开口OP覆盖副像素SP1的第1电极E1，并且覆盖肋14中的比分隔壁PTa靠副像素SP1侧的部分。有机层OR2通过开口OP覆盖副像素SP2的第1电极E1，并且覆盖肋14中的比分隔壁PTa靠副像素SP2侧的部分。
在分隔壁PTa的上方配置有有机层OR1a、OR2a和覆盖有机层OR1a、OR2a的导电层E2a。有机层OR1a由与有机层OR1相同的材料形成。有机层OR2a由与有机层OR2相同的材料形成。导电层E2a由与第2电极E2相同的材料形成。有机层OR1a与有机层OR1分开。有机层OR2a与有机层OR2分开。在图19的例子中，有机层OR1a的一部分被有机层OR2a覆盖。
使用开口成副像素SP1的形状的掩模且利用真空蒸镀形成有机层OR1。此时，通过来自蒸镀源的材料附着于分隔壁PTa的上表面，形成有机层OR1a。在形成有机层OR1后，使用开口成副像素SP2的形状的掩模且利用真空蒸镀形成有机层OR2。此时，通过来自蒸镀源的材料附着于分隔壁PTa的上表面，形成有机层OR2a。
本实施方式的结构也能够针对上述的各实施方式的任一个适用。例如在如图18所示那样在传感器区域50中配置被覆层CV的情况下，可以在被覆层CV的下方重叠地配置有机层OR1、OR2及副像素SP3的有机层OR。
以上，由本领域技术人员基于作为本发明的实施方式而说明的显示装置能够适当进行设计变更后实施的所有显示装置也是，只要包含本发明的要旨，就属于本发明的范围。
在本发明的思想范畴中，解释成若为本领域技术人员就能够想到各种变形例，且这些变形例也属于本发明的范围。例如，针对上述实施方式而由本领域技术人员适当进行了结构要素的追加、删除或设计变更得到的实施方式、或者进行了工序的追加、省略或条件变更得到的实施方式也是，只要具备本发明的要旨，就包含于本发明的范围。
另外，关于由在上述实施方式中叙述的方式带来的其他作用效果，根据本说明书的记载而得以明确的作用效果、或者本领域技术人员能够适当想到的作用效果当然被解释成由本发明带来的作用效果。
附图标记说明
DSP…显示装置，PX…像素，SP…副像素，DP…虚拟副像素，E1…第1电极，E2…第2电极，OR…有机层、SSa、SSb…隔断构造，RL…中继布线，CP1…第1连接部，CP2…第2连接部，1…像素电路，5…传感器，13…绝缘层，14…肋，20…显示元件，50…传感器区域。

Claims (20)

1.一种显示装置，具备：
基材；
配置在所述基材之上的多个像素电路；
覆盖所述多个像素电路的绝缘层；
配置在所述绝缘层之上且与所述多个像素电路分别连接的多个第1电极；
配置在所述多个第1电极之上的有机层；
配置在所述有机层之上的线状的多个第2电极；
与重叠于所述基材的传感器相对的传感器区域；
配置在所述基材与所述绝缘层之间的中继布线；和
第1连接部及第2连接部，
所述多个第2电极中的至少一个具有在俯视观察时隔着所述传感器区域分开的第1线部及第2线部，
所述中继布线通过所述第1连接部与所述第1线部连接，通过所述第2连接部与所述第2线部连接。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述传感器区域为贯穿所述基材及所述绝缘层的孔。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，
还具备覆盖所述第2电极的密封层，
所述孔贯穿所述密封层。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述传感器区域为圆形，
所述中继布线为沿着所述传感器区域的周缘的圆弧状。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述传感器区域为包含所述基材及所述绝缘层且不包含所述第1电极及所述像素电路中的至少一方的区域。
6.如权利要求5所述的显示装置，其中，
所述中继布线由横穿所述传感器区域的网眼状的金属线构成。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第1连接部及所述第2连接部各自具备：
接触孔，其贯穿所述绝缘层；和
导电层，其配置在所述绝缘层之上，通过所述接触孔与所述中继布线连接，
所述第1线部与所述第1连接部的所述导电层接触，
所述第2线部与所述第2连接部的所述导电层接触。
8.如权利要求7所述的显示装置，其中，
所述第1连接部及所述第2连接部各自的所述导电层被所述有机层覆盖，
所述第1连接部及所述第2连接部各自还具备隔断所述有机层而形成供所述导电层的一部分从所述有机层露出的露出区域的隔断构造，
所述第1线部通过利用所述第1连接部的所述隔断构造形成的所述露出区域与所述第1连接部的所述导电层接触，
所述第2线部通过利用所述第2连接部的所述隔断构造形成的所述露出区域与所述第2连接部的所述导电层接触。
9.如权利要求8所述的显示装置，其中，
所述隔断构造包括配置在所述导电层之上的分隔壁，
所述分隔壁具有第1宽度的上部和比所述第1宽度小的第2宽度的下部。
10.如权利要求7所述的显示装置，其中，
还具备配置在所述绝缘层之上的肋，
所述接触孔贯穿所述绝缘层及所述肋。
11.如权利要求1所述的显示装置，其中，
还具备配置在所述传感器区域周围的不发光的多个虚拟副像素。
12.如权利要求11所述的显示装置，其中，
所述第1连接部及所述第2连接部配置于所述虚拟副像素。
13.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述传感器包括摄像头、用于检测环境光的传感器、用于检测对象物的接近的传感器以及用于检测指纹的传感器中的至少一个。
14.一种显示装置，具备：
基材；
配置在所述基材之上的多个像素电路；
覆盖所述多个像素电路的绝缘层；
配置在所述绝缘层之上且与所述多个像素电路分别连接的多个第1电极；
配置在所述多个第1电极之上的有机层；
配置在所述有机层之上的线状的多个第2电极；和
与重叠于所述基材的传感器相对的传感器区域，
所述传感器区域为包含所述基材及所述绝缘层且不包含所述第1电极及所述像素电路中的至少一方的区域，
所述多个第2电极中的至少一个横穿所述传感器区域。
15.如权利要求8所述的显示装置，其中，
在所述传感器区域中，在所述第2电极与所述绝缘层之间配置有所述有机层。
16.如权利要求14所述的显示装置，其中，
还具备配置在所述绝缘层之上的肋，
在所述传感器区域中没有配置所述有机层，所述有机层的端部位于所述肋的上方。
17.一种显示装置，具备：
基材；
配置在所述基材之上的多个像素电路；
覆盖所述多个像素电路的绝缘层；
配置在所述绝缘层之上且与所述多个像素电路分别连接的多个第1电极；
配置在所述多个第1电极之上的有机层；
配置在所述有机层之上的线状的多个第2电极；
与重叠于所述基材的传感器相对的传感器区域；和
覆盖所述传感器区域的导电性的被覆层，
所述传感器区域为包含所述基材及所述绝缘层且不包含所述第1电极及所述像素电路中的至少一方的区域，
所述被覆层与所述多个第2电极中的至少一个连接。
18.如权利要求17所述的显示装置，其中，
在所述传感器区域中，在所述被覆层与所述绝缘层之间配置有所述有机层。
19.如权利要求17所述的显示装置，其中，
所述被覆层覆盖所述传感器区域整体。
20.如权利要求19所述的显示装置，其中，
所述传感器区域及所述被覆层为圆形。
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