CN116806412A - 复合基板、弹性表面波元件以及复合基板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供将弹性波的能量限制于压电层且耐久性优异的复合基板。本发明的实施方式所涉及的复合基板具有压电层和反射层，该反射层配置于所述压电层的背面侧，且包括高阻抗层和包含氧化硅的低阻抗层，在所述压电层的背面侧的端部形成有改性层，所述低阻抗层的密度为2.15g/cm3以上。
Description
技术领域
本发明涉及复合基板、弹性表面波元件以及复合基板的制造方法。
背景技术
移动电话等通信设备中，为了取出任意频率的电信号，例如采用利用了弹性表面波的滤波器(SAW滤波器)。该SAW滤波器具有如下结构，即，在具有压电层的复合基板上形成有电极等(例如参见专利文献1)。
然而，近年来，信息通信设备的领域中，要求应对高频带下的通信，上述SAW滤波器中，有时从上述压电层发生弹性波泄漏。另一方面，对上述复合基板还要求耐久性(例如加工时的耐久性)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2020-150488号公报
发明内容
本发明的主要目的在于，提供将弹性波的能量限制于压电层且耐久性优异的复合基板。
本发明的实施方式所涉及的复合基板具有压电层和反射层，该反射层配置于所述压电层的背面侧，且包括高阻抗层、以及包含氧化硅的低阻抗层，在所述压电层的背面侧的端部形成有改性层，所述低阻抗层的密度为2.15g/cm3以上。
1个实施方式中，上述改性层的厚度为0.3nm以上。
1个实施方式中，上述改性层的厚度为4.5nm以下。
1个实施方式中，上述改性层包含非晶质体。
1个实施方式中，上述改性层的硅原子的含量小于10atom％。
1个实施方式中，上述高阻抗层包含选自由氧化铪、氧化钽、氧化锆以及氧化铝构成的组中的至少1种。
1个实施方式中，上述高阻抗层及上述低阻抗层的厚度分别为0.01μm～1μm。
1个实施方式中，上述反射层中，上述高阻抗层和上述低阻抗层交替层叠。
1个实施方式中，上述复合基板具有在上述反射层的背面侧所配置的支撑基板。
1个实施方式中，上述复合基板具有在上述反射层与上述支撑基板之间所配置的接合层。
本发明的另一实施方式所涉及的弹性表面波元件包括上述复合基板。
根据本发明的另一方面，提供一种复合基板的制造方法。该复合基板的制造方法包括：在具有相互对置的第一主面及第二主面的压电基板的上述第一主面侧的端部形成改性层、在上述压电基板的第一主面侧形成包含氧化硅且密度为2.15g/cm3以上的低阻抗层、以及在形成有上述低阻抗层的上述压电基板的第一主面侧形成高阻抗层。
1个实施方式中，上述改性层的厚度为0.3nm以上。
1个实施方式中，上述改性层的厚度为4.5nm以下。
1个实施方式中，上述制造方法还包括：对形成有上述低阻抗层及上述高阻抗层的上述压电基板的第二主面侧的表面进行研磨。
发明效果
根据本发明的实施方式，通过具备压电层(压电基板)和包括具有规定密度的低阻抗层的反射层，且在压电层(压电基板)的端部形成有改性层，能够提供将弹性波的能量限制于压电层且耐久性优异的复合基板。
附图说明
图1是表示本发明的1个实施方式所涉及的复合基板的概要构成的示意性的截面图。
图2A是表示1个实施方式所涉及的复合基板的制造工序例的图。
图2B是紧接着图2A的图。
图2C是紧接着图2B的图。
图2D是紧接着图2C的图。
图2E是紧接着图2D的图。
图3是实施例2的复合基板(第一氧化硅层)的截面TEM图像。
图4是比较例5的复合基板(第一氧化硅层)的截面TEM图像。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行说明，不过，本发明不限定于这些实施方式。
A.复合基板
图1是表示本发明的1个实施方式所涉及的复合基板的概要构成的示意性的截面图。复合基板100按以下顺序具有压电层10、反射层20以及支撑基板30。在压电层10的配置反射层20的一侧的端部形成有改性层14。通过形成有这样的层，能够得到耐久性优异的复合基板。反射层20包括声阻抗相对高的高阻抗层和声阻抗相对低的低阻抗层。反射层20为多个阻抗层的层叠体，例如低阻抗层和高阻抗层交替层叠。图示例中，反射层20自压电层10侧开始按以下顺序具有低阻抗层21、高阻抗层22、低阻抗层23、高阻抗层24、低阻抗层25、高阻抗层26、低阻抗层27以及高阻抗层28。反射层20的各层中，低阻抗层21配置成最靠近压电层10侧。通过配置像这样的层叠结构的反射层20，能够将弹性波的能量有效地限制于压电层10侧。应予说明，有时将配置成最靠近压电层10侧的低阻抗层称为第一低阻抗层。
图示例中，反射层20为4层高阻抗层和4层低阻抗层共8层的层叠体，不过，反射层中包含的阻抗层的数量不限定于此。具体而言，反射层中，声阻抗不同的高阻抗层及低阻抗层分别包含至少1层即可。优选为，反射层具有4层以上的多层结构。
虽然未图示，不过，复合基板100可以进一步具有任意层。这些层的种类、功能、数量、组合、配置等可以根据目的而适当地设定。例如，复合基板100可以具有在反射层20与支撑基板30之间所配置的接合层。
复合基板100可以以任意的适当形状进行制造。1个实施方式中，可以以所谓的晶片的形态进行制造。复合基板100的尺寸可以根据目的而适当地设定。例如，晶片的直径为50mm～150mm。
A-1.压电层
作为构成上述压电层的材料，可以采用任意的适当压电性材料。作为压电性材料，优选采用组成为LiAO3的单晶。此处，A为选自由铌及钽构成的组中的一种以上元素。具体而言，LiAO3可以为铌酸锂(LiNbO3)，也可以为钽酸锂(LiTaO3)，还可以为铌酸锂-钽酸锂固溶体。
压电性材料为钽酸锂的情况下，作为压电层，从使传播损失变小的观点出发，优选采用以弹性表面波的传播方向即X轴为中心并其法线方向从Y轴向Z轴旋转123～133°(例如128°)的方向的压电层。压电性材料为铌酸锂的情况下，作为压电层，从使传播损失变小的观点出发，优选采用以弹性表面波的传播方向即X轴为中心并其法线方向从Y轴向Z轴旋转96～114°(例如110°)的方向的压电层。
压电层的厚度为例如0.2μm以上且5μm以下。
上述改性层由例如非晶质体构成，包含构成上述压电层的元素。作为具体例，压电层由钽酸锂构成的情况下，改性层包含钽(Ta)及氧(O)。1个实施方式中，改性层的将Ta、O、Si及Ar的合计设为100atom％时的硅原子(Si)的含量可以小于10atom％，也可以为5atom％以下。可以利用能量分散型X射线分析(EDX)来求解改性层的组成。
上述改性层的厚度为例如0.3nm以上，优选为0.5nm以上。另一方面，改性层的厚度为例如4.5nm以下，优选为4nm以下。根据这样的厚度，能够达成更高的Q值。
A-2.反射层
如上所述，反射层包括声阻抗不同的高阻抗层和低阻抗层。高阻抗层的声阻抗相对高于低阻抗层的声阻抗。具体而言，构成高阻抗层的材料的声阻抗高于构成低阻抗层的材料的声阻抗。
反射层中包括的多个高阻抗层可以分别为相同的构成(例如材料、厚度)，也可以为彼此不同的构成。同样地，反射层中包括的多个低阻抗层可以分别为相同的构成(例如材料、厚度、密度)，也可以为彼此不同的构成。
作为构成高阻抗层的材料，例如可以举出：氧化铪、氧化钽、氧化锆、氧化铝。其中，优选采用氧化铪。通过采用氧化铪，能够将弹性波的能量更有效地限制于压电层侧。
高阻抗层的厚度为例如0.01μm～1μm，优选为20nm～500nm，更优选为100nm～300nm。
作为构成上述低阻抗层的材料，代表性地可以举出氧化硅。1个实施方式中，低阻抗层中含有的氧化硅的含有比例为例如97重量％以上。低阻抗层中含有的氧原子相对于硅原子的比例(O/Si)为例如1.85以上且2.05以下。可以利用卢瑟福背散射分析法(RBS)来确认低阻抗层的组成。应予说明，在分析时，可以采用另行在适当的基板以相同条件形成低阻抗层得到的试样。
低阻抗层的厚度为例如0.01μm～1μm，优选为20nm～500nm，更优选为100nm～300nm。
低阻抗层的密度为2.15g/cm3以上。通过低阻抗层具有这样的密度，能够将弹性波的能量更有效地限制于压电层侧。具体而言，这样的密度的低阻抗层为致密的膜，可抑制空隙(纳米孔)等结构上的缺陷。结果，能够得到优异的反射层，可以达成较高的Q值。此外，即便与改性层进行组合，也能够确保较高的Q值。另外，通过低阻抗层具有这样的密度，能够有助于提高与压电层的密合性。具体而言，在致密的第一低阻抗层的成膜中，容易在相邻的层(基板)形成有改性层，能够得到耐久性优异的复合基板。通常，从将弹性波的能量有效地限制于压电层侧的观点出发，认为期望形成低密度且低体积弹性模量的低阻抗层，通过上述密度的低阻抗层和改性层的组合，可同时达成较高的Q值和优异的耐久性，这是出乎意料的优异效果。
低阻抗层的密度可以为2.2g/cm3以上，也可以为2.25g/cm3以上，还可以为2.3g/cm3以上。通过具有这样的密度，能够得到耐热性优异的复合基板。例如，在对复合基板实施施加了200℃以上的热的加工的情况下，也能够抑制在复合基板内发生剥落(具体的为反射层内的剥落)。作为这样的剥落的原因，考虑因加热而使得进入于阻抗层内(代表性的为上述空隙内)的水分的动作变得活跃。应予说明，低阻抗层的密度为例如2.5g/cm3以下。
反射层中包含的至少一个低阻抗层(例如第一低阻抗层)满足上述密度即可，不过，优选反射层中包含的全部低阻抗层均满足上述密度。
可以利用X射线反射率法(XRR)来求解阻抗层的密度。
上述阻抗层可以利用任意的适当方法进行成膜。例如，可以利用溅射、离子束辅助蒸镀(IAD)等物理蒸镀、化学蒸镀、原子层堆积(ALD)法进行成膜。优选采用IAD。通过采用IAD，能够形成致密的阻抗层，良好地达成上述密度。另外，在第一低阻抗层的成膜时，能够在相邻的层(基板)良好地形成改性层。例如，能够形成具有期望的厚度的改性层。
A-3.支撑基板
作为支撑基板30，可以采用任意的适当基板。支撑基板可以由单晶体构成，也可以由多晶体构成。作为构成支撑基板的材料，优选选自由硅、硅铝氧氮陶瓷、蓝宝石、堇青石、多铝红柱石、玻璃、石英、水晶以及氧化铝构成的组。
上述硅可以为单晶硅，也可以为多晶硅，还可以为高阻硅。
代表性地，上述硅铝氧氮陶瓷是将氮化硅和氧化铝的混合物烧结得到的陶瓷，例如具有以Si6-wAlwOwN8-w表示的组成。具体而言，硅铝氧氮陶瓷具有在氮化硅中混合有氧化铝的组成，式中的w表示氧化铝的混合比率。w优选为0.5以上且4.0以下。
代表性地，上述蓝宝石为具有Al2O3的组成的单晶体，上述氧化铝为具有Al2O3的组成的多晶体。氧化铝优选为透光性氧化铝。
代表性地，上述堇青石为具有2MgO·2Al2O3·5SiO2的组成的陶瓷，上述多铝红柱石为具有3Al2O3·2SiO2～2Al2O3·SiO2的范围的组成的陶瓷。
构成支撑基板的材料的热膨胀系数优选小于构成上述压电层的材料的热膨胀系数。根据该支撑基板，能够抑制温度变化时的压电层的形状、尺寸的变化，例如抑制得到的弹性表面波元件的频率特性的变化。
作为支撑基板的厚度，可以采用任意的适当厚度。支撑基板的厚度为例如100μm～1000μm。
A-4.接合层
如上所述，复合基板可以具有接合层。作为构成接合层的材料，例如可以举出：硅氧化物、硅、氧化钽、氧化铌、氧化铝、氧化钛、氧化铪。接合层的厚度为例如0.005μm～1μm。
接合层可以利用任意的适当方法进行成膜。具体而言，可以利用与上述阻抗层的成膜方法同样的方法进行成膜。
A-5.制造方法
本发明的1个实施方式所涉及的复合基板的制造方法包括：在具有相互对置的第一主面及第二主面的压电基板的第一主面侧的端部形成改性层、在压电基板的第一主面侧形成包含氧化硅的低阻抗层、以及在形成有低阻抗层的压电基板的第一主面侧形成高阻抗层。
具体而言，上述复合基板可以如下得到：在压电基板形成上述改性层，依次形成构成上述反射层的阻抗层，并将形成有反射层的压电基板和上述支撑基板进行直接键合，由此得到复合基板。压电基板的厚度为例如200μm以上且1000μm以下。
图2A～图2E是表示1个实施方式所涉及的复合基板的制造工序例的图。图2A表示在具有相互对置的第一主面及第二主面的压电基板12的第一主面侧的端部(上端部)形成改性层14并在改性层14上完成了第一低阻抗层21成膜的状态。改性层14优选为通过对压电基板12的上端部进行改性而形成的层。这样的改性层如下形成：例如，一边对第一低阻抗层21的成膜材料施加能量(例如离子能量)一边使成膜材料蒸镀于压电基板12，由此形成改性层。具体而言，在第一低阻抗层21的成膜时，可以将构成第一低阻抗层21的原子打入于压电基板12的上端部，形成改性层14。
低阻抗层21成膜后，在低阻抗层21上依次形成阻抗层22～28，如图2B所示，形成反射层20。各阻抗层21～28可以利用同样的方法、条件成膜，也可以利用不同的方法、条件成膜。
图2C表示在反射层20上形成有接合层40的状态，图2D表示将形成有反射层20及接合层40的压电基板12和支撑基板30进行直接键合的工序。直接键合时，接合面优选利用任意的适当活化处理进行活化。例如，将接合层40的表面40a活化，并将支撑基板30的表面30a活化后，使接合层40的活化面和支撑基板30的活化面接触，进行加压，由此进行直接键合。据此，得到图2E所示的复合基板110。
代表性地，对得到的复合基板110的压电基板12的第二主面侧的表面(下表面)12a实施磨削、研磨等加工，使其成为上述期望的厚度的压电层。通过形成有改性层14，使得复合基板110能够具有优异的耐久性。例如，磨削、研磨等加工时的耐久性优异。具体而言，能够抑制因磨削、研磨等加工而在复合基板中发生剥落(具体的为压电基板12与低阻抗层21的边界附近的剥落)。结果，能够得到没有剥落、品质优异的复合基板。
优选为，各层(具体的为压电层、压电基板、反射层、支撑基板、接合层)的表面为平坦面。具体而言，各层的表面的算术平均粗糙度Ra优选为1nm以下，更优选为0.3nm以下。作为使各层的表面平坦化的方法，例如可以举出：镜面研磨、精研(lap)、化学机械研磨加工(CMP)。
上述成膜、接合时，例如优选对各层的表面进行清洗，以便除去研磨剂的残渣、加工变质层等。作为清洗方法，例如可以举出：湿洗、干洗、刷洗。其中，从能够简便且有效地清洗考虑，优选为刷洗。作为刷洗的具体例，可以举出如下方法，即，采用清洗剂(例如lion公司制、Sun wash series)后，采用溶剂(例如丙酮与异丙醇(IPA)的混合溶液)，利用刷洗机进行清洗。
代表性地，上述活化处理通过照射中性束来进行。优选为，使用日本特开2014-086400号公报中记载的装置那样的装置，产生中性束，照射该射束，由此进行活化处理。具体而言，作为射束源，使用鞍场型的高速原子射束源，向腔室中导入氩、氮等非活性气体，从直流电源向电极施加高电压。利用据此而在电极(正极)与壳体(负极)之间产生的鞍场型电场，使得电子进行运动，生成非活性气体的原子和离子的射束。在到达了栅格的射束中，离子束在栅格被中和，因此，从高速原子射束源射出中性原子的射束。利用射束照射进行活化处理时的电压优选为0.5kV～2.0kV，利用射束照射进行活化处理时的电流优选为50mA～200mA。
上述接合面的接触及加压优选在真空气氛中进行。代表性地，此时的温度为常温。具体而言，优选为20℃以上且40℃以下，更优选为25℃以上且30℃以下。施加的压力优选为100N～20000N。
B.弹性表面波元件
本发明所涉及的弹性表面波元件包括上述复合基板。根据上述复合基板，能够达成较高的Q值。另外，上述复合基板的耐久性优异，因此，例如对上述复合基板实施电极等的形成、切断等加工而得到的弹性表面波元件的剥落、开裂等得到了抑制，品质优异。该弹性表面波元件优选作为SAW滤波器用于移动电话等通信设备。
实施例
以下，通过实施例对本发明具体地进行说明，不过，本发明并不受这些实施例的限定。
[实施例1]
准备具有定向平面(OF)部、直径4英寸、厚度250μm的钽酸锂(LT)基板(将弹性表面波(SAW)的传播方向设为X、切出角为旋转Y的切割板即128°Y切割X传播的LT基板)。对该LT基板的表面进行镜面研磨，以使算术平均粗糙度Ra为0.3nm。此处，算术平均粗糙度Ra为利用原子力显微镜(AFM)以10μm×10μm的视野进行测定得到的值。
接下来，在LT基板的研磨面，利用IAD法形成第一氧化硅层(厚度：150nm)。具体而言，在真空度2×10-2Pa下，对溶解石英照射电子束，氧及氩气的流通下(流量比：氧/氩＝2.0)，以成膜速率1nm/秒进行成膜。之后，依次形成氧化铪层(厚度：200nm)及氧化硅层(厚度：150nm)。具体而言，在真空度2×10-2Pa下，对氧化铪靶或者氧化硅靶照射电子束，氧及氩气的流通下(流量比：氧/氩＝2.2)，以成膜速率0.5nm/秒进行成膜。这样形成图1所示的反射层。
接下来，在反射层上，形成硅氧化物层(厚度：80～190nm、算术平均粗糙度Ra：0.2～0.6nm)。具体而言，利用直流溅射法，采用掺杂有硼的Si靶，进行成膜。另外，作为氧源，导入氧气。此时，通过调节氧气导入量，对腔室内的气氛的总压和氧分压进行调节。然后，对硅氧化物层的表面实施化学机械研磨加工(CMP)，形成接合层(厚度：50nm、算术平均粗糙度Ra：0.08～0.4nm)。
准备具有OF部、直径4英寸、厚度500μm的包含硅的支撑基板。对该支撑基板的表面实施化学机械研磨加工(CMP)，算术平均粗糙度Ra为0.2nm。
接下来，将LT基板和支撑基板直接键合。具体而言，对LT基板的表面(接合层侧)及支撑基板的表面进行清洗后，将两个基板放入真空腔室中，抽真空至10-6Pa的水平后，对两个基板的表面照射120秒钟高速原子射束(加速电压1kV、Ar流量27sccm)。照射后，将两个基板的射束照射面重合，以10000N进行2分钟加压，将两个基板接合。然后，将得到的接合体于100℃进行20小时加热。
接下来，对上述接合体(复合基板)的LT基板的背面进行磨削及研磨，使其从原来的250μm变为0.5μm，得到具有厚度0.5μm的压电层的复合基板。
[实施例2～6及比较例1～5]
变更利用IAD法形成第一氧化硅层(厚度：150nm)的成膜条件，除此以外，与实施例1同样地得到复合基板。
＜评价＞
对得到的复合基板进行下述评价。将评价结果汇总于表1。
1.改性层的确认
通过以场发射型透射电子显微镜(JEOL公司制的“JEM-F200”)进行观察(TEM观察)，确认LT基板有无形成改性层。TEM观察用的试样是利用FIB法制作的，TEM观察的加速电压为200kV，倍率为540万倍。作为一例，将实施例2的复合基板(第一氧化硅层)的截面TEM图像示于图3，将比较例5的复合基板(第一氧化硅层)的截面TEM图像示于图4。
在观察到改性层的情况下，测定其厚度。具体而言，在得到的TEM图像中，将能够确认到LT基板的结晶结构的部位至氧化硅层的色调(Tone)与改性层的色调的中间色调的部位设为改性层，测定其厚度。应予说明，测定部位设为得到的TEM图像内厚度最厚的部位。
2.密度的测定
利用X射线反射率法(XRR)求解密度。
使用全自动多目的X射线衍射装置(理学公司制的“SmartLab”)，以入射X射线波长0.15418nm(CuKα射线)、X射线输出45kV、200mA、测定范围(与试样表面的夹角)0.0～4.0°、测定步进0.01°的条件进行解析。
作为测定样品，使用另行在基板(例如硅基板、铌酸锂基板、钽酸锂基板)以相同条件形成有氧化硅层的部件。
针对得到的解析模型，区分为基板、改性层、氧化硅层这3部分进行解析，求出氧化硅层的密度。应予说明，氧化硅层的厚度较厚的情形下或改性层的厚度的解析较困难的情形下，将解析模型区分为基板、氧化硅层这2部分，根据测定轮廓的临界角，求出氧化硅层的密度。
3.Q值的测定
针对在复合基板的压电层表面形成梳型电极而得到的弹性表面波元件，使用网络分析仪测定频率特性。根据得到的频率特性，求出共振频率fr及其半值宽度Δfr，利用fr/Δfr计算出Q值。
4.耐久性
针对各实施例及比较例，在LT基板的背面的磨削及研磨前后，进行显微镜观察，确认复合基板是否发生剥落，由此评价耐久性。
表1
没有确认到改性层的比较例1及比较例5中，确认到因LT基板的背面的切削及研磨而发生剥落。具体而言，确认到在LT基板与第一氧化硅层的边界附近(针对LT基板形成第一氧化硅层的成膜初期)发生了剥落。
可知：各实施例中，在存在改性层的状态下，也得到较高的Q值。
应予说明，利用能量分散型X射线分析(EDX)对改性层进行分析，结果，检测到Ta、O及微量的Ar。
以与实施例2相同的条件制作测定用样品(在LT基板形成氧化硅层得到的部件)，针对其改性层的组成，使用原子分辨率分析电子显微镜(JEOL制的JEM-ARM200F Dual-X)及能量分散型X射线分析装置(JEOL制的JED-2300)，以加速电压200kV、束斑尺寸约0.2nmΦ，通过STEM-EDX观察进行分析。具体而言，在改性层的厚度方向进行线分析，分析部位设为自改性层的厚度方向中央起算在第一氧化硅层侧及LT基板侧分别为改性层的厚度的25％的厚度的范围内，计算出以厚度方向约0.2nm间隔测定得到的结果的平均值。结果，将Ta、O、Si及Ar的合计设为100atom％时的Si的含量为7.0atom％以下。
产业上的可利用性
本发明的1个实施方式所涉及的复合基板能够优选用于弹性表面波元件。
附图标记说明
10压电层
14改性层
20反射层
21低阻抗层
22高阻抗层
23低阻抗层
24高阻抗层
25低阻抗层
26高阻抗层
27低阻抗层
28高阻抗层
30支撑基板
40接合层
100复合基板
110复合基板
Claims (15)
1.一种复合基板，其中，具有：
压电层；以及
反射层，该反射层配置于所述压电层的背面侧，且包括高阻抗层、以及包含氧化硅的低阻抗层，
在所述压电层的背面侧的端部形成有改性层，
所述低阻抗层的密度为2.15g/cm3以上。
2.根据权利要求1所述的复合基板，其中，
所述改性层的厚度为0.3nm以上。
3.根据权利要求1或2所述的复合基板，其中，
所述改性层的厚度为4.5nm以下。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的复合基板，其中，
所述改性层包含非晶质体。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的复合基板，其中，
所述改性层的硅原子的含量小于10atom％。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的复合基板，其中，
所述高阻抗层包含选自由氧化铪、氧化钽、氧化锆以及氧化铝构成的组中的至少1种。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的复合基板，其中，
所述高阻抗层及所述低阻抗层的厚度分别为0.01μm～1μm。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的复合基板，其中，
所述反射层中，所述高阻抗层和所述低阻抗层交替层叠。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的复合基板，其中，
具有在所述反射层的背面侧所配置的支撑基板。
10.根据权利要求9所述的复合基板，其中，
具有在所述反射层与所述支撑基板之间所配置的接合层。
11.一种弹性表面波元件，其中，包括权利要求1至10中的任一项所述的复合基板。
12.一种复合基板的制造方法，其中，包括：
在具有相互对置的第一主面及第二主面的压电基板的所述第一主面侧的端部形成改性层、
在所述压电基板的第一主面侧形成包含氧化硅且密度为2.15g/cm3以上的低阻抗层、以及
在形成有所述低阻抗层的所述压电基板的第一主面侧形成高阻抗层。
13.根据权利要求12所述的制造方法，其中，
所述改性层的厚度为0.3nm以上。
14.根据权利要求12或13所述的制造方法，其中，
所述改性层的厚度为4.5nm以下。
15.根据权利要求12至14中的任一项所述的制造方法，其中，
还包括：对形成有所述低阻抗层及所述高阻抗层的所述压电基板的第二主面侧的表面进行研磨。
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