CN116761869A - 选择性移除金属氧化物硬掩模 - Google Patents

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Abstract

本发明提供在其它材料(如多晶硅、二氧化硅、氮化硅和钨)存在下可用于选择性蚀刻(即移除)金属氧化物硬掩模(如氧化锆和氧化铪)的组合物，所述硬掩模通常用作微电子装置中的硬掩模。

Description

选择性移除金属氧化物硬掩模
技术领域
本发明大体上涉及移除或蚀刻某些高k电介质材料，包括金属氧化物硬掩模如氧化锆和氧化铪。
背景技术
常规半导体装置可包括大量的金属氧化物半导体场效晶体管(“MOSFET”)，各包含至少一个源极区、漏极区与栅极区。互补金属氧化物半导体(“CMOS”)使用互补且对称的p型和n型MOSFET对，允许逻辑功能于芯片上的较高密度。
MOS或CMOS晶体管的栅极区一般由放置于氧化物绝缘子/电介质(例如SiO2)的顶部之上或上的栅极材料(例如多晶硅)制成，氧化物绝缘子/电介质继而覆盖半导体材料或于半导体材料上，此组合通常称为“栅极堆栈”。尽管在金属栅极和金属氧化物半导体中提及“金属”，但多晶硅是常规栅极制造中的最常见的栅极材料。多晶硅因其容易沉积、在后续制造步骤(例如退火)中其对极高温度(超过900℃到1000℃)的耐受性、和其形成自配向栅极的能力而成为制造栅极电极中的优选材料。用金属制造栅极受到多晶硅避免的许多问题的困扰。
在现有技术中选择的栅极电介质一直是二氧化硅。随着晶体管尺寸减小，二氧化硅电介质的厚度也已经缩小以改进栅极电容，由此提高电流和装置性能。二氧化硅栅极厚度减小小于约2nm已导致由于隧道化而显著增加的漏电流，此导致不堪重负的功率消耗和降低的装置可靠性。解决办法是用高-k电介质材料(如氧化锆)替换二氧化硅栅极栅极电介质，此将使闸电容增加而没有伴随泄漏效应。
另外，使用高纵横比硅沟槽产生在存在二氧化硅和其它材料下选择性蚀刻氧化锆层或“硬掩模”的挑战。
已知，可使用包含酸、氧化剂和氟化合物(如氢氟酸、氟硫酸、氟化铵或二氟化铵)的水性溶液移除高k电介质如氧化锆。(参见例如第6,656,852号美国专利)。然而，此类组合物不仅倾向于蚀刻高k电介质如氧化锆，而且蚀刻或降解可存在的其它材料，如多晶硅、二氧化硅、氮化硅和钨。
因此，仍需要用于在存在其它材料(如多晶硅、二氧化硅、氮化硅和钨)下蚀刻高k电介质材料(如氧化锆)的经改进方法。
发明内容
总的来说，本公开提供一种预期在存在其它材料(如多晶硅、二氧化硅、氮化硅和钨)下可用于选择性蚀刻(也就是说移除)金属氧化物硬掩模(如氧化锆和氧化铪)的组合物，所述硬掩模通常用作微电子装置中的硬掩模。就此来说，某些氟化物化合物经描述为在规定pH范围内的组合物中的用于促进在存在其它材料下选择性移除氧化锆的蚀刻剂。所述组合物包含：
a.水；
b.选自氟化铵、二氟化铵和六氟硅酸的氟化物化合物；
c.一种或多种酸；
d.一种或多种腐蚀抑制剂；
e.选自醇、二醇、二醇醚、卤化铵和胺的水可混溶组分；
其中所述组合物具有约-2到6的pH。
具体实施方式
如本说明书和所附权利要求书中所用，除非本文清楚地另作指明，否则单数形式“一(a,an)”和“所述”包括多个指示物。如本说明书和所附权利要求书中所用，除非本文清楚地另作指明，否则术语“或”一般在其包括“和/或”的意义上使用。
术语“约”一般是指被认为等同于所列举值(例如，具有相同功能或结果)的一系列数值。在许多情况下，术语“约”可包括四舍五入到最接近有效数字的数值。
使用端点表示的数值范围包括包含在所述范围内的所有数值(例如，1到5包括1、1.5、2、2.75、3、3.80、4和5)。
在第一方面中，本发明提供一种组合物，其包含：
a.水；
b.选自氟化铵、二氟化铵和六氟硅酸的氟化物化合物；
c.一种或多种酸；
d.一种或多种腐蚀抑制剂；和
e.选自醇、二醇、二醇醚、卤化铵和胺的水可混溶组分；
其中所述组合物具有约-2到6的pH。在某些实施例中，所述组合物的pH将为约0到约4，且在其它实施例中，为约1到约2。
在一个实施例中，所述氟化物化合物为六氟硅酸。
在一个实施例中，组分(c)的所述酸可选自盐酸、硝酸、丙酸、柠檬酸、酒石酸和硫酸，且以使得连同组合物的其它组分一起提供所需pH的量使用。
在一个实施例中，所述醇选自甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇、四氢呋喃醇(THFA)、卤化醇(如3-氯-1,2-丙二醇、3-氯-1-丙二醇、1-氯-2-丙醇、2-氯-1-丙醇、3-氯-1-丙醇、3-溴-1,2-丙二醇、1-溴-2-丙醇、3-溴-1-丙醇、3-碘-1-丙醇、4-氯-1-丁醇和2-氯乙醇)。
在一个实施例中，所述醇为C1-C4烷醇且选自甲醇、乙醇、丙醇、正丁醇、异丙醇、伯丁醇和叔丁基醇乙醇。在一个实施例中，所述醇为乙醇。
在一个实施例中，所述二醇是选自C2-C4二醇和C2-C4三醇，如乙二醇、丙二醇(PG)、1,3-丙二醇和三羟甲基丙烷。
在一个实施例中，所述二醇醚是选自二乙二醇单甲基醚、三乙二醇单甲基醚、二乙二醇单乙基醚、三乙二醇单乙基醚、乙二醇单丙基醚、乙二醇单丁基醚、二乙二醇单丁基醚(也就是说丁基卡必醇(carbitol))、三乙二醇单丁基醚、乙二醇单己基醚、二乙二醇单己基醚、乙二醇苯基醚、丙二醇甲基醚、二丙二醇甲基醚(DPGME)、三丙二醇甲基醚(TPGME)、二丙二醇二甲基醚、二丙二醇乙基醚、丙二醇正丙基醚、二丙二醇正丙基醚(DPGPE)、三丙二醇正丙基醚、丙二醇正丁基醚、二丙二醇正丁基醚、三丙二醇正丁基醚、丙二醇苯基醚、乙二醇单苯基醚、二乙二醇单苯基醚、六乙二醇单苯基醚、二丙二醇甲基醚乙酸酯和四乙二醇二甲基醚(TEGDE)。
在一个实施例中，卤化铵为氯化铵或溴化铵。
在一个实施例中，胺为三乙胺。在另一个实施例中，胺为伯胺。在另一个实施例中，胺是选自二乙胺、二异丙胺、乙基甲胺、二乙醇胺、N,N-二甲胺和N-甲基二乙醇胺。
在一个实施例中，所述腐蚀抑制剂选自5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇(ATDT)、苯并三唑(BTA)、1,2,4-三唑(TAZ)、甲苯基三唑、5-甲基-苯并三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、苯并三唑羧酸、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三唑、1-氨基-1,2,4-三唑、羟基苯并三唑、2-(5-氨基苯基)-苯并三唑、1-氨基-1,2,3-三唑、1-氨基-5-甲基-1,2,3-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、3-巯基-1,2,4-三唑、3-异丙基-1,2,4-三唑、5-苯基硫醇基-苯并三唑、卤基-苯并三唑(卤基＝F、Cl、Br或I)、萘并三唑、2-巯基苯并咪唑(MBI)、2-巯基苯并噻唑、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巯基噻唑啉、5-氨基四唑、戊烯四唑、5-苯基-1H-四唑、5-苄基-1H-四唑、2-苄基吡啶、琥珀酰亚胺、马来酰亚胺、邻苯二甲酰亚胺、戊二酰亚胺、2,4-二氨基-6-甲基-1,3,5-三嗪、噻唑、三嗪、甲基四唑、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、1,5-五亚甲基四唑、1-苯基-5-巯基四唑、二氨基甲基三嗪、咪唑啉硫酮、4-甲基-4H-1,2,4-三唑-3-硫醇、苯并噻唑、咪唑、吡唑、吲唑、腺苷、咔唑、糖精和安息香肟。另外腐蚀抑制剂包括阳离子性四级表面活性剂盐，如氯化苯二甲烃铵、氯化苄基二甲基十二基铵、溴化肉豆蔻基三甲基铵、溴化十二基三甲基铵、氯化十六基吡啶鎓、Aliquat 336(科宁(Cognis))、氯化苄基二甲基苯基铵、Crodaquat TES(禾大有限公司(Croda Inc.))、Rewoquat CPEM(威特科(Witco))、对甲苯磺酸十六基三甲基铵、氢氧化十六基三甲基铵、二氯化1-甲基-1'-十四基-4,4'-二吡啶鎓、溴化烷基三甲基铵、氨丙啉(amprolium)盐酸盐、氢氧化苯索宁(benzethonium)、氯化苯索宁、氯化苄基二甲基十六基铵、氯化苄基二甲基十四基铵、溴化苄基十二基二甲基铵、氯化苄基十二基二甲基铵、氯化鲸蜡基吡啶鎓、胆碱对甲苯磺酸盐、溴化二甲基二(十八基)铵、溴化十二基乙基二甲基铵、氯化十二基三甲基铵、溴化乙基十六基二甲基铵、吉拉德氏试剂(Girard's reagent)、磷酸二氢十六基(2-羟基乙基)二甲基铵、溴化十六基吡啶鎓、溴化十六基三甲基铵、氯化十六基三甲基铵、氯化甲基苯索宁、1622、LuviquatTM、N,N',N'-聚氧亚乙基(10)-N-牛脂-1,3-二氨基丙烷液体、溴化氧基苯鎓、溴化四庚基铵、溴化四(癸基)铵、通佐溴铵(thonzonium bromide)、氯化三(十二基)铵、溴化三甲基十八基铵、四氟硼酸1-甲基-3-正辛基咪唑鎓、四氟硼酸1-癸基-3-甲基咪唑鎓、氯化1-癸基-3-甲基咪唑鎓、溴化三(十二基)甲基铵、氯化二甲基二硬脂基铵和氯化六羟季铵。其它腐蚀抑制剂包括非离子性表面活性剂，如PolyFox PF-159(欧诺瓦解决方案公司(OMNOVA Solutions))、聚(乙二醇)(“PEG”)、聚(丙二醇)(“PPG”)、PEG-PPG共聚物(如Pluronic F-127(BASF))，阴离子性表面活性剂(如十二基苯磺酸、十二基苯磺酸钠和其组合)。四级盐可作用为腐蚀抑制剂和润湿剂。应了解，虽然四级盐最常以氯化物或溴化物的形式购买获得，但其易于用非卤化物阴离子(如硫酸盐、甲磺酸盐、硝酸盐、氢氧化物和类似盐)离子交换卤化物阴离子。本文还涵盖此类转化的四级盐。在一个特别优选实施例中，已知5-甲基-1H-苯并三唑阻断氧化剂对铜的氧化活性。或者或除了5-甲基-1H-苯并三唑(mBTA)之外，腐蚀抑制剂包括吡唑、苯并三唑、阳离子四级表面活性剂盐，更优选地为溴化肉豆蔻基三甲基铵、氯化苯二甲烃铵、对甲苯磺酸十六基三甲基铵和氢氧化十六基三甲基铵、四唑(如5-苄基-1H-四唑)和其组合。
在另一个实施例中，腐蚀抑制剂选自溴化肉豆蔻基三甲基铵、氯化苯二甲烃铵、对甲苯磺酸十六基三甲基铵、氢氧化十六基三甲基铵、5-苄基-1H-四唑和其组合。
在一个实施例中，腐蚀抑制剂选自氯化苯二甲烃铵；氯化十二基苯二甲烃铵；烷基苯磺酸酯；和选自以下的化合物：二苯基硅醇；三乙基硅醇；三-叔丁氧基硅醇；氨基(二甲基)硅醇；氨基丙基二异丙基硅烷；氨基丙基硅烷三醇；(3-氨基丙基)三乙氧基硅烷；N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基硅烷三醇；N1-(3-三甲氧基硅基丙基)二亚乙三胺)；3,3'-(二甲氧基亚硅基)双-(1-丙胺)；1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四乙氧基二硅氧烷；和N-(6-氨基己基)氨基丙基三甲氧基硅烷和其组合。
在另一个实施例中，腐蚀抑制剂是以约0.001重量％到约2重量％的量存在。
在一个实施例中，腐蚀抑制剂为氨基丙基硅烷三醇和至少一种烷基苯磺酸酯的混合物。
在上述组合物中，组分的相对比例如下：
a.约65到约80重量％的水；
b.约4到约10重量％的选自氟化铵、二氟化铵和六氟硅酸的氟化物化合物；
c.酸，其量足以实现约-2到约6的规定pH；
d.约1到约5重量％的腐蚀抑制剂；和
e.选自醇、二醇、二醇醚、卤化铵和胺的水可混溶组分。
在一个实施例中，氟化物化合物为六氟硅酸。
虽然已观测到六氟硅酸经水解成氢氟酸和各种形式的非晶型且水合化的硅石(也就是说SiO2)，但本发明提供在某些水可混溶组分存在下在约1到约2的pH下使用含在水性组合物中的六氟硅酸以在其它材料(如多晶硅、二氧化硅、氮化硅和钨)存在下选择性蚀刻(也就是说移除)氧化锆。因此，所述组合物特别可用于制造包含这些材料的高纵横比结构。
如本文所用，“微电子装置”为包括形成于其上的极小(例如微米规模或更小)尺寸的电路和相关结构的装置。示例性微电子装置包括平板显示器、集成电路、记忆装置、太阳能面板、光伏打和微机电系统(MEMS)。微电子装置衬底为处于准备好以形成最终微电子装置的状态中的包括一个或多个微电子装置或其前体的结构如晶片(例如半导体晶片)。
在第二方面中，本发明提供一种从微电子装置移除氧化锆或氧化铪硬掩模的方法，所述方法包括使所述微电子装置与包含以下的组合物在实施所述硬掩模的至少部分移除所必需的时间和温度下接触：
a.水；
b.选自氟化铵、二氟化铵和六氟硅酸的氟化物化合物；
c.一种或多种酸；
d.一种或多种腐蚀抑制剂；和
e.选自醇、二醇、二醇醚、卤化铵和胺的水溶性组分；
其中所述组合物具有约-2到6的pH。
在其它实施例中，所述组合物如上文在各种实施例中所述。
应了解，常见的实务是在使用之前制备待稀释的组合物的浓缩形式。例如，所述组合物可以更浓缩形式制造且此后在制造商处、在使用之前和/或在制造厂(fab)处使用期间用至少一种溶剂稀释。稀释比可在约0.1份稀释剂:1份组合物浓缩物到约100份稀释剂:1份组合物浓缩物的范围内。本文所述的组合物可容易地通过简单添加各别组分且混合到均匀条件来调配。此外，所述组合物可容易地调配为单包装调配物或在应需使用时或之前混合的多部分调配物，优选地为多部分调配物。多部分调配物的个别部分可在工具处或在混合区域(region/area)(如线内混合器)中或在工具上游的存储槽中进行混合。经考虑，多部分调配物的各个部分可含有当混合在一起时形成所需组合物的组分/成分的任何组合。各别组分的浓度可以半水性组合物的特定倍数(也就是说更稀或更浓)而广泛地变化，且应了解，半水性组合物可不同地且替代地包含与本文公开内容一致的组分的任何组合，由其组成或基本上由其组成。
因此，在第三方面中，本发明提供一种试剂盒，所述试剂盒包含适合于形成本文所述的组合物的两种或更多种组分于一个或多个容器中。试剂盒的容器必须适合于存储和运输所述组合物组分，例如容器(先进科材股份有限公司(Advanced TechnologyMaterials,Inc.)，美国康涅狄格州丹伯里(Danbury，Conn.，USA))。两个或更多个含有所述组合物的组分的容器优选地包括用于使所述一个或多个容器中的组分成流体连通以供掺合和分配的构件。例如，参考/>容器，可将气体压力施加到所述一个或多个容器中的内衬的外部以引起所述内衬的内含物的至少一部分被排出且因此启动流体连通以供掺合和分配。或者，可将气体压力施加到常规可加压的容器的头部空间或可使用泵以启动流体连通。此外，所述系统优选地包括用于将经掺合组合物分配到加工工具的分配端口。
可使用基本上化学惰性、无杂质、柔性且弹性聚合物膜材料(如高密度聚乙烯)制造所述一个或多个容器的内衬。期望内衬材料一般在不需要共挤出或势垒层下，且在没有可不利影响待配置于内衬中的组分的纯度要求的任何颜料、UV抑制剂或加工剂下进行加工。期望内衬材料的清单包括包含纯(无添加剂)聚乙烯、纯聚四氟乙烯(PTFE)、聚丙烯、聚氨酯、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯、聚缩醛、聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚丁烯和类似内衬材料的膜。此类内衬材料的示例性厚度在约5密耳(0.005英寸)到约30密耳(0.030英寸)的范围内，如例如20密耳(0.020英寸)的厚度。
关于试剂盒的容器，以下专利和专利申请案的公开内容是以其各别全文引用方式并入本文中：第7,188,644号美国专利，题为“用于将超纯水液体中的颗粒的产生最小化的设备和方法(APPARATUS AND METHOD FOR MINIMIZING THE GENERATION OF PARTICLES INULTRAPURE LIQUIDS)”；和第6,698,619号美国专利，题为“可回收和可重复使用的桶中袋式液体存储和分配容器(RETURNABLE AND REUSABLE,BAG-IN-DRUM FLUID STORAGE ANDDISPENSING CONTAINER SYSTEM)”。
如所述的组合物可用于在材料(如多晶硅、二氧化硅、氮化硅和钨)存在下移除高k硬掩模材料(如氧化锆和氧化铪)的方法。
在使用中，本发明的组合物可提供在商业性能需要和期望基础上有用的蚀刻(也就是说移除)性能，且与比较蚀刻组合物相比，可提供关于高k材料(如氧化锆和氧化铪)相对材料(如多晶硅、二氧化硅、氮化硅和钨)的蚀刻速率和选择性改进的性能。
蚀刻微电子装置衬底的方法是半导体制造技术中已知的且可在已知和市售设备上进行。一般来说，为了蚀刻衬底以选择性移除衬底的表面处的材料，可将蚀刻组合物施覆到表面且允许接触表面结构以化学地选择性移除某些结构。
在一个蚀刻步骤中，组合物可以任何适合的方式施覆到表面，如通过将蚀刻组合物喷洒到表面上；通过将衬底浸渍(在静态或动态体积的组合物中)到蚀刻组合物中；通过使表面与具有吸收于其上的蚀刻组合物的另一材料(例如垫或纤维吸附剂施覆器组件)接触；通过使衬底与一定量的蚀刻组合物在循环池中接触；或通过使蚀刻组合物与含有高k硬掩模材料(如氧化锆或氧化铪)的微电子衬底的表面进行移除接触的任何其它适合的手段、方式或技术。所述施覆可为在分批或单晶片设备中，以用于动态或静态清洁。
有用的蚀刻工艺的条件(例如时间和温度)可为经发现是有效或有利的任何条件。一般来说，使蚀刻组合物与表面接触，如通过浸没于蚀刻组合物浴中一段足以选择性移除所需硬掩模材料的时间。暴露于蚀刻组合物的时间和蚀刻组合物的温度可有效地从衬底的表面移除所需量的硬掩模。蚀刻步骤的时间应不过于短，因为此意味着硬掩模的蚀刻速率可过于高，此可导致工艺控制困难且在蚀刻步骤结束时微电子装置的质量降低。当然，蚀刻步骤所需的时间有利地不是过度长的，以允许蚀刻工艺和半导体制造线的良好效率和生产量。在于约30℃到约60℃的范围内的温度下，蚀刻步骤的有用时间的实例可在约0.5分钟到约3分钟、或约1分钟到约2分钟的范围内。此种接触时间和温度是示例性的，且可使用可有效实现所需要移除选择性的任何其它适合的时间和温度条件。
已因此描述本公开的几个示例性实施例，本领域技术人员将轻易了解，可在本公开随附权利要求书的范围内制作和使用又其它实施例。本文件涵盖的公开的许多优势已在前述描述中进行阐述。然而，应理解，在很多方面，本公开仅是示例性的。当然，本公开的范围以表现随附权利要求书的语言限定。

Claims (17)

1.一种组合物，其包含：
a.水；
b.选自氟化铵、二氟化铵及六氟硅酸的氟化物化合物；
c.一种或多种酸；
d.一种或多种腐蚀抑制剂；
e.选自醇、二醇、二醇醚、卤化铵及胺的水溶性组分；
其中所述组合物具有约-2到6的pH。
2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述pH为约0到约4。
3.根据权利要求1所述的组合物，其中所述pH为约1到约2。
4.根据权利要求1所述的组合物，其中所述醇为C1-C4烷醇。
5.根据权利要求1所述的组合物，其中所述一种或多种酸选自盐酸、硫酸及硝酸。
6.根据权利要求1所述的组合物，其中所述氟化物化合物为六氟硅酸。
7.根据权利要求1所述的组合物，其中所述一种或多种抑制剂选自氯化苯二甲烃铵；氯化十二基苯二甲烃铵；烷基苯磺酸酯；及选自以下的化合物：二苯基硅醇；三乙基硅醇；三-叔丁氧基硅醇；氨基(二甲基)硅醇；氨基丙基二异丙基硅烷；氨基丙基硅烷三醇；(3-氨基丙基)三乙氧基硅烷；N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基硅烷三醇；N1-(3-三甲氧基硅基丙基)二亚乙三胺)；3,3'-(二甲氧基亚硅基)双-(1-丙胺)；1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四乙氧基二硅氧烷；及N-(6-氨基己基)氨基丙基三甲氧基硅烷或其混合物。
8.根据权利要求1所述的组合物，其中所述水溶性组分选自C1-C4烷醇。
9.根据权利要求8所述的组合物，其中所述C1-C4醇为正丁醇。
10.根据权利要求1所述的组合物，其中所述水溶性组分选自乙二醇、丙二醇、1,3-丙二醇及三羟甲基丙烷。
11.根据权利要求1所述的组合物，其中所述水溶性组分选自二醇醚。
12.根据权利要求11所述的组合物，其中所述二醇醚选自二乙二醇单甲基醚、三乙二醇单甲基醚、二乙二醇单乙基醚、三乙二醇单乙基醚、乙二醇单丙基醚、乙二醇单丁基醚、二乙二醇单丁基醚、三乙二醇单丁基醚、乙二醇单己基醚、二乙二醇单己基醚、乙二醇苯基醚、丙二醇甲基醚、二丙二醇甲基醚、三丙二醇甲基醚、二丙二醇二甲基醚、二丙二醇乙基醚、丙二醇正丙基醚、二丙二醇正丙基醚、三丙二醇正丙基醚、丙二醇正丁基醚、二丙二醇正丁基醚、三丙二醇正丁基醚、丙二醇苯基醚、乙二醇单苯基醚、二乙二醇单苯基醚、六乙二醇单苯基醚、二丙二醇甲基醚乙酸酯及四乙二醇二甲基醚。
13.根据权利要求12所述的组合物，其中所述二醇醚为二乙二醇单甲基醚。
14.根据权利要求1所述的组合物，其中所述腐蚀抑制剂选自十二基苯磺酸及氨基丙基硅烷三醇或其混合物。
15.根据权利要求1所述的组合物，其中所述腐蚀抑制剂包含十二基苯磺酸及氨基丙基硅烷三醇且所述水溶性组分包含正丁醇。
16.一种从微电子装置移除氧化锆或氧化铪硬掩模的方法，所述方法包括使所述微电子装置与包含以下组分的组合物在实现所述硬掩模的至少部分移除所必需的时间及温度下接触：
a.水；
b.选自氟化铵、二氟化铵及六氟硅酸的氟化物化合物；
c.一种或多种酸；
d.一种或多种腐蚀抑制剂；及
e.选自醇、二醇、二醇醚、卤化铵及胺的水溶性组分；
其中所述组合物具有约-2到6的pH。
17.一种试剂盒，其包括含在一个或多个容器中的以下组分中的二者或更多者：
a.选自氟化铵、二氟化铵及六氟硅酸的氟化物化合物；
b.一种或多种酸；
c.一种或多种腐蚀抑制剂；和
d.选自醇、二醇、二醇醚、卤化铵及胺的水溶性组分。
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