CN116759295A - 一种硅片清洗方法及硅片清洗设备 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种硅片清洗方法及硅片清洗设备，通过调换关键步骤的顺序，将DHF清洗步骤提前至SC1清洗前，同时去除了现有技术中的SC2清洗环节，配合常温QDR步骤，可有效冲洗清除多余的金属离子，采取本方法制备的可大幅降低抛光片时间雾的产生，减少因时间雾问题造成的大量产成品返工，提升产品的质量。
Description
技术领域
本发明涉及一种硅片清洗方法及硅片清洗设备，属于半导体材料技术领域。
背景技术
随着技术的进步，器件尺寸不断减小，对硅抛光片表面质量具有了更严格的要求，因此对抛光后的最终清洗提出了严格的要求。最终清洗的目的是去除晶圆表面颗粒、有机物、金属离子等杂质并控制表面微粗糙度，此外，还需控制晶圆表面在储藏过程中不出现时间依赖性雾(简称时间雾，TDH，time-dependent haze)。TDH其实为硅抛光片表面的高密度的表面颗粒(大于0.13μm)，这些颗粒在强聚光灯下会发生散射，使得硅片表面呈现雾状的外观。由于时间雾是在后续存放过程中产生的，不可提前预测与检测，并对后续的器件加工有非常致命的影响，因此需要在生产过程中进行工艺改进，以防止后续时间雾的产生。
目前解决这类问题的方法一般是对表面进行RCA标准清洗，即采用SC-1液和SC-2液、DHF溶液的重新返洗，部分时间雾比较严重的抛光片需要返抛光处理。现有技术CN111986984A中采用SCI-QDR-SC2冲洗流程，现有技术CN112435916 A采用了含氟的清洗液，采用了SC1-DHF-SC2-DHF冲洗流程，这两种方案都使用SC-2液或者额外引进含氟的清洗液进行超声清洗，成本较高，对功能要求增加，增加机台占地面积，且清洗后晶圆表面呈亲水性且晶圆表面有金属离子残留。熊诚雷等提出了一种纯水漂洗的方案（doi：10∙3969/j∙issn∙1003-353x∙2009∙09∙007），但是需要对纯水进行加热，工艺设备复杂。
硅片产生时间雾的时间不同，短则二三天，长则几个月，全检后再出货的产品仍会有时间雾的风险，从而导致严重的客户投诉，因此，如何从根本上解决时间雾问题成为了本领域的关键技术问题。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供一种硅片清洗方法及硅片清洗设备，通过调整关键清洗步骤的顺序，提供的清洗方法可大幅降低硅片时间雾的产生，且该方法操作简单，适合批量生产。
为实现上述技术问题，本申请采用的方案为：
一种硅片清洗方法，包括以下步骤：
步骤S01:将处理好的硅片在室温下进行DHF清洗液清洗1~2min，随后进行快速高纯水冲洗10~15min，其中在DHF清洗液中，以体积比记，氢氟酸：水=1:100~150；
步骤S02：将步骤S01得到的硅片进行SC-1清洗液清洗5~10min，兆声清洗温度为40~60℃，随后进行快速高纯水冲洗10~15min，其中在SC1清洗液中，以体积比计，氨水：双氧水：水=1:2:50；
步骤S03：将步骤S02得到的硅片在室温下再次进行DHF清洗液清洗10~60s，随后进行快速高纯水冲洗10~15min，其中在DHF清洗液中，以体积比记，氢氟酸：水=1:100~150；
步骤S04：对步骤S03得到的硅片进行干燥、封装后得到最终硅片产品。
作为一种优选方案，步骤S01、步骤S02、步骤S03可重复进行多次。
进一步的，步骤S01、步骤S03为1次，步骤S02的次数为2次。
作为一种优选方案，所述步骤S01、步骤S02、步骤S03中快速高纯水的流量为10~35L/min。
作为一种优选方案，所述步骤S01、步骤S02、步骤S03中快速高纯水的温度为20~25℃。
作为一种优选方案，所述步骤S04包括如下步骤：
步骤S041：对步骤S03得到的硅片进行IPA Marangoni干燥；
步骤S042：将干燥后的硅片用内包装袋进行封装，内包装袋里冲氮气；
步骤S043：在内包装袋外再次封装外包装袋，内外包装袋之间抽真空。
进一步的，步骤S041中，IPA Marangoni干燥过程中提拉速度为0.5~2mm/sec。
进一步的，步骤S041中IPA Marangoni干燥过程中热氮的流量为100~200L/min。
进一步的，步骤S041中IPA Marangoni干燥过程中干燥时间为100~200s。
一种硅片清洗设备，可应用于经过上述硅片清洗方法，包括如下部分：
第一清洗单元，用于采用DHF清洗液对硅片进行清洗，用于清洗在硅片表面形成的氧化膜，所述DHF清洗液包括HF，H2O；
第二清洗单元，用于采用SC1清洗液对硅片进行清洗，以去除硅片表面的颗粒污染、有机杂质及金属离子；
第一清洗单元和第二清洗单元之间都有纯水溢流槽，用于进行快速高纯水的清洗。
和现有技术相比，本申请具有如下优点：
1、将DHF清洗步骤提前，采用DHF-SC1-DHF的创新清洗流程，和现有技术中的SC1-DHF/SC1-DHF-SC2的清洗流程相比，DHF清洗液可以将晶圆表面的自然氧化层腐蚀掉，附着在自然氧化层的金属和颗粒溶解到清洗液中，将DHF清洗步骤增加在SC1清洗前，可更好的去除颗粒和金属离子效果，此外DHF清洗取代SC2清洗步骤不但可以去除金属，且经处理后晶圆表面态呈疏水性，具有更好的时间雾去除效果，在未包装的前提下在环境静置两个月未出现时间雾；
2、不需要加入SC2清洗液，和现有技术比，降低了成本，节约了流程，清洗设备中也不需要增加SC2清洗的功能和模块；
3、现有传统的RCA标准清洗流程步骤较多，本申请清洗次数少，节约时间。
附图说明
图1为本发明提供的一个实施例中硅片清洗方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
此外，术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的不同特征之间可以相互结合。
硅片清洗工艺是硅片生产工艺中不可缺少的工序，传统成熟RCA清洗工艺技术，所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统，清洗工序基本上为：SC1清洗液-DHF清洗液-SC2清洗液的方式。
SC1清洗液的组成为NH4OH，H2O2，H2O，SC1清洗的目的主要是去除颗粒污染和有机杂质，同时也能去除部分金属离子；硅片经过SC1清洗液后虽然能去除部分金属，但是硅片表面的自然氧化膜的附着，尤其是Al氧化膜问题还未解决，因此需要采用DHF清洗液进行在清洗，DHF清洗液由HF，H2O组成，DHF清洗可将由于使用SC1清洗时表面生成的自然氧化膜腐蚀掉，而硅片本身几乎不被腐蚀。
但是在酸性溶液中，硅片表面显负电性，颗粒表面为正电性，两者之间存在吸引力，杂质金属粒子容易附着在晶片表面，因此需要SC2清洗液的清洗。SC2清洗液由HCl，H2O2，H2O组成，SC2清洗液为酸性溶液，具有较强的去除晶片表面金属的能力。所以在RCA清洗工艺中，通常是按：SC1-DHF-SC2的清洗顺序，就是根据各种清洗液的特性和主要作用，首先去除硅片表面的有机物和颗粒沾污，然后去氧化膜，最后去除金属离子。
但是现有技术中存在晶圆清洗后随放置时间增加，晶圆上出现时间雾异常变严重，影响后续芯片制造问题，因此本申请改变了传统RCA的流程，采用DHF-SC1-DHF清洗流程，将DHF清洗流程提前，经实验证明，本方案去除清洗晶圆表面上颗粒和金属离子效果好，且无需SC2清洗液，减少清洗液种类，有效节约了成本和减少了环境污染。
本申请提供了一种硅片清洗方法，请参照图1，包括以下步骤：
步骤S01，将处理好的硅片在室温下进行DHF清洗液清洗1~2min，随后进行快速高纯水冲洗10~15min，其中在DHF清洗液中，以体积比记，氢氟酸：水=1:100~150；
步骤S02，将步骤S01得到的硅片进行SC1清洗液清洗5~10min，兆声清洗温度为40~60℃，随后进行快速高纯水冲洗10~15min，其中在SC1清洗液中，以体积比计，氨水：双氧水：水=1:2:50；
步骤S03，将步骤S02得到的硅片在室温下再次进行DHF清洗液清洗10~60s，随后进行快速高纯水冲洗10~15min，其中在DHF清洗液中，以体积比记，氢氟酸：水=1:100~150；
步骤S04，对步骤S03得到的硅片进行干燥、封装后得到最终硅片产品。
步骤S01、步骤S02、步骤S03中，快速高纯水冲洗的时间为10~15min，如可以为10、11、12、13、14、15min。冲洗的时间太长（有何缺点）浪费纯水，影响产量,冲洗的时间太短表面残留清洗液导致晶圆表面残留离子，影响清洗效果。
步骤S01中，硅片在室温下进行DHF清洗液清洗的时间为1~2min，如可以为1、1.5、2min。DHF兆声清洗过长，对氧化层会产生过度腐蚀，清洗时间过短，不能将自然氧化层的颗粒和金属去掉。
步骤S01、步骤S03中，在DHF清洗液中，以体积比记，氢氟酸：水=1:100~150，如比例可以为1:100、1:110、1:120、1:130、1:140、1:150。水的比例过高，刻蚀晶圆表面的二氧化硅速率变低，清洗效果变差，水的比例过低刻，蚀晶圆表面的二氧化硅的速率变高，导致晶圆表面刻蚀损伤。
步骤S02中，SC1清洗液清洗时间为5~10min，如清洗时间可以为5、6、7、8、9、10min。SC1清洗液清洗时间过长刻蚀晶圆表面的二氧化硅和硅的速率变高，导致晶圆表面刻蚀损伤，SC1清洗液清洗时间过短刻蚀晶圆表面的二氧化硅和硅的速率变低，清洗效果变差。
步骤S02中，SC1清洗液清洗温度为40~60℃，如清洗温度可以为40、45、50、55、60℃。SC1清洗液清洗温度过高，SC1清洗液与晶圆表面的二氧化硅和硅产生的化学反应剧烈，造成晶圆损伤，SC1清洗液兆声清洗温度过低，SC1清洗液与晶圆表面的二氧化硅和硅产生的化学反应轻微，导致清洗效果不佳。
步骤S03中，DHF清洗液清洗时间为10~60s，如清洗时间可以为10、20、30、40、50、60s。DHF清洗液清洗时间过长对氧化层过度腐蚀，DHF清洗液清洗时间过短，未将晶圆表面金属去掉。
在本申请中，通过引入了快速高纯水清洗步骤，使得DHF和超纯水的共同作用，达到更好的清洗效果。首先使用DHF清洗液对晶圆表面生成的自然氧化层进行刻蚀，让氧化层中的颗粒随膜层刻蚀去掉，金属颗粒暴露，与HF反应后，可随纯水冲洗干净；SC1清洗液为氨水和双氧水和纯水混合的，氨水会腐蚀硅和二氧化硅，同时，双氧水与硅会反应生成二氧化硅，因此SC1清洗液会一边刻蚀晶圆，一边会在晶圆表面生成氧化膜，达到去除埋层和表面颗粒的效果，但同时刻蚀会将晶圆里的金属带出，反应产生络合物，导致金属离子超标；因此再次通过DHF清洗液取代SC2清洗液完成对晶圆表面的金属离子以及氧化膜的去除，并对晶圆表面态处理呈疏水性，可有效防止金属离子随水残留，而SC2清洗液清洗完成晶圆表面态为亲水性。
在本申请的一个实施例中，步骤S01、步骤S02、步骤S03可重复进行多次，可根据实际工况来进行多次清洗，达到更好的清洁的效果。
在本申请的一个实施例中，步骤S01、步骤S03为1次，步骤S02的次数为2次。
在本申请的一个实施例中，所述步骤S01、步骤S02、步骤S03中快速高纯水的流量为10~35 L/min。如果高纯水流量太低，会造成硅片表面有杂离子残留，
而硅片表面有残留的杂离子是造成硅抛光片时间雾的重要原因之一。
在本申请的一个实施例中，所述步骤S01、步骤S02、步骤S03中快速高纯水的温度为20~25℃，利用室温超纯水冲洗就可达到较好的技术效果。
在本申请的一个实施例中，所述步骤S04包括如下步骤：
步骤S041：对步骤S03得到的硅片进行IPA Marangoni干燥；
步骤S042：将干燥后的硅片用内包装袋进行封装，内包装袋里冲氮气；
步骤S043：在内包装袋外再次封装外包装袋，内外包装袋之间抽真空。
在本申请的一个实施例中，步骤S041中，IPA Marangoni干燥过程中提拉速度为0.5~2mm/sec，这里所述的提拉速度，是指对是晶圆向上的提拉速度。提拉速度过低容易导致设备电机运行卡顿，导致机台中断报警，提拉速度过高晶圆表面未完全干燥。
在本申请的一个实施例中，步骤S041中IPA Marangoni干燥过程中热氮气的流量为100~200L/min。热氮气的流量过低，会使IPA气体在槽体中分布不均，影响干燥效果和效率，热氮气的流量过高，浪费氮气，也不会提升干燥效果。
在本申请的一个实施例中，步骤S041中IPA Marangoni干燥过程中干燥时间为100~200s。干燥时间过长，降低干燥效率，也不会提升干燥效果，干燥时间过低晶圆表面未完全干燥。
一种硅片清洗设备，可应用于经过上述硅片清洗方法，包括如下部分：
第一清洗单元，用于采用DHF清洗液对硅片进行清洗，用于清洗在硅片表面形成的氧化膜，所述DHF清洗液包括HF，H2O；
第二清洗单元，用于采用SC1清洗液对硅片进行清洗，以去除硅片表面的颗粒污染、有机杂质及金属离子；
第一清洗单元和第二清洗单元之间都有纯水溢流槽，用于进行快速高纯水的清洗。
使用清洗液之后都要用纯水冲洗清洗液，防止清洗液残留到晶圆表面。
下面以具体实施例结合对比例对本申请进行进一步阐述。
实验硅片：12英寸掺磷喷砂背封硅外延片，型号与晶向为N<100>；电阻率为；厚度为/>；数量为3000片。
加工设备：ASM外延炉、倒片机、迪恩士RCA清洗机、表面颗粒测试仪SP1\真空包装机等。
辅助材料：HF、双氧水、氨水、IPA、FOUP盒、去离子水，去离子水电阻率、透明塑料袋内包装袋、铝箔外包装袋等。用3000片外延生长10um厚度的掺磷的单晶硅薄膜晶圆，清洗、干燥后用SP1颗粒测试仪进行参数测试。用倒片机将待清洗的硅片倒到12英寸FOUP盒中，并用真空包装机进行包装。
清洗机按程序设定好的配比进行全自动配液升温。
具体实施例1
SC-1液槽的配比设定为NH4OH:H2O2:H2O＝1:2:50，温度为50℃。
DHF液槽的配比设定为HF:H2O＝1:100，温度为室温。
温度到达设定值后，用硅抛光片最终清洗机全自动清洗已测试完参数的硅片， 每次清洗1-50片(两盒硅片)。具体操作步骤如下：
S01：将硅抛光片在室温下进行DHF清洗液兆声清洗2min，随后进行快速高纯水冲洗10min；
S02：将步骤S01得到的硅片进行SC-1清洗液清洗，50℃下兆声清洗5min，随后进行快速高纯水冲洗10min；
S03：将步骤S02再次进行DHF清洗液兆声清洗60s，随后进行快速高纯水冲洗10min；
S04：对步骤S03得到的硅片进行干燥、封装后得到最终硅片产品。
对比例1
和具体实施例1相比，SC1和DHF液槽配比不变，改变具体操作步骤如下：
S01：将硅抛光片进行SC-1清洗液清洗，50℃下兆声清洗5min，随后进行快速高纯水冲洗10min；
S02：将S01得到的硅抛光片在室温下进行DHF清洗液兆声清洗2min，随后进行快速高纯水冲洗10min；
S03：将S02得到的硅片进行SC-1清洗液清洗，50℃下兆声清洗5min，随后进行快速高纯水冲洗10min；
S04：对步骤S03得到的硅片进行干燥、封装后得到最终硅片产品。
即，将清洗步骤改变为SC1+QDR～DHF+QDR～SC1+QDR。
对比例2
和具体实施例1相比，SC1和DHF液槽配比不变，改变具体操作步骤如下：
S01：将硅抛光片在室温下进行DHF清洗液兆声清洗2min，随后进行快速高纯水冲洗10min；
S02：将S01得到的硅抛光片在室温下进行DHF清洗液兆声清洗2min，随后进行快速高纯水冲洗10min；
S03：将S02得到的硅片进行SC-1清洗液清洗，50℃下兆声清洗5min，随后进行快速高纯水冲洗10min；
S04：对步骤S03得到的硅片进行干燥、封装后得到最终硅片产品。
即，将清洗步骤改变为DHF +QDR～DHF+QDR～SC1+QDR。
对比例3
和具体实施例1相比，SC1和DHF液槽配比不变，改变具体操作步骤如下：
S01：将硅抛光片在室温下进行SC-1清洗液清洗，50℃下兆声清洗5min，随后进行快速高纯水冲洗10min；
S02：将S01得到的硅抛光片在室温下进行DHF清洗液兆声清洗2min，随后进行快速高纯水冲洗10min；
S03：将S02得到的硅抛光片在室温下进行DHF清洗液兆声清洗2min，随后进行快速高纯水冲洗10min；
S04：对步骤S03得到的硅片进行干燥、封装后得到最终硅片产品。
即，将清洗步骤改变为SC1 +QDR～DHF+QDR～DHF +QDR。
对比例4
和具体实施例1相比，SC1和DHF液槽配比不变，改变具体操作步骤如下：
S01：将硅抛光片在室温下进行DHF清洗液兆声清洗2min，随后进行快速高纯水冲洗10min；
S02：将步骤S01得到的硅片进行SC-1清洗液清洗，50℃下兆声清洗5min，随后进行快速高纯水冲洗10min；
S03：对步骤S02得到的硅片进行干燥、封装后得到最终硅片产品。
即，将清洗步骤改变为DHF+QDR～SC1+QDR。
对比例5
和具体实施例1相比，SC1和DHF液槽配比不变，改变具体操作步骤如下：
S01：将硅抛光片进行SC-1清洗液清洗，50℃下兆声清洗5min，随后进行快速高纯水冲洗10min；
S02：将步骤S01得到的硅片在室温下进行DHF清洗液兆声清洗2min，随后进行快速高纯水冲洗10min；
S03：对步骤S02得到的硅片进行干燥、封装后得到最终硅片产品。
即，将清洗步骤改变为SC1+QDR～DHF+QDR。
对比例1~对比例5改变了清洗步骤，得到与对比例1不同的样品。对对比例1~5得到的最终硅片产品和实施例1得到的硅片产品首先进行原始表面颗粒数据。
将对比例1~5得到的最终硅片产品和实施例1得到的硅片产品，封装好的产品，放到周转货架上存放三个月后，拆除内外包装袋，按原来的样品顺序依次测试实施例1及对比例1~5制备得到的硅片的表面颗粒数量，相关实验数据如下表：
表1实施例和对比例制备的硅片的微粒数量对比
从表中数据可以看出，实施例1制备得到的硅片在放置三个月后，0.12微米的颗粒数量基本没有增加，说明实施例1制备的硅片具有较好的时间雾降低效果。
和实施例相比，对比例1~3改变了SCI和DHF清洗的前后顺序。对比例1、对比例2都是将SC1步骤放置于最后一步（对比例1：SC1+QDR～DHF+QDR～SC1+QDR；对比例2：DHF +QDR～DHF+QDR～SC1+QDR），可以看出，0.12微米的颗粒数量和实施例1相比，具有明显增加，这可能是由于最后一个清洗步骤中SC1清洗液刻蚀作用、产生的金属络合物和晶圆表面态为亲水性，金属络合物和晶面产生结合而造成金属颗粒增多，时间雾严重。
对比例3则是将SC1冲洗放置于第一步（SC1 +QDR～DHF+QDR～DHF +QDR），这种情况下晶圆表面生成的自然氧化层还没有进行刻蚀，金属颗粒和金属离子未暴露，SC1清洗液的清洗效果不佳，最终时间雾也较为严重。
对比例4、对比例5和实施例1相比，省略了一个清洗步骤，对比例4为（DHF+QDR～SC1+QDR）、对比例5为（SC1+QDR～DHF+QDR），明显的出现清洗不完全的结果，0.12微米的颗粒数量在放置3个月后出现了非常显著的增加。
因此，从实验结果来看，和现有技术相比，本申请通过调换关键步骤的顺序，将DHF步骤提前，同时配合常温QDR步骤，有效冲洗清除多余的金属离子，采取本方法制备的可大幅降低抛光片时间雾的产生，减少因时间雾问题造成的大量产成品返工，提升产品的质量。
Claims (8)
1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01:将处理好的硅片在室温下进行DHF清洗液清洗1~2min，随后进行快速高纯水冲洗10~15min，其中在DHF清洗液中，以体积比记，氢氟酸：水=1:100~150；
步骤S02：将步骤S01得到的硅片进行SC-1清洗液兆声清洗5~10min，兆声清洗温度为40~60℃，随后进行快速高纯水冲洗10~15min，其中在SC1清洗液中，以体积比计，氨水：双氧水：水=1:2:50；
步骤S03：将步骤S02得到的硅片在室温下再次进行DHF清洗液清洗10~60s，随后进行快速高纯水冲洗10~15min，其中在DHF清洗液中，以体积比记，氢氟酸：水=1:100~150；
步骤S04：对步骤S03得到的硅片进行干燥、封装后得到最终硅片产品。
2.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于：所述步骤S01、步骤S02、步骤S03可重复进行多次。
3.根据权利要求2所述的硅片清洗方法，其特征在于：步骤S01、步骤S03为1次，步骤S02的次数为2次。
4.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于：所述步骤S01、步骤S02、步骤S03中快速高纯水的流量为10~35 L/min。
5.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于：所述步骤S01、步骤S02、步骤S03中快速高纯水的温度为20~25℃。
6.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于：所述步骤S04包括如下步骤：
步骤S041：对步骤S03得到的硅片进行IPA Marangoni干燥；
步骤S042：将干燥后的硅片用内包装袋进行封装，内包装袋里冲氮气；
步骤S043：在内包装袋外再次封装外包装袋，内外包装袋之间抽真空。
7.根据权利要求6所述的硅片清洗方法，其特征在于：步骤S041中，IPA Marangoni干燥过程中提拉速度为 0.5~2mm/sec, 热氮的流量为100~200L/min,干燥时间为100~200s。
8.一种硅片清洗设备，应用于权利要求1~7任意一项所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述设备包括如下部件：
第一清洗单元，用于采用DHF清洗液对硅片进行清洗，用于清洗在硅片表面形成的氧化膜，所述DHF清洗液包括HF，H2O；
第二清洗单元，用于采用SC1清洗液对硅片进行清洗，以去除硅片表面的颗粒污染、有机杂质及金属离子；
第一清洗单元和第二清洗单元之间都有纯水溢流槽，用于进行快速高纯水的清洗。
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