CN107470266A - 一种化学机械抛光工艺中氧化物晶圆的后清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种化学机械抛光工艺中氧化物晶圆的后清洗方法，该方法工艺简单，采用特定的清洗、刷洗和甩干操作，其中甩干操作集喷淋、甩干于一体。该清洗方法能有效去除抛光过程中硅片表面残留的抛光液，能有效控制硅片表面的Theta电势，降低硅片被二次沾污的风险。提高CMP后清洗的能力，为65nm‑90nm线宽的半导体器件的CMP工艺提供低成本高效率的后清洗解决方案。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种化学机械抛光工艺中氧化物晶圆的后清洗方法。
背景技术
随着半导体工业飞速发展，电子器件尺寸缩小，要求晶片表面平整度达到纳米级。传统的平坦化技术，仅仅能够实现局部平坦化，但是当最小特征尺寸达到0.25μm以下时，必须进行全局平坦化。常见的传统平面化技术很多。如热流法，旋转玻璃法，回蚀法，电子环绕共振法，选择淀积，低压CVD，等离子增强CVD,淀积-腐蚀-淀积法等。但它们都属于局部平面化工艺，不能做到全局平面化。90年代兴起的化学机械抛光技术(CMP)则从加工性能和速度上同时满足硅片图形加工的要求，其也是目前唯一可以实现全局平坦化的技术。
化学机械平坦化是化学和机械双重作用下的结果，经过平坦化处理的晶圆表面残留着抛光液颗粒，抛光垫碎屑，以及本来属于硅片的氧化物碎片等，后清洗的目的是去除这些晶元表面的颗粒。
CMP后清洗是采用基于物理、化学或机械作用的方法使附着在晶圆表面的污染物离开的过程。目前，后清洗工艺的流程主要依赖于硬件清洗槽的设置，主要分为以下几类：一、Ontrak cleaner硬件配置依次为2个刷洗槽、1个旋转甩干(SRD)槽；二、Desica cleaner硬件配置依次为1个超声波清洗槽，2个刷洗槽和1个异丙基乙醇(IPA)干燥槽；三、EBARAcleaner的硬件配置依次为1个超声波刷洗槽，2个刷洗槽，1个旋转甩干槽。氧化物晶圆的主流清洗流程为：在第一个刷洗槽用氨水和双氧水的混合清洗液进行刷洗，第二个刷洗槽用氢氟酸和双氧水的混合清洗液进行刷洗，最后采用SRD(旋转甩干)干燥或IPA(异丙基乙醇)干燥。使用IPA干燥，干燥效果好，但对设备的安全管理要求较高。而单纯使用SRD进行干燥，干燥效果及晶元表面的洁净度欠佳。
有鉴于此，特提出本发明。
发明内容
本发明的第一目的在于提供一种化学机械抛光工艺中氧化物晶圆的后清洗方法，以解决上述问题，所述的清洗方法，SRD工位集喷淋、甩干于一体的工艺设计，能有效去除抛光过程中硅片表面残留的抛光液，能有效控制硅片表面的Theta电势，降低硅片被二次沾污的风险。提高CMP后清洗的能力，为65nm-90nm线宽的半导体器件的CMP工艺提供低成本高效率的后清洗解决方案。
为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：
一种化学机械抛光工艺中氧化物晶圆的后清洗方法，包括以下步骤：
(1)将化学机械抛光后的氧化物晶圆在清洗槽中采用第一清洗液进行清洗；
(2)将步骤(1)得到的晶元在第一刷洗槽内采用第一刷洗液进行刷洗；
(3)将步骤(2)得到的晶元在第二刷洗槽内采用第二刷洗液进行刷洗；
(4)将步骤(3)得到的晶元在旋转甩干槽中依次采用第二清洗液和去离子水进行清洗，最后甩干。
优选的，所述第一清洗液包括NH4OH和H2O，更优选的，所述NH4OH和H2O的质量比为NH4OH：H2O＝1：10-30，进一步优选为1：15-25，更进一步优选为1：20。
优选的，在步骤(1)中，所述清洗槽为兆声清洗槽；
更优选的，所述兆声波清洗槽的功率为50-150W，进一步优选为100W；
更优选的，在所述兆声波清洗槽中清洗的时间为10-60s，进一步优选为40s；
更优选的，在所述兆声波清洗的过程中，晶圆的转速为5-20rpm，进一步优选为10rpm。
优选的，在步骤(2)中，所述在第一刷洗槽内采用第一刷洗液进行刷洗之前和之后，还包括：采用去离子水喷淋清洗的步骤；
更优选的，所述去离子水的流量为1000-3000mL/min，进一步优选为1500mL/min；
更优选的，所述喷淋清洗的时间为5-15s，进一步优选为10s；
更优选的，所述喷淋清洗的过程中，晶圆的转速为10-60rpm，进一步优选为30rpm；
更优选的，所述第一刷洗槽内设置滚刷，进一步优选的，在所述采用第一刷洗液进行刷洗的过程中，所述滚刷为关闭状态，在所述采用去离子水喷淋清洗的过程中，所述滚刷为打开状态。
优选的，在步骤(2)中，所述第一刷洗液包括NH4OH、H2O2和H2O；
更优选的，所述NH4OH、H2O2和H2O的质量比为1:2:474-580，进一步优选的为1:2:580；
更优选的，所述第一洗刷液的的流量为1000-2000mL/min，进一步优选为1500mL/min；
更优选的，所述采用第一刷洗液进行刷洗的时间为10-30s，进一步优选为20s；
更优选的，在所述刷洗的过程中，晶圆的转速为10-60rpm，进一步更优选为30rpm。
优选的，在步骤(3)中，所述在第二刷洗槽内采用第二刷洗液进行刷洗之前和之后，还包括：采用去离子水喷淋清洗的步骤；
更优选的，所述去离子水的流量为1000-3000mL/min，进一步优选为1500mL/min；
更优选的，所述喷淋清洗的时间为5-15s，进一步优选为10s；
更优选的，所述喷淋清洗的过程中，晶圆的转速为10-60rpm，进一步优选为30rpm；
更优选的，所述第二刷洗槽内设置滚刷，进一步优选的，在所述采用第二刷洗液进行刷洗的过程中，所述滚刷为关闭状态，在所述采用去离子水喷淋清洗的过程中，所述滚刷为打开状态。
优选的，在步骤(3)中，所述第二刷洗液为HF溶液；
更优选的，所述HF溶液的浓度为0.05-0.1wt％，进一步优选的为0.05wt％；
更优选的，所述第二洗刷液的的流量为1000-2000mL/min，进一步优选为1500mL/min；
更优选的，所述采用第二刷洗液进行刷洗的时间为10-50s，进一步优选为30s；
更优选的，在所述刷洗的过程中，晶圆的转速为10-50rpm，进一步优选为30rpm。
优选的，在步骤(4)中，所述第二清洗液包括NH4OH和H2O；
更优选的，所述NH4OH和H2O的质量比为1:10-30，进一步优选的为1:20；
更优选的，所述第二洗清洗液的流量为100-300mL/min，进一步优选为200mL/min；
更优选的，所述采用第二清洗液进行刷洗的时间为10-20s，进一步优选为15s；
更优选的，在所述刷洗的过程中，晶圆的转速为40-60rpm，进一步优选为50rpm。
优选的，在步骤(4)中，在采用所述去离子水进行清洗的过程中，晶元的转速为40-60rpm，更优选为50rpm；
更优选的，所述去离子水的流量为200-400mL/min，进一步优选为3000mL/min；
更优选的，所述清洗的时间为40-60s，进一步优选为50s；
更优选的，所述旋转甩干槽设置有两路喷淋装置，分别喷淋第二清洗液和去离子水。
优选的，在步骤(4)中，所述甩干的时间为40s以上，更优选为40-60s，进一步优选为50s；
更优选的，所述甩干时，晶圆的转速为2000rpm以上，进一步优选为2000-4000rpm，更进一步优选为3000rpm；
更优选地，所述甩干时，采用气体对晶圆进行吹干；
更进一步优选的，所述气体包括N2和惰性气体中的一种或多种，再更进一步优选包括N2。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
本发明所提供的后清洗方法，SRD(旋转甩干)工位集喷淋、甩干于一体的工艺设计，能有效去除抛光过程中硅片表面残留的抛光液，能有效控制硅片表面的Theta电势，降低硅片被二次沾污的风险。提高CMP后清洗的能力，为65nm-90nm线宽的半导体器件的CMP工艺提供低成本高效率的后清洗解决方案。
具体实施方式
下面将结合具体实施方式对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，但是本领域技术人员将会理解，下列所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
一种化学机械抛光工艺中氧化物晶圆的后清洗方法，包括以下步骤：
(1)将化学机械抛光后的氧化物晶圆在清洗槽中采用第一清洗液进行清洗；
(2)将步骤(1)得到的晶元在第一刷洗槽内采用第一刷洗液进行刷洗；
(3)将步骤(2)得到的晶元在第二刷洗槽内采用第二刷洗液进行刷洗；
(4)将步骤(3)得到的晶元在旋转甩干槽中依次采用第二清洗液和去离子水进行清洗，最后甩干。
本发明所提供的后清洗方法，SRD(旋转甩干)工位集喷淋、甩干于一体的工艺设计，能有效去除抛光过程中硅片表面残留的抛光液，能有效控制硅片表面的Theta电势，降低硅片被二次沾污的风险。提高CMP后清洗的能力，为65nm-90nm线宽的半导体器件的CMP工艺提供低成本高效率的后清洗解决方案。
优选的，所述第一清洗液包括NH4OH和H2O，更优选的，所述NH4OH和H2O的质量比为NH4OH：H2O＝1：10-30，进一步优选为1：15-25，更进一步优选为1：20。
采用特定清洗液，能够在兆声波震动作用下，可以有效去除抛光过程中硅片表面残留的抛光液，有效控制硅片表面的Theta电势。
优选的，在步骤(1)中，所述清洗槽为兆声清洗槽；
更优选的，所述兆声波清洗槽的功率为50-150W，进一步优选为100W；
更优选的，在所述兆声波清洗槽中清洗的时间为10-60s，进一步优选为40s；
更优选的，在所述兆声波清洗的过程中，晶圆的转速为5-20rpm，进一步优选为10rpm。
兆声波清洗的机理是由高频(850kHz)振效应并结合化学清洗剂的化学反应对硅片进行清洗的。形成不了超声波清洗那样的气泡，而只能以高速的流体波连续冲击晶片表面，使硅片表面附着的污染物的细小微粒被强制除去并进入到清洗液中，有效祛除抛光液。
优选的，在步骤(2)中，所述在第一刷洗槽内采用第一刷洗液进行刷洗之前和之后，还包括：采用去离子水喷淋清洗的步骤；
更优选的，所述去离子水的流量为1000-3000mL/min，进一步优选为1500mL/min；
更优选的，所述喷淋清洗的时间为5-15s，进一步优选为10s；
更优选的，所述喷淋清洗的过程中，晶圆的转速为10-60rpm，进一步优选为30rpm；
更优选的，所述第一刷洗槽内设置滚刷，进一步优选的，在所述采用第一刷洗液进行刷洗的过程中，所述滚刷为关闭状态，在所述采用去离子水喷淋清洗的过程中，所述滚刷为打开状态。
优选的，在步骤(2)中，所述第一刷洗液包括NH4OH、H2O2和H2O；
更优选的，所述NH4OH、H2O2和H2O的质量比为1:2:474-580，进一步优选的为1:2:580；
更优选的，所述第一洗刷液的的流量为1000-2000mL/min，进一步优选为1500mL/min；
更优选的，所述采用第一刷洗液进行刷洗的时间为10-30s，进一步优选为20s；
更优选的，在所述刷洗的过程中，晶圆的转速为10-60rpm，进一步更优选为30rpm。
优选的，在步骤(3)中，所述在第二刷洗槽内采用第二刷洗液进行刷洗之前和之后，还包括：采用去离子水喷淋清洗的步骤；
更优选的，所述去离子水的流量为1000-3000mL/min，进一步优选为1500mL/min；
更优选的，所述喷淋清洗的时间为5-15s，进一步优选为10s；
更优选的，所述喷淋清洗的过程中，晶圆的转速为10-60rpm，进一步优选为30rpm；
更优选的，所述第二刷洗槽内设置滚刷，进一步优选的，在所述采用第二刷洗液进行刷洗的过程中，所述滚刷为关闭状态，在所述采用去离子水喷淋清洗的过程中，所述滚刷为打开状态。
优选的，在步骤(3)中，所述第二刷洗液为HF溶液；
更优选的，所述HF溶液的浓度为0.05-0.1wt％，进一步优选的为0.05wt％；
更优选的，所述第二洗刷液的的流量为1000-2000mL/min，进一步优选为1500mL/min；
更优选的，所述采用第二刷洗液进行刷洗的时间为10-50s，进一步优选为30s；
更优选的，在所述刷洗的过程中，晶圆的转速为10-50rpm，进一步优选为30rpm。
采用特定刷洗液和刷洗条件，可以有效去除抛光过程中硅片表面残留的抛光液，有效控制硅片表面的Theta电势。
优选的，在步骤(4)中，所述第二清洗液包括NH4OH和H2O；
更优选的，所述NH4OH和H2O的质量比为1:10-30，进一步优选的为1:20；
更优选的，所述第二洗清洗液的流量为100-300mL/min，进一步优选为200mL/min；
更优选的，所述采用第二清洗液进行刷洗的时间为10-20s，进一步优选为15s；
更优选的，在所述刷洗的过程中，晶圆的转速为40-60rpm，进一步优选为50rpm。
优选的，在步骤(4)中，在采用所述去离子水进行清洗的过程中，晶元的转速为40-60rpm，更优选为50rpm；
更优选的，所述去离子水的流量为200-400mL/min，进一步优选为3000mL/min；
更优选的，所述清洗的时间为40-60s，进一步优选为50s；
更优选的，所述旋转甩干槽设置有两路喷淋装置，分别喷淋第二清洗液和去离子水。
优选的，在步骤(4)中，所述甩干的时间为40s以上，更优选为40-60s，进一步优选为50s；
更优选的，所述甩干时，晶圆的转速为2000rpm以上，进一步优选为2000-4000rpm，更进一步优选为3000rpm；
更优选地，所述甩干时，采用气体对晶圆进行吹干；
更进一步优选的，所述气体包括N2和惰性气体中的一种或多种，再更进一步优选包括N2。
实施例1
一种化学机械抛光工艺中氧化物晶圆的后清洗方法，包括如下步骤：
(1)、兆声波清洗采用第一清洗液进行清洗，关键工艺参数如下：
第一清洗液：氨水溶液(NH4OH：H2O＝1：20)；
清洗时间：40s；
晶圆转速：10rpm；
兆声波清洗槽的功率：100W；
(2)、在第一刷洗槽内采用第一刷洗液进行刷洗，关键工艺参数如下：
(a)去离子喷淋水洗：
水洗时间：10s；
滚刷间隙状态：打开；
晶圆转速：30rpm；
去离子水的流量：1500ml/min；
(b)第一洗刷液洗刷：
第一洗刷液的组成：NH4OH：H2O2：H2O＝1：2：50，使用时稀释十倍；
洗刷时间：20s；
滚刷间隙状态：关闭；
晶圆转速：30rpm
第一洗刷液的流量为：1500ml/min；
(c)去离子喷淋水洗：
水洗时间：10s；
滚刷间隙状态：打开；
晶圆转速：30rpm；
去离子水的流量：1500ml/min；
(3)、在第二刷洗槽内采用第二刷洗液进行刷洗，关键工艺参数如下：
(a)去离子喷淋水洗：
水洗时间：10s；
滚刷间隙状态：打开；
晶圆转速：30rpm；
去离子水的流量：2000ml/min；
(b)第二洗刷液洗刷：HF溶液(浓度0.05wt％)；
洗刷时间：10s；
滚刷间隙状态：关闭；
晶圆转速：30rpm
第一洗刷液的流量为：1500ml/min；
(c)去离子喷淋水洗：
水洗时间：10s；
滚刷间隙状态：打开；
晶圆转速：30rpm；
去离子水的流量：2000ml/min；
(4)、SRD清洗先用第二清洗液进行清洗，再用去离子水进行清洗，最后甩干，关键工艺参数如下：
(a)第二清洗液清洗：
第二清洗液组成：氨水溶液(质量比为NH4OH：H2O＝1：20)；
清洗时间：15s；
晶圆转速：50rpm；
第二清洗液的流量：200ml/min；
(b)去离子清洗：
清洗时间：45s；
晶圆转速：50rpm；
去离子水流量：300ml/min；
(c)甩干
甩干时间：50s；
晶圆转速：3000rpm。
实施例2
一种化学机械抛光工艺中氧化物晶圆的后清洗方法，包括如下步骤：
(1)、兆声波清洗采用第一清洗液进行清洗，关键工艺参数如下：
第一清洗液：氨水溶液(NH4OH：H2O＝1：10)；
清洗时间：10s；
晶圆转速：5rpm；
兆声波清洗槽的功率：50W；
(2)、在第一刷洗槽内采用第一刷洗液进行刷洗，关键工艺参数如下：
(a)去离子喷淋水洗：
水洗时间：5s；
滚刷间隙状态：打开；
晶圆转速：10rpm；
去离子水的流量：1000ml/min；
(b)第一洗刷液洗刷：
第一洗刷液的组成：NH4OH：H2O2：H2O＝1：2：50，使用时稀释8倍；
洗刷时间：10s；
滚刷间隙状态：关闭；
晶圆转速：10rpm
第一洗刷液的流量为：1000ml/min；
(c)去离子喷淋水洗：
水洗时间：20s；
滚刷间隙状态：打开；
晶圆转速：10rpm；
去离子水的流量：2000ml/min；
(3)、在第二刷洗槽内采用第二刷洗液进行刷洗，关键工艺参数如下：(a)去离子喷淋水洗：
水洗时间：5s；
滚刷间隙状态：打开；
晶圆转速：10rpm；
去离子水的流量：1500ml/min；
(b)第二洗刷液洗刷：HF溶液(浓度0.10wt％)；
洗刷时间：15s；
滚刷间隙状态：关闭；
晶圆转速：10rpm
第一洗刷液的流量为：1000ml/min；
(c)去离子喷淋水洗：
水洗时间：5s；
滚刷间隙状态：打开；
晶圆转速：10rpm；
去离子水的流量：1500ml/min；
(4)、SRD清洗先用第二清洗液进行清洗，再用去离子水进行清洗，最后甩干，关键工艺参数如下：
(a)第二清洗液清洗：
第二清洗液组成：氨水溶液(质量比为NH4OH：H2O＝1：30)；
清洗时间：10s；
晶圆转速：40rpm；
第二清洗液的流量：100ml/min；
(b)去离子清洗：
清洗时间：30s；
晶圆转速：40rpm；
去离子水流量：200ml/min；
(c)甩干
甩干时间：40s；
晶圆转速：2000rpm。
实施例3
一种化学机械抛光工艺中氧化物晶圆的后清洗方法，包括如下步骤：
(1)、兆声波清洗采用第一清洗液进行清洗，关键工艺参数如下：
第一清洗液：氨水溶液(NH4OH：H2O＝1：30)；
清洗时间：60s；
晶圆转速：20rpm；
兆声波清洗槽的功率：150W；
(2)、在第一刷洗槽内采用第一刷洗液进行刷洗，关键工艺参数如下：
(a)去离子喷淋水洗：
水洗时间：15s；
滚刷间隙状态：打开；
晶圆转速：60rpm；
去离子水的流量：3000ml/min；
(b)第一洗刷液洗刷：
第一洗刷液的组成：NH4OH：H2O2：H2O＝1：2：50，使用时稀释9倍；
洗刷时间：30s；
滚刷间隙状态：关闭；
晶圆转速：60rpm
第一洗刷液的流量为：2000ml/min；
(c)去离子喷淋水洗：
水洗时间：20s；
滚刷间隙状态：打开；
晶圆转速：50rpm；
去离子水的流量：3000ml/min；
(3)、在第二刷洗槽内采用第二刷洗液进行刷洗，关键工艺参数如下：(a)去离子喷淋水洗：
水洗时间：15s；
滚刷间隙状态：打开；
晶圆转速：50rpm；
去离子水的流量：3000ml/min；
(b)第二洗刷液洗刷：HF溶液(浓度0.05wt％)；
洗刷时间：20s；
滚刷间隙状态：关闭；
晶圆转速：50rpm
第一洗刷液的流量为：2000ml/min；
(c)去离子喷淋水洗：
水洗时间：15s；
滚刷间隙状态：打开；
晶圆转速：50rpm；
去离子水的流量：3000ml/min；
(4)、SRD清洗先用第二清洗液进行清洗，再用去离子水进行清洗，最后甩干，关键工艺参数如下：
(a)第二清洗液清洗：
第二清洗液组成：氨水溶液(质量比为NH4OH：H2O＝1：30)；
清洗时间：20s；
晶圆转速：60rpm；
第二清洗液的流量：300ml/min；
(b)去离子清洗：
清洗时间：60s；
晶圆转速：60rpm；
去离子水流量：400ml/min；
(c)甩干
甩干时间：60s；
晶圆转速：4000rpm。
尽管已用具体实施例来说明和描述了本发明，然而应意识到，以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；本领域的普通技术人员应当理解：在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围；因此，这意味着在所附权利要求中包括属于本发明范围内的所有这些替换和修改。
Claims (10)
1.一种化学机械抛光工艺中氧化物晶圆的后清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将化学机械抛光后的氧化物晶圆在清洗槽中采用第一清洗液进行清洗；
(2)将步骤(1)得到的晶元在第一刷洗槽内采用第一刷洗液进行刷洗；
(3)将步骤(2)得到的晶元在第二刷洗槽内采用第二刷洗液进行刷洗；
(4)将步骤(3)得到的晶元在旋转甩干槽中依次采用第二清洗液和去离子水进行清洗，最后甩干。
2.根据权利要求1所述的化学机械抛光工艺中氧化物晶圆的后清洗方法，其特征在于，所述第一清洗液包括NH4OH和H2O，优选的，所述NH4OH和H2O的质量比为NH4OH：H2O＝1：10-30，更优选为1：15-25，进一步优选为1：20。
3.根据权利要求1所述的化学机械抛光工艺中氧化物晶圆的后清洗方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述清洗槽为兆声清洗槽；
优选的，所述兆声波清洗槽的功率为50-150W，更优选为100W；
优选的，在所述兆声波清洗槽中清洗的时间为10-60s，更优选为40s；
优选的，在所述兆声波清洗的过程中，晶圆的转速为5-20rpm，更优选为10rpm。
4.根据权利要求1所述的化学机械抛光工艺中氧化物晶圆的后清洗方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述在第一刷洗槽内采用第一刷洗液进行刷洗之前和之后，还包括：采用去离子水喷淋清洗的步骤；
优选的，所述去离子水的流量为1000-3000mL/min，更优选为1500mL/min；
优选的，所述喷淋清洗的时间为5-15s，更优选为10s；
优选的，所述喷淋清洗的过程中，晶圆的转速为10-60rpm，更优选为30rpm；
优选的，所述第一刷洗槽内设置滚刷，更优选的，在所述采用第一刷洗液进行刷洗的过程中，所述滚刷为关闭状态，在所述采用去离子水喷淋清洗的过程中，所述滚刷为打开状态。
5.根据权利要求1所述的化学机械抛光工艺中氧化物晶圆的后清洗方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述第一刷洗液包括NH4OH、H2O2和H2O；
优选的，所述NH4OH、H2O2和H2O的质量比为1:2:474-580，更优选的为1:2:580；
优选的，所述第一洗刷液的的流量为1000-2000mL/min，更优选为1500mL/min；
优选的，所述采用第一刷洗液进行刷洗的时间为10-30s，更优选为20s；
优选的，在所述刷洗的过程中，晶圆的转速为10-60rpm，更优选为30rpm。
6.根据权利要求1所述的化学机械抛光工艺中氧化物晶圆的后清洗方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述在第二刷洗槽内采用第二刷洗液进行刷洗之前和之后，还包括：采用去离子水喷淋清洗的步骤；
优选的，所述去离子水的流量为1000-3000mL/min，更优选为1500mL/min；
优选的，所述喷淋清洗的时间为5-15s，更优选为10s；
优选的，所述喷淋清洗的过程中，晶圆的转速为10-60rpm，更优选为30rpm；
优选的，所述第二刷洗槽内设置滚刷，更优选的，在所述采用第二刷洗液进行刷洗的过程中，所述滚刷为关闭状态，在所述采用去离子水喷淋清洗的过程中，所述滚刷为打开状态。
7.根据权利要求1所述的化学机械抛光工艺中氧化物晶圆的后清洗方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述第二刷洗液为HF溶液；
优选的，所述HF溶液的浓度为0.05-0.1wt％，更优选的为0.05wt％；
优选的，所述第二洗刷液的的流量为1000-2000mL/min，更优选为1500mL/min；
优选的，所述采用第二刷洗液进行刷洗的时间为10-50s，优选为30s；
优选的，在所述刷洗的过程中，晶圆的转速为10-50rpm，更优选为30rpm。
8.根据权利要求1所述的化学机械抛光工艺中氧化物晶圆的后清洗方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述第二清洗液包括NH4OH和H2O；
优选的，所述NH4OH和H2O的质量比为1:10-30，更优选的为1:20；
优选的，所述第二洗清洗液的流量为100-300mL/min，更优选为200mL/min；
优选的，所述采用第二清洗液进行刷洗的时间为10-20s，更优选为15s；
优选的，在所述刷洗的过程中，晶圆的转速为40-60rpm，更优选为50rpm。
9.根据权利要求1所述的化学机械抛光工艺中氧化物晶圆的后清洗方法，其特征在于，在步骤(4)中，在采用所述去离子水进行清洗的过程中，晶元的转速为40-60rpm，优选为50rpm；
优选的，所述去离子水的流量为200-400mL/min，更优选为3000mL/min；
优选的，所述清洗的时间为40-60s，更优选为50s；
优选的，所述旋转甩干槽设置有两路喷淋装置，分别喷淋第二清洗液和去离子水。
10.根据权利要求1所述的化学机械抛光工艺中氧化物晶圆的后清洗方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述甩干的时间为40s以上，优选为40-60s，进一步优选为50s；
优选的，所述甩干时，晶圆的转速为2000rpm以上，更优选为2000-4000rpm，进一步优选为3000rpm；
优选地，所述甩干时，采用气体对晶圆进行吹干；
更优选的，所述气体包括N2和惰性气体中的一种或多种，优选包括N2。
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