CN1967788A - 钨cmp后的清洗方法 - Google Patents

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CN1967788A CN 200510110471 CN200510110471A CN1967788A CN 1967788 A CN1967788 A CN 1967788A CN 200510110471 CN200510110471 CN 200510110471 CN 200510110471 A CN200510110471 A CN 200510110471A CN 1967788 A CN1967788 A CN 1967788A
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陈华伦
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Abstract

本发明公开了一种钨CMP后的清洗方法，采用现有的氨水清洗工艺后，然后用浓度＜5％的氢氟酸在短时间漂洗硅片，最后用去离子水冲洗硅片后甩干。本发明可有效去除钨CMP工艺后产生的污染物，降低缺陷，提高成品率，适用于半导体硅片的制作工艺。

Description

钨CMP后的清洗方法
技术领域
本发明涉及一种半导体器件的清洗方法，特别是涉及一种化学机械抛光(CMP)工艺后的清洗方法。
背景技术
硅片清洗是半导体器件生产工艺中最重要、最频繁的步骤。为了避免微量粒子和金属杂质对半导体器件的污染，影响器件的性能和合格率，在半导体制造工艺中需要对硅片进行反复、多次的清洗。
在现有半导体制造工艺中，为了更好地满足光刻对平坦化的高要求，化学机械抛光工艺已广泛应用在深亚微米技术中(＜0.25um)。钨CMP主要用于取代钨层的回蚀，它可将沉积钨、甚至沉积氧化层过程中所产生的颗粒磨平。但随之而来的清洗也提高到重要的工艺控制中。
现有的清洗方法一般采用氨水(NH4OH)作为钨CMP工艺后的清洗剂，(参见图1)。氨水属于碱性溶液，对钨CMP工艺后产生的钨残留具有很好的清洗作用，但对钨CMP带来的微划伤和一些其他残留的清洗效果并不理想，这些缺陷会给器件的成品率带来很大的负面影响。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种钨CMP后的清洗方法，它可有效去除钨CMP工艺后产生的污染物，降低缺陷，提高成品率。
为解决上述技术问题，本发明钨CMP后的清洗方法采用如下技术方案：在钨CMP工艺后，首先采用氨水进行清洗，然后用浓度＜5％的氢氟酸(HF)漂洗硅片，最后用去离子水(DIW)冲洗硅片后甩干。
由于采用本发明的方法，在现有的钨CMP后的清洗工艺中，增加氢氟酸的清洗步骤，氢氟酸能有效的清洗掉附着在氧化层上的缺陷，包括CMP带来的微划伤，效果非常好。可以完全清除氧化层的微缺陷，清洁度提高50％以上。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是现有的清洗方法示意图；
图2是本发明清洗方法示意图。
具体实施方式
在半导体硅片的清洗技术中，针对不同特性的缺陷，会用不同的化学溶液进行清洗，一般采用碱性溶液加酸性溶液。
钨CMP工艺完成后，不可避免地会产生一些缺陷，包括残留在硅片表面的料浆，在硅片表面形成的微划痕、小坑、小孔洞等。为了克服这些缺陷，如图2所示，本发明的钨CMP后的清洗方法是在钨CMP工艺完成后，首先采用现有的氨水清洗工艺步骤进行硅片清洗，在此之后，采用浓度＜5％的稀氢氟酸在短时间，一般在10-20秒的范围，漂洗硅片，然后用去离子水冲洗后甩干。
进行氢氟酸清洗时，可在现有的洗净机器上增加一路氢氟酸清洗管路，在洗净机器中进行清洗；也可在清洗漕中进行清洗。
由于在本发明的清洗方法中，增加了一步氢氟酸清洗，氢氟酸能有效的清洗掉附着在氧化层上的缺陷，包括CMP带来的微划伤，会取得非常好的效果。即使氢氟酸对钨会有些侵蚀，但这对钨塞工艺(W Plug)不会有很大的影响，因为经过CMP工艺后，钨塞会有200～300埃突出在氧化层上。在氢氟酸清洗过程中，会去掉一层薄薄的氧化层，有效地达到高清洁的要求，降低缺陷，提高成品率。

Claims (4)

1、一种钨CMP后的清洗方法，在钨CMP工艺后，首先采用氨水进行清洗，其特征在于：然后用浓度＜5％的氢氟酸漂洗硅片，最后用去离子水冲洗硅片后甩干。
2、根据权利要求1所述的钨CMP后的清洗方法，其特征在于：所述用浓度＜5％的氢氟酸漂洗硅片的时间为10-20秒。
3、根据权利要求1或2所述的钨CMP后的清洗方法，其特征在于：所述进行氢氟酸清洗时，可在洗净机器上增加一路氢氟酸清洗管路，在洗净机器中进行清洗。
4、根据权利要求1或2所述的钨CMP后的清洗方法，其特征在于：所述进行氢氟酸清洗时，在清洗漕中进行清洗。
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