CN116685050B - 一种pcb电路板的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及印制电路板技术领域，具体为一种PCB电路板的制作方法；本发明首先制备了改性纳米二氧化硅，对纳米二氧化硅进行羧基化处理，并在其表面接枝游离氨基，之后进一步的引入磷元素，增强阻燃性能，并在此基础上，本发明还进一步的将其与1,6‑己二醇二缩水甘油醚反应，制得带有游离环氧基的改性纳米二氧化硅；之后本发明利用改性纳米二氧化硅与环氧树脂的出色相容性，提高了改性纳米二氧化硅的添加量，实现最终制备的环氧树脂胶液固化后吸水性能以及电学性能的改善，并进一步的提高阻燃性，增强最终制备的PCB线路板的实用性。

Description

一种PCB电路板的制作方法
技术领域
本发明涉及印制电路板技术领域，具体为一种PCB电路板的制作方法。
背景技术
随着电子产业的不断发展，终端客户对与PCB线路板的质量要求不断提高，在生产含有环氧树脂的PCB电路板时，受限于其自身性能，往往需要对其进行改性处理，以对其吸水性以及可燃性等方面性能进行调整，以使其符合人们的生产需求；常规的阻燃剂多为卤系阻燃剂，在阻燃过程中常常会生成大量的有毒气体，因此在生产环氧树脂的PCB电路板时，往往会在其中添加无机填料，在改善机械性能的同时，增加阻燃性，但是无机填料不易分散，与环氧树脂的相容性较差，且添加量较多时还会影响树脂的交联强度，机械加工性能也会变差，从而造成了PCB线路板的加工难题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种PCB电路板的制作方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种PCB电路板，具有以下特征：所述PCB电路板由PCB覆铜板制备图形面后涂覆绿油制得；
其中，所述PCB覆铜板由6-12张半固化片以及两侧的铜箔热压形成。
进一步的，所述半固化片由玻璃纤维布浸渍阻燃环氧树脂胶液后干燥制得；
其中，按重量份数计，所述环氧树脂胶液包括以下组分：80-100份环氧树脂、35-55份改性纳米二氧化硅、1-5份固化剂、0.05-0.1份催化剂、5-15份溶剂。
进一步的，所述环氧树脂为E51型环氧树脂；所述固化剂为双氰胺；所述催化剂为二甲基咪唑或硼酸中的任意一种；所述溶剂为丙酮。
一种PCB电路板的制备方法，包括以下步骤：
S1.制备改性纳米二氧化硅；
S11.将纳米二氧化硅分散至无水乙醇中，超声分散30-45min后，滴加硅烷偶联剂KH-550，升温至40-45℃，搅拌反应4-8h后，离心分离，使用无水乙醇洗涤3-5次后，再次将其分散至DMF中，加入邻苯二甲酸酐，升温至40-50℃，超声震荡反应8-12h后，离心分离，使用四氢呋喃洗涤3-5次后，真空蒸发至恒重，得到羧基化纳米二氧化硅；
S12.将羧基化纳米二氧化硅分散至乙腈溶剂中，冰水浴处理，超声分散30-45min后，加入1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷，反应4-8h后，离心分离，使用乙腈洗涤沉淀3-5次后，将沉淀再次分散至新的乙腈溶剂中，配置为纳米二氧化硅悬浮液，将其滴加至溶有溴化磷酰的乙腈溶剂中，氮气氛围保护，滴加结束后，升温至55-60℃，反应18-24h后，离心分离，并使用乙腈洗涤3-5次后，真空干燥至恒重，得到阻燃改性的纳米二氧化硅；
S13.将阻燃改性的纳米二氧化硅分散至溶有1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷的乙腈溶液中，升温至55-65℃，超声分散反应4-8h后，离心分离，收集沉淀，使用乙腈洗涤3-4次后，将其分散至溶有1,6-己二醇二缩水甘油醚的乙腈溶液中，升温至50-60℃，超声震荡反应4-8h后，离心分离沉淀，真空干燥至恒重后，得到改性纳米二氧化硅；
S2.将溶剂、环氧树脂、改性纳米二氧化硅混合，搅拌1.5-3h后，加入固化剂、催化剂，继续搅拌3-4h后，得到环氧树脂胶液；
S3.将玻璃纤维布浸入环氧树脂胶液中浸渍15-20min后，取出，以135-145℃的温度干燥3-5min后，得到半固化片；
S4.按照铜箔-半固化片-铜箔的顺序堆叠，热压成型，裁剪修整后得到PCB覆铜板；
S5.对覆铜板表面进行蚀刻处理，制备线路图形，涂覆绿油，得到PCB电路板。
进一步的，步骤S11中，按质量份数计，所述纳米二氧化硅、硅烷偶联剂KH-550、邻苯二甲酸酐的质量比为1：(5-8)：(4-8)。
进一步的，步骤S12中，按质量份数计，所述羧基化纳米二氧化硅、1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、溴化磷酰的质量比为1：(6-10)：(4-8)。
进一步的，步骤S13中，按质量份数计，所述阻燃改性的纳米二氧化硅、1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,6-己二醇二缩水甘油醚的质量比为1：(4-6)：(10-15)。
进一步的，步骤S4中，热压成型时，热压温度为210-230℃，热压压力为2.1-2.4MPa，热压时间为2-2.5h。
进一步的，步骤S4中，热压结束后，停止加热，保持1.5-1.8MPa的压力，继续冷压30-45min。
本申请为了增强所制备的PCB线路板的阻燃性能，制备了改性纳米二氧化硅，避免了卤系阻燃剂的添加，减少了环境污染；
本申请首先使用纳米二氧化硅作为基材，使用硅烷偶联剂与邻苯二甲酸酐处理其表面，在其表面生成羧酸基团；之后本申请进一步的使用1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷，利用氨基与羧酸基团的反应，从而在纳米二氧化硅表面生成游离氨基，之后添加溴化磷酰，利用游离氨基与溴之间的取代反应，引入磷元素，从而在纳米二氧化硅表面引入反应性阻燃剂，提升其阻燃效果；
进一步的，本申请继续使用1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷处理纳米二氧化硅，去除纳米二氧化硅表面多余的溴元素，洗涤分离，并在其表面再次引入游离氨基基团，增加反应活性，最后将带有游离氨基的纳米二氧化硅与1,6-己二醇二缩水甘油醚反应，最终制备出带有游离环氧基的改性纳米二氧化硅；
本发明制备的改性纳米二氧化硅端基为环氧基，与环氧树脂具有极高的相容性，可以大幅提高改性纳米二氧化硅在环氧树脂中的分散性能，并且改性纳米二氧化硅表面的环氧基团同样可以参与固化交联，开环形成交联网络，因此达到在提升改性纳米二氧化硅的添加量的同时，避免环氧树脂交联强度以及粘结性能的下降，从而同时实现最终制备的环氧树脂胶液固化后吸水性能以及电学性能的改善，并进一步的提高阻燃性，增强最终制备的PCB线路板的实用性。
与现有技术相比，本发明所达到的有益效果是：本发明首先制备了改性纳米二氧化硅，对纳米二氧化硅进行羧基化处理，并在其表面接枝游离氨基，之后进一步的引入磷元素，增强阻燃性能，并在此基础上，本发明还进一步的将其与1,6-己二醇二缩水甘油醚反应，制得带有游离环氧基的改性纳米二氧化硅；之后本发明利用改性纳米二氧化硅与环氧树脂的出色相容性，提高了改性纳米二氧化硅的添加量，实现最终制备的环氧树脂胶液固化后吸水性能以及电学性能的改善，并进一步的提高阻燃性，增强最终制备的PCB线路板的实用性。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例与对比例中，所使用的玻璃纤维布为7628M电子级玻璃布；纳米二氧化硅为北京德科岛金科技有限公司所售卖的DK-SiO2-60型纳米二氧化硅；1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷自武汉华翔科洁生物技术有限公司购得；溴化磷酰自江苏普乐司生物科技有限公司处购得；1,6-己二醇二缩水甘油醚自武汉灵灵九生物科技有限公司处购得；
实施例1：一种PCB电路板的制备方法，包括以下步骤：
S1.制备改性纳米二氧化硅；
S11.按质量份数计，将1份纳米二氧化硅分散至30份无水乙醇中，以频率为30KH的超声波分散30min后，滴加5份硅烷偶联剂KH-550，升温至40℃，搅拌反应4h后，离心分离，使用无水乙醇洗涤沉淀3次后，再次将其分散至30份DMF中，加入4份邻苯二甲酸酐，升温至40℃，超声震荡反应8h后，离心分离，使用四氢呋喃洗涤3次后，真空60℃蒸发至恒重，得到羧基化纳米二氧化硅；
S12.按质量份数计，将1份羧基化纳米二氧化硅分散至30份乙腈溶剂中，冰水浴处理，超声分散30min后，加入6份1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷，反应4h后，离心分离，使用乙腈洗涤沉淀3次后，将沉淀再次分散至15份新的乙腈溶剂中，配置为纳米二氧化硅悬浮液，将其滴加至溶有4份溴化磷酰的乙腈溶剂中，氮气氛围保护，滴加结束后，升温至55℃，反应18h后，离心分离，并使用乙腈洗涤3次后，真空干燥至恒重，得到阻燃改性的纳米二氧化硅；
S13.按质量分数计，将1份阻燃改性的纳米二氧化硅分散至溶有4份1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷的乙腈溶液中，升温至55℃，超声分散反应4h后，离心分离，收集沉淀，使用乙腈洗涤3次后，将其分散至溶有10份1,6-己二醇二缩水甘油醚的乙腈溶液中，升温至50℃，超声震荡反应4h后，离心分离沉淀，真空干燥至恒重后，得到改性纳米二氧化硅；
S2.按重量份数计，将5份丙酮、80份E51环氧树脂、35份改性纳米二氧化硅混合，搅拌1.5h后，加入1份双氰胺固化剂、0.05份二甲基咪唑，继续搅拌3h后，得到环氧树脂胶液；
S3.将玻璃纤维布浸入环氧树脂胶液中浸渍15min后，取出，以135℃的温度干燥3min后，得到半固化片；
S4.按照铜箔-6张半固化片-铜箔的顺序堆叠，热压成型，其中热压温度为210℃，热压压力为2.1MPa，热压时间为2h，热压结束后，停止加热，继续以1.5MPa的压力，冷压30min，冷压结束后，裁剪修整后得到PCB覆铜板；
S5.对覆铜板表面进行蚀刻处理，制备线路图形，涂覆绿油，得到PCB电路板。
实施例2：与实施例1相比，本实施例增加了步骤S2中改性纳米二氧化硅的添加量；
一种PCB电路板的制备方法，包括以下步骤：
S1.制备改性纳米二氧化硅；
S11.按质量份数计，将1份纳米二氧化硅分散至30份无水乙醇中，以频率为30KH的超声波分散30min后，滴加5份硅烷偶联剂KH-550，升温至40℃，搅拌反应4h后，离心分离，使用无水乙醇洗涤沉淀3次后，再次将其分散至30份DMF中，加入4份邻苯二甲酸酐，升温至40℃，超声震荡反应8h后，离心分离，使用四氢呋喃洗涤3次后，真空60℃蒸发至恒重，得到羧基化纳米二氧化硅；
S12.按质量份数计，将1份羧基化纳米二氧化硅分散至30份乙腈溶剂中，冰水浴处理，超声分散30min后，加入6份1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷，反应4h后，离心分离，使用乙腈洗涤沉淀3次后，将沉淀再次分散至15份新的乙腈溶剂中，配置为纳米二氧化硅悬浮液，将其滴加至溶有4份溴化磷酰的乙腈溶剂中，氮气氛围保护，滴加结束后，升温至55℃，反应18h后，离心分离，并使用乙腈洗涤3次后，真空干燥至恒重，得到阻燃改性的纳米二氧化硅；
S13.按质量分数计，将1份阻燃改性的纳米二氧化硅分散至溶有4份1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷的乙腈溶液中，升温至55℃，超声分散反应4h后，离心分离，收集沉淀，使用乙腈洗涤3次后，将其分散至溶有10份1,6-己二醇二缩水甘油醚的乙腈溶液中，升温至50℃，超声震荡反应4h后，离心分离沉淀，真空干燥至恒重后，得到改性纳米二氧化硅；
S2.按重量份数计，将5份丙酮、80份E51环氧树脂、55份改性纳米二氧化硅混合，搅拌1.5h后，加入1份双氰胺固化剂、0.05份二甲基咪唑，继续搅拌3h后，得到环氧树脂胶液；
S3.将玻璃纤维布浸入环氧树脂胶液中浸渍15min后，取出，以135℃的温度干燥3min后，得到半固化片；
S4.按照铜箔-6张半固化片-铜箔的顺序堆叠，热压成型，其中热压温度为210℃，热压压力为2.1MPa，热压时间为2h，热压结束后，停止加热，继续以1.5MPa的压力，冷压30min，冷压结束后，裁剪修整后得到PCB覆铜板；
S5.对覆铜板表面进行蚀刻处理，制备线路图形，涂覆绿油，得到PCB电路板。
实施例3：与实施例2相比，本实施例增加了步骤S11中邻苯二甲酸酐的添加量；
一种PCB电路板的制备方法，包括以下步骤：
S1.制备改性纳米二氧化硅；
S11.按质量份数计，将1份纳米二氧化硅分散至30份无水乙醇中，以频率为30KH的超声波分散30min后，滴加5份硅烷偶联剂KH-550，升温至40℃，搅拌反应4h后，离心分离，使用无水乙醇洗涤沉淀3次后，再次将其分散至30份DMF中，加入8份邻苯二甲酸酐，升温至40℃，超声震荡反应8h后，离心分离，使用四氢呋喃洗涤3次后，真空60℃蒸发至恒重，得到羧基化纳米二氧化硅；
S12.按质量份数计，将1份羧基化纳米二氧化硅分散至30份乙腈溶剂中，冰水浴处理，超声分散30min后，加入6份1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷，反应4h后，离心分离，使用乙腈洗涤沉淀3次后，将沉淀再次分散至15份新的乙腈溶剂中，配置为纳米二氧化硅悬浮液，将其滴加至溶有4份溴化磷酰的乙腈溶剂中，氮气氛围保护，滴加结束后，升温至55℃，反应18h后，离心分离，并使用乙腈洗涤3次后，真空干燥至恒重，得到阻燃改性的纳米二氧化硅；
S13.按质量分数计，将1份阻燃改性的纳米二氧化硅分散至溶有4份1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷的乙腈溶液中，升温至55℃，超声分散反应4h后，离心分离，收集沉淀，使用乙腈洗涤3次后，将其分散至溶有10份1,6-己二醇二缩水甘油醚的乙腈溶液中，升温至50℃，超声震荡反应4h后，离心分离沉淀，真空干燥至恒重后，得到改性纳米二氧化硅；
S2.按重量份数计，将5份丙酮、80份E51环氧树脂、55份改性纳米二氧化硅混合，搅拌1.5h后，加入1份双氰胺固化剂、0.05份二甲基咪唑，继续搅拌3h后，得到环氧树脂胶液；
S3.将玻璃纤维布浸入环氧树脂胶液中浸渍15min后，取出，以135℃的温度干燥3min后，得到半固化片；
S4.按照铜箔-6张半固化片-铜箔的顺序堆叠，热压成型，其中热压温度为210℃，热压压力为2.1MPa，热压时间为2h，热压结束后，停止加热，继续以1.5MPa的压力，冷压30min，冷压结束后，裁剪修整后得到PCB覆铜板；
S5.对覆铜板表面进行蚀刻处理，制备线路图形，涂覆绿油，得到PCB电路板。
实施例4：与实施例2相比，本实施例增加了步骤S13中1,6-己二醇二缩水甘油醚的添加量；
一种PCB电路板的制备方法，包括以下步骤：
S1.制备改性纳米二氧化硅；
S11.按质量份数计，将1份纳米二氧化硅分散至30份无水乙醇中，以频率为30KH的超声波分散30min后，滴加5份硅烷偶联剂KH-550，升温至40℃，搅拌反应4h后，离心分离，使用无水乙醇洗涤沉淀3次后，再次将其分散至30份DMF中，加入4份邻苯二甲酸酐，升温至40℃，超声震荡反应8h后，离心分离，使用四氢呋喃洗涤3次后，真空60℃蒸发至恒重，得到羧基化纳米二氧化硅；
S12.按质量份数计，将1份羧基化纳米二氧化硅分散至30份乙腈溶剂中，冰水浴处理，超声分散30min后，加入6份1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷，反应4h后，离心分离，使用乙腈洗涤沉淀3次后，将沉淀再次分散至15份新的乙腈溶剂中，配置为纳米二氧化硅悬浮液，将其滴加至溶有4份溴化磷酰的乙腈溶剂中，氮气氛围保护，滴加结束后，升温至55℃，反应18h后，离心分离，并使用乙腈洗涤3次后，真空干燥至恒重，得到阻燃改性的纳米二氧化硅；
S13.按质量分数计，将1份阻燃改性的纳米二氧化硅分散至溶有4份1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷的乙腈溶液中，升温至55℃，超声分散反应4h后，离心分离，收集沉淀，使用乙腈洗涤3次后，将其分散至溶有10份1,6-己二醇二缩水甘油醚的乙腈溶液中，升温至50℃，超声震荡反应4h后，离心分离沉淀，真空干燥至恒重后，得到改性纳米二氧化硅；
S2.按重量份数计，将5份丙酮、80份E51环氧树脂、55份改性纳米二氧化硅混合，搅拌1.5h后，加入1份双氰胺固化剂、0.05份二甲基咪唑，继续搅拌3h后，得到环氧树脂胶液；
S3.将玻璃纤维布浸入环氧树脂胶液中浸渍15min后，取出，以135℃的温度干燥3min后，得到半固化片；
S4.按照铜箔-6张半固化片-铜箔的顺序堆叠，热压成型，其中热压温度为210℃，热压压力为2.1MPa，热压时间为2h，热压结束后，停止加热，继续以1.5MPa的压力，冷压30min，冷压结束后，裁剪修整后得到PCB覆铜板；
S5.对覆铜板表面进行蚀刻处理，制备线路图形，涂覆绿油，得到PCB电路板。
实施例5.
一种PCB电路板的制备方法，包括以下步骤：
S1.制备改性纳米二氧化硅；
S11.按质量份数计，将1份纳米二氧化硅分散至30份无水乙醇中，以频率为30KH的超声波分散45min后，滴加8份硅烷偶联剂KH-550，升温至45℃，搅拌反应8h后，离心分离，使用无水乙醇洗涤沉淀5次后，再次将其分散至30份DMF中，加入8份邻苯二甲酸酐，升温至50℃，超声震荡反应12h后，离心分离，使用四氢呋喃洗涤5次后，真空60℃蒸发至恒重，得到羧基化纳米二氧化硅；
S12.按质量份数计，将1份羧基化纳米二氧化硅分散至30份乙腈溶剂中，冰水浴处理，超声分散45min后，加入10份1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷，反应8h后，离心分离，使用乙腈洗涤沉淀5次后，将沉淀再次分散至15份新的乙腈溶剂中，配置为纳米二氧化硅悬浮液，将其滴加至溶有8份溴化磷酰的乙腈溶剂中，氮气氛围保护，滴加结束后，升温至60℃，反应24h后，离心分离，并使用乙腈洗涤5次后，真空干燥至恒重，得到阻燃改性的纳米二氧化硅；
S13.按质量分数计，将1份阻燃改性的纳米二氧化硅分散至溶有6份1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷的乙腈溶液中，升温至65℃，超声分散反应8h后，离心分离，收集沉淀，使用乙腈洗涤5次后，将其分散至溶有15份1,6-己二醇二缩水甘油醚的乙腈溶液中，升温至60℃，超声震荡反应8h后，离心分离沉淀，真空干燥至恒重后，得到改性纳米二氧化硅；
S2.按重量份数计，将15份丙酮、100份E51环氧树脂、55份改性纳米二氧化硅混合，搅拌3h后，加入5份双氰胺固化剂、0.1份二甲基咪唑，继续搅拌4h后，得到环氧树脂胶液；
S3.将玻璃纤维布浸入环氧树脂胶液中浸渍20min后，取出，以145℃的温度干燥5min后，得到半固化片；
S4.按照铜箔-6张半固化片-铜箔的顺序堆叠，热压成型，其中热压温度为230℃，热压压力为2.4MPa，热压时间为2.5h，热压结束后，停止加热，继续以1.8MPa的压力，冷压45min，冷压结束后，裁剪修整后得到PCB覆铜板；
S5.对覆铜板表面进行蚀刻处理，制备线路图形，涂覆绿油，得到PCB电路板。
对比例1：与实施例2相比，本实施例未制备改性纳米二氧化硅；
一种PCB电路板的制备方法，包括以下步骤：
S1.按重量份数计，将5份丙酮、80份E51环氧树脂、55份纳米二氧化硅混合，搅拌1.5h后，加入1份双氰胺固化剂、0.05份二甲基咪唑，继续搅拌3h后，得到环氧树脂胶液；
S2.将玻璃纤维布浸入环氧树脂胶液中浸渍15min后，取出，以135℃的温度干燥3min后，得到半固化片；
S3.按照铜箔-6张半固化片-铜箔的顺序堆叠，热压成型，裁剪修整后得到PCB覆铜板；
S4.对覆铜板表面进行蚀刻处理，制备线路图形，涂覆绿油，得到PCB电路板。
检测：根据IPC检测标准对实施例1-5与对比例1进行性能检测，检测方法如下表所示；
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种PCB电路板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1. 制备改性纳米二氧化硅；
S11. 将纳米二氧化硅分散至无水乙醇中，超声分散30-45min后，滴加硅烷偶联剂KH-550，升温至40-45℃，搅拌反应4-8h后，离心分离，使用无水乙醇洗涤3-5次后，再次将其分散至DMF中，加入邻苯二甲酸酐，升温至40-50℃，超声震荡反应8-12h后，离心分离，使用四氢呋喃洗涤3-5次后，真空蒸发至恒重，得到羧基化纳米二氧化硅；
S12. 将羧基化纳米二氧化硅分散至乙腈溶剂中，冰水浴处理，超声分散30-45min后，加入1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷，反应4-8h后，离心分离，使用乙腈洗涤沉淀3-5次后，将沉淀再次分散至新的乙腈溶剂中，配置为纳米二氧化硅悬浮液，将其滴加至溶有溴化磷酰的乙腈溶剂中，氮气氛围保护，滴加结束后，升温至55-60℃，反应18-24h后，离心分离，并使用乙腈洗涤3-5次后，真空干燥至恒重，得到阻燃改性的纳米二氧化硅；
S13. 将阻燃改性的纳米二氧化硅分散至溶有1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷的乙腈溶液中，升温至55-65℃，超声分散反应4-8h后，离心分离，收集沉淀，使用乙腈洗涤3-4次后，将其分散至溶有1,6-己二醇二缩水甘油醚的乙腈溶液中，升温至50-60℃，超声震荡反应4-8h后，离心分离沉淀，真空干燥至恒重后，得到改性纳米二氧化硅；
S2. 将溶剂、环氧树脂、改性纳米二氧化硅混合，搅拌1.5-3h后，加入固化剂、催化剂，继续搅拌3-4h后，得到环氧树脂胶液；
S3. 将玻璃纤维布浸入环氧树脂胶液中浸渍15-20min后，取出，以135-145℃的温度干燥3-5min后，得到半固化片；
S4. 按照铜箔-半固化片-铜箔的顺序堆叠，热压成型，裁剪修整后得到PCB覆铜板；
其中，半固化片堆叠数量为6-12张；
S5. 对覆铜板表面进行蚀刻处理，制备线路图形，涂覆绿油，得到PCB电路板。
2.根据权利要求1所述的一种PCB电路板的制备方法，其特征在于：步骤S11中，按质量份数计，所述纳米二氧化硅、硅烷偶联剂KH-550、邻苯二甲酸酐的质量比为1：5-8：4-8。
3.根据权利要求1所述的一种PCB电路板的制备方法，其特征在于：步骤S12中，按质量份数计，所述羧基化纳米二氧化硅、1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、溴化磷酰的质量比为1：6-10：4-8。
4.根据权利要求1所述的一种PCB电路板的制备方法，其特征在于：步骤S13中，按质量份数计，所述阻燃改性的纳米二氧化硅、1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,6-己二醇二缩水甘油醚的质量比为1：4-6：10-15。
5.根据权利要求1所述的一种PCB电路板的制备方法，其特征在于：按重量份数计，所述环氧树脂胶液包括以下组分：80-100份环氧树脂、35-55份改性纳米二氧化硅、1-5份固化剂、0.05-0.1份催化剂、5-15份溶剂。
6.根据权利要求1所述的一种PCB电路板的制备方法，其特征在于：所述环氧树脂为E51型环氧树脂；所述固化剂为双氰胺；所述催化剂为二甲基咪唑或硼酸中的任意一种；所述溶剂为丙酮。
7.根据权利要求1所述的一种PCB电路板的制备方法，其特征在于：步骤S4中，热压成型时，热压温度为210-230℃，热压压力为2.1-2.4MPa，热压时间为2-2.5h。
8.根据权利要求7所述的一种PCB电路板的制备方法，其特征在于：步骤S4中，热压结束后，停止加热，保持1.5-1.8MPa的压力，继续冷压30-45min。
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