CN116684010A - 一种射频检测电路及检测器 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种射频检测电路及检测器，涉及集成电路技术领域。该射频检测电路包括：射频输入单元、检测单元、误差单元、放大单元、指数电流生成单元、隔绝电阻；射频输入单元的输入端用于连接射频检测点，射频输入单元的输出端连接检测单元的第一输入端，射频输入单元的输出端还通过所述隔绝电阻连接误差单元的第一输入端；检测单元的输出端连接放大单元的反相输入端，误差单元的输出端连接放大单元的同相输入端，放大单元的输出端连接指数电流生成单元的输入端，指数电流生成单元的输出端还连接检测单元的输出端，放大单元的输出端用于输出放大后的误差信号。从而，精准地得到射频检测点的功率，并节省了射频检测成本。

Description

一种射频检测电路及检测器

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，具体而言，涉及一种射频检测电路及检测器。

背景技术

现代无线通信手持终端设备已经成为人们生活中必不可少的一部分，由于现在电池技术的限制，对手持终端设备如何降低功耗的要求越来越高。功率检测电路用于检测射频收发电路中间节点的传输功率大小，功率检测的精准度对于控制整个电路的功耗至关重要，在满足正常通信的前提下，电路中的各个模块以最低的功耗进行工作，可以延长手持设备的使用时间。

由于使用功率检测电路的目的精准控制发射电路的发射功率，或者用来检测接收链路的接收功率进而去调整接收链路的整体增益，因此首先要确保功率检测电路自身不能引入过多的功耗，其次要求功率检测的稳定性和准确性，尤其是在CMOS工艺不同温度的情况下依然要保证功率检测的准确性。

现有的射频功率检测器设计方案大致可以分为几类：热能检测器，利用二极管特性实现的检测器以及使用晶体管转换特性实现的检测器。热能检测器的实现比较复杂且昂贵，不适用于高集成度的CMOS工艺电路，对于射频功率检测器，设计中需要一个低损耗的肖特基二极管，现在的CMOS工艺也无法满足这个要求。另一种方法，利用晶体管的电压电流转换特性，将射频电压转换成平方率特性直流电流，进一步处理后变成需要的功率检测电压。该方法在很多CMOS产品中已得以实现，但是现有的方案都不能实现输入功率与输出检测电压之间的线性转换，他们实现的都是输入功率与功率检测电压之间呈指数关系，输入功率较小的时候，功率检测电压值比较接近，需要精度较高的模数转换器才能正确读取输出电压。

发明内容

本发明的目的在于，针对上述现有技术中的不足，本申请提供了一种射频检测电路及检测器，以解决现有技术中射频检测精度低等问题。

为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本申请实施例提供一种射频检测电路，所述射频检测电路包括：射频输入单元、检测单元、误差单元、放大单元、指数电流生成单元、隔绝电阻；

所述射频输入单元的输入端用于连接射频检测点，所述射频输入单元的输出端连接所述检测单元的第一输入端，所述射频输入单元的输出端还通过所述隔绝电阻连接所述误差单元的第一输入端；

所述检测单元的输出端连接所述放大单元的反相输入端，所述误差单元的输出端连接所述放大单元的同相输入端，所述放大单元的输出端连接所述指数电流生成单元的输入端，所述指数电流生成单元的输出端还连接所述检测单元的输出端，所述放大单元的输出端用于输出放大后的误差信号。

可选地，所述射频检测电路还包括：温度控制开关单元；

所述温度控制开关单元的输入端连接所述放大单元的输出端，所述温度控制开关单元的控制端用于接收控制信号，所述温度控制开关单元的输出端用于输出温度调整后的电压。

可选地，所述射频输入单元为电容分压电路，所述电容分压电路的一端用于连接所述射频检测点，所述电容分压电路的另一端连接地，所述电容分压电路的分压点为所述射频输入单元的输出端。

可选地，所述检测单元为单输入检测单元，所述电容分压电路为单个电容分压电路，所述单个电容分压电路的分压点连接所述单输入检测单元的一个输入端和所述误差单元的输入端。

可选地，所述检测单元为差分输入检测单元，所述电容分压电路包括：两个电容分压电路，其中，所述两个电容分压电路的一端分别用于连接正射频检测点和负射频检测点；

所述两个电容分压电路的另一端接地，所述两个电容分压电路的分压点分别通过一个所述隔绝电阻连接所述差分输入检测单元的差分输入端，所述两个电容分压电路的分压点还连接所述误差单元的输入端。

可选地，所述指数电流生成单元包括：第一晶体管、共源共栅电流镜以及第一电阻；所述第一晶体管的偏置端为所述指数电流生成单元的输入端，所述第一晶体管的接地端接地，所述第一晶体管的电源端通过所述第一电阻连接所述共源共栅电流镜的输入端，所述第一电阻的两端还连接所述共源共栅电流镜中晶体管的偏置端，所述共源共栅电流镜的输出端为所述指数电流生成单元的输出端。

可选地，所述温度控制开关单元包括：第二电阻、电阻开关阵列、第二晶体管、晶体管阵列；

所述第二电阻的一端为所述温度控制开关单元的输入端，所述第二电阻的另一端分别连接所述电阻开关阵列的一端、所述第二晶体管的偏置端；所述第二晶体管的电源端连接所述晶体管阵列；所述第二晶体管的接地端接地，所述第二晶体管的电源端为所述温度控制开关单元的输出端。

可选地，所述电阻开关阵列包括：多个第三电阻、多个第三晶体管；

所述多个第三电阻与所述第二电阻串联连接，并接地；每两个所述第三电阻之间连接一个所述第三晶体管的输入端，所述第三晶体管的输出端接地，所述第三晶体管的控制端用于接收控制信号。

可选地，所述晶体管阵列包括：多个第四晶体管；

多个所述第四晶体管的输出端并联连接所述第二晶体管的电源端；多个所述第四晶体管的控制端用于接收控制信号。

第二方面，本申请实施例提供一种射频检测器，包括：上述第二方面中任一射频检测电路、控制单元、模数转换器；

所述射频检测电路中放大单元的输出端连接所述模数转换器的模拟端，所述模数转换器的数字端连接所述控制单元，所述控制单元还连接所述射频检测电路的控制端。

相对于现有技术而言，本申请具有以下有益效果：

本申请提供了一种射频检测电路及检测器，该射频检测电路包括：射频输入单元、检测单元、误差单元、放大单元、指数电流生成单元、隔绝电阻；射频输入单元的输入端用于连接射频检测点，射频输入单元的输出端连接检测单元的第一输入端，射频输入单元的输出端还通过隔绝电阻连接误差单元的第一输入端；检测单元的输出端连接放大单元的反相输入端，误差单元的输出端连接放大单元的同相输入端，放大单元的输出端连接指数电流生成单元的输入端，指数电流生成单元的输出端还连接检测单元的输出端，放大单元的输出端用于输出放大后的误差信号。从而，引入指数电流生成单元，使得放大后的射频检测点的电压，与射频检测点的功率呈一次线性关系，便于根据放大后的射频检测点的电压，更加精准地得到射频检测点的功率，实现检测射频功率，并节省了射频检测成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请提供的一种射频检测电路的结构示意图；

图2为本申请提供的另一种射频检测电路的结构示意图；

图3为本申请提供的一种单输入射频检测电路的结构示意图；

图4为本申请提供的一种差分输入射频检测电路的结构示意图；

图5为本申请提供的一种射频检测器的结构示意图。

图标：1-射频检测电路、2-控制单元、3-模数转换器、100-射频输入单元、200-检测单元、300-误差单元、400-放大单元、500-指数电流生成单元、600-温度控制开关单元、R-隔绝电阻、M1-第一晶体管、M2-第二晶体管、M3-第三晶体管、M4-第四晶体管、M5-第五晶体管、M6-第六晶体管、M7-第七晶体管、M8-第八晶体管、M9-第九晶体管、M10-第十晶体管、M11-第十一晶体管、M12-第十二晶体管、M13-第十三晶体管、M14-第十四晶体管、M5a-第一子晶体管、M5b-第二子晶体管、R1-第一电阻、R2-第二电阻、R3-第三电阻、R4-第四电阻、C1-第一电容、C2-第二电容、C3-第三电容、C4-第四电容。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应注意到：类似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明的实施例中的特征可以相互结合。

为了提高射频功率的检测精度，降低射频功率的检测成本，本申请提供了一种射频检测电路及检测器。

如下，先通过具体示例，对本申请提供的一种射频检测电路进行解释说明。图1为本申请提供的一种射频检测电路的结构示意图。如图1所示，该射频检测电路包括：射频输入单元100、检测单元200、误差单元300、放大单元400、指数电流生成单元500、隔绝电阻R。

射频输入单元100的输入端用于连接射频检测点，射频输入单元100的输出端连接检测单元200的第一输入端，射频输入单元100的输出端还通过隔绝电阻R连接误差单元300的第一输入端。

检测单元200的输出端连接放大单元400的反相输入端，误差单元300的输出端连接放大单元400的同相输入端，放大单元400的输出端连接指数电流生成单元500的输入端，指数电流生成单元500的输出端还连接检测单元200的输出端，放大单元400的输出端用于输出放大后的误差信号。

通过射频输入单元100的输入端获取射频检测点的射频电压，并按照预设比例对射频电压进行缩小，将缩小后的射频电压传输至检测单元200和误差单元300。其中，预设比例由射频输入单元100的结构确定。

隔绝电阻R可以隔绝射频电压，使得射频电压无法直接进行误差单元300。检测单元200和误差单元300根据射频电压产生的直流电平分别输入至放大单元400的反相输入端、同相输入端。放大单元400为差分输入单端输出的放大器，以对反相输入端、同相输入端输入的两个电信号进行放大，最终输出放大后的误差信号，以根据放大后的误差信号得到射频检测结果。

进一步地，放大后的误差信号还输入至指数电流生成单元500，指数电流生成单元500的内部结构使得输入的电压与输出的电流呈现指数特性。指数电流生成单元500将输出的电流传输至检测单元200的输出端，并影响检测单元200的输出电压，进而影响放大单元400的输出信号。使得放大后的误差信号，与射频检测点的功率呈一次线性关系，便于根据放大后的误差信号，更加精准地得到射频检测点的功率，实现检测射频功率。上述结构不需要热能检测器等复杂且昂贵的元器件，节省了射频检测成本。

综上，在本实施例中，该射频检测电路包括：射频输入单元、检测单元、误差单元、放大单元、指数电流生成单元、隔绝电阻；射频输入单元的输入端用于连接射频检测点，射频输入单元的输出端连接检测单元的第一输入端，射频输入单元的输出端还通过隔绝电阻连接误差单元的第一输入端；检测单元的输出端连接放大单元的反相输入端，误差单元的输出端连接放大单元的同相输入端，放大单元的输出端连接指数电流生成单元的输入端，指数电流生成单元的输出端还连接检测单元的输出端，放大单元的输出端用于输出放大后的误差信号。从而，引入指数电流生成单元，使得放大后的误差信号，与射频检测点的功率呈一次线性关系，便于根据放大后的误差信号，更加精准地得到射频检测点的功率，实现检测射频功率，并节省了射频检测成本。

在上述图1对应的实施例的基础上，本申请还提供了另一种射频检测电路。图2为本申请提供的另一种射频检测电路的结构示意图。如图2所示，该射频检测电路还包括：温度控制开关单元600。

温度控制开关单元600的输入端连接放大单元400的输出端，温度控制开关单元600的控制端用于接收控制信号，温度控制开关单元600的输出端用于输出温度调整后的电压。

在射频检测的过程中，随着温度的变化，温度对电信号的检测产生影响，使得放大后的误差信号与射频检测点的功率之间的一次线性关系发生改变。

而设置了温度控制开关单元600之后，在不同温度情况下，通过控制温度控制开关单元600，使得放大后的误差信号与射频检测点的功率之间的一次线性关系保持不变。在不同温度下，保证了对于相同的输入功率检测得到的电压都近似相等，提高了射频检测电路的检测精度。

综上，在本实施例中，射频检测电路还包括：温度控制开关单元；温度控制开关单元的输入端连接放大单元的输出端，温度控制开关单元的控制端用于接收控制信号，温度控制开关单元的输出端用于输出温度调整后的电压。从而，通过设置温度控制开关单元，在不同温度下，保证了对于相同的输入功率检测得到的电压都近似相等，提高了射频检测电路的检测精度。

在上述图1对应的实施例的基础上，本申请实施例中的射频输入单元100为电容分压电路，电容分压电路的一端用于连接射频检测点，电容分压电路的另一端连接地，电容分压电路的分压点为射频输入单元100的输出端。

电容分压电路中的多个电容串联连接。通过电容分压电路中的多个电容，对射频电压进行分压，实现对射频电压进行缩小。其中，根据多个电容的大小参数以及分压点位置可以确定预设比例。

综上，在本实施例中，射频输入单元为电容分压电路，电容分压电路的一端用于连接射频检测点，电容分压电路的另一端连接地，电容分压电路的分压点为射频输入单元的输出端。从而，通过电容分压电路实现对射频电压进行缩小。

在上述实施例的基础上，本申请还提供了一种单输入射频检测电路。图3为本申请提供的一种单输入射频检测电路的结构示意图。

如图3所示，检测单元200为单输入检测单元，电容分压电路为单个电容分压电路，单个电容分压电路的分压点连接单输入检测单元的一个输入端和误差单元300的输入端。

电容分压电路包括第一电容C1、第二电容C2，检测单元200包括：第五晶体管M5、第六晶体管M6、第七晶体管M7、第三电容C3。

第一电容C1与第二电容C2串联在电容分压电路的通路上；电容分压电路的分压点位于第一电容C1与第二电容C2之间的位置。

第五晶体管M5的基极为检测单元200的第一输入端，第五晶体管M5的集电极分别与第六晶体管M6的集电极、第七晶体管M7的集电极、第七晶体管M7的基极、第三电容C3的一端连接，第五晶体管M5的发射极与第三电容C3的另一端共同接地；第五晶体管M5的集电极为检测单元200的输出端。

第六晶体管M6的基极为检测单元200的第二输入端，连接第一偏置电压，第六晶体管M6的发射极与第七晶体管M7的发射极共同连接第一参考电压。

误差单元300包括：第八晶体管M8、第九晶体管M9、第十晶体管M10、第四电容C4。

第八晶体管M8的基极为误差单元300的第一输入端，第八晶体管M8的集电极分别与第九晶体管M9的集电极、第十晶体管M10的集电极、第十晶体管M10的基极、第四电容C4的一端连接，第八晶体管M8的发射极与第四电容C4的另一端共同接地；第八晶体管M8的集电极为检测单元200的输出端。

第九晶体管M9的基极为误差单元300的第二输入端，连接第一偏置电压，第九晶体管M9的发射极与第十晶体管M10的发射极共同连接第二参考电压。

进一步地，射频输入单元100的输出端还通过隔绝电阻R、第四电阻R4连接误差单元300的第一输入端；隔绝电阻R与第四电阻R4之间的位置连接有第二偏置电压。

综上，在本实施例中，检测单元为单输入检测单元，电容分压电路为单个电容分压电路，单个电容分压电路的分压点连接单输入检测单元的一个输入端和误差单元的输入端。从而，实现射频检测电路的单输入。

在上述实施例的基础上，本申请还提供了一种差分输入射频检测电路。图4为本申请提供的一种差分输入射频检测电路的结构示意图。

如图4所示，检测单元200为差分输入检测单元，电容分压电路包括：两个电容分压电路，其中，两个电容分压电路的一端分别用于连接正射频检测点和负射频检测点。

两个电容分压电路的另一端接地，两个电容分压电路的分压点分别通过一个隔绝电阻R连接差分输入检测单元的差分输入端，两个电容分压电路的分压点还连接误差单元300的输入端。通过两个电容分压电路和差分输入检测单元实现射频检测电路的差分输入，使得射频检测更加精准。

其中，两个电容分压电路的结构和元器件尺寸完全相同。差分输入检测单元包括：第一子晶体管M5a、第二子晶体管M5b，在差分输入检测单元中，采用两个尺寸相同的晶体管代替第五晶体管M5，第一子晶体管M5a和第二子晶体管M5b的尺寸为第五晶体管M5的一半。第一子晶体管M5a与第二子晶体管M5b在电路中连接关系与第五晶体管M5在电路中连接关系类似，此处不再赘述。两个电容分压电路的分压分别通过一个隔绝电阻R与第四电阻R4并联。

综上，在本实施例中，检测单元为差分输入检测单元，电容分压电路包括：两个电容分压电路，其中，两个电容分压电路的一端分别用于连接正射频检测点和负射频检测点；两个电容分压电路的另一端接地，两个电容分压电路的分压点分别通过一个隔绝电阻连接差分输入检测单元的差分输入端，两个电容分压电路的分压点还连接误差单元的输入端。从而，通过两个电容分压电路和差分输入检测单元实现射频检测电路的差分输入，使得射频检测更加精准。

需要说明的是，图3和图4对应的实施例分别对应单输入射频检测电路、差分输入射频检测电路的实施方案。而单输入和差分输入的实施方案中的其他单元的内部结构都是完全相同的。因此，在下述实施例中，同时参照图3或图4对其他单元的内部结构进行解释。

继续参照图3或图4。指数电流生成单元500包括：第一晶体管M1、共源共栅电流镜以及第一电阻R1；第一晶体管M1的偏置端为指数电流生成单元500的输入端，第一晶体管M1的接地端接地，第一晶体管M1的电源端通过第一电阻R1连接共源共栅电流镜的输入端，第一电阻R1的两端还连接共源共栅电流镜中晶体管的偏置端，共源共栅电流镜的输出端为指数电流生成单元500的输出端。

其中，共源共栅电流镜由第十一晶体管M11、第十二晶体管M12、第十三晶体管M13、第十四晶体管M14构成。

在设置了指数电流生成单元500之后，对整个射频检测电路进行分析可以得到第一晶体管M1的偏置端的电压，具体的表示如下公式（1）所示：

（1）

其中，为第一晶体管M1的偏置端的电压，n为本征载流子浓度，k为玻尔兹曼常数，q为电子电荷量，T为温度（K），ID0为工艺相关的电流常数，u为n沟道或者p沟道器件的表面迁移率，Cox为单位面积栅氧化电容，w1、w5、L1、L5分别为第一晶体管M1、第五晶体管M5的有效沟道宽度和沟道长度，Vrf为第五晶体管M5的偏置端的电压。

根据上面的公式（1），加号左侧的表达式和输入的射频功率相关，加号右侧的表达式和第一晶体管M1、第五晶体管M5的尺寸有关，且整个表达式都和温度T线性相关。公式（1）可以看成如下公式（2）的形式：

(2)

其中，a为一次函数的斜率，表示加号左侧的表达式中的参数组成，b为一次函数的截距，表示加号右侧的表达式中的参数组成。

通过上述公式（2），在检测到放大后的误差信号之后，通过线性的一次函数，可以精准地得到射频检测点的功率。

综上，在本实施例中，指数电流生成单元包括：第一晶体管、共源共栅电流镜以及第一电阻；第一晶体管的偏置端为指数电流生成单元的输入端，第一晶体管的接地端接地，第一晶体管的电源端通过第一电阻连接共源共栅电流镜的输入端，第一电阻的两端还连接共源共栅电流镜中晶体管的偏置端，共源共栅电流镜的输出端为指数电流生成单元的输出端。从而，精准地得到射频检测点的功率。

继续参照图3或图4，温度控制开关单元600包括：第二电阻R2、电阻开关阵列、第二晶体管M2、晶体管阵列。

第二电阻R2的一端为温度控制开关单元600的输入端，第二电阻R2的另一端分别连接电阻开关阵列的一端、第二晶体管M2的偏置端；第二晶体管M2的电源端连接晶体管阵列；第二晶体管M2的接地端接地，第二晶体管M2的电源端为温度控制开关单元600的输出端。

通过选通电阻开关阵列和晶体管阵列中不同的开关，可以对整个射频检测电路实现不同的分压系数，经过分压之后的电压再进入第二晶体管M2，得到整个射频检测电路的输出电压。输出电压的数学表达式如下公式（3）所示：

（3）

其中，m为分压系数，Vout为输出电压。

上述公式（2）中的a和b都与温度T相关，会随着温度的变化而进行变化。引入分压系数得到公式（3），通过控制温度控制开关单元600中的电阻开关阵列和晶体管阵列，以改变分压系数，使得斜率a和截距b在不同温度时，都能近似不变。其中，温度控制开关单元600中的控制原理就是，使得分压系数和温度反向变化，保持温度和分压系数的乘积保持不变。

综上，在本实施例中，温度控制开关单元包括：第二电阻、电阻开关阵列、第二晶体管、晶体管阵列；第二电阻的一端为温度控制开关单元的输入端，第二电阻的另一端分别连接电阻开关阵列的一端、第二晶体管的偏置端；第二晶体管的电源端连接晶体管阵列；第二晶体管的接地端接地，第二晶体管的电源端为温度控制开关单元的输出端。从而，通过设置温度控制开关单元，使得射频检测结果不随着温度的变化而变化。

进一步地，电阻开关阵列包括：多个第三电阻R3、多个第三晶体管M3。

多个第三电阻R3与第二电阻R2若串联连接，并接地；每两个第三电阻R3之间连接一个第三晶体管M3的输入端，第三晶体管M3的输出端接地，第三晶体管M3的控制端用于接收控制信号。

通过选通不同的开关，控制多个第三晶体管M3（数字信号S0-Sn为控制信号），可以实现不同的分压系数。

其中，电阻开关阵列的个数可以根据产品应用的温度范围决定。

综上，在本实施例中，电阻开关阵列包括：多个第三电阻R3、多个第三晶体管M3；多个第三电阻R3与第二电阻R2串联连接，并接地；每两个第三电阻R3之间连接一个第三晶体管M3的输入端，第三晶体管M3的输出端接地，第三晶体管M3的控制端用于接收控制信号。从而，使得温度控制更加精准。

进一步地，晶体管阵列包括：多个第四晶体管M4。

多个第四晶体管M4的输出端并联连接第二晶体管M2的电源端；多个第四晶体管M4的控制端用于接收控制信号。

其中，晶体管阵列的个数与电阻开关阵列的个数相同，两者的控制信号也相同（数字信号S0-Sn为控制信号）。

在上述公式（3）中，并未考虑到晶体管的二阶效应，在温度的影响下，截距的变化通过分压系数未必能弥补回来，所以在温度控制开关单元600中加入了晶体管阵列，用来辅助调整截距。通过电阻开关阵列和晶体管阵列的同步调整，使得相同输入功率在不同温度下的检测电压都近似相等。

综上，在本实施例中，晶体管阵列包括：多个第四晶体管；多个第四晶体管的输出端并联连接第二晶体管的电源端；多个第四晶体管的控制端用于接收控制信号。从而，通过设置晶体管阵列，使得温度控制更加精准。

在上述实施例的基础上，本申请实施例还提供了一种射频检测器。图5为本申请提供的一种射频检测器的结构示意图。如图5所示，该射频检测器包括：上述实施例中任一射频检测电路1、控制单元2、模数转换器3。

射频检测电路1中放大单元400的输出端连接模数转换器3的模拟端，模数转换器3的数字端连接控制单元2，控制单元2还连接射频检测电路1的控制端。

需要说明的是，当射频检测电路1包括温度控制开关单元600时，温度控制开关单元600的输出端连接模数转换器3的模拟端；控制单元2还连接温度控制开关单元600的控制端。

射频检测电路1传输至模数转换器3的射频检测点的电压，与射频检测点的功率呈一次线性关系，便于模数转换器3根据放大后的误差信号，更加精准地得到射频检测点的功率，实现检测射频功率。上述结构不需要热能检测器等复杂且昂贵的元器件，也不需要高精度的模数转换器3，节省了射频检测成本。

综上，在本实施例中，射频检测器包括：上述实施例中任一射频检测电路、控制单元、模数转换器；射频检测电路中放大单元的输出端连接模数转换器的模拟端，模数转换器的数字端连接控制单元，控制单元还连接射频检测电路的控制端。从而，提高了射频检测精度，降低了射频检测成本。

Claims (10)

1.一种射频检测电路，其特征在于，所述射频检测电路包括：射频输入单元、检测单元、误差单元、放大单元、指数电流生成单元；

所述射频输入单元的输入端用于连接射频检测点，所述射频输入单元的输出端连接所述检测单元的第一输入端，所述射频输入单元的输出端还通过隔绝电阻连接所述误差单元的第一输入端；

所述检测单元的输出端连接所述放大单元的反相输入端，所述误差单元的输出端连接所述放大单元的同相输入端，所述放大单元的输出端连接所述指数电流生成单元的输入端，所述指数电流生成单元的输出端还连接所述检测单元的输出端，所述放大单元的输出端用于输出放大后的误差信号。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述射频检测电路还包括：温度控制开关单元；所述温度控制开关单元的输入端连接所述放大单元的输出端，所述温度控制开关单元的控制端用于接收控制信号，所述温度控制开关单元的输出端用于输出温度调整后的电压。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述射频输入单元为电容分压电路，所述电容分压电路的一端用于连接所述射频检测点，所述电容分压电路的另一端连接地，所述电容分压电路的分压点为所述射频输入单元的输出端。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述检测单元为单输入检测单元，所述电容分压电路为单个电容分压电路，所述单个电容分压电路的分压点连接所述单输入检测单元的一个输入端和所述误差单元的输入端。

5.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述检测单元为差分输入检测单元，所述电容分压电路包括：两个电容分压电路，其中，所述两个电容分压电路的一端分别用于连接正射频检测点和负射频检测点；

所述两个电容分压电路的另一端接地，所述两个电容分压电路的分压点分别通过一个所述隔绝电阻连接所述差分输入检测单元的差分输入端，所述两个电容分压电路的分压点还连接所述误差单元的输入端。

6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述指数电流生成单元包括：第一晶体管、共源共栅电流镜以及第一电阻；所述第一晶体管的偏置端为所述指数电流生成单元的输入端，所述第一晶体管的接地端接地，所述第一晶体管的电源端通过所述第一电阻连接所述共源共栅电流镜的输入端，所述第一电阻的两端还连接所述共源共栅电流镜中晶体管的偏置端，所述共源共栅电流镜的输出端为所述指数电流生成单元的输出端。

7.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述温度控制开关单元包括：第二电阻、电阻开关阵列、第二晶体管、晶体管阵列；

所述第二电阻的一端为所述温度控制开关单元的输入端，所述第二电阻的另一端分别连接所述电阻开关阵列的一端、所述第二晶体管的偏置端；所述第二晶体管的电源端连接所述晶体管阵列；所述第二晶体管的接地端接地，所述第二晶体管的电源端为所述温度控制开关单元的输出端。

8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述电阻开关阵列包括：多个第三电阻、多个第三晶体管；

所述多个第三电阻与所述第二电阻串联连接，并接地；每两个所述第三电阻之间连接一个所述第三晶体管的输入端，所述第三晶体管的输出端接地，所述第三晶体管的控制端用于接收控制信号。

9.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述晶体管阵列包括：多个第四晶体管；

多个所述第四晶体管的输出端并联连接所述第二晶体管的电源端；多个所述第四晶体管的控制端用于接收控制信号。

10.一种射频检测器，其特征在于，包括：上述权利要求1-9中任一射频检测电路、控制单元、模数转换器；

所述射频检测电路中放大单元的输出端连接所述模数转换器的模拟端，所述模数转换器的数字端连接所述控制单元，所述控制单元还连接所述射频检测电路的控制端。