CN116674108A - 一种晶棒切割中出现断线处理的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及光伏制造技术领域，提供一种晶棒切割中出现断线处理的方法，包括：提供第一切割线网，第一切割线网包括螺旋环绕的若干连续的第一线圈；提供待切晶棒，在待切晶棒沿高度方向通过第一切割线网切割且第一切割线网断线时，所述待切晶棒以第一切割线网的基准断线端为界限划分为第一切割晶棒和余料晶棒，其中：将待切晶棒中长度大于所述第一切割晶棒高度的部分确定为余料晶棒；将余料晶棒从待切晶棒截下，取所述余料晶棒的部分得到第二切割晶棒，第二切割晶棒的长度等于第一切割晶棒的高度；将第二切割晶棒沿长度方向进行切割处理。该晶棒切割中出现断线处理的方法，通过余料晶棒直接形成应用场景的硅片的二次利用，提高晶棒的利用率。

Description

一种晶棒切割中出现断线处理的方法

技术领域

本发明涉及光伏制造技术领域，具体涉及一种晶棒切割中出现断线处理的方法。

背景技术

硅片是光伏电池领域重要的制作材料之一，光伏电池的成本90％以上为硅片成本。目前硅片一般通过硅棒切割得到，如何提高制程过程中硅棒利用率，对硅片甚至光伏电池整体成本降低至关重要。硅棒切割使用材料为金刚线，金刚线通过导线轮的引导，在主线辊上形成一张切割线网，而硅棒通过工作台的下降实现进给，金刚线由下而上切割硅棒。

硅棒切割过程中，会因各种因素导致金刚线发生断线。随着金刚线的线径和硅片厚度的进一步降低，导致金刚线的断线率进一步上升。现有技术中，金刚线发生断线之后，会采用断线端与切割线网的始端或终端之间的切割线网对晶棒继续进行切割，而位于断线端与切割线网的终端或始端之间的上部的晶棒不被切割，不切割的一段则作为废料，造成晶棒的利用率低。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的晶棒的利用率低的缺陷，从而提供一种晶棒切割中出现断线处理的方法，通过将余料晶棒直接形成应用场景的硅片的二次利用，提高晶棒的利用率。

本发明提供一种晶棒切割中出现断线处理的方法，包括：提供第一切割线网，所述第一切割线网包括螺旋环绕的若干连续的第一线圈；提供待切晶棒，在所述待切晶棒沿高度方向通过所述第一切割线网切割且所述第一切割线网断线时，所述待切晶棒以所述第一切割线网的基准断线端为界限划分为第一切割晶棒和余料晶棒，其中：将所述待切晶棒中长度大于所述第一切割晶棒高度的部分确定为所述余料晶棒；将所述余料晶棒从所述待切晶棒截下，取所述余料晶棒的部分得到第二切割晶棒，所述第二切割晶棒的长度等于所述第一切割晶棒的高度；将所述第二切割晶棒沿长度方向进行切割处理。

可选的，所述余料晶棒包括被所述第一切割线网切割形成的待去除部以及所述余料晶棒从所述待切晶棒截下的过程中形成的截断面；取所述余料晶棒的部分得到第二切割晶棒的步骤包括：对所述截断面进行修平处理，以得到齐平的截断面；以及，将所述待去除部去除。

可选的，将所述待去除部去除的步骤包括：采用磨平机对所述待去除部进行机械磨平加工，直至将所述待去除部去除，得到齐平的表面。

可选的，对所述截断面进行修平处理的步骤包括：采用磨平机对所述截断面进行机械加工。

可选的，在所述第一切割线网断线之后、将所述余料晶棒截下之前，在所述第一切割线网断线处形成初始断线端，所述待切晶棒以所述初始断线端为界限划分为第一子切割晶棒和子余料晶棒；所述子余料晶棒的长度小于或等于所述第一子切割晶棒的高度；晶棒切割中出现断线处理的方法还包括：将所述第一切割线网自所述初始断线端朝向所述第一子切割晶棒的长度方向剪掉部分以在所述第一切割线网的剪切端形成基准断线端，所述待切晶棒以所述基准断线端为界限划分为第一切割晶棒和余料晶棒，所述余料晶棒的长度大于所述第一切割晶棒的高度。

可选的，所述第一切割线网具有第一线端和第二线端；所述第一切割晶棒的底部区域具有在所述第一切割线网断线前形成的切割槽；所述晶棒切割中出现断线处理的方法还包括：在所述第一切割线网断线之后、将所述余料晶棒截下之前，采用所述基准断线端与所述第一线端之间的所述第一线圈沿着所述切割槽对所述第一切割晶棒进行切割，得到成品硅片。

可选的，对所述第二切割晶棒进行切割处理的过程包括：去除所述第一切割线网后提供第二切割线网，所述第二切割线网对应所述第一切割线网的位置设置，所述第二切割线网包括螺旋环绕的若干连续的第二线圈；将所述第二切割晶棒放置在所述第二切割线网上进行切割。

可选的，将所述余料晶棒从所述待切晶棒截下之前，所述余料晶棒的宽度方向与所述第一切割晶棒的宽度方向对应，所述第一切割晶棒的长度方向和所述余料晶棒的长度方向均与所述第一线圈的中心轴方向平行，所述第一切割晶棒的长度大于所述余料晶棒的长度，所述余料晶棒的高度方向与所述第一切割晶棒的高度方向对应；将所述余料晶棒从所述待切晶棒截下之后，取所述余料晶棒的部分得到第二切割晶棒的步骤还包括：将所述余料晶棒逆时针旋转90度；所述第二切割晶棒的宽度方向与所述余料晶棒的宽度方向对应；所述第一切割晶棒的宽度尺寸等于所述第二切割晶棒的宽度尺寸；所述第二切割晶棒的高度方向于所述余料晶棒的长度方向对应；所述第二切割晶棒的长度方向与所述余料晶棒的高度方向对应。

可选的，所述余料晶棒的长度大于所述第一切割晶棒的高度的两倍，晶棒切割中出现断线处理的方法还包括：将所述余料晶棒从所述待切晶棒截下之后，去除待去除部；去除待去除部之后，对余料晶棒进行截断处理，得到第一余料晶棒和第二余料晶棒；分别对所述第一余料晶棒和第二余料晶棒的截断面进行修平处理，得到两个第二切割晶棒。

可选的，所述待切晶棒的数量为若干个；若干个所述待切晶棒分别通过所述第一切割线网切割且所述第一切割线网断线时，若干个待切晶棒形成多个所述第一切割晶棒和多个所述余料晶棒，对所述余料晶棒进行处理得到若干个所述第二切割晶棒；对所述第二切割晶棒进行切割处理的步骤为：对若干个所述第二切割晶棒同时进行切割处理。

本发明的有益效果在于：

本发明提供的一种晶棒切割中出现断线处理的方法，在所述待切晶棒沿高度方向通过所述第一切割线网切割且所述第一切割线网断线时，所述待切晶棒以第一切割线网的基准断线端为界限划分为第一切割晶棒和余料晶棒，由于所述余料晶棒具有被所述第一切割线网切割形成的待去除部，以及后续将所述余料晶棒从所述待切晶棒截下的过程中，所述余料晶棒具有截断面，将长度大于所述第一切割晶棒的高度的部分所述待切晶棒确定为所述余料晶棒的目的是取所述余料晶棒的部分的过程中，需要修平截面以使得到的所述第二晶棒的表面平整；对所述第二切割晶棒进行切割处理，能够提高所述第二切割晶棒在切割过程中的整体一致性和均匀性；其次，修平截面之后，所述余料晶棒的长度会减小，得到的第二切割晶棒中所述第二切割晶棒的长度等于所述第一切割晶棒的高度。在后续对第二切割晶棒进行切割之前，通过调整第二切割晶棒的粘结方式，第二切割晶棒的长度方向上的尺寸等于所述第一切割晶棒的高度方向上的尺寸，在后续对第二切割晶棒进行切割的过程中，沿所述第二切割晶棒的长度方向进行切割处理。这样在对所述第二切割晶棒进行切割处理之后得到硅片的尺寸与对第一切割晶棒进行切割处理之后得到硅片的尺寸一致，满足工艺生产的需求。综上，在第一切割线网断线之后，对所述余料晶棒进行合理加工得到第二切割晶棒，对第二切割晶棒进行二次利用，能够提高所述第二切割晶棒的利用率，进而提高晶棒的利用率。

进一步地，所述第一切割晶棒的底部区域具有在所述第一切割线网断线前形成的切割槽；所述晶棒切割中出现断线处理的方法还包括：在所述第一切割线网断线之后、将所述余料晶棒截下之前，采用所述基准断线端与所述第一线端之间的切割线网沿着所述切割槽对所述第一切割晶棒进行切割，得到成品硅片。这样在对所述第一切割晶棒的切割过程中，无须更换切割线网，对所述第一切割晶棒的切割为连续切割，能够减少第一切割晶棒切割之后形成硅片之间的色差，提高硅片的良品率；其次，由于所述第一切割晶棒的长度大于或等于所述余料晶棒的长度，采用所述基准断线端与所述第一线端之间的切割线网沿着所述切割槽对所述第一切割晶棒进行连续切割，能够降低工艺成本。

进一步地，所述待切晶棒的数量为若干个；若干个所述待切晶棒分别通过所述第一切割线网切割且所述第一切割线网断线时，若干个待切晶棒形成多个所述第一切割晶棒和多个所述余料晶棒，对所述余料晶棒进行处理得到若干个所述第二切割晶棒；对所述第二切割晶棒进行切割处理的步骤为：对若干个第二切割晶棒同时进行切割处理。对所述若干个第二切割晶棒同时进行切割处理，能够降低工艺时间和成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例中的晶棒切割中出现断线处理的方法的流程示意图；

图2至图9为本发明实施例中的晶棒切割中出现断线处理的方法各步骤的示意图；

附图标记说明：

1-晶托；2-待切晶棒；21-第一切割晶棒；22-余料晶棒；221-待去除部；222-截断面；3-第二切割晶棒；

A-第一切割线网；A1-第一线端；A2-第二线端；A3-第五线端；

B1-基准断线端；B2-初始断线端；

C-第二切割线网；C1-第三线端；C2-第四线端。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

参考图1，本发明实施例提供一种晶棒切割中出现断线处理的方法，包括：

步骤S1：提供第一切割线网，所述第一切割线网包括螺旋环绕的若干连续的第一线圈；

步骤S2：提供待切晶棒，在所述待切晶棒沿高度方向通过所述第一切割线网且所述第一切割线网断线时，所述待切晶棒以所述第一切割线网的基准断线端为界限划分为第一切割晶棒和余料晶棒，其中：将所述待切晶棒中长度大于所述第一切割晶棒高度的部分确定为所述余料晶棒；

步骤S3：将所述余料晶棒从所述待切晶棒截下，取所述余料晶棒的部分得到第二切割晶棒，所述第二切割晶棒的长度等于所述第一切割晶棒的高度；

步骤S4：将所述第二切割晶棒沿长度方向进行切割处理。

在本实施例中，在所述待切晶棒沿高度方向通过所述第一切割线网切割且所述第一切割线网断线时，所述待切晶棒以第一切割线网的基准断线端为界限划分为第一切割晶棒和余料晶棒，由于所述余料晶棒具有被所述第一切割线网切割形成的待去除部，以及后续将所述余料晶棒从所述待切晶棒截下的过程中，所述余料晶棒具有截断面，将待切晶棒中长度大于所述第一切割晶棒的高度的部分确定为所述余料晶棒的目的是取所述余料晶棒的部分的过程中，需要修平截面以使得到的所述第二晶棒的表面平整；对所述第二切割晶棒进行切割处理，能够提高所述第二切割晶棒在切割过程中的整体一致性和均匀性；其次，修平截断面之后，所述余料晶棒的长度会减小，得到的第二切割晶棒中所述第二切割晶棒的长度等于所述第一切割晶棒的高度。在后续对第二切割晶棒进行切割之前，通过调整第二切割晶棒的粘结方式，第二切割晶棒的长度方向上的尺寸等于所述第一切割晶棒的高度方向上的尺寸，在后续对第二切割晶棒进行切割的过程中，沿所述第二切割晶棒的长度方向进行切割处理。这样在对所述第二切割晶棒进行切割处理之后得到硅片的尺寸与对第一切割晶棒进行切割处理之后得到硅片的尺寸一致，满足工艺生产的需求。综上，在第一切割线网断线之后，对所述余料晶棒进行合理加工得到第二切割晶棒，对第二切割晶棒进行二次利用，也即可以通过将余料晶棒直接形成应用场景的硅片进行二次利用，从而能够提高所述第二切割晶棒的利用率，进而提高晶棒的利用率。

所述第一切割线网具有第一线端和第二线端；所述第一切割晶棒的底部区域具有在所述第一切割线网断线前形成的切割槽；所述晶棒切割中出现断线处理的方法还包括：在所述第一切割线网断线之后、将所述余料晶棒截下之前，采用所述基准断线端与所述第一线端之间的所述第一线圈沿着所述切割槽对所述第一切割晶棒进行切割，得到成品硅片。这样在对所述第一切割晶棒的切割过程中，无须更换切割线网，对所述第一切割晶棒的切割为连续切割，能够减少第一切割晶棒切割之后形成硅片之间的色差，提高硅片的良品率；其次，由于所述余料晶棒的长度大于所述第一切割晶棒的高度，避免余料晶棒的浪费；采用截断位置与所述第一线端之间的切割线网沿着所述切割槽对所述第一晶棒进行连续切割，能够降低工艺成本。

在所述第一切割线网断线之后、将所述余料晶棒截下之前，在所述第一切割线网断线处形成初始断线端，所述待切晶棒以所述初始断线端为界限划分为第一切割晶棒和余料晶棒；所述余料晶棒的长度小于或等于所述第一切割晶棒的高度；晶棒切割中出现断线处理的方法还包括：将所述第一切割线网自所述初始断线端朝向所述第一子切割晶棒的长度方向剪掉部分以在所述第一切割线网的剪切端形成基准断线端，所述待切晶棒以所述基准断线端为界限划分为第一切割晶棒和余料晶棒，所述余料晶棒的长度大于所述第一切割晶棒的高度。

将所述余料晶棒从所述待切晶棒截下之前，所述余料晶棒的宽度方向与所述第一切割晶棒的宽度方向对应，所述第一切割晶棒的长度方向和所述余料晶棒的长度方向均与所述第一线圈的中心轴方向平行，所述第一切割晶棒的长度大于所述余料晶棒的长度，所述余料晶棒的高度方向与所述第一切割晶棒的高度方向对应；将所述余料晶棒从所述待切晶棒截下之后，取所述余料晶棒的部分得到第二切割晶棒的步骤还包括：将所述余料晶棒逆时针旋转90度；所述第二切割晶棒的宽度方向与所述余料晶棒的宽度方向对应；所述第一切割晶棒的宽度尺寸等于所述第二切割晶棒的宽度尺寸；所述第二切割晶棒的高度方向与所述余料晶棒的长度方向对应；所述第二切割晶棒的长度方向与所述余料晶棒的高度方向对应。

在一个实施例中，所述待切晶棒的数量为若干个；若干个所述待切晶棒分别通过所述第一切割线网切割且所述第一切割线网断线时，若干个待切晶棒形成多个第一切割晶棒和多个余料晶棒，对每个余料晶棒进行处理，得到若干个第二切割晶棒。具体的，在待切晶棒通过所述第一切割线网切割的过程中，只要第一切割线网断线，就以所述第一切割线网的基准断线端为界限将所述待切晶棒划分为第一切割晶棒和余料晶棒；如果没有发生断线，不会形成第一切割晶棒和余料晶棒，对待切晶棒连续切割形成晶片。对所述第二切割晶棒进行切割处理的步骤为：对若干个第二切割晶棒同时进行切割处理。对所述若干个第二切割晶棒同时进行切割处理，能够降低工艺时间和成本。

下面结合图2-图9详细介绍晶棒切割中出现断线处理的方法。以所述待切晶棒的数量为一个，具体介绍晶棒切割中出现断线处理的方法。

参考图2，提供第一切割线网A。所述第一切割线网A包括螺旋环绕的若干连续的第一线圈；所述第一切割线网A具有第一线端A1和第二线端A2。

在本实施例中，所述第一线端A1为始端，所述第二线端A2为终端。在其他实施中，所述第一线端为终端，所述第二线端为始端。

参考图3，提供晶托1和提供待切晶棒2。

将所述待切晶棒2固定于所述晶托1的一侧表面；所述待切晶棒2被切割的过程中，所述晶托1带动所述待切晶棒2朝向所述第一切割线网A的一侧移动。

在一个实施例中，将所述待切晶棒2固定于所述晶托1的一侧表面的步骤包括：提供基板(图中未示意)；在所述基板的两侧表面设置第一胶膜层和第二胶膜层，所述第一胶膜层位于所述基板和所述晶托1之间，所述第一胶膜层用于粘接所述基板和所述晶托1；所述第二胶膜层位于所述基板和所述待切晶棒2之间，所述第二胶膜层用于粘接所述基板和所述待切晶棒2。

参考图4、图5和图6，将所述待切晶棒2放置在所述第一切割线网A，将所述待切晶棒2放置在所述第一切割线网A上被切割的过程中，所述第一切割线网A断线。

在一个实施例中，所述第一切割线网A具有基准断线端B1(参考图4)，所述第一切割线网A断线时，以所述第一切割线网A的基准断线端B1为界限将所述待切晶棒2划分为第一切割晶棒21和余料晶棒22(参考图5)，其中：将长度大于所述第一切割晶棒21的高度的部分所述待切晶棒确定为所述余料晶棒22，也就是所述余料晶棒22的长度尺寸大于所述第一切割晶棒21的高度尺寸。由于所述余料晶棒22还需经过后续加工处理才能形成第二切割晶棒，这样能够避免所述余料晶棒22的长度过小导致所述余料晶棒22报废，对提高晶棒的利用率的作用减弱。

在一个实施例中，参考图5，所述第一切割晶棒21具有长度方向、宽度方向和高度方向。图5中X表示所述第一切割晶棒21的长度方向，图5中Y表示所述第一切割晶棒21的宽度方向，所述第一切割晶棒21的高度方向垂直于所述第一切割晶棒21的长度方向，且垂直于所述第一切割晶棒21的宽度方向，图5中Z表示所述第一切割晶棒21的长度方向。

在一个实施例中，所述第一切割晶棒21的长度方向和所述余料晶棒22的长度方向均与所述第一线圈的中心轴方向平行，所述第一切割晶棒21的长度大于所述余料晶棒22的长度。形成第一切割晶棒21和余料晶棒22之后，将所述待去除部去除之前且对所述截断面进行修平处理之前，所述第一切割晶棒21和余料晶棒22均位于所述第一切割线网的上方，此时所述第一切割晶棒21的长度方向和余料晶棒22的长度方向平行。

在一个实施例中，将所述余料晶棒22从所述待切晶棒2截下之前，所述余料晶棒22的长度方向与所述第一切割晶棒21的长度方向对应；所述余料晶棒22的宽度方向与所述第一切割晶棒21的宽度方向对应；所述余料晶棒22的高度方向与所述第一切割晶棒21的高度方向对应。

在本实施例中，所述第一切割线网A断线之后，对所述第一切割晶棒21进行切割。具体的，采用所述基准断线端B1与所述第一线端A1之间的所述第一线圈沿着所述切割槽对所述第一切割晶棒21进行切割，得到成品硅片。由于所述第一切割晶棒21的底部区域具有在所述第一切割线网A断线前形成的切割槽，对所述第一切割晶棒21的切割过程中，无须更换切割线网，对所述第一切割晶棒21的切割为连续切割，能够减少第一切割晶棒21切割之后形成硅片之间的色差，提高硅片的良品率。

在另一个实施例中，所述第一切割线网A断线之后，在所述第一切割线网A断线处形成初始断线端B2(参考图6)，所述待切晶棒2以所述初始断线端B2为界限划分为第一子切割晶棒和子余料晶棒；所述子余料晶棒的长度小于或等于所述第一子切割晶棒的高度；晶棒切割中出现断线处理的方法还包括：将所述第一切割线网A自所述初始断线端B2朝向所述第一子切割晶棒的长度方向剪掉部分以在所述第一切割线网A的剪切端形成基准断线端B1，所述待切晶棒2以所述基准断线端B1为界限划分为第一切割晶棒21和余料晶棒22，所述余料晶棒22的长度大于所述第一切割晶棒21的高度。为了满足生产工艺需求，所述余料晶棒22的长度大于所述第一切割晶棒21的高度，能够避免余料晶棒22被浪费，有利于提高晶棒的利用率。

具体的，以待切晶棒的高度尺寸210mm进行说明，当余料晶棒的长度尺寸小于210mm时，可以将所述第一切割线网自所述初始断线端朝向所述第一子切割晶棒的长度方向剪掉部分所述第一切割线网，以增加余料晶棒的长度尺寸，使得余料晶棒的长度尺寸大于210mm，也就是余料晶棒的长度大于所述第一切割晶棒的高度。

在本实施例中，当余料晶棒22的长度尺寸大于210mm时，直接将所述余料晶棒截下，也就是将所述待切晶棒对应从所述第一切割线网的基准断线端B1进行截断处理。在经过后续去除待去除部以及对截断面进行修平处理之后，得到硅片的高度尺寸应该等于210mm。

在本实施例中，去除待去除部之后，余料晶棒的高度尺寸为25mm-160mm；将所述余料晶棒逆时针旋转90度得到的第二切割晶棒的长度为25mm-160mm。若余料晶棒的高度尺寸小于25mm，则余料晶棒被丢弃。

在其他实施例中，当待切晶棒的高度尺寸为210mm，相当于第一切割晶棒的高度尺寸210mm，而余料晶棒的长度尺寸在182mm至210mm之间时，也可以是将所述待切晶棒对应从所述第一切割线网的基准断线端进行截断处理。当余料晶棒的长度尺寸小于182mm时，可以自所述初始断线端朝向第一切割晶棒的长度方向剪掉部分所述切割线网，以增加余料晶棒的长度尺寸，使得余料晶棒的长度尺寸大于182mm，在经过后续去除待去除部以及对截断面进行修平处理之后，经切割可得到长度规格为182mm的硅片。

在本实施例中，所述第一切割晶棒21的长度大于所述余料晶棒22的长度。所述第一切割线网A的基准断线端B1至所述第一线端A1的距离大于或等于基准断线端B1至所述第二线端A2的距离。在其他实施例中，所述第一切割线网的断线端至所述第二线端的距离大于或等于断线端至所述第一线端的距离。

参考图7，对所述第一切割晶棒21进行切割的步骤中，提供第五线端A3，所述第五线端A3与所述基准断线端B1连接；采用所述第五线端A3与所述第一线端A1之间的切割线网沿着所述切割槽对所述第一切割晶棒21进行切割。

参考图8，将所述余料晶棒22截下，所述余料晶棒22包括被所述第一切割线网A切割形成的待去除部221以及余料晶棒22从所述待切晶棒2截下的过程中形成的截断面222。

在本实施例中，对所述第一切割晶棒21进行切割之后，将所述余料晶棒22截下。

在其他实施例中，可以是所述第一切割线网断线之后，以所述第一切割线网的基准断线端为界限将所述余料晶棒截下。

在其他实施例中，可以是，将所述余料晶棒截下之后，采用截断位置与所述第一线端之间的切割线网沿着所述切割槽对所述第一切割晶棒进行切割。

将所述余料晶棒22截下之后，取所述余料晶棒22的部分得到第二切割晶棒。

在一个实施例中，取所述余料晶棒22的部分得到第二切割晶棒的步骤包括：对所述截断面222进行修平处理，以得到齐平的截断面，以及，将所述待去除部221去除，得到第二切割晶棒，所述第二切割晶棒的长度等于所述第一切割晶棒21的高度。这样得到的第二切割晶棒3的表面平整，能够提高后续所述第二切割晶棒3在切割过程中的整体一致性和均匀性；其次，在将所述待去除部221去除，对所述截断面222进行修平处理的过程中，所述余料晶棒22的长度会减小，得到的第二切割晶棒3中所述第二切割晶棒3的长度等于所述第一切割晶棒21的高度，得到硅片的尺寸与对第一切割晶棒21进行切割处理之后得到硅片的尺寸一致，满足工艺生产的需求。

在其他实施例中，可以是，将所述待去除部去除，对所述截断面进行修平处理之后，采用截断位置与所述第一线端之间的切割线网沿着所述切割槽对所述第一切割晶棒进行切割。

在一个实施例中，将所述待去除部221去除的步骤包括：采用磨平机对所述待去除部221进行机械磨平加工，直至将所述待去除部221去除，得到齐平的表面。在其他实施例中，将所述待去除部221去除的步骤包括其他工艺。

在一个实施例中，对所述截断面222进行修平处理的步骤包括：采用磨平机对所述截断面222进行机械加工。在其他实施例中，对所述截断面进行修平处理的步骤包括其他工艺。

在一个实施例中，将所述余料晶棒22从所述待切晶棒2截下之后，取所述余料晶棒22的部分得到第二切割晶棒3的步骤还包括：将所述余料晶棒22逆时针旋转90度；所述第二切割晶棒3的宽度方向与所述余料晶棒22的宽度方向对应；所述第一切割晶棒21的宽度尺寸等于所述第二切割晶棒3的宽度尺寸。在对所述待切晶棒2进行切割过程中，所述待切晶棒2的宽度尺寸不会发生改变，因此后续形成的第一切割晶棒21的宽度尺寸和所述第二切割晶棒3的宽度尺寸均与所述待切晶棒2的宽度尺寸相同。

在一个实施例中，所述第二切割晶棒3的高度方向于所述余料晶棒22的长度方向对应；所述第二切割晶棒3的长度方向与所述余料晶棒22的高度方向对应。

在另一个实施例中，所述余料晶棒的长度大于所述第一切割晶棒的高度的两倍，晶棒切割中出现断线处理的方法还包括：将所述余料晶棒从所述待切晶棒截下之后，去除待去除部；去除待去除部之后，对余料晶棒进行截断处理，得到第一余料晶棒和第二余料晶棒(图中未示意)；分别对所述第一余料晶棒和第二余料晶棒的截断面进行修平处理，得到两个第二切割晶棒。

参考图9，对所述第二切割晶棒3进行切割处理。

对所述第一切割晶棒21进行切割之后，对所述第二切割晶棒3进行切割处理。

对所述第二切割晶棒3进行切割处理的过程包括：去除所述第一切割线网后提供第二切割线网C，第二切割线网C对应所述第一切割线网A的位置设置，所述第二切割线网C包括螺旋环绕的若干连续的第二线圈；所述第二切割线网C具有第三线端C1和第四线端C2。将所述第二切割晶棒3放置在所述第二切割线网C上进行切割。

在一个实施例中，对所述第二切割晶棒3进行切割处理的过程还包括：提供晶托，将所述第二切割晶棒3固定于所述晶托的一侧表面；所述第二切割晶棒3被切割的过程中，所述晶托带动所述第二切割晶棒3朝向所述第二切割线网的一侧移动。

在一个实施例中，将所述第二切割晶棒3固定于所述晶托的一侧表面的步骤中，所述第二切割晶棒3的长度方向上的尺寸等于所述第一切割晶棒的高度方向上的尺寸。这样在对所述第二切割晶棒3进行切割处理之后得到硅片的尺寸与对所述第一切割晶棒21进行切割处理之后得到硅片的尺寸一致，满足工艺生产的需求，同时，提高晶棒的利用率。对所述第二切割晶棒3进行切割处理的过程的步骤中，所述第二切割晶棒3的长度方向平行于对所述第二切割晶棒3的切割方向。对所述第二切割晶棒3的切割方向也就是所述第二切割线网C的切割方向。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种晶棒切割中出现断线处理的方法，其特征在于，包括：

提供第一切割线网，所述第一切割线网包括螺旋环绕的若干连续的第一线圈；

提供待切晶棒，在所述待切晶棒沿高度方向通过所述第一切割线网切割且所述第一切割线网断线时，所述待切晶棒以所述第一切割线网的基准断线端为界限划分为第一切割晶棒和余料晶棒，其中：将所述待切晶棒中长度大于所述第一切割晶棒高度的部分确定为所述余料晶棒；

将所述余料晶棒从所述待切晶棒截下，取所述余料晶棒的部分得到第二切割晶棒，所述第二切割晶棒的长度等于所述第一切割晶棒的高度；

将所述第二切割晶棒沿长度方向进行切割处理。

2.根据权利要求1所述的晶棒切割中出现断线处理的方法，其特征在于，所述余料晶棒包括被所述第一切割线网切割形成的待去除部以及所述余料晶棒从所述待切晶棒截下的过程中形成的截断面；取所述余料晶棒的部分得到第二切割晶棒的步骤包括：

对所述截断面进行修平处理，以得到齐平的截断面；

以及，将所述待去除部去除。

3.根据权利要求2所述的晶棒切割中出现断线处理的方法，其特征在于，将所述待去除部去除的步骤包括：采用磨平机对所述待去除部进行机械磨平加工，直至将所述待去除部去除，得到齐平的表面。

4.根据权利要求2所述的晶棒切割中出现断线处理的方法，其特征在于，对所述截断面进行修平处理的步骤包括：采用磨平机对所述截断面进行机械加工。

5.根据权利要求1-4任一项所述的晶棒切割中出现断线处理的方法，其特征在于，在所述第一切割线网断线之后、将所述余料晶棒截下之前，在所述第一切割线网断线处形成初始断线端，所述待切晶棒以所述初始断线端为界限划分为第一子切割晶棒和子余料晶棒；所述子余料晶棒的长度小于或等于所述第一子切割晶棒的高度；晶棒切割中出现断线处理的方法还包括：

将所述第一切割线网自所述初始断线端朝向所述第一子切割晶棒的长度方向剪掉部分以在所述第一切割线网的剪切端形成基准断线端，所述待切晶棒以所述基准断线端为界限划分为第一切割晶棒和余料晶棒，所述余料晶棒的长度大于所述第一切割晶棒的高度。

6.根据权利要求5所述的晶棒切割中出现断线处理的方法，其特征在于，所述第一切割线网具有第一线端和第二线端；所述第一切割晶棒的底部区域具有在所述第一切割线网断线前形成的切割槽；所述晶棒切割中出现断线处理的方法还包括：

在所述第一切割线网断线之后、将所述余料晶棒截下之前，采用所述基准断线端与所述第一线端之间的所述第一线圈沿着所述切割槽对所述第一切割晶棒进行切割，得到成品硅片。

7.根据权利要求5所述的晶棒切割中出现断线处理的方法，其特征在于，对所述第二切割晶棒进行切割处理的过程包括：去除所述第一切割线网后提供第二切割线网，所述第二切割线网对应所述第一切割线网的位置设置，所述第二切割线网包括螺旋环绕的若干连续的第二线圈；将所述第二切割晶棒放置在所述第二切割线网上进行切割。

8.根据权利要求7所述的晶棒切割中出现断线处理的方法，其特征在于，将所述余料晶棒从所述待切晶棒截下之前，所述余料晶棒的宽度方向与所述第一切割晶棒的宽度方向对应，所述第一切割晶棒的长度方向和所述余料晶棒的长度方向均与所述第一线圈的中心轴方向平行，所述第一切割晶棒的长度大于所述余料晶棒的长度，所述余料晶棒的高度方向与所述第一切割晶棒的高度方向对应；

将所述余料晶棒从所述待切晶棒截下之后，取所述余料晶棒的部分得到第二切割晶棒的步骤还包括：将所述余料晶棒逆时针旋转90度；所述第二切割晶棒的宽度方向与所述余料晶棒的宽度方向对应；所述第一切割晶棒的宽度尺寸等于所述第二切割晶棒的宽度尺寸；所述第二切割晶棒的高度方向与所述余料晶棒的长度方向对应；所述第二切割晶棒的长度方向与所述余料晶棒的高度方向对应。

9.根据权利要求2-4任一项所述的晶棒切割中出现断线处理的方法，其特征在于，所述余料晶棒的长度大于所述第一切割晶棒的高度的两倍，晶棒切割中出现断线处理的方法还包括：

将所述余料晶棒从所述待切晶棒截下之后，去除所述待去除部；

去除所述待去除部之后，对所述余料晶棒进行截断处理，得到第一余料晶棒和第二余料晶棒；

分别对所述第一余料晶棒和所述第二余料晶棒的截断面进行修平处理，得到两个所述第二切割晶棒。

10.根据权利要求1-4任一项所述的晶棒切割中出现断线处理的方法，其特征在于，所述待切晶棒的数量为若干个；若干个所述待切晶棒分别通过所述第一切割线网切割且所述第一切割线网断线时，若干个待切晶棒形成多个所述第一切割晶棒和多个所述余料晶棒，对所述余料晶棒进行处理得到若干个所述第二切割晶棒；

对所述第二切割晶棒进行切割处理的步骤为：对若干个所述第二切割晶棒同时进行切割处理。