CN116631971A - 功率模块 - Google Patents

功率模块 Download PDF

Info

Publication number
CN116631971A
CN116631971A CN202310495811.2A CN202310495811A CN116631971A CN 116631971 A CN116631971 A CN 116631971A CN 202310495811 A CN202310495811 A CN 202310495811A CN 116631971 A CN116631971 A CN 116631971A
Authority
CN
China
Prior art keywords
power module
islands
base
power
pinhole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202310495811.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN116631971B (zh
Inventor
成章明
周文杰
李正凯
谢地林
刘剑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hisense Home Appliances Group Co Ltd
Original Assignee
Hisense Home Appliances Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hisense Home Appliances Group Co Ltd filed Critical Hisense Home Appliances Group Co Ltd
Priority to CN202310495811.2A priority Critical patent/CN116631971B/zh
Publication of CN116631971A publication Critical patent/CN116631971A/zh
Priority to PCT/CN2023/122869 priority patent/WO2024103985A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN116631971B publication Critical patent/CN116631971B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548Cross section geometry
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49565Side rails of the lead frame, e.g. with perforations, sprocket holes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575Assemblies of semiconductor devices on lead frames

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种功率模块,该功率模块包括:框架,框架包括多个基岛和多个功率侧引脚,多个基岛和多个功率侧引脚分别在功率模块的横向上间隔设置;多个功率侧引脚的一端与多个基岛相连;多个功率芯片,多个功率芯片设于多个基岛上;封装体,封装体封装多个基岛,多个功率芯片设于基岛的在封装体竖向上与封装体表面更远的一侧表面,封装体的一侧表面上形成有多个针孔,每个基岛均对应有至少一个针孔,两个相邻的基岛所对应的针孔在功率模块的横向上均至少部分地错位设置,由此,可以使顶针板上两个相邻的扩孔互相不发生不干涉,从而可以提高顶针板的强度设计需求,也可以增加模具使用寿命,还可以有利于功率模块的产品小型化设计。

Description

功率模块
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其是涉及一种功率模块。
背景技术
现有技术中,需要对功率模块中的基岛进行塑封,向基岛内加注塑封胶体的过程中,功率模块中的框架会受流动胶体的压力发生变形,为防止框架发生变形,需要一种封装模具,运用封装模具中的顶针来对框架进行支撑,由于顶针穿设在顶针板上,为避免顶针板上相邻的扩孔不发生干涉,需要增大基岛的尺寸,导致增大了功率模块的产品,不利于实现功率模块的产品小型化设计。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种功率模块,该功率模块可以使顶针板上两个相邻的扩孔互相不干涉,从而可以提高顶针板的强度设计需求,还可以有利于功率模块的产品小型化设计。
根据本发明实施例的功率模块,包括:框架,所述框架包括多个基岛和多个功率侧引脚,多个所述基岛和多个所述功率侧引脚分别在所述功率模块的横向上间隔设置;多个所述功率侧引脚的一端与多个所述基岛相连;多个功率芯片,多个所述功率芯片设于多个所述基岛上;封装体,所述封装体封装多个所述基岛,多个所述功率芯片设于所述基岛的在所述封装体竖向上与所述封装体表面更远的一侧表面,所述封装体的一侧表面上形成有多个针孔,在所述功率模块的竖向上,每个所述基岛均对应有至少一个所述针孔,两个相邻的所述基岛所对应的所述针孔在所述功率模块的横向上均至少部分地错位设置,多个所述功率侧引脚的一端位于所述封装体内,多个所述功率侧引脚的另一端伸出所述封装体外。
由此,两个相邻的基岛所对应的针孔在功率模块的横向上均至少部分地错位设置,可以使顶针板上两个相邻的扩孔互相不发生不干涉,从而可以提高顶针板的强度设计需求,也可以增加模具使用寿命,还可以有利于功率模块的产品小型化设计。
根据本发明的一些实施例,在所述基岛的纵向方向上,多个所述针孔设于所述基岛的远离所述功率侧引脚的一侧。
根据本发明的一些实施例,两个相邻的所述基岛所对应的所述针孔在所述功率模块的纵向上的中心距离为d1,d1满足关系式:d1≥1.3mm;和/或两个相邻的所述基岛所对应的所述针孔之间的最小距离为d2,d2满足关系式:d2≥3.292mm。
根据本发明的一些实施例,多个所述针孔中的至少两个的中心连线沿所述功率模块的横向延伸。
根据本发明的一些实施例,多个所述基岛包括:奇数基岛和偶数基岛,所述奇数基岛和所述偶数基岛在所述功率模块的横向上交错排布,所述奇数基岛所对应的所述针孔中心连线为第一直线,所述偶数基岛所对应的所述针孔中心连线为第二直线,所述第一直线与所述第二直线相互平行且沿所述功率模块的横向延伸。
根据本发明的一些实施例,多个所述基岛包括:顺次排布的第一基岛、第二基岛、第三基岛和第四基岛,所述第一基岛和所述第三基岛为所述奇数基岛且所述第二基岛和所述第四基岛为所述偶数基岛,多个所述针孔包括:第一针孔、第二针孔、第三针孔、第四针孔和第五针孔,在所述功率模块的竖向上,所述第一针孔与所述第一基岛相对应,所述第二针孔与所述第二基岛相对应,所述第三针孔与所述第三基岛相对应,所述第四针孔和所述第五针孔均与所述第四基岛相对应。
根据本发明的一些实施例,多个所述功率芯片包括:三个低压功率芯片和三个高压功率芯片,三个所述低压功率芯片分别设置于所述第一基岛、所述第二基岛和所述第三基岛,三个所述高压功率芯片均设置于所述第四基岛上且在所述功率模块的横向上间隔设置。
根据本发明的一些实施例,所述功率模块横向延伸的中轴线为第三直线,所述第一直线和所述第二直线位于所述第三直线的同一侧。
根据本发明的一些实施例,所述偶数基岛所对应的所述针孔与所述第三直线相交。
根据本发明的一些实施例,所述奇数基岛所对应的所述针孔在对应的所述奇数基岛上的投影位于所述奇数基岛内且与所述奇数基岛的纵向方向上的远离所述功率侧引脚的边缘相切。
根据本发明的一些实施例,所述偶数基岛所对应的所述针孔在对应的所述偶数基岛上的投影位于所述偶数基岛内且与所述偶数基岛的纵向方向上的远离所述功率侧引脚的边缘相切,所述功率模块横向延伸的中轴线为第三直线,所述第一直线和所述第二直线位于所述第三直线的同一侧,所述奇数基岛所对应的所述针孔与所述第三直线相交。
根据本发明的一些实施例,两个相邻的所述基岛所对应的所述针孔在所述功率模块横向上的中心距离为d3,d3满足关系式:d3<4.5mm。
根据本发明的一些实施例,在所述封装体的竖向上,所述针孔设置在所述封装体离所述基岛近的一侧表面。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1-图5是根据本发明实施例的功率模块在塑封过程中的侧面示意图;
图6是根据本发明实施例的顶针支撑框架下表面的结构示意图;
图7是根据本发明实施例的顶针脱离支撑框架下表面的结构示意图;
图8是根据本发明实施例的基岛的结构示意图;
图9是根据本发明实施例的针孔位置的分布示意图;
图10是根据本发明实施例的顶针板上相邻扩孔之间相切的结构示意图;
图11是根据本发明实施例的功率模块的结构示意图。
附图标记:
100、功率模块;
10、框架;11、基岛;12、奇数基岛;13、偶数基岛;14、第一基岛;15、第二基岛;16、第三基岛;17、第四基岛;
20、封装体;21、针孔;22、第一直线;23、第二直线;24、第三直线;25、第一针孔;26、第二针孔;27、第三针孔;28、第四针孔;29、第五针孔;
30、顶针;31、顶针板;32、小孔;33、扩孔;34、顶针套筒;
40、功率侧引脚。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,参考附图描述的实施例是示例性的,下面详细描述本发明的实施例。
下面参考图1-图11描述根据本发明实施例的功率模块100。
如图1所示,根据本发明实施例的功率模块100,包括:框架10、多个功率芯片和封装体20,框架10包括多个基岛11和多个功率侧引脚40,多个基岛11和多个功率侧引脚40分别在功率模块100的横向上间隔设置,多个功率侧引脚40的一端与多个基岛11相连,多个功率芯片设于多个基岛11上,封装体20封装多个基岛11,多个功率芯片设于基岛11的在封装体20竖向上与封装体20表面更远的一侧表面,封装体20的一侧表面上形成有多个针孔21,在功率模块100的竖向上,每个基岛11均对应有至少一个针孔21,两个相邻的基岛11所对应的针孔21在功率模块100的横向上均至少部分地错位设置,多个功率侧引脚40的一端位于封装体20内,多个功率侧引脚40的另一端伸出封装体20外。
具体地,如图1-图9所示,多个基岛11在功率模块100的横向上间隔设置,横向即功率模块100的长度方向,多个基岛11间隔设置,一些基岛11用于放置逆变电路中的下桥芯片,另一些基岛11用于放置逆变电路中的上桥芯片,多个功率侧引脚40在功率模块100的横向上间隔设置,可以满足不同电路的功率需求,也可以避免不同功率域之间的互相干扰,从而保证功率芯片的稳定性和可靠性。多个功率芯片设置在多个基岛11上,从而可以在一个封装体上封装多个功率芯片,为用封装体20将多个基岛11进行封装,需要对多个基岛11填充树脂进行塑封,因此,封装体20的一侧表面设置有多个针孔21,用于注入封装体20时顶针30穿过该针孔21而支撑框架10,封装体20可以为流动树脂,在功率模块100的竖向上,即功率模块100的厚度方向,每个基岛11均对应设置至少一个针孔21,用于在注入封装体时顶针30穿过该针孔21而对基岛11进行支撑,进一步地,塑封过程中,针孔21的设置可以便于顶针30穿入以对框架10的下表面进行支撑,或者说,顶针30穿入以对框架10的下表面进行支撑在封装体20的一侧表面留有针孔21,框架10下表面到胶体表面需设计合适的距离d,此距离d越大,有利于塑封过程中树脂的填充,由于树脂填充流动的特性,框架10被流动树脂下压会产生变形,这样将导致距离d尺寸进一步减少,因树脂的导热率低,导致产品散热性能变差,这样框架10下压变形的流动树脂的变薄区域容易出现小孔32,不利用封装,为避免小孔32的产生以及兼顾产品散热性和塑封树脂的填充性能,在此需要在封装模具中加顶针30以对框架10的下表面进行支撑。
具体地,由于封装模具包括顶针30、顶针板31和顶针套筒34,顶针30穿过型腔和顶针板31,并由底板固定,由油路提供动力到顶杆使顶针30顶出,切断油路动力后,由复位弹簧动作或反向油路让顶针30复位,通常设定顶针套筒34和顶针30的复位位置比模具的型腔面高,可以防止树脂填充到型腔和顶针套筒34内部,所以最终产品上会产生两个圆柱形凹槽,即针孔21,而且,顶针30是一种伸缩顶针30设计,在树脂填充时顶针30先支撑固定框架10,在树脂填充过程中为防止框架10变形,在树脂填充完成并开始保压的时候顶针30缩回并完成整个塑封流程,在顶针30缩回时,因此时树脂已完成填充可以保持框架10不变形,由于顶针30需要穿设顶针板31以对相应地基岛11进行塑封,多个相邻的基岛11进行塑封则对应顶针板31上多个相邻的的扩孔33,为避免顶针板31上相邻的扩孔33发生干涉,以及满足顶针板31的强度设计需求,不需要改变框架10相邻基岛11的横向方向的间距,以使产品小型化,需要使两个相邻的基岛11所对应的针孔21在功率模块100的横向上至少部分错位设置,即两个相邻基岛11的针孔21在功率模块100的长度方向错位设置,如此,采用错位的顶针30设计使顶针板31上两个相邻的扩孔33互相不干涉,从而可以提高顶针板31的强度设计需求,也可以增加模具使用寿命,也可以有利于功率模块100的产品小型化。
由此,两个相邻的基岛11所对应的针孔21在功率模块100的横向上均至少部分地错位设置,可以使顶针板31上两个相邻的扩孔33互相不发生不干涉,从而可以提高顶针板31的强度设计需求,也可以增加模具使用寿命,也可以有利于功率模块100的产品小型化。
根据本发明的一些实施例,如图11所示,在基岛11的纵向方向上,多个针孔21设于基岛11的远离功率侧引脚40的一侧,如此,功率侧引脚40可以避免与多个针孔21相对应的顶针30在塑封过程中发生干涉,而且可以有利于顶针30在基岛11远离功率侧引脚40的位置进行支撑,可以更好地避免基岛11位置发生变化。
根据本发明的具体实施例,如图9所示,两个相邻的基岛11所对应的针孔21在功率模块100的纵向上的中心距离为d1,d1满足关系式:d1≥1.3mm,两个相邻的基岛11所对应的针孔21之间的最小距离为d2,d2满足关系式:d2≥3.292mm。具体地,通过优化调整顶针30的位置,在使用相同规格尺寸的顶针30,将顶针30穿入两个相邻的基岛11所对应的针孔21,两个相邻的针孔21在纵向上的中心距离d1的范围为大于或等于1.3mm,因此,两个相邻的针孔21在纵向上的最小极限距离为1.3mm,两个相邻的基岛11所对应的针孔21之间的最小距离为d2取最小值3.292mm,顶针板31上扩孔33的直径设定为4.5mm,这样与基岛11对应设置的顶针板31上的扩孔33之间均呈相切状态,也就是即将发生干涉的极限位置,因此,为避免顶针板31上相邻的扩孔33不发生干涉,而且也满足产品设计的小型化,应满足两个相邻的基岛11所对应的针孔21在功率模块100纵向以及两个相邻的基岛11所对应的针孔21之间的最小距离,如此,采用上下错位的顶针30设计可以使相邻顶针板31的扩孔33互相不干涉,也可以满足顶针板31的强度设计需求,从而可以延长封装模具的使用寿命,也可以有利于功率模块100的产品小型化。
根据本发明的一些实施例,如图9所示,多个针孔21中的至少两个的中心连线沿功率模块100的横向延伸,由于多个基岛11在功率模块100的横向上间隔设置,多个基岛11对应在功率模块100的横向上设置多个与其对应的针孔21,而且,多个针孔21在横向上间隔设置,从而可以满足对功率模块100上的多个基岛11进行塑封,也可以降低封装模具的制造难度,还可以使一部分基岛11受力位置相同,受力均匀,有利于功率模块100的成型可靠性。
根据本发明的一些实施例,如图8和图9所示,多个基岛11包括:奇数基岛12和偶数基岛13,奇数基岛12和偶数基岛13在功率模块100的横向上交错排布,奇数基岛12所对应的针孔21中心连线为第一直线22,偶数基岛13所对应的针孔21中心连线为第二直线23,第一直线22与第二直线23相互平行,而且第一直线22与第二直线23沿功率模块100的横向延伸。其中,奇数基岛12和偶数基岛13所对应的针孔21在横向上也交错排布,顶针30穿设的顶针板31上设置有与奇数基岛12和偶数基岛13相对应的扩孔33,这样扩孔33在顶针板31的横向上也对应交错排布,可以避免顶针板31上设置的与奇数基岛12和偶数基岛13相对应的扩孔33发生干涉,也可以防止顶针板31的应力集中,从而可以保证顶针板31的强度,还有,多个奇数基岛12所对应的针孔21中心连线为第一直线22,多个偶数基岛13所对应的针孔21中心连线为第二直线23,相对应地,顶针板31上与奇数基岛12和偶数基岛13对应设置的扩孔33中心连线也分为两条直线,由于第一直线22与第二直线23相互平行,而且第一直线22与第二直线23沿功率模块100的横向延伸,如此,顶针板31上扩孔33中心连线形成的两条直线也相互平行,可以使顶针板31在横向上的受力更加均匀,从而可以提高顶针板31的可靠性。
根据本发明的具体实施例,如图9所示,多个基岛11包括:顺次排布的第一基岛14、第二基岛15、第三基岛16和第四基岛17,第一基岛14和第三基岛16为奇数基岛12,而且第二基岛15和第四基岛17为偶数基岛13,多个针孔21包括:第一针孔25、第二针孔26、第三针孔27、第四针孔28和第五针孔29,在功率模块100的竖向上,第一针孔25与第一基岛14相对应,第二针孔26与第二基岛15相对应,第三针孔27与第三基岛16相对应,第四针孔28和第五针孔29均与第四基岛17相对应。具体地,在功率模块100的竖向上,即功率模块100的厚度方向,功率模块100上设置有与第一基岛14相对应的第一针孔25、与第二基岛15相对应的第二针孔26、与第三基岛16相对应的第三针孔27以及与第四基岛17相对应的第四针孔28和第五针孔29,如此,顶针板31上也形成有与第一针孔25、第二针孔26、第三针孔27、第四针孔28和第五针孔29相对应的扩孔33,这样,可以避免与其适配的顶针板31的扩孔33发生干涉,而且,在塑封过程中,第四针孔28和第五针孔29均通过穿设的顶针30来支撑第四基岛17,可以防止第四基岛17发生倾斜。
根据本发明的一些实施例,多个功率芯片包括:三个低压功率芯片和三个高压功率芯片,三个低压功率芯片分别设置于第一基岛14、第二基岛15和第三基岛16,三个高压功率芯片均设置于第四基岛17上,而且三个高压功率芯片在功率模块100的横向上间隔设置。其中,每个低压基岛11对应设置有一个低压功率芯片,每个高压基岛11上设置有三个高压功率芯片,而且,每个功率芯片可以为由两颗芯片IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和FRD(续流二极管)组成,也可以由1颗RC-IGBT(IGBT和FRD集成在一颗芯片中)组成,如此,可以使包括多个低压功率芯片和高压功率芯片的功率模块100尺寸较小,从而可以实现产品的小型化。
根据本发明的一些实施例,如图9所示,功率模块100横向延伸的中轴线为第三直线24,第一直线22和第二直线23位于第三直线24的同一侧,如此,功率模块100中多个奇数基岛12对应的针孔21与多个偶数基岛13对应的针孔21设置在第三直线24的同一侧,可以提高功率模块100的利用率,从而可以提高功率模块100的承载量。
根据本发明的一些实施例,如图9所示,偶数基岛13所对应的针孔21与第三直线24相交。这样可以使偶数基岛13所对应的针孔21邻中轴线,这样可以便于封装模具中的顶针30布置。
根据本发明的一些实施例,如图9所示,奇数基岛12所对应的针孔21在对应的奇数基岛12上的投影位于奇数基岛12内,而且奇数基岛12所对应的针孔21与奇数基岛12的纵向方向上的远离功率侧引脚40的边缘相切。这样便于顶针30的布置,而且也可以保证对每个基岛11的支撑效果,从而可以避免其发生变形。
根据本发明的一些实施例,偶数基岛13所对应的针孔21在对应的偶数基岛13上的投影位于偶数基岛13内,而且针孔21与偶数基岛13的纵向方向上的远离功率侧引脚40的边缘相切,功率模块100横向延伸的中轴线为第三直线24,第一直线22和第二直线23位于第三直线24的同一侧,奇数基岛12所对应的针孔21与第三直线24相交,如此,可以便于顶针30的布置,也可以合理地利用功率模块100中空间,从而可以使功率模块100中封装多个功率芯片。
根据本发明的一些实施例,如图9和图10所示,两个相邻的基岛11所对应的针孔21在功率模块100横向上的中心距离为d3,d3满足关系式:d3<4.5mm如此,可以使功率模块100满足小型化结构,当中心距离为d3小于4.5时,顶针板31上的两个相邻扩孔33的直径会发生干涉,因此,采用错位设计,当中心距离为d3≥4.5时,可以直接进行横向设计,因此,根据两个相邻的基岛11所对应的针孔21在功率模块100横向上的中心距离d3的范围以及两个相邻的基岛11所对应的针孔21之间的最小距离为d2范围,若中心距离d3取最小值4.3mm,最小距离d2取最小值3.292mm,两个相邻的基岛11所对应的针孔21在功率模块100的纵向上的中心距离d1取最小值1.3mm,顶针板31上扩孔33的直径设定为4.5mm,这样与第一基岛14、第二基岛15和第三基岛16对应设置的顶针板31上的扩孔33之间均呈相切状态,也就是即将发生干涉的极限位置,因此,为避免顶针板31上相邻的扩孔33不发生干涉,而且需满足产品设计的小型化,采用错位设计,应满足两个相邻的基岛11所对应的针孔21在功率模块100横向的中心距离d3、纵向上的中心距离d1以及两个相邻的基岛11所对应的针孔21之间的最小距离,如此,采用上下错位的顶针30设计可以使相邻顶针板31的扩孔33互相不干涉,也可以满足顶针板31的强度设计需求,从而可以延长封装模具的使用寿命,也可以有利于功率模块100的产品小型化。
根据本发明的一些实施例,如图11所示,在封装体20的竖向上,针孔21设置在封装体20离基岛11近的一侧表面,这样就可满足框架10不变形且省去另一面针孔21的模具,从而可以降低成本,还有图11中d2为两个相邻内圈孔之间的距离,内圈孔即顶针30对应的针孔21的痕迹,外圈孔即顶针套筒34的痕迹。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“轴向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (13)

1.一种功率模块,其特征在于,包括:
框架,所述框架包括多个基岛和多个功率侧引脚,多个所述基岛和多个所述功率侧引脚分别在所述功率模块的横向上间隔设置,多个所述功率侧引脚的一端与多个所述基岛相连;
多个功率芯片,多个所述功率芯片设于多个所述基岛上;
封装体,所述封装体封装多个所述基岛,多个所述功率芯片设于所述基岛的在所述封装体竖向上与所述封装体表面更远的一侧表面,所述封装体的一侧表面上形成有多个针孔,在所述功率模块的竖向上,每个所述基岛均对应有至少一个所述针孔,两个相邻的所述基岛所对应的所述针孔在所述功率模块的横向上均至少部分地错位设置,多个所述功率侧引脚的一端位于所述封装体内,多个所述功率侧引脚的另一端伸出所述封装体外。
2.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,在所述基岛的纵向方向上,多个所述针孔设于所述基岛的远离所述功率侧引脚的一侧。
3.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,两个相邻的所述基岛所对应的所述针孔在所述功率模块的纵向上的中心距离为d1,d1满足关系式:d1≥1.3mm;和/或
两个相邻的所述基岛所对应的所述针孔之间的最小距离为d2,d2满足关系式:d2≥3.292mm。
4.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,多个所述针孔中的至少两个的中心连线沿所述功率模块的横向延伸。
5.根据权利要求4所述的功率模块,其特征在于,多个所述基岛包括:奇数基岛和偶数基岛,所述奇数基岛和所述偶数基岛在所述功率模块的横向上交错排布,所述奇数基岛所对应的所述针孔中心连线为第一直线,所述偶数基岛所对应的所述针孔中心连线为第二直线,所述第一直线与所述第二直线相互平行且沿所述功率模块的横向延伸。
6.根据权利要求5所述的功率模块,其特征在于,多个所述基岛包括:顺次排布的第一基岛、第二基岛、第三基岛和第四基岛,所述第一基岛和所述第三基岛为所述奇数基岛且所述第二基岛和所述第四基岛为所述偶数基岛,多个所述针孔包括:第一针孔、第二针孔、第三针孔、第四针孔和第五针孔,在所述功率模块的竖向上,所述第一针孔与所述第一基岛相对应,所述第二针孔与所述第二基岛相对应,所述第三针孔与所述第三基岛相对应,所述第四针孔和所述第五针孔均与所述第四基岛相对应。
7.根据权利要求6所述的功率模块,其特征在于,多个所述功率芯片包括:三个低压功率芯片和三个高压功率芯片,三个所述低压功率芯片分别设置于所述第一基岛、所述第二基岛和所述第三基岛,三个所述高压功率芯片均设置于所述第四基岛上且在所述功率模块的横向上间隔设置。
8.根据权利要求5所述的功率模块,其特征在于,所述功率模块横向延伸的中轴线为第三直线,所述第一直线和所述第二直线位于所述第三直线的同一侧。
9.根据权利要求8所述的功率模块,其特征在于,所述偶数基岛所对应的所述针孔与所述第三直线相交。
10.根据权利要求5所述的功率模块,其特征在于,所述奇数基岛所对应的所述针孔在对应的所述奇数基岛上的投影位于所述奇数基岛内且与所述奇数基岛的纵向方向上的远离所述功率侧引脚的边缘相切。
11.根据权利要求4所述的功率模块,其特征在于,所述偶数基岛所对应的所述针孔在对应的所述偶数基岛上的投影位于所述偶数基岛内且与所述偶数基岛的纵向方向上的远离所述功率侧引脚的边缘相切,所述功率模块横向延伸的中轴线为第三直线,所述第一直线和所述第二直线位于所述第三直线的同一侧,所述奇数基岛所对应的所述针孔与所述第三直线相交。
12.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,两个相邻的所述基岛所对应的所述针孔在所述功率模块横向上的中心距离为d3,d3满足关系式:d3<4.5mm。
13.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,在所述封装体的竖向上,所述针孔设置在所述封装体离所述基岛近的一侧表面。
CN202310495811.2A 2022-11-17 2023-04-28 功率模块 Active CN116631971B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310495811.2A CN116631971B (zh) 2023-04-28 2023-04-28 功率模块
PCT/CN2023/122869 WO2024103985A1 (zh) 2022-11-17 2023-09-28 功率模块和具有其的电子设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310495811.2A CN116631971B (zh) 2023-04-28 2023-04-28 功率模块

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN116631971A true CN116631971A (zh) 2023-08-22
CN116631971B CN116631971B (zh) 2024-04-16

Family

ID=87609142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310495811.2A Active CN116631971B (zh) 2022-11-17 2023-04-28 功率模块

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116631971B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117334663A (zh) * 2023-09-28 2024-01-02 海信家电集团股份有限公司 智能功率模块和智能功率模块的制造方法
WO2024103985A1 (zh) * 2022-11-17 2024-05-23 海信家电集团股份有限公司 功率模块和具有其的电子设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN204596785U (zh) * 2015-05-04 2015-08-26 天水华天科技股份有限公司 基于dip多基岛的引线框架
CN208570571U (zh) * 2018-06-14 2019-03-01 深圳市爱拓芯半导体技术有限公司 一种25插脚功率模块的四点定位模具
CN214588836U (zh) * 2021-02-26 2021-11-02 四川明泰电子科技有限公司 一种多基岛引线框架
CN114023714A (zh) * 2021-11-01 2022-02-08 泰州友润电子科技股份有限公司 一种超大功率全包封多载型引线框架
CN114334887A (zh) * 2022-01-27 2022-04-12 扬州扬杰电子科技股份有限公司 一种高功率贴片整流桥芯片框架
WO2022127061A1 (zh) * 2020-12-15 2022-06-23 杰群电子科技(东莞)有限公司 一种功率芯片堆叠封装结构
CN115966542A (zh) * 2023-01-31 2023-04-14 海信家电集团股份有限公司 功率模块和具有其的电子设备

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN204596785U (zh) * 2015-05-04 2015-08-26 天水华天科技股份有限公司 基于dip多基岛的引线框架
CN208570571U (zh) * 2018-06-14 2019-03-01 深圳市爱拓芯半导体技术有限公司 一种25插脚功率模块的四点定位模具
WO2022127061A1 (zh) * 2020-12-15 2022-06-23 杰群电子科技(东莞)有限公司 一种功率芯片堆叠封装结构
CN214588836U (zh) * 2021-02-26 2021-11-02 四川明泰电子科技有限公司 一种多基岛引线框架
CN114023714A (zh) * 2021-11-01 2022-02-08 泰州友润电子科技股份有限公司 一种超大功率全包封多载型引线框架
CN114334887A (zh) * 2022-01-27 2022-04-12 扬州扬杰电子科技股份有限公司 一种高功率贴片整流桥芯片框架
CN115966542A (zh) * 2023-01-31 2023-04-14 海信家电集团股份有限公司 功率模块和具有其的电子设备

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024103985A1 (zh) * 2022-11-17 2024-05-23 海信家电集团股份有限公司 功率模块和具有其的电子设备
CN117334663A (zh) * 2023-09-28 2024-01-02 海信家电集团股份有限公司 智能功率模块和智能功率模块的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN116631971B (zh) 2024-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN116631971B (zh) 功率模块
JP3338490B2 (ja) 半導体デバイス及びその製造方法
CN101540289A (zh) 半导体集成电路封装及封装半导体集成电路的方法
CN219937048U (zh) 功率模块
CN117116894B (zh) 一种可兼容多脚、贯穿式注塑的四行to263封装框架
CN115230080A (zh) SIP拼版Mold模具及制作方法和使用方法
CN213692035U (zh) 一种密集型集成电路引线框架
CN104369322B (zh) 一种贴片整流桥注塑模具
CN115799238A (zh) 功率模块和电子设备
US6856006B2 (en) Encapsulation method and leadframe for leadless semiconductor packages
CN209929295U (zh) 一种dfn-6l三基岛封装框架
CN218274585U (zh) 多基岛qfn封装结构
CN204451058U (zh) 一种贴片整流桥注塑模具
CN219642837U (zh) Top型全彩led支架及封装结构
CN216671619U (zh) 一种便于散热的集成电路引线框架
CN202307851U (zh) 集成电路及其封装模具
CN115050720B (zh) 一种顶部散热功率器件引线框架
CN212322989U (zh) 半导体集成晶体管封装结构
CN219611460U (zh) 直线电机动子机构
CN217719564U (zh) 一种半导体封装结构
CN212968104U (zh) 汽车节气门盖板中的更为牢固的注塑pin针组件
CN216161760U (zh) Led封装支架、led拼版结构及显示器
CN210640227U (zh) 一种具有多芯片结构的双基岛dsop封装机构
CN220324411U (zh) 一种用于半导体封装模具的浮动机构
CN213277675U (zh) 电感底座及环形电感器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant