CN116593874B - 芯片测试方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种芯片测试方法。该芯片测试方法提供测试装置、模拟件、测试连接件和网分仪，将模拟件放置于测试面，并将第一端接口插设于连接槽，从而能够通过网分仪测得第二端接口和测试端口之间所形成射频通道的散射参数，进而简单便捷地实现对测试夹具的性能参数完成相对准确的测试，进一步的，测得测试连接件的散射参数，最后，将被测芯片放置于测试面，通过网分仪测得任两个测试端口间的散射参数，并将射频通道的散射参数以及测试连接件的散射参数从任两个测试端口间的散射参数中去除，从而能够测得被测芯片的散射参数，并进一步实现对芯片的性能参数完成相对准确测试的问题。

Description

芯片测试方法

技术领域

本发明涉及芯片测试技术领域，尤其涉及一种芯片测试方法。

背景技术

射频类芯片或射频微系统的测试一般需要通过基于定制测试夹具构建测试系统来进行性能测试，以获得各项性能参数。传统的射频测试夹具，一般由放置芯片的Socket、射频线路板或射频同轴电缆、射频同轴连接器等传输环节组成，尤其是针对其中的射频链路，往往需要基于一定的特征阻抗进行匹配。由于射频传输线的阻抗匹配不可避免的存在一定的反射，同时射频链路本身也带有一定的插入损耗，因此直接通过测试夹具测试出的芯片性能参数结果并不准确，其数据往往包括了测试夹具的传输性能参数（即散射参数）。

常用的提升芯片测试准确度的手段包括制作校准件进行校准测试，或使用一些高端网分仪内置的自动夹具去除（如是德科技的AFR）功能。但是由于校准件本身的制作过程较为复杂且存在一定的标定过程，自动夹具去除功能则需要网分仪同时具备硬件许可和软件许可。这两种方法均不能简单便捷地实现对芯片相对的准确测试。

发明内容

本发明的目的在于提出了一种芯片测试方法，旨在解决现有芯片测试方法不能简单便捷地实现对测试夹具的性能参数完成相对准确的测试，以及进一步实现对芯片的性能参数完成相对准确测试的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种芯片测试方法，包括以下步骤：

提供测试装置和模拟件，所述测试装置包括测试组件和壳体，所述测试组件设于所述壳体内，所述壳体上设有多个与所述测试组件电连接的测试端口，以及与所述测试组件电连接的测试面，所述测试面用于放置被测芯片或所述模拟件，所述模拟件上开设有多个连接槽，各所述连接槽分别与所述被测芯片的多个射频口相对应设置；

将所述模拟件放置于所述测试面；

提供测试连接件，所述测试连接件内开设有连接通道，以及与所述连接通道相连通的第一端接口和第二端接口；

提供网分仪；

将所述第一端接口插设于所述连接槽，并通过所述网分仪测得所述第二端接口和所述测试端口之间所形成射频通道的散射参数；

测得所述测试连接件的散射参数；

将所述被测芯片放置于所述测试面；

通过所述网分仪测得任两个所述测试端口间的散射参数，并将所述射频通道的散射参数以及所述测试连接件的散射参数从任两个所述测试端口间的散射参数中去除，从而测得所述被测芯片的散射参数。

在其中一种实施例中，步骤将所述第一端接口插设于所述连接槽，并通过所述网分仪测得所述第二端接口和所述测试端口之间所形成射频通道的散射参数，具体包括：

将所述网分仪与所述第二端接口和任一所述测试端口电连接；

将所述第一端接口依次插设于各所述连接槽，以在所述第二端接口和所述测试端口之间分别形成多条射频通道，并通过所述网分仪分别测得各所述射频通道的散射参数。

在其中一种实施例中，步骤通过所述网分仪测得任两个所述测试端口间的散射参数，并将所述射频通道的散射参数以及所述测试连接件的散射参数从任两个所述测试端口间的散射参数中去除，从而测得所述被测芯片的散射参数，具体包括：

将各所述射频通道的散射参数在所述网分仪上加载，以使所述网分仪能够实现去嵌效果；

将所述网分仪与任两个所述测试端口电连接，并测得所述被测芯片的散射参数。

在其中一种实施例中，步骤将所述第一端接口插设于所述连接槽，并通过所述网分仪测得所述第二端接口和所述测试端口之间所形成射频通道的散射参数，具体包括：

所述测试端口包括第一测试端口和第二测试端口，将所述第一端接口插设于所述连接槽，将所述网分仪与所述第二端接口和所述第一测试端口电连接，并测得所述第二端接口和所述第一测试端口间所形成射频通道的第一散射参数；

将所述网分仪与所述第二端接口和所述第二测试端口电连接，并测得所述第二端接口和所述第二测试端口间所形成射频通道的第二散射参数。

在其中一种实施例中，步骤通过所述网分仪测得任两个所述测试端口间的散射参数，并将所述射频通道的散射参数以及所述测试连接件的散射参数从任两个所述测试端口间的散射参数中去除，从而测得所述被测芯片的散射参数，具体包括：

将所述网分仪与所述第一测试端口和所述第二测试端口电连接，并测得所述第一测试端口和所述第二测试端口间所形成射频通道的第三散射参数；

在仿真软件内构建仿真链路；

在仿真链路内将所述测试连接件的散射参数从所述第一散射参数中去除，并获得第四散射参数；

在仿真链路内将所述测试连接件的散射参数从所述第二散射参数中去除，并获得第五散射参数；

在仿真链路内将所述第四散射参数和所述第五散射参数从所述第三散射参数中去除，以获得所述被测芯片的散射参数。

在其中一种实施例中，步骤测得所述测试连接件的散射参数具体包括：

构建背靠背测试提取所述测试连接件的散射参数。

在其中一种实施例中，步骤测得所述测试连接件的散射参数具体包括：

校准所述网分仪；

将所述网分仪与所述测试连接件电连接，并对所述测试连接件进行对空捕捉，以测得所述测试连接件的散射参数。

在其中一种实施例中，还包括限位件，所述限位件安装于所述测试组件，所述限位件上开设有限位槽，所述被测芯片能放置于所述限位槽内，所述限位槽的槽壁能与所述被测芯片相抵，以能够将所述被测芯片定位于所述测试面上。

在其中一种实施例中，所述被测芯片设有多种，所述模拟件设有多个，并与各所述被测芯片一一对应设置，所述限位件设有多个，并与各所述被测芯片一一对应设置。

在其中一种实施例中，所述测试组件上设有测试凸台，所述测试面设于所述测试凸台上。

采用本发明实施例，具有如下有益效果：

采用本发明的芯片测试方法，将模拟件放置于测试面，并将第一端接口插设于连接槽，从而能够通过网分仪测得第二端接口和测试端口之间所形成射频通道的散射参数，进一步的，测得测试连接件的散射参数，将测试连接件的散射参数从第二端接口和测试端口之间所形成射频通道的散射参数中去除，即可获得装置通道的准确散射参数，并能对装置通道的性能指标进行准确评估，进而能够简单便捷地实现对测试夹具的性能参数完成相对准确的测试，最后，将被测芯片放置于测试面，通过网分仪测得任两个测试端口间的散射参数，并将射频通道的散射参数以及测试连接件的散射参数从任两个测试端口间的散射参数中去除，从而能够在不使用自动夹具去除功能，且不制作校准件的情况下，测得被测芯片的散射参数，并进一步实现对芯片的性能参数完成相对准确测试的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

其中：

图1为实施例一中测试装置、测试连接件和第一模拟件的示意图。

图2为图1所示测试装置、测试连接件和第一模拟件中测试连接件的部分剖视图。

图3为图1所示测试装置、测试连接件和第一模拟件中测试连接件的另一角度示意图。

图4为实施例一中通过网分仪测得第一被测芯片的散射参数的示意图。

图5为实施例一中通过网分仪测得第二端接口和测试端口之间所形成射频通道的散射参数的示意图。

图6为实施例一中构建背靠背测试获得测试连接件的散射参数的示意图。

图7为实施例二中测试装置、测试连接件和第二模拟件的示意图。

图8为图7中A部放大示意图。

图9为实施例三中测试装置、测试连接件和第三模拟件的示意图。

图10为实施例三中测试装置和第三限位件的示意图。

图11为图10所示测试装置和第三限位件的爆炸图。

图12为图9所示测试装置、测试连接件和第三模拟件中第三模拟件的示意图。

图13为图9所示测试装置、测试连接件和第三模拟件中第三模拟件的另一角度示意图。

图14为图9所示测试装置、测试连接件和第三模拟件中第三模拟件的又一角度示意图。

图15为实施例四中测试装置、测试连接件和第四模拟件的示意图。

图16图15所示测试装置、测试连接件和第四模拟件中第四模拟件的示意图。

图17为图15所示测试装置、测试连接件和第四模拟件中第四模拟件的部分剖视图。

图18为实施例五中测试装置、测试连接件和第五模拟件的示意图。

图19为图18所示测试装置、测试连接件和第五模拟件的爆炸图。

附图标号：

100、测试装置；110、壳体；120、测试端口；130、测试面；140、测试凸台；150、PCB板；

200、测试连接件；210、第一端接口；220、第二端接口；230、连接通道；

310、第一模拟件；320、第二模拟件；321、第一弧形槽；330、第三模拟件；331、第一对接凹槽；340、第四模拟件；341、第二对接凹槽；342、第二插槽；350、第五模拟件；360、连接槽；370、第一插槽；

410、第一限位件；420、第二限位件；421、第二弧形槽；430、第三限位件；

510、第一被测芯片；

600、网分仪。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后……）仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果特定姿态发生改变时，则方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

射频芯片是一种能接收、转换并发射电信号的电子元器件。射频口是射频芯片传输电信号的通道。通过网分仪能测试测试夹具内所放置的射频芯片的各项参数，进而对芯片进行评估。但是由于测试夹具的引入，所测得射频芯片的驻波、插损、相位等参数会产生误差。

一种排除测试夹具对射频芯片测试参数的影响的方法为制作校准件，如SOLT（短路-开路-负载-直通）校准件、TRL（直通-反射-传输）校准件等。校准件通常为基片式，对于多端口或端口间连接方式不同的测试夹具，需要制作多个校准件。而校准件的制作过程较为复杂，且校准件本身的性能指标也会造成误差。

另一种排除测试夹具对射频芯片测试参数的影响的方法为网分仪的自动夹具去除（AFR）功能。自动夹具去除功能为是德科技在PLTS系统上开发的，具体是通过网分仪的时域分析功能加上一定的算法，自动捕捉到端，直接提取测试夹具的连接器端口到传输线末端的弹性探针口的散射参数，然后在测试芯片时，把所提取到的散射参数导入网分仪内，以达到去除测试夹具的影响的目的。自动夹具去除功能需要网分仪在硬件及软件许可上具备支持，应用较为困难。

请参阅图1至图19，一实施例的芯片测试方法，主要用于对芯片进行测试，以获得芯片的散射参数，其具体测试方法包括以下步骤：

S100、提供测试装置100和模拟件，测试装置100包括测试组件和壳体110，测试组件设于壳体110内，壳体110上设有多个与测试组件电连接的测试端口120，以及与测试组件电连接的测试面130，测试面130用于放置被测芯片或模拟件，模拟件上开设有多个连接槽360，各连接槽360分别与被测芯片的多个射频口相对应设置。

S200、将模拟件放置于测试面130。

S300、提供测试连接件200，测试连接件200内开设有连接通道230，以及与连接通道230相连通的第一端接口210和第二端接口220。

S400、提供网分仪600。

S500、将第一端接口210插设于连接槽360，并通过网分仪600测得第二端接口220和测试端口120之间所形成射频通道的散射参数。

S600、测得测试连接件200的散射参数。

S700、将被测芯片放置于测试面130。

S800、通过网分仪600测得任两个测试端口120间的散射参数，并将射频通道的散射参数以及测试连接件200的散射参数从任两个测试端口120间的散射参数中去除，从而测得被测芯片的散射参数。

在本实施例中，通过将测试连接件200插设于多个连接槽360中的一个，即可在第二端接口220和测试端口120之间形成一个双端口的射频通道，该射频通道包括测试装置100内的多条装置通道之一和测试连接件200内的连接通道230。网分仪600能分别与第二端接口220和测试端口120电连接，以能够测得第二端接口220和测试端口120之间形成的射频通道的散射参数。网分仪600所测得的射频通道的散射参数，反映的是装置通道和连接通道230的性能指标。由于测试连接件200的尺寸较小、插损较小、驻波较小，故，网分仪600所测得的散射参数能粗略评估该装置通道的性能指标。

进一步的，通过测得测试连接件200内连接通道230的散射参数，并将其从网分仪600所测得的射频通道的散射参数中去除，即可获得装置通道的准确散射参数，并能对装置通道的性能指标进行准确评估，进而能够简单便捷地实现对测试夹具的性能参数完成相对准确的测试。

通过对多条装置通道进行测算和评估，并在网分仪600内加载，无需使用自动夹具去除功能便能够实现去嵌效果，且无需制作校准件，即可便捷地获得芯片的准确参数，并实现对芯片的性能参数完成相对准确测试的问题。

进一步的，将被测芯片放置于测试面130，将射频通道的散射参数以及测试连接件200的散射参数从任两个测试端口120间的散射参数中去除，也能够测得被测芯片的散射参数，并实现对芯片的性能参数完成相对准确测试的问题。

在本实施例中，网分仪600具体可选为双端口矢量网分仪，网分仪600上设有测试电缆组件，两测试电缆组件末端可与测试连接件200上的第二端接口220及壳体110上的测试端口120适配，网分仪600校准到两测试电缆组件末端端面。

在本实施例中，本发明还提供了一种测试机构，包括：测试装置100、模拟件和测试连接件200，测试装置100，包括：测试组件和壳体110，壳体110内开设有容置腔，测试组件设于容置腔内，壳体110上设有多个与测试组件电连接的测试端口120，以及与测试组件电连接的测试面130，测试面130用于放置被测芯片或模拟件，网分仪600能与各测试端口120电连接，当被测芯片放置于测试面130，网分仪600能通过任两个测试端口120建立电信号通道，并获得两个测试端口120之间所形成的射频链路的散射参数，测试连接件200内开设有射频连接通道230，以及与射频连接通道230相连通的第一端接口210和第二端接口220，网分仪600能与第二端接口220电连接，被测芯片上形成有多个射频口，模拟件上开设有多个连接槽360，各连接槽360分别与多个射频口相对应设置，当模拟件被放置于测试面130，测试连接件200能与模拟件相连接，并使第一端接口210与连接槽360相连通，以使网分仪600能通过第二端接口220和任一测试端口120建立电信号通道，并获得第二端接口220和测试端口120之间所形成的射频链路的散射参数。

在一实施例中，请参阅图1至图19，步骤S500中，具体包括以下步骤：

S510a、将网分仪600与第二端接口220和任一测试端口120电连接。

S520a、将第一端接口210依次插设于各连接槽360，以在第二端接口220和测试端口120之间分别形成多条射频通道，并通过网分仪600分别测得各射频通道的散射参数。

在本实施例中，通过将第一端接口210依次插设于各连接槽360，能够在第二端接口220和测试端口120之间，分别形成多条双端口的射频通道，多条射频通道与测试装置100内的多条装置通道一一对应。进一步的，网分仪600测得的多条射频通道的散射参数，去除测试连接件200内连接通道230的散射参数后，可以获得各装置通道的准确散射参数，并获得各装置通道的驻波、插损、相位等指标，以能够进行评估或类比，进而能够对测试装置100本身的性能指标进行评估。

在一实施例中，请参阅图1至图19，步骤S800中，具体包括以下步骤：

S810a、将各射频通道的散射参数在网分仪600上加载，以使网分仪600能够实现去嵌效果。

S820a、将网分仪600与任两个测试端口120电连接，并测得被测芯片的散射参数。

在本实施例中，将各射频通道的散射参数在网分仪600上加载后，无需使用自动夹具去除功能便能够实现去嵌效果。此时将被测芯片放置于测试面130，通过网分仪600与任两个测试端口120电连接，能够测得去除测试装置100影响后的，被测芯片的散射参数，进而能够对芯片进行评估。

进一步的，将各装置通道的散射参数在网分仪600上加载，可以提高去嵌精度，并获得芯片的准确参数，进而能够简单便捷地实现对芯片的准确测试。

在一实施例中，请参阅图1至图19，步骤S500中，具体包括以下步骤：

S510b、测试端口120包括第一测试端口120和第二测试端口120，将第一端接口210插设于连接槽360，将网分仪600与第二端接口220和第一测试端口120电连接，并测得第二端接口220和第一测试端口120间所形成射频通道的第一散射参数。

S520b、将网分仪600与第二端接口220和第二测试端口120电连接，并测得第二端接口220和第二测试端口120间所形成射频通道的第二散射参数。

在本实施例中，第一测试端口120和第二测试端口120为多个测试端口120中的任两个。第一散射参数包括第一装置通道的散射参数和测试连接件200内连接通道230的散射参数，第二散射参数包括第二装置通道的散射参数和连接通道230的散射参数。第一装置通道形成于第一测试端口120与测试面130之间，第二装置通道形成于第二测试端口120与测试面130之间。

在一实施例中，请参阅图1至图19，步骤S800中，具体包括以下步骤：

S810b、将网分仪600与第一测试端口120和第二测试端口120电连接，并测得第一测试端口120和第二测试端口120间所形成射频通道的第三散射参数。

S820b、在仿真软件内构建仿真链路。

S830b、在仿真链路内将测试连接件200的散射参数从第一散射参数中去除，并获得第四散射参数。

S840b、在仿真链路内将测试连接件200的散射参数从第二散射参数中去除，并获得第五散射参数。

S850b、在仿真链路内将第四散射参数和第五散射参数从第三散射参数中去除，以获得被测芯片的散射参数。

在本实施例中，第三散射参数包括第一装置通道的散射参数、芯片内部射频链路的散射参数以及第二装置通道的散射参数之和。第四散射参数为第一装置通道的散射参数，第五散射参数为第二装置通道的散射参数。将第四散射参数和第五散射参数从第三散射参数中去除，能够获得芯片的散射参数，进而能够简单便捷地实现对芯片的准确测试。具体的，仿真软件可选为ADS或MATLAB。

在一实施例中，请参阅图1至图19，步骤S600中，具体包括以下步骤：

S610a、构建背靠背测试提取测试连接件200的散射参数。

在一具体的实施方式中，步骤S610a中，具体包括以下步骤：

S611a、通过多重筛选优选或默认多个体测试连接件200性能一致的前提下，构建由两个测试连接件200背靠背互联的测试方法。

S612a、将网分仪600分别与背靠背互联系统中的第二测试端口120电连接，并测得测试连接件200背靠背散射参数。

S613a、在仿真软件内构建仿真链路，对所得的背靠背散射频参数进行拆分，获得单个测试连接件200的散射参数。

在一实施例中，请参阅图1至图19，步骤S600中，具体包括以下步骤：

S610b、校准网分仪600。

S620b、将网分仪600与测试连接件200电连接，并对测试连接件200进行对空捕捉，以测得测试连接件200的散射参数。

在本实施例中，通过对空捕捉，能较为简单方便得获得测试连接件200的散射参数。

在一实施例中，请参阅图1至图19，还包括限位件，限位件安装于测试组件，限位件上开设有限位槽，被测芯片能放置于限位槽内，限位槽的槽壁能与被测芯片相抵，以能够将被测芯片定位于测试面130上。

在本实施例中，限位件层叠安装于测试面130上，并能与壳体110的内壁相抵，以将限位件定位于测试面130上，从而将限位槽的槽口与测试面130相对应设置，进而将放置于限位槽的被测芯片定位于测试面130上。

在一实施例中，请参阅图1至图19，被测芯片设有多种，模拟件设有多个，并与各被测芯片一一对应设置，限位件设有多个，并与各被测芯片一一对应设置。

在本实施例中，由于各被测芯片的形状大小、射频口的数量和位置，均有所不同，故需要设计多种与被测芯片相适配的模拟件和限位件，以对各被测芯片进行测试。

在实施例一中，各被测芯片中的一种为第一被测芯片510，各模拟件中的一个为第一模拟件310，各限位件中的一个为第一限位件410，第一限位件410上开设有第一限位槽，第一模拟件310的形状和尺寸与第一被测芯片510相同，以能够放置于第一限位槽内，并通过第一限位槽的槽壁，定位于测试面130上。

在实施例二中，各被测芯片中的一种为第二被测芯片，各模拟件中的一个为第二模拟件320，各限位件中的一个为第二限位件420，第二限位件420上开设有第二限位槽，第二模拟件320的形状和尺寸与第二被测芯片相同，以能够放置于第二限位槽内，并通过第二限位槽的槽壁，定位于测试面130上。第二模拟件320上开设有第一弧形槽321，第二限位件420上开设有第二弧形槽421，第一弧形槽321的槽壁和第二弧形槽421的槽壁能够围合形成第一插槽370，进而使第一插槽370能够与位于芯片边缘处的射频口相对应设置。

在实施例三中，各被测芯片中的一种为第三被测芯片，各模拟件中的一个为第三模拟件330，各限位件中的一个为第三限位件430,第三模拟件330上开设有第一对接凹槽331，第一对接凹槽331的槽壁能与测试凸台140的外周壁相抵，以将第三模拟件330定位于测试面130上，进而使各连接槽360能够与尺寸较小的芯的射频口相对应设置。

在实施例四中，各被测芯片中的一种为第四被测芯片，各模拟件中的一个为第四模拟件340，第四模拟件340上开设有第二对接凹槽341，第二对接凹槽341的槽壁能与测试凸台140的外周壁相抵，以将第四模拟件340定位于测试面130上。第四模拟件340上开设有第二插槽342，第二插槽342内形成有多个连接通道230，各连接通道230分别与多个射频口相对应设置，进而使第二插槽342能够与多个相互靠近的射频口相对应设置。

在实施例五中，各被测芯片中的一种为第五被测芯片，各模拟件中的一个为第五模拟件350，测试组件为PCB板150，多个测试端口120设于PCB板150上，并与PCB板150电连接。

在一实施例中，请参阅图1至图19，测试组件上设有测试凸台140，测试面130设于测试凸台140上。

以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

Claims (7)

1.一种芯片测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供测试装置和模拟件，所述测试装置包括测试组件和壳体，所述测试组件设于所述壳体内，所述壳体上设有多个与所述测试组件电连接的测试端口，以及与所述测试组件电连接的测试面，所述测试面用于放置被测芯片或所述模拟件，所述模拟件上开设有多个连接槽，各所述连接槽分别与所述被测芯片的多个射频口相对应设置；

将所述模拟件放置于所述测试面；

提供测试连接件，所述测试连接件内开设有连接通道，以及与所述连接通道相连通的第一端接口和第二端接口；

提供网分仪；

将所述第一端接口插设于所述连接槽，并通过所述网分仪测得所述第二端接口和所述测试端口之间所形成射频通道的散射参数；

测得所述测试连接件的散射参数；

将所述被测芯片放置于所述测试面；

将所述测试连接件的散射参数从所述射频通道的散射参数中去除，以能够测得所述测试装置的装置通道的散射参数，通过所述网分仪测得任两个所述测试端口间的散射参数，并将所述装置通道的散射参数从任两个所述测试端口间的散射参数中去除，从而测得所述被测芯片的散射参数；

其中，步骤将所述第一端接口插设于所述连接槽，并通过所述网分仪测得所述第二端接口和所述测试端口之间所形成射频通道的散射参数，具体包括：

所述测试端口包括第一测试端口和第二测试端口，将所述第一端接口插设于所述连接槽，将所述网分仪与所述第二端接口和所述第一测试端口电连接，并测得所述第二端接口和所述第一测试端口间所形成射频通道的第一散射参数；

将所述网分仪与所述第二端接口和所述第二测试端口电连接，并测得所述第二端接口和所述第二测试端口间所形成射频通道的第二散射参数；

其中，步骤将所述测试连接件的散射参数从所述射频通道的散射参数中去除，以能够测得所述测试装置的装置通道的散射参数，通过所述网分仪测得任两个所述测试端口间的散射参数，并将所述装置通道的散射参数从任两个所述测试端口间的散射参数中去除，从而测得所述被测芯片的散射参数，具体包括：

将所述网分仪与所述第一测试端口和所述第二测试端口电连接，并测得所述第一测试端口和所述第二测试端口间所形成射频通道的第三散射参数；

在仿真软件内构建仿真链路；

在仿真链路内将所述测试连接件的散射参数从所述第一散射参数中去除，并获得第四散射参数；

在仿真链路内将所述测试连接件的散射参数从所述第二散射参数中去除，并获得第五散射参数；

在仿真链路内将所述第四散射参数和所述第五散射参数从所述第三散射参数中去除，以获得所述被测芯片的散射参数。

2.根据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，步骤将所述第一端接口插设于所述连接槽，并通过所述网分仪测得所述第二端接口和所述测试端口之间所形成射频通道的散射参数，具体包括：

将所述网分仪与所述第二端接口和任一所述测试端口电连接；

将所述第一端接口依次插设于各所述连接槽，以在所述第二端接口和所述测试端口之间分别形成多条射频通道，并通过所述网分仪分别测得各所述射频通道的散射参数。

3.根据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，步骤测得所述测试连接件的散射参数具体包括：

构建背靠背测试提取所述测试连接件的散射参数。

4.根据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，步骤测得所述测试连接件的散射参数具体包括：

校准所述网分仪；

将所述网分仪与所述测试连接件电连接，并对所述测试连接件进行对空捕捉，以测得所述测试连接件的散射参数。

5.根据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，还包括限位件，所述限位件安装于所述测试组件，所述限位件上开设有限位槽，所述被测芯片能放置于所述限位槽内，所述限位槽的槽壁能与所述被测芯片相抵，以能够将所述被测芯片定位于所述测试面上。

6.根据权利要求5所述的芯片测试方法，其特征在于，所述被测芯片设有多种，所述模拟件设有多个，并与各所述被测芯片一一对应设置，所述限位件设有多个，并与各所述被测芯片一一对应设置。

7.根据权利要求6所述的芯片测试方法，其特征在于，所述测试组件上设有测试凸台，所述测试面设于所述测试凸台上。