CN116565105A - 发光芯片的转移方法、发光结构和显示面板 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 103
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims abstract description 58
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 133
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 50
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 20
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 14
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 9
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 6
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 Polyethylene Terephthalate Polymers 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003032 molecular docking Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本申请公开了一种发光芯片的转移方法、发光结构和显示面板。其中，转移方法包括：在生长基板的表面形成发光芯片；在暂态基板上形成转移膜层；在转移膜层远离暂态基板的一侧形成电极固定结构，并在转移膜层开设与电极固定结构相邻的通线孔；将生长基板上的发光芯片的电极与暂态基板上的电极固定结构连接；剥离掉生长基板、以及暂态基板的至少部分结构，以形成发光转移结构；将发光转移结构与驱动背板对置，以使发光转移结构上的通线孔与驱动背板上的绑点电极对应；形成连接线，连接线的一部分通过通线孔与绑点电极连接，另一部分连接电极固定结构。本申请的技术方案能够有效减少驱动背板上线路断裂，减少显示异常的情况发生。
Description
技术领域
本申请属于显示面板技术领域，具体涉及一种发光芯片的转移方法、发光结构和显示面板。
背景技术
Micro LED（Micro Light Emitting Diode Display，微型发光二极管）具有较高稳定性、长寿命以及更高分辨率，在显示面板中逐渐得以应用。在制作Micro LED的显示面板时，需要将几百万到几千万的 LED芯片从生长基板转移到驱动背板之上。在转移过程中，需要采用激光剥离的方式去除掉生长基板。但是，在剥离生长基板的过程中，激光会照射到驱动背板上，驱动背板上的线路受到激光照射，容易发生断裂，导致显示面板的显示异常。
发明内容
本申请的目的在于提供一种发光芯片的转移方法、发光结构和显示面板，能够有效减少驱动背板上线路断裂，减少显示异常的情况发生。
本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。
根据本申请实施例的一个方面，本申请提供一种发光芯片的转移方法，所述转移方法包括：
在生长基板的表面形成发光芯片；
在暂态基板上形成转移膜层；
在所述转移膜层远离所述暂态基板的一侧形成电极固定结构，并在所述转移膜层开设与所述电极固定结构相邻的通线孔；
将所述生长基板和所述暂态基板对置，以使所述生长基板上的所述发光芯片的电极与所述暂态基板上的电极固定结构连接；
剥离掉所述生长基板、以及所述暂态基板的至少部分结构，以形成发光转移结构；
将所述发光转移结构与驱动背板对置，以使所述发光转移结构上的通线孔与所述驱动背板上的绑点电极对应；
形成连接线，所述连接线的一部分通过所述通线孔与所述绑点电极连接，另一部分连接所述电极固定结构。
在其中一个方面，所述在所述转移膜层远离所述暂态基板的一侧形成电极固定结构的步骤，包括：
在所述转移膜层的表面设置导电层，所述导电层背离所述转移膜层的一侧设置导电胶，其中，所述发光芯片的电极通过所述导电胶与所述导电层连接。
在其中一个方面，所述导电层在所述转移膜层的正投影面积大于所述导电胶在所述转移膜层的正投影面积，所述导电胶在所述转移膜层的正投影面积大于所述发光芯片的电极在所述转移膜层的正投影面积。
在其中一个方面，所述在所述转移膜层开设与所述电极固定结构相邻的通线孔的步骤，包括：
在所述转移膜层的表面设置剥离层，在所述剥离层背离所述转移膜层的一侧设置蚀刻阻挡层，所述剥离层覆盖所述电极固定结构；
在所述蚀刻阻挡层上开设蚀刻孔，并在所述剥离层对应所述蚀刻孔的位置开设蚀刻通道，所述蚀刻孔在所述转移膜层的正投影位于所述电极固定结构在所述转移膜层的正投影区域之外；
对所述转移膜层进行蚀刻，通过所述蚀刻孔和所述蚀刻通道蚀刻形成所述通线孔；
剥离掉所述剥离层，以去除所述蚀刻阻挡层。
在其中一个方面，所述将所述发光转移结构转移到驱动背板上的步骤之前，包括：
在驱动背板的表面设置粘接层，以使所述转移膜层粘接固定于所述驱动背板上。
在其中一个方面，所述发光芯片设置有多个，所述驱动背板设置有供多个所述发光芯片安装的安装区、以及围设于所述安装区周边的边缘区；
所述在所述驱动背板的表面设置粘接层的步骤，包括：
在所述驱动背板的边缘区设置所述粘接层。
此外，为了解决上述问题，本申请还提供一种发光结构，所述发光结构包括发光转移结构，所述发光转移结构包括转移膜层、电极固定结构和发光芯片，所述电极固定结构设于所述转移膜层上，所述转移膜层靠近所述电极固定结构的位置设置通线孔，所述发光芯片的电极连接于所述电极固定结构；
所述发光结构还包括驱动背板，所述驱动背板的表面设置有绑点电极，所述发光转移结构设于所述驱动背板上，所述通线孔对应于所述驱动背板的绑点电极；
所述发光结构还包括连接线，所述连接线设于所述通线孔内，所述连接线的一端连接所述绑点电极，另一端连接所述电极固定结构。
在其中一个方面，所述发光转移结构包括暂态基板，所述暂态基板设置在所述转移膜层和所述驱动背板之间，所述暂态基板对应所述通线孔设置通孔。
在其中一个方面，所述发光结构包括介质层，所述介质层设于所述驱动背板上，所述发光芯片在所述驱动背板的正投影位于所述介质层在所述驱动背板的正投影范围内。
此外，为了解决上述问题，本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括发光芯片和驱动背板，所述显示面板采用如上文所述的发光芯片的转移方法，将所述发光芯片转移至所述驱动背板上。
本申请中，发光芯片在生长基板上完成加工制作。在转移膜层上制作电极固定结构，并在靠近电极固定结构的位置开设通线孔。在将生长基板和暂态基板对置时，通过电极固定结构将发光芯片的电极固定住，也同时固定住了发光芯片。然后，将生长基板剥离掉，并且剥离掉暂态基板的至少部分结构，剩下的结构为发光转移结构。再将发光转移结构移动至驱动背板上，在通线孔内制作连接线，连接线将驱动背板上的绑点电极和电极固定结构连接起来。通过连接线，绑点电极上的驱动信号能够传递到电极固定结构，再通过电极固定结构传递到发光芯片。由此可知，在对生长基板进行剥离时，发光芯片还未绑定到驱动背板上，如此，也就不会对驱动背板上的绑点电极造成影响，能够有效减少绑点电极断裂的情况。并且，在通线孔内设置连接线时，也不涉及剥离的作业方式，进一步减少了对绑点电极的影响，减少了显示画面异常的情况。
本申请中应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示意性示出了本申请第一实施例中发光芯片的转移方法的流程步骤示意图。
图2示意性示出了本申请第一实施例中设置电极固定结构的流程步骤示意图。
图3示意性示出了本申请第一实施例中在转移膜层上开设通线孔的流程步骤示意图。
图4示意性示出了本申请第一实施例中设置粘接层的流程步骤示意图。
图5示意性示出了本申请第一实施例中在驱动背板的边缘区域设置粘接层的流程步骤示意图。
图6示意性示出了本申请中生长基板和发光芯片的结构示意图。
图7示意性示出了本申请中暂态基板和电极固定结构的结构示意图。
图8示意性示出了本申请中在暂态基板上设置玻璃层和蚀刻阻挡层的结构示意图。
图9示意性示出了本申请中生长基板和暂态基板对置的结构示意图。
图10示意性示出了本申请中发光转移结构的结构示意图。
图11示意性示出了本申请第二实施例中发光转移结构和驱动背板连接的结构示意图。
图12示意性示出了本申请图11中设置连接线的结构示意图。
图13示意性示出了本申请中发光转移结构和驱动背板之间设置暂态基板的结构示意图。
图14示意性示出了本申请驱动背板在对应发光芯片位置设置介质层的结构示意图。
附图标记说明如下：
100、生长基板；110、发光芯片；111、电极；112、外延层；201、通线孔；210、电极固定结构；211、导电层；212、导电胶；220、暂态基板；230、转移膜层；300、发光转移结构；400、驱动背板；410、绑点电极；420、粘接层；500、连接线；600、剥离层；610、蚀刻通道；700、蚀刻阻挡层；710、蚀刻孔；800、介质层。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。
实施例一
参阅图1、以及图6至图12所示，本申请提供一种发光芯片的转移方法，转移方法包括：
步骤S10，在生长基板100的表面形成发光芯片110；发光芯片110为LED（LightEmitting Diode Display，发光二极管）。生长基板100通常为蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上形成外延层112，并在外延层112的上方制作形成电极111。生长基板100还可以是玻璃材质或者是石英等。发光芯片110设置的数量较多，间隔排列于生长基板100的表面。
步骤S20，在暂态基板220上形成转移膜层230；暂态基板220主要用来支撑转移膜层230。暂态基板220可以是玻璃、石英或者是蓝宝石等。转移膜层230的材质可以是PI（Polyimide，聚酰亚胺）膜，或者是PET（Polyethylene Terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯膜），质地比较柔软，暂态基板220主要用来支撑转移膜层230，防止转移膜层230变形，尤其是在设置通线孔201时，支撑固定住转移膜层230，保证开设的通线孔201的位置和大小准确。
步骤S30，在转移膜层230远离暂态基板220的一侧形成电极固定结构210，并在转移膜层230开设与电极固定结构210相邻的通线孔201；转移膜层230主要用来将发光芯片110转移到驱动背板400上。电极固定结构210不但能够用于固定住发光芯片110的电极111，还能够向电极111传输电信号。设置通线孔201的目的在于，保证连接线500能够连接到驱动背板400和电极固定结构210。并且，将通线孔201靠近电极固定结构210设置，能够减少连接线500的长度。
步骤S40，将生长基板100和暂态基板220对置，以使生长基板100上的发光芯片110转移到暂态基板220上，并使暂态基板220的电极固定结构210连接发光芯片110的电极111；将生长基板100和暂态基板220对置，是指发光芯片110和电极固定结构210相对，并且使发光芯片110的电极111正对电极固定结构210。使生长基板100靠近暂态基板220，当然也可以是两者相互靠近。在发光芯片110的电极111接触到电极固定结构210后，电极固定结构210能够将发光芯片110的电极111固定住，从而也就固定住了发光芯片110。
步骤S50，剥离掉生长基板100、以及暂态基板220的至少部分结构，以形成发光转移结构300；剥离生长基板100可以采用激光剥离的方式，避免生长基板100影响到后续作业。在剥离生长基板100时，发光芯片110还没有转移到驱动背板400上，也就不会对驱动背板400的绑点电极410造成破坏。并且，发光芯片110的外延层112遮盖住了电极固定结构210，在进行激光剥离时，激光也难以照射到电极固定结构210，同样也不会对电极固定结构210造成破坏。
需要说明的是，暂态基板220可以全部剥离掉，也可以保留一部分，即将暂态基板220的部分结构剥离掉。由此可知，形成的发光转移结构300包括发光芯片110和电极固定结构210，还可以包括暂态基板220的部分结构，也可以不包括暂态基板220。总之，通线孔201是属于发光转移结构300的一部分。
步骤S60，将发光转移结构300与驱动背板400对置，以使发光转移结构300上的通线孔201与驱动背板400上的绑点电极410对应；发光芯片110的电极111包括有阳极和阴极，通线孔201也设置有两个。同样地，驱动背板400上的绑点电极410大致可以分成两种，一种用于向发光芯片110的阳极提供电信号，另一种用于向发光芯片110的阴极提供电信号。为此，其中两个通线孔201分别对应不同的绑点电极410，并且要使绑点电极410显露在通线孔201内。
步骤S70，形成连接线500，在通线孔201内设置连接线500，使连接线500的一部分通过通线孔与绑点电极410连接，另一部分连接电极固定结构210。可以采用气相沉积的方式，配合蚀刻等形成连接线500。连接线500能够导电，可以将驱动背板400上的电信号传递给发光芯片110。例如，驱动背板400上的电信号依次经过绑点电极410、连接线500、电极固定结构210，再传递至发光芯片110的电极111。在发光芯片110的阳极和阴极之间形成电势差，从而使发光芯片110点亮发光。连接线500可以是金属，例如金、银、铜等，也可以是半导体，例如ITO（Indium tin oxide，氧化铟锡）。
本实施例中，发光芯片110在生长基板100上完成加工制作。在转移膜层230上制作电极固定结构210，并在靠近电极固定结构210的位置开设通线孔201。在将生长基板100和暂态基板220对置时，通过电极固定结构210将发光芯片110的电极111固定住，也同时固定住了发光芯片110。然后，将生长基板100剥离掉，并且剥离掉暂态基板220的至少部分结构，剩下的结构为发光转移结构300。再将发光转移结构300移动至驱动背板400上，在通线孔201内制作连接线500，连接线500将驱动背板400上的绑点电极410和电极固定结构210连接起来。通过连接线500绑点电极410上的驱动信号能够传递到电极固定结构210，再通过电极固定结构210传递到发光芯片110。由此可知，在对生长基板100进行剥离时，发光芯片110还未绑定到驱动背板400上，如此，也就不会对驱动背板400上的绑点电极410造成影响，能够有效减少绑点电极410断裂的情况。并且，在通线孔201内设置连接线500时，也不涉及剥离的作业方式，进一步减少了对绑点电极410的影响，减少了显示画面异常的情况。
参阅图2所示，在转移膜层230远离暂态基板220的一侧形成电极固定结构210的步骤，包括：
步骤S310，在转移膜层230的表面设置导电层211；导电层211主要用来传递电信号，导电层211可以是金属也可以是半导体。例如，导电层211可以是金、银或铜等，也可以是ITO。
步骤S320，导电层211背离转移膜层230的一侧设置导电胶212，其中，发光芯片110的电极111通过导电胶212与导电层211连接。导电胶212用于固定发光芯片110的电极111。导电胶212能够使发光芯片110的电极111插入其中，在导电胶212固化后能够固定住电极111，从而完成对发光芯片110的固定。另外，导电胶212中还设置有导电颗粒，在导电胶212固化后，导电颗粒之间连通，由此通过导电胶212也能向发光芯片110的电极111传递电信号。导电胶212设置在导电层211的上方，通过导电胶212和导电层211的配合能够很好的固定住发光芯片110，还能够向发光芯片110提供电信号。
需要说明的是，在生长基板100和暂态基板220进行对置时，可以通过生长基板100上的标记和暂态基板220上的标记对准，完成对置。也可以通过发光芯片110的电极111对准导电胶212的方式完成对准。还可以是两种对准方式相互结合，共同完成生长基板100和暂态基板220的对置。
进一步地，为了便于向发光芯片110的传递电信号，导电层211在转移膜层230的正投影面积大于导电胶212在转移膜层230的正投影面积。由此可知，导电层211在水平方向平铺的面积大于导电胶212在水平方向平铺的面积。导电胶212无法遮盖住整个导电层211，导电层211至少有一部分显露出来。这样，在设置连接线500时，连接线500的一端可以搭接到导电层211的显露部分，充分利用导电层211导电效果良好的优势。
为了便于发光芯片110的对接固定，导电胶212在转移膜层230的正投影面积大于发光芯片110的电极111在转移膜层230的正投影面积。导电胶212在水平方向平铺的面积较大，发光芯片110的电极111较小，这样在将发光芯片110对接到暂态基板220上时，电极111能够很好的对接到导电胶212上，使导电胶212很好的包裹住发光芯片110的电极111，提高导电胶212和电极111的接触面积，更好的完成对发光芯片110的对接固定，也能够提高电信号的传递速率。导电胶212涂布在导电层211上，可以是方形，也可以是异方形，便于定位电极111。
参阅图3所示，在转移膜层230开设与电极固定结构210相邻的通线孔201的步骤，包括：
步骤S301，在转移膜层230的表面设置剥离层600，在剥离层600背离转移膜层230的一侧设置蚀刻阻挡层700，剥离层600覆盖电极固定结构210；蚀刻阻挡层700也覆盖了电极固定结构210。
步骤S302，在蚀刻阻挡层700上开设蚀刻孔710，并在剥离层600对应蚀刻孔710的位置开设蚀刻通道610，蚀刻孔710在转移膜层230的正投影位于电极固定结构210在转移膜层230的正投影区域之外；通过将蚀刻孔710在转移膜层230的正投影位于电极固定结构210在转移膜层230的正投影区域之外，也就是说，蚀刻孔710避开了电极固定结构210的位置，避免在蚀刻时，刻蚀到电极固定结构210。
步骤S303，对转移膜层230进行蚀刻，通过蚀刻孔710和蚀刻通道610蚀刻形成通线孔201；蚀刻孔710和蚀刻通道610是相互连通的，也是说，在蚀刻孔710和蚀刻通道610的位置是不受蚀刻影响的，蚀刻工艺可以直接对转移膜层230进行蚀刻，从而形成通线孔201。
步骤S304，剥离掉剥离层600，以去除蚀刻阻挡层700。采用光刻胶剥离液在对剥离层600进行剥离作业时，由于蚀刻阻挡层700设置在剥离层600的上方，随之被一同去除。从而完成通线孔201的开孔作业。剥离层600可以理解为光阻层。蚀刻阻挡层700可以是金属，如钼、铝、铜等，或者是氮化硅、氧化硅等无机物，蚀刻阻挡层700厚度200~1000nm。然后通过氧气或四氯化碳等气体进行干法蚀刻，氧气和四氯化碳等对蚀刻阻挡层700刻蚀速率很低，而对转移膜层230等有机膜刻蚀速率很快，从而在转移膜层230形成通线孔201，然后再通过光刻胶剥离液等去除掉蚀刻阻挡层700和剥离层600。
参阅图4所示，将发光转移结构300转移到驱动背板400上的步骤之前，包括：
步骤S80，在驱动背板400的表面设置粘接层420，以使转移膜层230粘接固定于驱动背板400上。粘接层420具有一定黏性，通过粘接层420能够与转移膜层230很好的接触，将转移膜层230固定在驱动背板400上，从而完成发光转移结构300的固定。
参阅图5所示，发光芯片110设置有多个，驱动背板400设置有供多个发光芯片110安装的安装区、以及围设于安装区周边的边缘区；在驱动背板400的表面设置粘接层420的步骤，包括：
步骤S810，在驱动背板400的边缘区设置粘接层420。将粘接层420设置在驱动背板400的边缘区域，避免影响绑点电极410的设置。在显示面板中，安装区可以理解为显示区，用于发光芯片110发光，形成显示画面。边缘区可以理解为非显示区，在非显示区可以用来安装一些线路和元件等。比如，将粘接层420设置在非显示区，避免影响显示画面。
实施例二
参阅图11和图12所示，本申请还提供一种发光结构，发光结构包括驱动背板400和发光转移结构300，发光转移结构300包括转移膜层230、电极固定结构210和发光芯片110，电极固定结构210设于转移膜层230，发光芯片110的电极111固定于电极固定结构210上，驱动背板400的表面设置有绑点电极410，发光转移结构300设于驱动背板400上，转移膜层230还设置有通线孔201，通线孔201靠近电极固定结构210，且对应于驱动背板400的绑点电极410；发光结构还包括连接线500，连接线500设于通线孔201内，连接线500的一端连接绑点电极410，另一端连接电极固定结构210。发光转移结构300还可以包括暂态基板220的部分结构，暂态基板220的部分结构用于支撑转移膜层230。
本实施例中，将发光转移结构300移动至驱动背板400上时，不涉及激光剥离的作业，在通线孔201内制作连接线500，连接线500将驱动背板400上的绑点电极410和电极固定结构210连接起来。连接线500的制作是在发光转移结构300固定在驱动背板400之后，连接线500也不受激光剥离的作业影响，由此绑点电极410和连接线500能够正常通信，减少了显示画面异常的情况。
进一步地，电极固定结构210包括间隔的阳极固定部和阴极固定部，通线孔201包括阳极通线孔和阴极通线孔，阳极固定部背离阴极固定部的一侧开设阳极通线孔，在阴极通线孔背离阳极固定部的一侧开设阴极通线孔，阳极通线孔和阴极通线孔分别设置在发光芯片110的两侧，减少连接线500的沉积设置时的阻挡，便于连接线500的设置。
本申请中，通常来说转移膜层230的厚度为10微米左右，厚度较厚，能够支撑住发光芯片110。但是有时制作的转移膜层230的质地比较柔软，容易弯曲，或者是由于高度限制，制作的转移膜层230厚度较薄，这些都会造成发光芯片110位置塌陷，导致发光芯片110损坏，或者驱动背板400损坏。为此，本申请还提供了两种解决方案。
第一种解决方案，参阅图13所示，发光转移结构300包括暂态基板220，电极固定结构210设于转移膜层230上，转移膜层230设置通线孔201，暂态基板220设置在转移膜层230和驱动背板400之间，暂态基板220对应通线孔201设置通孔。具体地，在将发光转移结构300设置到驱动背板400之前，可以保留下暂态基板220，也可以对暂态基板220进行减薄处理，暂态基板220的部分结构被蚀刻掉，防止高度过高。暂态基板220具有一定硬度，支撑住发光芯片110，避免发光芯片110位置塌陷。需要说明的是，此时，暂态基板220在对应转移膜层230的通线孔201位置也需要开设通孔，保证连接线500能够连接到驱动背板400。
第二种解决方案，参阅图14所示，发光结构包括介质层800，介质层800设于驱动背板400上，发光芯片110在驱动背板400的正投影位于介质层800在驱动背板400的正投影范围内。具体地，在将发光转移结构300设置到驱动背板400之前，可以在驱动背板400对应发光芯片110的位置设置介质层800。介质层800绝缘，不导电，具有一定硬度。通过介质层800的设置能够支撑起发光芯片110，避免发光芯片110位置塌陷。
实施例三
本申请还提供一种显示面板，显示面板包括发光芯片110和驱动背板400，显示面板采用如上文的发光芯片110的转移方法，将发光芯片110转移至驱动背板400上。
显示面板的实施方式和有益效果参考上述发光芯片的转移方法的方案，在此不再赘述。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。
应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (10)
1.一种发光芯片的转移方法，其特征在于，所述转移方法包括：
在生长基板的表面形成发光芯片；
在暂态基板上形成转移膜层；
在所述转移膜层远离所述暂态基板的一侧形成电极固定结构，并在所述转移膜层开设与所述电极固定结构相邻的通线孔；
将所述生长基板和所述暂态基板对置，以使所述生长基板上的所述发光芯片的电极与所述暂态基板上的电极固定结构连接；
剥离掉所述生长基板、以及所述暂态基板的至少部分结构，以形成发光转移结构；
将所述发光转移结构与驱动背板对置，以使所述发光转移结构上的通线孔与所述驱动背板上的绑点电极对应；
形成连接线，所述连接线的一部分通过所述通线孔与所述绑点电极连接，另一部分连接所述电极固定结构。
2.根据权利要求1所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述在所述转移膜层远离所述暂态基板的一侧形成电极固定结构的步骤，包括：
在所述转移膜层的表面设置导电层，所述导电层背离所述转移膜层的一侧设置导电胶，其中，所述发光芯片的电极通过所述导电胶与所述导电层连接。
3.根据权利要求2所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述导电层在所述转移膜层的正投影面积大于所述导电胶在所述转移膜层的正投影面积，所述导电胶在所述转移膜层的正投影面积大于所述发光芯片的电极在所述转移膜层的正投影面积。
4.根据权利要求1所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述在所述转移膜层开设与所述电极固定结构相邻的通线孔的步骤，包括：
在所述转移膜层的表面设置剥离层，在所述剥离层背离所述转移膜层的一侧设置蚀刻阻挡层，所述剥离层覆盖所述电极固定结构；
在所述蚀刻阻挡层上开设蚀刻孔，并在所述剥离层对应所述蚀刻孔的位置开设蚀刻通道，所述蚀刻孔在所述转移膜层的正投影位于所述电极固定结构在所述转移膜层的正投影区域之外；
对所述转移膜层进行蚀刻，通过所述蚀刻孔和所述蚀刻通道蚀刻形成所述通线孔；
剥离掉所述剥离层，以去除所述蚀刻阻挡层。
5.根据权利要求1所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述将所述发光转移结构转移到驱动背板上的步骤之前，包括：
在驱动背板的表面设置粘接层，以使所述转移膜层粘接固定于所述驱动背板上。
6.根据权利要求5所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述发光芯片设置有多个，所述驱动背板设置有供多个所述发光芯片安装的安装区、以及围设于所述安装区周边的边缘区；
所述在所述驱动背板的表面设置粘接层的步骤，包括：
在所述驱动背板的边缘区设置所述粘接层。
7.一种发光结构，其特征在于，所述发光结构包括发光转移结构，所述发光转移结构包括转移膜层、电极固定结构和发光芯片，所述电极固定结构设于所述转移膜层上，所述转移膜层靠近所述电极固定结构的位置设置通线孔，所述发光芯片的电极连接于所述电极固定结构；
所述发光结构还包括驱动背板，所述驱动背板的表面设置有绑点电极，所述发光转移结构设于所述驱动背板上，所述通线孔对应于所述驱动背板的绑点电极；
所述发光结构还包括连接线，所述连接线设于所述通线孔内，所述连接线的一端连接所述绑点电极，另一端连接所述电极固定结构。
8.根据权利要求7所述的发光结构，其特征在于，所述发光转移结构包括暂态基板，所述暂态基板设置在所述转移膜层和所述驱动背板之间，所述暂态基板对应所述通线孔设置通孔。
9.根据权利要求7所述的发光结构，其特征在于，所述发光结构包括介质层，所述介质层设于所述驱动背板上，所述发光芯片在所述驱动背板的正投影位于所述介质层在所述驱动背板的正投影范围内。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括发光芯片和驱动背板，所述显示面板采用如权利要求1至6中任一项所述的发光芯片的转移方法，将所述发光芯片转移至所述驱动背板上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310811963.9A CN116565105B (zh) | 2023-07-04 | 2023-07-04 | 发光芯片的转移方法、发光结构和显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310811963.9A CN116565105B (zh) | 2023-07-04 | 2023-07-04 | 发光芯片的转移方法、发光结构和显示面板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116565105A true CN116565105A (zh) | 2023-08-08 |
| CN116565105B CN116565105B (zh) | 2024-01-30 |
Family
ID=87503837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310811963.9A Active CN116565105B (zh) | 2023-07-04 | 2023-07-04 | 发光芯片的转移方法、发光结构和显示面板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116565105B (zh) |
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|---|---|
| CN116565105B (zh) | 2024-01-30 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |