CN116555602A - 一种真空溅射靶材用高强度高导电铜合金背板的生产工艺 - Google Patents

一种真空溅射靶材用高强度高导电铜合金背板的生产工艺 Download PDF

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CN116555602A CN202310379307.6A CN202310379307A CN116555602A CN 116555602 A CN116555602 A CN 116555602A CN 202310379307 A CN202310379307 A CN 202310379307A CN 116555602 A CN116555602 A CN 116555602A
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黄尚成
田东松
史建斌
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Abstract

本发明公开了一种真空溅射靶材用高强度高导电铜合金背板的生产工艺,属于铜合金制备技术领域,包括S1、原料选配:采用铜合金作为原料;S2、真空熔铸:进行真空熔炼;S3、锻造:对正方体铸锭的长宽高三面揉打最终揉打成圆形板料;S4、固溶:通过水冷进行固溶;S5、冷轧:将固溶后的板料放入辊轮式冷轧机中进行全方向的冷轧处理;S6、时效:将步骤S6得到的冷轧后圆形板料室温入炉进行时效处理;S7、车削:将步骤S6得到的时效处理后板料进行车削处理,本发明所制备的铜背板工艺简单、生产成本低、合格率高,背板晶粒度小且分布均匀,硬度高且硬度分布均匀,内部无夹层,板料边缘位置无夹渣等缺陷。

Description

一种真空溅射靶材用高强度高导电铜合金背板的生产工艺
技术领域
本发明涉及铜合金制备技术领域,具体是涉及一种真空溅射靶材用高强度高导电铜合金背板的生产工艺。
背景技术
磁控溅射是电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞,电离出大量的氩原子和电子,电子飞向基片,氩离子在电场的作用下加速轰击溅射基台上的靶材组件上的靶材,溅射出大量的靶材原子,呈中性的靶材原子沉积在基板上成膜,而最终达到对基板表面镀膜的目的。靶材是由符合溅射性能的靶坯、与靶坯焊接连接的背板构成。背板在靶材中起支撑作用,并具有传导热量的功效。大规模集成电路磁控溅射过程,需要使用强度较高、导热、导电性高的铜材料作为背板材料,安装在溅射机台上,在高真空、磁场、电场作用下靶材可以有效进行溅射。现有技术中所制造出的合金的强度较低,硬度不够不能满足背板材料的要求。因此,急需一种制作方法使得所制作出来的合金材料的硬度达到要求。
在当下流行的铜背板生产工艺中无法均匀破坏晶粒且无法精准的控制温度,所以制备的铜背板晶粒度最小为36um最大不可确定,硬度142HV-158HV硬度值低且分布不均匀,电导率40%IACS-43%IACS,背板整体的合格率不足10%,材料利用率48.63%-54.46%,成品的合格率较低、生产成本较高,无法实现量产。本发明针对现有技术存在的不足,提供了一种成品合格率98%、材料利用率60.11%-60.09%并且可以均匀破坏晶粒、精确控制热处理环节且可以实现量产的铜背板制备方法。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供了一种真空溅射靶材用高强度高导电铜合金背板的生产工艺,包括以下步骤:
S1、原料选配:
选择铜合金,并将所选铜合金进行低温破碎,低温破碎的温度为-30~-40℃,破碎完成后得到铜合金块,破碎后铜合金块的粒径为2-3cm;
S2、真空熔铸:
将步骤S1中得到的铜合金块放入坩埚中,并将坩埚置于真空熔炉中,将真空熔炉的真空度抽至р≤10Pa时,对真空熔炉进行升温,待坩埚内原料熔化完全后将真空熔炉功率调至100±5KW,打开充氩气阀向真空熔炉中充入高纯氩气,待真空熔炉内压力升至-0.08Mpa时,关闭充氩阀,将真空熔炉功率升至750±5KW,投入精炼剂,精炼60min,除气扒渣后将真空熔炉功率至300±5KW,并将熔体浇铸成正方体铸锭;所述精炼剂的由以下重量份的成分组成:氟化钙25-40份、氟钛酸钾15-30份、二氧化钛3-8份、稀土10-30份,精炼剂与熔体的质量比为1:138;
S3、锻造:
将步骤S2中得到的正方体铸锭装炉,装炉温度>750℃,保温温度900℃-960℃,保温2.0h-2.5h后取出,对正方体铸锭的长宽高三面揉打,最终揉打成圆形板料;
S4、固溶:
将步骤S3得到的板料室温装炉,入炉后30min-50min内从室温升温至850℃-900℃并保温60min-90min,保温结束后在30s-50s内投入循环的冷水中进行冷却,冷却至85℃以下后取出;
S5、冷轧:
将固溶后的板料放入辊轮式冷轧机中进行全方向的冷轧处理,得到冷轧后圆形板料;
S6、时效:
将步骤S6得到的冷轧后圆形板料室温入炉后30min-40min内将炉内温度升至475℃-485℃并保温270min,保温结束后随炉冷却,得到时效处理后板料;
S7、车削:
将步骤S6得到的时效处理后板料进行车削处理,得到真空溅射靶材用背板。
进一步地,步骤S1中所选用的铜合金由以下质量百分比的成分组成:镍含量在1.5%-4.0%,铬含量在0.1%-0.8%,硅含量在0.1%-0.8%,铁元素在0.02%-0.10%,杂质含量总和<0.1%,余量为铜。
说明:所选铜合金的杂质低,制备的铜合金背板导电率高。
进一步地,步骤S2中所述氩气充入真空熔炉的速度为1-2m3/min,所述氩气的纯度≥99%。
说明:氩气纯度高不容易使铜发生氧化。
进一步地,步骤S2中对真空熔炉进行升温的过程为:先将真空熔炉功率升至150±5KW,保温30min,功率升至300±5KW,保温30min,功率升至500±5KW保持30min,功率升至700±5KW,保温30min。
说明:这样加热的方式能增强所制备背板的硬度。
进一步地,步骤S3中对正方体铸锭进行揉打时,始锻温度>870℃,终锻温度>650℃。
说明:始锻温度>870℃,终锻温度>650℃,终锻温度过低,造成所制备背板的硬度分布也不均匀。
进一步地,步骤S3中所述揉打的单次揉打变形量为40%-45%。
说明:该锻造方法解决了常规单次变形量20%-30%的三墩三拔的锻造工艺出现的板料晶粒度大小分布不均匀,硬度不均匀,内部夹层,边缘位置夹渣等缺陷。
进一步地,步骤S5中冷轧单次变形量为5%-8%,总变形量为50.0%-58.8%。
说明:能有有效防止晶粒度破坏不均匀,硬度分布不均匀问题。
进一步地,步骤S1中所述铜合金可通过复合金属粉末代替,所述复合金属粉末由以下质量百分比的成分组成:镍粉1.5%-4.0%,铬粉0.1%-0.8%,硅粉0.1%-0.8%,铁粉0.02%-0.10%,余量为铜粉,所述镍粉、铬粉、硅粉、铁粉、铜粉的粒度≤40μm,各金属粉末的纯度≥99%。
说明:采用金属粉末替代步骤S1所制备的背板效果与采用铜合金的所制备的背板效果相同。
进一步地,步骤S7中所述车削采用精车的方式进行车削,车削速度为1000-1200r/min。
说明:车削速度快,背板表面粗糙度低,背板表面越光滑。
进一步地,对步骤S7得到后的真空溅射靶材进行表面处理,先采用目数为400目的砂纸打磨一遍,再采用800目砂纸打磨一遍,最后采用1000目的砂纸再打磨一遍,打磨完成后采用抛光布再进行抛光,抛光后表面粗糙度为Ra≤0.16。
说明:打磨后的背板在实际应用中效果最高,耐磨性更强,增强与其他零件配合的稳定性,增强背板的疲劳强度。
本发明的有益效果是:
(1)本发明针对三墩三拔锻造方式产生的一系列不良影响,设计出制成正方体坯体,长宽高三面揉打,单次揉打变形量约为40%-45%进行锻造并最终成一定厚度圆形板料的方法,解决了晶粒度大小分布不均匀问题以及内部夹层,边缘位置夹渣等问题。
(2)本发明针对热轧余温固溶难以精确控制固溶温度的问题,制定了单独固溶的工艺,删除了热轧步骤降低了生产成本,精确控制固溶温度量化工艺步骤,对批量化生产起到了决定性作用。
(3)本发明针对冷锻过程每次敲击落锤位置、重量都不均匀会使得晶粒破坏程度、硬度分布也不均匀的问题提出用全方位冷轧工艺,单次变形量5%-8%,解决了晶粒度破坏不均匀,硬度分布不均匀问题.
(4)本发明针对常规生产工艺余温固溶影响到时效温度不固定、时效后电导率、硬度不稳定且不足的问题,通过量化工艺温度和大量实验得到了稳定有效的时效处理工艺。
(5)本发明在锻造时直接成形圆形坯料,后续仍以圆形坯料加工,没有了边缘方角故而取消了水切割,提高了材料利用率,降低了生产成本。
附图说明
图1是本发明的制备流程图。
图2是常规工艺制备的背板与本发明所制备的背板在100μm下的金相组织对比图。
图3是常规工艺制备的背板与本发明所制备的背板在10μm下的金相组织对比图。
具体实施方式
实施例1:
如图1所示,一种真空溅射靶材用高强度高导电铜合金背板的生产工艺,包括以下步骤:
S1、原料选配:
选择铜合金,并将所选铜合金进行低温破碎,低温破碎的温度为-30℃,破碎完成后得到铜合金块,破碎后铜合金块的粒径为2-3cm;所选用的铜合金由以下质量百分比的成分组成:镍含量在1.5%,铬含量在0.1%,硅含量在0.1%,铁元素在0.02,杂质含量总和为0.08%,余量为铜;所选铜合金的杂质低,制备的铜合金背板导电率高;
S2、真空熔铸:
将步骤S1中得到的铜合金块放入坩埚中,并将坩埚置于真空熔炉中,将真空熔炉的真空度抽至р=9Pa时,对真空熔炉进行升温,先将真空熔炉功率升至145KW,保温30min,功率升至295KW,保温30min,功率升至495KW保持30min,功率升至695KW,保温30min,这样加热的方式能增强所制备背板的硬度,待坩埚内原料熔化完全后将真空熔炉功率调至95KW,打开充氩气阀向真空熔炉中充入高纯氩气,氩气充入真空熔炉的速度为1m3/min,氩气的纯度为99.2%,氩气纯度高不容易使铜发生氧化,待真空熔炉内压力升至-0.08Mpa时,关闭充氩阀,将真空熔炉功率升至745KW,投入精炼剂,精炼60min,除气扒渣后将真空熔炉功率至295KW,并将熔体浇铸成正方体铸锭;所述精炼剂的由以下重量份的成分组成:氟化钙25份、氟钛酸钾15份、二氧化钛3份、稀土10份,精炼剂与熔体的质量比为1:138;
S3、锻造:
将步骤S2中得到的正方体铸锭装炉,装炉温度为755℃,保温温度900℃,保温2.0h后取出,对正方体铸锭的长宽高三面揉打,揉打的单次揉打变形量为40%,该锻造方法解决了常规单次变形量20%-30%的三墩三拔的锻造工艺出现的板料晶粒度大小分布不均匀,硬度不均匀,内部夹层,边缘位置夹渣等缺陷,始锻温度为880℃,终锻温度为700℃,终锻温度过低,造成所制备背板的硬度分布也不均匀,最终揉打成圆形板料;
S4、固溶:
将步骤S3得到的板料室温装炉,入炉后30min内从室温升温至850℃并保温60min,保温结束后在30s内投入循环的冷水中进行冷却,冷却至85℃以下后取出;
S5、冷轧:
将固溶后的板料放入辊轮式冷轧机中进行全方向的冷轧处理,冷轧单次变形量为5%,总变形量为50.0%,能有有效防止晶粒度破坏不均匀,硬度分布不均匀问题,得到冷轧后圆形板料;
S6、时效:
将步骤S6得到的冷轧后圆形板料室温入炉后30min内将炉内温度升至475℃并保温270min,保温结束后随炉冷却,得到时效处理后板料;
S7、车削:
将步骤S6得到的时效处理后板料进行车削处理,车削采用精车的方式进行车削,车削速度为1000r/min,车削速度快,背板表面粗糙度低,背板表面越光滑,得到真空溅射靶材用背板。
实施例2:
如图1所示,一种真空溅射靶材用高强度高导电铜合金背板的生产工艺,包括以下步骤:
S1、原料选配:
选择铜合金,并将所选铜合金进行低温破碎,低温破碎的温度为-35℃,破碎完成后得到铜合金块,破碎后铜合金块的粒径为2-3cm;所选用的铜合金由以下质量百分比的成分组成:镍含量在2.0%,铬含量在0.5%,硅含量在0.5%,铁元素在0.08%,杂质含量总为0.05%,余量为铜;所选铜合金的杂质低,制备的铜合金背板导电率高;
S2、真空熔铸:
将步骤S1中得到的铜合金块放入坩埚中,并将坩埚置于真空熔炉中,将真空熔炉的真空度抽至р=5Pa时,对真空熔炉进行升温,先将真空熔炉功率升至150KW,保温30min,功率升至300KW,保温30min,功率升至500KW保持30min,功率升至700KW,保温30min,这样加热的方式能增强所制备背板的硬度,待坩埚内原料熔化完全后将真空熔炉功率调至100KW,打开充氩气阀向真空熔炉中充入高纯氩气,氩气充入真空熔炉的速度为1.5m3/min,氩气的纯度为99.5%,氩气纯度高不容易使铜发生氧化,待真空熔炉内压力升至-0.08Mpa时,关闭充氩阀,将真空熔炉功率升至750KW,投入精炼剂,精炼60min,除气扒渣后将真空熔炉功率至300KW,并将熔体浇铸成正方体铸锭;所述精炼剂的由以下重量份的成分组成:氟化钙28份、氟钛酸钾25份、二氧化钛5份、稀土20份,精炼剂与熔体的质量比为1:138;
S3、锻造:
将步骤S2中得到的正方体铸锭装炉,装炉温度为820℃,保温温度940℃,保温2.5h后取出,对正方体铸锭的长宽高三面揉打,揉打的单次揉打变形量为43%,该锻造方法解决了常规单次变形量20%-30%的三墩三拔的锻造工艺出现的板料晶粒度大小分布不均匀,硬度不均匀,内部夹层,边缘位置夹渣等缺陷,始锻温度900℃,终锻温度655℃,终锻温度过低,造成所制备背板的硬度分布也不均匀,最终揉打成圆形板料;
S4、固溶:
将步骤S3得到的板料室温装炉,入炉后40min内从室温升温至880℃并保温80min,保温结束后在40s内投入循环的冷水中进行冷却,冷却至85℃以下后取出;
S5、冷轧:
将固溶后的板料放入辊轮式冷轧机中进行全方向的冷轧处理,冷轧单次变形量为7%,总变形量为56%,能有有效防止晶粒度破坏不均匀,硬度分布不均匀问题,得到冷轧后圆形板料;
S6、时效:
将步骤S6得到的冷轧后圆形板料室温入炉后35min内将炉内温度升至480℃并保温270min,保温结束后随炉冷却,得到时效处理后板料;
S7、车削:
将步骤S6得到的时效处理后板料进行车削处理,车削采用精车的方式进行车削,车削速度为1100r/min,车削速度快,背板表面粗糙度低,背板表面越光滑,得到真空溅射靶材用背板。
实施例3:
一种真空溅射靶材用高强度高导电铜合金背板的生产工艺,包括以下步骤:
S1、原料选配:
选择铜合金,并将所选铜合金进行低温破碎,低温破碎的温度为-40℃,破碎完成后得到铜合金块,破碎后铜合金块的粒径为2-3cm;所选用的铜合金由以下质量百分比的成分组成:镍含量在4.0%,铬含量在0.8%,硅含量在0.8%,铁元素在0.10%,杂质含量总和为0.09%,余量为铜;所选铜合金的杂质低,制备的铜合金背板导电率高;
S2、真空熔铸:
将步骤S1中得到的铜合金块放入坩埚中,并将坩埚置于真空熔炉中,将真空熔炉的真空度抽至р=8Pa时,对真空熔炉进行升温,先将真空熔炉功率升至155KW,保温30min,功率升至305KW,保温30min,功率升至505KW保持30min,功率升至705KW,保温30min,这样加热的方式能增强所制备背板的硬度,待坩埚内原料熔化完全后将真空熔炉功率调至105KW,打开充氩气阀向真空熔炉中充入高纯氩气,氩气充入真空熔炉的速度为2m3/min,氩气的纯度为99.5%,氩气纯度高不容易使铜发生氧化,待真空熔炉内压力升至-0.08Mpa时,关闭充氩阀,将真空熔炉功率升至755KW,投入精炼剂,精炼60min,除气扒渣后将真空熔炉功率至305KW,并将熔体浇铸成正方体铸锭;所述精炼剂的由以下重量份的成分组成:氟化钙40份、氟钛酸钾30份、二氧化钛8份、稀土30份,精炼剂与熔体的质量比为1:138;
S3、锻造:
将步骤S2中得到的正方体铸锭装炉,装炉温度850℃,保温温度960℃,保温2.5h后取出,对正方体铸锭的长宽高三面揉打,揉打的单次揉打变形量为45%,该锻造方法解决了常规单次变形量30%的三墩三拔的锻造工艺出现的板料晶粒度大小分布不均匀,硬度不均匀,内部夹层,边缘位置夹渣等缺陷,始锻温度900℃,终锻温度700℃,终锻温度过低,造成所制备背板的硬度分布也不均匀,最终揉打成圆形板料;
S4、固溶:
将步骤S3得到的板料室温装炉,入炉后50min内从室温升温至900℃并保温90min,保温结束后在50s内投入循环的冷水中进行冷却,冷却至85℃以下后取出;
S5、冷轧:
将固溶后的板料放入辊轮式冷轧机中进行全方向的冷轧处理,冷轧单次变形量为8%,总变形量为58.8%,能有有效防止晶粒度破坏不均匀,硬度分布不均匀问题,得到冷轧后圆形板料;
S6、时效:
将步骤S6得到的冷轧后圆形板料室温入炉后40min内将炉内温度升至485℃并保温270min,保温结束后随炉冷却,得到时效处理后板料;
S7、车削:
将步骤S6得到的时效处理后板料进行车削处理,车削采用精车的方式进行车削,车削速度为1200r/min,车削速度快,背板表面粗糙度低,背板表面越光滑,得到真空溅射靶材用背板。
对实施例1-实施例3所制备背板的晶粒度、电导率、硬度进行检测,结果如表一,对比施例1-实施例3所制备背板的晶粒度、电导率、硬度发现,实施例3的硬度、电导率、晶粒度最好,因此实施例3为最佳实施例。
表一:实施例1-实施例3所制备背板检测结果。
实施例4:
在实施例3的基础上,实施例4将步骤S1中的铜合金替换成符合金属粉末,复合金属粉末由以下质量百分比的成分组成:镍粉1.5%%,铬粉0.1%,硅粉0.1%,铁粉0.02%,余量为铜粉,镍粉粒度、铬粉、硅粉、铁粉、铜粉的粒度均≤40μm,各金属粉末的纯度≥99%;采用金属粉末替代步骤S1所制备的背板效果与采用铜合金的所制备的背板效果相同。
实施例5:
在实施例3的基础上,实施例4将步骤S1中的铜合金替换成符合金属粉末,复合金属粉末由以下质量百分比的成分组成:镍粉2.0%,铬粉0.5%,硅粉0.0.5%,铁粉在0.08%,余量为铜粉,镍粉、铬粉、硅粉、铁粉、铜粉的粒度≤40μm,各金属粉末的纯度≥99%;采用金属粉末替代步骤S1所制备的背板效果与采用铜合金的所制备的背板效果相同。
实施例6:
在实施例3的基础上,实施例4将步骤S1中的铜合金替换成符合金属粉末,复合金属粉末由以下质量百分比的成分组成:镍粉4.0%,铬粉0.8%,硅粉0.8%,铁粉0.10%,余量为铜粉,镍粉、铬粉、硅粉、铁粉、铜粉的粒度≤40μm,各金属粉末的纯度≥99%;采用金属粉末替代步骤S1所制备的背板效果与采用铜合金的所制备的背板效果相同。
对比实施例4-实施例6,实施例6的硬度、电导率、晶粒度最好,因此实施例3为最佳实施例。
实施例7:
在实施例3的基础上,实施例7对步骤S7得到后的真空溅射靶材进行表面处理,先采用目数为400目的砂纸打磨一遍,再采用800目砂纸打磨一遍,最后采用1000目的砂纸再打磨一遍,打磨完成后采用抛光布再进行抛光,抛光后表面粗糙度为Ra为0.1。
说明:打磨后的背板在实际应用中效果最高,耐磨性更强,增强与其他零件配合的稳定性,增强背板的疲劳强度。
如图2所示,图2中a图为常规工艺制备的背板在100μm的金相组织图,图2中b图为本发明工艺制备的背板在100μm的金相组织图,如图3所示,图3中c图为常规工艺的在10μm的金相组织图,图3中d图为本发明工艺制备的背板在10μm的金相组织图,经过图2中a图与b图之间的对比可以发现本发明所制备的背板表面组织更加均匀,经过图3中c图与d图之间的对比可以发现本发明所制备的背板晶粒度小,内部无夹层。

Claims (10)

1.一种真空溅射靶材用高强度高导电铜合金背板的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1、原料选配:
选择铜合金,并将所选铜合金进行低温破碎,低温破碎的温度为-30~-40℃,破碎完成后得到铜合金块,破碎后铜合金块的粒径为2-3cm;
S2、真空熔铸:
将步骤S1中得到的铜合金块放入坩埚中,并将坩埚置于真空熔炉中,将真空熔炉的真空度抽至р≤10Pa时,对真空熔炉进行升温,待坩埚内原料熔化完全后将真空熔炉功率调至100±5KW,打开充氩气阀向真空熔炉中充入高纯氩气,待真空熔炉内压力升至-0.08Mpa时,关闭充氩阀,将真空熔炉功率升至750±5KW,投入精炼剂,精炼60min,除气扒渣后将真空熔炉功率至300±5KW,并将熔体浇铸成正方体铸锭;所述精炼剂的由以下重量份的成分组成:氟化钙25-40份、氟钛酸钾15-30份、二氧化钛3-8份、稀土10-30份,精炼剂与熔体的质量比为1:138;
S3、锻造:
将步骤S2中得到的正方体铸锭装炉,装炉温度>750℃,保温温度900℃-960℃,保温2.0h-2.5h后取出,对正方体铸锭的长宽高三面揉打,最终揉打成圆形板料;
S4、固溶:
将步骤S3得到的板料室温装炉,入炉后30min-50min内从室温升温至850℃-900℃并保温60min-90min,保温结束后在30s-50s内投入循环的冷水中进行冷却,冷却至85℃以下后取出;
S5、冷轧:
将固溶后的板料放入辊轮式冷轧机中进行全方向的冷轧处理,得到冷轧后圆形板料;
S6、时效:
将步骤S6得到的冷轧后圆形板料室温入炉后30min-40min内将炉内温度升至475℃-485℃并保温270min,保温结束后随炉冷却,得到时效处理后板料;
S7、车削:
将步骤S6得到的时效处理后板料进行车削处理,得到真空溅射靶材用背板。
2.如权利要求1所述的一种真空溅射靶材用高强度高导电铜合金背板的生产工艺,其特征在于,步骤S1中所选用的铜合金由以下质量百分比的成分组成:镍含量在1.5%-4.0%,铬含量在0.1%-0.8%,硅含量在0.1%-0.8%,铁元素在0.02%-0.10%,余量为铜。
3.如权利要求1所述的一种真空溅射靶材用高强度高导电铜合金背板的生产工艺,其特征在于,步骤S2中所述氩气充入真空熔炉的速度为1-2m3/min,所述氩气的纯度≥99%。
4.如权利要求1所述的一种真空溅射靶材用高强度高导电铜合金背板的生产工艺,其特征在于,步骤S2中对真空熔炉进行升温的过程为:先将真空熔炉功率升至150±5KW,保温30min,功率升至300±5KW,保温30min,功率升至500±5KW保持30min,功率升至700±5KW,保温30min。
5.如权利要求1所述的一种真空溅射靶材用高强度高导电铜合金背板的生产工艺,其特征在于,步骤S3中对正方体铸锭进行揉打时,始锻温度>870℃,终锻温度>650℃。
6.如权利要求1所述的一种真空溅射靶材用高强度高导电铜合金背板的生产工艺,其特征在于,步骤S3中所述揉打的单次揉打变形量为40%-45%。
7.如权利要求1所述的一种真空溅射靶材用高强度高导电铜合金背板的生产工艺,其特征在于,步骤S5中冷轧单次变形量为5%-8%,总变形量为50.0%-58.8%。
8.如权利要求1所述的一种真空溅射靶材用高强度高导电铜合金背板的生产工艺,其特征在于,步骤S1中所述铜合金可通过复合金属粉末代替,所述复合金属粉末由以下质量百分比的成分组成:镍粉1.5%-4.0%,铬粉0.1%-0.8%,硅粉0.1%-0.8%,铁粉0.02%-0.10%,余量为铜粉,所述镍粉、铬粉、硅粉、铁粉、铜粉的粒度≤40μm,各金属粉末的纯度≥99%。
9.如权利要求1所述的一种真空溅射靶材用高强度高导电铜合金背板的生产工艺,其特征在于,步骤S7中所述车削采用精车的方式进行车削,车削速度为1000-1200r/min。
10.如权利要求1所述的一种真空溅射靶材用高强度高导电铜合金背板的生产工艺,其特征在于,步骤S7中所述车削采用精车的方式进行车削。
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