CN116544272A - 一种逆导型igbt器件及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种逆导型IGBT器件及其制备方法。该器件包括：元胞区、环绕元胞区的终端区以及至少部分环绕终端区的N型集电区；N型缓冲层；设置于N型缓冲层一侧的N型漂移层；设置于N型漂移层远离N型缓冲层一侧的N型发射极和N型集电极，N型发射极位于元胞区，N型集电极位于N型集电区；P型集电极，设置于N型缓冲层远离N型漂移层的一侧；导电结构连接于N型集电极和P型集电极之间，导电结构用于将N型集电极与P型集电极电连接，以实现逆导功能。本发明实施例的技术方案采用常规IGBT器件的制备工艺及设备，无需进行背面光刻工艺，有效降低了逆导型IGBT器件的工艺制造难度。

Description

一种逆导型IGBT器件及其制备方法
技术领域
本发明实施例涉及功率半导体技术领域，尤其涉及一种逆导型IGBT器件及其制备方法。
背景技术
逆导型绝缘栅双极型晶体管（RC-IGBT，以下简称逆导型IGBT）是一种将IGBT和二极管结构集成在同一芯片上的功率器件，该结构的逆导型IGBT器件可同时拥有正向导通和反向导通的能力，具有低损耗、良好的软关断特性、短路特性和功率循环特性。
然而，在传统的逆导型IGBT制备工艺中，需采用背面光刻工艺，在芯片背面选择性地进行离子注入，以形成重掺杂N型集电极和重掺杂P型集电极，其工艺制造难度较大，对晶圆制造工艺的能力要求高。
发明内容
本发明提供一种逆导型IGBT器件及其制备方法，以降低逆导型IGBT的工艺制造难度。
根据本发明的一方面，提供了一种逆导型IGBT器件，包括：
元胞区、环绕所述元胞区的终端区以及至少部分环绕所述终端区的N型集电区；
N型缓冲层；
设置于所述N型缓冲层一侧的N型漂移层；
设置于所述N型漂移层远离所述N型缓冲层一侧的N型发射极和N型集电极，所述N型发射极位于所述元胞区，所述N型集电极位于所述N型集电区；
P型集电极，设置于所述N型缓冲层远离所述N型漂移层的一侧；
导电结构，所述导电结构连接于所述N型集电极和所述P型集电极之间，所述导电结构用于将所述N型集电极与所述P型集电极电连接，以实现逆导功能。
可选地，所述导电结构包括：
第一导电部，位于所述N型漂移层远离所述N型缓冲层的一侧，所述第一导电部与所述N型集电极电连接；
第二导电部，位于所述P型集电极远离所述N型缓冲层的一侧，所述第二导电部与所述P型集电极连接；
第三导电部，连接于所述第一导电部和所述第二导电部之间，所述第三导电部位于所述N型漂移层远离所述元胞区的侧面。
可选地，所述N型集电极包括第一通孔，所述N型漂移层包括第二盲孔；
所述第一通孔与所述第二盲孔在所述N型漂移层的正投影交叠，所述第一通孔与所述第二盲孔连通，所述第一导电部设置于所述第一通孔和所述第二盲孔内。
可选地，所述第三导电部包括：第一走线部和第二走线部；
所述第一走线部在所述N型缓冲层的正投影至少部分覆盖所述第一导电部在所述N型缓冲层的正投影；
所述第二走线部沿所述N型缓冲层的厚度方向延伸至所述第二导电部，并与所述第二导电部电连接。
可选地，所述第一导电部在所述N型缓冲层的正投影至少部分环绕所述终端区；所述第二走线部至少部分环绕所述N型漂移层远离所述元胞区的侧面。
可选地，所述导电结构还包括：集电极金属层；
所述集电极金属层设置于所述P型集电极与所述第二导电部之间。
可选地，所述N型发射极和所述N型集电极同层设置。
可选地，该逆导型IGBT器件还包括：隔离氧化层；
所述隔离氧化层位于所述N型漂移层远离所述N型缓冲层的一侧，且所述隔离氧化层包括第三通孔；所述第三通孔与所述第一通孔在所述N型漂移层的正投影交叠，所述第三通孔与所述第一通孔连通，所述第一导电部设置于所述第三通孔内。
根据本发明的另一方面，提供了一种逆导型IGBT器件的制备方法，包括：
提供一N型漂移层；
在所述N型漂移层的一侧形成N型发射极和N型集电极；其中，所述N型发射极位于元胞区，所述N型集电极位于N型集电区；
在所述N型漂移层远离所述N型集电极的一侧形成N型缓冲层；
在所述N型缓冲层远离所述N型漂移层的一侧形成P型集电极；
在所述N型集电极和所述P型集电极之间形成导电结构，以将所述N型集电极与所述P型集电极电连接，实现逆导功能。
可选地，所述在所述N型集电极和所述P型集电极之间形成导电结构，包括：
在所述N型集电极和所述N型漂移层远离所述N型缓冲层的一侧，分别形成第一通孔和第二盲孔；其中，所述第一通孔与所述第二盲孔在所述N型漂移层的正投影交叠，且所述第一通孔与所述第二盲孔连通；
在所述第一通孔与所述第二盲孔内形成第一导电部；
在所述P型集电极远离所述N型缓冲层的一侧形成第二导电部；
在所述第一导电部和所述第二导电部之间形成第三导电部，以连接所述第一导电部和所述第二导电部；其中，所述第三导电部位于所述N型漂移层远离所述元胞区的侧面；
其中，所述导电结构包括：所述第一导电部、所述第二导电部和所述第三导电部。
本发明实施例的技术方案在N型缓冲层的一侧设置有N型漂移层，在N型缓冲层远离N型漂移层的一侧设置有P型集电极，并在N型漂移层远离N型缓冲层的一侧设置有N型发射极和N型集电极，其中，N型发射极位于元胞区，N型集电极位于N型集电区。通过在芯片外围设置的导电结构，将N型集电极与P型集电极连接，实现电连接，从而形成N型集电极与P型集电极同时存在且相互连接的逆导型IGBT器件，实现逆导功能。本发明实施例提供的逆导型IGBT器件结构，在制备过程中仅需采用常规IGBT器件的制备工艺以及设备，且在制备N型集电区时无需增加额外工序，无需采用背面光刻与离子注入等难度较大的工艺，有效降低了逆导型IGBT器件的工艺制造难度。
应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本发明实施例提供的一种逆导型IGBT器件的版图结构示意图；
图2是根据本发明实施例提供的一种逆导型IGBT器件沿A-A’方向的剖面结构示意图；
图3是根据本发明实施例提供的又一种逆导型IGBT器件的版图结构示意图；
图4是根据本发明实施例提供的又一种逆导型IGBT器件的剖面结构示意图；
图5是根据本发明实施例提供的又一种逆导型IGBT器件的版图结构示意图；
图6是根据本发明实施例提供的又一种逆导型IGBT器件的剖面结构示意图；
图7是根据本发明实施例提供的一种逆导型IGBT器件的制备方法的流程示意图；
图8是根据本发明实施例提供的一种逆导型IGBT器件的制备方法中各步骤对应的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
本发明实施例提供一种逆导型IGBT器件。图1为本发明实施例提供的一种逆导型IGBT器件的版图结构示意图，图2是本发明实施例提供的一种逆导型IGBT器件沿A-A’方向的剖面结构示意图。结合图1和图2，该逆导型IGBT器件包括：元胞区01、环绕元胞区01的终端区02以及至少部分环绕终端区02的N型集电区03；N型缓冲层10；设置于N型缓冲层10一侧的N型漂移层11；设置于N型漂移层11远离N型缓冲层10一侧的N型发射极12和N型集电极13，N型发射极12位于元胞区01，N型集电极13位于N型集电区03。该逆导型IGBT器件还包括：P型集电极14和导电结构15；P型集电极14设置于N型缓冲层10远离N型漂移层11的一侧；导电结构15连接于N型集电极13和P型集电极14之间，导电结构15用于将N型集电极13与P型集电极14电连接，以实现逆导功能。
其中，元胞区01和终端区02均为IGBT器件的常规结构。元胞区01包括多个IGBT元胞，以实现器件的功能。终端区02包括多个P型重掺杂分压环，以增加空穴的抽取路径，从而增加器件的可靠性，提高器件的耐压能力。N型集电区03为本实施例提供的器件结构中降低逆导型IGBT器件的制备工艺难度，实现逆导功能的主要部分。N型集电区03环绕终端区02外部的至少部分区域设置，即N型集电区03可以环绕终端区02的一周设置，也可以仅环绕终端区02的其中部分边缘设置，在此不作限制。示例性地，图1示出了N型集电区03环绕终端区02外部一周设置的情况。此外，图3是本发明实施例提供的又一种逆导型IGBT器件的版图结构示意图。示例性地，参见图1，N型集电区03在终端区02的外围可以连续排布，或者，参见图3，N型集电区03在终端区02的外围也可以间歇排布，在此不作限制。优选地，N型集电区03环绕终端区02外部一周连续排布设置，可有效减小电阻，使逆导型IGBT器件具有良好的电性能。
示例性地，沿图1中的A-A’方向进行剖切，即得到如图2所示的逆导型IGBT器件的剖面结构示意图。参见图2，在该逆导型IGBT器件中的N型缓冲层10远离N型漂移层11的一侧设置有P型集电极14，在N型漂移层11远离N型缓冲层10的一侧设置有N型发射极12和N型集电极13。其中，N型发射极12和N型集电极13同层设置，且N型发射极12位于元胞区01，N型集电极13位于N型集电区03，从而在逆导型IGBT器件的制备过程中，N型集电极13和N型发射极12可采用相同的制备工艺在同一步制备工序中制备得到，相比于常规IGBT器件，在不增加工序的情况下即可形成N型集电极13。对于设置于N型漂移层11远离N型缓冲层10一侧的N型集电极13和N型缓冲层10远离N型漂移层11一侧的P型集电极14，通过设置导电结构15，从芯片外围将N型集电极13和P型集电极14连接，使两者实现电连接，从而可得到P型集电极14与N型集电极13同时存在并连接的IGBT器件结构，实现逆导功能，形成逆导型IGBT器件。本实施例提供的逆导型IGBT器件结构相比于传统的逆导型IGBT器件结构，仅需采用常规的工艺和设备，而无需采用背面光刻与离子注入等难度较大的工艺，即可实现逆导功能，有效降低了逆导型IGBT器件的工艺制造难度。
本实施例的技术方案在N型缓冲层10的一侧设置有N型漂移层11，在N型缓冲层10远离N型漂移层11的一侧设置有P型集电极14，并在N型漂移层11远离N型缓冲层10的一侧设置有N型发射极12和N型集电极13，其中，N型发射极12位于元胞区01，N型集电极13位于N型集电区03。通过在芯片外围设置的导电结构15，将N型集电极13与P型集电极14连接，实现电连接，从而形成N型集电极13与P型集电极14同时存在且相互连接的逆导型IGBT器件，实现逆导功能。本实施例提供的逆导型IGBT器件结构，在制备过程中仅需采用常规IGBT器件的制备工艺以及设备，且在制备N型集电区03时无需增加额外工序，无需采用背面光刻与离子注入等难度较大的工艺，有效降低了逆导型IGBT器件的工艺制造难度。
可选地，图4是本发明实施例提供的又一种逆导型IGBT器件的剖面结构示意图。在上述实施例的基础上，如图4所示，导电结构15包括：第一导电部151，位于N型漂移层11远离N型缓冲层10的一侧，第一导电部151与N型集电极13电连接；第二导电部152，位于P型集电极14远离N型缓冲层10的一侧，第二导电部152与P型集电极14连接；第三导电部153，连接于第一导电部151和第二导电部152之间，第三导电部153位于N型漂移层11远离元胞区01的侧面。
其中，N型集电极13包括第一通孔，N型漂移层11包括第二盲孔；第一通孔与第二盲孔在N型漂移层11的正投影交叠，第一通孔与第二盲孔连通，第一导电部151设置于第一通孔和第二盲孔内。
具体地，N型集电极13和N型漂移层11在垂直投影方向上的同一位置设置有开孔。其中，N型集电极13上的开孔为贯穿的第一通孔，N型漂移层11上的开孔为未贯穿的第二盲孔。第一通孔和第二盲孔的宽度尺寸相同，在N型漂移层11的正投影完全交叠，相当于连通为一个开孔。第一导电部151通过填充于第一通孔和第二盲孔中，与N型集电极13实现电连接。示例性地，图5是本发明实施例提供的又一种逆导型IGBT器件的版图结构示意图。参见图4和图5，第一导电部151可以包括引线孔1511，即为第一通孔和第二盲孔形成的连通开孔。通过在引线孔1511中填充金属材料，从而实现第一导电部151与N型集电极13电连接。为便于第一导电部151与其他导电结构15连接，如图4所示，在引线孔1511远离N型集电极13的一侧还设置有金属层1512。金属层1512的宽度尺寸大于引线孔1511的宽度尺寸，因此，金属层1512相比于引线孔1511，可增大与其他导电结构15的接触面积，从而使N型集电极13与P型集电极14之间具有良好的接触。而N型集电极13的宽度尺寸仅需满足大于第一通孔的宽度尺寸即可，以实现在N型集电极13设置第一通孔并填充金属材料，与P型集电极14远离N型缓冲层10一侧设置的第二导电部152实现电连接。若N型集电极13的宽度尺寸设置过大，则会增加芯片的面积，不利于芯片趋于小型化。
可选地，导电结构15还包括：集电极金属层154。集电极金属层154设置于P型集电极14与第二导电部152之间。通过设置集电极金属层154，可使P型集电极14通过集电极金属层154与第二导电部152电连接，进而实现P型集电极14与N型集电极13通过导电结构15电连接。示例性地，第一导电部151采用的金属材料与发射极采用的金属材料相同，例如：可以是钛、氮化钛、钨和铝等金属材料中的任意一种，在此不作限制。
第三导电部153设置于N型漂移层11远离元胞区01的侧面，即围绕芯片周围设置。第三导电部153连接第一导电部151和第二导电部152，从而使N型集电极13和P型集电极14通过第一导电部151、第三导电部153和第二导电部152实现电连接。示例性地，第二导电部152和第三导电部153的材料可以是对芯片进行封装时采用的封装焊料，例如：焊锡等导电材料，在此不作限制。因此，可在将芯片封装固定于封装框架底座时，通过涂抹焊料形成第二导电部152和第三导电部153，使第一导电部151与集电极金属层154连接，从而使N型集电极13和P型集电极14实现电连接，满足逆导功能，形成逆导型IGBT器件。
可选地，在上述各实施例的基础上，继续参见图4，第三导电部153包括：第一走线部1531和第二走线部1532；第一走线部1531在N型缓冲层10的正投影至少部分覆盖第一导电部151在N型缓冲层10的正投影；第二走线部1532沿N型缓冲层10的厚度方向延伸至第二导电部152，并与第二导电部152电连接。
具体地，第一走线部1531的延伸方向与N型缓冲层10的延伸方向相同，且第一走线部1531在N型缓冲层10的正投影覆盖第一导电部151在N型缓冲层10的正投影的部分面积，即第一走线部1531和第一导电部151在N型缓冲层10的正投影存在部分交叠。若交叠面积越大，则第一导电部151与第一走线部1531的接触越好；而交叠面积越小，则第一导电部151与第一走线部1531的接触较差，可能导致N型集电极13和P型集电极14之间的电连接效果较差，从而影响逆导型IGBT器件的逆导功能的发挥。示例性地，继续参见图3，第一导电部151在N型缓冲层10的正投影至少部分环绕终端区02。也就是说，对于N型集电区03部分围绕终端区02的情况，在设置有N型集电区03的区域，环绕终端区02设置有第一导电部151；而在未设置有N型集电区03的区域，环绕终端区02的位置未设置第一导电部151。第二走线部1532沿N型漂移层11的厚度方向延伸，环绕N型漂移层11远离元胞区01的侧面设置，即第二走线部1532将芯片侧面完全包裹，使第一走线部1531与第二导电部152电连接。
可选地，在上述各实施例的基础上，继续参见图4，该逆导型IGBT器件还包括：隔离氧化层16。
隔离氧化层16位于N型漂移层11远离N型缓冲层10的一侧，且隔离氧化层16包括第三通孔；第三通孔与第一通孔在N型漂移层11的正投影交叠，第三通孔与第一通孔连通，第一导电部151设置于第三通孔内。
具体地，隔离氧化层16设置于N型集电极13与第一导电部151中的金属层1512之间，用于将N型集电极13与第一导电部151之间绝缘。示例性地，隔离氧化层16所用的材料可以是绝缘性的氧化物材料，例如：氧化硅等。隔离氧化层16设置有第三通孔，与第一通孔连通，从而可使金属材料填充于第三通孔，形成第一导电部151，使N型集电极13通过第一导电部151与第三导电部153电连接。
一个可实现的实施例，图6是本发明实施例提供的又一种逆导型IGBT器件的剖面结构示意图。如图6所示，该逆导型IGBT器件中包括元胞区01、环绕元胞区01的终端区02和至少部分环绕终端区02的N型集电区03。在逆导型IGBT器件中还包括N型缓冲层10、设置于N型缓冲层10一侧的N型漂移层11、以及设置于N型缓冲层10远离N型漂移层11一侧的P型集电极14，在N型漂移层11远离N型缓冲层10的一侧设置有N型发射极12和N型集电极13，在N型漂移层11远离N型缓冲层10的一侧设置有隔离氧化层16。在N型集电区03中，隔离氧化层16设置有第三通孔，N型集电极13设置有第一通孔，N型漂移层11设置有第二盲孔，且第三通孔、第一通孔和第二盲孔连通，在N型漂移层11上的正投影完全重叠，形成引线孔1511。在引线孔1511内设置有第一导电部151，在P型集电极14远离N型缓冲层10的一侧设置有集电极金属层154，在集电极金属层154与第一导电部151之间设置有第二导电部152和第三导电部153，从而将N型集电极13与P型集电极14电连接，实现逆导功能，形成逆导型IGBT器件。此外，在终端区02的区域，N型漂移层11远离N型缓冲层10的一侧设置有多个间隔排布的分压环20，各分压环20均为同心圆环，且均环绕元胞区01设置，以提高逆导型IGBT器件的耐压能力。在元胞区01的区域，在N型发射极12靠近N型漂移层11的一侧设置有P型沟道层21，且N型发射极12设置有第四通孔，P型沟道层21设置有第五通孔，N型漂移层11还设置有第六盲孔。在第四通孔、第五通孔和第六盲孔中设置有栅极材料，从而形成沟槽型栅极结构22。
本发明实施例还提供一种逆导型IGBT器件的制备方法。图7是本发明实施例提供的一种逆导型IGBT器件的制备方法的流程示意图，图8是本发明实施例提供的一种逆导型IGBT器件的制备方法中各步骤对应的结构示意图。如图7和图8所示，该逆导型IGBT器件的制备方法包括：
S110、提供一N型漂移层11。
示例性地，以N型漂移层11作为逆导型IGBT器件的衬底，在N型漂移层11的一侧形成有分压环20、P型沟道层21以及沟槽型栅极结构22。其中，分压环20位于终端区02，P型沟道层21和沟槽型栅极结构22位于元胞区01。
S120、在N型漂移层11的一侧形成N型发射极12和N型集电极13；其中，N型发射极12位于元胞区01，N型集电极13位于N型集电区03。
具体地，在N型漂移层的一侧，采用离子注入工艺在元胞区和N型集电区将N型重掺杂离子注入N型漂移层表面，之后通过扩散工艺将表面的N型重掺杂离子扩散至N型漂移层内部，从而同时形成一定厚度的N型发射极和N型集电极。
S130、在N型漂移层11远离N型集电极13的一侧形成N型缓冲层10。
具体地，在N型漂移层远离N型集电极的一侧，采用离子注入工艺向N型漂移层注入N型掺杂离子，形成具有一定厚度的N型缓冲层。
S140、在N型缓冲层10远离N型漂移层11的一侧形成P型集电极14。
具体地，在N型缓冲层远离N型漂移层的一侧，通过离子注入工艺向N型缓冲层注入P型离子，形成P型集电极。
S150、在N型集电极13和P型集电极14之间形成导电结构15，以将N型集电极13与P型集电极14电连接，实现逆导功能。
具体地，在N型集电极和P型集电极之间采用金属材料形成导电结构，使N型集电极和P型集电极实现电连接，从而实现逆导功能，形成逆导型IGBT器件。
本发明实施例提供的逆导型IGBT器件的制备方法，通过在N型漂移层远离N型缓冲层的一侧，采用离子注入与扩散的方式，可在一步工序中同时形成N型发射极和N型集电极。在N型漂移层远离N型集电极的一侧形成N型缓冲层和P型集电极，并在N型集电极和P型集电极之间形成导电结构，使N型集电极与P型集电极电连接，从而无需采用传统的背面光刻工艺即可实现逆导功能，形成逆导型IGBT器件，有效降低了逆导型IGBT器件的工艺制造难度。
可选地，在上述各实施例的基础上，在N型集电极和P型集电极之间形成导电结构，包括：
S1501、在N型集电极和N型漂移层远离N型缓冲层的一侧，分别形成第一通孔和第二盲孔；其中，第一通孔与第二盲孔在N型漂移层的正投影交叠，且第一通孔与第二盲孔连通。
具体地，采用曝光与显影工艺，对N型集电极和N型漂移层进行图案化，从而形成在N型漂移层的正投影交叠的第一通孔和第二盲孔。
S1502、在第一通孔与第二盲孔内形成第一导电部。
具体地，在第一通孔和第二盲孔内部填充金属材料，从而形成第一导电部。
S1503、在P型集电极远离N型缓冲层的一侧形成第二导电部。
具体地，在P型集电极远离N型缓冲层的一侧，即芯片的背面，涂布焊料，形成第二导电部，并通过焊料将芯片固定于封装框架底座上。
S1504、在第一导电部和第二导电部之间形成第三导电部，以连接第一导电部和第二导电部；其中，第三导电部位于N型漂移层远离元胞区的侧面；其中，导电结构包括：第一导电部、第二导电部和第三导电部。
具体地，在N型漂移层远离元胞区的侧面涂布焊料，使焊料完全覆盖芯片的侧面，且与第一导电部以及第二导电部连接，形成第三导电部，从而使N型集电极与P型集电极电连接，实现逆导功能。
上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。

Claims (10)

1.一种逆导型IGBT器件，其特征在于，包括：
元胞区、环绕所述元胞区的终端区以及至少部分环绕所述终端区的N型集电区；
N型缓冲层；
设置于所述N型缓冲层一侧的N型漂移层；
设置于所述N型漂移层远离所述N型缓冲层一侧的N型发射极和N型集电极，所述N型发射极位于所述元胞区，所述N型集电极位于所述N型集电区；
P型集电极，设置于所述N型缓冲层远离所述N型漂移层的一侧；
导电结构，所述导电结构连接于所述N型集电极和所述P型集电极之间，所述导电结构用于将所述N型集电极与所述P型集电极电连接，以实现逆导功能。
2.根据权利要求1所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述导电结构包括：
第一导电部，位于所述N型漂移层远离所述N型缓冲层的一侧，所述第一导电部与所述N型集电极电连接；
第二导电部，位于所述P型集电极远离所述N型缓冲层的一侧，所述第二导电部与所述P型集电极连接；
第三导电部，连接于所述第一导电部和所述第二导电部之间，所述第三导电部位于所述N型漂移层远离所述元胞区的侧面。
3.根据权利要求2所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述N型集电极包括第一通孔，所述N型漂移层包括第二盲孔；
所述第一通孔与所述第二盲孔在所述N型漂移层的正投影交叠，所述第一通孔与所述第二盲孔连通，所述第一导电部设置于所述第一通孔和所述第二盲孔内。
4.根据权利要求2所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述第三导电部包括：第一走线部和第二走线部；
所述第一走线部在所述N型缓冲层的正投影至少部分覆盖所述第一导电部在所述N型缓冲层的正投影；
所述第二走线部沿所述N型缓冲层的厚度方向延伸至所述第二导电部，并与所述第二导电部电连接。
5.根据权利要求4所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述第一导电部在所述N型缓冲层的正投影至少部分环绕所述终端区；所述第二走线部至少部分环绕所述N型漂移层远离所述元胞区的侧面。
6.根据权利要求2所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述导电结构还包括：集电极金属层；
所述集电极金属层设置于所述P型集电极与所述第二导电部之间。
7.根据权利要求1所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，所述N型发射极和所述N型集电极同层设置。
8.根据权利要求3所述的逆导型IGBT器件，其特征在于，还包括：隔离氧化层；
所述隔离氧化层位于所述N型漂移层远离所述N型缓冲层的一侧，且所述隔离氧化层包括第三通孔；所述第三通孔与所述第一通孔在所述N型漂移层的正投影交叠，所述第三通孔与所述第一通孔连通，所述第一导电部设置于所述第三通孔内。
9.一种逆导型IGBT器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供一N型漂移层；
在所述N型漂移层的一侧形成N型发射极和N型集电极；其中，所述N型发射极位于元胞区，所述N型集电极位于N型集电区；
在所述N型漂移层远离所述N型集电极的一侧形成N型缓冲层；
在所述N型缓冲层远离所述N型漂移层的一侧形成P型集电极；
在所述N型集电极和所述P型集电极之间形成导电结构，以将所述N型集电极与所述P型集电极电连接，实现逆导功能。
10.根据权利要求9所述的逆导型IGBT器件的制备方法，其特征在于，所述在所述N型集电极和所述P型集电极之间形成导电结构，包括：
在所述N型集电极和所述N型漂移层远离所述N型缓冲层的一侧，分别形成第一通孔和第二盲孔；其中，所述第一通孔与所述第二盲孔在所述N型漂移层的正投影交叠，且所述第一通孔与所述第二盲孔连通；
在所述第一通孔与所述第二盲孔内形成第一导电部；
在所述P型集电极远离所述N型缓冲层的一侧形成第二导电部；
在所述第一导电部和所述第二导电部之间形成第三导电部，以连接所述第一导电部和所述第二导电部；其中，所述第三导电部位于所述N型漂移层远离所述元胞区的侧面；
其中，所述导电结构包括：所述第一导电部、所述第二导电部和所述第三导电部。
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