CN116496109B - 一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层及其制备方法，属于涂层技术领域。为解决传统环境障涂层Si粘结层与面层间的热生成氧化物对涂层的破坏作用，在原有基础上，在Si基层内部掺入了能够呈现片层串珠状分布的缓释稳定剂颗粒，该缓释稳定剂颗粒近球形，呈串珠状分布在涂层内部，使用等离子喷涂或火焰喷涂等热喷涂方式制备，经过低压环境下的真空或者惰性气氛热处理，使喷涂态涂层中A2O3缓释稳定剂膜将团聚转变为不连续分布的A2O3缓释稳定剂颗粒。该涂层中的缓释稳定剂可以有效减少TGO对涂层的破坏作用，延长涂层的服役寿命。
Description
技术领域
本发明属于涂层技术领域，具体涉及一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层及其制备方法。
背景技术
环境障涂层(EBCs)被用在SiC或SiN基的陶瓷基复合材料(CMC)表面，用于保护CMC在高温环境下免受水氧腐蚀。为了达到较好的防护效果，目前的环境障涂层为多层结构，可分为粘结层、中间层和面层。环境障涂层的粘结层和中间层多为Si粘结层，其熔点为1410℃，具有与基体相近的热膨胀系数(CTE)，既能提高环境障涂层的面层和基体的结合力，也能作为牺牲层在一定程度上延长基体的循环寿命。
实际服役过程中，Si粘结层往往由于氧的渗透发生氧化，在粘结层与中间层形成热生成氧化物(TGO)，导致涂层开裂失效，因而减慢TGO的生长速率或者抑制TGO在220℃时的相变，可以减少TGO带来的热应力和相变应力带来的损害作用。在高温富氧环境中，氧气的渗透优先通过晶界进行，而TGO本身无阻氧能力。因此，需要开发一种具有阻碍TGO生长速率和其相变的粘结层，进一步提高环境障涂层的服役寿命。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层及其制备方法，解决现有环境障涂层的服役寿命短的问题。
为了达到上述目的，本发明采用以下技术方案予以实现：
本发明公开了一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层，其特征在于，Si基粘结层的主体为Si基层，Si基层内部分布有若干条缓释稳定剂颗粒串珠；
其中，所述缓释稳定剂为Al、Y、Fe、Co或Ce，缓释稳定剂颗粒占Si基粘结层质量分数的10％～35％。
优选地，在Si基粘结层中，缓释稳定剂颗粒的形态为近球形，长宽比为1～5，尺寸为0.05～1.5μm，相邻缓释稳定剂颗粒串珠之间的位置为Si基层，整个Si基粘结层致密度在95％以上。
优选地，单条缓释稳定剂串珠呈长条形或者椭圆形，长度在10～1000μm之间。
优选地，Si基粘结层的厚度为20～1000μm。
本发明还公开了一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层的制备方法，对SiC基或SiN基的CMC表面进行预热，将含有缓释稳定剂的Si基合金粉末喷涂于SiC基或SiN基的CMC表面，得到Si基粘结层；再对Si基粘结层进行热处理，得到网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层。
优选地，在预热之前，还要对SiC基或SiN基的CMC进行表面预净化处理和粗化处理。
进一步优选地，预净化处理为除油脂、油漆或氧化皮的方法，包括酸碱溶液清洗、超声波清洗、火焰清除以及手工工具清除法。
优选地，粗化处理的方法为喷砂或机械加工处理。
优选地，表面粗化处理后的涂层表面粗糙度为0.8～12.5μm。
优选地，预热采用喷涂火焰烘烤、激光加热或放置在加热炉中加热。
进一步优选地，预热温度为800～1200℃。
优选地，所述含有缓释稳定剂的Si基合金粉末的制备方法为：将Si粉和缓释稳定剂粉混合，加热至1600～2000℃后，超声均匀化处理45～75min，再采用熔融雾化法在0.3～0.5MPa的气体压力下制备得到粉末，筛分整形，得到含有缓释稳定剂的Si基合金粉末。
优选地，所述含有缓释稳定剂的Si基合金粉末的粒径为5～135μm。
优选地，喷涂采用热喷涂法，所述热喷涂法为大气等离子喷涂、低压等离子喷涂、真空等离子喷涂、火焰喷涂或超音速火焰喷涂。
优选地，喷涂电流为700～750A，主气流量为45～55L/min；喷涂距离为50～60cm，所述喷涂距离为喷涂设备前端口与目标基材表面之间的距离；喷涂时环境中的氧分压为10ppm～20ppm。
优选地，热处理为在低氧分压环境下进行热处理，包括真空热处理或惰性气氛保护热处理。
进一步优选地，热处理温度为500～1200℃，热处理时间为2～24小时，热处理时环境中的氧含量为10-8～10-1Pa或氧分压为0.01～100ppm。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明提供的一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层，在Si基层中分布有缓释稳定剂金属颗粒，掺杂的缓释稳定剂金属元素的氧活泼型高于Si，有利于热处理之后得到缓释稳定剂颗粒串珠；串珠状离散分布的缓释稳定剂颗粒和Si基合金相二者能够协同作用，及时消耗服役过程中产生的SiO2，起到更好的抗裂作用和稳定效果；同时，该结构的Si基相也发生了致密化，阻断了氧传输通道，而Si基相中也有稳定剂金属元素，能够起到更好的阻氧、阻水蒸气的作用，解决现有环境障涂层的服役寿命短的问题，从而应用于SiC或SiN基的陶瓷基复合材料中。
本发明提供的一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层的制备方法，喷涂前对待喷涂表面进行预热，能够控制整个涂层致密度在95％以上。通过在Si基环境障粘结层里面引入合金元素，进行合金化处理，可以抑制SiO2在220℃时的相变问题。在热处理过程中，由于掺杂的元素的氧活泼型高于Si，Si基粘结层以金属氧化物为主，片层处只析出稳定剂金属元素的氧化物，热处理可以使金属氧化膜发生断裂、球化，形成串珠状结构，同时基相为含有金属的Si基合金层，能够使制得的Si基粘结层稳定不易失效。
附图说明
图1为本发明的网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
下面结合附图对本发明做进一步详细描述：
本发明提供的一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层，参见图1，Si基粘结层的主体为Si基层，Si基层内部分布有若干条缓释稳定剂颗粒串珠；
其中，所述缓释稳定剂为Al、Y、Fe、Co或Ce；在Si基粘结层中，缓释稳定剂颗粒的形态为近球形，长宽比为1～5，尺寸为0.05～1.5μm，缓释稳定剂颗粒占Si基粘结层质量分数的10％～35％，单条缓释稳定剂串珠呈长条形或者椭圆形，长度在10～1000μm之间，相邻缓释稳定剂颗粒串珠之间的位置为Si基层，整个Si基粘结层致密度在95％以上。
本发明提供的一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层的制备方法，步骤如下：
1)预净化处理
对SiC基或SiN基的CMC通过除油脂、油漆或氧化皮的方法，包括酸碱溶液清洗、超声波清洗、火焰清除以及手工工具清除法进行表面预净化处理。
2)粗化处理
对步骤1)预净化处理之后的SiC基或SiN基的CMC采用喷砂或机械加工处理，表面粗化处理后的涂层表面粗糙度为0.8～12.5μm。
3)预热处理
对步骤2)粗化处理后的SiC基或SiN基的CMC采用喷涂火焰烘烤、激光加热或放置在加热炉中进行预热处理，预热温度为800～1200℃。
4)喷涂涂层
将粒径为5～135μm，含有缓释稳定剂的Si基合金粉末采用大气等离子喷涂、低压等离子喷涂、真空等离子喷涂、火焰喷涂或超音速火焰喷涂于SiC基或SiN基的CMC表面，喷涂电流为700～750A，主气流量为45～55L/min；喷涂距离为50～60cm，所述喷涂距离为喷涂设备前端口与目标基材表面之间的距离；喷涂时环境中的氧分压为10ppm～20ppm，得到Si基粘结层，熔融或者半熔喷涂粒子中的金属与氧气发生反应，生成一层厚度5nm的A2O3为主的膜；
其中，所述含有缓释稳定剂的Si基合金粉末包括Si粉和摩尔数为Si粉摩尔数的10％～35％的缓释稳定剂粉，所述缓释稳定剂为Al、Y、Fe、Co或Ce。含有缓释稳定剂的Si基合金粉末的制备方法为：将Si粉和缓释稳定剂粉混合，加热至1600～2000℃后，超声均匀化处理45～75min，再采用熔融雾化法在0.3～0.5MPa的气体压力下制备得到粉末，筛分整形，得到含有缓释稳定剂的Si基合金粉末。
5)二次热处理
对步骤4)得到的Si基粘结层采用真空热处理或惰性气氛保护进行热处理，热处理的温度为500～1200℃，热处理时间为2～4小时，热处理时环境中的氧含量为10-8～10-1Pa或氧分压为0.01％～21％，得到网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层，Si基粘结层中的氧质量分数在0.1％～10％之间。
实施例1
以SiC基的CMC为基体，制备一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层，工艺如下：
步骤一、工件表面预净化。对SiC基的CMC基体进行表面预净化处理，以去除工件表面的油脂、油漆、氧化皮等污垢。进行表面预净化处理时，选用常温的3mol/L的NaOH溶液浸泡30min，再用去离子水反复冲洗三遍，再在150℃环境中烘干表面，工件表面预净化处理后油脂、油漆、氧化皮等污垢残余量的面积占比分数为0.01左右。
步骤二、工件表面粗化。对预净化处理之后的SiC基的CMC基体进行表面粗化处理，以增大涂层与基体的机械咬合力，从而提高涂层的结合强度。粗化处理选用喷砂工艺，喷砂时间1h。表面粗化处理后的涂层表面粗糙度Ra(μm)值在12.5左右。
步骤三、工件预热。加热粗化处理之后的SiC基的CMC基体，以消除工件表面的水分，提高涂层与基体界面处的温度，减少基体与涂层材料之间的残余应力，从而改善涂层与基体之间的结合强度。预热使用喷涂火焰烘烤，严格控制工件与火焰间距，使工件的预热温度在800℃左右。
步骤四、喷涂涂层。将粒径为5～135μm，含有Al的Si基合金粉末采用真空等离子喷涂于预热之后的SiC基的CMC基体表面，得到Si基粘结层。喷涂电流为700A，主气流量为45L/min；喷涂距离为50cm。喷涂时环境中的氧分压选择10ppm，以促使熔融或者半熔喷涂粒子中的金属与氧气发生反应，生成一层厚度为5nm的Al2O3为主的膜；
其中，所述含有Al的Si基合金粉末的制备方法为：将Si粉和Al粉混合，加热至1600℃后，超声均匀化处理45min，再采用熔融雾化法在0.3MPa的气体压力下制备得到粉末，筛分整形，得到含有Al的Si基合金粉末。
步骤五、涂层热处理。对步骤四得到的Si基粘结层进行低氧分压环境下的真空热处理，热处理温度为500℃，热处理时间2h，热处理时环境中的氧含量为10-8Pa。在此条件下热处理会促使喷涂态涂层中Al2O3膜将团聚转变为不连续分布的Al2O3颗粒。
基于以上工艺，制备出一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层，通过扫描电子显微镜观察得到的Si基粘结层，发现在Si基粘结层中，缓释稳定剂颗粒形态为近球形，长宽比为1～5，尺寸为0.05～1.5μm，缓释稳定剂颗粒分布在Si基粘结层内部。单个稳定剂串珠呈长条形或者椭圆形，长度在10～1000μm之间，相邻缓释稳定剂串珠之间的位置为Si基层。整个Si基粘结层的平均厚度为20～1000μm，致密度在95％以上。
实施例2
以SiC基的CMC为基体，制备一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层，工艺如下：
步骤一、工件表面预净化。对SiC基的CMC基体进行表面预净化处理，以去除工件表面的油脂、油漆、氧化皮等污垢。进行表面预净化处理时，选用常温的4mol/L的NaOH溶液浸泡35min，再用去离子水反复冲洗三遍，再在160℃环境中烘干表面，工件表面预净化处理后油脂、油漆、氧化皮等污垢残余量的面积占比分数为0.008左右。
步骤二、工件表面粗化。对预净化处理之后的SiC基的CMC基体进行表面粗化处理，以增大涂层与基体的机械咬合力，从而提高涂层的结合强度。粗化处理选用喷砂工艺，喷砂时间1.2h。表面粗化处理后的涂层表面粗糙度Ra(μm)值在10左右。
步骤三、工件预热。加热粗化处理之后的SiC基的CMC基体，以消除工件表面的水分，提高涂层与基体界面处的温度，减少基体与涂层材料之间的残余应力从而改善涂层与基体之间的结合强度。预热使用喷涂火焰烘烤，严格控制工件与火焰间距，使工件的预热温度在900℃左右。
步骤四、喷涂涂层。将粒径为5～135μm，含有Y的Si基合金粉末混合，采用真空等离子喷涂于预热之后的SiC基的CMC基体表面，得到Si粘结层。喷涂电流为710A，主气流量为48L/min；喷涂距离为52cm。喷涂时环境中的氧分压选择12ppm，以促使熔融或者半熔喷涂粒子中的金属与氧气发生反应，生成一层厚度为5nm的Y2O3为主的膜；
其中，所述含有Y的Si基合金粉末的制备方法为：将Si粉和Y粉混合，加热至1800℃后，超声均匀化处理45min，再采用熔融雾化法在0.4MPa的气体压力下制备得到粉末，筛分整形，得到含有Y的Si基合金粉末。
步骤五、涂层热处理。对步骤四得到的Si基粘结层进行低氧分压环境下的真空热处理，热处理温度为600℃，热处理时间2.5h，热处理时环境中的氧含量为2×10-8Pa。在此条件下热处理会促使喷涂态涂层中Y2O3膜将团聚转变为不连续分布的Y2O3颗粒。
基于以上工艺，制备出种一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层。
实施例3
以SiN基的CMC为基体，制备一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层，工艺如下：
步骤一、工件表面预净化。对SiN基的CMC基体进行表面预净化处理，以去除工件表面的油脂、油漆、氧化皮等污垢。进行表面预净化处理时，选用常温的5mol/L的NaOH溶液浸泡40min，再用去离子水反复冲洗三遍，再在170℃环境中烘干表面，工件表面预净化处理后油脂、油漆、氧化皮等污垢残余量的面积占比分数为0.005左右。
步骤二、工件表面粗化。对预净化处理之后的SiN基的CMC基体进行表面粗化处理，以增大涂层与基体的机械咬合力，从而提高涂层的结合强度，粗化处理选用喷砂工艺，喷砂时间1.5h。表面粗化处理后的涂层表面粗糙度Ra(μm)值在8.5左右。
步骤三、工件预热。加热粗化处理之后的SiN基的CMC基体，以消除工件表面的水分，提高涂层与基体界面处的温度，减少基体与涂层材料之间的残余应力，从而改善涂层与基体之间的结合强度。预热使用喷涂火焰烘烤，严格控制工件与火焰间距，使工件的预热温度在1000℃左右。
步骤四、喷涂涂层。将粒径为5～135μm，含有Fe的Si基合金粉末采用真空等离子喷涂于预热之后的SiN基的CMC基体表面，得到Si基粘结层。喷涂电流为720A，主气流量为50L/min；喷涂距离为55cm。喷涂时环境中的氧分压选择15ppm，以促使熔融或者半熔喷涂粒子中的金属与氧气发生反应生成一层厚度为5nm的Fe2O3为主的膜；
其中，所述含有Fe的Si基合金粉末的制备方法为：将Si粉和Fe粉混合，加热至2000℃后，超声均匀化处理50min，再采用熔融雾化法在0.5MPa的气体压力下制备得到粉末，筛分整形，得到含有Fe的Si基合金粉末。
步骤五、涂层热处理。对步骤四得到的Si基粘结层进行低氧分压环境下的真空热处理，热处理温度为700℃，热处理时间3h，热处理时环境中的氧含量为3×10-8Pa。在此条件下热处理会促使喷涂态涂层中Fe2O3膜将团聚转变为不连续分布的Fe2O3颗粒。
基于以上工艺，制备出种一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层。
实施例4
以SiC基的CMC为基体，制备一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层。
工艺如下：
步骤一、工件表面预净化。对SiC基的CMC基体进行表面预净化处理，以去除工件表面的油脂、油漆、氧化皮等污垢。进行表面预净化处理时，选用常温的6mol/L的NaOH溶液浸泡45min，再用去离子水反复冲洗三遍，再在190℃环境中烘干表面，工件表面预净化处理后油脂、油漆、氧化皮等污垢残余量的面积占比分数为0.003左右。
步骤二、工件表面粗化。对预净化处理之后的SiC基的CMC基体进行表面粗化处理，以增大涂层与基体的机械咬合力，从而提高涂层的结合强度。粗化处理选用喷砂工艺，喷砂时间3h。表面粗化处理后的涂层表面粗糙度Ra(μm)值在5左右。
步骤三、工件预热。加热粗化处理之后的SiC基的CMC基体，以消除工件表面的水分，提高涂层与基体界面处的温度，减少基体与涂层材料之间的残余应力，从而改善涂层与基体之间的结合强度。预热使用喷涂火焰烘烤，严格控制工件与火焰间距，使工件的预热温度在1100℃左右。
步骤四、喷涂涂层。将粒径为5～135μm，含有Co的Si基合金粉末混合，采用真空等离子喷涂于预热之后的SiC基的CMC基体表面，得到Si基粘结层。喷涂电流为730A，主气流量为52L/min；喷涂距离为58cm。喷涂时环境中的氧分压选择18ppm，以促使熔融或者半熔喷涂粒子中的金属与氧气发生反应生成一层厚度为5nm的Co2O3为主的膜；
其中，所述含有Co的Si基合金粉末的制备方法为：将Si粉和Co粉混合，加热至1800℃后，超声均匀化处理75min，再采用熔融雾化法在0.4MPa的气体压力下制备得到粉末，筛分整形，得到含有Co的Si基合金粉末。
步骤五、涂层热处理。对步骤四得到的Si基粘结层进行低氧分压环境下的真空热处理，热处理温度为800℃，热处理时间3h，热处理时环境中的氧含量为10-3Pa。在此条件下热处理会促使喷涂态涂层中Co2O3膜将团聚转变为不连续分布的Co2O3颗粒。
基于以上工艺，制备出种一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层。
实施例5
以SiC基的CMC为基体，制备一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层，工艺如下：
步骤一、工件表面预净化。对SiC基的CMC基体进行表面预净化处理，以去除工件表面的油脂、油漆、氧化皮等污垢。进行表面预净化处理时，选用常温的7mol/L的NaOH溶液浸泡50min，再用去离子水反复冲洗三遍，再在200℃环境中烘干表面，工件表面预净化处理后油脂、油漆、氧化皮等污垢残余量的面积占比分数为0.001左右。
步骤二、工件表面粗化。对预净化处理之后的SiC基的CMC基体进行表面粗化处理，以增大涂层与基体的机械咬合力，从而提高涂层的结合强度，粗化处理选用喷砂工艺，喷砂时间5h。表面粗化处理后的涂层表面粗糙度Ra(μm)值在0.8左右。
步骤三、工件预热。加热粗化处理之后的SiC基的CMC基体以消除工件表面的水分，提高涂层与基体界面处的温度，减少基体与涂层材料之间的残余应力，从而改善涂层与基体之间的结合强度。预热使用喷涂火焰烘烤，严格控制工件与火焰间距，使工件的预热温度在1200℃左右。
步骤四、喷涂涂层。将粒径为5～135μm，含有Ce的Si基合金粉末混合，采用真空等离子喷涂于预热之后的SiC基的CMC基体表面，得到Si基粘结层。喷涂电流为750A，主气流量为55L/min；喷涂距离为60cm。喷涂时环境中的氧分压选择20ppm，以促使熔融或者半熔喷涂粒子中的金属与氧气发生反应，生成一层厚度为5nm的Ce2O3为主的膜；
其中，所述含有Ce的Si基合金粉末的制备方法为：将Si粉和Ce粉混合，加热至1800℃后，超声均匀化处理70min，再采用熔融雾化法在0.3MPa的气体压力下制备得到粉末，筛分整形，得到含有Ce的Si基合金粉末。
步骤五、涂层热处理。对步骤四得到的Si基粘结层进行低氧分压环境下的真空热处理，热处理温度为1200℃，热处理时间4h，热处理时环境中的氧含量为10-1Pa。在此条件下热处理会促使喷涂态涂层中Ce2O3膜将团聚转变为不连续分布的Ce2O3颗粒。
基于以上工艺，制备出种一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层。
以上内容仅为说明本发明的技术思想，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本发明权利要求书的保护范围之内。
Claims (4)
1. 一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层的制备方法，其特征在于，对SiC基或SiN基的CMC表面进行预热，将含有缓释稳定剂的Si基合金粉末喷涂于SiC基或SiN基的CMC表面，生成一层厚度为5 nm的A2O3为主的膜，得到Si基粘结层；再对Si基粘结层进行热处理，得到网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层；
其中，所述含有缓释稳定剂的Si基合金粉末包括Si粉和摩尔数为Si粉摩尔数的10%~35%的缓释稳定剂粉，所述缓释稳定剂为Al、Y、Fe、Co或Ce，含有缓释稳定剂的Si基合金粉末的粒径为5~135 μm，所述A2O3为Al2O3、Y2O3、Fe2O3、Co2O3或Ce2O3；热处理为在低氧分压环境下进行热处理，包括真空热处理或惰性气氛保护热处理，热处理温度为500~1200℃，热处理时间为2~24小时，热处理时环境中的氧含量为10-8~10-1 Pa或氧分压为0.01~100 ppm。
2. 根据权利要求1所述的一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层的制备方法，其特征在于，所述含有缓释稳定剂的Si基合金粉末的制备方法为：将Si粉和缓释稳定剂粉混合，加热至1600~2000℃后，超声均匀化处理45~75 min，再采用熔融雾化法在0.3~0.5 MPa的气体压力下制备得到粉末，筛分整形，得到含有缓释稳定剂的Si基合金粉末。
3.根据权利要求1所述的一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层的制备方法，其特征在于，喷涂采用热喷涂法，所述热喷涂法为大气等离子喷涂、低压等离子喷涂、真空等离子喷涂、火焰喷涂或超音速火焰喷涂。
4. 根据权利要求1所述的一种网状分布缓释稳定剂的Si基粘结层的制备方法，其特征在于，喷涂电流为700~750 A，主气流量为45~55 L/min；喷涂距离为50~60 cm，所述喷涂距离为喷涂设备前端口与目标基材表面之间的距离；喷涂时环境中的氧分压为10 ppm~20ppm。
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