CN116462667A - 发光元件和用于其的胺化合物 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及胺化合物和发光元件。实施方式的发光元件包括：第一电极；第二电极；以及至少一个功能层，该功能层设置在第一电极和第二电极之间，并且包括由下面的式1表示的胺化合物，从而示出高效率和长寿命特性。[式1]

Description

发光元件和用于其的胺化合物
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年1月18日提交的第10-2022-0007282号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用由此并入。
技术领域
本公开在本文中涉及胺化合物和包括其的发光元件，例如，涉及在空穴传输区中包括新型胺化合物的发光元件。
背景技术
最近，正积极进行作为图像显示装置的有机电致发光显示装置的开发。有机电致发光显示装置包括所谓的自发光发光元件，其中从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合，以便发射层中的发光材料发射光以实现显示(例如，显示图像)。
在用于显示装置的发光元件的应用中，要求或期望降低驱动电压并增加发射效率和寿命，一直在持续开发能够稳定地获得这种特性的发光元件的材料。
另外，为了获得具有高效率的发光元件，正在进行或寻求用于空穴传输区的材料的开发，用于抑制发射层的激子能量的扩散。
发明内容
根据本公开的实施方式的各方面涉及发光元件，其示出了卓越的或适当的发射效率和长寿命特性。
根据本公开的实施方式的各方面涉及胺化合物，其为用于具有高效率和长寿命特性的发光元件的材料。
另外的方面将在如下的描述中部分地陈述，并且部分将从描述中是显而易见的，或可通过呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。
根据本公开的实施方式，胺化合物由式1表示。
[式1]
在式1中，X可为O或S，L1和L2可各自独立地为直接连接、取代的或未取代的6至15个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的1至12个成环碳原子的亚杂芳基。“n”可为选自0至7的整数，“o”可为选自0至4的整数，并且“p”可为选自0至6的整数。Ra、Rb和Rc可各自独立地为氘原子、卤原子、取代的或未取代的1至10个碳原子的烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的1至30个成环碳原子的杂芳基，Ar1可为取代的或未取代的6至40个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的1至40个成环碳原子的杂芳基，并且FG可由式2至式5中的任意一个表示。
[式2]
[式5]
在式2和式3中，Ar2至Ar4可各自独立地为取代的或未取代的6至40个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的1至40个成环碳原子的杂芳基。在式2至式5中，Rd1至Rd5可各自独立地为氘原子、卤原子、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的1至30个成环碳原子的杂芳基，和/或与邻近基团结合以形成烃环或杂环。m1和m2可各自独立地为选自0至7的整数，m3和m4可各自独立地为选自0至4的整数，并且m5为选自0至8的整数。在式4中，R1至R5可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的1至30个成环碳原子的杂芳基，和/或与邻近基团结合以形成烃环或杂环。-*表示与式1的结合位点。
在实施方式中，由式1表示的胺化合物可由式1-1至式1-4中的任意一个表示。
[式1-1]
[式1-2]
[式1-3]
[式1-4]
在式1-1至式1-4中，X、L1、L2、“n”、Ra和Ar1可各自独立地与式1中限定的相同。在式1-1和式1-2中，Ar2至Ar4可各自独立地与式2和式3中限定的相同。在式1-3中，R1至R5可各自独立地与式4中限定的相同，并且在式1-1至式1-4中，Rd1至Rd5和m1至m5可各自独立地与式2至式5中限定的相同。
在实施方式中，L1可为直接连接、未取代的亚苯基或未取代的二价联苯基。
在实施方式中，L2可为直接连接、未取代的亚苯基、未取代的亚萘基、未取代的二价二苯并呋喃基或未取代的二价二苯并噻吩基。
在实施方式中，Ar1可为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的菲基、取代的或未取代的二苯并噻吩基或者取代的或未取代的二苯并呋喃基。
在实施方式中，Ar1可由Ar1-1至Ar1-5中的任意一个表示。
Ar1-1至Ar1-5中的-*表示与式1的结合位点。
在实施方式中，在式4中，R1至R5可与被R1至R5取代的苯环组合，以形成二苯并呋喃环、二苯并噻吩环或咔唑环。
在实施方式中，由式1表示的胺化合物可包括其中至少一个氢原子被氘原子取代的结构。
在实施方式中，由式1表示的胺化合物可为单胺化合物。
根据本公开的另一实施方式，发光元件包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；和至少一个功能层，至少一个功能层在第一电极和第二电极之间，并且包括根据实施方式的由式1表示的胺化合物。
在实施方式中，该至少一个功能层可包括发射层、在第一电极和发射层之间的空穴传输区以及在发射层和第二电极之间的电子传输区，并且空穴传输区可包括根据实施方式的由式1表示的胺化合物。
在实施方式中，空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一个层，并且空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一个层可包括实施方式的由式1表示的胺化合物。
在实施方式中，发射层可包括由式E-1表示的化合物。
[式E-1]
在式E-1中，“c”和“d”可各自独立地为选自0至5的整数，并且R31至R40可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的1至10个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至10个碳原子的烯基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基，和/或与邻近基团结合以形成环。
附图说明
包括所附附图以提供对本公开的进一步理解，并且所附附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图阐释了本公开的实施方式，并且与描述一起用于解释本公开的原理。在附图中：
图1为示出根据实施方式的显示设备的平面图；
图2为根据实施方式的显示设备的横截面图；
图3为示意性示出实施方式的发光元件的横截面图；
图4为示意性示出实施方式的发光元件的横截面图；
图5为示意性示出实施方式的发光元件的横截面图；
图6为示意性示出实施方式的发光元件的横截面图；
图7为根据实施方式的显示设备的横截面图；
图8为根据实施方式的显示设备的横截面图；
图9为示出根据实施方式的显示设备的横截面图；且
图10为示出根据实施方式的显示设备的横截面图。
具体实施方式
本公开的主题可具有一种或多种适当的变型方案并且可以体现为不同的形式，并且将参照所附附图更详细地解释示例实施方式。然而，本公开的主题可以体现为不同的形式并且不应解释为限于本文陈述的实施方式。而是，所有变型方案、等效方案和替换方案都包括在本公开的精神和技术范围内。
相同的附图标记通篇指相同的元件，并且可不提供其重复描述。在附图中，为了阐释的清楚，可放大结构的尺寸。将理解，虽然术语第一、第二等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应被这些术语所限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一个元件。因此，在不偏离本公开的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件可以被称为第一元件。如本文中使用的，单数形式也旨在包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
在描述中，将进一步理解，术语“包含(comprises)”和/或“包含(comprising)”在本说明书中使用时，规定存在叙述的特征、数字、步骤、操作、元件、部件或其组合，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、数字、步骤、操作、元件、部件或其组合。如本文使用的，单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“所述(the)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
在描述中，当层、膜、区、板等被称为“在”另一部件“上”或“上面”时，其可“直接在”另一部件“上”，或者也可存在一个或多个居间层。相比之下，当层、膜、区、板等被称为“在”另一部件“下”或“下面”时，其可“直接在”另一部件“下”，或者也可存在居间层。并且，当元件被称为设置“在”另一元件“上”时，其可设置在另一元件上或设置在另一元件下。
在描述中，术语“取代的或未取代的”对应于被选自由下述组成的组中的至少一个取代基取代或未被取代的官能团：氘原子、卤原子、氰基、硝基、氨基、胺基、甲硅烷基、氧基、硫基、亚磺酰基、磺酰基、羰基、硼基、氧化膦基、硫化膦基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、烃环基、芳基和杂环基。此外，示例的取代基中的每一个可为取代的或未取代的。例如，联苯基可解释为芳基或被苯基取代的苯基。
在描述中，术语“通过与相邻基团结合形成环”可以指基团键合至相邻基团以形成取代的或未取代的烃环或者取代的或未取代的杂环。烃环包括脂族烃环和芳族烃环。杂环包括脂族杂环和芳族杂环。烃环和杂环可以为单环或多环。此外，通过与相邻基团结合形成的环可以与另一个环结合以形成螺结构。
在描述中，术语“相邻基团”可以指取代原子(该原子直接与被相应取代基取代的原子结合)的取代基，取代原子(该原子被相应取代基取代)的另一取代基，或者空间位置在最接近相应取代基的位置处的取代基。例如，在1,2-二甲基苯中，两个甲基可以解释为彼此的“相邻基团”，在1,1-二乙基环戊烷中，两个乙基可以解释为彼此的“相邻基团”。另外，在4,5-二甲基菲中，两个甲基可被解释为彼此的“相邻基团”。
在描述中，卤原子可为氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。
在描述中，烷基可为直链、支链或环状的烷基。烷基的碳数可为1至50、1至30、1至20、1至10或1至6。烷基的非限制性示例可包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、2-乙基丁基、3,3-二甲基丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、环戊基、1-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基戊基、4-甲基-2-戊基、正己基、1-甲基己基、2-乙基己基、2-丁基己基、环己基、4-甲基环己基、4-叔丁基环己基、正庚基、1-甲基庚基、2,2-二甲基庚基、2-乙基庚基、2-丁基庚基、正辛基、叔辛基、2-乙基辛基、2-丁基辛基、2-己基辛基、3,7-二甲基辛基、环辛基、正壬基、正癸基、金刚烷基、2-乙基癸基、2-丁基癸基、2-己基癸基、2-辛基癸基、正十一烷基、正十二烷基、2-乙基十二烷基、2-丁基十二烷基、2-己基十二烷基、2-辛基十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、2-乙基十六烷基、2-丁基十六烷基、2-己基十六烷基、2-辛基十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基、2-乙基二十烷基、2-丁基二十烷基、2-己基二十烷基、2-辛基二十烷基、正二十一烷基、正二十二烷基、正二十三烷基、正二十四烷基、正二十五烷基、正二十六烷基、正二十七烷基、正二十八烷基、正二十九烷基、正三十烷基等。
在描述中，烯基指在具有2个或更多个碳原子的烷基的中间和/或末端处包括一个或多个碳-碳双键的烃基。烯基可为直链或支链。碳数没有具体限制，但是可为2至30、2至20或2至10。烯基的示例可包括乙烯基、1-丁烯基、1-戊烯基、1,3-丁二烯基、苯乙烯基、苯乙烯基乙烯基等，而没有限制。
在描述中，炔基意指在具有2或更大的碳数的烷基的中间或末端处包括一个或多个碳三键的烃基。炔基可为直链或支链。碳数不具体限制，但是可为2至30、2至20或2至10。炔基的示例包括乙炔基、丙炔基等，而没有限制。
在描述中，烃环基指衍生自脂族烃环的任选的官能团或取代基。烃环基可为5至20个成环碳原子的饱和烃环基。
在描述中，芳基指衍生自芳族烃环的任选的官能团或取代基。芳基可为单环芳基或多环芳基。芳基中的成环碳原子数可为6至30、6至20或6至15。芳基的非限制性示例可包括苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基、六联苯基、三亚苯基、芘基、苯并荧蒽基、1,2-苯并菲基等。
在描述中，芴基可被取代，并且两个取代基可彼此结合以形成螺结构。取代的芴基的示例如下，但是本公开的实施方式不限于此。
在描述中，杂环基指衍生自包括B、O、N、P、Si和S中的一个或多个作为成环杂原子的环的任选的官能团或取代基。杂环基包括脂族杂环基和芳族杂环基。芳族杂环基可为杂芳基。脂族杂环基和芳族杂环基可为单环或多环。
在描述中，杂环基可包括B、O、N、P、Si和S中的一个或多个作为成环杂原子。当杂环基包括两个或更多个杂原子时，两个或更多个杂原子可相同或不同。在描述中，杂环基可为单环杂环基或多环杂环基，并且可包括杂芳基。杂环基的成环碳原子数可为2至30、2至20或2至10。
在描述中，脂族杂环基可包括B、O、N、P、Si和S中的一个或多个作为成环杂原子。脂族杂环基的成环碳原子数可为2至30、2至20或2至10。脂族杂环基的非限制性示例可包括环氧乙烷基、环硫乙烷基、吡咯烷基、哌啶基、四氢呋喃基、四氢噻吩基、噻烷基、四氢吡喃基、1,4-二噁烷基等
在描述中，杂芳基可包括B、O、N、P、Si和S中的一个或多个作为成环杂原子。当杂芳基包括两个或更多个杂原子时，两个或更多个杂原子可相同或不同。杂芳基可为单环杂环基或多环杂环基。杂芳基的成环碳原子数可为2至30、2至20或2至10。杂芳基的非限制性示例可包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、三唑基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、N-芳基咔唑基、N-杂芳基咔唑基、N-烷基咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、噻唑基、异噁唑基、噁唑基、噁二唑基、噻二唑基、吩噻嗪基、二苯并噻咯基、二苯并呋喃基等。
在描述中，对上述芳基的相同解释可应用于亚芳基，只是亚芳基为二价基团。对上述杂芳基的相同解释可应用于亚杂芳基，只是亚杂芳基为二价基团。
在描述中，硼基可指烷基硼基和芳基硼基。硼基的非限制性示例可包括二甲基硼基、二乙基硼基、叔丁基硼基、二苯基硼基和/或苯基硼基等。例如，烷基硼基中的烷基可与上述烷基相同，并且芳基硼基中的芳基可与上述芳基相同。
在描述中，甲硅烷基包括烷基甲硅烷基和芳基甲硅烷基。甲硅烷基的非限制性示例可包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等。
在描述中，羰基中的碳原子数不具体限制，但是可为1至40、1至30或1至20。
例如，羰基可具有下面的结构，但是本公开的实施方式不限于此。
在描述中，亚磺酰基和磺酰基中的碳原子数不具体限制，但是可为1至30。亚磺酰基可包括烷基亚磺酰基和芳基亚磺酰基。磺酰基可包括烷基磺酰基和芳基磺酰基。
在描述中，硫基可包括烷基硫基和芳基硫基。硫基可指与硫原子结合的上面限定的烷基或芳基。硫基的非限制性示例可包括甲基硫基、乙基硫基、丙基硫基、戊基硫基、己基硫基、辛基硫基、十二烷基硫基、环戊基硫基、环己基硫基、苯硫基、萘基硫基等。
在描述中，氧基可指与氧原子结合的上面限定的烷基或芳基。氧基可包括烷氧基和芳氧基。烷氧基可为直链、支链或环链。烷氧基中的碳原子数不具体限制，但是可为例如1至20或1至10。氧基的示例可包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、苄氧基等。然而，本公开的实施方式不限于此。
在描述中，亚磺酰基可意指与-S(＝O)-结合的以上定义的烷基或芳基。亚磺酰基的碳原子数没有特别限制，但是可为1至30、1至20或1至10。亚磺酰基可包括烷基亚磺酰基和芳基亚磺酰基。例如，亚磺酰基可具有以下结构，但不限于此。
在描述中，磺酰基可意指与-S(＝O)2-结合的以上定义的烷基或芳基。磺酰基的碳原子数没有特别限制，但是可为1至30、1至20或1至10。磺酰基可包括烷基磺酰基和芳基磺酰基。例如，磺酰基可具有以下结构，但不限于此。
在描述中，氧化膦基可意指与-P(＝O)-结合的以上定义的烷基或芳基。氧化膦基的碳原子数没有特别限制，但是可为1至30、1至20或1至10。氧化膦基可包括烷基氧化膦基和芳基氧化膦基。例如，氧化膦基可具有以下结构，但不限于此。
在描述中，硫化膦基可意指与-P(＝S)-结合的以上定义的烷基或芳基。硫化膦基的碳原子数没有特别限制，但是可为1至30、1至20或1至10。硫化膦基可包括烷基硫化膦基和芳基硫化膦基。例如，硫化膦基可具有以下结构，但不限于此。
在描述中，胺基中的碳原子数不具体限制，但是可为1至30个。胺基可包括烷基胺基和芳基胺基。胺基的非限制性示例可包括甲基胺基、二甲基胺基、苯基胺基、二苯基胺基、萘基胺基、9-甲基-蒽基胺基等。
在描述中，烷氧基、烷基硫基、烷基磺酰基、烷基芳基、烷基氨基、烷基硼基、烷基甲硅烷基和烷基胺基中的烷基可与上述烷基的示例相同。
在描述中，芳氧基、芳硫基、芳基磺酰基、芳基氨基、芳基胺基、芳基硼基和芳基甲硅烷基中的芳基可与上述芳基的示例相同。
在描述中，直接连接可指单键。
在描述中，和“-*”指要连接的位置。
下文，实施方式的发光元件将通过参考附图来解释。
图1为示出实施方式的显示设备DD的平面图。图2为实施方式的显示设备DD的横截面图。图2为示出沿着图1的线I-I’截取的部分的横截面图。
显示设备DD可包括显示面板DP和设置在显示面板DP上的光学层PP。显示面板DP可包括发光元件ED-1、ED-2和ED-3。显示设备DD可包括多个发光元件ED-1、ED-2和ED-3。光学层PP可设置在显示面板DP上，并且控制在显示面板DP处的外部光的反射。光学层PP可包括例如偏振层和/或滤色器层。在一些实施方式中，不同于附图，光学层PP可不提供在实施方式的显示设备DD中。
在光学层PP上，可设置基体基板BL。基体基板BL可为提供其上设置有光学层PP的基体表面的构件。基体基板BL可为玻璃基板、金属基板、塑料基板等。然而，本公开的实施方式不限于此，并且基体基板BL可为无机层、有机层或复合材料层。在一些实施方式中，不同于附图，基体基板BL可不提供在实施方式中。
根据实施方式的显示设备DD可进一步包括封堵层(例如，填充层)。封堵层可设置在显示元件层DP-ED与基体基板BL之间。封堵层可为有机层。封堵层可包括丙烯酸类树脂、硅类树脂和环氧类树脂中的至少一种。
显示面板DP可包括基体层BS、提供在基体层BS上的电路层DP-CL和显示元件层DP-ED。显示元件层DP-ED可包括像素限定层PDL，设置在像素限定层PDL中的发光元件ED-1、ED-2和ED-3，以及设置在发光元件ED-1、ED-2和ED-3上的封装层TFE。
基体层BS可为提供其中设置有显示元件层DP-ED的基体表面的构件。基体层BS可为玻璃基板、金属基板、塑料基板等。然而，本公开的实施方式不限于此，并且基体层BS可为无机层、有机层或复合材料层。
在实施方式中，电路层DP-CL设置在基体层BS上，并且电路层DP-CL可包括多个晶体管。晶体管中的每一个可包括控制电极、输入电极和输出电极。例如，电路层DP-CL可包括用于驱动显示元件层DP-ED的发光元件ED-1、ED-2和ED-3的开关晶体管和驱动晶体管。
发光元件ED-1、ED-2和ED-3可具有根据图3至图6的实施方式的发光元件ED的结构，这将稍后更详细地解释。发光元件ED-1、ED-2和ED-3可各自包括：第一电极EL1，空穴传输区HTR，发射层EML-R、EML-G和EML-B(例如，发射层EML-R、发射层EML-G和发射层EML-B中的相应的一个)，电子传输区ETR，和第二电极EL2。
图2示出了其中发光元件ED-1、ED-2和ED-3的发射层EML-R、EML-G和EML-B设置在被像素限定层PDL限定的开孔部分OH中并且空穴传输区HTR、电子传输区ETR和第二电极EL2在所有的发光元件ED-1、ED-2和ED-3中提供为公共层的实施方式。然而，本公开的实施方式不限于此。不同于图2，在实施方式中，空穴传输区HTR和电子传输区ETR可被图案化，并且提供在被像素限定层PDL限定的开孔部分OH中。例如，在实施方式中，发光元件ED-1、ED-2和ED-3的空穴传输区HTR、发射层EML-R、EML-G和EML-B以及电子传输区ETR可被图案化，并且通过喷墨打印方法提供。
封装层TFE可覆盖发光元件ED-1、ED-2和ED-3。封装层TFE可封装显示元件层DP-ED的发光元件ED-1、ED-2和ED-3。封装层TFE可为薄膜封装层。封装层TFE可为一个层或多个层的堆叠层。封装层TFE包括至少一个绝缘层。根据实施方式的封装层TFE可包括至少一个无机层(下文，封装无机层)。在一些实施方式中，根据实施方式的封装层TFE可包括至少一个有机层(下文，封装有机层)和至少一个封装无机层。
封装无机层保护显示元件层DP-ED免受水分/氧的影响，并且封装有机层保护显示元件层DP-ED免受外部物质(比如灰尘颗粒)的影响。封装无机层可包括硅氮化物、硅氮氧化物、硅氧化物、钛氧化物和/或铝氧化物，但是本公开的实施方式不特别限制于此。封装有机层可包括丙烯酸类化合物、环氧类化合物等。封装有机层可包括光聚合有机材料，但是本公开的实施方式不特别限制于此。
封装层TFE可设置在第二电极EL2上，并且可设置为填充开孔部分OH。
参考图1和图2，显示设备DD可包括非发光(例如，非发光)区域NPXA和发光(例如，发光)区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可为分别发射从发光元件ED-1、ED-2和ED-3产生的光的区域。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可在平面上(例如，在平面图中)彼此分开。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可为由像素限定层PDL分开的区域。非发光区域NPXA可为在相邻的发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间的区域，并且可为对应于像素限定层PDL的区域。在一些实施方式中，在本公开中，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每一个可对应于像素。像素限定层PDL可划分发光元件ED-1、ED-2和ED-3。发光元件ED-1、ED-2和ED-3的发射层EML-R、EML-G和EML-B可设置在被像素限定层PDL限定的开孔部分OH中，并且在被像素限定层PDL限定的开孔部分OH中被划分。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可根据从发光元件ED-1、ED-2和ED-3产生的光的颜色被划分为多个组。在图1和图2中示出的实施方式的显示设备DD中，分别发射红光、绿光和蓝光的三个发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B如实施方式阐释。例如，实施方式的显示设备DD可包括彼此分开的红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B。
在根据实施方式的显示设备DD中，多个发光元件ED-1、ED-2和ED-3可发射具有不同波长区的光。例如，在实施方式中，显示设备DD可包括发射红光的第一发光元件ED-1、发射绿光的第二发光元件ED-2和发射蓝光的第三发光元件ED-3。例如，显示设备DD的红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B中的每一个可分别对应于第一发光元件ED-1、第二发光元件ED-2和第三发光元件ED-3。
然而，本公开的实施方式不限于此，并且第一发光元件至第三发光元件ED-1、ED-2和ED-3可发射基本上相同波长区内的光，或者第一发光元件至第三发光元件ED-1、ED-2和ED-3中的至少一个可发射不同波长区内的光。例如，第一发光元件至第三发光元件ED-1、ED-2和ED-3可全部发射蓝光。
根据实施方式的显示设备DD中的发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可布置成条纹形状。参考图1，多个红色发光区域PXA-R可沿着第二方向轴DR2彼此布置，多个绿色发光区域PXA-G可沿着第二方向轴DR2彼此布置，并且多个蓝色发光区域PXA-B可沿着第二方向轴DR2彼此布置。在一些实施方式中，红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B可沿着第一方向轴DR1以该叙述的顺序交替地布置。
在图1和图2中，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积被示出为类似的尺寸，但是本公开的实施方式不限于此。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可根据发射的光的波长区而彼此不同。同时，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可指当在由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面(例如，在平面图中)上观察时的面积。第三方向轴DR3可垂直于由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面。
在一些实施方式中，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的布置不限于图1中示出的配置，并且红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B的布置顺序可根据显示设备DD要求或期望的显示质量的特性而被提供在一个或多个适当的组合中。例如，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以布置成布置形式或Diamond PixelTM布置形式。/>和Diamond PixelTM是三星显示公司的商标。
在一些实施方式中，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可彼此不同。例如，在实施方式中，绿色发光区域PXA-G的面积可小于蓝色发光区域PXA-B的面积，但是本公开的实施方式不限于此。
下文，图3至图6为示意性示出根据实施方式的发光元件的横截面图。根据实施方式的发光元件ED可包括第一电极EL1、与第一电极EL1相对设置的第二电极EL2以及设置在第一电极EL1和第二电极EL2之间的至少一个功能层。实施方式的发光元件ED可在至少一个功能层中包括实施方式的由式1表示的胺化合物，这将在稍后更详细地解释。
发光元件ED可包括以叙述顺序堆叠的空穴传输区HTR、发射层EML和/或电子传输区ETR等作为至少一个功能层。参考图3，实施方式的发光元件ED可包括以叙述顺序堆叠的第一电极EL1、空穴传输区HTR、发射层EML、电子传输区ETR和第二电极EL2。
当与图3相比时，图4示出了其中空穴传输区HTR包括空穴注入层HIL和空穴传输层HTL并且电子传输区ETR包括电子注入层EIL和电子传输层ETL的实施方式的发光元件ED的横截面图。另外，当与图3相比时，图5示出了其中空穴传输区HTR包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL并且电子传输区ETR包括电子注入层EIL、电子传输层ETL和空穴阻挡层HBL的实施方式的发光元件ED的横截面图。当与图4相比时，图6示出了实施方式的发光元件ED的横截面图，进一步包括设置在第二电极EL2上的封盖层CPL。
实施方式的发光元件ED可在空穴传输区HTR中包括实施方式的由式1表示的胺化合物，这将稍后更详细地解释。实施方式的发光元件ED可在空穴传输区HTR的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL中的至少一个层中包括实施方式的由式1表示的胺化合物。
在根据实施方式的发光元件ED中，第一电极EL1具有导电性(例如，为导体)。第一电极EL1可使用金属材料、金属合金或导电化合物形成。第一电极EL1可为阳极或阴极。然而，本公开的实施方式不限于此。在一些实施方式中，第一电极EL1可为像素电极。第一电极EL1可为透射电极、透反射电极或反射电极。第一电极EL1可包括选自Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn中的至少一种、选自它们的两种或更多种的化合物、选自它们的两种或更多种的混合物和/或它们的氧化物。
当第一电极EL1为透射电极时，第一电极EL1可包括透明的金属氧化物，比如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟锡锌(ITZO)。当第一电极EL1为透反射电极或反射电极时，第一电极EL1可包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiFMo、Ti、W、它们的化合物或者它们的混合物(例如，Ag和Mg的混合物)，或具有多层结构的材料比如LiF/Ca(LiF和Ca的堆叠结构)或LiF/Al(LiF和Al的堆叠结构)。并且，第一电极EL1可具有包括多个层的结构，所述多个层包括使用上面材料形成的反射层或透反射层以及使用ITO、IZO、ZnO或ITZO形成的透射导电层。例如，第一电极EL1可具有ITO/Ag/ITO的三层结构。然而，本公开的实施方式不限于此。第一电极EL1可包括上述金属材料中的一种或多种、选自上述金属材料的两种或更多种金属材料的组合以及/或者上述金属材料的氧化物中的一种或多种。第一电极EL1的厚度可为约至约/>例如，第一电极EL1的厚度可为约/>至约/>
空穴传输区HTR提供在第一电极EL1上。空穴传输区HTR可具有使用单一材料形成的单层、使用多种不同材料形成的单层或者包括使用多种不同材料形成的多层的多层结构。
空穴传输区HTR可包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL中的至少一个层。在一些实施方式中，尽管未示出，空穴传输区HTR可包括堆叠在彼此之上的多个空穴传输层。
在一些实施方式中，空穴传输区HTR可具有空穴注入层HIL或空穴传输层HTL的单层的结构，或者可具有使用空穴注入材料和空穴传输材料形成的单层的结构。在实施方式中，空穴传输区HTR可具有使用多种不同材料形成的单层的结构，或者从第一电极EL1以各自叙述的顺序堆叠的空穴注入层HIL/空穴传输层HTL、空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/缓冲层、空穴注入层HIL/缓冲层或者空穴传输层HTL/缓冲层的结构，但是本公开的实施方式不限于此。
空穴传输区HTR的厚度可为例如约至约/>空穴传输区HTR可使用一种或多种适当的方法(比如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗缪尔-布罗基特(LB)法、喷墨打印法、激光打印法和/或激光诱导的热成像(LITI)法)形成。
实施方式的发光元件ED可在空穴传输区HTR中包括由式1表示的实施方式的胺化合物。在实施方式的发光元件ED中，空穴传输层HTL可包括由式1表示的实施方式的胺化合物。
[式1]
在式1中，FG由式2至式5中的任意一个表示。
[式2]
[式3]
[式4]
[式5]
实施方式的由式1表示的胺化合物可包括：取代的直接键合至氮原子的二苯并杂环戊二烯基(dibenzoheterole group)，经连接体键合至氮原子的萘基，以及选自咔唑基、芴基和三联苯衍生物中的一个取代基。另外，在实施方式的由式1表示的胺化合物中，直接键合至氮原子的二苯并杂环戊二烯基可被选自芳基和杂芳基中的取代基取代，并且取代基的键合位置对应于相对于氮原子的对位。
在式1中，X可为O或S。即，在实施方式的由式1表示的胺化合物中，直接键合至氮原子的二苯并杂环戊二烯基可为二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。
在式1中，Ar1可为取代的或未取代的6至40个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的1至40个成环碳原子的杂芳基。即，在实施方式的由式1表示的胺化合物中，直接键合至氮原子的二苯并杂环戊二烯基可被芳基或杂芳基取代。
例如，在下面表示的二苯并杂环戊二烯基中，位置1可键合至氮原子，并且Ar1的取代基可在位置4处取代。
在式1中，Ar1可为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的菲基、取代的或未取代的二苯并噻吩基或者取代的或未取代的二苯并呋喃基。
例如，Ar1可由Ar1-1至Ar1-5中的任意一个表示。
在式1中，L1和L2可各自独立地为直接连接、取代的或未取代的6至15个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的1至12个成环碳原子的亚杂芳基。
例如，在由式1表示的实施方式的胺化合物中，L1可为直接连接、未取代的亚苯基或者未取代的二价联苯基。在一些实施方式中，L2可为直接连接、未取代的亚苯基、未取代的亚萘基、未取代的二价二苯并呋喃基或者未取代的二价二苯并噻吩基。然而，本公开的实施方式不限于此。
在式1中，“n”可为选自0至7的整数。在式1中，当“n”为0时，萘基可为未取代的。在一些实施方式中，当“n”为选自2或更大的整数时，多个Ra可全部相同，或者至少一个可与其余的不同。
Ra可为氘原子、卤原子、取代的或未取代的1至10个碳原子的烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的1至30个成环碳原子的杂芳基。
在式1中，“o”可为选自0至4的整数。Rb可为氘原子、卤原子、取代的或未取代的1至10个碳原子的烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的1至30个成环碳原子的杂芳基。在一些实施方式中，当“o”为2或更大时，多个Rb可全部相同，或者至少一个可与其余的不同。例如，在实施方式中，“o”可为0。
在式1中，“p”可为选自0至6的整数。Rc可为氘原子、卤原子、取代的或未取代的1至10个碳原子的烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的1至30个成环碳原子的杂芳基。在一些实施方式中，当“p”为2或更大时，多个Rc可全部相同，或者至少一个可与其余的不同。例如，在实施方式中，“p”可为0。
在由式1表示的实施方式的胺化合物中，FG可为如由式2或式5表示的咔唑衍生物、如由式3表示的芴衍生物或者如由式4表示的三联苯衍生物。在一些实施方式中，由式4表示的三联苯衍生物可为其中两个环彼此基于中心的亚苯基在邻位处键合的状态。在描述中，由式4表示的三联苯衍生物的形状被称为包括Z型芳基或Z类芳基的取代基。在由式4表示的三联苯衍生物中，苯环中的一个可与一个或多个取代基结合，以形成二苯并呋喃环、二苯并噻吩环或咔唑环。
在式2中，Ar2可为取代的或未取代的6至40个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的1至40个成环碳原子的杂芳基。例如，Ar2可为未取代的苯基、未取代的萘基、氘取代的苯基或者氘取代的萘基。然而，本公开的实施方式不限于此。
在一些实施方式中，在式2中，m1可为选自0至7的整数，并且Rd1可为氘原子、卤原子、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的1至30个成环碳原子的杂芳基，和/或与邻近基团结合以形成烃环或杂环。当m1为2或更大时，多个Rd1可全部相同，或者至少一个可与其余的不同。例如，m1可为0。然而，本公开的实施方式不限于此。
在式3中，Ar3和Ar4可各自独立地为取代的或未取代的6至40个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的1至40个成环碳原子的杂芳基。在实施方式中，Ar3和Ar4可相同。然而，本公开的实施方式不限于此。
例如，Ar3和Ar4可各自独立地为未取代的苯基或者氘取代的苯基。然而，本公开的实施方式不限于此。
在一些实施方式中，在式3中，m2可为选自0至7的整数，并且Rd2可为氘原子、卤原子、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的1至30个成环碳原子的杂芳基，和/或与邻近基团结合以形成烃环或杂环。当m2为2或更大时，多个Rd2可全部相同，或者至少一个可与其余的不同。例如，m2可为0。然而，本公开的实施方式不限于此。
在式4中，R1至R5可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的1至30个成环碳原子的杂芳基，和/或与邻近基团结合以形成烃环或杂环。
例如，R1至R5可各自独立地为氢原子、取代的或未取代的苯基或者取代的或未取代的萘基。在一些实施方式中，选自R1至R5中的一个或两个可为取代的或未取代的苯基，并且任何其余的可为氢原子。
在一些实施方式中，在式4中，当R1至R5与邻近基团结合以形成一个或多个环时，R1至R5可与苯环(R1至R5在苯环处取代)结合，以形成二苯并呋喃环、二苯并噻吩环或咔唑环。然而，本公开的实施方式不限于此。
在一些实施方式中，在式4中，m3和m4可各自独立地为选自0至4的整数，并且Rd3和Rd4可各自独立地为氘原子、卤原子、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的1至30个成环碳原子的杂芳基，和/或与邻近基团结合以形成烃环或杂环。当m3为2或更大时，多个Rd3可全部相同，或者至少一个可与其余的不同。例如，m3可为0。当m4为2或更大时，多个Rd4可全部相同，或者至少一个可与其余的不同。例如，m4可为0。
在式5中，m5可为选自0至8的整数，Rd5可为氘原子、卤原子、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的1至30个成环碳原子的杂芳基，和/或与邻近基团结合以形成烃环或杂环。当m5为2或更大时，多个Rd5可全部相同，或者至少一个可与其余的不同。例如，m5可为0。
在由式1表示的实施方式的胺化合物中，Ra至Rc、Ar1和FG中的至少一个可包括氘原子或含有氘原子的取代基。例如，实施方式的由式1表示的胺化合物可包括至少一个氘原子作为取代基。
在一些实施方式中，实施方式的由式1表示的胺化合物可为单胺化合物。实施方式的由式1表示的胺化合物可不包括(例如，可排除)胺基作为取代基。
在实施方式中，式1可由式1-1至式1-4中的任意一个表示。在式1-1至式1-4中，可应用参考式1的关于X、L1、L2、“n”、Ra和Ar1的相同解释。
[式1-1]
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[式1-2]
[式1-3]
[式1-4]
在一些实施方式中，在式1-1和式1-2中，可应用参考式2和式3的关于Ar2至Ar4的相同解释，在式1-3中，可应用参考式4的关于R1至R5的相同解释，并且在式1-1至式1-4中，可应用参考式2至式5的关于Rd1至Rd5和m1至m5的相同解释。
由式1表示的实施方式的胺化合物可为化合物组1中的化合物中的任意一个。实施方式的发光元件ED的空穴传输区HTR可包括化合物组1中示出的胺化合物中的至少一个。在化合物组1中，D为氘原子。
[化合物组1]
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由式1表示的实施方式的胺化合物包括被芳基或杂芳基取代的二苯并杂环戊二烯基，并且可另外包括芴基、咔唑基和/或Z型或Z类芳基衍生物作为取代基。由于在特定的取代位置处包括这些取代基，实施方式的由式1表示的胺化合物可具有卓越的或适当的电稳定性和高的充电传输容量。相应地，实施方式的由式1表示的胺化合物的寿命可改善。在一些实施方式中，包括实施方式的由式1表示的胺化合物的实施方式的发光元件的发射效率和寿命可改善。
在实施方式的发光元件ED中，空穴传输区HTR可进一步包括由式H-1表示的化合物。
[式H-1]
在上面的式H-1中，L1和L2可各自独立地为直接连接、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的亚杂芳基。“a”和“b”可各自独立地为选自0至10的整数。在一些实施方式中，当“a”或“b”为选自2或更大的整数时，多个L1和L2可各自独立地为取代的或未取代的6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的亚杂芳基。
在式H-1中，Ar1和Ar2可各自独立地为取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基。在一些实施方式中，在式H-1中，Ar3可为取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基。
由式H-1表示的化合物可为单胺化合物(例如，包括单个胺基的化合物)。在一些实施方式中，由式H-1表示的化合物可为其中Ar1至Ar3中的至少一个包括胺基作为取代基的二胺化合物。在一些实施方式中，由式H-1表示的化合物可为其中Ar1和/或Ar2包括取代的或未取代的咔唑基的咔唑类化合物，或者其中Ar1和/或Ar2包括取代的或未取代的芴基的芴类化合物。
由式H-1表示的化合物可为化合物组H中的化合物中的任意一个。然而，化合物组H中列举的化合物仅是示例，并且由式H-1表示的化合物不限于化合物组H中表示的化合物。
[化合物组H]
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空穴传输区HTR可包括酞菁化合物(比如酞菁铜)、N1,N1′-([1,1′-联苯]-4,4′-二基)双(N1-苯基-N4,N4-二间甲苯基苯-1,4-二胺)(DNTPD)、4,4′,4″-[三(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-MTDATA)、4,4′,4″-三(N,N-二苯氨基)三苯胺(TDATA)、4,4′,4″-三[N-(2-萘基)-N-苯氨基]-三苯胺(2-TNATA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-联苯胺(NPB或NPD)、含三苯胺的聚醚酮(TPAPEK)、4-异丙基-4′-甲基二苯基碘鎓[四(五氟苯基)硼酸盐]以及/或者二吡嗪[2,3-f:2′,3′-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(HAT-CN)。
空穴传输区HTR可包括咔唑衍生物(比如N-苯基咔唑和聚乙烯咔唑)、芴类衍生物、N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-二苯基-[1,1′-联苯]-4,4′-二胺(TPD)、三苯胺类衍生物(比如4,4′,4″-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA))、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-联苯胺(NPB)、4,4′-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、4,4′-双[N,N′-(3-甲苯基)氨基]-3,3′-二甲基联苯(HMTPD)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)等。
在一些实施方式中，空穴传输区HTR可包括9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9H-咔唑(CzSi)、9-苯基-9H-3,9′-双咔唑(CCP)、1,3-双(1,8-二甲基-9H-咔唑-9-基)苯(mDCP)等。
空穴传输区HTR可以在空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL中的至少一个层中包括上述空穴传输区HTR的化合物。
空穴传输区HTR的厚度可为约至约/>例如，约/>至约/>当空穴传输区HTR包括空穴注入层HIL时，空穴注入层HIL的厚度可为例如约/>至约当空穴传输区HTR包括空穴传输层HTL时，空穴传输层HTL的厚度可为约/>至约例如，当空穴传输区HTR包括电子阻挡层EBL时，电子阻挡层EBL的厚度可为约至约/>当空穴传输区HTR、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL的厚度满足上述范围时，在不显著增加驱动电压的情况下可实现满意的空穴传输特性。
除了上述材料之外，空穴传输区HTR可进一步包括电荷生成材料以增加导电性。电荷生成材料可均匀地或非均匀地分散在空穴传输区HTR中。电荷生成材料可为例如p-掺杂剂。p-掺杂剂可包括金属卤化物化合物、醌衍生物、金属氧化物和含氰基化合物中的一种或多种，但是本公开的实施方式不限于此。例如，p-掺杂剂可包括金属卤化物化合物(比如CuI和/或RbI)、醌衍生物(比如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和/或2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ))、金属氧化物(比如氧化钨和/或氧化钼)、含氰基化合物(比如二吡嗪[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(HAT-CN)和/或4-[[2,3-双[氰基-(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]亚环丙基]-氰甲基]-2,3,5,6-四氟苯甲腈(NDP9))等，但是本公开的实施方式不限于此。
如上述，除了空穴注入层HIL和空穴传输层HTL之外，空穴传输区HTR可进一步包括缓冲层和/或电子阻挡层EBL。缓冲层可根据从发射层EML发射的光的波长来补偿共振距离，并且可因此增加发射效率。作为缓冲层中包括的材料，可使用空穴传输区HTR中可包括的材料。电子阻挡层EBL为起到阻挡电子从电子传输区ETR注入到空穴传输区HTR的作用的层。
发射层EML提供在空穴传输区HTR上。例如，发射层EML可具有约至约/>或约/>至约/>的厚度。发射层EML可具有使用单一材料形成的单层、使用多种不同材料形成的单层或者具有使用多种不同材料形成的多层的多层结构。
在实施方式的发光元件ED中，发射层EML可发射蓝光。实施方式的发光元件ED可在空穴传输区HTR中包括实施方式的由式1表示的胺化合物，并且可在蓝色发射区中示出适当的或高的效率以及长寿命特性。然而，本公开的实施方式不限于此。
在实施方式的发光元件ED中，发射层EML可包括一种或多种蒽衍生物、芘衍生物、荧蒽衍生物、1,2-苯并菲衍生物、二氢苯并蒽衍生物和/或三亚苯衍生物。例如，发射层EML可包括一种或多种蒽衍生物和/或芘衍生物。
在图3至图6中示出的实施方式的发光元件ED中，发射层EML可包括主体和掺杂剂，并且发射层EML可包括由式E-1表示的化合物。由式E-1表示的化合物可用作荧光主体材料。
[式E-1]
在式E-1中，R31至R40可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的1至10个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至10个碳原子的烯基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基，和/或与邻近基团结合以形成环。在一些实施方式中，R31至R40可与邻近基团结合以形成饱和烃环、不饱和烃环、饱和杂环或不饱和杂环。
在式E-1中，“c”和“d”可各自独立地为选自0至5的整数。
由式E-1表示的化合物可为化合物E1至化合物E19中的任意一个。
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在实施方式中，发射层EML可包括由式E-2a或式E-2b表示的化合物。由式E-2a或式E-2b表示的化合物可用作磷光主体材料。
[式E-2a]
在式E-2a中，“a”可为选自0至10的整数，并且La可为直接连接、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的亚杂芳基。在一些实施方式中，当“a”为选自2或更大的整数时，多个La可各自独立地为取代的或未取代的6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的亚杂芳基。
在一些实施方式中，在式E-2a中，A1至A5可各自独立地为N或CRi。Ra至Ri可各自独立地为氢原子、氘原子、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基，和/或与邻近基团结合以形成环。在实施方式中，Ra至Ri可与邻近基团结合以形成烃环或包括N、O、S等作为成环原子的杂环。
在一些实施方式中，在式E-2a中，选自A1至A5中的两个或三个可为N，并且任何其余的可为CRi。
[式E-2b]
在式E-2b中，Cbz1和Cbz2可各自独立地为未取代的咔唑基或者被6至30个成环碳原子的芳基取代的咔唑基。Lb可为直接连接、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的亚杂芳基。“b”为选自0至10的整数，并且当“b”为选自2或更大的整数时，多个Lb可各自独立地为取代的或未取代的6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的亚杂芳基。
由式E-2a或式E-2b表示的化合物可为化合物组E-2中的化合物中的任意一个。然而，在化合组E-2中列举的化合物仅是示例，并且由式E-2a或式E-2b表示的化合物不限于化合物组E-2中表示的化合物。
[化合物组E-2]
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发射层EML可进一步包括本领域中适当的材料作为主体材料。例如，发射层EML可包括以下中的至少一个作为主体材料：双(4-(9H-咔唑-9-基)苯基)二苯基硅烷(BCPDS)、(4-(1-(4-(二苯氨基)苯基)环己基)苯基)二苯基-氧化膦(POPCPA)、双[2-(二苯膦)苯基]醚氧化物(DPEPO)、4,4′-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、2,8-双(二苯基磷酰)二苯并[b,d]呋喃(PPF)、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)。然而，本公开的实施方式不限于此。例如，三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、2-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、二苯乙烯基亚芳基化合物(DSA)、4,4′-双(9-咔唑基)-2,2′-二甲基-联苯(CDBP)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、六苯基环三磷腈(CP1)、1,4-双(三苯基甲硅烷基)苯(UGH2)、六苯基环三硅氧烷(DPSiO3)、八苯基环四硅氧烷(DPSiO4)等可用作主体材料。
发射层EML可包括由式M-a或式M-b表示的化合物。由式M-a或式M-b表示的化合物可用作磷光掺杂剂材料。在一些实施方式中，由式M-a或式M-b表示的化合物可用作辅助掺杂剂材料。
[式M-a]
在式M-a中，Y1至Y4和Z1至Z4可各自独立地为CR1或N，并且R1至R4可各自独立地为氢原子、氘原子、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基，和/或与邻近基团结合以形成环。在式M-a中，“m”可为0或1，并且“n”可为2或3。在式M-a中，当“m”为0时，“n”为3，并且当“m”为1时，“n”为2。
由式M-a表示的化合物可用作磷光掺杂剂。
由式M-a表示的化合物可为化合物M-a1至M-a25中的任意一个。然而，化合物M-a1至M-a25是示例，并且由式M-a表示的化合物不限于由化合物M-a1至M-a25表示的化合物。
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化合物M-a1和化合物M-a2可用作红色掺杂剂材料，并且化合物M-a3至化合物M-a7可用作绿色掺杂剂材料。
[式M-b]
在式M-b中，Q1至Q4可各自独立地为C或N，C1至C4可各自独立地为取代的或未取代的5至30个成环碳原子的烃环或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂环。L21至L24可各自独立地为直接连接、*-O-*、*-S-*、 取代的或未取代的1至20个碳原子的亚烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的亚杂芳基，并且e1至e4可各自独立地为0或1。R31至R39可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基，和/或与邻近基团结合以形成环，并且d1至d4可各自独立地为选自0至4的整数。
由式M-b表示的化合物可用作蓝色磷光掺杂剂或绿色磷光掺杂剂。在一些实施方式中，由式M-b表示的化合物在实施方式中可为辅助掺杂剂，并且可进一步包括在发射层EML中。
由式M-b表示的化合物可由下面的化合物中的任意一个表示。然而，下面的化合物是示例，并且由式M-b表示的化合物不限于下面表示的化合物。
在上面的化合物中，R、R38和R39可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基。
发射层EML可包括由式F-a至式F-c中的任意一个表示的化合物。由式F-a至式F-c表示的化合物可用作荧光掺杂剂材料。
[式F-a]
在式F-a中，选自Ra至Rj的两个基团可各自独立地被*-NAr1Ar2取代。Ra至Rj中的没有被*-NAr1Ar2取代的任何剩余的基团可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基。
在*-BAr1Ar2中，Ar1和Ar2可各自独立地为取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基。例如，Ar1和/或Ar2可为包括O或S作为成环原子的杂芳基。
[式F-b]
在式F-b中，Ra和Rb可各自独立地为氢原子、氘原子、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基，和/或与邻近基团结合以形成环。Ar1至Ar4可各自独立地为取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基。
在式F-b中，U和V可各自独立地为取代的或未取代的5至30个成环碳原子的烃环或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂环。
在式F-b中，由U和V表示的环的数量可各自独立地为0或1。例如，在式F-b中，当U或V的数量为1时，由U或V指示的一个环在标注部分(例如，由U或V指示的部分)处形成稠环，并且当U或V的数量为0时，由U或V指示的环不存在。例如，当U的数量为0并且V的数量为1时，或者当U的数量为1并且V的数量为0时，具有式F-b的芴核的稠环可为具有四个环的环化合物。在一些实施方式中，当U的数量和V的数量都为0时，具有式F-b的芴核的稠环可为具有三个环的环化合物。在一些实施方式中，当U的数量和V的数量都为1时，具有式F-b的芴核的稠环可为具有五个环的环化合物。
[式F-c]
在式F-c中，A1和A2可各自独立地为O、S、Se或NRm，并且Rm可为氢原子、氘原子、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基。R1至R11可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的硼基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基，和/或与邻近基团结合以形成环。
在式F-c中，A1和A2可各自独立地与邻近环的取代基结合以形成稠环。例如，当A1和A2可各自独立地为NRm时，A1可与R4或R5结合以形成环。在一些实施方式中，A2可与R7或R8结合以形成环。
在实施方式中，发射层EML可包括以下物质中的一种或多种作为适当的掺杂剂材料：苯乙烯基衍生物(例如，1,4-双[2-(3-N-乙基咔唑基)乙烯基]苯(BCzVB)、4-(二对甲苯氨基)-4′-[(二对甲苯氨基)苯乙烯基]芪(DPAVB)、N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-N-苯基苯胺(N-BDAVBi)和/或4,4′-双[2-(4-(N,N-二苯氨基)苯基)乙烯基]联苯(DPAVBi))；苝和其衍生物(例如，2,5,8,11-四叔丁基苝(TBP))；芘和其衍生物(例如，1,1'-二芘、1,4-二芘基苯和/或1,4-双(N,N-二苯基氨基)芘)等。
在实施方式中，当包括多个发射层EML时，至少一个发射层EML可包括适当的磷光掺杂剂材料。例如，磷光掺杂剂可使用包括铱(Ir)、铂(Pt)、锇(Os)、金(Au)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)和/或铥(Tm)的金属复合物。例如，双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2′)吡啶甲酰合铱(III)(FIrpic)、双(2,4-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸铱(Ⅲ)(FIr6)和/或八乙基卟啉铂(PtOEP)可用作磷光掺杂剂。然而，本公开的实施方式不限于此。
在一些实施方式中，发射层EML可包括空穴传输主体和电子传输主体。在一些实施方式中，发射层EML可包括辅助掺杂剂和发光掺杂剂。在一些实施方式中，辅助掺杂剂可包括磷光掺杂剂材料和/或热激活延迟荧光掺杂剂。例如，在实施方式中，发射层EML可包括空穴传输主体、电子传输主体、辅助掺杂剂和发光掺杂剂。
在一些实施方式中，激态复合物可由空穴传输主体和电子传输主体在发射层EML中形成。在该情况下，由空穴传输主体和电子传输主体形成的激态复合物的三重态能量可对应于T1，T1为电子传输主体的最低未占分子轨道(LUMO)能级与空穴传输主体的最高占据分子轨道(HOMO)能级之间的能隙。
在实施方式中，由空穴传输主体和电子传输主体形成的激态复合物的三重态能量(T1)可为约2.4eV至约3.0eV。在一些实施方式中，激态复合物的三重态能量可为小于每种主体材料的能隙的值。相应地，激态复合物可具有约3.0eV或更小的三重态能量，三重态能量是空穴传输主体与电子传输主体之间的能隙。
在一些实施方式中，至少一个发射层EML可包括量子点材料。量子点的核可选自一种或多种以下物质：II-VI族化合物、III-VI族化合物、I-III-VI族化合物、III-V族化合物、III-II-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物和其组合。
II-VI族化合物可选自由下述组成的组：二元化合物，选自由CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和其混合物组成的组；三元化合物，选自由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS和其混合物组成的组；和四元化合物，选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和其混合物组成的组。
III-VI族化合物可包括二元化合物(比如In2S3和/或In2Se3)、三元化合物(比如InGaS3和/或InGaSe3)或者其任意组合。
I-III-VI族化合物可选自：三元化合物，选自由AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、AgGaS2、CuGaS2、CuGaO2、AgGaO2、AgAlO2和其混合物组成的组；以及四元化合物(比如AgInGaS2和/或CuInGaS2)。
III-V族化合物可选自由下述组成的组：二元化合物，选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和其混合物组成的组；三元化合物，选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和其混合物组成的组；和四元化合物，选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和其混合物组成的组。在一些实施方式中，III-V族化合物可进一步包括II族金属。例如，InZnP等可选择为III-II-V族化合物。
IV-VI族化合物可选自由下述组成的组：二元化合物，选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和其混合物组成的组；三元化合物，选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和其混合物组成的组；和四元化合物，选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和其混合物组成的组。IV族元素可选自由Si、Ge和其混合物组成的组。IV族化合物可为选自由SiC、SiGe和其混合物组成的组的二元化合物。
在该情况下，二元化合物、三元化合物和/或四元化合物可以基本上均匀的浓度存在于颗粒中或者可以以部分不同的浓度分布状态存在于相同的颗粒中。在一些实施方式中，量子点可具有其中一个量子点围绕(例如，包裹或封装)另一量子点的核/壳结构。核与壳之间的界面可具有其中存在于壳中的元素的浓度朝着核的中心减少的浓度梯度。
在一些实施方式中，量子点可具有包括核(包括纳米晶体)和围绕(例如，包裹)核的壳的上述核/壳结构。量子点的壳可起到用于防止或减少核的化学变形以保持半导体特性的保护层的作用和/或用于赋予量子点电泳特性的充电层的作用。壳可具有单层或多层。量子点的壳的示例可包括金属或非金属氧化物、半导体化合物或其任意组合。
例如，金属或非金属氧化物可包括二元化合物(比如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和/或NiO)或者三元化合物(比如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和/或CoMn2O4)，但是本公开的实施方式不限于此。
并且，半导体化合物可包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但是本公开的实施方式不限于此。
量子点可具有发射波长光谱为约45nm或更小、约40nm或更小或者约30nm或更小的半峰全宽(FWHM)。在这些范围内，颜色纯度和/或颜色再现性可改善。在一些实施方式中，经这种量子点发射的光朝所有方向发射，并且可改善光视角特性(例如，可获得较宽的视角)。
在一些实施方式中，量子点的形状可为本领域中任何常用的形状，而没有具体的限制。例如，量子点可具有球形纳米颗粒、锥体纳米颗粒、多臂纳米颗粒或立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米板等的形状。
量子点可根据颗粒尺寸控制发射的光的颜色，相应地，量子点可具有一种或多种适当的发射颜色(比如蓝色、红色和/或绿色)。
在如图3至图6中示出的实施方式的发光元件ED中，电子传输区ETR提供在发射层EML上。电子传输区ETR可包括空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层EIL中的至少一个层。然而，本公开的实施方式不限于此。
电子传输区ETR可具有使用单一材料形成的单层、使用多种不同材料形成的单层或者具有使用多种不同材料形成的多层的多层结构。
例如，电子传输区ETR可具有电子注入层EIL或电子传输层ETL的单层结构，或者使用电子注入材料和电子传输材料形成的单层结构。进一步，电子传输区ETR可具有使用多种不同材料形成的单层结构，或者其中从发射层EML以各自叙述的顺序堆叠的电子传输层ETL/电子注入层EIL、空穴阻挡层HBL/电子传输层ETL/电子注入层EIL和/或电子传输层ETL/缓冲层/电子注入层EIL等结构，但是本公开的实施方式不限于此。电子传输区ETR的厚度可为例如约至约/>
电子传输区ETR可使用一种或多种适当的方法(比如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗缪尔-布罗基特(LB)法、喷墨打印法、激光打印法和/或激光诱导的热成像(LITI)法)形成。
电子传输区ETR可包括由式ET-1表示的化合物。
[式ET-1]
在式ET-1中，X1至X3中的至少一个可为N，并且任何其余的可为CRa。Ra可为氢原子、氘原子、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基。Ar1至Ar3可各自独立地为氢原子、氘原子、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基。
在式ET-1中，“a”至“c”可各自独立地为选自0至10的整数。在式ET-1中，L1至L3可各自独立地为直接连接、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的亚杂芳基。在一些实施方式中，当“a”至“c”各自为选自2或更大的整数时，L1至L3可各自独立地为取代的或未取代的6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的亚杂芳基。
电子传输区ETR可包括蒽类化合物。然而，本公开的实施方式不限于此，并且电子传输区ETR可包括，例如，三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、1,3,5-三[(3-吡啶基)苯-3-基]苯、2,4,6-三(3′-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪、2-(4-(N-苯基苯并咪唑基-1-苯基)-9,10-二萘基)蒽、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1′-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、双(苯并喹啉-10-羟基)铍(Bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯(BmPyPhB)、二苯基(4-(三苯基甲硅烷基)苯基)氧化膦(TSPO1)和其混合物，但是本公开的实施方式不限于此。
电子传输区ETR可包括化合物ET1至ET36中的至少一个。
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在一些实施方式中，电子传输区ETR可包括金属卤化物(比如LiF、NaCl、CsF、RbCl、RbI、CuI和/或KI)、镧系金属(比如Yb)和/或金属卤化物和镧系金属的共沉积材料。例如，电子传输区ETR可包括KI:Yb、RbI:Yb、LiF:Yb等作为共沉积材料。在一些实施方式中，电子传输区ETR可使用金属氧化物(比如Li2O和/或BaO)和/或8-羟基-喹啉锂(Liq)。然而，本公开的实施方式不限于此。电子传输区ETR也可使用电子传输材料和绝缘有机金属(例如，有机金属)盐的混合材料形成。绝缘有机金属盐可为具有能带隙为约4eV或更大的材料。例如，绝缘有机金属盐可包括，例如，金属乙酸盐、金属苯酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮酸盐和/或金属硬脂酸盐。
除了前述的材料之外，电子传输区ETR可包括2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、二苯基(4-(三苯基甲硅烷基)苯基)氧化膦(TSPO1)和4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)中的至少一个。然而，本公开的实施方式不限于此。
电子传输区ETR可以在电子注入层EIL、电子传输层ETL和空穴阻挡层HBL中的至少一个层中包括上述电子传输区ETR的化合物。
当电子传输区ETR包括电子传输层ETL时，电子传输层ETL的厚度可为约至约例如，约/>至约/>当电子传输层ETL的厚度满足上述范围时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的电子传输特性。当电子传输区ETR包括电子注入层EIL时，电子注入层EIL的厚度可为约/>至约/>或约/>至约/>当电子注入层EIL的厚度满足上述范围时，可在不使驱动电压明显增加的情况下获得满意的电子注入特性。
第二电极EL2提供在电子传输区ETR上。第二电极EL2可为公共电极。第二电极EL2可为阴极或阳极，但是本公开的实施方式不限于此。例如，当第一电极EL1为阳极时，第二电极EL2可为阴极，并且当第一电极EL1为阴极时，第二电极EL2可为阳极。第二电极EL2可包括：选自Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn中的至少一种，选自它们中的两种或更多种的化合物，选自它们中的两种或更多种的混合物，和/或它们的氧化物。
第二电极EL2可为透射电极、透反射电极或反射电极。当第二电极EL2为透射电极时，第二电极EL2可包括透明的金属氧化物，例如，ITO、IZO、ZnO、ITZO等。
当第二电极EL2为透反射电极或反射电极时，第二电极EL2可包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、Yb、W、它们的化合物或它们的混合物(例如，AgMg、AgYb或MgAg)，或具有多层结构的材料比如LiF/Ca(LiF和Ca的堆叠结构)或LiF/Al(LiF和Al的堆叠结构)。在一些实施方式中，第二电极EL2可具有包括使用上述材料形成的反射层或透反射层以及使用ITO、IZO、ZnO、ITZO等形成的透明导电层的多层结构。例如，第二电极EL2可包括前述的金属材料、选自前述的金属材料中的两种或更多种的金属材料的组合和/或前述的金属材料的氧化物。
在一些实施方式中，第二电极EL2可与辅助电极连接。当第二电极EL2与辅助电极连接时，第二电极EL2的电阻可降低。
在一些实施方式中，在实施方式的发光元件ED中的第二电极EL2上，可进一步设置封盖层CPL。封盖层CPL可包括多层或单层。
在实施方式中，封盖层CPL可为有机层或无机层。例如，当封盖层CPL包括无机材料时，无机材料可包括碱金属化合物(比如LiF)、碱土金属化合物(比如SiON、SiNx、SiOy等)。
例如，当封盖层CPL包括有机材料时，有机材料可包括2,2'-二甲基-N,N'-二[(1-萘基)-N,N'-二苯基]-1,1'-联苯-4,4'-二胺(α-NPD)、NPB、TPD、m-MTDATA、Alq3、CuPc、N4,N4,N4′,N4′-四(联苯-4-基)联苯-4,4′-二胺(TPD15)、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)等，和/或可包括环氧树脂或丙烯酸酯(比如甲基丙烯酸酯)。在一些实施方式中，封盖层CPL可包括化合物P1至P5中的至少一个，但是本公开的实施方式不限于此。
在一些实施方式中，封盖层CPL的折射率可为约1.6或更大。例如，封盖层CPL相对于波长范围为约550nm至约660nm的光的折射率可为约1.6或更大。
图7至图10为根据实施方式的显示设备的横截面图。在实施方式的显示设备的解释中，参考图7至图10，将不再解释与关于图1至图6的解释的重叠部分，并且将主要解释不同的特征。
参考图7，根据实施方式的显示设备DD-a可包括包含显示元件层DP-ED的显示面板DP、设置在显示面板DP上的光控制层CCL以及滤色器层CFL。
在图7中示出的实施方式中，显示面板DP包括基体层BS、提供在基体层BS上的电路层DP-CL和显示元件层DP-ED，并且显示元件层DP-ED可包括发光元件ED。
发光元件ED可包括第一电极EL1、设置在第一电极EL1上的空穴传输区HTR、设置在空穴传输区HTR上的发射层EML、设置在发射层EML上的电子传输区ETR和设置在电子传输区ETR上的第二电极EL2。在一些实施方式中，图3至图6的发光元件ED的相同结构可应用于图7中示出的发光元件ED的结构。
根据实施方式的显示设备DD-a中包括的发光元件ED的空穴传输区HTR可包括上述的实施方式的由式1表示的胺化合物。
参考图7，发射层EML可设置在被像素限定层PDL限定的开孔部分OH中。例如，由像素限定层PDL划分并对应地提供到发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每一个的发射层EML可发射基本上相同波长区的光。在实施方式的显示设备DD-a中，发射层EML可发射蓝光。在一些实施方式中，不同于附图，可将发射层EML提供为用于所有发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的公共层。
光控制层CCL可设置在显示面板DP上。光控制层CCL可包括光转换器。光转换器可为量子点或磷光体。光转换器可转化提供的光的波长并且然后发射。例如，光控制层CCL可为包括量子点的层或包括磷光体的层。
光控制层CCL可包括多个光控制部分CCP1、CCP2和CCP3。光控制部分CCP1、CCP2和CCP3可彼此分开。
参考图7，分隔图案BMP可设置在分开的光控制部分CCP1、CCP2和CCP3之间，但是本公开的实施方式不限于此。在图7中，分隔图案BMP被示出不与光控制部分CCP1、CCP2和CCP3重叠，但是在一些实施方式中，光控制部分CCP1、CCP2和CCP3的边缘的至少一部分可与分隔图案BMP重叠。
光控制层CCL可包括第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3，第一光控制部分CCP1包括将从发光元件ED提供的第一颜色光转换成第二颜色光的第一量子点QD1，第二光控制部分CCP2包括将第一颜色光转换成第三颜色光的第二量子点QD2，第三光控制部分CCP3透射第一颜色光。
在实施方式中，第一光控制部分CCP1可提供作为第二颜色光的红光，并且第二光控制部分CCP2可提供作为第三颜色光的绿光。第三光控制部分CCP3可透射并提供蓝光，该蓝光为由发光元件ED提供的第一颜色光。例如，第一量子点QD1可为红色量子点，并且第二量子点QD2可为绿色量子点。量子点QD1和QD2可与上述的量子点相同。
在一些实施方式中，光控制层CCL可进一步包括散射体SP。第一光控制部分CCP1可包括第一量子点QD1和散射体SP，第二光控制部分CCP2可包括第二量子点QD2和散射体SP，并且第三光控制部分CCP3可不包括(例如，可排除)任何量子点但是可包括散射体SP。
散射体SP可为无机颗粒。例如，散射体SP可包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空硅石中的至少一种。散射体SP可包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空硅石中的一种，或者可为选自TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空硅石中的两种或更多种材料的混合物。
第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3中的每一个可包括用于分散量子点QD1和QD2以及散射体SP的基体树脂BR1、BR2和BR3中的相应的一个。在实施方式中，第一光控制部分CCP1可包括分散在第一基体树脂BR1中的第一量子点QD1和散射体SP，第二光控制部分CCP2可包括分散在第二基体树脂BR2中的第二量子点QD2和散射体SP，并且第三光控制部分CCP3可包括分散在第三基体树脂BR3中的散射体SP。基体树脂BR1、BR2和BR3是量子点QD1和QD2以及散射体SP分散在其中的介质，并且可由通常可称为粘结剂的一种或多种适当的树脂组合物组成。例如，基体树脂BR1、BR2和BR3可各自独立地为丙烯酸类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、硅酮类树脂、环氧类树脂等中的一种或多种。基体树脂BR1、BR2和BR3可各自为透明的树脂。在实施方式中，第一基体树脂BR1、第二基体树脂BR2和第三基体树脂BR3可彼此相同或不同。
光控制层CCL可包括阻挡层BFL1。阻挡层BFL1可起到阻挡水分和/或氧(下文，将称为“湿气/氧”)的渗透的作用。阻挡层BFL1可设置在光控制部分CCP1、CCP2和CCP3上，以阻挡或减少光控制部分CCP1、CCP2和CCP3暴露于湿气/氧。在一些实施方式中，阻挡层BFL1可覆盖光控制部分CCP1、CCP2和CCP3。在一些实施方式中，阻挡层BFL2可提供在光控制部分CCP1、CCP2和CCP3以及滤色器CF1、CF2和CF3之间(例如，沿着厚度方向)。
阻挡层BFL1和BFL2可包括至少一个无机层。例如，阻挡层BFL1和BFL2可通过包括无机材料来形成。例如，阻挡层BFL1和BFL2可通过包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物和/或硅氮氧化物以及/或者用于确保透光度的金属薄膜来形成。在一些实施方式中，阻挡层BFL1和BFL2可进一步包括有机层。阻挡层BFL1和BFL2可由单层或多层组成。
在实施方式的显示设备DD-a中，滤色器层CFL可设置在光控制层CCL上。例如，滤色器层CFL可直接设置在光控制层CCL上。在该情况下，可不提供阻挡层BFL2。
滤色器层CFL可包括滤色器CF1、CF2和CF3。滤色器层CFL可包括用于透射第二颜色光的第一滤色器CF1、用于透射第三颜色光的第二滤色器CF2和用于透射第一颜色光的第三滤色器CF3。例如，第一滤色器CF1可为红色滤色器，第二滤色器CF2可为绿色滤色器，并且第三滤色器CF3可为蓝色滤色器。滤色器CF1、CF2和CF3中的每一个可包括聚合物光敏树脂以及颜料和/或染料。第一滤色器CF1可包括红色颜料和/或染料，第二滤色器CF2可包括绿色颜料和/或染料，并且第三滤色器CF3可包括蓝色颜料和/或染料。在一些实施方式中，本公开的实施方式不限于此，并且第三滤色器CF3可不包括(例如，可排除)任何颜料或染料。第三滤色器CF3可包括聚合物光敏树脂，并且不包括任何颜料或染料。第三滤色器CF3可是透明的。第三滤色器CF3可使用透明的光敏树脂形成。
在一些实施方式中，第一滤色器CF1和第二滤色器CF2可为黄色滤色器。第一滤色器CF1和第二滤色器CF2可提供为一体，而没有区分(例如，不分开)。在一些实施方式中，第一滤色器至第三滤色器CF1、CF2和CF3中的每一个可设置为分别对应于红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B中的每一个。
在一些实施方式中，尽管未显示，但是滤色器层CFL可包括光阻挡部件。滤色器层CFL可包括设置为与相邻的滤色器CF1、CF2和CF3的边界重叠的光阻挡部件。光阻挡部件可为黑色矩阵。光阻挡部件可通过包括包含黑色颜料和/或黑色染料的有机光阻挡材料或无机光阻挡材料而形成。光阻挡部件可划分邻近的滤色器CF1、CF2和CF3。在一些实施方式中，光阻挡部件可形成为蓝色滤色器。
在滤色器层CFL上，可设置基体基板BL。基体基板BL可为用于提供其上设置有滤色器层CFL、光控制层CCL等的基体表面的构件。基体基板BL可为玻璃基板、金属基板、塑料基板等。然而，本公开的实施方式不限于此，并且基体基板BL可为无机层、有机层或复合材料层。在一些实施方式中，不同于附图，可不提供基体基板BL。
图8为示出根据实施方式的显示设备的一部分的横截面图。在图8中，示出了对应于图7中的显示面板DP的一部分的横截面图。在实施方式的显示设备DD-TD中，发光元件ED-BT可包括多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3。发光元件ED-BT可包括相对设置的第一电极EL1和第二电极EL2以及在第一电极EL1和第二电极EL2之间在厚度方向上以叙述顺序堆叠的多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3。发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3中的每一个可包括发射层EML(图7)以及在其间设置有发射层EML(图7)的空穴传输区HTR和电子传输区ETR。
例如，包括在实施方式的显示设备DD-TD中的发光元件ED-BT可为具有包括多个发射层的串联结构的发光元件。
在图8中示出的实施方式中，从发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3发射的光可全部为蓝光。然而，本公开的实施方式不限于此，并且从发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3发射的光的波长区可彼此不同。例如，包括在不同波长区中发射光的多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3的发光元件ED-BT可发射白光。
在相邻的发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3之间，可设置电荷生成层CGL1和CGL2。电荷生成层CGL1和CGL2可包括p型或p类电荷生成层和/或n型或n类电荷生成层。
在实施方式的显示设备DD-TD中包括的发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3中的至少一个中，可包括实施方式的由式1表示的胺化合物。
参考图9，根据实施方式的显示设备DD-b可包括发光元件ED-1、ED-2和ED-3，每个发光元件通过将两个发射层彼此堆叠而形成。与图2中示出的实施方式的显示设备DD相比，图9中示出的实施方式的不同之处在于第一发光元件至第三发光元件ED-1、ED-2和ED-3各自包括在厚度方向上堆叠的两个发射层。在第一发光元件至第三发光元件ED-1、ED-2和ED-3中，两个发射层可(例如，可各自)发射在基本上相同的波长区内的光。
第一发光元件ED-1可包括第一红色发射层EML-R1和第二红色发射层EML-R2。第二发光元件ED-2可包括第一绿色发射层EML-G1和第二绿色发射层EML-G2。另外，第三发光元件ED-3可包括第一蓝色发射层EML-B1和第二蓝色发射层EML-B2。在第一红色发射层EML-R1和第二红色发射层EML-R2之间，在第一绿色发射层EML-G1和第二绿色发射层EML-G2之间，以及在第一蓝色发射层EML-B1和第二蓝色发射层EML-B2之间，可设置发射辅助部件OG。
发射辅助部件OG可包括单层或多层。发射辅助部件OG可包括电荷生成层。例如，发射辅助部件OG可包括以叙述顺序堆叠的电子传输区、电荷生成层和空穴传输区。发射辅助部件OG可在第一发光元件至第三发光元件ED-1、ED-2和ED-3中的所有发光元件中提供为公共层。然而，本公开的实施方式不限于此，并且发射辅助部件OG可被图案化，并且提供在被像素限定层PDL限定的开孔部分OH中。
第一红色发射层EML-R1、第一绿色发射层EML-G1和第一蓝色发射层EML-B1可设置在电子传输区ETR和发射辅助部件OG之间。第二红色发射层EML-R2、第二绿色发射层EML-G2和第二蓝色发射层EML-B2可设置在发射辅助部件OG和空穴传输区HTR之间。
例如，第一发光元件ED-1可包括以叙述顺序堆叠的第一电极EL1、空穴传输区HTR、第二红色发射层EML-R2、发射辅助部件OG、第一红色发射层EML-R1、电子传输区ETR和第二电极EL2。第二发光元件ED-2可包括以叙述顺序堆叠的第一电极EL1、空穴传输区HTR、第二绿色发射层EML-G2、发射辅助部件OG、第一绿色发射层EML-G1、电子传输区ETR和第二电极EL2。第三发光元件ED-3可包括以叙述顺序堆叠的第一电极EL1、空穴传输区HTR、第二蓝色发射层EML-B2、发射辅助部件OG、第一蓝色发射层EML-B1、电子传输区ETR和第二电极EL2。
在一些实施方式中，光学辅助层PL可设置在显示元件层DP-ED上。光学辅助层PL可包括偏振层。光学辅助层PL可设置在显示面板DP上，并且可以控制由外部光在显示面板DP处反射的光。不同于附图，根据实施方式的显示设备可以不提供光学辅助层PL。
不同于图8和图9，图10中的显示设备DD-c被示出为包括四个发光结构OL-B1、OL-B2、OL-B3和OL-C1。发光元件ED-CT可包括相对设置的第一电极EL1和第二电极EL2以及在第一电极EL1和第二电极EL2之间在厚度方向上以叙述顺序堆叠的第一发光结构至第四发光结构OL-B1、OL-B2、OL-B3和OL-C1。在第一发光结构至第四发光结构OL-B1、OL-B2、OL-B3和OL-C1之间，可设置电荷生成层CGL1、CGL2和CGL3。四个发光结构中，第一发光结构至第三发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3可发射蓝光，并且第四发光结构OL-C1可发射绿光。然而，本公开的实施方式不限于此，并且第一发光结构至第四发光结构OL-B1、OL-B2、OL-B3和OL-C1可发射不同波长的光。
设置在相邻的发光结构OL-B1、OL-B2、OL-B3和OL-C1中的电荷生成层CGL1、CGL2和CGL3可包括p型或p类电荷生成层和/或n型或n类电荷生成层。
在实施方式的显示设备DD-c中包括的发光结构OL-B1、OL-B2、OL-B3和OL-C1中的至少一个中，可包括实施方式的由式1表示的胺化合物。
根据本公开的实施方式的发光元件ED可在设置在第一电极EL1和第二电极EL2之间的至少一个功能层中包括实施方式的由式1表示的胺化合物，以示出(例如，实现)改善的发射效率和改善的寿命特性。根据实施方式的发光元件ED可在设置在第一电极EL1和第二电极EL2之间的空穴传输区HTR、发射层EML和电子传输区ETR中的至少一个中或者在封盖层CPL中包括实施方式的由式1表示的胺化合物。
例如，根据实施方式的由式1表示的胺化合物可包括在实施方式的发光元件ED的空穴传输区HTR中，并且实施方式的发光元件ED可示出(例如，实现)卓越的或适当的发射效率和长寿命特性。
实施方式的由式1表示的胺化合物包括被芳基或杂芳基取代的二苯并杂环戊二烯基以及选自咔唑衍生物、芴衍生物和三联苯衍生物中的一个或多个取代基，并且可示出(例如，实现)低驱动电压、高效率和增加的寿命特性。
下文，参考实施方式(实施例)和比较实施方式(比较例)，将更详细地解释根据实施方式的由式1表示的胺化合物和根据本公开的实施方式的发光元件。另外，实施方式(实施例)是帮助理解本公开的说明，但是本公开的范围不限于此。
[实施例]
1、由式1表示的胺化合物的合成
首先，将通过阐释化合物A2、化合物A13、化合物A29、化合物A73、化合物B1、化合物B2和化合物C3的合成方法来更详细地解释根据实施方式的由式1表示的胺化合物的合成方法(例如，用于形成或合成由式1表示的胺化合物的方法)。另外，下文解释的由式1表示的胺化合物的合成的方法是实施方式，并且根据本公开的实施方式的由式1表示的胺化合物的合成方法不限于下面的实施方式。
(1)化合物A2的合成
根据实施方式的胺化合物A2可例如通过下面反应的步骤(行为)合成。
[反应1]
中间体A-2的合成
在氩(Ar)气氛下，向1000mL的三颈烧瓶以叙述顺序添加化合物S1(10.18g，46.41mmol)、Pd(dba)2(1.33g，0.05当量，2.32mmol)、NaO(tBu)(4.46g，1当量，46.41mmol)、甲苯(464mL)、化合物S2(15.48g，1.0当量，46.41mmol)和P(tBu)3(1.88g，0.2当量，9.28mmol)，随后加热，回流并搅拌约6小时。在冷却至室温之后，向反应溶液添加水，并单独取出有机层。然后，将甲苯添加至水层，并且进一步萃取有机层。收集有机层，用盐水溶液冲洗，并且用MgSO4干燥。过滤MgSO4，浓缩有机层，并且通过硅胶柱色谱分离因此获得的粗产物，以获得作为白色固体化合物的中间体A-2(18.6g，产率87％)。
通过测量FAB-MS，观察到m/z＝461的质量数为分子离子峰，并且确认了中间体A-2。
化合物A2的合成
在氩气氛下，向500mL的三颈烧瓶以叙述顺序添加中间体A-2(10.0g，21.67mmol)、Pd(dba)2(0.62g，0.05当量，1.08mmol)、NaO(tBu)(2.08g，1当量，21.67mmol)、甲苯(216mL)、化合物S3(6.98g，1.0当量，21.67mmol)和P(tBu)3(0.88g，0.2当量，4.33mmol)，随后加热，回流并搅拌约6小时。在冷却至室温之后，向反应溶液添加水，并单独取出有机层。然后，将甲苯添加至水层，并且进一步萃取有机层。收集有机层，用盐水溶液冲洗，并且用MgSO4干燥。过滤MgSO4，浓缩有机层，并且通过硅胶柱色谱分离因此获得的粗产物，以获得作为白色固体化合物的化合物A2(10.7g，产率70％)。
通过测量FAB-MS，观察到m/z＝702的质量数为分子离子峰，并且确认了化合物A2。
(2)化合物A13的合成
根据实施方式的胺化合物A13可例如通过下面反应的步骤(行为)合成。
中间体M1的合成
[反应2-1]
在氩气氛下，向1000mL的三颈烧瓶以叙述顺序添加化合物S4(20.0g，116.29mmol)、化合物S5(31.1g，1.0当量，116.29mmol)、Pd(PPh3)4(4.03g，0.03当量，3.49mmol)、2M的K3PO4(aq.，96.90g)、甲苯(387mL)和乙醇(EtOH)(194mL)，随后加热，回流并搅拌约6小时。在冷却至室温之后，向反应溶液添加水，并单独取出有机层。然后，将甲苯添加至水层，并且进一步萃取有机层。收集有机层，用盐水溶液冲洗，并且用MgSO4干燥。过滤MgSO4，浓缩有机层，并且通过硅胶柱色谱分离因此获得的粗产物，以获得作为白色固体化合物的中间体M1(27.0g，产率73％)。
通过测量FAB-MS，观察到m/z＝314的质量数为分子离子峰，并且确认了中间体M1。
化合物A13的合成
[反应2-2]
通过与中间体A-2的合成方法基本上相同的方法合成中间体A-13，除了使用化合物S6代替化合物S2。通过测量FAB-MS，观察到m/z＝500的质量数为分子离子峰，并且确认了中间体A-13。
通过与化合物A2的合成方法基本上相同的方法合成化合物A13，除了添加中间体M1至中间体A-13。通过测量FAB-MS，观察到m/z＝778的质量数为分子离子峰，并且确认了化合物A13。
(3)化合物A29的合成
根据实施方式的胺化合物A29可例如通过下面反应的步骤(行为)合成。
[反应3]
中间体M2的合成
在氩气氛下，向1000mL的三颈烧瓶以叙述顺序添加化合物S7(15.0g，60.95mmol)、化合物S8(15.49g，1.0当量，60.95mmol)、Pd2(dba)3(3.15g，0.05当量，3.05mmol)、NaO(tBu)(5.86g，1当量，60.95mmol)和甲苯(610mL)，随后加热，回流并搅拌约6小时。在冷却至室温之后，向反应溶液添加水，并单独取出有机层。然后，将甲苯添加至水层，并且进一步萃取有机层。收集有机层，用盐水溶液冲洗，并且用MgSO4干燥。过滤MgSO4，浓缩有机层，并且通过硅胶柱色谱分离因此获得的粗产物，以获得中间体M2(18.0g，产率79％)。
通过测量FAB-MS，观察到m/z＝371的质量数为分子离子峰，并且确认了中间体M2。
中间体M3的合成
通过与中间体M1的合成方法基本上相同的方法合成中间体M3，除了添加化合物S9至中间体M2。通过测量FAB-MS，观察到m/z＝403的质量数为分子离子峰，并且确认了中间体M3。
中间体A-29的合成
通过与中间体A-2的合成方法基本上相同的方法合成中间体A-29，除了使用化合物S10代替化合物S2。通过测量FAB-MS，观察到m/z＝461的质量数为分子离子峰，并且确认了中间体A-29。
化合物A29的合成
通过与化合物A2的合成方法基本上相同的方法合成化合物A29，除了添加中间体M3至中间体A-29。通过测量FAB-MS，观察到m/z＝828的质量数为分子离子峰，并且确认了化合物A29。
(4)化合物A73的合成
根据实施方式的胺化合物A73可例如通过下面反应的步骤(行为)合成。
[反应4]
通过与化合物A2的合成方法基本上相同的方法合成化合物A73，除了使用化合物S11、化合物S10和化合物S3作为反应物。通过测量FAB-MS，观察到m/z＝718的质量数为分子离子峰，并且确认了化合物A73。
(5)化合物B1的合成
根据实施方式的胺化合物B1可例如通过下面反应的步骤(行为)合成。
[反应5]
通过与中间体A-2的合成方法基本上相同的方法合成中间体B-1，除了使用化合物S13代替化合物S2。通过测量FAB-MS，观察到m/z＝575的质量数为分子离子峰，并且确认了中间体B-1。
通过与化合物A2的合成方法基本上相同的方法合成化合物B1，除了添加化合物S12至中间体B-1。通过测量FAB-MS，观察到m/z＝777的质量数为分子离子峰，并且确认了化合物B1。
(6)化合物B2的合成
根据实施方式的胺化合物B2可例如通过下面反应的步骤(行为)合成。
[反应6]
/>
通过与中间体A-2的合成方法基本上相同的方法合成中间体B-1，除了使用化合物S13代替化合物S2。通过测量FAB-MS，观察到m/z＝575的质量数为分子离子峰，并且确认了中间体B-1。
通过与化合物B1的合成方法基本上相同的方法合成化合物B2，除了使用化合物S15代替化合物S10。通过测量FAB-MS，观察到m/z＝777的质量数为分子离子峰，并且确认了化合物B2。
(7)化合物C3的合成
根据实施方式的胺化合物C3可例如通过下面反应的步骤(行为)合成。
[反应7]
通过与中间体A-29的合成方法基本上相同的方法合成中间体C-3，除了使用化合物S14代替化合物S1。通过测量FAB-MS，观察到m/z＝511的质量数为分子离子峰，并且确认了中间体C-3。
然后，通过与化合物A2的合成方法基本上相同方法合成化合物C3，除了添加化合物S16至中间体C-3。通过测量FAB-MS，观察到m/z＝815的质量数为分子离子峰，并且确认了化合物C3。
2、发光元件的制造和评估
通过下面的方法对在空穴传输层中包括实施例化合物和比较化合物的发光元件进行评估。用于评估的发光元件的制造方法在下面示出。
(1)发光元件的制造
使用异丙基醇和纯水用超声波各自冲洗玻璃基板约5分钟，在玻璃基板上具有约150nm的厚度的ITO被图案化。在通过超声波冲洗之后，进行约30分钟的UV暴露并进行臭氧处理。然后，沉积2-TNATA至约60nm的厚度，以形成空穴注入层。
之后，将实施例化合物和比较化合物中的各自的一个沉积至约30nm的厚度，以形成空穴传输层。然后，通过以约97:3的重量比同期(例如，同时)沉积ADN和TBP，形成具有约25nm的厚度的发射层。然后，将Alq3沉积至约25nm的厚度以形成电子传输层，并且将LiF沉积至约1nm的厚度以形成电子注入层。
之后，通过沉积Al至约100nm的厚度，形成第二电极。
在实施例和比较例中，使用真空沉积设备各自形成空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层、电子注入层和第二电极。
用于制造发光元件的实施例化合物和比较化合物如下。
实施例化合物
比较化合物
(2)发光元件的评估
表1示出了关于实施例1至7以及比较例1至8的发光元件的评估结果。在表1中，比较并示出制造的发光元件的驱动电压、发射效率和半衰期。在表1中示出的实施例和比较例的特性的评估结果中，发射效率在约10mA/cm2的电流密度下测量，并且半衰期示出为自约1000cd/m2的初始亮度起的亮度半衰期。
使用Keithley Instruments Co.,Ltd.的2400系列源表、Konica Minolta Co.，Ltd.的CS-200亮度和色度计以及Japanese National Instruments Co.Ltd.用于在暗室中测量的PC Program LabVIEW8.2，对元件的电流密度、驱动电压和发射效率进行了评估。
[表1]
参考表1的结果，当与比较例1至8比较时，本公开的实施例1至7示出了低驱动电压、长寿命特性和高发射效率。实施例1至4的发光元件，各自都包括实质上包括咔唑基作为取代基的实施例化合物中的相应一个，当与比较例1(包括比较化合物R1，其为包含咔唑基的胺化合物)相比时，示出更低的驱动电压、更长的寿命特性和更高的发射效率。据认为，实施例化合物各自进一步包括在1-二苯并呋喃(或1-二苯并噻吩)的位置4处取代的芳基，因此进一步扩展了共轭作用。
当与比较例2中使用的比较化合物R2进行比较时，实施例5和实施例6中使用的实施例化合物B1和B2与比较化合物R2的不同之处在于，R2具有不同的胺基的氮原子与二苯基芴基的键合位置，且不包括萘基。由于这种差异，实施例5和实施例6示出了更低的驱动电压、更长的寿命和更高的发射效率的元件特性。
同时，比较例3中使用的比较化合物R3具有与本公开的实施例化合物相同的胺基的氮原子与芴的键合位置，但与本公开的实施例化合物的不同之处在于，其包括间联苯基而非萘基作为取代基，相应地，比较例3显示出比实施例更短的寿命特性。比较例4中使用的比较化合物R4与本公开的实施例化合物的不同之处在于，其包括基而非萘基作为取代基，相应地，比较例4显示出比实施例更短的寿命特性。
实施例7中使用的实施例化合物包括Z型或Z类芳基作为取代基，相应地，示出了更低的驱动电压、更长的寿命和更高的发射效率的元件特性。
同时，当与实施例化合物相比时，在比较例5至比较例8中使用的比较化合物具有胺基的氮原子相对于二苯并杂环戊二烯基的不同键合位置或在二苯并杂环戊二烯基处取代的取代基的不同键合位置。与比较例不同的这种键合类型或种类的差异是本公开的由式1表示的胺化合物的一个重要特征，相应地，当与比较例相比时，本公开的实施方式的发光元件可示出更低的驱动电压、更长的寿命和更高的发射效率的元件特性。
例如，从表1的结果来看，可以确认，当与使用比较化合物作为空穴传输层的材料的情况相比时，当本公开的实施方式的由式1表示的胺化合物被用作空穴传输层的材料时，可获得(例如，示出)更长的寿命和更高的发射效率。
在实施方式的由式1表示的胺化合物中，芳基或杂芳基在二苯并杂环戊二烯基的位置4处取代，或者萘基经亚对苯基连接体与胺基的氮原子键合，以增加共轭作用，并且另外引入芴基、咔唑基和/或Z型或Z类芳基等作为取代基，以实现电稳定性和高电荷传输容量。相应地，当用作发光元件的材料时，实施方式的由式1表示的胺化合物可有助于降低驱动电压并且增加发光元件的寿命和发射效率。
实施方式的发光元件包括实施方式的由式1表示的胺化合物，并且可示出适当的或高的发射效率以及适当的或长的寿命特性。
实施方式的由式1表示的胺化合物可用作用于实现高发射效率和长寿命的发光元件的改进性能的材料。
如本文使用的，术语"和/或"包括相关列举项目中的一个或多个的任意组合和所有组合。遍及本公开，表述"a、b或c中的至少一种"、“选自a、b和c中的至少一种”、“选自由a、b和c组成的组中的至少一种”、“a、b和c中的至少一种”等指示仅a，仅b，仅c，a和b两者(例如，同时a和b)，a和c两者(例如，同时a和c)，b和c两者(例如，同时b和c)，a、b和c的全部或者其变型。
当描述本公开的实施方式时使用的“可”指“本公开的一个或多个实施方式”。
如本文中使用的，术语“基本上”、“约”和类似的术语用作近似的术语而不用作程度的术语，并且旨在解释本领域普通技术人员会认识到的测量值或计算值中的固有偏差。如本文中使用的，“约”或“近似”包括规定值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑所讨论的测量和与特定数量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定的特定值的可接受偏差的范围内。例如，“约”可意指在一个或多个标准偏差内，或在规定值的±30％、±20％、±10％或±5％内。
本文阐述的任意数值范围旨在包括在阐述范围内涵盖的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括阐述的1.0的最小值和阐述的10.0的最大值之间(并且包括1.0和10.0)，即，具有等于或大于1.0的最小值且等于或小于10.0的最大值的所有子范围，比如，例如，2.4至7.6。在本文中阐述的任意最大数值界限旨在包括其中涵盖的所有较低数值界限，并且在本说明书中阐述的任意最小数值界限旨在包括其中涵盖的所有较高数值界限。相应地，申请人保留修改包括权利要求在内的本说明书内容的权利，以明确地阐述涵盖在本文明确地阐述的范围内的任意子范围。
本文中描述的根据本发明的实施方式的显示装置和/或任意其他相关装置或部件可使用任意适当的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的组合来实施。例如，装置的各种部件可形成在一个集成电路(IC)芯片上或形成在独立IC芯片上。此外，装置的各种部件可在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)或印刷电路板(PCB)上实施，或在一个基板上形成。此外，装置的各种部件可为在一个或多个计算装置中一个或多个处理器上运行的、执行计算机程序指令并与其他系统部件交互以执行本文中描述的各种功能的进程或线程。计算机程序指令被存储在存储器中，该存储器可在计算装置中使用标准存储器装置，比如，例如，随机存取存储器(RAM)来实施。计算机程序指令也可被存储在其他非暂时性计算机可读介质，比如，例如CD-ROM或闪存驱动器等中。而且，本领域技术人员应认识到，在不背离本公开的实施方式的范围的情况下，各种计算装置的功能可结合或集成到单个计算装置中，或者专用计算装置的功能可分布在一个或多个其他计算装置上。
尽管已描述了本公开的实施方式，但将理解，本公开不应限于这些实施方式，而是本领域普通技术人员可在如由所附权利要求及其等效方案限定的本公开的精神和范围内进行一个或多个适当的变更和变型。

Claims (14)

1.一种由式1表示的胺化合物：
式1
其中，在式1中，
X为O或S，
L1和L2各自独立地为直接连接、取代的或未取代的6至15个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的1至12个成环碳原子的亚杂芳基，
n为选自0至7的整数，o为选自0至4的整数，p为选自0至6的整数，
Ra、Rb和Rc各自独立地为氘原子、卤原子、取代的或未取代的1至10个碳原子的烷基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的1至30个成环碳原子的杂芳基，
Ar1为取代的或未取代的6至40个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的1至40个成环碳原子的杂芳基，并且
FG由式2至式5中的任意一个表示：
式2
式3
式4
式5
在式2和式3中，Ar2至Ar4各自独立地为取代的或未取代的6至40个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的1至40个成环碳原子的杂芳基，
在式2至式5中，Rd1至Rd5各自独立地为氘原子、卤原子、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的1至30个成环碳原子的杂芳基，和/或与邻近基团结合以形成烃环或杂环，
m1和m2各自独立地为选自0至7的整数，
m3和m4各自独立地为选自0至4的整数，且
m5为选自0至8的整数，
在式4中，R1至R5各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的1至30个成环碳原子的杂芳基，和/或与邻近基团结合以形成烃环或杂环，并且
-*表示与式1的结合位点。
2.根据权利要求1所述的由式1表示的胺化合物，其中所述由式1表示的胺化合物由式1-1至式1-4中的任意一个表示：
式1-1
式1-2
式1-3
式1-4
其中在式1-1至式1-4中，
X、L1、L2、n、Ra和Ar1与式1中限定的相同，
在式1-1和式1-2中，Ar2至Ar4与式2和式3中限定的相同，
在式1-3中，R1至R5与式4中限定的相同，并且
在式1-1至式1-4中，Rd1至Rd5和m1至m5与式2至式5中限定的相同。
3.根据权利要求1所述的由式1表示的胺化合物，其中L1为直接连接、未取代的亚苯基或未取代的二价联苯基。
4.根据权利要求1所述的由式1表示的胺化合物，其中L2为直接连接、未取代的亚苯基、未取代的亚萘基、未取代的二价二苯并呋喃基或未取代的二价二苯并噻吩基。
5.根据权利要求1所述的由式1表示的胺化合物，其中Ar1为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的菲基、取代的或未取代的二苯并噻吩基或者取代的或未取代的二苯并呋喃基。
6.根据权利要求1所述的由式1表示的胺化合物，其中Ar1由Ar1-1至Ar1-5中的任意一个表示：
并且
-*表示与式1的结合位点。
7.根据权利要求1所述的由式1表示的胺化合物，其中在式4中，R1至R5与被R1至R5取代的苯环结合，以形成二苯并呋喃环、二苯并噻吩环或咔唑环。
8.根据权利要求1所述的由式1表示的胺化合物，其中所述由式1表示的胺化合物包括其中至少一个氢原子被氘原子取代的结构。
9.根据权利要求1所述的由式1表示的胺化合物，其中所述由式1表示的胺化合物为单胺化合物。
10.根据权利要求1所述的由式1表示的胺化合物，其中所述由式1表示的胺化合物为化合物组1中的化合物中的任意一个：
化合物组1
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
其中在化合物组1中，D为氘原子。
11.一种发光元件，包括：
第一电极；
面向所述第一电极的第二电极；和
至少一个功能层，其在所述第一电极和所述第二电极之间，并且包括根据权利要求1至10中任一项所述的由式1表示的胺化合物。
12.根据权利要求11所述的发光元件，其中所述至少一个功能层包括发射层、在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区以及在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，并且
所述空穴传输区包括所述由式1表示的胺化合物。
13.根据权利要求12所述的发光元件，其中所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一个层，并且
所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述电子阻挡层中的所述至少一个层包括所述由式1表示的胺化合物。
14.根据权利要求12所述的发光元件，其中所述发射层包括由式E-1表示的化合物：
式E-1
其中，在式E-1中，
c和d各自独立地为选自0至5的整数，并且
R31至R40各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的1至10个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至10个碳原子的烯基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基，和/或与邻近基团结合以形成环。
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