CN117843623A - 发光元件和用于该发光元件的含氮化合物 - Google Patents

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Abstract

公开了一种发光元件和用于该发光元件的含氮化合物。该发光元件包括：第一电极；第二电极，在第一电极上；以及发射层，在第一电极与第二电极之间，发射层包括由式1表示的第一化合物，其中，式1中的变量与说明书中定义的相同。包括实施例的第一化合物的发光元件可以具有降低的驱动电压并且表现出优异的或合适的光效率。式1

Description

发光元件和用于该发光元件的含氮化合物
本申请要求于2022年10月5日提交的第10-2022-0127378号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开的实施例在此涉及一种发光元件和用在该发光元件中的含氮化合物。
背景技术
最近，正在积极地进行作为图像显示装置的有机电致发光显示装置的开发。有机电致发光显示装置包括所谓的自发光发光元件，其中分别从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合，因此发射层的发光材料发射光以实现显示。
在将发光元件应用于显示装置时，存在对具有降低的驱动电压和改善的光效率的发光元件的需求，并且正在不断地需要关于用于能够稳定地获得这种特性的发光元件的材料的开发。
发明内容
实施例的方面涉及一种具有降低的驱动电压和改善的光效率的发光元件。
实施例的方面涉及一种含氮化合物，该含氮化合物是用于具有降低的驱动电压和改善的光效率的发光元件的材料。
附加的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过公开的所呈现的实施例的实践而获知。
根据本公开的一个或更多个实施例，发光元件包括：第一电极；第二电极，设置在第一电极上；以及发射层，设置在第一电极与第二电极之间并且包括由式1表示的第一化合物：
式1
在式1中，X1至X3之中的至少一个是N，其余部分可以均独立地是CR6，n1至n3可以均独立地是0至8的整数，n4和n5可以均独立地是0至4的整数，并且R1至R6可以均独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的具有1个至60个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至60个碳原子的烯基、取代或未取代的具有2个至60个碳原子的炔基、取代或未取代的具有6个至60个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至60个成环碳原子的杂芳基。
在实施例中，式1可以由式1-1或式1-2表示：
式1-1
式1-2
在式1-1和式1-2中，X1至X3、n1至n5和R1至R5可以均独立地与式1中所定义的相同。
在实施例中，式1-1可以由式1-1A或式1-1B表示：
式1-1A
式1-1B
在式1-1A和式1-1B中，X1至X3、n1至n5和R1至R5可以均独立地与式1中所定义的相同。
式1-2可以由式1-2A或式1-2B表示：
式1-2A
式1-2B
在式1-2A和式1-2B中，X1至X3、n1至n5和R1至R5可以均独立地与式1中所定义的相同。
在实施例中，式1可以由式1-3至式1-5之中的任何一个表示：
式1-3
式1-4
式1-5
在式1-3至式1-5中，R51是取代或未取代的苯基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基或者取代或未取代的二苯并噻吩基，并且X1至X3、n1至n4和R1至R4可以均独立地与式1中所定义的相同。
在实施例中，在式1中，R1至R6可以均独立地是氢原子、氘原子或由R-1至R-7之中的任何一个表示：
在R-2和R-3中，n71是0至5的整数，n72是0至8的整数，并且R71和R72可以均独立地是氢原子、氘原子或未取代的叔丁基。
在实施例中，式1中的R1至R5之中的至少一个可以是氘原子，或者可以包括包含氘原子的取代基。
在实施例中，发射层可以包括主体和掺杂剂，并且主体可以包括第一化合物。
在实施例中，主体还可以包括由式HT-1表示的第二化合物：
式HT-1
在式HT-1中，L1是直连键、CR99R100或SiR101R102，X91是N或CR103，并且R91至R103可以均独立地是氢原子、氘原子、氰基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的具有1个至60个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至60个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至60个成环碳原子的杂芳基，并且可选地结合到相邻基团以形成环。
在实施例中，掺杂剂可以包括由式M-a表示的第三化合物：
式M-a
在式M-a中，Y1至Y4和Z1至Z4可以均独立地是CR81或N，R81至R84可以均独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的胺基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地结合到相邻基团以形成环，m1是0或1，并且m2是2或3。
在本公开的实施例中，含氮化合物由式1表示。
在实施例中，在式1中，X1至X3中的每个可以是N。
附图说明
附图被包括以提供对本公开的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本公开的示例实施例，并且与描述一起用于解释本公开的原理。在附图中：
图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的平面图；
图2是示出沿着图1的线I-I′截取的一部分的剖视图；
图3是示意性地示出本公开的实施例的发光元件的剖视图；
图4是示意性地示出本公开的实施例的发光元件的剖视图；
图5是示意性地示出本公开的实施例的发光元件的剖视图；
图6是示意性地示出本公开的实施例的发光元件的剖视图；
图7是示出根据本公开的实施例的显示装置的剖视图；
图8是示出根据本公开的实施例的显示装置的剖视图；
图9是示出根据本公开的实施例的显示装置的剖视图；以及
图10是示出根据本公开的实施例的显示装置的剖视图。
具体实施方式
本公开可以以一种或更多种合适的方式进行修改并且具有许多形式，并且因此具体实施例将在附图中例示并且在本公开的详细描述中更详细地描述。然而，应理解的是，它不旨在将本公开限制于所公开的具体形式，而是旨在覆盖落入到本公开的精神和范围内的所有修改、等同物和替代物。
在本说明书中，当组件(或区域、层、部分等)被称为“在”另一组件“上”、“连接到”或“结合到”另一组件时，它指所述组件可以直接设置在所述另一组件上/直接连接到/直接结合到所述另一组件，或者第三组件可以设置在其间。
同样的附图标记始终指同样的组件。此外，在附图中，为了有效描述技术内容，夸大了组件的厚度、比例和尺寸。术语“和/或”包括可以由相关项定义的一个或更多个组合中的全部。
将理解的是，虽然在此可以利用术语“第一”、“第二”等来描述一个或更多个合适的组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。例如，在不脱离本公开的示例实施例的范围的情况下，第一组件可以被命名为第二组件，类似地，第二组件可以被命名为第一组件。如在此所利用的，除非上下文另有明确说明，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。
在一些实施例中，诸如“在……下方”、“在……下面”、“在……上”和“在……上方”的术语可以用于描述附图中所示的组件之间的关系。术语用作相对概念，并且参照附图中指示的方向进行描述。
应理解的是，术语“包括”或“具有”旨在说明在公开中存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部件或它们的组合，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、组件、部件或它们的组合。
如在此所利用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”、“a-c中的至少一个(种/者)”、“a至c中的至少一个(种/者)”、“a至c之中的至少一个”等指示仅a、仅b、仅c、a和b两者(例如，同时)、a和c两者(例如，同时)、b和c两者(例如，同时)、a、b和c中的全部或其变型。
在本说明书中，“包括A或B”、“A和/或B”等表示A或B或者A和B。
如在此所使用的，术语“基本上”、“大约(约)”和类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。如在此所使用的“大约(约)”或“基本上”包括所陈述的值，并且意指在如由本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与特定量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)所确定的具体值的偏差的可接受的范围内。例如，“大约(约)”或“基本上”可以意指在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
根据上下文，二价基团根据例如与利用术语相关的式的结构可以指或可以是多价基团(例如，三价、四价等，不仅仅是二价)。
可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的组合来实现在此描述的根据本发明的实施例的发光元件和/或任何其它相关装置或组件。例如，装置的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或在单独的IC芯片上。此外，装置的各种组件可以在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上实现，或者形成在一个基底上。此外，装置的各种组件可以是在一个或更多个计算装置中的一个或更多个处理器上运行的进程或线程，所述一个或更多个计算装置执行计算机程序指令且与其它系统组件交互以执行在此描述的各种功能。计算机程序指令存储在存储器中，存储器可以使用标准存储器装置(诸如以随机存取存储器(RAM)为例)在计算装置中实现。计算机程序指令还可以存储在其它非暂时性计算机可读介质(诸如以CD-ROM、闪存驱动器等为例)中。此外，本领域技术人员应认识到的是，在不脱离本发明的示例性实施例的范围的情况下，各种计算装置的功能可以组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以分布到一个或更多个其它计算装置上。
除非另有定义，否则在此所利用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。在一些实施例中，将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关技术的背景下的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的含义来解释，除非在此如此明确地定义。
在下文中，将参照附图描述本公开的实施例。图1是示出显示装置DD的实施例的平面图。图2是实施例的显示装置DD的剖视图。图2是示出沿着图1的线I-I′截取的一部分的剖视图。
显示装置DD可以包括显示面板DP和在第三方向轴DR3上设置在显示面板DP上的光学层PP。显示面板DP可以包括发光元件ED-1、ED-2和ED-3。显示装置DD可以包括多个发光元件ED-1、ED-2和ED-3。光学层PP可以设置在显示面板DP上，以控制由于外部光而在显示面板DP中反射的光。光学层PP可以包括例如偏振层或滤色器层。在一些实施例中，与附图中所示的构造不同，可以不在实施例的显示装置DD中设置光学层PP。
基体基底BL可以设置在光学层PP上。基体基底BL可以是提供其上设置有光学层PP的基体表面的构件。基体基底BL可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等。然而，本公开的实施例不限于此，基体基底BL可以是无机层、有机层或复合材料层。在一些实施例中，与所示的构造不同，在实施例中，可以不设置基体基底BL。
根据实施例的显示装置DD还可以包括填充层。填充层可以设置在显示元件层DP-ED与基体基底BL之间。填充层可以是有机材料层。填充层可以包括丙烯酸类树脂、聚硅氧烷类树脂和环氧类树脂中的至少一种。
显示面板DP可以包括基体层BS、设置在基体层BS上的电路层DP-CL和显示元件层DP-ED。显示元件层DP-ED可以包括像素限定膜PDL、设置在像素限定膜PDL的部分之间的发光元件ED-1、ED-2和ED-3以及设置在发光元件ED-1、ED-2和ED-3上的封装层TFE。
基体层BS可以是提供其上设置有显示元件层DP-ED的基体表面的构件。基体层BS可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等。然而，实施例不限于此，基体层BS可以是无机层、有机层或复合材料层。
在实施例中，电路层DP-CL设置在基体层BS上，电路层DP-CL可以包括多个晶体管。晶体管中的每个可以包括控制电极、输入电极和输出电极。例如，电路层DP-CL可以包括用于驱动显示元件层DP-ED的发光元件ED-1、ED-2和ED-3的开关晶体管和驱动晶体管。
发光元件ED-1、ED-2和ED-3中的每个可以具有稍后将描述的根据图3至图6的实施例的每个发光元件ED的结构。发光元件ED-1、ED-2和ED-3中的每个可以包括第一电极EL1、空穴传输区域HTR、发射层EML-R、EML-G或EML-B、电子传输区域ETR和第二电极EL2。
图2示出了实施例，其中发光元件ED-1、ED-2和ED-3的发射层EML-R、EML-G和EML-B设置在限定在像素限定膜PDL中的开口OH中并且空穴传输区域HTR、电子传输区域ETR和第二电极EL2在整个发光元件ED-1、ED-2和ED-3中设置为公共层。然而，本公开的实施例不限于此，与图2中所示的构造不同，实施例中的空穴传输区域HTR和电子传输区域ETR可以通过在限定在像素限定膜PDL中的开口OH内部被图案化来设置。例如，实施例中的发光元件ED-1、ED-2和ED-3的空穴传输区域HTR、发射层EML-R、EML-G和EML-B以及电子传输区域ETR可以通过在喷墨印刷法中被图案化来设置。
封装层TFE可以覆盖发光元件ED-1、ED-2和ED-3。封装层TFE可以密封发光元件ED-1、ED-2和ED-3。封装层TFE可以是薄膜封装层。封装层TFE可以通过层叠一个层或多个层来形成。封装层TFE可以包括至少一个绝缘层。根据实施例的封装层TFE可以包括至少一个无机膜(在下文中，封装无机膜)。根据实施例的封装层TFE还可以包括至少一个有机膜(在下文中，封装有机膜)和至少一个封装无机膜。
封装无机膜可以保护发光元件ED-1、ED-2和ED-3免受湿气/氧的影响，封装有机膜可以保护发光元件ED-1、ED-2和ED-3免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。封装无机膜可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和/或氧化铝等，但是本公开的实施例不特别限于此。封装有机膜可以包括丙烯酸类化合物和/或环氧类化合物等。封装有机膜可以包括可光聚合的有机材料，但是本公开的实施例不特别限于此。封装层TFE可以设置在第二电极EL2上，并且可以设置为填充开口OH。
参照图1和图2，显示装置DD可以包括非发光区域NPXA以及发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以是其中发射有由相应的发光元件ED-1、ED-2和ED-3产生的光的区域。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以在平面上彼此分隔开。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个可以是由像素限定膜PDL划分的区域。非发光区域NPXA可以是与像素限定膜PDL对应的在相邻的发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间的区域。在一些实施例中，在说明书中，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以分别与像素对应。像素限定膜PDL可以划分发光元件ED-1、ED-2和ED-3。发光元件ED-1、ED-2和ED-3的发射层EML-R、EML-G和EML-B可以设置在限定在像素限定膜PDL中的开口OH中并且彼此分离。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以根据从发光元件ED-1、ED-2和ED-3产生的光的颜色被划分为多个组。在图1和图2中所示的实施例的显示装置DD中，示例性地示出了分别发射红光、绿光和蓝光的三个发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。例如，实施例的显示装置DD可以包括彼此分离的红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B。
在根据实施例的显示装置DD中，多个发光元件ED-1、ED-2和ED-3可以被构造为发射具有彼此不同的波长的光束。例如，在实施例中，显示装置DD可以包括发射红光的第一发光元件ED-1、发射绿光的第二发光元件ED-2和发射蓝光的第三发光元件ED-3。例如，显示装置DD的红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B可以分别与第一发光元件ED-1、第二发光元件ED-2和第三发光元件ED-3对应。
然而，本公开的实施例不限于此，第一发光元件至第三发光元件ED-1、ED-2和ED-3可以被构造为发射在基本上相同的波长范围内的光束，或者至少一个发光元件可以被构造为发射在与其它发光元件不同的波长范围内的光束。例如，第一发光元件至第三发光元件ED-1、ED-2和ED-3可以全部发射蓝光。
根据实施例的显示装置DD中的发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以以条带形式布置。参照图1，多个红色发光区域PXA-R、多个绿色发光区域PXA-G和多个蓝色发光区域PXA-B均可以沿着第二方向轴DR2布置。在一些实施例中，红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B可以沿着第一方向轴DR1以该顺序交替地布置。
图1和图2示出了所有发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B具有相似的面积，但是本公开的实施例不限于此。因此，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以根据发射光的波长范围而具有彼此不同的面积。在这种情况下，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可以指当在由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面上观看时的面积。
在一些实施例中，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的布置形式不限于图1中所示的构造，其中布置有红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B的顺序可以根据显示装置DD所需的显示质量的特性以一种或更多种合适的组合设置。例如，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的布置形式可以是pentile布置形式或菱形(Diamond)布置形式。
在一些实施例中，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可以彼此不同。例如，在实施例中，绿色发光区域PXA-G的面积可以小于蓝色发光区域PXA-B的面积，但是本公开的实施例不限于此。
在下文中，图3至图6是示意性地示出根据实施例的发光元件ED的剖视图。根据实施例的发光元件ED中的每个可以包括顺序地堆叠的第一电极EL1、空穴传输区域HTR、发射层EML、电子传输区域ETR和第二电极EL2。
与图3相比，图4示出了实施例的发光元件ED的剖视图，其中空穴传输区域HTR包括空穴注入层HIL和空穴传输层HTL并且电子传输区域ETR包括电子注入层EIL和电子传输层ETL。在一些实施例中，与图3相比，图5示出了实施例的发光元件ED的剖视图，其中空穴传输区域HTR包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL并且电子传输区域ETR包括电子注入层EIL、电子传输层ETL和空穴阻挡层HBL。与图4相比，图6示出了包括设置在第二电极EL2上的覆盖层CPL的实施例的发光元件ED的剖视图。
在实施例的发光元件ED中，发射层EML可以包括实施例的含氮化合物。实施例的含氮化合物可以是其中三个咔唑基团直接或间接结合到包含至少一个N作为成环原子的六边形单环的化合物。更具体地，三个咔唑基团之中的两个咔唑基团可以直接结合到包含N作为成环原子的六边形单环，并且剩余的一个咔唑基团可以经由联苯基间接结合到包含N作为成环原子的六边形单环。例如，包含N作为成环原子的六边形单环可以是三嗪基团。在说明书中，含氮化合物可以与第一化合物相同。
在说明书中，术语“取代或未取代的”可以指未被取代或被选自于由氘原子、卤素原子、氰基、硝基、胺基(氨基)、甲硅烷基、氧基、硫基、亚磺酰基、磺酰基、羰基、硼基、氧化膦基、硫化膦基、烷基、烯基、炔基、烃环基、芳基和杂环基组成的组中的至少一个取代基取代的基团。在一些实施例中，上面例示的取代基中的每个可以是取代的或未取代的。例如，联苯基可以被解释为芳基或者取代有苯基的苯基。
在说明书中，短语“结合到相邻基团以形成环”可以指基团(或部分)结合到相邻基团以形成取代或未取代的烃环或者取代或未取代的杂环。烃环包括脂肪族烃环和芳香族烃环。杂环包括脂肪族杂环和芳香族杂环。烃环和杂环可以是单环或多环。在一些实施例中，通过彼此结合形成的环可以连接到另一环以形成螺结构。
在说明书中，术语“相邻基团”可以指对直接连接到取代有对应取代基的原子的原子进行取代的取代基、对取代有对应取代基的原子进行取代的另一取代基或者空间定位在与对应取代基最接近位置处的取代基。例如，1,2-二甲基苯中的两个甲基可以被解释为彼此“相邻基团”，1,1-二乙基环戊烷中的两个乙基可以被解释为彼此“相邻基团”。在一些实施例中，4,5-二甲基菲中的两个甲基可以被解释为彼此“相邻基团”。
在说明书中，卤素原子的示例可以包括氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。
在说明书中，烷基可以是直链、支链或者环型或环类。烷基中的碳数是1个至60个、1个至50个、1个至30个、1个至20个、1个至10个或1个至6个。烷基的示例可以包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、环丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、2-乙基丁基、环丁基、3,3-二甲基丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、环戊基、1-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基戊基、4-甲基-2-戊基、正己基、1-甲基己基、2-乙基己基、2-丁基己基、环己基、4-甲基环己基、4-叔丁基环己基、正庚基、环庚基、1-甲基庚基、2,2-二甲基庚基、2-乙基庚基、2-丁基庚基、正辛基、叔辛基、2-乙基辛基、2-丁基辛基、2-己基辛基、3,7-二甲基辛基、环辛基、正壬基、环壬基、降冰片基、正癸基、环癸基、1-金刚烷基、2-金刚烷基、异冰片基、2-乙基癸基、2-丁基癸基、2-己基癸基、2-辛基癸基、正十一烷基、正十二烷基、2-乙基十二烷基、2-丁基十二烷基、2-己基十二烷基、2-辛基十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、2-乙基十六烷基、2-丁基十六烷基、2-己基十六烷基、2-辛基十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基、2-乙基二十烷基、2-丁基二十烷基、2-己基二十烷基、2-辛基二十烷基、正二十一烷基、正二十二烷基、正二十三烷基、正二十四烷基、正二十五烷基、正二十六烷基、正二十七烷基、正二十八烷基、正二十九烷基、双环庚基、正三十烷基等，但是本公开的实施例不限于此。
在说明书中，烯基指在具有2个或更多个碳原子的烷基的中间或末端中包括至少一个碳-碳双键的烃基。烯基可以是直链或支链。烯基中的碳原子数没有特别限制，而是2个至60个、2个至30个、2个至20个或2个至10个。烯基的示例包括乙烯基、1-丁烯基、1-戊烯基、1,3-丁二烯基、苯乙烯基、苯乙烯基乙烯基等，但是本公开的实施例不限于此。
在说明书中，炔基指在具有2个或更多个碳原子的烷基的中间或末端中包括至少一个碳-碳三键的烃基。炔基可以是直链或支链。炔基中的碳原子数没有特别限制，而是2个至60个、2个至30个、2个至20个或2个至10个。炔基的具体示例可以包括乙炔基、丙炔基等，但是本公开的实施例不限于此。
在说明书中，烃环基指从脂肪族烃环或芳香族烃环衍生的任何官能团或取代基。烃环基可以是具有5个至20个成环碳原子的饱和烃环基。
在说明书中，芳基指从芳香族烃环衍生的任何官能团或取代基。芳基可以是单环芳基或多环芳基。芳基中的成环碳原子数可以是6个至60个、6个至30个、6个至20个或6个至15个。芳基的示例可以包括苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基、六联苯基、苯并[9,10]菲基、芘基、苯并荧蒽基、基等，但是本公开的实施例不限于此。
在说明书中，杂环基指从包含B、O、N、P、Si和S中的至少一种作为杂原子的环衍生的任何官能团或取代基。杂环基包括脂肪族杂环基和芳香族杂环基。芳香族杂环基可以是杂芳基。脂肪族杂环基和芳香族杂环基可以是单环的或多环的。
在说明书中，杂环基可以包含B、O、N、P、Si和S中的至少一种作为杂原子。当杂环基包含两个或更多个杂原子时，所述两个或更多个杂原子可以彼此相同或不同。杂环基可以是单环杂环基或多环杂环基，并且具有包括杂芳基的概念。杂环基中的成环碳原子数可以是2个至30个、2个至20个或2个至10个。
在说明书中，脂肪族杂环基可以包括B、O、N、P、Si和S中的至少一种作为杂原子。脂肪族杂环基中的成环碳原子数可以是2个至60个、2个至30个、2个至20个或2个至10个。脂肪族杂环基的示例包括环氧乙烷基、环硫乙烷基、吡咯烷基、哌啶基、四氢呋喃基、四氢噻吩基、噻烷基、四氢吡喃基、1,4-二氧六烷基等，但是本公开的实施例不限于此。
在说明书中，杂芳基可以包含B、O、N、P、Si和S中的至少一种作为杂原子。当杂芳基包含两个或更多个杂原子时，所述两个或更多个杂原子可以彼此相同或彼此不同。杂芳基可以是单环杂芳基或多环杂芳基。杂芳基的成环碳数可以是2个至60个、2个至30个、2个至20个或2个至10个。杂芳基的示例可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三唑基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、N-芳基咔唑基、N-杂芳基咔唑基、N-烷基咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、噻唑基、异噁唑基、噁唑基、噁二唑基、噻二唑基、吩噻嗪基、二苯并噻咯基、二苯并呋喃基等，但是本公开的实施例不限于此。
在说明书中，除了亚芳基是二价基团之外，芳基的以上描述可以适用于亚芳基。除了亚杂芳基是二价基团之外，杂芳基的以上描述可以适用于亚杂芳基。
在说明书中，甲硅烷基可以指硅原子结合到如上定义的烷基或芳基。甲硅烷基包括烷基甲硅烷基和芳基甲硅烷基。甲硅烷基的示例可以包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等，但是本公开的实施例不限于此。
在说明书中，亚磺酰基和磺酰基中的碳原子数没有特别限制，而是可以是1个至30个。亚磺酰基可以包括烷基亚磺酰基和芳基亚磺酰基。磺酰基可以包括烷基磺酰基和芳基磺酰基。
在说明书中，硫基可以包括烷硫基和芳硫基。硫基可以指硫原子结合到如上定义的烷基或芳基。硫基的示例可以包括甲硫基、乙硫基、丙硫基、戊硫基、己硫基、辛硫基、十二烷硫基、环戊硫基、环己硫基、苯硫基、萘硫基，但是本公开的实施例不限于此。
在说明书中，氧基可以指氧原子结合到如上定义的烷基或芳基。氧基可以包括烷氧基和芳氧基。烷氧基可以是直链、支链或环链。烷氧基中的碳原子数没有特别限制，而是可以是例如1个至30个、1个至20个或1个至10个。氧基的示例可以包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、苄氧基等，但是本公开的实施例不限于此。
在说明书中，硼基可以指硼原子结合到如上定义的烷基或芳基。硼基包括烷基硼基和芳基硼基。硼基的示例可以包括二甲基硼基、二乙基硼基、叔丁基甲基硼基、二苯基硼基、苯基硼基等，但是本公开的实施例不限于此。
在说明书中，胺基中的碳原子数没有特别限制，而是可以是1个至30个。胺基可以包括烷基胺基和芳基胺基。胺基的示例包括甲胺基、二甲胺基、苯胺基、二苯胺基、萘胺基、9-甲基-蒽基胺基等，但是本公开的实施例不限于此。
在说明书中，烷硫基、烷基亚磺酰基、烷基磺酰基、烷氧基、烷基胺基、烷基硼基、烷基甲硅烷基和烷基氨基中的烷基与上述烷基的示例相同。
在说明书中，芳氧基、芳硫基、芳基亚磺酰基、芳基磺酰基、芳胺基、芳基硼基、芳基甲硅烷基和芳基氨基中的芳基可以与上述芳基的示例相同。
在说明书中，直连键可以指单键。在说明书中，和“-*”指待连接的位置。
实施例的含氮化合物可以由式1表示。在实施例中，发射层EML可以包括由式1表示的含氮化合物：
式1
在式1中，X1至X3之中的至少一个可以是N，其余部分可以均独立地是CR6。在实施例中，X1至X3中的每个可以是N。在式1中，当X1至X3中的全部是N时，实施例的含氮化合物可以包括三嗪作为中心结构。
在一些实施例中，n1至n3可以均独立地是0至8的整数。当n1是2或更大的整数时，多个R1可以彼此相同，或者至少一个可以与其它不同。当n2是2或更大的整数时，多个R2可以彼此相同，或者至少一个可以与其它不同。当n3是2或更大的整数时，多个R3可以彼此相同，或者至少一个可以与其它不同。
n4和n5可以均独立地是0至4的整数。当n4是2或更大的整数时，多个R4可以彼此相同，或者至少一个可以与其它不同。当n5是2或更大的整数时，多个R5可以彼此相同，或者至少一个可以与其它不同。
在式1中，R1至R6可以均独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的具有1个至60个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至60个碳原子的烯基、取代或未取代的具有2个至60个碳原子的炔基、取代或未取代的具有6个至60个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至60个成环碳原子的杂芳基。
实施例的含氮化合物可以包括氘原子作为取代基。在实施例中，R1至R5之中的至少一个可以是氘原子，或者可以包括包含氘原子的取代基。例如，R1至R3之中的至少一个可以是氘原子。R4和R5中的至少一个可以是氘原子，或者R4和R5中的至少一个可以是取代有氘原子的芳基或取代有氘原子的杂芳基。然而，这是示例，本公开的实施例不限于此。
更具体地，n1和n2可以是8，多个R1和R2可以是氘原子。n3可以是2或8，多个R3可以均独立地是氘原子或未取代的叔丁基。n4可以是1，R4可以是取代或未取代的苯基、取代或未取代的咔唑基、未取代的二苯并呋喃基或者未取代的二苯并噻吩基。在一些实施例中，n5可以是1，R5可以是取代或未取代的苯基、取代或未取代的咔唑基、未取代的二苯并呋喃基或者未取代的二苯并噻吩基。
例如，R1至R6可以均独立地是氢原子、氘原子、未取代的叔丁基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的咔唑基、未取代的二苯并呋喃基或者未取代的二苯并噻吩基。在实施例中，R1至R6可以均独立地是氢原子、氘原子或由R-1至R-7之中的任何一个表示：
在R-2和R-3中，n71可以是0至5的整数，n72可以是0至8的整数。当n71是2或更大的整数时，多个R71可以彼此相同，或者至少一个可以与其它不同。当n72是2或更大的整数时，多个R72可以彼此相同，或者至少一个可以与其它不同。在R-2和R-3中，R71和R72可以均独立地是氢原子、氘原子或未取代的叔丁基。例如，R-2可以由R-21或R-22表示，R-3可以由R-31至R-34之中的任何一个表示：
在实施例中，式1可以由式1-1或式1-2表示：式1-1和式1-2表示其中在式1中包括R5的苯基的结合位置在包括R4的苯基中被指定的情况。
式1-1
式1-2
式1-1表示其中在式1中包含X1至X3的环基团和包括R5的苯基在包括R4的苯基中的邻位处结合的情况。式1-2表示其中在式1中包含X1至X3的环基团和包括R5的苯基在包括R4的苯基中的间位处结合的情况。在式1-1和式1-2中，与式1中所描述的相同内容可以适用于X1至X3、n1至n5和R1至R5。
在实施例中，式1-1可以由式1-1A或式1-1B表示。式1-1A和式1-1B表示其中在式1-1中包括R3的咔唑基团的结合位置在包括R5的苯基中被指定的情况。
式1-1A
式1-1B
式1-1A表示其中在式1-1中包括R4的苯基和包括R3的咔唑基团在包括R5的苯基中的邻位处结合的情况。式1-1B表示其中在式1-1中包括R4的苯基和包括R3的咔唑基团在包括R5的苯基中的间位处结合的情况。在式1-1A和式1-1B中，与式1-1中所描述的相同内容可以适用于X1至X3、n1至n5和R1至R5。
在实施例中，式1-2可以由式1-2A或式1-2B表示。式1-2A和式1-2B表示其中在式1-2中包括R3的咔唑基团的结合位置在包括R5的苯基中被指定的情况。
式1-2A
式1-2B
式1-2A表示其中在式1-2中包括R4的苯基和包括R3的咔唑基团在包括R5的苯基中的邻位处结合的情况。式1-2B表示其中在式1-2中包括R4的苯基和包括R3的咔唑基团在包括R5的苯基中的间位处结合的情况。在式1-2A和式1-2B中，与式1-2中所描述的相同内容可以适用于X1至X3、n1至n5和R1至R5。
在实施例中，式1可以由式1-3至式1-5之中的任何一个表示。式1-3至式1-5表示其中在式1中当n5是1时R5的结合位置和包括R3的咔唑基团的结合位置被指定的情况。在式1-3至式1-5中，在其中式1中n5是1的情况下，R51与R5对应。
式1-3
式1-4
式1-5
式1-3表示其中R51在相对于包括R4的苯基的间位处结合并且包括R3的咔唑基团在邻位处结合的情况。式1-4表示其中R51在相对于包括R4的苯基的邻位处结合并且包括R3的咔唑基团在另一邻位处结合的情况。式1-5表示其中R51在相对于包括R4的苯基的邻位处结合并且包括R3的咔唑基团在间位处结合的情况。
在式1-3至式1-5中，R51可以是取代或未取代的苯基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基或者取代或未取代的二苯并噻吩基。在式1-3至式1-5中，与式1中所描述的相同内容可以适用于X1至X3、n1至n4和R1至R4。
实施例的含氮化合物可以由化合物组1中的化合物之中的任何一种表示。实施例的发光元件ED可以包括化合物组1的化合物之中的任何一种。在化合物组1中，D是氘原子。
化合物组1
实施例的含氮化合物可以包括作为中心结构的三嗪基团以及直接或间接结合到三嗪基团的三个咔唑基团。三个咔唑基团之中的两个咔唑基团可以直连结合到三嗪基团，并且剩余的一个咔唑基团可以经由联苯基结合到三嗪基团。
在实施例中，发射层EML可以包括主体和掺杂剂。实施例的含氮化合物可以用作发射层EML中的主体材料。咔唑基团可以是给电子基团。实施例的包含咔唑基团的含氮化合物具有减小的带隙，并且因此可以防止或减少当能量转移到掺杂剂时掺杂剂的劣化。实施例的包含联苯基的含氮化合物具有相对大的体积，因此可以防止或减少含氮化合物和掺杂剂形成激基复合物。在一些实施例中，实施例的含氮化合物可以具有相对高的最低三重态激发能级(T1能级)。因此，当含氮化合物用作磷光发射主体材料时，可以防止或减少三重态激子被湮灭。在实施例中，包括含氮化合物的发光元件ED可以具有降低的驱动电压和改善的光效率。然而，本公开的实施例不限于此，而是含氮化合物可以用作荧光发射主体材料。
例如，发射层EML可以包括单种主体和单种掺杂剂。在一些实施例中，发射层EML可以包括至少两种主体、敏化剂和掺杂剂。更具体地，发射层EML可以包括空穴传输主体和电子传输主体。实施例的发射层EML可以包括实施例的含氮化合物作为主体。更具体地，实施例的含氮化合物可以用作电子传输主体材料。
发射层EML可以包括磷光敏化剂或热激活延迟荧光(TADF)敏化剂作为敏化剂。例如，磷光敏化剂可以是包括金属配合物的材料。TADF敏化剂可以包括由稍后将描述的式F-c表示的化合物。然而，这是示例，磷光敏化剂和TADF敏化剂不限于此。
当发射层EML包括空穴传输主体、电子传输主体、敏化剂和掺杂剂时，空穴传输主体和电子传输主体可以形成激基复合物，能量可以从激基复合物转移到敏化剂并且从敏化剂转移到掺杂剂，因此可以发射光。然而，这是示例，包括在发射层EML中的材料不限于此。
在发射层EML中，空穴传输主体和电子传输主体可以形成激基复合物。在这种情况下，由空穴传输主体和电子传输主体形成的激基复合物的三重态能级可以与电子传输主体的最低未占分子轨道(LUMO)能级与空穴传输主体的最高占据分子轨道(HOMO)能级之间的差对应。
例如，由空穴传输主体和电子传输主体形成的激基复合物的三重态能级(T1)的绝对值可以是约2.4eV至约3.0eV。在一些实施例中，激基复合物的三重态能级可以是小于每种主体材料的能隙的值。激基复合物可以具有作为空穴传输主体与电子传输主体之间的能隙的约3.0eV或更小的三重态能级。然而，这是示例，本公开的实施例不限于此。
实施例的发射层EML还可以包括由式HT-1表示的第二化合物。第二化合物可以用作空穴传输主体材料。
式HT-1
在式HT-1中，L1可以是直连键、CR99R100或SiR101R102。X91可以是N或CR103。例如，当L1是直连键并且X91是CR103时，由式HT-1表示的第二化合物可以具有咔唑核。
R91至R103可以均独立地是氢原子、氘原子、氰基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的具有1个至60个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至60个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至60个成环碳原子的杂芳基，并且可选地可以结合到相邻基团以形成环。例如，R91可以是取代的苯基、未取代的二苯并呋喃基或取代的芴基。R92至R98之中的任何一个可以是取代或未取代的咔唑基。R94和R95可以彼此结合以形成环。
第二化合物可以由化合物组2中的化合物之中的任何一种表示。在化合物组2中，D是氘原子，Ph是苯基。
化合物组2
实施例的发射层EML还可以包括由式M-a表示的第三化合物。第三化合物可以用作磷光掺杂剂材料。
式M-a
在式M-a中，Y1至Y4和Z1至Z4可以均独立地是CR81或N。R81至R84可以均独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的胺基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地可以结合到相邻基团以形成环。
在式M-a中，m1可以是0或1，m2可以是2或3。当m1是0时，m2可以是3，当m1是1时，m2可以是2。
由式M-a表示的化合物可以由化合物M-a1至化合物M-a25之中的任何一种表示。然而，化合物M-a1至化合物M-a25是示例，由式M-a表示的化合物不限于由化合物M-a1至化合物M-a25表示的化合物。
化合物M-a1和化合物M-a2可以用作红色掺杂剂材料，化合物M-a3至化合物M-a7可以用作绿色掺杂剂材料。
发射层EML设置在空穴传输区域HTR上。发射层EML可以具有例如约至约或约至约的厚度。发射层EML可以具有由单种材料形成的单个层、由多种不同材料形成的单个层或具有由多种不同材料形成的多个层的多层结构。
除了实施例的含氮化合物、第二化合物和第三化合物之外，发射层EML还可以包括将描述的化合物。
在实施例的发光元件ED中，发射层EML可以包括蒽衍生物、芘衍生物、荧蒽衍生物、衍生物、脱氢苯并蒽衍生物或苯并[9,10]菲衍生物。例如，发射层EML可以包括蒽衍生物或芘衍生物。
发射层EML可以包括由式E-1表示的化合物。由式E-1表示的化合物可以用作荧光主体材料。
式E-1
在式E-1中，R31至R40可以均独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的具有1个至10个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至10个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地可以结合到相邻基团以形成环。在一些实施例中，R31至R40可以可选地结合到相邻基团以形成饱和烃环、不饱和烃环、饱和杂环或不饱和杂环。
在式E-1中，c和d可以均独立地是0至5的整数。当c是2或更大的整数时，多个R39可以彼此相同，或者至少一个可以与其它不同。当d是2或更大的整数时，多个R40可以彼此相同，或者至少一个可以与其它不同。式E-1可以由化合物E1至化合物E19之中的任何一个表示：
在实施例中，发射层EML可以包括由式E-2a或式E-2b表示的化合物。由式E-2a或式E-2b表示的化合物可以用作磷光主体材料。
式E-2a
在式E-2a中，a可以是0至10的整数，La可以是直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。在一些实施例中，当a是2或更大的整数时，多个La可以均独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。
在一些实施例中，在式E-2a中，A1至A5可以均独立地是N或CRi。Ra至Ri可以均独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的胺基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地可以结合到相邻基团以形成环。Ra至Ri可以可选地结合到相邻基团以形成烃环或者包含N、O、S等作为成环原子的杂环。
在一些实施例中，在式E-2a中，选自A1至A5之中的两个或三个可以是N，并且其余部分可以是CRi。
式E-2b
在式E-2b中，Cbz1和Cbz2可以均独立地是未取代的咔唑基或者取代有具有6个至30个成环碳原子的芳基的咔唑基。Lb是直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。在一些实施例中，b是0至10的整数，当b是2或更大的整数时，多个Lb可以均独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。
由式E-2a或式E-2b表示的化合物可以由化合物组E-2的化合物之中的任何一种表示。然而，化合物组E-2中列出的化合物是示例，由式E-2a或式E-2b表示的化合物不限于化合物组E-2中表示的化合物。
化合物组E-2
发射层EML还可以包括本领域中适合的通用材料作为主体材料。例如，发射层EML可以包括双(4-(9H-咔唑-9-基)苯基)二苯基硅烷(BCPDS)、(4-(1-(4-(二苯基氨基)苯基)环己基)苯基)二苯基-氧化膦(POPCPA)、双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(DPEPO)、4,4′-双(N-咔唑基)-1,1′-联苯(CBP)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并[b,d]呋喃(PPF)、4,4′,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)中的至少一种作为主体材料。然而，本公开的实施例不限于此，例如，三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、2-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、二苯乙烯基亚芳基化物(DSA)、4,4′-双(9-咔唑基)-2,2′-二甲基-联苯(CDBP)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、六苯基环三磷腈(CP1)、1,4-双(三苯基甲硅烷基)苯(UGH2)、六苯基环三硅氧烷(DPSiO3)、八苯基环四硅氧烷(DPSiO4)等可以用作主体材料。
发射层EML可以包括由式M-b表示的化合物。由式M-b表示的化合物可以用作磷光掺杂剂材料。
式M-b
在式M-b中，Q1至Q4可以均独立地是C或N，C1至C4可以均独立地是取代或未取代的具有5个至30个成环碳原子的烃环或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂环。L21至L24可以均独立地是直连键、
取代或未取代的具有1个至20个碳原子的二价烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基，e1至e4可以均独立地是0或1。
在式M-b中，R31至R39可以均独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地可以结合到相邻基团以形成环。在一些实施例中，d1至d4可以均独立地是0至4的整数。
由式M-b表示的化合物可以用作蓝色磷光掺杂剂或绿色磷光掺杂剂。由式M-b表示的化合物可以由化合物之中的任何一种表示。然而，化合物是示例，由式M-b表示的化合物不限于由化合物表示的化合物。
在化合物中，R、R38和R39可以均独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。
发射层EML可以包括由式F-a至式F-c之中的任何一个表示的化合物。由式F-a或式F-c表示的化合物可以用作荧光掺杂剂材料。
式F-a
在上面的式F-a中，选自于Ra至Rj之中的两个可以均独立地被*-NAr1Ar2取代。Ra至Rj之中的未被*-NAr1Ar2取代的其它基团可以均独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。在*-NAr1Ar2中，Ar1和Ar2可以均独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。例如，Ar1和Ar2中的至少一个可以是包含O或S作为成环原子的杂芳基。
式F-b
在上面的式F-b中，Ra和Rb可以均独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地可以结合到相邻基团以形成环。Ar1至Ar4可以均独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。
在式F-b中，U和V可以均独立地是取代或未取代的具有5个至30个成环碳原子的烃环或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂环。在式F-b中，由U和V表示的环数可以均独立地是0或1。
例如，在式F-b中，它指当U或V的数量是1时，一个环在由U或V指定的部分处构成稠合环，并且当U或V的数量是0时，由U或V指定的环不存在。例如，当U的数量是0且V的数量是1时，或者当U的数量是1且V的数量是0时，式F-b中的具有芴核的稠合环可以是具有四个环的环化合物。在一些实施例中，当U和V的每个数量是0时，式F-b中的具有芴核的稠合环可以是具有三个环的环化合物。在一些实施例中，当U和V的每个数量是1时，式F-b中的具有芴核的稠合环可以是具有五个环的环化合物。
式F-c
在式F-c中，A1和A2可以均独立地是O、S、Se或NRm，Rm可以是氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。R1至R11可以均独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的硼基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地可以结合到相邻基团以形成环。
在式F-c中，A1和A2可以可选地均独立地结合到相邻环的取代基以形成稠合环。例如，当A1和A2可以均独立地是NRm时，A1可以可选地结合到R4或R5以形成环。在一些实施例中，A2可以可选地结合到R7或R8以形成环。
在实施例中，发射层EML可以包括苯乙烯基衍生物(例如，1,4-双[2-(3-N-乙基咔唑基)乙烯基]苯(BCzVB)、4-(二-对甲苯基氨基)-4′-[(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]茋(DPAVB)、N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-N-苯基苯胺(N-BDAVBi)、4,4′-双[2-(4-(N,N-二苯基氨基)苯基)乙烯基]联苯(DPAVBi))、苝及其衍生物(例如，2,5,8,11-四叔丁基苝(TBP))、芘及其衍生物(例如，1,1′-二芘、1,4-二芘基苯、1,4-双(N,N-二苯基氨基)芘)等作为合适的掺杂剂材料。
发射层EML可以包括合适的磷光掺杂剂材料。例如，包含铱(Ir)、铂(Pt)、锇(Os)、金(Au)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)或铥(Tm)的金属配合物可以用作磷光掺杂剂材料。例如，双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2′)吡啶甲酸合铱(III)(FIrpic)、双(2，4-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸铱(III)(Fir6)或八乙基卟啉铂(PtOEP)可以用作磷光掺杂剂材料。然而，本公开的实施例不限于此。
发射层EML可以包括量子点。量子点的核可以选自于II-VI族化合物、III-VI族化合物、I-III-VI族化合物、III-V族化合物、III-II-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物或它们的组合。
II-VI族化合物可以选自于由以下组成的组：二元化合物，选自于由CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和它们的混合物组成的组；三元化合物，选自于由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS和它们的混合物组成的组；以及四元化合物，选自于由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和它们的混合物组成的组。
III-VI族化合物可以包括：二元化合物，诸如In2S3或In2Se3；三元化合物，诸如InGaS3或InGaSe3；或者它们的组合。
I-III-VI族化合物可以选自于：三元化合物，选自于由AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、AgGaS2、CuGaS2、CuGaO2、AgGaO2、AgAlO2和它们的混合物组成的组；或者四元化合物，诸如AgInGaS2或CuInGaS2。
III-V族化合物可以选自于由以下组成的组：二元化合物，选自于由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和它们的混合物组成的组；三元化合物，选自于由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和它们的混合物组成的组；以及四元化合物，选自于由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和它们的混合物组成的组。在一些实施例中，III-V族化合物可以进一步包括II族金属。例如，可以选择InZnP等作为III-II-V族化合物。
IV-VI族化合物可以选自于由以下组成的组：二元化合物，选自于由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和它们的混合物组成的组；三元化合物，选自于由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和它们的混合物组成的组；以及四元化合物，选自于由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和它们的混合物组成的组。IV族元素可以选自于由Si、Ge和它们的混合物组成的组。IV族化合物可以是选自于由SiC、SiGe和它们的混合物组成的组中的二元化合物。
在这种情况下，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以基本上均匀的浓度分布存在于颗粒中，或者可以以部分不同的浓度分布存在于基本上同一颗粒中。在一些实施例中，量子点可以具有其中一个量子点围绕另一量子点的核/壳结构。核/壳结构可以具有其中存在于壳中的元素的浓度朝向核降低的浓度梯度。
在一些实施例中，量子点可以具有包括包含纳米晶体的核和在核周围(例如，围绕核)的壳的上述核/壳结构。量子点的壳可以用作防止或减少核的化学变性以维持半导体性质的保护层，并且/或者用作向量子点赋予电泳性质的荷电层。壳可以是单个层或多层。量子点的壳的示例可以包括金属或非金属氧化物、半导体化合物或它们的组合。
例如，金属或非金属氧化物可以是：二元化合物，诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4或NiO；或者三元化合物，诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4或CoMn2O4，但是本公开的实施例不限于此。
此外，半导体化合物的示例可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但是本公开的实施例不限于此。
量子点可以具有约45nm或更小、约40nm或更小或者约30nm或更小的发光波长光谱的半峰全宽(FWHM)，并且可以在上面的范围内改善色纯度或颜色再现性。在一些实施例中，通过这种量子点发射的光在所有方向上发射，并且因此可以改善宽视角。
在一些实施例中，量子点的形式没有特别限制，只要它是本领域常用的形式即可，更特别地，可以利用呈球形纳米颗粒、角锥形纳米颗粒、多臂纳米颗粒或立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米片等的形式的量子点。
量子点可以根据其粒径控制发射光的颜色，并且因此量子点可以具有一种或更多种合适的发光颜色(诸如绿色、红色等)。
再次参照图3至图6，第一电极EL1具有导电性(例如，是导电体)。第一电极EL1可以由金属材料、金属合金或导电化合物形成。第一电极EL1可以是阳极或阴极。然而，本公开的实施例不限于此。在一些实施例中，第一电极EL1可以是像素电极。第一电极EL1可以是透射电极、透反射电极或反射电极。第一电极EL1可以包括选自于以下物质之中的至少一种：Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn和/或Zn；选自于这些之中的两种或更多种的化合物；选自于这些之中的两种或更多种的混合物；以及它们的氧化物。
当第一电极EL1是透射电极时，第一电极EL1可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)的透明金属氧化物。当第一电极EL1是透反射电极或反射电极时，第一电极EL1可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、它们的化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)，或者具有诸如LiF/Ca(LiF和Ca的堆叠结构)或LiF/Al(LiF和Al的堆叠结构)的多层结构的材料。在一些实施例中，第一电极EL1可以具有多层结构，该多层结构包括由上述材料形成的反射膜或透反射膜以及由ITO、IZO、ZnO、ITZO等形成的透明导电膜。例如，第一电极EL1可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构，但是本公开的实施例不限于此。在一些实施例中，第一电极EL1可以包括上述金属材料、上述金属材料中的至少两种金属材料的组合和/或上述金属材料的氧化物等，本公开的实施例不限于此。第一电极EL1的厚度可以是约至约例如，第一电极EL1的厚度可以是约至约
空穴传输区域HTR可以设置在第一电极EL1上。空穴传输区域HTR可以包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、缓冲层、发射辅助层和电子阻挡层EBL中的至少一个。
空穴传输区域HTR可以具有由单种材料形成的单个层、由多种不同材料形成的单个层或包括由多种不同材料形成的多个层的多层结构。例如，空穴传输区域HTR可以具有空穴注入层HIL或空穴传输层HTL的单层结构，或者可以具有由空穴注入材料和空穴传输材料形成的单层结构。
在一些实施例中，空穴传输区域HTR可以具有由多种不同材料形成的单层结构，或者其中空穴注入层HIL/空穴传输层HTL、空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/缓冲层、空穴注入层HIL/缓冲层、空穴传输层HTL/缓冲层或空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/电子阻挡层EBL从第一电极EL1以顺序堆叠的结构。然而，这是示例，本公开的实施例不限于此。
空穴传输区域HTR可以利用一种或更多种合适的方法(诸如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗格缪尔-布洛杰特(LB)法、喷墨印刷法、激光印刷法和激光诱导热成像(LITI)法)形成。
空穴传输区域HTR可以包括由式H-1表示的化合物：
式H-1
在上面的式H-1中，L1和L2可以均独立地是直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。在一些实施例中，a和b可以均独立地是0至10的整数。在一些实施例中，当a或b是2或更大的整数时，多个L1或L2可以均独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。
在式H-1中，Ar1和Ar2可以均独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。在一些实施例中，在式H-1中，Ar3可以是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基。
由上面的式H-1表示的化合物可以是单胺化合物。在一些实施例中，由上面的式H-1表示的化合物可以是其中Ar1至Ar3之中的至少一个包括胺基作为取代基的二胺化合物。在一些实施例中，由上面的式H-1表示的化合物可以是在Ar1和Ar2中的至少一个中包括取代或未取代的咔唑基的咔唑类化合物或者在Ar1和Ar2中的至少一个中包括取代或未取代的芴基的芴类化合物。
由式H-1表示的化合物可以由化合物组H中的化合物之中的任何一种表示。然而，化合物组H中列出的化合物是示例，由式H-1表示的化合物不限于由化合物组H表示的化合物：
化合物组H
空穴传输区域HTR可以包括酞菁化合物(诸如铜酞菁)、N1,N1′-([1,1′-联苯]-4,4′-二基)双(N1-苯基-N4,N4-二间甲苯基苯-1,4-二胺)(DNTPD)、4,4′,4”-[三(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-MTDATA)、4,4′,4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、4,4′,4”-三[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]三苯胺(2-TNATA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)、N,N′-二(萘-1-基)-N,N′-二苯基-联苯胺(NPB)、含三苯胺聚醚酮(TPAPEK)、4-异丙基-4′-甲基二苯基碘鎓[四(五氟苯基)硼酸盐]、二吡嗪并[2,3-f:2′,3′-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈(HAT-CN)等。
在一些实施例中，空穴传输区域HTR可以包括咔唑衍生物(诸如N-苯基咔唑和聚乙烯基咔唑)、芴衍生物、N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-二苯基[1,1′-联苯]-4,4′-二胺(TPD)、三苯胺衍生物(诸如4,4′,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA))、4,4′-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、4,4′-双[N,N′-(3-甲苯基)氨基]-3,3′-二甲基联苯(HMTPD)、9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9H-咔唑(CzSi)、9-苯基-9H-3,9′-联咔唑(CCP)、1,3-双(N-咔唑基)苯(mCP)、1,3-双(1,8-二甲基-9H-咔唑-9-基)苯(mDCP)等。
空穴传输区域HTR可以在空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL中的至少一个中包括空穴传输区域HTR的上述化合物。
空穴传输区域HTR的厚度可以是例如约至约空穴传输区域HTR的厚度可以是约至约例如，约至约当空穴传输区域HTR包括空穴注入层HIL时，空穴注入层HIL可以具有例如约至约的厚度。当空穴传输区域HTR包括空穴传输层HTL时，空穴传输层HTL可以具有约至约的厚度。例如，当空穴传输区域HTR包括电子阻挡层EBL时，电子阻挡层EBL可以具有约至约的厚度。当空穴传输区域HTR、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL的厚度满足上述范围时，可以实现令人满意的空穴传输性质而不显著增大驱动电压。
除了上述材料之外，空穴传输区域HTR还可以包括电荷产生材料以增加导电性。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区域HTR中。电荷产生材料可以是例如p掺杂剂。p掺杂剂可以包括卤化金属化合物、醌衍生物、金属氧化物和含氰基化合物中的至少一种，但是本公开的实施例不限于此。例如，p掺杂剂可以包括卤化金属化合物(诸如CuI或RbI)、醌衍生物(诸如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和/或2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ))、金属氧化物(诸如氧化钨或氧化钼)、含氰基化合物(诸如二吡嗪并[2,3-f:2′,3′-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈(HAT-CN)或4-[[2,3-双[氰基-(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]亚环丙基]-氰基甲基]-2,3,5,6-四氟苄腈(NDP9))等，但是本公开的实施例不限于此。
如上所述，除了空穴注入层HIL和空穴传输层HTL之外，空穴传输区域HTR还可以包括缓冲层和电子阻挡层EBL中的至少一个。缓冲层可以根据从发射层EML发射的光的波长来补偿谐振距离，并且因此可以增加光效率。可以包括在空穴传输区域HTR中的材料可以用作包括在缓冲层中的材料。电子阻挡层EBL是用于防止或减少电子从电子传输区域ETR注入到空穴传输区域HTR的层。
在图3至图6中所示的实施例的发光元件ED中的每个中，电子传输区域ETR设置在发射层EML上。电子传输区域ETR可以包括空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层EIL中的至少一个，但是本公开的实施例不限于此。
电子传输区域ETR可以具有由单种材料形成的单个层、由多种不同材料形成的单个层或包括由多种不同材料形成的多个层的多层结构。
例如，电子传输区域ETR可以具有电子注入层EIL或电子传输层ETL的单层结构，并且可以具有由电子注入材料或电子传输材料形成的单层结构。在一些实施例中，电子传输区域ETR可以具有由多种不同材料形成的单层结构，或者可以具有其中电子传输层ETL/电子注入层EIL、空穴阻挡层HBL/电子传输层ETL/电子注入层EIL从发射层EML以顺序堆叠的结构，但是本公开的实施例不限于此。电子传输区域ETR可以具有例如约至约的厚度。
电子传输区域ETR可以利用一种或更多种合适的方法(诸如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗格缪尔-布洛杰特(LB)法、喷墨印刷法、激光印刷法和激光诱导热成像(LITI)法)形成。
电子传输区域ETR可以包括由式ET-1表示的化合物：
式ET-1
在式ET-1中，X1至X3之中的至少一个可以是N，其余部分可以均独立地是CRa。Ra可以是氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。Ar1至Ar3可以均独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。
在式ET-1中，a至c可以均独立地是0至10的整数。在式ET-1中，L1至L3可以均独立地是直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。在一些实施例中，当a至c可以均独立地是2或更大的整数时，L1至L3可以均独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。
电子传输区域ETR可以包括蒽类化合物。然而，本公开的实施例不限于此，电子传输区域ETR可以包括例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯、2,4,6-三(3′-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪、2-(4-(N-苯基苯并咪唑-1-基)苯基)-9,10-二萘基蒽、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1′-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、双(苯并喹啉-10-羟基)铍(Bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯(BmPyPhB)或它们的混合物。
在一些实施例中，电子传输区域ETR可以包括金属卤化物(诸如LiF、NaCl、CsF、RbCl、RbI、CuI和/或KI)、镧系金属(诸如Yb)和/或金属卤化物和镧系金属的共沉积材料。例如，电子传输区域ETR可以包括KI:Yb、RbI:Yb、LiF:Yb等作为共沉积材料。在一些实施例中，电子传输区域ETR可以利用金属氧化物(诸如Li2O或BaO)或8-羟基-喹啉锂(Liq)等形成，但是本公开的实施例不限于此。电子传输区域ETR也可以由电子传输材料和绝缘有机金属盐的混合材料形成。有机金属盐可以是具有约4eV或更大的能带隙的材料。例如，有机金属盐可以包括例如金属乙酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮酸盐或金属硬脂酸盐。除了上述材料之外，电子传输区域ETR还可以包括2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、二苯基(4-(三苯基甲硅烷基)苯基)氧化膦(TSPO1)和4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)中的至少一种，但是本公开的实施例不限于此。
电子传输区域ETR可以在电子注入层EIL、电子传输层ETL和空穴阻挡层HBL中的至少一个中包括电子传输区域ETR的上述化合物。
当电子传输区域ETR包括电子传输层ETL时，电子传输层ETL可以具有约至约(例如，约至约)的厚度。当电子传输层ETL的厚度满足上述范围时，可以获得令人满意的电子传输特性而不显著增大驱动电压。当电子传输区域ETR包括电子注入层EIL时，电子注入层EIL可以具有约至约(例如，约至约)的厚度。当电子注入层EIL的厚度满足上述范围时，可以获得令人满意的电子注入特性而不显著增大驱动电压。
第二电极EL2可以设置在电子传输区域ETR上。第二电极EL2可以是共电极。第二电极EL2可以是阴极或阳极，但是本公开的实施例不限于此。例如，当第一电极EL1是阳极时，第二电极EL2可以是阴极，当第一电极EL1是阴极时，第二电极EL2可以是阳极。第二电极EL2可以包括选自于以下物质之中的至少一种：Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn和/或Zn；选自于这些之中的两种或更多种的化合物；选自于这些之中的两种或更多种的混合物；以及它们的氧化物。
第二电极EL2可以是透射电极、透反射电极或反射电极。当第二电极EL2是透射电极时，第二电极EL2可以由透明金属氧化物(例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等)形成。
当第二电极EL2是透反射电极或反射电极时，第二电极EL2可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、Yb、W或者它们的化合物或混合物(例如，AgMg、AgYb或MgAg)，或者具有诸如LiF/Ca或LiF/Al的多层结构的材料。在一些实施例中，第二电极EL2可以具有多层结构，该多层结构包括由上述材料形成的反射膜或透反射膜以及由ITO、IZO、ZnO、ITZO等形成的透明导电膜。例如，第二电极EL2可以包括上述金属材料、上述金属材料中的至少两种金属材料的组合和/或上述金属材料的氧化物等。
在一些实施例中，第二电极EL2可以与辅助电极连接。当第二电极EL2与辅助电极连接时，第二电极EL2的电阻可以降低。
在一些实施例中，覆盖层CPL还可以设置在实施例的发光元件ED的第二电极EL2上。覆盖层CPL可以包括多层或单个层。
在实施例中，覆盖层CPL可以是有机层或无机层。例如，当覆盖层CPL包含无机材料时，无机材料可以包括碱金属化合物(例如，LiF)、碱土金属化合物(例如，MgF2)、SiON、SiNx、SiOy等。
例如，当覆盖层CPL包括有机材料时，有机材料可以包括α-NPD、NPB、TPD、m-MTDATA、Alq3、CuPc、N4,N4,N4′,N4′-四(联苯-4-基)联苯-4,4′-二胺(TPD15)、4,4′,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)等或者环氧树脂或诸如甲基丙烯酸酯的丙烯酸酯。然而，本公开的实施例不限于此，覆盖层CPL可以包括化合物P1至化合物P5之中的至少一种：
在一些实施例中，覆盖层CPL的折射率可以是约1.6或更大。例如，相对于在约550nm至约660nm的波长范围内的光，覆盖层CPL的折射率可以是1.6或更大。
图7至图10中的每个是根据本公开的实施例的显示装置的剖视图。在下文中，在参照图7至图10描述实施例的显示装置时，不再描述已经在图1至图6中描述的重复特征，但是可以主要描述它们的差异。
参照图7，根据实施例的显示装置DD-a可以包括包含显示元件层DP-ED的显示面板DP、设置在显示面板DP上的光控制层CCL和滤色器层CFL。
在图7中所示的实施例中，显示面板DP可以包括基体层BS、设置在基体层BS上的电路层DP-CL和显示元件层DP-ED，显示元件层DP-ED可以包括发光元件ED。
发光元件ED可以包括第一电极EL1、设置在第一电极EL1上的空穴传输区域HTR、设置在空穴传输区域HTR上的发射层EML、设置在发射层EML上的电子传输区域ETR以及设置在电子传输区域ETR上的第二电极EL2。发光元件ED可以包括实施例的含氮化合物。如上所述的图3至图6的发光元件ED的结构可以同样适用于图7中所示的发光元件ED的结构。
参照图7，发射层EML可以设置在限定在像素限定膜PDL中的开口OH中。例如，由像素限定膜PDL划分并且与每个发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B对应设置的发射层EML可以被构造为发射在基本上相同波长范围内的光。在实施例的显示装置DD-a中，发射层EML可以被构造为发射蓝光。在一些实施例中，与所示的构造不同，在实施例中，发射层EML可以在整个发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中设置为公共层。
光控制层CCL可以设置在显示面板DP上。光控制层CCL可以包括光转换体。光转换体可以是量子点和/或磷光体等。光转换体可以被构造为通过转换所提供的光的波长来发射所提供的光。例如，光控制层CCL可以是包含量子点的层或包含磷光体的层。
光控制层CCL可以包括多个光控制部CCP1、CCP2和CCP3。光控制部CCP1、CCP2和CCP3可以彼此分隔开。
参照图7，分割图案BMP可以设置在彼此分隔开的光控制部CCP1、CCP2和CCP3之间，但是本公开的实施例不限于此。图7示出分割图案BMP不与光控制部CCP1、CCP2和CCP3叠置，但是光控制部CCP1、CCP2和CCP3的边缘的至少一部分可以与分割图案BMP叠置。
光控制层CCL可以包括包含将从发光元件ED提供的第一颜色光转换为第二颜色光的第一量子点QD1的第一光控制部CCP1、包含将第一颜色光转换为第三颜色光的第二量子点QD2的第二光控制部CCP2以及透射第一颜色光的第三光控制部CCP3。
在实施例中，第一光控制部CCP1可以提供作为第二颜色光的红光，第二光控制部CCP2可以提供作为第三颜色光的绿光。第三光控制部CCP3可以通过透射作为从发光元件ED提供的第一颜色光的蓝光来提供蓝光。例如，第一量子点QD1可以是红色量子点，第二量子点QD2可以是绿色量子点。相对于量子点QD1和QD2，可以应用与上面所描述的相同内容。
在一些实施例中，光控制层CCL还可以包括散射体SP。第一光控制部CCP1可以包括第一量子点QD1和散射体SP，第二光控制部CCP2可以包括第二量子点QD2和散射体SP，第三光控制部CCP3可以不包括(例如，可以排除)任何量子点但包括散射体SP。
散射体SP可以是无机颗粒。例如，散射体SP可以包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空球形二氧化硅中的至少一种。散射体SP可以包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空球形二氧化硅之中的任何一种，或者可以是选自于TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空球形二氧化硅之中的至少两种材料的混合物。
第一光控制部CCP1、第二光控制部CCP2和第三光控制部CCP3各自可以包括其中分散有量子点QD1和QD2以及散射体SP的基体树脂BR1、BR2和BR3。在实施例中，第一光控制部CCP1可以包括分散在第一基体树脂BR1中的第一量子点QD1和散射体SP，第二光控制部CCP2可以包括分散在第二基体树脂BR2中的第二量子点QD2和散射体SP，第三光控制部CCP3可以包括分散在第三基体树脂BR3中的散射体SP。
基体树脂BR1、BR2和BR3是其中分散有量子点QD1和QD2以及散射体SP的介质，并且可以由通常可以称为粘合剂的一种或更多种合适的树脂成分形成。例如，基体树脂BR1、BR2和BR3可以是丙烯酸类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、聚硅氧烷类树脂、环氧类树脂等。基体树脂BR1、BR2和BR3可以是透明树脂。在实施例中，第一基体树脂BR1、第二基体树脂BR2和第三基体树脂BR3可以彼此相同或不同。
光控制层CCL可以包括阻挡层BFL1。阻挡层BFL1可以用于防止或减少湿气和/或氧(在下文中，称为“湿气/氧”)的渗透。阻挡层BFL1可以阻挡或减少光控制部CCP1、CCP2和CCP3暴露于湿气/氧。在一些实施例中，阻挡层BFL1可以覆盖光控制部CCP1、CCP2和CCP3。在一些实施例中，阻挡层BFL2可以设置在光控制部CCP1、CCP2和CCP3与滤光器CF1、CF2和CF3之间。
阻挡层BFL1和BFL2可以包括至少一个无机层。例如，阻挡层BFL1和BFL2可以包括无机材料。例如，阻挡层BFL1和BFL2可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅、确保透射率的金属薄膜等。在一些实施例中，阻挡层BFL1和BFL2还可以包括有机膜。阻挡层BFL1和BFL2可以由单个层或多个层形成。
在实施例的显示装置DD-a中，滤色器层CFL可以设置在光控制层CCL上。例如，滤色器层CFL可以直接设置在光控制层CCL上。在这种情况下，可以不设置阻挡层BFL2。
滤色器层CFL可以包括滤光器CF1、CF2和CF3。滤色器层CFL可以包括被构造为透射第二颜色光的第一滤光器CF1、被构造为透射第三颜色光的第二滤光器CF2和被构造为透射第一颜色光的第三滤光器CF3。例如，第一滤光器CF1可以是红色滤光器，第二滤光器CF2可以是绿色滤光器，第三滤光器CF3可以是蓝色滤光器。滤光器CF1、CF2和CF3均可以包括聚合光敏树脂以及颜料或染料。第一滤光器CF1可以包括红色颜料或染料，第二滤光器CF2可以包括绿色颜料或染料，第三滤光器CF3可以包括蓝色颜料或染料。在一些实施例中，本公开的实施例不限于此，第三滤光器CF3可以不包括(例如，可以排除)颜料或染料。第三滤光器CF3可以包括聚合光敏树脂，并且可以不包括(例如，可以排除)颜料或染料。第三滤光器CF3可以是透明的。第三滤光器CF3可以由透明光敏树脂形成。
此外，在实施例中，第一滤光器CF1和第二滤光器CF2可以是黄色滤光器。第一滤光器CF1和第二滤光器CF2可以不是分离的，而是作为一个滤光器设置。第一滤光器至第三滤光器CF1、CF2和CF3可以分别与红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B对应设置。
虽然未示出，但是滤色器层CFL还可以包括遮光部。遮光部可以是黑矩阵。遮光部可以包括包含黑色颜料或染料的有机遮光材料或无机遮光材料。遮光部可以防止或减少光泄漏，并且可以使相邻的滤光器CF1、CF2和CF3之间的边界分离。
基体基底BL可以设置在滤色器层CFL上。基体基底BL可以是提供其中设置有滤色器层CFL和/或光控制层CCL等的基体表面的构件。基体基底BL可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等。然而，本公开的实施例不限于此，基体基底BL可以是无机层、有机层或复合材料层。在一些实施例中，与所示的构造不同，在实施例中，可以不设置基体基底BL。
图8是示出根据实施例的显示装置DD-TD的一部分的剖视图。图8示出与图7的显示面板DP对应的一部分的另一实施例。在实施例的显示装置DD-TD中，发光元件ED-BT可以包括多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3。发光元件ED-BT可以包括彼此面对的第一电极EL1和第二电极EL2以及在厚度方向上顺序地堆叠在第一电极EL1与第二电极EL2之间的多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3。多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3之中的至少一个可以包括实施例的含氮化合物。
发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3均可以包括发射层EML(图7)以及空穴传输区域HTR(图7)和电子传输区域ETR(图7)并且发射层EML位于其间。例如，包括在实施例的显示装置DD-TD中的发光元件ED-BT可以是具有串联结构并且包括多个发射层的发光元件。
在图8中所示的实施例中，分别从发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3发射的所有光束可以是蓝光。然而，本公开的实施例不限于此，分别从发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3发射的光束可以具有彼此不同的波长范围。例如，包括发射具有彼此不同的波长范围的光束的多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3的发光元件ED-BT可以被构造为发射白光。
电荷产生层CGL1和CGL2可以分别设置在两个邻近的发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3之间。电荷产生层CGL1和CGL2可以包括p型电荷(p电荷)产生层和/或n型电荷(n电荷)产生层。
参照图9，根据实施例的显示装置DD-b可以包括其中堆叠有两个发射层的发光元件ED-1、ED-2和ED-3。与图2中所示的实施例的显示装置DD相比，图9中所示的实施例具有这样的差异：第一发光元件至第三发光元件ED-1、ED-2和ED-3均包括在厚度方向上堆叠的两个发射层。在第一发光元件至第三发光元件ED-1、ED-2和ED-3中的每个中，两个发射层可以被构造为发射在基本上相同波长区域中的光。第一发光元件至第三发光元件ED-1、ED-2和ED-3之中的至少一个可以包括实施例的含氮化合物。例如，第三发光元件ED-3可以包括实施例的含氮化合物。
第一发光元件ED-1可以包括第一红色发射层EML-R1和第二红色发射层EML-R2。第二发光元件ED-2可以包括第一绿色发射层EML-G1和第二绿色发射层EML-G2。在一些实施例中，第三发光元件ED-3可以包括第一蓝色发射层EML-B1和第二蓝色发射层EML-B2。发射辅助部OG可以设置在第一红色发射层EML-R1与第二红色发射层EML-R2之间、在第一绿色发射层EML-G1与第二绿色发射层EML-G2之间并且在第一蓝色发射层EML-B1与第二蓝色发射层EML-B2之间。
发射辅助部OG可以包括单个层或多层。发射辅助部OG可以包括电荷产生层。更具体地，发射辅助部OG可以包括顺序地堆叠的电子传输区域、电荷产生层和空穴传输区域。发射辅助部OG可以在整个第一发光元件至第三发光元件ED-1、ED-2和ED-3中设置为公共层。然而，本公开的实施例不限于此，发射辅助部OG可以通过在限定在像素限定膜PDL中的开口OH内被图案化来设置。
第一红色发射层EML-R1、第一绿色发射层EML-G1和第一蓝色发射层EML-B1可以设置在发射辅助部OG与电子传输区域ETR之间。第二红色发射层EML-R2、第二绿色发射层EML-G2和第二蓝色发射层EML-B2可以设置在空穴传输区域HTR与发射辅助部OG之间。
例如，第一发光元件ED-1可以包括顺序地堆叠的第一电极EL1、空穴传输区域HTR、第二红色发射层EML-R2、发射辅助部OG、第一红色发射层EML-R1、电子传输区域ETR和第二电极EL2。第二发光元件ED-2可以包括顺序地堆叠的第一电极EL1、空穴传输区域HTR、第二绿色发射层EML-G2、发射辅助部OG、第一绿色发射层EML-G1、电子传输区域ETR和第二电极EL2。第三发光元件ED-3可以包括顺序地堆叠的第一电极EL1、空穴传输区域HTR、第二蓝色发射层EML-B2、发射辅助部OG、第一蓝色发射层EML-B1、电子传输区域ETR和第二电极EL2。
在一些实施例中，光学辅助层PL可以设置在显示元件层DP-ED上。光学辅助层PL可以包括偏振层。光学辅助层PL可以设置在显示面板DP上，并且控制由于外部光而在显示面板DP中反射的光。与所示的构造不同，可以不在根据实施例的显示装置中设置光学辅助层PL。
与图8和图9不同，图10示出了显示装置DD-c包括四个发光结构OL-B1、OL-B2、OL-B3和OL-C1。发光元件ED-CT可以包括彼此面对的第一电极EL1和第二电极EL2以及在厚度方向上顺序地堆叠在第一电极EL1与第二电极EL2之间的第一发光结构至第四发光结构OL-C1、OL-B1、OL-B2和OL-B3。第一发光结构至第四发光结构OL-C1、OL-B1、OL-B2和OL-B3之中的至少一个可以包括实施例的含氮化合物。
在四个发光结构之中，第二发光结构至第四发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3可以被构造为发射蓝光，第一发光结构OL-C1可以被构造为发射绿光。然而，本公开的实施例不限于此，第一发光结构至第四发光结构OL-C1、OL-B1、OL-B2和OL-B3可以被构造为发射在不同波长区域中的光束。
电荷产生层CGL1、CGL2和CGL3可以设置在第一发光结构至第四发光结构OL-C1、OL-B1、OL-B2和OL-B3之间。设置在相邻的发光结构OL-B1、OL-B2、OL-B3和OL-C1之间的电荷产生层CGL1、CGL2和CGL3可以包括p型或p类电荷产生层和/或n型或n类电荷产生层。
在下文中，参照示例和对比示例，将更详细地描述根据本公开的实施例的含氮化合物和实施例的发光元件。在一些实施例中，所描述的示例仅是用于帮助理解本公开的说明，本公开的范围不限于此。
示例
1、示例的含氮化合物的合成
首先，将通过示出化合物1、化合物22、化合物29和化合物35的合成方法来更详细地描述根据当前实施例的含氮化合物的合成方法。在一些实施例中，在以下描述中，含氮化合物的合成方法被提供为示例，但是本公开的实施例不限于以下示例。
(1)含氮化合物1的合成
可以通过例如反应方案1中所示的步骤(任务)合成根据示例的含氮化合物1：
反应方案1
将9-(2′-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)-[1,1′-联苯]-2-基)-9H-咔唑(2.39g)、9,9′-(6-氯-1,3,5-三嗪-2,4-二基)双(9H-咔唑)(2g)、碳酸钾(1.55g)和四(三苯基膦)钯(0)(0.2g)加入到圆底烧瓶(RB)，将其溶解在28mL的四氢呋喃(THF)和7mL的蒸馏水(DW)中，并且回流约12小时。在反应完成之后，用乙酸乙酯萃取反应溶液以收集有机层。用无水硫酸镁干燥有机层，以获得残余物。通过硅胶柱色谱法分离和纯化残余物，以获得化合物1(1.79g，产率：55％)。通过LC-MS鉴定上面的化合物1。
C51H32N6 M+1∶729.33
(2)含氮化合物22的合成
可以通过例如反应方案2中所示的步骤合成根据示例的含氮化合物22：
反应方案2
将(2-(9H-咔唑-9-基)-[1,1′-联苯]-3-基)硼酸(1.67g)、9,9′-(6-(3-氯苯基)-1,3,5-三嗪-2,4-二基)双(9H-咔唑)(2g)、碳酸钾(1.33g)和四(三苯基膦)钯(0)(0.17g)加入到RB，将其溶解在24mL的THF和6mL的DW中，并且回流约12小时。在反应完成之后，用乙酸乙酯萃取反应溶液以收集有机层。用无水硫酸镁干燥有机层，以获得残余物。分离残留物，并且通过硅胶柱色谱法纯化，以获得化合物22(2.18g，产率：71％)。通过LC-MS鉴定上面的化合物22。
C57H36N6 M+1：805.51
(3)含氮化合物29的合成
可以通过例如反应方案3中所示的步骤合成根据示例的含氮化合物29：
反应方案3
将9-(3′-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)-[1,1′-联苯]-2-基)-9H-咔唑(1.33g)、9-(4-(9H-咔唑-9-基)-6-氯-1,3,5-三嗪-2-基)-3-苯基-9H-咔唑(1.3g)、碳酸钾(0.86g)和四(三苯基膦)钯(0)(0.11g)加入到RB，将其溶解在20mL的THF和5mL的DW中，并且回流约12小时。在反应完成之后，用乙酸乙酯萃取反应溶液以收集有机层。用无水硫酸镁干燥有机层，以获得残余物。分离残留物，并且通过硅胶柱色谱法纯化，以获得化合物29(1.6g，产率：80％)。通过LC-MS鉴定上面的化合物29。
C57H36N6 M+1：805.44
(4)含氮化合物35的合成
可以通过例如反应方案4中所示的步骤合成根据示例的含氮化合物35：
反应方案4
将9-(3′-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)-[1,1′-联苯]-3-基)-9H-咔唑(1.73g)、9,9′-(6-氯-1,3,5-三嗪-2,4-二基)双(9H-咔唑-1,2,3,4,5,6,7,8-d8)(1.5g)、碳酸钾(1.12g)和四(三苯基膦)钯(0)(0.15g)加入到RB，将其溶解在20mL的THF和5mL的DW中，并且回流约12小时。在反应完成之后，用乙酸乙酯萃取反应溶液以收集有机层。用无水硫酸镁干燥有机层，以获得残余物。分离残留物，并且通过硅胶柱色谱法纯化，以获得化合物35(2.05g，产率：85％)。通过LC-MS鉴定上面的化合物35。
C51H16D16N6 M+1：745.62
2、发光元件的制造和评价
(1)发光元件的制造
如下制造在发射层中包括示例的含氮化合物或对比示例化合物的发光元件。作为示例的含氮化合物的化合物1、化合物22、化合物29和化合物35分别用作用于发射层的主体材料来制造示例1至示例4的发光元件。对比示例化合物CX1至对比示例化合物CX5用作主体材料来制造对比示例1至对比示例5的发光元件。
对于第一电极，将由康宁公司(Corning Co.)制造的约15Ω/cm2(约)的ITO玻璃基底切割为50mm×50mm×0.7mm的尺寸，利用异丙醇和纯水通过超声波清洁各自约5分钟，然后用紫外线照射约30分钟并且暴露于臭氧并清洁。在真空沉积设备上安装玻璃基底。在第一电极上，在真空中沉积作为合适的化合物的N,N′-二(萘-1-基)-N,N′-联苯联苯胺(NPB)以形成厚的空穴注入层，然后在真空中沉积mCP以形成厚的空穴传输层。然后，以92:8的重量比共沉积主体和掺杂剂以形成厚的发射层。示例的含氮化合物或对比示例化合物用作主体，FIrpic用作掺杂剂。
提供TAZ以形成厚的电子传输层。在电子传输层上在真空中沉积作为碱金属卤化物的LiF至厚的电子注入层，并且在真空中沉积Al以形成厚的LiF/Al电极(第二电极)，从而制造发光元件。
用在示例1至示例4和对比示例1至对比示例5中的示例化合物和对比示例化合物列出在表1中。
[表1]
(2)发光元件特性的评价
在示例和对比示例的发光元件中的每个中，评价光效率和最大量子效率，评价示例化合物和对比示例化合物中的每个的最低三重态激发能级(T1能级)，结果列出在表2中。基于10mA/cm2的电流密度评价驱动电压和最大量子效率。通过利用源计(KeithleyInstruments，Inc.，2400系列)测量驱动电压，并且通过利用由日本的滨松光子学公司(Hamamatsu Photonics,Co.)制造的外量子效率测量设备C9920-2-12测量最大量子效率。相对于最大量子效率的评价，通过利用其中校准了波长灵敏度的亮度光度计测量亮度/电流密度，并且假设其中考虑了理想的漫反射表面的角度亮度分布(朗伯分布)转换最大量子效率。
基于1,000cd/m2的亮度测量光效率。通过非经验分子轨道法计算最低三重态激发能级(T1能级)的值，具体地，利用来自Gaussian,Inc.(Wallingford，CT，USA)的Gaussian09用B3LYP/6-31G(d)计算最低三重态激发能级(T1级)的值。
[表2]
参照表2，可以看出，与对比示例1至对比示例5的发光元件相比，示例1至示例4的发光元件具有降低的驱动电压，并且具有优异的或合适的光效率和最大量子效率。在一些实施例中，可以看出，与对比示例化合物CX1至对比示例化合物CX5相比，化合物1、化合物22、化合物29和化合物35具有相对高的最低三重态激发能级。示例1至示例4的发光元件包括化合物1、化合物22、化合物29和化合物35，化合物1、化合物22、化合物29和化合物35包括结合到三嗪基团的三个咔唑基团。在化合物1、化合物22、化合物29和化合物35中，三个咔唑基团之中的两个咔唑基团直接结合到三嗪基团，剩余的一个咔唑基团经由联苯基结合。因此，认为包括化合物1、化合物22、化合物29和化合物35的示例1至示例4的发光元件具有降低的驱动电压并且表现出优异的或合适的光效率和最大量子效率。化合物1、化合物22、化合物29和化合物35是示例的含氮化合物。因此，包括示例的含氮化合物的发光元件可以表现出其中驱动电压降低并且光效率和最大量子效率优异或合适的特性。
对比示例1的发光元件包括对比示例化合物CX1，并且对比示例化合物CX1包括三嗪基团、结合到三嗪基团的芴基和结合到三嗪基团的苯基。参照表2，可以看出，对比示例化合物CX1具有相对低的最低三重态激发能级。可以看出，包括对比示例化合物CX1的对比示例1的发光元件表现出相对高的驱动电压和低的光效率。认为对比示例化合物CX1不包括联苯基和咔唑基团，并且因此表现出相对低的最低三重态激发能级，对比示例1的发光元件表现出相对低的光效率。
对比示例2的发光元件包括对比示例化合物CX2，并且对比示例化合物CX2仅与一个咔唑基团对应。因此，认为对比示例化合物CX2表现出相对低的最低三重态激发能级值，对比示例2的发光元件表现出相对低的光效率。
对比示例3至对比示例5的发光元件包括对比示例化合物CX3至对比示例化合物CX5，并且对比示例化合物CX3至对比示例化合物CX5不包括联苯基。对比示例化合物CX3是咔唑基团经由二苯并呋喃基结合到三嗪基团，对比示例化合物CX4和对比示例化合物CX5是咔唑基团经由苯基结合到三嗪基团。因此，认为对比示例化合物CX3至对比示例化合物CX5表现出相对低的最低三重态激发能级值，并且对比示例3至对比示例5的发光元件表现出相对高的驱动电压和相对低的光效率。
根据实施例，提供了一种发光元件，该发光元件包括第一电极、设置在第一电极上的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的发射层。发射层可以包括实施例的含氮化合物。实施例的含氮化合物可以包括结合到包含N作为成环原子的六边形单环的三个咔唑基团。三个咔唑基团之中的两个咔唑基团可以直接结合到包含N作为成环原子的六边形单环，并且剩余的一个咔唑基团可以经由联苯基结合到包含N作为成环原子的六边形单环。因此，包括实施例的含氮化合物的发光元件可以表现出具有降低的驱动电压和改善的光效率的特性。
实施例的发光元件包括实施例的含氮化合物，因此可以降低驱动电压并且可以改善光效率。
实施例的含氮化合物可以有助于减小发光元件的驱动电压并且改善发光元件的光效率。
虽然已经参照本公开的优选实施例描述了本公开，但是将理解的是，本公开不应限于这些优选实施例，而是在不脱离本公开的精神和范围的情况下，本领域技术人员可以进行一个或更多个合适的改变和修改。
因此，本公开的技术范围不旨在限于说明书的详细描述中阐述的内容，而是旨在由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种含氮化合物，所述含氮化合物由式1表示：
式1
其中，在式1中，
X1至X3之中的至少一个是N，并且其余部分均独立地是CR6，
n1至n3均独立地是0至8的整数，
n4和n5均独立地是0至4的整数，并且
R1至R6均独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的具有1个至60个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至60个碳原子的烯基、取代或未取代的具有2个至60个碳原子的炔基、取代或未取代的具有6个至60个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至60个成环碳原子的杂芳基。
2.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，式1由式1-1或式1-2表示：
式1-1
式1-2
其中，在式1-1和式1-2中，
X1至X3、n1至n5和R1至R5与式1中所定义的相同。
3.根据权利要求2所述的含氮化合物，其中，式1-1由式1-1A或式1-1B表示：
式1-1A
式1-1B
其中，在式1-1A和式1-1B中，
X1至X3、n1至n5和R1至R5与式1中所定义的相同。
4.根据权利要求2所述的含氮化合物，其中，式1-2由式1-2A或式1-2B表示：
式1-2A
式1-2B
其中，在式1-2A和式1-2B中，
X1至X3、n1至n5和R1至R5与式1中所定义的相同。
5.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，式1由式1-3至式1-5之中的任何一个表示：
式1-3
式1-4
式1-5
其中，在式1-3至式1-5中，
R51是取代或未取代的苯基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基或者取代或未取代的二苯并噻吩基，并且
X1至X3、n1至n4和R1至R4与式1中所定义的相同。
6.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，在式1中，R1至R6均独立地是氢原子、氘原子或由R-1至R-7之中的任何一个表示：
其中，在R-2和R-3中，
n71是0至5的整数，
n72是0至8的整数，并且
R71和R72均独立地是氢原子、氘原子或未取代的叔丁基。
7.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，在式1中，R1至R5之中的至少一个是氘原子或者包括包含氘原子的取代基。
8.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，在式1中，X1至X3中的每个是N。
9.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，式1由化合物组1的化合物之中的任何一种表示：
化合物组1
其中，在化合物组1中，D是氘原子。
10.一种发光元件，所述发光元件包括：
第一电极；
第二电极，在所述第一电极上；以及
发射层，在所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括根据权利要求1至9中任一项所述的含氮化合物。
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