CN116264784A - 多环化合物及含其的发光元件和显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供了一种发光元件、显示装置和多环化合物，所述发光元件包括第一电极、在第一电极上的第一空穴传输区域、在第一空穴传输区域上的第一发射层、在第一发射层上的第一电子传输区域和在第一电子传输区域上的第二电极。第一空穴传输区域包括由式1表示的多环化合物和由式H‑1表示的化合物：
Description
本申请要求于2021年12月14日提交的第10-2021-0178924号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的一个或更多个实施例的方面涉及一种多环化合物、包括该多环化合物的发光元件和包括该多环化合物的显示装置，并且例如涉及包括多种材料(诸如用作空穴传输层材料的新型多环化合物)的发光元件。
背景技术
近来，正在积极进行作为图像显示装置的电致发光显示装置的研发。与液晶显示装置等不同，电致发光显示装置是一种自发光显示器，其中从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合，因而在发射层中包括有机化合物的发光材料发射光以获得显示。
在将发光元件应用于显示装置时，期望具有低驱动电压、高发光效率和长使用寿命的发光元件，并且正在不断寻求能够稳定地获得这些特性的发光元件的材料的开发。
例如，为了开发具有高效率和长使用寿命的发光元件，正在进行对用于空穴传输区域的材料的开发。
发明内容
本公开的一个或更多个实施例的方面涉及其中发光效率和元件使用寿命改善(提高)的发光元件。
本公开的一个或更多个实施例的方面涉及能够改善发光元件的发光效率和元件使用寿命的新型多环化合物。
另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地通过该描述将是明显的，或者可以通过实践给出的公开的实施例而获知。
本公开的实施例提供了一种发光元件，该发光元件包括：第一电极；第一空穴传输区域，在第一电极上；第一发射层，设置在第一空穴传输区域上；第一电子传输区域，在第一发射层上；以及第二电极，在第一电子传输区域上，其中，第一空穴传输区域包括由式1表示的多环化合物和由式H-1表示的化合物：
式1
在式1中，X为直连键，Y为C或Si，R1至R6可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，R1至R6与相邻基团结合以形成环，至少一个R3可以是氢原子或具有1个至20个碳原子的饱和脂肪族烃基，n可以是0或1，当m1+n为5或更小时，m1可以是0至5的整数，当m2+n为4或更小时，m2可以是0至4的整数，p可以是0至5的整数，q1至q3可以均独立地为0至5的整数，当n为1，Y可以为Si，并且R2和R4至R6中的每个可以是氢原子时，并且当R1为未取代的三苯基甲硅烷基时，排除其中R3为氢原子的实施例。
式H-1
在式H-1中，Ar1和Ar2可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，Ar3可以为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基，L1和L2可以均独立地为直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基，并且a和b可以均独立地为0至10的整数。
在实施例中，R3可以是氢原子、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的环烷基或者取代或未取代的金刚烷基。
在实施例中，由式1表示的多环化合物可以由式2表示：
式2
在式2中，R31可以是氢原子或具有1个至20个碳原子的饱和脂肪族烃基，并且在式2中，X、Y、R1、R2、R4至R6、n、m1、m2和q1至q3可以均独立地与式1中定义的相同。
在实施例中，由式2表示的多环化合物可以由式2-1表示：
式2-1
在式2-1中，X、Y、R1、R2、R4至R6、n、m1、m2和q1至q3可以均独立地与式1中定义的相同，并且R31可以与式2中定义的相同。
在实施例中，R31可以是氢原子、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的环己基或者取代或未取代的金刚烷基。
在实施例中，由式1表示的多环化合物可以由式3-1或式3-2表示：
式3-1
式3-2
在式3-1和式3-2中，Z可以为C或Si，R11和R12可以均独立地为氢原子或具有1个至20个碳原子的饱和脂肪族烃基，R7至R9可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，R7至R9与相邻基团结合以形成环，当m11+n为5或更小时，m11可以是0至5的整数，当m12+n为4或更小时，m12可以是0至4的整数，r1至r3可以均独立地为0至5的整数，并且在式3-1和式3-2中，X、Y、R2至R6、n、m2、p和q1至q3可以均独立地与式1中定义的相同。
在实施例中，由式1表示的多环化合物可以由从式4-1至式4-6之中选择的任何一个表示：
式4-1
式4-2
式4-3
式4-4
式4-5
式4-6
在式4-1至式4-6中，X、R2至R9、n、m2、p、q1至q3和r1至r3可以均独立地与式1、式3-1和式3-2中定义的相同。
在实施例中，R2至R9中的每个可以是氢原子。
在实施例中，第一空穴传输区域可以包括在第一电极上的空穴注入层、在空穴注入层上的空穴传输层和在空穴传输层上的电子阻挡层，并且空穴传输层可以包括由式1表示的多环化合物。
在实施例中，空穴传输层可以具有约
或更大的厚度。
在实施例中，空穴传输层可以具有小于约1.8的折射率。
在实施例中，发射层可以发射具有约430nm至约470nm的中心波长的光。
在实施例中，发光元件还可以包括：第二空穴传输区域，在第一电子传输区域和第二电极之间；第二发射层，在第二空穴传输区域和第二电极之间；以及第二电子传输区域，在第二发射层和第二电极之间，并且第二空穴传输区域可以包括由式1表示的多环化合物。
在实施例中，第二空穴传输区域还可以包括由式H-1表示的化合物：
式H-1
在式H-1中，Ar1和Ar2可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，Ar3可以为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基，L1和L2可以均独立地为直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基，并且a和b可以均独立地为0至10的整数。
在本公开的实施例中，一种多环化合物可以由式1表示：
式1
在式1中，X可以为直连键，Y可以为C或Si，R1至R6可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，R1至R6与相邻基团结合以形成环，至少一个R3可以是氢原子或具有1个至20个碳原子的饱和脂肪族烃基，n可以是0或1，当m1+n为5或更小时，m1可以是0至5的整数，当m2+n为4或更小时，m2可以是0至4的整数，p为0至5的整数，q1至q3可以均独立地为0至5的整数，当n为1，Y可以为Si，并且R2和R4至R6中的每个可以是氢原子时，并且当R1为未取代的三苯基甲硅烷基时，排除其中R3为氢原子的实施例。
在本公开的实施例中，一种显示装置包括多个发光元件，其中，所述多个发光元件中的每个包括：第一电极；空穴传输区域，在第一电极上；发射层，在空穴传输区域上；电子传输区域，设置在发射层上；以及第二电极，设置在电子传输区域上，并且空穴传输区域包括由式1表示的多环化合物和由式H-1表示的化合物：
式1
在式1中，X可以为直连键，Y可以为C或Si，R1至R6可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，R1至R6与相邻基团结合以形成环，至少一个R3可以是氢原子或具有1个至20个碳原子的饱和脂肪族烃基，n可以是0或1，当m1+n为5或更小时，m1可以是0至5的整数，当m2+n为4或更小时，m2可以是0至4的整数，p可以是0至5的整数，q1至q3可以均独立地为0至5的整数，当n为1，Y可以为Si，并且R2和R4至R6中的每个可以是氢原子时，并且当R1为未取代的三苯基甲硅烷基时，排除其中R3为氢原子的实施例。
式H-1
其中，在式H-1中，
Ar1和Ar2可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，
Ar3可以为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基，
L1和L2可以均独立地为直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基，并且
a和b可以均独立地为0至10的整数。
附图说明
包括附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本公开的示例实施例，并且与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中：
图1是示出根据实施例的显示装置的平面图；
图2是根据实施例的显示装置的剖视图；
图3是示意性地示出根据实施例的发光元件的剖视图；
图4是示意性地示出根据实施例的发光元件的剖视图；
图5是示意性地示出根据实施例的发光元件的剖视图；
图6是示意性地示出根据实施例的发光元件的剖视图；
图7是示意性地示出根据实施例的发光元件的剖视图；
图8是根据实施例的显示装置的剖视图；
图9是根据实施例的显示装置的剖视图；
图10是示出根据实施例的显示装置的剖视图；
图11是示出根据发明构思的实施例的显示装置的剖视图；
图12A是示出每种化合物在可见光的波长范围内的折射率变化的曲线图；以及
图12B是示出每种化合物在可见光的波长范围内的折射率变化的曲线图。
具体实施方式
本公开可以以许多替代形式进行修改，因此将在附图中举例说明并更详细地描述具体实施例。然而，应理解的是，并不旨在将本公开限制于所公开的特定形式，而是旨在覆盖落入本公开的精神和范围内的所有修改、等同物和替代物。
当解释每幅附图时，同样的附图标记用于指代同样的元件。在附图中，为了本公开的清楚性，可以夸大地示出每个结构的尺寸。将理解的是，尽管可以在此使用术语“第一”、“第二”等来描述一个或更多个合适的组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一组件可以被称为第二组件，并且类似地，第二组件可以被称为第一组件。如在此使用的，除非上下文另有明确说明，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。
在本公开中，将理解的是，“包括”、“包含”或“具有”的含义说明存在说明书中公开的特征、固定数量、步骤、工艺、元件、组件或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、固定数量、步骤、工艺、元件、组件或它们的组合的可能性。
在本公开中，当层、膜、区域或板被称为“在”另一层、膜、区域或板“上方”或“上部中”时，该层、膜、区域或板不仅可以直接在所述另一层、膜、区域或板上，而且也可以存在中间层、膜、区域或板。相反，当诸如层、膜、区域或板的部分被称为“在”另一部分“下方”或“下面”时，该部分可以直接在所述另一部分下方，或者也可以存在中间部分。在一些实施例中，在公开中，将理解的是，当一个部分被称为设置“在”另一部分“上”时，该部分可以设置在所述另一部分的上部上，或者也可以设置在所述另一部分的下部上。
在公开中，术语“取代或未取代的”可以指被从包括氘原子、卤素原子、氰基、硝基、氨基、甲硅烷基、氧基、硫基、亚磺酰基、磺酰基、羰基、硼基、氧化膦基、硫化膦基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、烃环基、芳基和杂环基(例如，由氘原子、卤素原子、氰基、硝基、氨基、甲硅烷基、氧基、硫基、亚磺酰基、磺酰基、羰基、硼基、氧化膦基、硫化膦基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、烃环基、芳基和杂环基组成)的组中选择的至少一个取代基取代或未被取代。在一些实施例中，上面举例说明的取代基中的每个可以是取代的或未取代的。例如，联苯基可以解释为芳基或取代有苯基的苯基。
在公开中，短语“与相邻基团结合以形成环”可以表示基团与相邻基团结合以形成取代或未取代的烃环或者取代或未取代的杂环。烃环可以包括脂肪族烃环和芳香族烃环。杂环可以包括脂肪族杂环和芳香族杂环。烃环和杂环可以是单环或多环。在一些实施例中，通过彼此结合形成的环可以连接到另一环以形成螺结构。
在公开中，术语“相邻基团”可以意指对与取代有对应取代基的原子直接连接的原子进行取代的取代基、对取代有对应取代基的原子进行取代的另一取代基或者空间上位于与对应取代基最接近的位置处的取代基。例如，在1,2-二甲基苯中的两个甲基可以解释为彼此“相邻基团”，并且在1,1-二乙基环戊烷中的两个乙基可以解释为彼此“相邻基团”。在一些实施例中，在1,2-二乙烯基苯中的两个乙烯基可以解释为彼此“相邻基团”。
在公开中，脂肪族化合物是指除芳香族化合物之外的烃化合物。脂肪族化合物可以是直链、支链或环状型(或类)。脂肪族化合物可以包括饱和脂肪族化合物和不饱和脂肪族化合物。
在公开中，卤素原子的示例可以包括氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。
在公开中，烷基可以是直链、支链或环状型(或类)。烷基中的碳的数量为1个至50个、1个至30个、1个至20个、1个至10个或1个至6个。烷基的示例可以包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、2-乙基丁基、3,3-二甲基丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、环戊基、1-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基戊基、4-甲基-2-戊基、正己基、1-甲基己基、2-乙基己基、2-丁基己基、环己基、4-甲基环己基、4-叔丁基环己基、正庚基、1-甲基庚基、2,2-二甲基庚基、2-乙基庚基、2-丁基庚基、正辛基、叔辛基、2-乙基辛基、2-丁基辛基、2-己基辛基、3,7-二甲基辛基、环辛基、正壬基、正癸基、金刚烷基、2-乙基癸基、2-丁基癸基、2-己基癸基、2-辛基癸基、正十一烷基、正十二烷基、2-乙基十二烷基、2-丁基十二烷基、2-己基十二烷基、2-辛基十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、2-乙基十六烷基、2-丁基十六烷基、2-己基十六烷基、2-辛基十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基、2-乙基二十烷基、2-丁基二十烷基、2-己基二十烷基、2-辛基二十烷基、正二十一烷基、正二十二烷基、正二十三烷基、正二十四烷基、正二十五烷基、正二十六烷基、正二十七烷基、正二十八烷基、正二十九烷基、正三十烷基等，但是本公开的实施例不限于此。
在公开中，环烷基可以指环状烷基。环烷基中的碳的数量为3个至50个、3个至30个、3个至20个或3个至10个。环烷基的示例可以包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、4-甲基环己基、4-叔丁基环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、降冰片基、1-金刚烷基、2-金刚烷基、异冰片基、二环庚基等，但是本公开的实施例不限于此。
在公开中，烷基可以包括芳基烷基。芳基烷基可以指芳基与上面定义的烷基结合。芳基烷基的示例可以包括甲苯酰基、
基、枯烯基(a cumenyl group)、均三甲苯基、苄基、苯乙基、苯乙烯基等，但本公开的实施例不限于此。
在公开中，烯基指在具有2个或更多个碳原子的烷基的中间或末端处包括至少一个碳-碳双键的烃基。烯基可以是直链的或支链的。碳数没有限制，但是为2个至30个、2个至20个或2个至10个。烯基的示例包括乙烯基、1-丁烯基、1-戊烯基、1,3-丁二烯基、苯乙烯基、苯乙烯基乙烯基等，而没有限制。
在公开中，炔基指在具有2个或更多个碳原子的烷基的中间或末端处包括至少一个碳-碳三键的烃基。炔基可以是直链的或支链的。碳数没有限制，但是为2个至30个、2个至20个或2个至10个。炔基的示例包括乙炔基、丙炔基等，而没有限制。
在此的烃环基指衍生自脂肪族烃环的任何官能团或取代基。烃环基可以是具有5个至20个成环碳原子的饱和烃环基。
在公开中，芳基指衍生自芳香族烃环的任何官能团或取代基。芳基可以是单环芳基或多环芳基。芳基中的成环碳原子的数量可以是6个至30个、6个至20个或6个至15个。芳基的示例可以包括苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基、六联苯基、苯并[9,10]菲基、芘基、苯并荧蒽基、
基等，但本公开的实施例不限于此。
在公开中，芴基可以被取代，并且其两个取代基可以彼此结合以形成螺结构。其中芴基被取代的实施例的示例如下。然而，本公开的实施例不限于此。
在此的杂环基指衍生自包括B、O、N、P、Si、S和Se中的至少一个作为杂原子的环的任何官能团或取代基。杂环基包括脂肪族杂环基和芳香族杂环基。芳香族杂环基可以是杂芳基。脂肪族杂环基和芳香族杂环基可以是单环的或多环的。
在公开中，杂环基可以包括B、O、N、P、Si、S和Se中的至少一个作为杂原子。当杂环基包括两个或更多个杂原子时，所述两个或更多个杂原子可以彼此相同或不同。杂环基可以是单环杂环基或多环杂环基，并且具有包括(例如，可以包括)杂芳基的概念。杂环基中的成环碳原子的数量可以是2个至30个、2个至20个或2个至10个。
在公开中，脂肪族杂环基可以包括选自B、O、N、P、Si、S和Se中的一种或更多种作为杂原子。脂肪族杂环基中的成环碳原子的数量可以是2个至30个、2个至20个或2个至10个。脂肪族杂环基的示例可以包括环氧乙烷基、环硫乙烷基、吡咯烷基、哌啶基、四氢呋喃基、四氢噻吩基、噻烷基、四氢吡喃基、1,4-二噁烷基等，但本公开的实施例不限于此。
在此的杂芳基可以包括B、O、N、P、Si、S和Se中的至少一个作为杂原子。当杂芳基包含两个或更多个杂原子时，所述两个或更多个杂原子可以彼此相同或不同。杂芳基可以是单环杂芳基或多环杂芳基。杂芳基中的成环碳原子的数量可以是2个至30个、2个至20个或2个至10个。杂芳基的示例可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、吡啶基、联吡啶基、三嗪基、三唑基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并吡啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、N-芳基咔唑基、N-杂芳基咔唑基、N-烷基咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、噻唑基、异噁唑基、噁唑基、噁二唑基、噻二唑基、吩噻嗪基、二苯并噻咯基、二苯并呋喃基等，但是本公开的实施例不限于此。
在公开中，除了亚芳基是二价基团之外，芳基的上述描述可以适用于亚芳基。除了亚杂芳基是二价基团之外，上述杂芳基的描述可以适用于亚杂芳基。
在描述中，甲硅烷基包括烷基甲硅烷基和芳基甲硅烷基。甲硅烷基的示例可以包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等，但是本公开的实施例不限于此。
在公开中，硫醇基可以包括烷基硫醇基和芳基硫醇基。硫醇基可以指硫原子与如上定义的烷基或芳基结合。硫醇基的示例可以包括甲基硫醇基、乙基硫醇基、丙基硫醇基、戊基硫醇基、己基硫醇基、辛基硫醇基、十二烷基硫醇基、环戊基硫醇基、环己基硫醇基、苯基硫醇基、萘基硫醇基，但是本公开的实施例不限于此。
在公开中，氧基可以指氧原子与如上定义的烷基或芳基结合。氧基可以包括烷基氧基和芳基氧基。烷基氧基可以是直链的、支链的或环链的。烷基氧基中的碳原子的数量没有限制，但是可以为例如1个至20个或1个至10个。芳基氧基中的成环碳原子的数量没有限制，但是可以为例如6个至30个、6个至20个或6个至15个。氧基的示例可以包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、苯氧基、苄氧基等，但是本公开的实施例不限于此。
在此的硼基可以指硼原子与如上定义的烷基或芳基结合。硼基包括烷基硼基和芳基硼基。硼基的示例可以包括三甲基硼基、三乙基硼基、叔丁基二甲基硼基、三苯基硼基、二苯基硼基、苯基硼基等，但是本公开的实施例不限于此。
在公开中，胺基中的碳原子的数量没有限制，但是可以为1个至30个。胺基可以包括烷基胺基和芳基胺基。胺基的示例可以包括甲胺基、二甲胺基、苯胺基、二苯胺基、萘胺基、9-甲基-蒽基胺基等，但是本公开的实施例不限于此。
在公开中，从烷基硫醇基、烷基磺氧基、烷基芳基、烷基氨基、烷基硼基、烷基甲硅烷基和烷基胺基之中选择的烷基与上述烷基的示例相同。
在公开中，从芳基氧基、芳基硫醇基、芳基磺氧基、芳基氨基、芳基硼基、芳基甲硅烷基、芳基胺基和芳基烷基之中选择的芳基与上述芳基的示例相同。
在公开中，直连键可以指单键。
在一些实施例中，在此的
或
指待连接的位置。
在下文中，将参考附图描述本公开的实施例。
图1是示出显示装置DD的实施例的平面图。图2是实施例的显示装置DD的剖视图。图2是示出沿图1的线I-I'截取的一部分的剖视图。
显示装置DD可以包括显示面板DP和设置在显示面板DP上的光学层PP。显示面板DP包括发光元件ED-1、ED-2和ED-3。显示装置DD可以包括多个发光元件ED-1、ED-2和ED-3。光学层PP可以设置在显示面板DP上，并且控制显示面板DP中由于外部光引起的反射光。光学层PP可以包括例如偏振层或滤色器层。在一些实施例中，与图中所示的配置不同，根据实施例的显示装置DD可以不提供光学层PP。
基体基底BL可以设置在光学层PP上。基体基底BL可以是提供其上设置有光学层PP的基体表面的构件。基体基底BL可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等。然而，本公开的实施例不限于此，并且基体基底BL可以是无机层、有机层或复合材料层。在一些实施例中，与所示的配置不同，在实施例中，可以不提供基体基底BL。
根据实施例的显示装置DD还可以包括填充层。填充层可以在显示元件层DP-ED与基体基底BL之间。填充层可以是有机材料层。填充层可以包括丙烯酸类树脂、硅酮类树脂和环氧类树脂中的至少一种。
显示面板DP可以包括基体层BS以及设置在基体层BS上的电路层DP-CL和显示元件层DP-ED。显示元件层DP-ED可以包括像素限定膜PDL、在像素限定膜PDL的部分之间的发光元件ED-1、ED-2和ED-3、以及在发光元件ED-1、ED-2和ED-3上的封装层TFE。
基体层BS可以是提供其上设置有显示元件层DP-ED的基体表面的构件。基体层BS可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等。然而，实施例不限于此，并且基体层BS可以是无机层、有机层或复合材料层。
在实施例中，电路层DP-CL在基体层BS上，并且电路层DP-CL可以包括多个晶体管。晶体管中的每个可以包括控制电极、输入电极和输出电极。例如，电路层DP-CL可以包括用于驱动显示元件层DP-ED的发光元件ED-1、ED-2和ED-3的开关晶体管和驱动晶体管。
发光元件ED-1、ED-2和ED-3中的每个可以具有根据图3至图7的实施例的发光元件ED的结构，将对其进行更详细地描述。发光元件ED-1、ED-2和ED-3中的每个可以包括第一电极EL1、空穴传输区域HTR、发射层EML-R、EML-G和EML-B、电子传输区域ETR以及第二电极EL2。
图2示出了其中发光元件ED-1、ED-2和ED-3的发射层EML-R、EML-G和EML-B在像素限定膜PDL中限定的开口OH中并且空穴传输区域HTR、电子传输区域ETR和第二电极EL2在整个发光元件ED-1、ED-2和ED-3中提供为公共层的实施例。然而，本公开的实施例不限于此，并且在实施例中，空穴传输区域HTR和电子传输区域ETR可以通过在像素限定膜PDL中限定的开口OH内部进行图案化来提供。例如，在实施例中，发光元件ED-1、ED-2和ED-3的空穴传输区域HTR、发射层EML-R、EML-G和EML-B以及电子传输区域ETR可以通过以喷墨印刷方法进行图案化来提供。
封装层TFE可以覆盖发光元件ED-1、ED-2和ED-3。封装层TFE可以密封发光元件ED-1、ED-2和ED-3。封装层TFE可以是薄膜封装层。封装层TFE可以通过层叠一个层或多个层来形成。封装层TFE包括至少一个绝缘层。根据实施例的封装层TFE可以包括至少一种无机膜(下文中，封装-无机膜)。根据实施例的封装层TFE还可以包括至少一个有机膜(下文中，封装-有机膜)和至少一个封装-无机膜。
封装-无机膜保护(减少)显示元件层DP-ED免受湿气/氧的影响，并且封装-有机膜保护(减少)显示元件层DP-ED免受诸如灰尘颗粒的杂质的影响。封装-无机膜可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和/或氧化铝等，但本公开的实施例不限于此。封装-有机膜可以包括丙烯酸类化合物和/或环氧类化合物等。封装-有机膜可以包括可光聚合的有机材料，但是本公开的实施例不限于此。
封装层TFE可以在第二电极EL2上，并且可以设置为填充开口OH。
参照图1和图2，显示装置DD可以包括非发光区域NPXA和发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以是其中发射由相应发光元件ED-1、ED-2和ED-3产生的光的区域。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以在平面上(例如，在平面图中)彼此间隔开。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个可以是由像素限定膜PDL划分的区域。非发光区域NPXA可以是相邻发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间的区域，其对应于像素限定膜PDL的部分。在一些实施例中，在公开中，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以分别对应于像素。像素限定膜PDL可以划分发光元件ED-1、ED-2和ED-3。发光元件ED-1、ED-2和ED-3的发射层EML-R、EML-G和EML-B可以设置在像素限定膜PDL中限定的开口OH中并且彼此分离。
可以根据从发光元件ED-1、ED-2和ED-3产生的光的颜色将发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B分成多个组。在图1和图2中所示的实施例的显示装置DD中，作为示例，示出了分别发射红光、绿光和蓝光的三个发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B。例如，实施例的显示装置DD可以包括彼此分离的红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B。
在根据实施例的显示装置DD中，多个发光元件ED-1、ED-2和ED-3可以发射具有彼此不同的波长的光束。例如，在实施例中，显示装置DD可以包括发射红光的第一发光元件ED-1、发射绿光的第二发光元件ED-2和发射蓝光的第三发光元件ED-3。例如，显示装置DD的红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B可以分别对应于第一发光元件ED-1、第二发光元件ED-2和第三发光元件ED-3。
然而，本公开的实施例不限于此，并且第一发光元件ED-1、第二发光元件ED-2和第三发光元件ED-3可以发射在基本相同的波长范围内的光束，或者至少一个发光元件可以发射在不同于其他的波长范围内的光束。例如，第一发光元件ED-1、第二发光元件ED-2和第三发光元件ED-3可以全部发射蓝光。
根据实施例的显示装置DD中的发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以以条带形式布置。参照图1，多个红色发光区域PXA-R可以沿着第二方向DR2彼此布置，多个绿色发光区域PXA-G可以沿着第二方向DR2彼此布置，并且多个蓝色发光区域PXA-B可以沿着第二方向DR2彼此布置。在一些实施例中，红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B可以沿着第一方向DR1以该顺序交替地布置。DR3是与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面正交或垂直的第三方向。
图1和图2示出了所有发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B具有基本相似的面积，但是本公开的实施例不限于此。因此，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以根据发射光的波长范围具有彼此不同的面积。在这种情况下，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可以指当在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面中观察时的面积。
在一些实施例中，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的布置形式不限于图1中所示的特征，并且可以根据显示装置DD中所需要的显示质量的特性以一种或更多种合适的组合来提供其中布置红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B的顺序。例如，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的布置形式可以是pentile
布置形式(例如，RGBG矩阵、RGBG结构或RGBG矩阵结构)或菱形布置形式(例如，包含以菱形形状布置的红色、蓝色和绿色(RGB)发光区域的显示器(例如，OLED显示器))。
是三星显示有限公司(Samsung Display Co.,Ltd.)的正式注册商标。
在一些实施例中，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可以彼此不同。例如，在实施例中，绿色发光区域PXA-G的面积可以小于蓝色发光区域PXA-B的面积，但是本公开的实施例不限于此。
在下文中，图3至图7是示意性地示出根据实施例的发光元件ED的剖视图。根据实施例的发光元件ED可以均包括第一电极EL1、第二电极EL2以及在第一电极EL1和第二电极EL2之间的至少一个功能层。例如，根据实施例的发光元件ED中的每个可以包括顺序堆叠的第一电极EL1、空穴传输区域HTR、发射层EML、电子传输区域ETR和第二电极EL2。
与图3相比，图4示出了实施例的发光元件ED的剖视图，其中空穴传输区域HTR包括空穴注入层HIL和空穴传输层HTL，并且电子传输区域ETR包括电子注入层EIL和电子传输层ETL。在一些实施例中，与图3相比，图5示出了实施例的发光元件ED的剖视图，其中空穴传输区域HTR包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL，并且电子传输区域ETR包括电子注入层EIL、电子传输层ETL和空穴阻挡层HBL。与图4相比，图6示出了包括设置在第二电极EL2上的覆盖层CPL的实施例的发光元件ED的剖视图。与图5相比，图7示出了发光元件ED可以包括多个发光结构OL-B1和OL-B2。多个发光结构OL-B1和OL-B2可以包括第一发光结构OL-B1和第二发光结构OL-B2。第一发光结构OL-B1和第二发光结构OL-B2中的每个可以包括空穴传输区域HTR1和HTR2、发射层EML1和EML2以及电子传输区域ETR1和ETR2。空穴传输区域HTR1和HTR2可以包括空穴注入层HIL1和HIL2、空穴传输层HTL1和HTL2以及电子阻挡层EBL1和EBL2，并且电子传输区域ETR1和ETR2可以包括电子注入层EIL1和EIL2、电子传输层ETL1和ETL2以及空穴阻挡层HBL1和HBL2。
在根据实施例的发光元件ED中，第一电极EL1具有导电性(例如，是导体)。第一电极EL1可以由金属材料、金属合金或导电化合物形成。第一电极EL1可以是阳极或阴极。然而，本公开的实施例不限于此。在一些实施例中，第一电极EL1可以是像素电极。第一电极EL1可以是透射电极、透反射电极或反射电极。第一电极EL1可以包括从Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn、包含一种或更多种前述元素的化合物、两种或更多种前述元素或化合物的组合、两种或更多种前述元素或化合物的混合物、和/或它们的氧化物中选择的至少一种。
当第一电极EL1是透射电极时，第一电极EL1可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟锡锌(ITZO)的透明金属氧化物。当第一电极EL1是透反射电极或反射电极时，第一电极EL1可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca(LiF和Ca的堆叠结构)、LiF/Al(LiF和Al的堆叠结构)、Mo、Ti、W和/或它们的化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。在一些实施例中，第一电极EL1可以具有多层结构，该多层结构包括由上述材料形成的反射膜或透反射膜以及由ITO、IZO、ZnO、ITZO等形成的透明导电膜。例如，第一电极EL1可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构，但是本公开的实施例不限于此。在一些实施例中，本公开的实施例不限于此，并且第一电极EL1可以包括上述金属材料、上述金属材料中的至少两种金属材料的组合、上述金属材料的氧化物等。第一电极EL1的厚度可以为约
至约
例如，第一电极EL1的厚度可以为约
至约
空穴传输区域HTR设置在第一电极EL1上。空穴传输区域HTR可以具有由单种材料形成的单层、由多种不同材料形成的单层或包括由多种不同材料形成的多个层的多层结构。
空穴传输区域HTR可以包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、缓冲层、发射辅助层和电子阻挡层EBL中的至少一者。
例如，空穴传输区域HTR可以具有空穴注入层HIL或空穴传输层HTL的单层结构，或者可以具有由空穴注入材料和空穴传输材料形成的单层结构。在一些实施例中，空穴传输区域HTR可以具有由多种不同材料形成的单层结构，或者其中从第一电极EL1开始依次堆叠的空穴注入层HIL/空穴传输层HTL、空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/缓冲层、空穴注入层HIL/缓冲层、空穴传输层HTL/缓冲层或空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/电子阻挡层EBL的结构，但是本公开的实施例不限于此。
空穴传输区域HTR的厚度可以是例如约
至约
空穴传输区域HTR可以利用诸如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗缪尔-布洛杰特(LB)法、喷墨印刷法、激光印刷法和/或激光诱导热成像(LITI)法的一种或更多种合适的方法来形成。
在实施例中，空穴传输区域HTR包括由式1表示的多环化合物。
式1
在式1中，X可以为直连键，并且n可以是0或1。当n为0时，式1中与X连接的两个苯环可以不彼此连接。例如，当n为0时，由式1表示的多环化合物可以包括与三个取代或未取代的苯基连接的胺化合物。当n为1时，式1中与X连接的两个苯环可以经由直连键连接。例如，当n为1时，由式1表示的多环化合物可以包括取代或未取代的咔唑衍生物。
Y可以为C或Si。例如，由式1表示的多环化合物可以包括取代或未取代的三苯基甲基或者取代或未取代的三苯基甲硅烷基作为取代基。
R1至R6可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，R1至R6与相邻基团结合以形成环。然而，至少一个R3为氢原子或具有1个至20个碳原子的饱和脂肪族烃基。例如，R1可以是氢原子、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的三苯基甲基或者取代或未取代的三苯基甲硅烷基。例如，R2和R4至R6可以是氢原子。例如，R3可以是氢原子、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的环烷基或者取代或未取代的金刚烷基。
当m1+n为5或更小时，m1可以为0至5的整数。例如，当n为0时，m1为0至5的整数，并且当n为1时，m1为0至4的整数。m1可以是0或1。其中m1为0并且n为0的实施例可以与其中n为0，m1为5，并且R1为氢原子的实施例相同。此外，其中m1为0并且n为1的实施例可以与其中n为1，m1为4，并且R1为氢原子的实施例相同。当m1为0时，由式1表示的多环化合物可以不被R1取代。
当m2+n为4或更小时，m2可以为0至4的整数。例如，当n为0时，m2可以为0至4的整数，并且当n为1时，m2可以为0至3的整数。m2可以为0或1。其中m2为0并且n为0的实施例可以与其中n为0，m2为4，并且R2为氢原子的实施例相同。此外，其中m2是0并且n为1的实施例可以与其中n为1，m2为3，并且R2为氢原子的实施例相同。当m2为0时，由式1表示的多环化合物可以不被R2取代。
p可以是0至5的整数。例如，p可以是0或1。其中p为0的实施例可以与其中p为5且R3为氢原子的实施例相同。其中p为0的结构可以是其中由式1表示的多环化合物不被R3取代的结构。
q1至q3可以均独立地为0至5的整数。例如，q1至q3中的每个可以为0。其中q1为0的结构可以与其中q1为5且R4为氢原子的实施例相同。其中q2为0的结构可以与其中q2为5且R5为氢原子的实施例相同。其中q3为0的结构可以与其中q3为5且R6为氢原子的实施例相同。当q1至q3为0时，由式1表示的多环化合物可以不被R4、R5和R6取代。
然而，在式1中，当n为1，Y可以为Si，R2和R4至R6中的每个可以是氢原子，并且R1可以是未取代的三苯基甲硅烷基时，本公开中排除其中R3为氢原子的实施例。
在实施例中，由式1表示的多环化合物满足约1.75或更小的折射率。
在实施例中，由式1表示的多环化合物可以由式1-1或式1-2表示：
式1-1
式1-2
式1-1是其中式1中n为1的实施例。式1-2是其中式1中n为0的实施例。
由式1-1表示的多环化合物可以包括取代或未取代的咔唑衍生物。
由式1-2表示的多环化合物可以包括胺化合物。
在式1-1和式1-2中，Y、R1至R6、m1、m2、p和q1至q3可以均独立地与式1中定义的相同。
在实施例中，由式1表示的多环化合物可以由式2表示：
式2
式2是其中在式1中p可以为1并且R3可以为R31的实施例。
R31可以为氢原子或具有1个至20个碳原子的饱和脂肪族烃基。例如，R31可以为氢原子、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的环己基或者取代或未取代的金刚烷基。
在式2中，X、Y、R1、R2、R4至R6、n、m1、m2和q1至q3可以均独立地与式1中定义的相同。
在实施例中，由式2表示的多环化合物可以由式2-1表示：
式2-1
式2-1是其中指定了式2中的R31与苯环连接的位置的实施例。
在实施例中，R31可以取代在相对于氮原子的对位处。然而，本公开的实施例不限于此。
在式2-1中，X、Y、R1、R2、R4至R6、n、m1、m2和q1至q3可以均独立地与式1中定义的相同，并且R31可以与式2中定义的相同。
在实施例中，由式1表示的多环化合物可以由式3-1或式3-2表示：
式3-1
式3-2
式3-1和式3-2是其中在式1中(R1)m1被指定的实施例。例如，式3-1是其中式1中的(R1)m1指定为(R11)m11的实施例。式3-2是其中上述式1中的(R1)m1指定为(R12)m12和
的实施例。
在式3-1中，R11可以是氢原子或者具有1个至20个碳原子的饱和脂肪族烃基。例如，R11可以是氢原子、取代或未取代的叔丁基或者取代或未取代的环己基。然而，本公开的实施例不限于此。
当m11+n为5或更小时，m11可以是0至5的整数。例如，当n是0时，m11可以是0至5的整数，并且当n是1时，m11可以是0至4的整数。m11可以是0或1。其中m11为0并且n为0的实施例可以与其中n为0，m11为5，并且R11为氢原子的实施例相同。此外，其中m11为0并且n为1的实施例可以与其中n为1，m11为4，并且R11为氢原子的实施例相同。当m11是0时，由式3-1表示的多环化合物可以不被R11取代。
在式3-2中，Z可以是C或Si。例如，由式3-2表示的多环化合物可以包括从取代或未取代的三苯基甲基和取代或未取代的三苯基甲硅烷基之中选择的任何两种作为取代基。
当m12+n为4或更小时，m12可以是0至4的整数。例如，当n是0时，m12可以是0至4的整数，并且当n是1时，m12可以是0至3的整数。m12可以是0或1。其中m12为0并且n为0的实施例可以与其中n为0，m12为4，并且R12为氢原子的实施例相同。此外，其中m12为0并且n为1的实施例可以与其中n为1，m12为3，并且R12为氢原子的实施例相同。当m12是0时，由式3-2表示的多环化合物可以不被R12取代。
R12可以是氢原子或具有1个至20个碳原子的饱和脂肪族烃基。例如，R12可以是氢原子。
R7至R9可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，R7至R9可以与相邻基团结合以形成环。例如，R7至R9中的每个可以是氢原子。
r1至r3可以均独立地为0至5的整数。例如，r1至r3中的每个可以是0。其中r1为0的结构可以与其中r1为5并且R7为氢原子的实施例相同。其中r2为0的结构可以与其中r2为5并且R8为氢原子的实施例相同。其中r3为0的结构可以与其中r3为5并且R9为氢原子的实施例相同。当r1至r3为0时，由式3-2表示的多环化合物可以不被R7、R8和R9取代。
在式3-1和式3-2中，X、Y、R2至R6、n、m2、p和q1至q3可以均独立地与式1中定义的相同。
在实施例中，由式1表示的多环化合物可以由从式4-1至式4-6之中选择的任何一个表示：
式4-1
式4-2
式4-3
式4-4
式4-5
式4-6
式4-1至式4-6是其中在式3-1和式3-2中Y、R11、R12、Z、m11和m12被指定的实施例。
在式4-1至式4-6中，X、R2至R9、n、m2、p、q1至q3和r1至r3可以均独立地与式1、式3-1和式3-2中定义的相同。在实施例中，R2至R9中的每个可以是氢原子。
在实施例中，由式1表示的多环化合物可以包括从由化合物组1表示的化合物之中选择的至少一种：化合物组1
由式1表示的多环化合物具有低折射率。例如，由式1表示的多环化合物相对于具有约450nm的波长的光具有约1.76或更小的折射率。例如，由式1表示的多环化合物相对于具有约450nm的波长的光可以具有约1.6至约1.76的折射率。在公开中，术语“化合物的折射率”可以指由该化合物组成的单层的折射率。
实施例的空穴传输区域HTR可以包括作为低折射率材料的由式1表示的多环化合物，因此可以具有小于约1.8的折射率。例如，空穴传输区域HTR相对于具有约450nm的波长的光可以具有小于约1.8的折射率。
例如，包括在空穴传输区域HTR中的空穴传输层HTL可以包括由式1表示的多环化合物，因此折射率可以满足小于约1.8的范围。例如，空穴传输层HTL相对于具有约450nm的波长的光可以具有小于约1.8的折射率。空穴传输层HTL的折射率可以是约1.7(例如，大于1.7)至约1.8(不包括1.8，例如，1.8或更小)。与包括具有小于1.8的折射率的空穴传输层HTL的发光元件ED相比，包括具有1.8或更大的折射率的空穴传输层HTL的发光元件ED可能导致发光效率降低。将对此进行更详细地描述。
空穴传输层HTL具有约
或更大的厚度。例如，空穴传输层HTL的厚度可以满足约
至约
的值。当空穴传输层HTL满足上述厚度范围时，可以增强在上述折射率范围内提高元件的光学效率的效果。将更详细地描述空穴传输层HTL的折射率和相对于厚度改善光学效率的效果。
在一些实施例中，空穴传输区域HTR还可以包括通常可用/使用的材料。
实施例的空穴传输区域HTR还可以包括由式H-1表示的化合物。例如，空穴传输层HTL还可以包括由式H-1表示的化合物。
本公开的空穴传输层HTL可以包括由式1表示的多环化合物和由式H-1表示的化合物，从而用于传输空穴并阻挡电子。例如，本公开的空穴传输层HTL可以用作电子阻挡层EBL。
式H-1
在式H-1中，Ar1和Ar2可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。在一些实施例中，在式H-1中，Ar3可以为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基。例如，Ar3可以为其处取代有取代或未取代的具有2个至24个成环碳原子的杂芳基的取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基。
在式H-1中，L1和L2可以均独立地为直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。
a和b可以均独立地为0至10的整数。在一些实施例中，当a或b为2或更大的整数时，多个L1和L2可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。
由式H-1表示的化合物可以是单胺化合物。在一些实施例中，由式H-1表示的化合物可以是其中的从Ar1至Ar3之中选择的至少一个包括胺基作为取代基的二胺化合物。在一些实施例中，由式H-1表示的化合物可以是在Ar1和Ar2中的至少一个中包括取代或未取代的咔唑基团的咔唑类化合物，或在Ar1和Ar2中的至少一个中包括取代或未取代的芴基团的芴类化合物。
由式H-1表示的化合物可以由从化合物组H中的化合物H-1-1至化合物H-1-20之中选择的任何一种表示。然而，化合物组H中列出的化合物H-1-1至化合物H-1-20仅仅是示例，并且由式H-1表示的化合物不限于化合物H-1-1至化合物H-1-20：
化合物组H
空穴传输区域HTR还可以包括酞菁化合物(诸如，酞菁铜)；N1,N1'-([1,1'-联苯]-4,4'-二基)双(N1-苯基-N4,N4-二间甲苯基苯-1,4-二胺)(DNTPD)、4,4',4"-[三(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-MTDATA)、4,4',4"-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、4,4',4"-三[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]-三苯胺(2-TNATA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)、含三苯胺的聚醚酮(TPAPEK)、4-异丙基-4'-甲基二苯基碘鎓[四(五氟苯基)硼酸盐]、二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈(HATCN)等。
空穴传输区域HTR可以包括咔唑类衍生物(诸如N-苯基咔唑和聚乙烯基咔唑)、芴类衍生物、三苯胺类衍生物(诸如N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(TPD)或4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA))、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)、4,4'-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、4,4'-双[N,N'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯(HMTPD)、1,3-双(N-咔唑基)苯(mCP)等。
在一些实施例中，空穴传输区域HTR可以包括9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9H-咔唑(CzSi)、9-苯基-9H-3,9'-联咔唑(CCP)、1,3-双(1,8-二甲基-9H-咔唑-9-基)苯(mDCP)等。
空穴传输区域HTR可以在空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL中的至少一个中包括上述空穴传输区域的化合物。
空穴传输区域HTR的厚度可以为约
至约
例如，约
至约
当空穴传输区域HTR包括空穴注入层HIL时，空穴注入层HIL可以具有例如约
至约
的厚度。当空穴传输区域HTR包括空穴传输层HTL时，空穴传输层HTL可以具有约
至约
的厚度。例如，当空穴传输区域HTR包括电子阻挡层EBL时，电子阻挡层EBL可以具有约
至约
的厚度。当空穴传输区域HTR、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL的厚度满足上述范围时，可以实现令人满意的(合适的)空穴传输性能，而不会显著增大驱动电压。
除了上述材料之外，空穴传输区域HTR还可以包括电荷产生材料以提高传导性。电荷产生材料可以基本均匀地或不均匀地分散在空穴传输区域HTR中。电荷产生材料可以是例如p掺杂剂。p掺杂剂可以包括卤化金属化合物、醌衍生物、金属氧化物和含氰基的化合物中的至少一种，但是本公开的实施例不限于此。例如，p掺杂剂可以包括卤化金属化合物(诸如CuI或RbI)、醌衍生物(诸如四氰基醌二甲烷(TCNQ)或2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ))、金属氧化物(诸如氧化钨或氧化钼)、含氰基的化合物(诸如二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈(HATCN)或4-[[2,3-双[氰基-(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]环亚丙基]-氰基甲基]-2,3,5,6-四氟苯甲腈(NDP9))等，但是本公开的实施例不限于此。
如上所述，除了空穴注入层HIL和空穴传输层HTL之外，空穴传输区域HTR还可以包括缓冲层和电子阻挡层EBL中的至少一者。缓冲层可以根据从发射层EML发射的光的波长来补偿谐振距离，并且可以因此提高发光效率。可以包含在空穴传输区域HTR中的材料也可以用作包含在缓冲层中的材料。电子阻挡层EBL是用于防止或减少电子从电子传输区域ETR注入到空穴传输区域HTR的层。
发射层EML提供在空穴传输区域HTR上。发射层EML可以具有例如约
至约
或约
至约
的厚度。发射层EML可以具有由单种材料形成的单层、由多种不同材料形成的单层或包括由多种不同材料形成的多个层的多层结构。
在实施例的发光元件ED中，发射层EML可以包括蒽衍生物、芘衍生物、荧蒽衍生物、
衍生物、二氢苯并蒽衍生物或苯并[9,10]菲衍生物。例如，发射层EML可以包括蒽衍生物或芘衍生物。
在图3至图7中所示的实施例的每个发光元件ED中，除了上述主体和掺杂剂之外，发射层EML还可以包括通常可用/使用的主体和掺杂剂，并且发射层EML可以包括由式E-1表示的化合物。由式E-1表示的化合物可以用作荧光主体材料。
式E-1
在式E-1中，R31至R40可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硫醇基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的具有1个至10个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至10个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，R31至R40可以与相邻基团结合以形成环。在一些实施例中，R31至R40可以可选地与相邻基团结合以形成饱和烃环、不饱和烃环、饱和杂环或不饱和杂环。
在式E-1中，c和d可以均独立地为0至5的整数。
式E-1可以由从化合物E1至化合物E19之中选择的任何一种表示：
在实施例中，发射层EML可以包括由式E-2a或式E-2b表示的化合物。由式E-2a或式E-2b表示的化合物可以用作磷光主体材料。
式E-2a
在式E-2a中，a可以为0至10的整数，La可以为直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。在一些实施例中，当a为2或更大的整数时，多个La可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。
在一些实施例中，在式E-2a中，A1至A5可以均独立地为N或CRi。Ra至Ri可以均独立地为氢原子、氘原子、取代或未取代的胺基、取代或未取代的硫醇基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，Ra至Ri可以与相邻基团结合以形成环。Ra至Ri可以可选地与相邻基团结合以形成烃环或包含N、O、S等作为成环原子的杂环。
在一些实施例中，在式E-2a中，从A1至A5之中选择的两个或三个可以为N，而余下的可以为CRi。
式E-2b
在式E-2b中，Cbz1和Cbz2可以均独立地为未取代的咔唑基或者取代有具有6个至30个成环碳原子的芳基的咔唑基。Lb可以为直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。在一些实施例中，b可以为0至10的整数，并且当b为2或更大的整数时，多个Lb可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。
由式E-2a或式E-2b表示的化合物可以由从化合物组E-2的化合物之中选择的任何一种表示。然而，化合物组E-2中列出的化合物仅仅是示例，并且由式E-2a或式E-2b表示的化合物不限于化合物组E-2中表示的化合物。
化合物组E-2
发射层EML还可以包括通常可用/使用的材料作为主体材料。例如，发射层EML可以包括双(4-(9H-咔唑-9-基)苯基)二苯基硅烷(BCPDS)、(4-(1-(4-(二苯基氨基)苯基)环己基)苯基)二苯基-氧化膦(POPCPA)、双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(DPEPO)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并[b,d]呋喃(PPF)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)中的至少一种作为主体材料。然而，本公开的实施例不限于此，例如，可以使用三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、2-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、二苯乙烯基亚芳基化物(DSA)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯(CDBP)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、六苯基环三磷腈(CP1)、1,4-双(三苯基甲硅烷基)苯(UGH2)、六苯基环三硅氧烷(DPSiO3)、八苯基环四硅氧烷(DPSiO4)等作为主体材料。
发射层EML还可以包括由式M-a或式M-b表示的化合物。由式M-a或式M-b表示的化合物可以用作磷光掺杂剂材料。
式M-a
在式M-a中，Y1至Y4和Z1至Z4可以均独立地为CR1或N，R1至R4可以均独立地为氢原子、氘原子、取代或未取代的胺基、取代或未取代的硫醇基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，R1至R4可以与相邻基团结合以形成环。在式M-a中，m可以是0或1，并且n可以是2或3。在式M-a中，当m为0时，n可以为3，并且当m为1时，n可以为2。
由式M-a表示的化合物可以用作磷光掺杂剂。
由式M-a表示的化合物可以由从化合物M-a1至化合物M-a25之中选择的任何一种表示。然而，化合物M-a1至化合物M-a25是示例，并且由式M-a表示的化合物不限于由化合物M-a1至化合物M-a25表示的化合物。
式M-b
在式M-b中，Q1至Q4可以均独立地为C或N，并且C1至C4可以均独立地为取代或未取代的具有5个至30个成环碳原子的烃环或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂环。L21至L24可以均独立地为直连键、
取代或未取代的具有1个至20个碳原子的二价烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基，并且e1至e4可以均独立地为0或1。R31至R39可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，R31至R39与相邻基团结合以形成环，并且d1至d4可以均独立地为0至4的整数。
由式M-b表示的化合物可以用作蓝色磷光掺杂剂或绿色磷光掺杂剂。
由式M-b表示的化合物可以由从化合物M-b-1至化合物M-b-11之中选择的任何一种表示。然而，以下化合物仅仅是示例，并且由式M-b表示的化合物不限于化合物M-b-1至化合物M-b-11：
在化合物中，R、R38和R39可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。
发射层EML还可以包括由从式F-a至式F-c之中选择的任何一个表示的化合物。由式F-a至式F-c表示的化合物可以用作荧光掺杂剂材料。
式F-a
在式F-a中，从Ra至Rj之中选择的两个取代基可以均独立地被*-NAr1Ar2取代。从Ra至Rj之中选择的未被*-NAr1Ar2取代的其他可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。在*-NAr1Ar2中，Ar1和Ar2可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。例如，Ar1和Ar2中的至少一个可以是包含O或S作为成环原子的杂芳基。
式F-b
在式F-b中，Ar1至Ar4可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，Ar1至Ar4可以与相邻基团结合以形成环。
在式F-b中，Ra和Rb可以均独立地为氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，Ra和Rb可以与相邻基团结合以形成环。
在式F-b中，U和V可以均独立地为取代或未取代的具有5个至30个成环碳原子的烃环或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂环。
在式F-b中，由U和V表示的环的数量可以均独立地为0个或1个。例如，在式F-b中，这指当U或V的数量为1个时，一个环在由U或V指示的部分处构成稠合环，并且当U或V的数量是0个时，由U或V指示的环不存在。例如，当U的数量为0个且V的数量为1个时，或当U的数量为1个且V的数量为0个时，式F-b中具有芴核的稠环可以是具有四个环的环状化合物。在一些实施例中，当U和V的各自数量为0个时，式F-b中具有芴核的稠环可以是具有三个环的环状化合物。在一些实施例中，当U和V的各自数量为1个时，在式F-b中具有芴核的稠环可以是具有五个环的环状化合物。
式F-c
在式F-c中，A1和A2可以均独立地为O、S、Se或NRm，并且Rm可以是氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。R1至R11可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的硼基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的硫醇基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，R1至R11与相邻基团结合以形成环。
在式F-c中，A1和A2可以均独立地与相邻环的取代基结合以形成缩合环。例如，当A1和A2可以均独立地为NRm时，A1可以与R4或R5结合以形成环。在一些实施例中，A2可以与R7或R8结合以形成环。
在实施例中，发射层EML还可以包括苯乙烯基衍生物(例如，1,4-双[2-(3-N-乙基咔唑基)乙烯基]苯(BCzVB)、4-(二-对甲苯基氨基)-4'-[(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]茋(DPAVB)、N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-N-苯基苯胺(N-BDAVBi)和/或4,4'-双[2-(4-(N,N-二苯基氨基)苯基)乙烯基]联苯(DPAVBi))、苝和/或其衍生物(例如，2,5,8,11-四叔丁基苝(TBP))、芘和/或其衍生物(例如，1,1'-二芘、1,4-二芘基苯和/或1,4-双(N,N-二苯基氨基)芘)等作为通常可用/使用的掺杂剂材料。
发射层EML还可以包括合适的磷光掺杂剂材料。例如，包含铱(Ir)、铂(Pt)、锇(Os)、金(Au)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)或铥(Tm)的金属配合物可以用作磷光掺杂剂。例如，可以使用双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2')吡啶甲酰合铱(III)(FIrpic)、双(2,4-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(III)(Fir6)或八乙基卟啉合铂(PtOEP)作为磷光掺杂剂。然而，本公开的实施例不限于此。
发射层EML可以包括量子点材料。量子点的核可以选自于II-VI族化合物、III-VI族化合物、I-III-IV族化合物、III-V族化合物、III-II-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物以及它们的一种或更多种组合。
II-VI族化合物可以选自于包括以下(例如，由以下组成)的组：二元化合物，选自于包括CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和它们的混合物的组(例如，由CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和它们的混合物组成的组)；三元化合物，选自于包括CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS和它们的混合物的组(例如，由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS和它们的混合物组成的组)；以及四元化合物，选自于包括HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和它们的混合物的组(例如，由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和它们的混合物组成的组)。
III-VI族化合物可以包括：二元化合物，诸如In2S3或In2Se3；三元化合物，诸如InGaS3或InGaSe3；或者它们的一种或更多种组合。
I-III-VI族化合物可以选自于：三元化合物，选自于包括AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、AgGaS2、CuGaS2、CuGaO2、AgGaO2、AgAlO2和它们的一种或更多种化合物或混合物的组(例如，由AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、AgGaS2、CuGaS2、CuGaO2、AgGaO2、AgAlO2和它们的一种或更多种化合物或混合物组成的组)；以及/或者四元化合物，诸如AgInGaS2或CuInGaS2(四元化合物可以单独使用或与前述化合物或混合物中的任一种组合使用；并且四元化合物也可以与其他四元化合物组合)。
III-V族化合物可以选自于包括以下(例如，由以下组成)的组：二元化合物，选自于包括GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和它们的一种或更多种化合物或混合物的组(例如，由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和它们的一种或更多种化合物或混合物组成的组)；三元化合物，选自于包括GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和它们的一种或更多种化合物或混合物的组(例如，由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和它们的一种或更多种化合物或混合物组成的组)；以及四元化合物，选自于包括GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和它们的一种或更多种化合物或混合物的组(例如，由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和它们的一种或更多种化合物或混合物组成的组)。在一些实施例中，III-V族化合物还可以包括II族金属。例如，可以选择InZnP等作为III-II-V族化合物。
IV-VI族化合物可以选自于包括以下(例如，由以下组成)的组：二元化合物，选自于包括SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和它们的混合物的组(例如，由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和它们的混合物组成的组)；三元化合物，选自于包括SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和它们的一种或更多种化合物或混合物的组(例如，由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和它们的一种或更多种化合物或混合物组成的组)；以及四元化合物，选自于包括SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和它们的一种或更多种化合物或混合物的组(例如，由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和它们的一种或更多种化合物或混合物组成的组)。IV族元素可以选自于包括Si、Ge和它们的一种或更多种化合物或混合物的组(例如，由Si、Ge和它们的一种或更多种化合物或混合物组成的组)。IV族化合物可以是选自于包括SiC、SiGe和它们的一种或更多种化合物或混合物的组(例如，由SiC、SiGe和它们的一种或更多种化合物或混合物组成的组)的二元化合物。
在该实施例中，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以颗粒形式存在并且颗粒具有均匀的浓度分布，或者可以以部分地不同的浓度分布存在于基本相同的颗粒中。在一些实施例中，其中一个量子点围绕另一量子点的核/壳结构也可以是可能的。核/壳结构可以具有其中存在于壳中的元素的浓度朝向核降低的浓度梯度。
在一些实施例中，量子点可以具有包括包含纳米晶体的核和围绕(例如，包围)核的壳的上述核/壳结构。量子点的壳可以用作保护层以防止或减少核的化学变形以便保持半导体性质和/或可以用作向量子点赋予电泳性质的荷电层。壳可以是单个层或多个层。量子点的壳的示例可以包括金属或非金属氧化物、半导体化合物或它们的组合。
例如，金属或非金属氧化物可以是：二元化合物，诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4或NiO；或者三元化合物，诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4或CoMn2O4，但是本公开的实施例不限于此。
此外，半导体化合物可以是例如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但是本公开的实施例不限于此。
量子点可以具有约45nm或更小、约40nm或更小或者约30nm或更小的发光波长光谱的半峰全宽(FWHM)，并且可以在上述范围内改善(提高)色纯度和/或颜色再现性。在一些实施例中，通过这种量子点发射的光在所有方向上发射，因此可以改善(增大)宽视角。
在一些实施例中，尽管量子点的形式不受限制，只要它是本领域常用的形式即可，更具体地，可以使用大致球形、角锥形、多臂或立方体的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米板等形式的量子点。
量子点可以根据其颗粒尺寸来控制发射光的颜色。因此，量子点可以具有一种或更多种合适的发光颜色，诸如蓝色、红色和/或绿色。
在实施例中，发射层EML可以包括两种不同的主体、敏化剂和掺杂剂。例如，发射层EML可以包括磷光敏化剂和热激活延迟荧光(TADF)敏化剂作为敏化剂。
例如，发射层EML可以包括空穴传输主体和电子传输主体。在实施例的发光元件ED中，空穴传输主体和电子传输主体可以形成激基复合物。由空穴传输主体和电子传输主体形成的激基复合物的最低激发三重态能级可以对应于作为电子传输主体的最低未占分子轨道(LUMO)能级与空穴传输主体的最高占据分子轨道(HOMO)能级之间的间隙的T1。
在实施例的有机发光元件中，由空穴传输主体和电子传输主体形成的激基复合物的最低激发三重态能级(T1)可以为约2.4eV至约3.0eV。
在一些实施例中，激基复合物的最低激发三重态能级(T1)可以是小于各主体材料的能隙的值。因此，激基复合物可以具有作为空穴传输主体与电子传输主体之间的能隙的约3.0eV或更小的最低激发三重态能级(T1)。
在一些实施例中，发光元件ED的发射层EML可以发射蓝光。例如，实施例的发光元件ED的发射层EML可以发射具有约430nm至约470nm的中心波长的蓝光。然而，本公开的实施例不限于此，并且发射层EML可以发射具有大于约470nm的中心波长的蓝光，或者可以发射绿光或红光。
在图3至图7中所示的实施例的每个发光元件ED中，电子传输区域ETR设置在发射层EML上。电子传输区域ETR可以包括空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层EIL中的至少一者，但是本公开的实施例不限于此。
电子传输区域ETR可以具有由单种材料形成的单层、由多种不同材料形成的单层或包括由多种不同材料形成的多个层的多层结构。
例如，电子传输区域ETR可以具有电子注入层EIL或电子传输层ETL的单层结构，或者可以具有由电子注入材料和电子传输材料形成的单层结构。在一些实施例中，电子传输区域ETR可以具有由多种不同材料形成的单层结构，或者可以具有其中从发射层EML依次堆叠的电子传输层ETL/电子注入层EIL、空穴阻挡层HBL/电子传输层ETL/电子注入层EIL的结构，但本公开的实施例不限于此。电子传输区域ETR可以具有例如约
至约
的厚度。
电子传输区域ETR可以通过利用诸如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗格缪尔-布洛杰特(LB)法、喷墨印刷法、激光印刷法和/或激光诱导热成像(LITI)法的一种或更多种合适的方法形成。
电子传输区域ETR可以包括由式ET-1表示的化合物：
式ET-1
在式ET-1中，从X1至X3之中选择的至少一个为N，而余下的为CRa。Ra可以是氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。Ar1至Ar3可以均独立地为氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。
在式ET-1中，a至c可以均独立地为0至10的整数。在式ET-1中，L1至L3可以均独立地为直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。在一些实施例中，当a至c为2或更大的整数时，L1至L3可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。
电子传输区域ETR可以包括蒽类化合物。然而，本公开的实施例不限于此，并且电子传输区域ETR可以包括例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯、2,4,6-三(3'-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪、2-(4-(N-苯基苯并咪唑-1-基)苯基)-9,10-二萘基蒽、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1`-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、双(苯并喹啉-10-羟基)铍(Bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯(BmPyPhB)或它们的一个或更多个化合物或混合物。
电子传输区域ETR可以包括从化合物ET1至化合物ET36之中选择的至少一种：
在一些实施例中，电子传输区域ETR可以包括金属卤化物(诸如LiF、NaCl、CsF、RbCl、RbI、CuI或KI)、镧系金属(诸如Yb)以及金属卤化物和镧系金属的共沉积材料。例如，电子传输区域ETR可以包括KI:Yb、RbI:Yb、LiF:Yb等作为共沉积材料。在一些实施例中，电子传输区域ETR可以利用诸如Li2O或BaO等的金属氧化物和/或8-羟基喹啉锂(LiQ)形成，但本公开的实施例不限于此。电子传输区域ETR也可以由电子传输材料和绝缘的有机金属盐的混合物材料形成。有机金属盐可以是具有约4eV或更大的能带隙的材料。例如，有机金属盐可以包括例如金属乙酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮化物或金属硬脂酸盐。
除了上述材料之外，电子传输区域ETR还可以包括2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、二苯基(4-(三苯基甲硅烷基)苯基)氧化膦(TSPO1)和4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)中的至少一种，但本公开的实施例不限于此。
电子传输区域ETR可以在电子注入层EIL、电子传输层ETL和空穴阻挡层HBL中的至少一者中包括上述空穴传输区域的化合物。
当电子传输区域ETR包括电子注入层EIL时，电子注入层EIL可以具有约
至约
(例如，约
至约
)的厚度。当电子注入层EIL的厚度满足上述范围时，可以获得令人满意的(合适的)电子注入特性，而不会显著增大驱动电压。
第二电极EL2提供在电子传输区域ETR上。第二电极EL2可以是公共电极。第二电极EL2可以是阴极或阳极，但是本公开的实施例不限于此。例如，当第一电极EL1是阳极时，第二电极EL2可以是阴极，并且当第一电极EL1是阴极时，第二电极EL2可以是阳极。第二电极EL2可以包括从Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn、包含一种或更多种前述元素的化合物、两种或更多种前述元素或化合物的组合、两种或更多种前述元素或化合物的混合物、和/或它们的氧化物之中选择的至少一种。
第二电极EL2可以是透射电极、透反射电极或反射电极。当第二电极EL2是透射电极时，第二电极EL2可以由例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等的透明金属氧化物形成。
当第二电极EL2是透反射电极或反射电极时，第二电极EL2可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、Yb、W或它们的一种或更多种化合物或混合物(例如，AgMg、AgYb或MgYb)。在一些实施例中，第二电极EL2可以具有多层结构，该多层结构包括由上述材料形成的反射膜或透反射膜以及由ITO、IZO、ZnO、ITZO等形成的透明导电膜。例如，第二电极EL2可以包括上述金属材料、上述金属材料中的至少两种金属材料的组合、上述金属材料的氧化物等。
第二电极EL2可以与辅助电极连接。当第二电极EL2与辅助电极连接时，可以减小第二电极EL2的电阻。
在一些实施例中，覆盖层CPL可以进一步设置在实施例的发光元件ED的第二电极EL2上。覆盖层CPL可以包括多层或单层。
在实施例中，覆盖层CPL可以是有机层或无机层。例如，当覆盖层CPL包含无机材料时，无机材料可以包括碱金属化合物(例如，LiF)、碱土金属化合物(例如，MgF2)、SiON、SiNx、SiOy等。
例如，当覆盖层CPL包含有机材料时，有机材料可以包括α-NPD、NPB、TPD、m-MTDATA、Alq3、CuPc、N4,N4,N4',N4'-四(联苯-4-基)联苯-4,4'-二胺(TPD15)、4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)等，或者可以包括环氧树脂或诸如甲基丙烯酸酯的丙烯酸酯。然而，本公开的实施例不限于此，并且覆盖层CPL可以包括从化合物P1至化合物P5之中选择的至少一种：
在一些实施例中，覆盖层CPL的折射率可以为约1.6或更大。例如，相对于在约550nm至约660nm的波长范围内的光，覆盖层CPL的折射率可以为约1.6或更大。
图8至图11中的每个是根据本公开的实施例的显示装置的剖视图。在下文中，在参照图8至图11描述实施例的显示装置时，可以不再描述已经在图1至图7中描述的重复特征，而是将主要描述它们的差异。
参照图8，根据实施例的显示装置DD-a可以包括显示面板DP以及在显示面板DP上的光控制层CCL和滤色器层CFL，显示面板DP包括显示元件层DP-ED。
在图8中所示的实施例中，显示面板DP可以包括基体层BS以及提供在基体层BS上的电路层DP-CL和显示元件层DP-ED，并且显示元件层DP-ED可以包括发光元件ED。
发光元件ED可以包括第一电极EL1、设置在第一电极EL1上的空穴传输区域HTR、在空穴传输区域HTR上的发射层EML、在发射层EML上的电子传输区域ETR和在电子传输区域ETR上的第二电极EL2。在一些实施例中，如上所述的图3至图7的发光元件ED的结构可以同样应用于图8中所示的发光元件ED的结构。
包括在根据实施例的显示装置DD-a中的发光元件ED的空穴传输区域HTR可以包括实施例的上述多环化合物。
参照图8，发射层EML可以在像素限定膜PDL中限定的开口OH中。例如，由像素限定膜PDL划分并且对应于每个发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B提供的发射层EML可以发射在基本相同波长范围内的光。在实施例的显示装置DD-a中，发射层EML可以发射蓝光。在一些实施例中，发射层EML可以在整个发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中作为公共层提供。
光控制层CCL可以设置在显示面板DP上。光控制层CCL可以包括光转换主体。光转换主体可以是量子点、磷光体等。光转换主体可以通过转换其波长来发射所提供的光。例如，光控制层CCL可以是包含量子点的层或包含磷光体的层。
光控制层CCL可以包括多个光控制部分CCP1、CCP2和CCP3。光控制部分CCP1、CCP2和CCP3可以彼此间隔开。
参照图8，分割图案BMP可以设置在彼此间隔开的光控制部分CCP1、CCP2和CCP3之间，但是本公开的实施例不限于此。图8示出了分割图案BMP不与光控制部分CCP1、CCP2和CCP3叠置，但是光控制部分CCP1、CCP2和CCP3的边缘的至少一部分可以与分割图案BMP叠置。
光控制层CCL可以包括：第一光控制部分CCP1，包含将从发光元件ED提供的第一颜色光转换为第二颜色光的第一量子点QD1；第二光控制部分CCP2，包含将第一颜色光转换为第三颜色光的第二量子点QD2；以及第三光控制部分CCP3，透射第一颜色光。
在实施例中，第一光控制部分CCP1可以提供作为第二颜色光的红光，并且第二光控制部分CCP2可以提供作为第三颜色光的绿光。第三光控制部分CCP3可以通过透射作为从发光元件ED提供的第一颜色光的蓝光来提供蓝光。例如，第一量子点QD1可以为红色量子点，第二量子点QD2可以为绿色量子点。以上使用的相同描述可以应用于量子点QD1和QD2。
在一些实施例中，光控制层CCL还可以包括散射体SP。第一光控制部分CCP1可以包括第一量子点QD1和散射体SP，第二光控制部分CCP2可以包括第二量子点QD2和散射体SP，并且第三光控制部分CCP3可以不包括(例如，可以排除)任何量子点而包括散射体SP。
散射体SP可以是无机颗粒。例如，散射体SP可以包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的至少一种。散射体SP可以包括从TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅之中选择的至少一种，或者可以是从TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅之中选择的至少两种材料的混合物。
第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3可以均包括其中分散有量子点QD1和QD2以及散射体SP的基体树脂BR1、BR2和BR3。在实施例中，第一光控制部分CCP1可以包括分散在第一基体树脂BR1中的第一量子点QD1和散射体SP，第二光控制部分CCP2可以包括分散在第二基体树脂BR2中的第二量子点QD2和散射体SP，并且第三光控制部分CCP3可以包括分散在第三基体树脂BR3中的散射体SP。基体树脂BR1、BR2和BR3是量子点QD1和QD2以及散射体SP分散在其中的介质，并且可以由通常可以被称为粘合剂的一种或更多种合适的树脂组合物形成。例如，基体树脂BR1、BR2和BR3可以是丙烯酸类树脂、聚氨酯类树脂、硅氧烷类树脂、环氧类树脂等。基体树脂BR1、BR2和BR3可以是透明树脂。在实施例中，第一基体树脂BR1、第二基体树脂BR2和第三基体树脂BR3可以彼此相同或不同。
光控制层CCL可以包括阻挡层BFL1。阻挡层BFL1可以用于防止或减少湿气和/或氧(在下文中，称为“湿气/氧”)的渗透。阻挡层BFL1可以位于光控制部分CCP1、CCP2和CCP3上，以阻挡或减少光控制部分CCP1、CCP2和CCP3暴露于湿气/氧。在一些实施例中，阻挡层BFL1可以覆盖光控制部分CCP1、CCP2和CCP3。在一些实施例中，阻挡层BFL2可以提供在光控制部分CCP1、CCP2和CCP3与滤光器CF1、CF2和CF3之间。
阻挡层BFL1和BFL2可以包括至少一个无机层。例如，阻挡层BFL1和BFL2可以包括无机材料。例如，阻挡层BFL1和BFL2可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅、确保透射率的金属薄膜等。在一些实施例中，阻挡层BFL1和BFL2还可以包括有机膜。阻挡层BFL1和BFL2可以由单个层或多个层形成。
在实施例的显示装置DD-a中，滤色器层CFL可以在光控制层CCL上。例如，滤色器层CFL可以直接在光控制层CCL上。在本实施例中，可以不提供阻挡层BFL2。
滤色器层CFL可以包括滤光器CF1、CF2和CF3。滤色器层CFL可以包括被配置为透射第二颜色光的第一滤光器CF1、被配置为透射第三颜色光的第二滤光器CF2和被配置为透射第一颜色光的第三滤光器CF3。例如，第一滤光器CF1可以是红色滤光器，第二滤光器CF2可以是绿色滤光器，并且第三滤光器CF3可以是蓝色滤光器。滤光器CF1、CF2和CF3可以均包括聚合光敏树脂以及颜料和/或染料。第一滤光器CF1可以包括红色颜料和/或染料，第二滤光器CF2可以包括绿色颜料和/或染料，并且第三滤光器CF3可以包括蓝色颜料和/或染料。然而，本公开的实施例不限于此，并且第三滤光器CF3可以不包括(例如，可以排除)颜料或染料。第三滤光器CF3可以包括聚合光敏树脂，并且可以不包括(例如，可以排除)颜料或染料。第三滤光器CF3可以是透明的。第三滤光器CF3可以由透明光敏树脂形成。
此外，在实施例中，第一滤光器CF1和第二滤光器CF2可以是黄色滤光器。第一滤光器CF1和第二滤光器CF2可以不分离，而是设置为一个滤光器。第一滤光器CF1、第二滤光器CF2和第三滤光器CF3可以分别对应于红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B设置。
在一些实施例中，滤色器层CFL可以包括光遮挡部分。滤色器层CFL可以包括设置为在相邻滤光器CF1、CF2和CF3的边界处叠置的光遮挡部分。光遮挡部分可以是黑矩阵。光遮挡部分可以包括包含黑色颜料和/或染料的有机光遮挡材料和/或无机光遮挡材料。光遮挡部分可以使相邻的滤光器CF1、CF2和CF3之间的边界分离。在一些实施例中，光遮挡部分可以由蓝色滤光器形成。
基体基底BL可以在滤色器层CFL上。基体基底BL可以是提供其上设置有滤色器层CFL、光控制层CCL等的基体表面的构件。基体基底BL可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等。然而，本公开的实施例不限于此，并且基体基底BL可以是无机层、有机层或复合材料层。在一些实施例中，可以不提供基体基底BL。
图9是示出根据本公开的实施例的显示装置的一部分的剖视图。图9示出了对应于图8的显示面板DP的一部分的剖视图。在实施例的显示装置DD-TD中，发光元件ED-BT可以包括多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3。发光元件ED-BT可以包括彼此面对的第一电极EL1和第二电极EL2以及在第一电极EL1与第二电极EL2之间在厚度方向上顺序堆叠的多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3。发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3可以均包括发射层EML(参见图8)以及以发射层EML(参见图8)位于其间的方式设置的空穴传输区域HTR(参见图8)和电子传输区域ETR(参见图8)。
例如，包括在实施例的显示装置DD-TD中的发光元件ED-BT可以是具有级联结构且包括多个发射层的发光元件。
在图9中所示的实施例中，分别从发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3发射的所有光束可以是蓝光。然而，本公开的实施例不限于此，并且分别从发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3发射的光束可以具有彼此不同的波长范围。例如，包括发射具有彼此不同的波长范围的光束的多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3的发光元件ED-BT可以发射白光。
电荷产生层CGL1和CGL2可以分别设置在相邻的发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3中的两个之间。电荷产生层CGL1和CGL2可以包括p型(或类)电荷产生层和/或n型(或类)电荷产生层。
从包括在实施例的显示装置DD-TD中的发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3之中选择的至少一个可以包括实施例的上述多环化合物。例如，包括在从发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3之中选择的至少一个中的空穴传输区域HTR(参见图8)可以包括实施例的多环化合物。
参照图10，根据实施例的显示装置DD-b可以包括其中堆叠有两个发射层的发光元件ED-1、ED-2和ED-3。与图2中所示的实施例的显示装置DD相比，图11中所示的实施例具有以下不同：第一发光元件ED-1、第二发光元件ED-2和第三发光元件ED-3均包括在厚度方向上堆叠的两个发射层。在第一发光元件ED-1、第二发光元件ED-2和第三发光元件ED-3中的每个中，两个发射层可以发射基本相同的波长区域内的光。
第一发光元件ED-1可以包括第一红色发射层EML-R1和第二红色发射层EML-R2。第二发光元件ED-2可以包括第一绿色发射层EML-G1和第二绿色发射层EML-G2。在一些实施例中，第三发光元件ED-3可以包括第一蓝色发射层EML-B1和第二蓝色发射层EML-B2。发射辅助部分OG可以在第一红色发射层EML-R1和第二红色发射层EML-R2之间、在第一绿色发射层EML-G1和第二绿色发射层EML-G2之间以及在第一蓝色发射层EML-B1和第二蓝色发射层EML-B2之间。
发射辅助部分OG可以包括单个层或多个层。发射辅助部分OG可以包括电荷产生层。例如，发射辅助部分OG可以包括顺序堆叠的电子传输区域、电荷产生层和空穴传输区域。发射辅助部分OG可以在整个第一发光元件ED-1、第二发光元件ED-2和第三发光元件ED-3中提供为公共层。然而，本公开的实施例不限于此，并且发射辅助部分OG可以通过在像素限定膜PDL中限定的开口OH内进行图案化来提供。
第一红色发射层EML-R1、第一绿色发射层EML-G1和第一蓝色发射层EML-B1可以在电子传输区域ETR和发射辅助部分OG之间。第二红色发射层EML-R2、第二绿色发射层EML-G2和第二蓝色发射层EML-B2可以在发射辅助部分OG和空穴传输区域HTR之间。
例如，第一发光元件ED-1可以包括顺序堆叠的第一电极EL1、空穴传输区域HTR、第二红色发射层EML-R2、发射辅助部分OG、第一红色发射层EML-R1、电子传输区域ETR和第二电极EL2。第二发光元件ED-2可以包括顺序堆叠的第一电极EL1、空穴传输区域HTR、第二绿色发射层EML-G2、发射辅助部分OG、第一绿色发射层EML-G1、电子传输区域ETR和第二电极EL2。第三发光元件ED-3可以包括顺序堆叠的第一电极EL1、空穴传输区域HTR、第二蓝色发射层EML-B2、发射辅助部分OG、第一蓝色发射层EML-B1、电子传输区域ETR和第二电极EL2。
在一些实施例中，光学辅助层PL可以在显示元件层DP-ED上。光学辅助层PL可以包括偏振层。光学辅助层PL可以在显示面板DP上，并且控制显示面板DP中由于外部光引起的反射光。可以不提供根据实施例的显示装置DD-b中的光学辅助层PL。
与图9和图10不同，图11示出了显示装置DD-c包括四个发光结构OL-B1、OL-B2、OL-B3和OL-C1。发光元件ED-CT可以包括彼此面对的第一电极EL1和第二电极EL2以及在厚度方向上顺序堆叠在第一电极EL1和第二电极EL2之间的第一发光结构OL-B1、第二发光结构OL-B2、第三发光结构OL-B3和第四发光结构OL-C1。电荷产生层CGL1、CGL2和CGL3可以在第一发光结构OL-B1、第二发光结构OL-B2、第三发光结构OL-B3和第四发光结构OL-C1之间。在四个发光结构之中，第一发光结构OL-B1、第二发光结构OL-B2和第三发光结构OL-B3可以发射蓝光，并且第四发光结构OL-C1可以发射绿光。然而，本公开的实施例不限于此，并且第一发光结构OL-B1、第二发光结构OL-B2、第三发光结构OL-B3和第四发光结构OL-C1可以发射不同波长区域内的光束。
相邻发光结构OL-B1、OL-B2、OL-B3和OL-C1之间的电荷产生层CGL1、CGL2和CGL3可以包括p型(或类)电荷产生层和/或n型(或类)电荷产生层。
从包括在实施例的显示装置DD-c中的发光结构OL-B1、OL-B2、OL-B3和OL-C1之中选择的至少一个可以包括实施例的上述多环化合物。例如，包括在从发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3之中选择的至少一个中的空穴传输区域HTR(参见图8)可以包括实施例的多环化合物。
根据本公开的实施例的发光元件ED可以在空穴传输区域HTR(在第一电极EL1和第二电极EL2之间)、发射层EML和电子传输区域ETR中的至少一者中或在覆盖层CPL中包括实施例的上述多环化合物。
例如，实施例的发光元件ED可以在空穴传输区域HTR中包括实施例的多环化合物，从而表现出优异的或合适的发光效率和长使用寿命特性。
例如，如上所述的空穴传输区域HTR的空穴传输层HTL可以包括实施例的多环化合物，从而相对于具有约450nm的波长的光具有小于约1.8的折射率。在一些实施例中，实施例的空穴传输层HTL的厚度满足约
或更大的范围。
本公开的发光元件ED相对于具有约450nm的波长的光具有小于约1.8的折射率，并且包括具有约
或更大的厚度的空穴传输层HTL，并因此可以改善(提高)发光效率和元件使用寿命。
在下文中，参考示例和对比示例，将更详细地描述根据本公开的实施例的多环化合物和实施例的发光元件。在一些实施例中，所描述的示例仅仅是说明性的以帮助理解本公开，并且本公开的范围不限于此。
示例
1、多环化合物的合成
首先，将通过示出化合物2、化合物6、化合物11和化合物14的合成方法来描述根据本实施例的多环化合物的合成方法。在以下描述中，多环化合物的合成方法作为示例提供，但是根据本公开的实施例的合成方法不限于示例。
1)化合物2的合成
可以通过例如反应流程1中所示的步骤(例如，任务或动作)来合成根据示例的化合物2：
反应流程1
(1)化合物2的合成方法
在氮气氛中，将3-溴-9-(4-(叔丁基)苯基)-9H-咔唑(5.00g，0.0132mol)放入500mL圆底烧瓶中，以溶解在200mL的高纯四氢呋喃(THF)中，并通过利用液氮冷却至约-78℃。将2.5M n-BuLi(5.81mL，0.01452mol)通过注射器缓慢注入其中，并将烧瓶静置约1小时，然后向其中缓慢加入氯三苯基硅烷(4.27g，0.01452mol)，然后将所得混合物在室温下搅拌约24小时。在水中终止反应，用乙醚萃取反应溶液，然后除去溶剂。使用己烷:乙醚(10:1，体积比)的混合溶液通过柱色谱法分离所得产物以制备化合物2(5.89g，产率：80％)。
H-NMR(DMSO-d6)：8.55(1H,d),7.92(1H,d),7.79(1H,s),7.65(1H,d),7.48-7.35(19H,m),7.22-7.15(3H,m),1.35(9H,s)
C40H35NSi,m/z:557.25
2)化合物6的合成
可以通过例如反应流程2中所示的步骤(例如，任务或动作)来合成根据示例的化合物6：
反应流程2
(1)化合物6的合成方法
在化合物2的合成方法中，使用3,6-二溴-9-(4-环己基苯基)-9H-咔唑(5.00g，0.0103mol)代替3-溴-9-(4-(叔丁基)苯基)-9H-咔唑(5.00g，0.0132mol)，使用2.5M n-BuLi(9.06mL，0.02266mol)代替2.5M n-BuLi(5.81mL，0.01452mol)，并且使用氯三苯基硅烷(6.68g，0.02266mol)代替氯三苯基硅烷(4.27g，0.01452mol)，以制备化合物6(6.51g，产率：75％)。
H-NMR(DMSO-d6)：8.04(1H,d),7.85(2H,s),7.67(1H,d),7.48-7.35(36H,m),2.70(1H,m),1.86(4H,m),1.35(6H,m)
C60H51NSi2,m/z：841.36
3)化合物11的合成
可以通过例如反应流程3中所示的步骤(例如，任务或动作)来合成根据示例的化合物11：
反应流程3
(1)化合物11的合成方法
在化合物2的合成方法中，使用4-溴-N-(4-溴苯基)-N-(4-环己基苯基)苯胺(5.00g，0.0103mol)代替3-溴-9-(4-(叔丁基)苯基)-9H-咔唑(5.00g，0.0132mol)，使用2.5M n-BuLi(9.06mL，0.02266mol)代替2.5M n-BuLi(5.81mL，0.01452mol)，并且使用氯三苯基硅烷(6.68g，0.02266mol)代替氯三苯基硅烷(4.27g，0.01452mol)，以制备化合物11(6.51g，产率：75％)。
H-NMR(DMSO-d6)：7.48-7.35(34H,m),7.28(4H,m),7.15(2H,d),7.05(2H,d),2.70(1H,m),1.86(4H,m),1.35(6H,m)
C60H53NSi2,m/z：843.37
4)化合物14的合成
可以通过例如反应流程4中所示的步骤(例如，任务或动作)来合成根据示例的化合物14：
[反应流程4]
(1)化合物14的合成方法
在化合物2的合成方法中，使用4-溴-N-(4-(叔丁基)苯基)-N-苯基苯胺(5.00g，0.0131mol)代替3-溴-9-(4-(叔丁基)苯基)-9H-咔唑(5.00g，0.0132mol)，使用2.5M n-BuLi(5.764mL，0.01441mol)代替2.5M n-BuLi(5.81mL，0.01452mol)，并且使用氯三苯基硅烷(4.25g，0.01441mol)代替氯三苯基硅烷(4.27g，0.01452mol)，以制备化合物14(6.01g，产率：82％)。
H-NMR(DMSO-d6)：7.48-7.35(17H,m),7.28-7.24(4H,m),7.10-7.01(7H,m),1.35(9H,s)
C40H37NSi,m/z：559.27
2、包括多环化合物的发光元件的制造和评价
发光元件的制造
使用示例化合物2、示例化合物6、示例化合物11和示例化合物14以及参考示例化合物R1来制造发光元件。示例化合物2、示例化合物6、示例化合物11和示例化合物14是由如上所述的式1表示的多环化合物。参考示例化合物R1是由如上所述的式H-1表示的化合物。
示例化合物2、示例化合物6、示例化合物11和示例化合物14以及参考示例化合物R1的结构列于表1中：
表1
图12A和图12B是示出每种化合物在可见光的波长范围内的折射率变化的曲线图。例如，图12A示出了各自由示例化合物或参考示例化合物组成的单个膜的折射率。图12B示出了各自包括示例化合物和参考示例化合物的混合膜的折射率。
表2中列出了在图12A中所示的折射率之中分别由示例化合物2、示例化合物6、示例化合物11和示例化合物14以及参考示例化合物R1组成的单个膜相对于具有约450nm的波长的光的折射率：
表2
| 种类 | 单个膜的折射率 |
| 示例化合物2 | 1.75 |
| 示例化合物6 | 1.66 |
| 示例化合物11 | 1.68 |
| 示例化合物14 | 1.76 |
| 参考示例化合物R1 | 1.8 |
一起参考表2和图12A，分别由示例化合物2、示例化合物6、示例化合物11和示例化合物14组成的单个膜相对于具有约450nm的波长的光的折射率满足约1.76或更小的值。相反，由参考示例化合物R1构成的单个膜的折射率大于约1.76。例如，可以证实由式1表示的示例化合物具有满足约1.76或更小的范围的折射率，因此相对于参考示例化合物R1是低折射率材料。本公开的空穴传输层可以包括由如上所述的式H-1表示的化合物作为空穴传输材料，并且还可以包括由如上所述的式1表示的示例化合物作为低折射率材料，从而具有小于约1.8的折射率，同时表现出高空穴传输迁移率。
表3中列出了在图12B中所示的折射率之中均包括参考示例化合物R1和从示例化合物2、示例化合物6、示例化合物11和示例化合物14之中选择的任何一种的混合膜相对于具有约450nm的波长的光的折射率：
表3
| 种类 | 混合膜的折射率 |
| 示例化合物2+参考示例化合物R1 | 1.77 |
| 示例化合物6+参考示例化合物R1 | 1.73 |
| 示例化合物11+参考示例化合物R1 | 1.74 |
| 示例化合物14+参考示例化合物R1 | 1.78 |
一起参考表3和图12B，包括由如上所述的式1表示的示例化合物和由如上所述的式H-1表示的化合物的混合膜可以具有满足小于约1.8的范围的折射率。
本公开的空穴传输层可以包括由如上所述的式1表示的示例化合物和由如上所述的式H-1表示的化合物，以具有满足小于约1.8的范围的折射率，从而表现出优异的或合适的空穴传输性质。
在下文中，为了评价光学特性根据空穴传输层的折射率的改善程度，对示例1至示例8和对比示例1至对比示例6的发光元件进行模式分析。
发光元件的制造和评价1
制造示例1至示例4和对比示例1至对比示例5的发光元件。
示例1至示例4的发光元件包括包含由式1表示的多环化合物和由式H-1表示的化合物的空穴传输层。包括在示例1至示例4的每个发光元件中的空穴传输层具有小于约1.8的折射率。
对比示例1至对比示例4的发光元件包括由式1表示的多环化合物而不包括由式H-1表示的化合物。包括在对比示例1至对比示例4的每个发光元件中的空穴传输层具有小于约1.8的折射率。
对比示例5的发光元件不包括由式1表示的多环化合物而包括由式H-1表示的化合物。包括在对比示例5的发光元件中的空穴传输层具有约1.8或更大的折射率。
发光元件的制造1
将ITO玻璃基底切割成约50mm×50mm×0.5mm的尺寸，分别使用异丙醇和蒸馏水通过超声波洗涤约5分钟，然后用紫外线照射约30分钟，并通过暴露于臭氧进行清洁，然后安装在真空沉积设备上。然后，由HATCN形成具有约
的厚度的空穴注入层，并且在空穴注入层上，利用示例化合物2、示例化合物6、示例化合物11、示例化合物14和参考例化合物R1中的至少一种来形成具有约
的厚度的空穴传输层。
例如，通过利用示例化合物2和参考示例化合物R1制造示例1的发光元件的空穴传输层。通过利用示例化合物6和参考示例化合物R1制造示例2的发光元件的空穴传输层。通过利用示例化合物11和参考示例化合物R1制造示例3的发光元件的空穴传输层。通过利用示例化合物14和参考示例化合物R1制造示例4的发光元件的空穴传输层。通过分别使用示例化合物2、示例化合物6、示例化合物11和示例化合物14制造对比示例1至对比示例4的发光元件的空穴传输层。通过利用参考示例化合物R1制造对比示例5的发光元件的空穴传输层。
在空穴传输层的上部上，将作为主体材料的化合物H1和作为掺杂剂材料的化合物D1以约99:1的重量比共沉积，以形成
厚的发射层。
在发射层的上部上，由T2T形成具有约
的厚度的空穴阻挡层。接下来，将作为电子传输层材料的化合物E1和LiQ以约1:1的重量比共沉积以形成
厚的电子传输层。
在电子传输层的上部上，由Yb形成
厚的电子注入层。随后，将Ag和Mg以约90:10的重量比共沉积以形成
厚的电极。
通过真空沉积法形成每一层。
示出了用于制造发光元件的化合物。材料通过使市售产品经受升华纯化以用于制造发光元件。
用于制造发光元件的化合物
发光元件效率的评价1
进行示例1至示例4和对比示例1至对比示例5的发光元件的模式分析，结果列于表4中。通过利用室内光学模拟器(in-house optical simulator)对从示例1至示例4和对比示例1至对比示例5的每个发光元件发射的具有约450nm的波长的光进行模式分析，结果列于表4中：
表4
参考表4的结果，可以确认的是示例1至示例4和对比示例1至对比示例4的每个发光元件的外耦合效率高于对比示例5的发光元件的外耦合效率。这被认为是因为包括在示例1至示例4和对比示例1至对比示例4的每个发光元件中的空穴传输层的折射率满足小于约1.8的范围，因此从发光元件发射的光中在吸收损耗、导模和渐逝耦合方面损失的光量减少。例如，可以确认空穴传输层的折射率越低，在导模和渐逝耦合方面损失的光量越少，因此外耦合效率越高。
发光元件特性的评价1
评价示例1至示例4和对比示例1至对比示例5的每个发光元件的驱动电压、效率和使用寿命，结果列于表5中。此外，如表4中测得的示例1至示例4和对比示例1至对比示例5的每个发光元件中包括的空穴传输层的组成和折射率以及发光元件的外耦合效率一起列于表5中。
示例1至示例4的每个发光元件的外耦合效率高于对比示例5的每个发光元件的外耦合效率，因此可以改善(提高)发光效率。
表5中的驱动电压(V)和效率(cd/A)在10mA/cm2的电流密度和1,000cd/m2的亮度下测得。使用寿命比通过测量亮度相对于初始亮度劣化至95％亮度的时长来表示，并且列出了当对比示例5的使用寿命为120时的相对值。
表5
参考表5的结果，与对比示例5的发光元件相比，示例1至示例4的发光元件表现出低驱动电压、高发光效率和改善的元件使用寿命。此外，与对比示例1至对比示例4相比，示例1至示例4的发光元件表现出低驱动电压和改善的元件使用寿命。相信的是，对比示例1至对比示例4的发光元件具有满足小于约1.76的值的空穴传输层的折射率，因此表现出高的外耦合效率和高的发光效率，但不包括由式H-1表示的作为空穴传输材料的化合物，从而降低了元件使用寿命。
对比示例5的发光元件在空穴传输层中不包括由式1表示的作为低折射率材料的多环化合物。因此，相信的是对比示例5的发光元件包括具有大于约1.76的折射率的空穴传输层，外耦合效率降低，因此发光效率降低。
本公开的空穴传输层可以包括由式1表示的多环化合物，从而具有满足约1.6至约1.76的范围的折射率，并且可以包括由式H-1表示的化合物，从而表现出优异的或合适的空穴迁移率。
本公开的发光元件可以包括所述空穴传输层，从而表现出优异的或合适的发光效率和改善的使用寿命。
发光元件的制造和评价2
制造示例5至示例8和对比示例6的发光元件。
示例5至示例8和对比示例6的每个发光元件具有如上在图7中所描述的多个发光结构OL-B1和OL-B2。例如，示例5至示例8和对比示例6的每个发光元件包括第一空穴传输层和第二空穴传输层。
示例5至示例8的每个发光元件在第一空穴传输层和第二空穴传输层中的每个中包括由式1表示的多环化合物和由式H-1表示的化合物。
对比示例6的发光元件在第一空穴传输层和第二空穴传输层中的每个中包括由式H-1表示的化合物，并且不包括由式1表示的多环化合物。
发光元件的制造2
将ITO玻璃基底切割成约50mm×50mm×0.5mm的尺寸，分别使用异丙醇和蒸馏水通过超声波洗涤约5分钟，然后用紫外线照射约30分钟，并通过暴露于臭氧进行清洁，然后安装在真空沉积设备上。然后，由HATCN形成具有约
的厚度的第一空穴注入层，并且在第一空穴注入层上，利用示例化合物2、示例化合物6、示例化合物11、示例化合物14和参考示例化合物R1中的至少一种来形成具有约
的厚度的第一空穴传输层。
例如，通过利用示例化合物2和参考示例化合物R1制造示例5的发光元件的第一空穴传输层。通过利用示例化合物6和参考示例化合物R1制造示例6的发光元件的第一空穴传输层。通过利用示例化合物11和参考示例化合物R1制造示例7的发光元件的第一空穴传输层。通过利用示例化合物14和参考示例化合物R1制造示例8的发光元件的第一空穴传输层。通过利用参考示例化合物R1制造对比示例6的发光元件的第一空穴传输层。
在第一空穴传输层的上部上，将作为主体材料的化合物H1和作为掺杂剂材料的化合物D1以约99:1的重量比共沉积，以形成
厚的第一发射层。
在第一发射层的上部上，由T2T形成具有约
的厚度的第一空穴阻挡层。接下来，将作为电子传输层材料的化合物E1和LiQ以约1:1的重量比共沉积以形成
厚的第一电子传输层。
在第一电子传输层的上部上，将Bphen和Li以约99:1的重量比共沉积，以形成
厚的电荷产生层。
在电荷产生层上，由HATCN形成具有约
的厚度的第二空穴注入层，并且在第二空穴注入层上，利用示例化合物2、示例化合物6、示例化合物11、示例化合物14和参考示例化合物R1中的至少一种来形成具有约
的厚度的第二空穴传输层。
例如，通过利用示例化合物2和参考示例化合物R1制造示例5的发光元件的第二空穴传输层。通过利用示例化合物6和参考示例化合物R1制造示例6的发光元件的第二空穴传输层。通过利用示例化合物11和参考示例化合物R1制造示例7的发光元件的第二空穴传输层。通过利用示例化合物14和参考示例化合物R1制造示例8的发光元件的第二空穴传输层。通过利用参考示例化合物R1制造对比示例6的发光元件的第二空穴传输层。
在第二空穴传输层的上部上，将作为主体材料的化合物H1和作为掺杂剂材料的化合物D1以约99:1的重量比共沉积，以形成
厚的第二发射层。
在第二发射层的上部上，由T2T形成具有约
的厚度的第二空穴阻挡层。接下来，将作为电子传输层材料的化合物E1和LiQ以约1:1的重量比共沉积，以形成
厚的第二电子传输层。
在第二电子传输层的上部上，由Yb形成
厚的电子注入层。随后，将Ag和Mg以约90:10的重量比共沉积以形成
厚的电极。
通过真空沉积法形成每一层。
示出了用于制造发光元件的化合物。材料通过使市售产品经受升华纯化以用于制造发光元件。
用于制造发光元件的化合物
发光元件效率和特性的评价2
示例5至示例8和对比示例6的发光元件的模式分析结果和元件特性的评价结果列于表6中。通过利用室内光学模拟器进行关于从示例5至示例8和对比示例6的每个发光元件发射的具有约450nm的波长的光的模式分析，并且外耦合效率(％)值列于表6中。在一些实施例中，评价了示例5至示例8和对比示例6的每个发光元件的驱动电压、效率和使用寿命，结果列于表6中。包括在示例5至示例8和对比示例6的发光元件中的第一空穴传输层和第二空穴传输层的组成和折射率一起列于表6中。
如上在(发光元件的制造2)中所描述的，示例5至示例8和对比示例6的发光元件中的第一空穴传输层和第二空穴传输层的组成可以均独立地彼此相同。
表6中的驱动电压(V)和效率(cd/A)在10mA/cm2的电流密度和1,000cd/m2的亮度下测得。使用寿命比通过测量亮度相对于初始亮度劣化至95％亮度的时长来表示，并且列出了当表5中的对比示例5的使用寿命为120时的相对值。
表6
参照表6的结果，可以看出示例5至示例8的每个发光元件的外耦合效率高于对比示例6的发光元件的外耦合效率。这相信的是因为包括在示例5至示例8的每个发光元件中的第一空穴传输层和第二空穴传输层的折射率满足小于约1.8的范围，因此从发光元件发射的光中的在吸收损耗、导模和渐逝耦合方面损失的光量减少。例如，可以确认第一空穴传输层和第二空穴传输层的折射率越低，在导模和渐逝耦合方面损失的光量越少，因此外耦合效率越高。在一些实施例中，与对比示例6的发光元件相比，示例5至示例8的发光元件表现出低驱动电压、高发光效率和改善的元件使用寿命。在一些实施例中，与对比示例6相比，示例5至示例8的发光元件表现出改善的驱动电压、高效率和长使用寿命。
对比示例6的发光元件在第一空穴传输层和第二空穴传输层中不包括由式1表示的作为低折射率材料的多环化合物。因此，相信的是对比示例6的发光元件的第一空穴传输层和第二空穴传输层的各自折射率大于约1.76，外耦合效率降低，因此发光效率降低。
本公开的空穴传输层可以包括由式1表示的多环化合物，从而具有满足约1.6至约1.76的范围的折射率，并且可以包括由式H-1表示的化合物，从而表现出优异的或合适的空穴迁移率。
本公开的发光元件可以包括空穴传输层，从而表现出优异的或合适的发光效率和改善的使用寿命。
实施例的发光元件可以表现出具有高效率和长使用寿命的改善的元件特性。
实施例的多环化合物可以包括在发光元件的空穴传输层中，以有助于发光元件的高效率和长使用寿命。
当描述本公开的实施例时使用“可以”是指“本公开的一个或更多个实施例”。
如在此使用的，术语“基本(大致)”、“大约(约)”和类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。如在此使用的“大约(约)”或“几乎”包括所陈述的值，并且意指在如由本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)而确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“大约(约)”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％内。
此外，在此陈述的任何数值范围意图包括在所陈述的范围内所包含的相同数值精度的所有子范围。例如，范围“1.0至10.0”意图包括所陈述的最小值1.0与所陈述的最大值10.0之间(并包括所陈述的最小值1.0和所陈述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。在此陈述的任何最大数值限制意图包括其中包含的所有较低的数值限制，并未在本公开中陈述的任何最小数值限制意图包括其中包含的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改本公开(包括权利要求书)的权利，以明确地陈述在此明确陈述的范围内包含的任何子范围。
根据在此描述的本公开的实施例的显示装置或任何其他相关装置或组件可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件、或软件、固件和硬件的组合来实现。例如，装置的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或单独IC芯片上。此外，装置的各种组件可以实施在柔性印刷电路膜、载带封装件(TCP)、印刷电路板(PCB)上，或者形成在一个基底上。此外，装置的各种组件可以是在一个或更多个计算装置中的一个或更多个处理器上运行的进程或线程，执行计算机程序指令并与其他系统组件交互以执行在此描述的各种功能。计算机程序指令存储在存储器中，该存储器可以在使用标准存储器装置(诸如以随机存取存储器(RAM)为例)的计算装置中实现。计算机程序指令还可以存储在其他非暂时性计算机可读介质(诸如以CD-ROM、闪存驱动器等为例)中。此外，本领域技术人员应当认识到的是，在不脱离本公开的实施例的范围的情况下，各种计算装置的功能可以组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以分布在一个或更多个其他计算装置上。
尽管已经描述了本公开的实施例，但理解的是，本公开不应限于这些实施例，而是本领域普通技术人员可以在如由权利要求及其等同物限定的本公开的精神和范围内进行一个或更多个合适的改变和修改。
Claims (24)
1.一种发光元件，所述发光元件包括：
第一电极；
第一空穴传输区域，在所述第一电极上；
第一发射层，在所述第一空穴传输区域上；
第一电子传输区域，在所述第一发射层上；以及
第二电极，在所述第一电子传输区域上，
其中，所述第一空穴传输区域包括由式1表示的多环化合物和由式H-1表示的化合物：
式1
其中，在式1中，
X为直连键，
Y为C或Si，
R1至R6均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，R1至R6与相邻基团结合以形成环，
至少一个R3为氢原子或具有1个至20个碳原子的饱和脂肪族烃基，
n为0或1，
当m1+n为5或更小时，m1是0至5的整数，
当m2+n为4或更小时，m2是0至4的整数，
p为0至5的整数，
q1至q3均独立地为0至5的整数，
其中，当n为1，Y为Si，R2和R4至R6中的每个为氢原子，并且R1为未取代的三苯基甲硅烷基时，R3不为氢原子，
式H-1
其中，在式H-1中，
Ar1和Ar2均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，
Ar3为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基，
L1和L2均独立地为直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基，并且
a和b均独立地为0至10的整数。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，R3为氢原子、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的环烷基或者取代或未取代的金刚烷基。
3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，由式1表示的所述多环化合物由式2表示：
式2
其中，在式2中，
R31为氢原子或具有1个至20个碳原子的饱和脂肪族烃基，并且
在式2中，X、Y、R1、R2、R4至R6、n、m1、m2和q1至q3与式1中定义的相同。
4.根据权利要求3所述的发光元件，其中，由式2表示的所述多环化合物由式2-1表示：
式2-1
其中，在式2-1中，X、Y、R1、R2、R4至R6、n、m1、m2和q1至q3与式1中定义的相同，并且R31与式2中定义的相同。
5.根据权利要求3或4所述的发光元件，其中，R31为氢原子、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的环己基或者取代或未取代的金刚烷基。
6.根据权利要求1所述的发光元件，其中，由式1表示的所述多环化合物由式3-1或式3-2表示：
式3-1
式3-2
其中，在式3-1和式3-2中，
Z为C或Si，
R11和R12均独立地为氢原子或具有1个至20个碳原子的饱和脂肪族烃基，
R7至R9均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，R7至R9与相邻基团结合以形成环，
当m11+n为5或更小时，m11为0至5的整数，
当m12+n为4或更小时，m12为0至4的整数，
r1至r3均独立地为0至5的整数，并且
在式3-1和式3-2中，X、Y、R2至R6、n、m2、p和q1至q3与式1中定义的相同。
7.根据权利要求6所述的发光元件，其中，由式1表示的所述多环化合物由从式4-1至式4-6之中选择的任何一个表示：
式4-1
式4-2
式4-3
式4-4
式4-5
式4-6
其中，在式4-1至式4-6中，X、R2至R9、n、m2、p、q1至q3和r1至r3与式1、式3-1和式3-2中定义的相同。
8.根据权利要求7所述的发光元件，其中，R2至R9中的每个为氢原子。
9.根据权利要求1所述的发光元件，其中，由式1表示的所述多环化合物由从化合物组1之中选择的一种表示：
化合物组1
10.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一空穴传输区域包括在所述第一电极上的空穴注入层、在所述空穴注入层上的空穴传输层和在所述空穴传输层上的电子阻挡层，并且
所述空穴传输层包括由式1表示的所述多环化合物。
11.根据权利要求10所述的发光元件，其中，所述空穴传输层具有
或更大的厚度。
12.根据权利要求10所述的发光元件，其中，所述空穴传输层具有小于1.8的折射率。
13.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述发射层发射具有430nm至470nm的中心波长的光。
14.根据权利要求1所述的发光元件，所述发光元件还包括：
第二空穴传输区域，在所述第一电子传输区域和所述第二电极之间；
第二发射层，在所述第二空穴传输区域和所述第二电极之间；以及
第二电子传输区域，在所述第二发射层和所述第二电极之间，
其中，所述第二空穴传输区域包括由式1表示的所述多环化合物。
15.根据权利要求14所述的发光元件，其中，所述第二空穴传输区域还包括由式H-1表示的化合物：
式H-1
其中，在式H-1中，
Ar1和Ar2均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，
Ar3为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基，
L1和L2均独立地为直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基，并且
a和b均独立地为0至10的整数。
16.一种多环化合物，所述多环化合物由式1表示：
式1
其中，在式1中，
X为直连键，
Y为C或Si，
R1至R6均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，R1至R6与相邻基团结合以形成环，
至少一个R3为氢原子或具有1个至20个碳原子的饱和脂肪族烃基，
n为0或1，
当m1+n为5或更小时，m1是0至5的整数，
当m2+n为4或更小时，m2是0至4的整数，
p为0至5的整数，并且
q1至q3均独立地为0至5的整数，并且
其中，当n为1，Y为Si，R2和R4至R6中的每个为氢原子，并且R1为未取代的三苯基甲硅烷基时，R3不为氢原子。
17.根据权利要求16所述的多环化合物，其中，由式1表示的所述多环化合物具有1.6至1.76的折射率。
18.根据权利要求16所述的多环化合物，其中，由式1表示的所述多环化合物由式2表示：
式2
其中，在式2中，
R31为氢原子或具有1个至20个碳原子的饱和脂肪族烃基，并且
在式2中，X、Y、R1、R2、R4至R6、n、m1、m2和q1至q3与式1中定义的相同。
19.根据权利要求16所述的多环化合物，其中，由式1表示的所述多环化合物由式3-1或式3-2表示：
式3-1
式3-2
其中，在式3-1和式3-2中，
Z为C或Si，
R11和R12均独立地为氢原子或具有1个至20个碳原子的饱和脂肪族烃基，
R7至R9均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，R7至R9与相邻基团结合以形成环，
当m11+n为5或更小时，m11为0至5的整数，
当m12+n为4或更小时，m12为0至4的整数，
r1至r3均独立地为0至5的整数，并且
在式3-1和式3-2中，X、Y、R2至R6、n、m2、p和q1至q3与式1中定义的相同。
20.一种显示装置，所述显示装置包括多个发光元件，其中，所述多个发光元件中的每个发光元件包括：
第一电极；
空穴传输区域，在所述第一电极上；
发射层，在所述空穴传输区域上；
电子传输区域，在所述发射层上；以及
第二电极，在所述电子传输区域上，
其中，所述空穴传输区域包括由式1表示的多环化合物和由式H-1表示的化合物：
式1
其中，在式1中，
X为直连键，
Y为C或Si，
R1至R6均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，R1至R6与相邻基团结合以形成环，
至少一个R3为氢原子或具有1个至20个碳原子的饱和脂肪族烃基，
n为0或1，
当m1+n为5或更小时，m1是0至5的整数，
当m2+n为4或更小时，m2是0至4的整数，
p为0至5的整数，
q1至q3均独立地为0至5的整数，
其中，当n为1，Y为Si，R2和R4至R6中的每个为氢原子，并且R1为未取代的三苯基甲硅烷基时，R3不为氢原子，
式H-1
其中，在式H-1中，
Ar1和Ar2均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，
Ar3为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基，
L1和L2均独立地为直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基，并且
a和b均独立地为0至10的整数。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述空穴传输区域包括在所述第一电极上的空穴注入层、在所述空穴注入层上的空穴传输层和在所述空穴传输层上的电子阻挡层，并且
所述空穴传输层包括由式1表示的所述多环化合物。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，所述空穴传输层具有
或更大的厚度。
23.根据权利要求21所述的显示装置，其中，所述空穴传输层具有小于1.8的折射率。
24.根据权利要求21所述的显示装置，其中，从所述多个发光元件之中选择的至少一个发光元件被配置为发射具有430nm至470nm的中心波长的光。
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