CN116437713A

CN116437713A - 发光装置及包括发光装置的电子设备、消费品

Info

Publication number: CN116437713A
Application number: CN202211602798.8A
Authority: CN
Inventors: 赵秀连; 金智慧; 金会林; 朴赛荣; 沈龙燮; 柳东善
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2022-01-10
Filing date: 2022-12-13
Publication date: 2023-07-14
Also published as: US20230225198A1; EP4210450A3; EP4210450A2; KR20230108768A

Abstract

本申请提供了发光装置及包括所述发光装置的电子设备。所述发光装置包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层；以及覆盖层，其中所述发射层包含第一发射体，所述第一发射体发射具有第一发射光谱的第一光，所述覆盖层处于所述第一光沿着其行进的路径中，所述第一光的发射峰波长为约520nm至约550nm，所述第一发射体包含铂，所述覆盖层包含含胺的化合物，并且通过所述覆盖层引出到外部的所述第一光的CIEy与反射率(RCR值)的比值为38或小于38，以及所述RCR值根据方程式1来计算。方程式1CIEy/R(cap)×100。

Description

发光装置及包括发光装置的电子设备、消费品

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年1月10日向韩国知识产权局提交的第10-2022-0003633号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引据此并入。

技术领域

本公开内容的一个或多于一个的实施方案涉及发光装置和包括所述发光装置的电子设备。

背景技术

在发光装置中，自发射装置(例如，有机发光装置等)具有广视角、优异的对比度、快响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异特性。

在发光装置中，第一电极在衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次在第一电极上。由第一电极提供的空穴通过空穴传输区向发射层移动，并且由第二电极提供的电子通过电子传输区向发射层移动。载流子(例如空穴和电子)在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。

发明内容

本公开内容的一个或多于一个的实施方案包括同时具有正面发光效率和侧面发光效率的发光装置、以及包括所述发光装置的电子设备。

实施方案的其它方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的所呈现的实施方案的实践而获悉。

根据实施方案的方面，提供了发光装置，所述发光装置包括：

第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；

在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层；以及

覆盖层，

其中所述发射层包含第一发射体，

所述第一发射体发射具有第一发射光谱的第一光，

所述覆盖层处于所述第一光沿着其行进的路径中，

所述第一光的发射峰波长为约520nm至约550nm，

所述第一发射体包含铂，

所述覆盖层包含含胺的化合物，

通过所述覆盖层引出到外部的所述第一光的CIEy与反射率(RCR值)的比值为38或小于38，以及

所述RCR值通过方程式1来计算

方程式1

CIEy/R(cap)×100

其中，在方程式1中，

CIEy是通过所述覆盖层引出到外部的所述第一光的CIE颜色坐标的y坐标值，以及

R(cap)是所述含胺的化合物相对于第二光的折射率，所述第二光具有在所述第一光的所述发射峰波长的±20nm内的波长。

根据实施方案的另一方面，提供了发光装置，所述发光装置包括：

第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；

覆盖层，

其中所述发射层包含第一发射体，

所述第一发射体发射具有第一发射光谱的第一光，

所述覆盖层处于所述第一光沿着其行进的路径中，

所述第一发射体包含铂和与所述铂键合的第一配体，

所述第一发射体满足选自条件A至条件C中的至少一个：

条件A

所述第一配体是四齿配体，并且由所述铂与所述第一配体之间的化学键形成的环金属化环的数量是三；以及

条件B

所述铂化学键合至所述第一配体的碳、氮和氧；

条件C

所述第一配体包括咪唑基团、苯并咪唑基团、萘并咪唑基团或其任意组合，

其中所述覆盖层包含含胺的化合物，以及

所述含胺的化合物包括苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、萘并噁唑基团、萘并噻唑基团或其任意组合。

本公开内容的实施方案的另一方面提供了包括所述发光装置的电子设备。

本公开内容的实施方案的另一方面提供了消费品，所述消费品包括发光装置。

附图说明

根据结合附图的以下描述，本公开内容的某些实施方案的以上和其它的方面和特征将更加显而易见，在附图中：

图1示出了根据实施方案的发光装置的示意性视图；

图2示出了根据实施方案的电子设备的示意性视图；以及

图3示出了根据实施方案的电子设备的示意性视图。

具体实施方式

现在将更详细地参考实施方案，在附图中例示了所述实施方案的实例，其中相同的参考数字通篇是指相同的元件。在这点上，本实施方案可以具有不同的形式并且不应解释为局限于本文阐述的描述。因此，通过参考附图以下仅描述实施方案，以解释本描述的实施方案的方面。如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。在整个本公开内容中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a，仅b，仅c，a和b两者，a和c两者，b和c两者，所有a、b和c，或者其变体。

根据本公开内容的实施方案的方面的发光装置可以包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层；以及覆盖层。

发射层可以包含第一发射体。第一发射体可以发射具有第一发射光谱的第一光，并且覆盖层可以处于第一光沿着其行进的路径中。

第一光的发射峰波长(最大发射波长，或最大发射峰波长)是约520nm至约550nm。

例如，第一光的发射峰波长可以是约520nm至约545nm、约525nm至约550nm、或约525nm至约545nm。

第一光的半高全宽(FWHM)可以是约15nm至约60nm。

例如，第一光的FWHM可以是约20nm至约60nm、或约25nm至约60nm。

本说明书中描述的第一光的发射峰波长和FWHM可以根据包含第一发射体的膜的发射光谱来评估(例如，参见评估例2)。本说明书中的发射峰波长是指在发射光谱或电致发光光谱中具有最大发射强度的峰波长。

具有如以上描述的发射峰波长和FWHM的第一光可以是绿色光。

第一发射体可以包含铂。

在实施方案中，第一发射体可以是含有铂的有机金属化合物。第一发射体可以是中性的，可以包含一个铂原子，并且可以不包括除了铂之外的过渡金属。例如，第一发射体可以不含除了铂之外的过渡金属。

在实施方案中，除了铂之外，第一发射体还可以包含与铂键合的第一配体。

在实施方案中，第一发射体可以满足选自条件A至条件C中的至少一个：

条件A

所述第一配体是四齿配体，并且由所述铂与所述第一配体之间的化学键形成的环金属化环的数量是三；

条件B

所述铂化学键合至所述第一配体的碳、氮和氧；以及

条件C

所述第一配体包括咪唑基团、苯并咪唑基团、萘并咪唑基团或其任意组合。

在实施方案中，第一发射体可以满足全部的条件A至条件C。

第一发射体的更多细节如本文描述。

覆盖层处于第一光沿着其行进并且被引出到发光装置的外部的路径中，从而提高第一光的外部引出率。

覆盖层可以包含含胺的化合物。含胺的化合物中的“胺”是指由

表示的基团，其中*、*'和*”分别表示分别与相邻原子A₁、A₂和A₃的结合位点，并且A₁、A₂和A₃中的每一个不经由单键或其间的任何原子基团连接。A₁、A₂和A₃中的每一个可以是任何合适的原子，例如碳、氢等。例如，CBP不属于本说明书中描述的含胺的化合物。

在实施方案中，覆盖层可以包含含单胺的化合物。例如，包括在覆盖层中的含胺的化合物中的“胺”(或“胺基团”)的数量可以是1。

在实施方案中，包含在覆盖层中的所述含胺的化合物可以包括苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、萘并噁唑基团、萘并噻唑基团或其任意组合。

含胺的化合物与本说明书中描述的相同。

通过覆盖层引出到外部的第一光的CIEy与反射率(RCR值)的比值可以为38或小于38。在这点上，RCR值可以通过方程式1来计算：

方程式1

CIEy/R(cap)×100

其中，在方程式1中，

CIEy是通过覆盖层引出到外部的第一光的CIE颜色坐标的y坐标值，以及

R(cap)是含胺的化合物相对于第二光的折射率，所述第二光具有在第一光的发射峰波长的±20nm内的波长。例如，R(cap)可以是含胺的化合物相对于第二光的折射率，所述第二光具有在第一光的发射峰波长的±15nm内的波长(例如，在第一光的发射峰波长的±10nm内的波长，或在第一光的发射峰波长的±5nm内的波长)。

在实施方案中，通过覆盖层引出的第一光的RCR值可以是32.0至38.0、32.5至38.0、33.0至38.0、33.5至38.0、34.0至38.0、34.5至38.0、35.0至38.0、35.5至38.0、36.0至38.0、32.0至37.5、32.5至37.5、33.0至37.5、33.5至37.5、34.0至37.5、34.5至37.5、35.0至37.5、35.5至37.5、或者36.0至37.5。

当第一光的发射峰波长为约520nm至约550nm，并且通过覆盖层引出到外部的第一光的RCR值满足如以上描述的范围时，发光装置同时具有优异的正面(0°)发光效率和侧面(例如，在从正面(0°)移动45°的位置处)发光效率(例如，相对于发光装置的显示表面在90°的视角下的优异的正面发光效率和/或相对于发光装置的显示表面在45°的视角下的优异的侧面发光效率)。通过使用此类发光装置，可以制造高质量电子设备。

在实施方案中，CIEy可以是0.70至0.74、0.70至0.735、0.70至0.73、0.70至0.725、0.705至0.74、0.705至0.735、0.705至0.73、0.705至0.725、0.71至0.74、0.71至0.735、0.71至0.73、0.71至0.725、0.715至0.74、0.715至0.735、0.715至0.73、或0.715至0.725。

R(cap)可以通过实际测量由含胺的化合物构成的膜的折射率来评估(参见，例如评估例3)。

在实施方案中，R(cap)可以是含胺的化合物相对于具有530nm的波长的第二光的折射率。

在实施方案中，R(cap)可以是1.85或大于1.85。

在实施方案中，R(cap)可以是1.85至2.5、1.90至2.5、1.95至2.5、1.85至2.45、1.90至2.45、1.95至2.45、1.85至2.4、1.90至2.4、1.95至2.4、1.85至2.35、1.90至2.35、1.95至2.35、1.85至2.3、1.90至2.3、1.95至2.3、1.85至2.25、1.90至2.25、1.95至2.25、1.85至2.2、1.90至2.2、1.95至2.2、1.85至2.15、1.90至2.15、1.95至2.15、1.85至2.1、1.90至2.1、或1.95至2.1。

根据实施方案的另一方面，发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；在第一电极与第二电极之间并且包括发射层的中间层；以及覆盖层，其中发射层包含第一发射体，第一发射体发射具有第一发射光谱的第一光，并且覆盖层处于第一光沿着其行进的路径中，第一发射体包含铂和与铂键合的第一配体，第一发射体满足选自条件A至条件C中的至少一个，覆盖层包含含胺的化合物，并且含胺的化合物包括苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、萘并噁唑基团、萘并噻唑基团或其任意组合。

第一光、第一发射体和含胺的化合物与以上描述的相同。

在实施方案中，第一发射体可以满足全部的条件A至条件C。

在实施方案中，第一光的发射峰波长可以是约520nm至约550nm。

在实施方案中，第一光的发射峰波长可以是约520nm至约545nm、约525nm至约550nm、或约525nm至约545nm。

在实施方案中，第一光的半高全宽(FWHM)是15nm至60nm、20nm至60nm、或25nm至60nm。

具有如以上描述的发射峰波长和FWHM的第一光可以是绿色光。

在实施方案中，含胺的化合物相对于具有在第一光的发射峰波长的±20nm内的波长(例如，在第一光的发射峰波长的±15nm内的波长、在第一光的发射峰波长的±10nm内的波长、或在第一光的发射峰波长的±5nm内的波长)的第二光的折射率可以是1.85或大于1.85、1.85至2.5、1.90至2.5、1.95至2.5、1.85至2.45、1.90至2.45、1.95至2.45、1.85至2.4、1.90至2.4、1.95至2.4、1.85至2.35、1.90至2.35、1.95至2.35、1.85至2.3、1.90至2.3、1.95至2.3、1.85至2.25、1.90至2.25、1.95至2.25、1.85至2.2、1.90至2.2、1.95至2.2、1.85至2.15、1.90至2.15、1.95至2.15、1.85至2.1、1.90至2.1、或1.95至2.1。

如以上描述，发光装置同时(例如，并行地)包括：i)包含第一发射体的发射层，第一发射体包含铂和与铂键合的第一配体并且满足选自条件A至条件C中的至少一个，以及ii)包含含胺的化合物的覆盖层，其中含胺的化合物包括苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、萘并噁唑基团、萘并噻唑基团或其任意组合，可以同时或基本上同时具有优异的正面发光效率和侧面发光效率，并且因此，可以通过使用此类发光装置来制造高质量电子设备。

在实施方案中，第一发射体可以包含至少一个氘。

在实施方案中，第一发射体的最高占据分子轨道(HOMO)能级可以是-5.30eV至-4.70eV、或-5.25eV至-4.80eV。

在实施方案中，第一发射体的最低未占据分子轨道(LUMO)能级可以是-2.55eV至-2.30eV、或-2.45eV至-1.90eV。

在实施方案中，第一发射体的LUMO能级可以是-2.65eV至-2.00eV、或-2.55eV至-2.30eV。

HOMO能级和LUMO能级可以通过有机金属化合物的循环伏安分析(例如，评估例1)来评估。

在实施方案中，第一发射体的三重态(T₁)能量可以是2.10eV至2.60eV、或2.20eV至2.50eV。

第一发射体的三重态能量的评估方法可以通过参考例如评估例2来理解。

除了第一发射体之外，发射层可以进一步包括主体、辅助掺杂剂、敏化剂、延迟荧光材料或其任意组合。主体、辅助掺杂剂、敏化剂、延迟荧光材料或其任意组合中的每一种可以包含至少一个氘。

例如，发射层可以包含第一发射体和主体。主体可以不同于第一发射体，并且主体可以包括电子传输化合物、空穴传输化合物、双极性化合物或其任意组合。在一些实施方案中，主体可以不包括金属。电子传输化合物、空穴传输化合物和双极性化合物彼此不同。

在实施方案中，发射层包括第一发射体和主体，并且主体可以包括电子传输化合物和空穴传输化合物。电子传输化合物和空穴传输化合物可以形成激基复合物。

例如，电子传输化合物可以包含至少一个缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。例如，电子传输化合物可以包括吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或其任意组合。

在实施方案中，空穴传输化合物可以包括至少一个富π电子的C₃-C₆₀环状基团、吡啶基团或其组合，并且可以不包括电子传输基团(例如，缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团、氰基基团、亚砜基团和氧化膦基团，而不是吡啶基团)。

在实施方案中，可以从空穴传输化合物中排除以下化合物。

在实施方案中，电子传输化合物可以包括由式2-1表示的化合物或由式2-2表示的化合物：

式2-1

式2-2

其中，在式2-1和式2-2中，

L₅₁至L₅₃可以各自独立地是单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

b51至b53可以各自独立地为1至5的整数，

A7至A9可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团(例如，各自未取代的或被至少一个R_10a取代的苯基团或萘基团)，

X₅₄是N或C(R₅₄)，X₅₅是N或C(R₅₅)，X₅₆是N或C(R₅₆)，并且选自X₅₄至X₅₆中的至少一个是N，

X₅₇可以是O、S、N(R₅₇)、C(R_57a)(R_57b)、或Si(R_57a)(R_57b)，以及

R₅₁至R₅₇、R_57a、R_57b和R_10a各自与本文描述的相同。

在实施方案中，空穴传输化合物可以包括由式3-1表示的化合物、由式3-2表示的化合物、由式3-3表示的化合物、由式3-4表示的化合物、由式3-5表示的化合物或其任意组合。

式3-1

式3-2

式3-3

式3-4

式3-5

其中，在式3-1至式3-5中，

环CY₇₁至环CY₇₄可以各自独立地是富π电子的C₃-C₆₀环状基团(例如，苯基团、萘基团、芴基团、蒽基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团或二苯并噻吩基团)或吡啶基团，

X₈₂可以是单键、O、S、N[(L₈₂)_b82-R₈₂]、C(R_82a)(R_82b)或Si(R_82a)(R_82b)，

X₈₃可以是单键、O、S、N[(L₈₃)_b83-R₈₃]、C(R_83a)(R_83b)或Si(R_83a)(R_83b)，

X₈₄可以是O、S、N[(L₈₄)_b84-R₈₄]、C(R_84a)(R_84b)或Si(R_84a)(R_84b)，X₈₅可以是C或Si，

L₈₁至L₈₅可以各自独立地是单键、*-C(Q₄)(Q₅)-*'、*-Si(Q₄)(Q₅)-*'、未取代的或被至少一个R_10a取代的富π电子的二价C₃-C₆₀碳环基团(例如，各自未取代的或被至少一个R_10a取代的苯基团、萘基团、芴基团、蒽基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团或二苯并噻吩基团)、或未取代的或被至少一个R_10a取代的吡啶基团，其中Q₄和Q₅与关于Q₁描述的相同，

b81至b85可以各自独立地是1至5的整数，

R₇₁至R₇₄、R₈₁至R₈₅、R_82a、R_82b、R_83a、R_83b、R_84a和R_84b可以各自与本文描述的相同，

a71至a74可以各自独立地是0至20的整数，以及

R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解。

发光装置的覆盖层可以在第一电极的外部和/或第二电极的外部。

在实施方案中，发光装置可以包括选自第一电极的外部的第一覆盖层和第二电极的外部的第二覆盖层中的至少一个，其中选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以包含本说明书中描述的含胺的化合物。

在实施方案中，发光装置可以包括：

第一覆盖层，其在第一电极的外部并且包含本说明书中描述的含胺的化合物；

第二覆盖层，其在第二电极的外部并且包含本说明书中描述的含胺的化合物；或者

第一覆盖层和第二覆盖层。

在实施方案中，发光装置可以进一步包括第三覆盖层，并且第三覆盖层可以包含与本说明书中描述的含胺的化合物不同的化合物。第三覆盖层可以处于从第一发射体发射的第一光沿着其行进的路径中。

在实施方案中，第三覆盖层可以包含具有1.6或大于1.6的折射率(在波长589nm处)的材料。

在实施方案中，第三覆盖层可以是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或包含有机材料和无机材料的有机-无机复合覆盖层。

例如，第三覆盖层可以包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、卟吩衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。任选地，碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以各自被包含O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任意组合的取代基取代。

例如，第三覆盖层可以包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。

在实施方案中，第三覆盖层可以包含选自化合物HT28至HT33中的一种、选自化合物CP1至化合物CP6中的一种(化合物CP3与化合物B02相同，并且化合物CP1至化合物CP6分别与本说明书中描述的化合物CP01至化合物CP06不同)、β-NPB或其任何化合物：

在一个或多于一个的实施方案中，发光装置可以进一步包括：

i)其中第一电极、中间层、第二电极和第二覆盖层(包含本说明书中描述的含胺的化合物)依次堆叠的结构；

ii)其中第一电极、中间层、第二电极、第三覆盖层(含有与本说明书中描述的含胺的化合物不同的化合物)和第二覆盖层(包含本说明书中描述的含胺的化合物)依次堆叠的结构，或者

iii)其中第一电极、中间层、第二电极、第二覆盖层(包含本说明书中描述的含胺的化合物)和第三覆盖层(含有与本说明书中描述的含胺的化合物不同的化合物)依次堆叠的结构。

在这点上，由包括在中间层中的发射层的第一发射体发射的第一光可以通过第二电极并且然后通过第二覆盖层(或第二覆盖层和第三覆盖层)被引出到发光装置的外部，并且第二电极可以是半透反射电极或透射电极。

措辞“中间层(或覆盖层)包含第一发射体(或含胺的化合物)”是指“中间层(或覆盖层)可以包含属于第一发射体类别的一种类型(或种类)的化合物、或者属于第一发射体的两种或多于两种类型(或种类)的不同化合物(或属于含胺的化合物的一种类型(或种类)的化合物、或者属于含胺的化合物的两种或多于两种的不同化合物)。

如本文使用的术语“中间层”是指在发光装置的第一电极与第二电极之间的单个层和/或多个层。

实施方案的另一个方面提供了包括发光装置的电子设备。电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。例如，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，其中发光装置的第一电极可以电连接至源电极或漏电极。在实施方案中，所述电子设备可以进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。关于电子设备的更多细节，可以参考本文提供的相关描述。

例如，消费品可以是选自平板显示器、曲面显示器、计算机监视器、医疗监视器、TV、广告牌、室内或室外照明和/或信号灯、平视显示器、全透明或部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可拉伸显示器、激光打印机、电话、蜂窝电话、平板电脑、平板手机、个人数字助理(PDA)、可穿戴设备、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、微型显示器、3D显示器、虚拟和/或增强现实显示器、车辆、包括拼接在一起的多个显示器的视频墙、剧场屏幕和/或体育场屏幕、光疗装置和标牌中的一种。

式的描述

第一发射体可以是例如由式1表示的有机金属化合物。此外，含胺的化合物可以是例如由式8表示的化合物：

式1

式8

其中，在式1和式8中，

M可以是Pt，

X₁至X₄可以各自独立地是N或C，

T₁₁至T₁₄可以各自独立地是化学键(例如单键或配位共价键，其也可以称为配价键)、O、S、B(R')、N(R')、P(R')、C(R')(R")、Si(R')(R")、Ge(R')(R")或C(＝O)，

当T₁₁是化学键时，X₁和M可以彼此直接键合，当T₁₂是化学键时，X₂和M可以彼此直接键合，当T₁₃是化学键时，X₃和M可以彼此直接键合，当T₁₄是化学键时，X₄和M可以彼此直接键合，

选自X₁或T₁₁与M之间的键、X₂或T₁₂与M之间的键、X₃或T₁₃与M之间的键和X₄或T₁₄与M之间的键中的两个键可以是配位键(例如，配位共价键，其也可以称为配价键)，并且其它两个键可以是共价键，

T₁可以是单键、双键、*-N(R₅)-*'、*-B(R₅)-*'、*-P(R₅)-*'、*-C(R_5a)(R_5b)-*'、*-Si(R_5a)(R_5b)-*'、*-Ge(R_5a)(R_5b)-*'、*-S-*'、*-Se-*'、*-O-*'、*-C(＝O)-*'、*-S(＝O)-*'、*-S(＝O)₂-*'、*-C(R₅)＝*'、*＝C(R₅)-*'、*-C(R_5a)＝C(R_5b)-*'、*-C(＝S)-*'或*-C≡C-*'，

T₂可以是单键、双键、*-N(R₆)-*'、*-B(R₆)-*'、*-P(R₆)-*'、*-C(R_6a)(R_6b)-*'、*-Si(R_6a)(R_6b)-*'、*-Ge(R_6a)(R_6b)-*'、*-S-*'、*-Se-*'、*-O-*'、*-C(＝O)-*'、*-S(＝O)-*'、*-S(＝O)₂-*'、*-C(R₆)＝*'、*＝C(R₆)-*'、*-C(R_6a)＝C(R_6b)-*'、*-C(＝S)-*'或*-C≡C-*'，

T₃可以是单键、双键、*-N(R₇)-*'、*-B(R₇)-*'、*-P(R₇)-*'、*-C(R_7a)(R_7b)-*'、*-Si(R_7a)(R_7b)-*'、*-Ge(R_7a)(R_7b)-*'、*-S-*'、*-Se-*'、*-O-*'、*-C(＝O)-*'、*-S(＝O)-*'、*-S(＝O)₂-*'、*-C(R₇)＝*'、*＝C(R₇)-*'、*-C(R_7a)＝C(R_7b)-*'、*-C(＝S)-*'或*-C≡C-*'，

环CY₁至环CY₄可以各自独立地是C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，

Ar₁至Ar₃和Z₁至Z₃可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

x1至x3可以各自独立地是选自0至10的整数中的一个，

i)当x1是0时，*-(Ar₁)_x1-*'可以是单键，ii)当x2是0时，*-(Ar₂)_x2-*'可以是单键，以及iii)当x3是0时，*-(Ar₃)_x3-*'可以是单键，

R₁至R₇、R_5a、R_5b、R_6a、R_6b、R_7a、R_7b、R'和R"可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₇-C₆₀芳基烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

a1至a4可以各自独立地是选自0至20的整数中的一个，

*和*'各自表示与相邻原子的结合位点，

i)a1数量的R₁的两个基团，ii)a2数量的R₂的两个基团、iii)a3数量的R₃的两个基团、iv)a4数量的R₄的两个基团、v)R_5a和R_5b、vi)R_6a和R_6b、以及vii)R_7a和R_7b中的每一种可以任选地经由单键、双键或第一连接基团彼此键合以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

R_10a可以是：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团，

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任意组合取代的C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团或C₁-C₆₀烷氧基基团，

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团或C₂-C₆₀杂芳基烷基基团；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；或者各自未取代的或被氘、-F、氰基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团。

在一个或多个实施方案中，在式1中，

i)X₁和X₃可以是C，并且X₂和X₄可以是N，

i)X₁和X₄可以是C，并且X₂和X₃可以是N，或者

iii)X₁、X₂和X₃可以是C，并且X₄可以是N。

在一个或多个实施方案中，在式1中，

T₁₁可以是O或S，以及

T₁₂至T₁₄可以各自是化学键(例如单键或配位共价键，其也可以称为配价键)。

在一个或多个实施方案中，关于式1，

T₁₁可以是O或S，以及

T₁₂至T₁₄可以各自是化学键(例如单键或配位共价键，其也可以称为配价键)，以及

i)T₁₁和M之间的键和X₃与M之间的键可以各自是共价键，并且X₂与M之间的键和X₄与M之间的键可以各自是配位键(例如，配位共价键，其也可以称为配价键)，或者ii)T₁₁与M之间的键和X₄与M之间的键可以各自是共价键，并且X₂与M之间的键和X₃与M之间的键可以各自是配位键(例如，配位共价键，其也可以称为配价键)。

在实施方案中，式1中的T₁至T₃中的每一个可以是单键。

在实施方案中，式1中的环CY₁可以是苯基团、萘基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、咔唑基团、芴基团或二苯并噻咯基团。

在实施方案中，式1中的环CY₂可以是咪唑基团、苯并咪唑基团、萘并咪唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团或喹喔啉基团。

在实施方案中，式1中的环CY₃可以是苯基团、萘基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、咔唑基团、芴基团、二苯并噻咯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团或氮杂二苯并噻咯基团。

在实施方案中，式1中的环CY₄可以是苯基团、萘基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、咔唑基团、芴基团、二苯并噻咯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、咪唑基团、苯并咪唑基团或萘并咪唑基团。

在实施方案中，式1的环CY₂和环CY₄中的至少一个可以是咪唑基团、苯并咪唑基团或萘并咪唑基团。

在实施方案中，式8中的Ar₁至Ar₃和Z₁至Z₃可以各自独立地是各自未取代的或被至少一个R_10a取代的苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、萘并噁唑基团或萘并噻唑基团。例如，选自式8中的Z₁至Z₃中的至少一个可以各自独立地是各自未取代的或被至少一个R_10a取代的苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、萘并噁唑基团或萘并噻唑基团。在这点上，R_10a可以是：氘；未取代的或被至少一个氘取代的C₁-C₂₀烷基基团；各自未取代的或被氘、C₁-C₂₀烷基基团、C₃-C₂₀碳环基团、C₁-C₂₀杂环基团或其任意组合取代的C₃-C₂₀碳环基团或C₁-C₂₀杂环基团。

式8中的x1、x2和x3分别表示Ar₁的数量、Ar₂的数量和Ar₃的数量，并且例如各自独立地是0、1、2或3。

在实施方案中，式1中的R₁至R₇、R_5a、R_5b、R_6a、R_6b、R_7a、R_7b、R'和R"可各自独立地是：

氢、氘、-F或氰基基团；

各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团或其任意组合取代的C₁-C₂₀烷基基团或C₃-C₁₀环烷基基团；或

各自未取代的或被氘、-F、氰基基团、C₁-C₂₀烷基基团、氘代C₁-C₂₀烷基基团、氟代C₁-C₂₀烷基基团、苯基基团、氘代苯基基团、氟代苯基基团、(C₁-C₂₀烷基)苯基基团、联苯基基团、氘代联苯基基团、氟代联苯基基团、(C₁-C₂₀烷基)联苯基基团或其任意组合取代的苯基基团、联苯基基团、萘基基团、二苯并呋喃基基团或二苯并噻吩基基团(或噻吩基基团)。

本文使用的术语“联苯基基团”是指具有其中两个苯基团通过单键彼此连接的结构的单价取代基。

式1中的a1至a4分别表示R₁至R₄的数量，并且例如，可以各自独立地是0、1、2、3、4、5或6。

在一个或多于一个的实施方案中，由式1中的

表示的基团可以是由选自CY1(1)至CY1(16)中的一个表示的基团。/>

其中，在式CY1(1)至式CY1(16)中，

X₁可以与本文描述的相同，

R₁₁至R₁₄各自与本说明书中关于R₁描述的相同，其中R₁₁至R₁₄各自不是氢，

*表示与式1中的T₁₁的结合位点，以及

*'表示与式1中的T₁的结合位点。

在一个或多于一个的实施方案中，由式1中的

表示的基团可以是由选自CY2(1)至CY2(21)中的一个表示的基团：/>

其中，在式CY2(1)至式CY2(21)中，

X₂与本说明书中描述的相同，

X₂₉可以是O、S、N(R₂₉)、C(R_29a)(R_29b)或Si(R_29a)(R_29b)，

R₂₁至R₂₄、R₂₉、R_29a和R_29b各自与本说明书中关于R₂描述的相同，其中R₂₁至R₂₄各自不是氢，

*表示与式1中的T₁₂的结合位点，

*'表示与式1中的T₁的结合位点，以及

*"表示与式1中的T₂的结合位点。

式CY2(1)至式CY2(4)属于由

表示的基团，其中X₂是氮，并且式CY2(5)至式CY2(13)属于由/>

表示的基团，其中X₂是碳(例如，碳烯部分的碳)。

在一个或多于一个的实施方案中，由式1中的

表示的基团可以是由选自CY3(1)至CY3(12)中的一个表示的基团：

其中，在式CY3(1)至式CY3(12)中，

X₃与本说明书中描述的相同，

X₃₉可以是O、S、N(R₃₉)、C(R_39a)(R_39b)或Si(R_39a)(R_39b)，

R₃₁至R₃₃、R₃₉、R_39a和R_39b各自与本说明书中关于R₃描述的相同，其中R₃₁至R₃₃各自不是氢，

*表示与式1中的T₁₃的结合位点，

*'表示与式1中的T₃的结合位点，以及

*"表示与式1中的T₂的结合位点。

在一个或多于一个的实施方案中，由式1中的

表示的基团可以是由选自CY4(1)至CY4(27)中的一个表示的基团。/>

其中，在式CY4(1)至式CY4(27)中，

X₄与本说明书中描述的相同，

X₄₉可以是O、S、N(R₄₉)、C(R_49a)(R_49b)或Si(R_49a)(R_49b)，

R₄₁至R₄₄、R₄₉、R_49a和R_49b各自与关于R₄描述的相同，并且R₄₁至R₄₄各自不是氢，

*表示与式1中的T₁₄的结合位点，以及

*'表示与式1中的T₃的结合位点。

在实施方案中，含胺的化合物可以是由式8-1表示的化合物。

式8-1

其中，在式8-1中，

Ar₁至Ar₃和x1至x3各自与本文描述的相同，

Z₁₁至Z₁₃可以各自独立地是O或S，

Z₂₁至Z₂₃各自与关于R_10a描述的相同，

y1至y3可以各自独立地是0至4的整数。

式2-1和式2-2中的b51至b53分别表示L₅₁至L₅₃的数量，并且可以各自是1至5的整数。当b51是2或大于2时，两个或多于两个的L₅₁可以彼此相同或不同，当b52是2或大于2时，两个或多于两个的L₅₂可以彼此相同或不同，并且当b53是2或大于2时，两个或多于两个的L₅₃可以彼此相同或不同。在实施方案中，b51至b53可以各自独立地是1或2。

式2-1和式2-2中的L₅₁至L₅₃可以各自独立地是

单键；或者

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、三嗪基基团、芴基基团、二甲基芴基基团、二苯基芴基基团、咔唑基基团、苯基咔唑基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并噻咯基基团、二甲基二苯并噻咯基基团、二苯基二苯并噻咯基基团、-O(Q₃₁)、-S(Q₃₁)、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-P(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)或其任意组合取代的苯基团、萘基团、蒽基团、菲基团、苯并菲基团、芘基团、

基团、环戊二烯基团、呋喃基团、噻吩基团、噻咯基团、茚基团、芴基团、吲哚基团、咔唑基团、苯并呋喃基团、二苯并呋喃基团、苯并噻吩基团、二苯并噻吩基团、苯并噻咯基团、二苯并噻咯基团、氮杂芴基团、氮杂咔唑基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并噻咯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、菲咯啉基团、吡咯基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并噁二唑基团、苯并噻二唑基团、二苯并氧杂硅杂环己二烯基团、二苯并硫杂硅杂环己二烯基团、二苯并二氢氮杂硅杂环己二烯基团、二苯并二氢二氢二硅杂环己二烯基团、二苯并二氢硅杂环己二烯基团、二苯并二氧杂环己二烯基团、二苯并氧杂硫杂环己二烯基团、二苯并噁嗪基团、二苯并吡喃基团、二苯并二硫杂环己二烯基团、二苯并噻嗪基团、二苯并噻喃基团、二苯并环己二烯基团、二苯并二氢吡啶基团、二苯并二氢吡嗪基团、吲哚并咔唑基团、吲哚并二苯并呋喃基团或吲哚并二苯并噻吩基团，

其中Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是氢、氘、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团或三嗪基基团。

在式2-1和式2-2中，X₅₄可以为N或C(R₅₄)，X₅₅可以为N或C(X₅₅)，X₅₆可以为N或C(X₅₆)，并且选自X₅₄至X₅₆中的至少一个可以为N。R₅₄至R₅₆与以上描述的相同。在实施方案中，X₅₄至X₅₆中的两个或三个可以是N。

R₅₁至R₅₇、R_57a、R_57b、R₇₁至R₇₄、R₈₁至R₈₅、R_82a、R_82b、R_83a、R_83b、R_84a和R_84b可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₇-C₆₀芳基烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)。Q₁至Q₃与本说明书中描述的相同。

例如，i)式1中的R₁至R₇、R_5a、R_5b、R_6a、R_6b、R_7a、R_7b、R'和R"，ii)式2-1、式2-2和式3-1至式3-5中的R₅₁至R₅₇、R_57a、R_57b、R₇₁至R₇₄、R₈₁至R₈₅、R_82a、R_82b、R_83a、R_83b、R_84a和R_84b，以及iii)R_10a可以各自独立地是：

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₂₀烷基基团或C₁-C₂₀烷氧基基团；

各自被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₁₀烷基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团或其任意组合取代的C₁-C₂₀烷基基团或C₁-C₂₀烷氧基基团；或者

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、C₁-C₁₀烷基苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、菲咯啉基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并噻唑基基团、苯并异噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、-O(Q₃₁)、-S(Q₃₁)、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-P(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)或其任意组合取代的环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、C₁-C₁₀烷基苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、/>

基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、菲咯啉基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并异噻唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并异噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团或由式91表示的基团；或者

-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

Q₁至Q₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是：

-CH₃、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CH₂CH₃、-CH₂CD₃、-CH₂CD₂H、-CH₂CDH₂、-CHDCH₃、-CHDCD₂H、-CHDCDH₂、-CHDCD₃、-CD₂CD₃、-CD₂CD₂H或-CD₂CDH₂；或者

各自未取代的或者被氘、C₁-C₁₀烷基基团、苯基基团、联苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团、三嗪基基团或其任意组合取代的正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、叔戊基基团、苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团或三嗪基基团。

式91

其中在式91中，

环CY₉₁和环CY₉₂可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₃₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₃₀杂环基团，

X₉₁可以是单键、O、S、N(R₉₁)、B(R₉₁)、C(R_91a)(R_91b)或Si(R_91a)(R_91b)，

R₉₁、R_91a和R_91b可以分别通过参考本文提供的R₈₂、R_82a和R_82b的描述来理解，

R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解，以及

*表示与相邻原子的结合位点。

例如，在式91中，

环CY₉₁和环CY₉₂可以各自独立地是各自未取代的或被至少一个R_10a取代的苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团或三嗪基团，

R₉₁、R_91a和R_91b可以各自独立地是：

氢或C₁-C₁₀烷基基团；或者

各自未取代的或者被氘、C₁-C₁₀烷基基团、苯基基团、联苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团、三嗪基基团或其任意组合取代的苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团或三嗪基基团。

在实施方案中，i)式1中的R₁至R₇、R_5a、R_5b、R_6a、R_6b、R_7a、R_7b、R'和R"，ii)式2-1、式2-2、式3-1至式3-5、式502和式503中的R₅₁至R₅₇、R_57a、R_57b、R₇₁至R₇₄、R₈₁至R₈₅、R_82a、R_82b、R_83a、R_83b、R_84a和R_84b，以及iii)R_10a可以各自独立地是氢、氘、-F、氰基基团、硝基基团、-CH₃、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、由选自式9-1至式9-19中的一个表示的基团、由选自式10-1至式10-246中的一个表示的基团、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)(其中Q₁至Q₃与以上描述的相同)(条件是R_10a不是氢)。

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其中在式9-1至式9-19和式10-1至式10-246中，*表示与相邻原子的结合位点，“Ph”表示苯基基团，并且“TMS”表示三甲基甲硅烷基基团。

式3-1至式3-5中的a71至a74分别表示R₇₁至R₇₄的数量，并且可以各自独立地是0至20的整数。当a71是2或大于2时，两个或多于两个的R₇₁可以彼此相同或不同，当a72是2或大于2时，两个或多于两个的R₇₂可以彼此相同或不同，当a73是2或大于2时，两个或多于两个的R₇₃可以彼此相同或不同，并且当a74是2或大于2时，两个或多于两个的R₇₄可以彼此相同或不同。a71至a74可以各自独立地是0至8的整数。

在式1中，i)a1数量的R₁中的两个或多于两个可以任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，ii)a2数量的R₂中的两个或多于两个可以任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，iii)a3数量的R₃中的两个或多于两个可以任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，iv)a4数量的R₄中的两个或多于两个可以任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，v)R_5a和R_5b可以任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，vi)R_6a和R_6b可以任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，vii)R_7a和R_7b可以任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

在式3-1至式3-5中，L₈₁至L₈₅可以各自独立地是：

单键；或者

*-C(Q₄)(Q₅)-*'或*-Si(Q₄)(Q₅)-*'；或者

基团、环戊二烯基团、呋喃基团、噻吩基团、噻咯基团、茚基团、芴基团、吲哚基团、咔唑基团、苯并呋喃基团、二苯并呋喃基团、苯并噻吩基团、二苯并噻吩基团、苯并噻咯基团、二苯并噻咯基团、氮杂芴基团、氮杂咔唑基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并噻咯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、菲咯啉基团、吡咯基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并噁二唑基团或苯并噻二唑基团，

其中Q₄、Q₅和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是氢、氘、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团或三嗪基基团。

在一些实施方案中，在式3-1和式3-2中，由

表示的基团可以由选自式CY71-1(1)至式CY71-1(8)中的一个表示，和/或，/>

在式3-1和式3-3中，由

表示的基团可以由选自式CY71-2(1)至式CY71-2(8)中的一个表示，和/或，

在式3-2和式3-4中，由

表示的基团可以由选自式CY71-3(1)至式CY71-3(32)中的一个表示，和/或，

在式3-3至式3-5中，由

表示的基团可以由选自式CY71-4(1)至式CY71-4(32)中的一个表示，和/或

在式3-5中，由

表示的基团可以由选自式CY71-5(1)至式CY71-5(8)中的一个表示。/>

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其中，在式CY71-1(1)至式CY71-1(8)、式CY71-2(1)至式CY71-2(8)、式CY71-3(1)至式CY71-3(32)、式CY71-4(1)至式CY71-4(32)和式CY71-5(1)至式CY71-5(8)中，

X₈₁至X₈₅、L₈₁、b81、R₈₁和R₈₅可以分别通过参考本文提供的X₈₁至X₈₅、L₈₁、b81、R₈₁和R₈₅的描述来理解，

X₈₆可以是单键、O、S、N(R₈₆)、B(R₈₆)、C(R_86a)(R_86b)或Si(R_86a)(R_86b)，X₈₇可以是单键、O、S、N(R₈₇)、B(R₈₇)、C(R_87a)(R_87b)或Si(R_87a)(R_87b)，

在式CY71-1(1)至式CY71-1(8)和式CY71-4(1)至式CY71-4(32)中，X₈₆和X₈₇可以不同时是单键，

X₈₈可以是单键、O、S、N(R₈₈)、B(R₈₈)、C(R_88a)(R_88b)或Si(R_88a)(R_88b)，X₈₉可以是单键、O、S、N(R₈₉)、B(R₈₉)、C(R_89a)(R_89b)或Si(R_89a)(R_89b)，

在式CY71-2(1)至式CY71-2(8)、式CY71-3(1)至式CY71-3(32)和式CY71-5(1)至式CY71-5(8)中，X₈₈和X₈₉可以不同时是单键，以及

R₈₆至R₈₉、R_86a、R_86b、R_87a、R_87b、R_88a、R_88b、R_89a和R_89b可以各自通过参考本文提供的R₈₁的描述来理解。

化合物实例

在实施方案中，第一发射体或由式1表示的有机金属化合物可以是选自化合物PD01至化合物PD12中的一种：

在实施方案中，含胺的化合物可以是选自化合物CP01至化合物CP12中的一种：

图1的描述

图1是根据实施方案的发光装置10的示意性横截面视图。发光装置10包括第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层170。

在下文，将参考图1描述根据实施方案的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。

第一电极110

参考图1，衬底可以额外地在第一电极110下方和/或第二覆盖层170上方。作为衬底，可以使用玻璃衬底和/或塑料衬底。在一个或多于一个的实施方案中，衬底可以是柔性衬底，并且可以包含具有优异的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任意组合。

可以通过例如在衬底上沉积和/或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，用于形成第一电极110的材料可以是促进空穴注入的高功函材料。

第一电极110可以是反射电极、半透反射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或其任意组合。在一个或多于一个的实施方案中，当第一电极110是半透反射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任意组合。

第一电极110可以具有由单个层组成的单层结构或者包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

中间层130

中间层130可以在第一电极110上。中间层130可以包括发射层。

中间层130可以进一步包括在第一电极110与发射层之间的空穴传输区和在发射层与第二电极150之间的电子传输区。

除了各种适合的有机材料之外，中间层130可以进一步包含含金属的化合物(例如有机金属化合物)、无机材料(例如量子点)等。

在一些实施方案中，中间层130可以包括：i)依次堆叠在第一电极110与第二电极150之间的两个或多于两个的发射单元，和ii)在相邻两个发射单元之间的电荷产生层。当中间层130包括如以上描述的发射单元和电荷产生层时，发光装置10可以是串联发光装置。

中间层130中的空穴传输区

空穴传输区可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由多种不同材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。

空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。

例如，空穴传输区可以具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，每种结构的层从第一电极110依次堆叠。

空穴传输区可以包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合：

式201

式202

其中，在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

L₂₀₅可以是*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q₂₀₁)-*'、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀亚烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₂₀亚烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，*和*'各自表示与相邻原子的结合位点，

xa1至xa4可以各自独立地是0至5的整数，

xa5可以是1至10的整数，

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

R₂₀₁和R₂₀₂可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团(例如，咔唑基团等)(例如，参见化合物HT16)，

R₂₀₃和R₂₀₄可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，以及

na1可以是1至4的整数，以及R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解。

例如，式201和式202中的每一个可以包含选自由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一种。

式CY201至式CY217中的R_10b和R_10c与关于R_10a描述的相同，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以各自独立地是C₃-C₂₀碳环基团或C₁-C₂₀杂环基团，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可以是未取代的或被R_10a取代。

在一个或多于一个的实施方案中，式CY201至式CY217中的环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以各自独立地是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。

在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含选自由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种。

在一个或多于一个的实施方案中，式201可以包含选自由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种和选自由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。

在一个或多于一个的实施方案中，在式201中，xa1可以是1，R₂₀₁可以是由选自式CY201至式CY203中的一种表示的基团，xa2可以是0，并且R₂₀₂可以是由选自式CY204至式CY207中的一种表示的基团。

在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由选自式CY201至式CY203中的一个表示的基团。

在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由选自式CY201至式CY203中的一个表示的基团，并且可以包含选自由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由选自式CY201至式CY217中的一个表示的基团。

在实施方案中，空穴传输区可以包含化合物HT1至化合物HT46、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化-NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)中的一种或其任意组合：

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空穴传输区的厚度可以是约

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例如，约/>

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当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合时，空穴注入层的厚度可以是约/>

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并且空穴传输层的厚度可以是约/>

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当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以获得适合的或令人满意的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。

发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加发光效率，并且电子阻挡层可以阻挡或减少从发射层至空穴传输区的电子的泄露。可以包含在空穴传输区中的材料可以被包含在发射辅助层和电子阻挡层中。

p-掺杂剂

除了这些材料之外，空穴传输区可以进一步包含用于改善传导性质(例如，导电性质)的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷产生材料组成的单个层的形式)。

电荷产生材料可以是例如p-掺杂剂。

例如，p-掺杂剂的最低未占据分子轨道(LUMO)能级可以是-3.5eV或小于-3.5eV。

在一个或多于一个的实施方案中，p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基基团的化合物、包含元素EL1和元素EL2的化合物或其任意组合。

醌衍生物的实例包括TCNQ、F4-TCNQ等。

含氰基基团的化合物的实例包括HAT-CN和由以下式221表示的化合物。

式221

在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，以及R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解，以及

选自R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可以各自独立地是各自被：氰基基团；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基基团、-F、-Cl、-Br、-I或其任意组合取代的C₁-C₂₀烷基基团；或者其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团。

在包含元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可以是金属、准金属或其任意组合，并且元素EL2可以是非金属、准金属或其任意组合。

金属的实例包括碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；以及镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)。

准金属的实例包括硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)。

非金属的实例包括氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。

包含元素EL1和元素EL2的化合物的实例包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物和/或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物和/或准金属碘化物)、金属碲化物或其任意组合。

金属氧化物的实例包括钨氧化物(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃、W₂O₅等)、钒氧化物(例如，VO、V₂O₃、VO₂、V₂O₅等)、钼氧化物(例如，MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃、Mo₂O₅等)和铼氧化物(例如，ReO₃等)。

金属卤化物的实例包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。

碱金属卤化物的实例包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI。

碱土金属卤化物的实例包括BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂和BaI₂。

过渡金属卤化物的实例包括钛卤化物(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄、TiI₄等)、锆卤化物(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄、ZrI₄等)、铪卤化物(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄、HfI₄等)、钒卤化物(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃、VI₃等)、铌卤化物(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃、NbI₃等)、钽卤化物(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃、TaI₃等)、铬卤化物(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃、CrI₃等)、钼卤化物(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃、MoI₃等)、钨卤化物(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃、WI₃等)、锰卤化物(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂、MnI₂等)、锝卤化物(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂、TcI₂等)、铼卤化物(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂、ReI₂等)、铁卤化物(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂、FeI₂等)、钌卤化物(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂、RuI₂等)、锇卤化物(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂、OsI₂等)、钴卤化物(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂、CoI₂等)、铑卤化物(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂、RhI₂等)、铱卤化物(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂、IrI₂等)、镍卤化物(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂、NiI₂等)、钯卤化物(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂、PdI₂等)、铂卤化物(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂、PtI₂等)、铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)和金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)。

后过渡金属卤化物的实例包括锌卤化物(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂等)、铟卤化物(例如，InI₃等)和锡卤化物(例如，SnI₂等)。

镧系金属卤化物的实例包括YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃、SmI₃等。

准金属卤化物的实例是锑卤化物(例如，SbCl₅等)。

金属碲化物的实例包括碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te、Cs₂Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe、Au₂Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)和镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)。

中间层130中的发射层

当发光装置10是全色发光装置时，根据子像素，可以将发射层图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层的堆叠结构，其中所述两个或多于两个的层彼此接触(例如，物理接触)或彼此隔开以发射白色光。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含发红色光的材料、发绿色光的材料和发蓝色光的材料中的两种或多于两种的材料，其中所述两种或多于两种的材料在单个层中彼此混合在一起以发射白色光。

在实施方案中，除了如本说明书中描述的第一发射体之外，发射层可以进一步包括主体、辅助掺杂剂、敏化剂、延迟荧光材料或其任意组合。

当发射层进一步包括除了第一发射体之外的主体时，第一发射体的量基于100重量份的主体为约0.01重量份至约15重量份。

发射层的厚度可以是约

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当发射层的厚度在这些范围内时，可以获得优异的光发射特性，而没有驱动电压的显著增加。

主体

发射层中的主体可以包含本文描述的电子传输化合物(例如，是指由式2-1和/或式2-2表示的化合物)、本文描述的空穴传输化合物(例如，是指由选自式3-1至式3-5中的一个表示的化合物)或其组合。

在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括碱土金属络合物、后过渡金属络合物或其任意组合。例如，主体可以包括Be络合物(例如，化合物H55)、Mg络合物、Zn络合物或其任意组合。

在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括化合物H1至化合物H130、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)中的一种或其任意组合：

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在实施方案中，主体可以包括含硅的化合物、含氧化膦的化合物或其任意组合。

主体可以具有各种适合的修改。例如，主体可以仅包括一种类型的化合物，或者可以包括两种或多于两种类型的不同化合物。

磷光掺杂剂

发射层可以包含如本文描述的第一发射体作为磷光掺杂剂。

在实施方案中，除了如本说明书中描述的第一发射体之外，发射层可以进一步包含由式401表示的有机金属化合物：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2

式402

其中，在式401和式402中，

M可以是过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L₄₀₁可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，其中当xc1是二或大于二时，两个或多于两个的L₄₀₁可以彼此相同或不同，

L₄₀₂可以是有机配体，并且xc2可以是0、1、2、3或4，其中当xc2是2或大于2时，两个或多于两个的L₄₀₂可以彼此相同或不同，

X₄₀₁和X₄₀₂可以各自独立地是氮或碳，

环A₄₀₁和环A₄₀₂可以各自独立地是C₃-C₆₀碳环基团或者C₁-C₆₀杂环基团，

T₄₀₁可以是单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q₄₁₁)-*'、*-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝*'或*＝C＝*'，*和*'各自表示与相邻原子的结合位点，

X₄₀₃和X₄₀₄可以各自独立地是化学键(例如，共价键或配位键(其也可以称为配位共价键或配价键))、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

Q₄₁₁至Q₄₁₄可以各自与本文关于Q₁描述的相同，

R₄₀₁和R₄₀₂可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解，

Q₄₀₁至Q₄₀₃可以各自与本文关于Q₁描述的相同，

xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，以及

式402中的*和*'各自表示与式401中的M的结合位点。

例如，在式402中，i)X₄₀₁可以是氮，并且X₄₀₂可以是碳，或ii)X₄₀₁和X₄₀₂中的每一个可以是氮。

在一个或多于一个的实施方案中，当式401中的xc1是2或大于2时，两个或多于两个的L₄₀₁中的两个环A₄₀₁可以任选地经由作为连接基团的T₄₀₂彼此连接，或者两个环A₄₀₂可以任选地经由作为连接基团的T₄₀₃彼此连接(参见化合物PD1至化合物PD4和化合物PD7)。T₄₀₂和T₄₀₃可以各自与本文关于T₄₀₁描述的相同。

式401中的L₄₀₂可以是有机配体。例如，L₄₀₂可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮酸酯基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、-C(＝O)、异腈基团、-CN、含磷基团(例如，膦基团、亚磷酸酯基团等)或其任意组合。

荧光掺杂剂

除了如本说明书中描述的第一发射体之外，发射层可以进一步包含荧光掺杂剂。

荧光掺杂剂可以包括芳基胺化合物、苯乙烯基胺化合物、含硼化合物或其任意组合。

例如，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：

式501

其中，在式501中，

Ar₅₀₁、R₅₀₁和R₅₀₂可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，L₅₀₁至L₅₀₃可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解，xd1至xd3可以各自独立地是0、1、2或3，以及

xd4可以是1、2、3、4、5或6。

例如，式501中的Ar₅₀₁可以是其中三个或多于三个的单环基团稠合在一起的稠合环状基团(例如，蒽基团、

基团或芘基团)。

在一个或多于一个的实施方案中，式501中的xd4可以是2。

例如，荧光掺杂剂可以包括：化合物FD1至化合物FD36；DPVBi；DPAVBi中的一种；或其任意组合：

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延迟荧光材料

发射层可以进一步包含延迟荧光材料。

在本说明书中，延迟荧光材料可以选自基于延迟荧光发射机理能够发射延迟荧光的化合物。

根据包含在发射层中的其它材料的类型(或种类)，包含在发射层中的延迟荧光材料可以充当主体或掺杂剂。

在一个或多于一个的实施方案中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可以大于或等于0eV且小于或等于0.5eV。当延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足以上描述的范围时，可以有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的向上转换，并且因此可以改善发光装置10的发光效率。

例如，延迟荧光材料可以包括i)包含至少一个电子供体(例如，富π电子的C₃-C₆₀环状基团，例如咔唑基团)和至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基基团或缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团)的材料，和ii)包含其中两个或多于两个的环状基团稠合在一起同时共用硼(B)的C₈-C₆₀多环基团的材料。

延迟荧光材料的实例可以包括选自以下化合物DF1至化合物DF9中的至少一种：

中间层130中的电子传输区

电子传输区可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由多种不同材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。

所述电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。

例如，电子传输区可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，每种结构的构成层从发射层依次堆叠。

在实施方案中，电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包含含有至少一种缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团的不含金属的化合物。

例如，电子传输区可以包含由以下式601表示的化合物：

式601

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21

其中，在式601中，

Ar₆₀₁可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，L₆₀₁可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解，

xe11可以是1、2或3，

xe1可以是0、1、2、3、4或5，

R₆₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

Q₆₀₁至Q₆₀₃可以各自与本文关于Q₁描述的相同，

xe21可以是1、2、3、4或5，

选自Ar₆₀₁、L₆₀₁和R₆₀₁中的至少一个可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的缺π电子的含氮(二价)C₁-C₆₀环状基团。

例如，当式601中的xe11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar₆₀₁可以经由单键彼此连接。

在其它实施方案中，式601中的Ar₆₀₁可以是取代或未取代的蒽基团。

在其它实施方案中，电子传输区可以包含由式601-1表示的化合物：

式601-1

其中，在式601-1中，

X₆₁₄可以是N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可以是N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可以是N或C(R₆₁₆)，并且选自X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可以是N，

L₆₁₁至L₆₁₃可以各自与本文关于L₆₀₁描述的相同，

xe611至xe613可以各自与本文关于xe1描述的相同，

R₆₁₁至R₆₁₃可以各自与本文关于R₆₀₁描述的相同，以及

R₆₁₄至R₆₁₆可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解。

例如，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。

电子传输区可以包含化合物ET1至化合物ET46、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq₃、BAlq、TAZ、NTAZ中的一种，或其任意组合：

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电子传输区的厚度可以是约

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当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任意组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以各自独立地是约/>

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并且电子传输层的厚度可以是约/>

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至约

当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可以获得适合的或令人满意的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。

除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。

含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碱金属络合物的金属离子可以是Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。

例如，含金属的材料可以包括Li络合物。Li络合物可以包括例如化合物ET-D1(Liq)和/或化合物ET-D2：

电子传输区可以包括促进来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以与第二电极150直接接触(例如，物理接触)。

电子注入层可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由多种不同材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。

电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。

碱金属可以包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合。碱土金属可以包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任意组合。稀土金属可以包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任意组合。

含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以是碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物)和/或碲化物，或者其任意组合。

含碱金属的化合物可以包括：碱金属氧化物，例如Li₂O、Cs₂O和/或K₂O；碱金属卤化物，例如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI、KI、RbI；或其任意组合。含碱土金属的化合物可以包括碱土金属氧化物，例如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(其中x是满足0<x<1的条件的实数)、Ba_xCa_1-xO(其中x是满足0<x<1的条件的实数)等。含稀土金属的化合物可以包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或其任意组合。在一个或多于一个的实施方案中，含稀土金属的化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃和Lu₂Te₃。

碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包含i)选自碱金属、碱土金属和稀土金属的金属离子中的一种，和ii)作为连接至金属离子的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。

电子注入层可以包含以下(例如，由以下组成)：如以上描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。在一个或多于一个的实施方案中，电子注入层可以进一步包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在一个或多于一个的实施方案中，电子注入层可以包括以下(例如，由以下组成)：i)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)；或者ii)a)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)，以及b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合。例如，电子注入层可以是KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层、LiF:Yb共沉积层等。

当电子注入层进一步包含有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合可以均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基体中。

电子注入层的厚度可以是约

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并且例如，约/>

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当电子注入层的厚度在以上描述的范围内时，可以获得适合的或令人满意的电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。

第二电极150

第二电极150可以在具有如以上描述的结构的中间层130上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，并且可以使用各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或其任意组合作为用于第二电极150的材料。

第二电极150可以包含锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任意组合。第二电极150可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。

第二电极150可以具有由单个层构成的单层结构、或包括多个层的多层结构。

第二覆盖层170

第二覆盖层170含有如本说明书中描述的含胺的化合物。含胺的化合物与本说明书中描述的相同。

电子设备

发光装置可以被包括在各种适合的电子设备中。例如，包括发光装置的电子设备可以是发光设备、验证设备等。

除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可以进一步包括：i)滤色器、ii)颜色转换层，或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以在其中从发光装置发射的光进行的至少一个方向上。例如，从发光装置发射的光可以是蓝色光、绿色光或白色光。关于发光装置的更多细节，可以参考以上提供的相关描述。在一个或多于一个的实施方案中，颜色转换层可以包含量子点。

电子设备可以包括第一衬底。第一衬底可以包括多个子像素区域，滤色器可以包括分别对应于子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于子像素区域的多个颜色转换区域。

像素限定层可以位于子像素区域之间以限定子像素区域中的每一个。

滤色器可以进一步包括多个滤色器区域和位于滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可以进一步包括多个颜色转换区域和位于颜色转换区域之间的遮光图案。

多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包括可以发射第一颜色光的第一区域、可以发射第二颜色光的第二区域和/或可以发射第三颜色光的第三区域，其中第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光。例如，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包含量子点。在一些实施方案中，第一区域可以包含红色量子点，第二区域可以包含绿色量子点，并且第三区域可以不包含量子点。对于量子点的更多细节，可以参考本文提供的相关描述。第一区域、第二区域和/或第三区域可以各自进一步包含散射体(例如，光散射体)。

例如，发光装置可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一的第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二的第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三的第一颜色光。在一些实施方案中，第一的第一颜色光、第二的第一颜色光和第三的第一颜色光可以具有不同的最大发射波长。例如，第一光可以是蓝色光，第一的第一颜色光可以是红色光，第二的第一颜色光可以是绿色光，并且第三的第一颜色光可以是蓝色光。

除了如以上描述的发光装置之外，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中选自源电极和漏电极中的任一个可以电连接至选自发光装置的第一电极和第二电极中的任一个。

薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。

有源层可以包含晶体硅、无定形硅、有机半导体、氧化物半导体等。

电子设备可以进一步包括用于密封发光装置的密封部。密封部可以在滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部允许来自发光装置的光被引出至外部，并且并行地(例如，同时地)防止或减少环境空气和/或湿气渗透进入发光装置中。密封部可以是包括透明玻璃衬底和/或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。

根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种适合的功能层可以额外地在密封部上。功能层的实例可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层和/或红外触摸屏层。验证设备可以是例如通过使用生命体的生物测量信息(例如，指尖、瞳孔等)来验证个体的生物测量验证设备。

除了如以上描述的发光装置之外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。

电子设备可以应用于各种适合的显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置和/或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种适合的测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞行器和/或船舶的仪表)、投影仪等。

图2和图3的描述

图2是示出根据本公开内容的实施方案的发光设备的横截面视图。

图2的发光设备包括衬底100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部300。

衬底100可以是柔性衬底、玻璃衬底和/或金属衬底。缓冲层210可以在衬底100上。缓冲层210可以防止或减少杂质渗透通过衬底100，并且可以在衬底100上提供平坦的表面。

TFT可以在缓冲层210上。TFT可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可以包含无机半导体(例如硅和/或多晶硅)、有机半导体和/或氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。

用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可以在有源层220上，并且栅电极240可以在栅绝缘膜230上。

层间绝缘膜250可以在栅电极240上。层间绝缘膜250可以在栅电极240与源电极260之间，并且在栅电极240与漏电极270之间以使彼此绝缘。

源电极260和漏电极270可以在层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅绝缘膜230可以暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可以接触(例如，物理接触)有源层220的源区和漏区的暴露部分。

TFT电连接至发光装置以驱动发光装置，并且可以被钝化层280覆盖和保护。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其任意组合。在钝化层280上提供发光装置。发光装置可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。

第一电极110可以在钝化层280上。钝化层280可以暴露漏电极270的一部分而不完全覆盖漏电极270，并且第一电极110可以连接至漏电极270的暴露部分。

包含绝缘材料的像素限定层290可以在第一电极110上。像素限定层290可以暴露第一电极110的某一区，并且中间层130可以形成在第一电极110的暴露区中。像素限定层290可以是聚酰亚胺和/或聚丙烯酸有机膜。在一些实施方案中，中间层130的至少一些层可以以公共层的形式延伸超过像素限定层290的上部。

第二电极150可以在中间层130上，并且第二覆盖层170可以额外地在第二电极150上。第二覆盖层170可以覆盖第二电极150。

封装部300可以在第二覆盖层170上。封装部300可以在发光装置上以保护发光装置免受湿气和/或氧气。封装部300可以包括：无机膜，所述无机膜包含硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合；有机膜，所述有机膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、基于丙烯酸的树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、基于环氧的树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(AGE)等)或其任意组合；或者无机膜和有机膜的任意组合。

图3示出了显示根据本公开内容的实施方案的发光设备的横截面视图。

图3的发光设备与图2的发光设备基本上相同，但遮光图案500和功能区400额外地在封装部300上。功能区400可以是i)滤色器区域、ii)颜色转换区域、或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方案中，包括在图3的发光设备中的发光装置可以是串联发光装置。

制造方法

可以通过使用诸如真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(Langmuir-Blodgett，LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷、激光诱导热成像等中的各种适合的方法在特定区中形成包括在空穴传输区中的层、发射层和包括在电子传输区中的层。

当通过真空沉积形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层时，取决于待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的真空度和约

/秒至约/>

/秒的沉积速度进行沉积。

术语的定义

如本文使用的术语“C₃-C₆₀碳环基团”是指仅由碳作为成环原子组成并且具有三个至六十个碳原子(例如，3至30、3至20、3至15或3至10个碳原子)的环状基团，并且如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂环基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)并且进一步具有除了碳之外的杂原子作为成环原子的环状基团。C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团可以各自是由一个环组成的单环基团或者其中两个或多于两个的环彼此稠合在一起的多环基团。例如，C₁-C₆₀杂环基团具有3个至61个成环原子(例如，3至30、3至20、3至15或3至10个成环原子)。

如本文使用的术语“环状基团”可以包括C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团。

如本文使用的术语“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”是指具有三个至六十个碳原子(例如，3至30、3至20、3至15或3至10个碳原子)并且不包含*-N＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)并且包含*-N＝*'作为成环部分的杂环基团。

例如，

C₃-C₆₀碳环基团可以是i)基团T1，或者ii)其中两个或多于两个的基团T1彼此稠合在一起的稠合环状基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、

基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团)，

C₁-C₆₀杂环基团可以是i)基团T2，ii)其中两个或多于两个的基团T2彼此稠合在一起的稠合环状基团，或者iii)其中至少一个基团T2和至少一个基团T1彼此稠合在一起的稠合环状基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，

富π电子的C₃-C₆₀环状基团可以是i)基团T1，ii)其中两个或多于两个的基团T1彼此稠合在一起的稠合环状基团，iii)基团T3，iv)其中两个或多于两个的基团T3彼此稠合在一起的稠合环状基团，或者v)其中至少一个基团T3和至少一个基团T1彼此稠合在一起的稠合环状基团(例如，C₃-C₆₀碳环基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)，

缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团可以是i)基团T4，ii)其中两个或多于两个的基团T4彼此稠合在一起的稠合环状基团，iii)其中至少一个基团T4和至少一个基团T1彼此稠合在一起的稠合环状基团，iv)其中至少一个基团T4和至少一个基团T3彼此稠合在一起的稠合环状基团，或者v)其中至少一个基团T4、至少一个基团T1和至少一个基团T3彼此稠合在一起的稠合环状基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，

基团T1可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，

基团T2可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、四嗪基团、吡咯烷基团、咪唑烷基团、二氢吡咯基团、哌啶基团、四氢吡啶基团、二氢吡啶基团、六氢嘧啶基团、四氢嘧啶基团、二氢嘧啶基团、哌嗪基团、四氢吡嗪基团、二氢吡嗪基团、四氢哒嗪基团或二氢哒嗪基团，

基团T3可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，以及

基团T4可以是2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。

如本文使用的术语“环状基团”、“C₃-C₆₀碳环基团”、“C₁-C₆₀杂环基团”、“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”或“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”是指根据相应术语使用的式的结构，与任何环状基团稠合的基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。例如，“苯基团”可以是苯并基团、苯基基团、亚苯基基团等，其可以被本领域普通技术人员根据包括“苯基团”的式的结构容易理解。

单价C₃-C₆₀碳环基团和单价C₁-C₆₀杂环基团的实例包括C₃-C₁₀环烷基基团、C₁-C₁₀杂环烷基基团、C₃-C₁₀环烯基基团、C₁-C₁₀杂环烯基基团、C₆-C₆₀芳基基团、C₁-C₆₀杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团。二价C₃-C₆₀碳环基团和二价C₁-C₆₀杂环基团的实例包括C₃-C₁₀亚环烷基基团、C₁-C₁₀亚杂环烷基基团、C₃-C₁₀亚环烯基基团、C₁-C₁₀亚杂环烯基基团、C₆-C₆₀亚芳基基团、C₁-C₆₀亚杂芳基基团、二价非芳香族稠合多环基团和二价非芳香族稠合杂多环基团。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀烷基基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)的直链或支链脂肪族烃单价基团，并且其实例包括甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3-戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚基基团、异庚基基团、仲庚基基团、叔庚基基团、正辛基基团、异辛基基团、仲辛基基团、叔辛基基团、正壬基基团、异壬基基团、仲壬基基团、叔壬基基团、正癸基基团、异癸基基团、仲癸基基团和叔癸基基团。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚烷基基团”是指具有与C₁-C₆₀烷基基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₂-C₆₀烯基基团”是指在C₂-C₆₀烷基基团的主链(例如，在中间)或末端(例如，端部)处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基团，并且其实例包括乙烯基基团、丙烯基基团和丁烯基基团。如本文使用的术语“C₂-C₆₀亚烯基基团”是指具有与C₂-C₆₀烯基基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₂-C₆₀炔基基团”是指在C₂-C₆₀烷基基团的主链(例如，在中间)或末端(例如，端部)处具有至少一个碳-碳叁键的单价烃基团，并且其实例包括乙炔基基团和丙炔基基团。如本文使用的术语“C₂-C₆₀亚炔基基团”是指具有与C₂-C₆₀炔基基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀烷氧基基团”是指由-OA₁₀₁(其中A₁₀₁是C₁-C₆₀烷基基团)表示的单价基团，并且其实例包括甲氧基基团、乙氧基基团和异丙氧基基团。

如本文使用的术语“C₃-C₁₀环烷基基团”是指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，并且其实例包括环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团(或双环[2.2.1]庚基基团)、双环[1.1.1]戊基基团、双环[2.1.1]己基基团和双环[2.2.2]辛基基团。如本文使用的术语“C₃-C₁₀亚环烷基基团”是指具有与C₃-C₁₀环烷基基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₁₀杂环烷基基团”是指进一步包含除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子的具有1个至10个碳原子的单价环状基团，并且其实例包括1,2,3,4-噁三唑烷基基团、四氢呋喃基基团和四氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基基团”是指具有与C₁-C₁₀杂环烷基基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语C₃-C₁₀环烯基基团是指在其环中具有三个至十个碳原子和至少一个碳-碳双键且没有芳香性(例如，不是芳香族的)的单价环状基团，并且其实例包括环戊烯基基团、环己烯基基团和环庚烯基基团。如本文使用的术语“C₃-C₁₀亚环烯基基团”是指具有与C₃-C₁₀环烯基基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₁₀杂环烯基基团”是指进一步包含除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子和在其环状结构中具有至少一个双键的具有1个至10个碳原子的单价环状基团。C₁-C₁₀杂环烯基基团的实例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基基团、2,3-二氢呋喃基基团和2,3-二氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基基团”是指具有与C₁-C₁₀杂环烯基基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳基基团”是指具有6个至60个碳原子(例如，6至30、6至20、6至15或6至10个碳原子)的碳环芳香族体系的单价基团，并且如本文使用的术语“C₆-C₆₀亚芳基基团”是指具有6个至60个碳原子(例如，6至30、6至20、6至15或6至10个碳原子)的碳环芳香族体系的二价基团。C₆-C₆₀芳基基团的实例包括苯基基团、戊搭烯基基团、萘基基团、甘菊环基基团、引达省基基团、苊基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、

基基团、苝基基团、五苯基基团、庚搭烯基基团、并四苯基基团、苉基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团和卵苯基基团。当C₆-C₆₀芳基基团和C₆-C₆₀亚芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述环可以彼此稠合在一起。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂芳基基团”是指进一步包含除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子的具有1个至60个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)的杂环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚杂芳基基团”是指进一步包含除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子的具有1个至60个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)的杂环芳香族体系的二价基团。C₁-C₆₀杂芳基基团的实例包括吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、苯并喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、喹喔啉基基团、苯并喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、苯并喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲咯啉基基团、酞嗪基基团和萘啶基基团。当C₁-C₆₀杂芳基基团和C₁-C₆₀亚杂芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述环可以彼此稠合在一起。

如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”是指具有彼此稠合的两个或多于两个的环，仅碳原子作为成环原子，并且在其整个分子结构中无芳香性(例如，当视为整体时不是芳香族的)的单价基团(例如，具有8个至60个碳原子，例如8至30、8至20、8至15或8至10个碳原子)。单价非芳香族稠合多环基团的实例包括茚基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团和茚并蒽基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”是指具有与以上描述的单价非芳香族稠合多环基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有彼此稠合的两个或多于两个的环，进一步包含除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子，并且在其整个分子结构中无芳香性(例如，当视为整体时不是芳香族的)的单价基团(例如，具有1个至60个碳原子，例如1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)。单价非芳香族稠合杂多环基团的实例包括吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、萘并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、萘并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、吡唑基基团、咪唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁二唑基基团、噻二唑基基团、苯并吡唑基基团、苯并咪唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并噻唑基基团、苯并噁二唑基基团、苯并噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、咪唑并三嗪基基团、咪唑并吡嗪基基团、咪唑并哒嗪基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、苯并吲哚并咔唑基基团、苯并咔唑基基团、苯并萘并呋喃基基团、苯并萘并噻吩基基团、苯并萘并噻咯基基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基基团和苯并噻吩并二苯并噻吩基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有与以上描述的单价非芳香族稠合杂多环基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳氧基基团”表示-OA₁₀₂(其中A₁₀₂是C₆-C₆₀芳基基团)，并且如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳硫基基团”表示-SA₁₀₃(其中A₁₀₃是C₆-C₆₀芳基基团)。

如本文使用的术语“C₇-C₆₀芳基烷基基团”是指-A₁₀₄A₁₀₅(其中A₁₀₄可以是C₁-C₅₄亚烷基基团，并且A₁₀₅可以是C₆-C₅₉芳基基团)，并且如本文使用的术语“C₂-C₆₀杂芳基烷基基团”是指-A₁₀₆A₁₀₇(其中A₁₀₆可以是C₁-C₅₉亚烷基基团，并且A₁₀₇可以是C₁-C₅₉杂芳基基团)。

如本文使用的术语“R_10a”是指：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团,

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任意组合取代的C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团或C₁-C₆₀烷氧基基团,

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

本说明书中的Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；或者各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团。

如本文使用的术语“杂原子”是指除了碳原子之外的任何适合的原子。杂原子的实例包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se及其任意组合。

如本文使用的术语“第三行过渡金属”包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)、金(Au)等。

如本文使用的“Ph”是指苯基基团，如本文使用的“Me”是指甲基基团，如本文使用的“Et”是指乙基基团，如本文使用的“tert-Bu”或“Bu^t”是指叔丁基基团，并且如本文使用的“OMe”是指甲氧基基团。

如本文使用的术语“联苯基基团”是指“被苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“联苯基基团”是具有C₆-C₆₀芳基基团作为取代基(例如，苯基基团)的取代的苯基基团。

如本文使用的术语“三联苯基基团”是指“被联苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“三联苯基基团”是具有被C₆-C₆₀芳基基团取代的C₆-C₆₀芳基基团(例如，联苯基基团)作为取代基的取代的苯基基团。

除非另外定义，如本文使用的*、*'和*”各自是指在相应的式或部分中与相邻原子的结合位点。

在下文，将参考实施例更详细地描述根据实施方案的发光装置。

实施例

评估例1

根据表1中的方法，评估化合物PD01、化合物PD02、化合物PD04、化合物PD05、化合物PD06、化合物PD07、化合物PD09、化合物A01、化合物A02和化合物A03中的每一种的HOMO能级、LUMO能级、带隙和三重态(T₁)能量。结果示于表2中。

表1

表2

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评估例2

将PMMA在CH₂Cl₂中的溶液和化合物PD01(相对于PMMA为4wt％)混合在一起，并且然后，将由其获得的产物使用旋转涂布机涂覆在石英衬底上，并且然后在80℃的烘箱中热处理，接着冷却至室温以制造具有40nm的厚度的膜PD01。以与用于制备膜PD01基本上相同的方式制备膜PD02、膜PD04、膜PD05、膜PD06、膜PD07、膜PD09、膜A01、膜A02和膜A03，但各自使用化合物PD02、化合物PD04、化合物PD05、化合物PD06、化合物PD07、化合物PD09、化合物A01、化合物A02和化合物A03代替化合物PD01。

通过使用滨松光子有限公司(Hamamatsu Inc.)的Quantaurus-QY Absolute PL量子产率光谱仪(配备有氙光源、单色仪、光子多通道分析仪和积分球，并且使用PLQY测量软件(日本静冈市，滨松光子有限公司))测量膜PD01、膜PD02、膜PD04、膜PD05、膜PD06、膜PD07、膜PD09、膜A01、膜A02和膜A03中的每一种的发射光谱。在测量期间，以10nm的间隔从320nm至380nm扫描激发波长，并且将在340nm的激发波长下测量的光谱用于获得包含在每种膜中的化合物的最大发射波长(发射峰波长)和FWHM。其结果概述于表3中。

表3

从表3可以看出，与化合物A01至化合物A03相比，化合物PD01、化合物PD02、化合物PD04、化合物PD05、化合物PD06、化合物PD07和化合物PD09发射具有相对小的FWHM的绿色光。

评估例3

将化合物CP01沉积在玻璃衬底上以制备具有60nm的厚度的膜CP01。然后，对于膜CP01，根据Cauchy膜模型通过使用椭偏仪M-2000(JA Woollam)在25℃的温度和50％的相对湿度下测量化合物CP01相对于具有530nm波长的光的折射率。其结果示于表4中。对化合物CP02、化合物CP03、化合物CP04、化合物CP06、化合物CP09、化合物CP10、化合物CP11、化合物B01和化合物B02中的每一种进行该实验，并且其结果示于表4中。

表4

膜编号	膜中包含的化合物	对于具有530nm的波长的光的折射率
			CP01	CP01	1.997
CP04	CP04	1.951
			CP06	CP06	2.009
CP09	CP09	1.951
			CP10	CP10	1.974
CP11	CP11	1.951
			B01	B01	1.757
B02	B02	1.844

实施例1

将具有

的厚度的ITO阳极(15欧姆/平方厘米(Ω/cm²))形成在其上的玻璃衬底(可从康宁有限公司(Corning Co.,Ltd)获得)切割成50毫米(mm)×50mm×0.7mm的尺寸，在异丙醇和纯水的每种溶剂中超声5分钟，用紫外线清洁30分钟并且然后用臭氧清洁，并且安装在真空沉积设备上。

将HT3真空沉积在ITO阳极上以形成具有

的厚度的空穴传输层，并且将HT40真空沉积在空穴传输层上以形成具有/>

的厚度的发射辅助层。

将化合物H125、化合物H126和化合物PD01(第一发射体)以45:45:10的重量比真空沉积在发射辅助层上，以形成具有

的厚度的发射层。

将化合物ET37真空沉积在发射层上以形成具有

的厚度的缓冲层，并且将ET46和Liq以5:5的重量比真空沉积在缓冲层上以形成具有/>

的厚度的电子传输层。随后，将Yb真空沉积在电子传输层上以形成具有/>

的厚度的电子注入层，并且然后在其上真空沉积Ag和Mg以形成具有/>

的厚度的阴极。

随后，将化合物CP04真空沉积在阴极上以形成具有

的厚度的覆盖层，从而完成有机发光装置的制造。/>

实施例2至实施例8和比较例1至比较例6、比较例8、比较例9、比较例11、比较例12、比较例14、比较例15和比较例17至比较例20

以与实施例1中基本上相同的方式制造有机发光装置，但使用表5中示出的每一种化合物作为在发射层中形成第一发射体的材料或用于形成覆盖层的材料。

比较例7、比较例10、比较例13和比较例16

以与实施例1中基本上相同的方式制造有机发光装置，但使用表5中示出的每一种化合物作为在发射层中形成第一发射体的材料，并且不形成覆盖层。

评估例4

通过使用亮度计(美能达(Minolta)Cs-1000A)评估根据实施例1至实施例8以及比较例1和比较例20制造的有机发光装置在400cd/m²下的色纯度(CIEx和CIEy坐标)、正面(0°)发光效率(cd/A)和侧面(45°)发光效率(cd/A)。其结果示于表6至表9中。同时，参考表4计算的RCR值也概述在表5中。

表5

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表6

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表7

表8

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表9

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1)从表5和表6可以看出，与比较例1至比较例7和比较例17至比较例20的有机发光装置相比，包括包含铂的第一发射体(发射具有520nm至550nm的最大发射波长的绿色光)并且具有38或小于38的RCR值的实施例1和实施例2的有机发光装置具有相同水平的侧面发光效率和改善的正面发光效率，

2)从表5和表7可以看出，与比较例1至比较例4、比较例8至比较例10和比较例17至比较例20的有机发光装置相比，包括包含铂的第一发射体(发射具有520nm至550nm的最大发射波长的绿色光)并且具有38或小于38的RCR值的实施例3和实施例4的有机发光装置具有相同水平的侧面发光效率和改善的正面发光效率，

3)从表5和表8可以看出，与比较例1至比较例4、比较例11至比较例13和比较例17至比较例20的有机发光装置相比，包括包含铂的第一发射体(发射具有520nm至550nm的最大发射波长的绿色光)并且具有38或小于38的RCR值的实施例3和实施例4的有机发光装置具有相同水平的侧面发光效率和改善的正面发光效率，以及

4)从表5和表9可以看出，与比较例1至比较例4和比较例14至比较例20的有机发光装置相比，包括包含铂的第一发射体(发射具有520nm至550nm的最大发射波长的绿色光)并且具有38或小于38的RCR值的实施例5和实施例6的有机发光装置具有相同水平的侧面发光效率和改善的正面发光效率。

由于本公开内容的实施方案的发光装置同时具有优异的正面发光效率和侧面发光效率，因此可以使用所述发光装置制造高质量电子设备。

应理解，本文描述的实施方案应仅以描述性含义考虑，而非出于限制的目的。每一个实施方案内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方案中的其它类似的特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多于一个的实施方案，但本领域普通技术人员应理解，在不背离由权利要求及其等同物限定的本公开内容的主旨和范围的情况下，可以在本文中进行形式和细节的各种改变。

Claims

1.发光装置，包括：

第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；

覆盖层，

其中所述发射层包含第一发射体，

所述第一发射体发射具有第一发射光谱的第一光，

所述覆盖层处于所述第一光沿着其行进的路径中，

所述第一光的发射峰波长为520nm至550nm，

所述第一发射体包含铂，

所述覆盖层包含含胺的化合物，以及

所述RCR值根据方程式1来计算：

方程式1

CIEy/R(cap)×100

其中，在方程式1中，

R(cap)是所述含胺的化合物相对于具有在所述第一光的发射峰波长的±20nm内的波长的第二光的折射率。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一光的发射峰波长为525nm至545nm。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一光的半高全宽为15nm至60nm。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一光是绿色光。

5.如权利要求1所述的发光装置，其中：

所述第一发射体进一步包含与所述铂键合的第一配体，以及

所述第一发射体满足选自条件A至条件C中的至少一个：

条件A

条件B

所述铂化学键合至所述第一配体的碳、氮和氧；以及

条件C

6.如权利要求1所述的发光装置，其中包含在所述覆盖层中的所述含胺的化合物包括苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、萘并噁唑基团、萘并噻唑基团或其任意组合。

7.如权利要求1所述的发光装置，其中通过所述覆盖层引出到外部的所述第一光的所述RCR值为32.0至38.0。

8.如权利要求1所述的发光装置，其中CIEy为0.715至0.740。

9.如权利要求1所述的发光装置，其中：

所述第二光具有530nm的波长。

10.如权利要求1所述的发光装置，其中：

R(cap)为1.85至2.5。

11.发光装置，包括：

第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；

覆盖层，

其中所述发射层包含第一发射体，

所述第一发射体发射具有第一发射光谱的第一光，

所述覆盖层处于所述第一光沿着其行进的路径中，

所述第一发射体包含铂和与所述铂键合的第一配体，

所述第一发射体满足选自条件A至条件C中的至少一个：

条件A

条件B

所述铂化学键合至所述第一配体的碳、氮和氧；以及

条件C

其中所述覆盖层包含含胺的化合物，以及

12.如权利要求11所述的发光装置，其中所述第一发射体满足全部的条件A至条件C。

13.如权利要求11所述的发光装置，其中所述第一光的发射峰波长为520nm至550nm。

14.如权利要求11所述的发光装置，其中所述第一光的半高全宽为15nm至60nm。

15.如权利要求11所述的发光装置，其中所述第一光是绿色光。

16.如权利要求11所述的发光装置，其中：

所述含胺的化合物相对于具有在所述第一光的发射峰波长的±20nm内的波长的第二光的折射率为1.85至2.5。

17.电子设备，包括权利要求1至16中任一项所述的发光装置。

18.如权利要求17所述的电子设备，其中所述电子设备进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。

19.消费品，包括权利要求1至16中任一项所述的发光装置。

20.如权利要求19所述的消费品，所述消费品是选自平板显示器、曲面显示器、计算机监视器、医疗监视器、TV、广告牌、室内或室外照明和/或信号灯、平视显示器、全透明或部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可拉伸显示器、激光打印机、电话、蜂窝电话、平板电脑、平板手机、个人数字助理、可穿戴设备、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、微型显示器、3D显示器、虚拟和/或增强现实显示器、车辆、包括拼接在一起的多个显示器的视频墙、剧场屏幕或体育场屏幕、光疗装置和标牌中的一种。