CN117119865A - 发光元件、包括其的电子装置及包括其的电子设备 - Google Patents

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CN117119865A CN202310590740.4A CN202310590740A CN117119865A CN 117119865 A CN117119865 A CN 117119865A CN 202310590740 A CN202310590740 A CN 202310590740A CN 117119865 A CN117119865 A CN 117119865A
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金劭姟
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朴赛荣
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Abstract

公开一种发光元件、包括其的电子装置及包括其的电子设备。提供一种包括如下的发光元件的电子装置及包括所述发光元件的电子设备，所述发光元件包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极对向；以及中间层，布置于所述第一电极与所述第二电极之间，其中，所述中间层包括发光层以及电子传输区域，所述电子传输区域布置于所述发光层与所述第二电极之间，所述发光层包括第一发射体，所述电子传输区域包括杂环化合物。针对所述第一发射体及所述杂环化合物的说明参照本说明书中的记载。

Description

发光元件、包括其的电子装置及包括其的电子设备
技术领域
涉及一种发光元件，包括其的电子装置及包括其的电子设备。
背景技术
发光元件中的自发光型元件(例如，有机发光元件等)不仅视角宽、对比度优异，而且响应时间快，且亮度、驱动电压以及响应速度特性优异。
所述发光元件在基板上部布置有第一电极，可以具有在所述第一电极上部依次地布置空穴传输区域(hole transport region)、发光层、电子传输区域(electrontransport region)以及第二电极的结构。从所述第一电极注入的空穴经由空穴传输区域而朝向发光层移动，从第二电极注入的电子经由电子传输区域而朝向发光层移动。诸如所述空穴及电子之类的载流子在发光层区域中再结合而产生激子(exciton)。所述激子从激发态跃迁到基态的同时产生光。
发明内容
提供一种具有低驱动电压及高电源效率的发光元件及包括其的电子装置以及包括其的电子设备。
根据一方面，提供一种发光元件，包括：
第一电极；
第二电极，与所述第一电极对向；以及
中间层，布置于所述第一电极与所述第二电极之间，
其中，所述中间层包括发光层以及电子传输区域，
所述电子传输区域布置于所述发光层与所述第二电极之间，
所述发光层包括第一发射体，
所述第一发射体发出具有第一发光光谱的第一光，
所述第一发射体包括铂，
所述第一发射体的三重态金属-配体电荷转移态(3MLCT：triplet metal-to-ligand charge transfer state)为7％以上，
所述三重态金属-配体电荷转移态是通过执行基于密度泛函理论(DFT)的量子化学计算来进行的评价，
所述电子传输区域包括杂环化合物，
所述杂环化合物包括：
第一部分，包括由下述化学式8-1至下述化学式8-4中的一个来表示的基团；以及
第二部分，包括二嗪基团、三嗪基团或其任意组合，
所述第一部分和所述第二部分通过单键或第一连接基(a first linking group)而彼此结合，
在所述化学式8-1至所述化学式8-4中，
X8为O、S或者Se，
*为与所述第二部分结合的单键或与与所述第二部分结合的第一连接基之间的结合位点。
根据另一方面，提供一种发光元件，包括：
第一电极；
第二电极，与所述第一电极对向；以及
中间层，布置于所述第一电极与所述第二电极之间，
其中，所述中间层包括发光层以及电子传输区域，
所述电子传输区域布置于所述发光层与所述第二电极之间，
所述发光层包括第一发射体，
所述第一发射体发出具有第一发光光谱的第一光，
所述第一发射体为由下述化学式1表示的有机金属化合物，
所述电子传输区域包括杂环化合物，
所述杂环化合物包括：
第一部分，包括由下述化学式8-1至下述化学式8-4中的一个表示的基团；以及
第二部分，包括二嗪基团、三嗪基团或其组合，
所述第一部分和所述第二部分通过单键或第一连接基(a first linking group)彼此结合，
<化学式1>
针对所述化学式1的说明参照本说明书中的记载，
在所述化学式8-1至所述化学式8-4中，
X8为O、S或者Se，
*为与所述第二部分结合的单键或与与所述第二部分结合的第一连接基之间的结合位点。
根据又一方面，提供一种包括所述发光元件的电子装置。
根据又一方面，提供一种包括所述发光元件的电子设备。
所述发光元件具有低驱动电压以及高电源效率，利用该发光元件可以制作出高品质的电子装置及电子设备。
附图说明
图1是示意性地图示根据一实现例的发光元件的结构的图。
图2及图3是分别示意性地图示作为根据一实现例的电子装置之一的发光装置的结构的图。
图4、图5、图6a、图6b以及图6c是分别示意性地图示根据一实现例的电子设备的结构的图。
附图标记说明
10：有机发光元件 110：第一电极
130：中间层 150：第二电极
具体实施方式
所述发光元件可以包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极对向；以及中间层，布置于所述第一电极与所述第二电极之间。
所述中间层可以包括发光层及电子传输区域。
所述电子传输区域可以布置于所述发光层与所述第二电极之间。
所述发光层可以包括第一发射体。所述第一发射体可以发出具有第一发光光谱的第一光。
所述第一光的发光峰值波长(最大发光波长或最大发光峰值波长)可以为510nm至610nm或511nm至604nm。
所述第一光的半峰全宽(FWHM)可以为15nm至85nm。
例如，所述第一光的半峰全宽可以为20nm至85nm、25nm至85nm、15nm至80nm、20nm至80nm、25nm至80nm、15nm至75nm、20nm至75nm、25nm至75nm、15nm至70nm、20nm至70nm、25nm至70nm、15nm至65nm、20nm至65nm、25nm至65nm、15nm至60nm、20nm至60nm或者25nm至60nm。
在本说明书中记载的第一光的发光峰值波长(或最大发光波长)以及半峰全宽可以是通过针对包括所述第一发射体的膜的发光光谱来评价的(例如，参照评价例2)。本说明书中的发光峰值波长表示发光光谱或电致发光光谱中具有最大发光强度的峰值波长。
所述第一光可以是绿色光。
所述第一发射体可以包含铂。
例如，所述第一发射体可以是包含铂的有机金属化合物。所述第一发射体可以为中性(neutral)，并可以包含一个铂，并且可以不包含铂以外的其他过渡金属。
所述第一发射体的三重态金属-配体电荷转移态(3MLCT：triplet metal-to-ligand charge transfer state)可以为7％以上。
例如，所述第一发射体的三重态金属-配体电荷转移态可以为7％至30％、7％至25％、7％至20％、7％至18％、7％至16％、8％至30％、8％至25％、8％至20％、8％至18％、8％至16％、9％至30％、9％至25％、9％至20％、9％至18％或者9％至16％。
所述三重态金属-配体电荷转移态可以通过执行基于密度泛函理论(DFT)的量子化学计算来进行评价(例如，参照下述评价例1)。
根据另一实现例，所述第一发射体除了所述铂之外还可以包括与所述铂结合的第一配体。
根据又一实现例，所述第一发射体可以满足下述<条件A>至<条件C>中的至少一个：
<条件A>
所述第一配体为四齿(tetradentate)配体，
通过所述铂与所述第一配体之间的化学键而形成的环金属化环(cyclometallated ring)为3个；
<条件B>
所述第一配体的碳、氮以及氧各自与所述铂彼此化学键合；
<条件C>
所述第一配体包括咪唑基团、苯并咪唑基团、萘并咪唑基团或其任意组合。
根据又一实现例，所述第一发射体可以将所述<条件A>至所述<条件C>全都满足。
针对所述第一发射体的更详细的说明参照本说明书中的记载。
所述电子传输区域可以包括杂环化合物。
所述杂环化合物可以包括：
第一部分，包括由下述化学式8-1至下述化学式8-4中的一个表示的基团；以及
第二部分，包括二嗪基团(例如，嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团等)、三嗪基团或其任意组合。
针对所述化学式8-1至所述化学式8-4的说明参照后述内容。
所述第一部分和所述第二部分可以通过单键或第一连接基(a first linkinggroup)彼此结合。针对所述第一连接基的说明参照针对后述的化学式8中的*-(Ar3)x3-*'的说明。
在所述化学式8-1至所述化学式8-4中，
X8为O、S或者Se，
*为与所述第二部分结合的单键或与与所述第二部分结合的第一连接基之间的结合位点。
针对所述杂环化合物的更详细的说明参照本说明书中的记载。
所述发光元件包括1)包括所述第一发射体的发光层以及2)包括所述杂环化合物的电子传输区域，从而能够有效地向发光层进行电子传输而可以增加发光层中的电子和空穴的再结合平衡。由此，所述发光元件可以具有低驱动电压及高电源效率，可以利用该发光元件制造高品质的电子装置及电子设备。
根据一实现例，从所述发光元件发出的光的色坐标中的CIEx可以为0.20至0.80或0.23至0.70。
根据另一实现例，从所述发光元件发出的光的色坐标中的CIEy可以为0.20至0.80或0.30至0.71。
根据另一实现例，所述第一发射体可以包括至少一个氘。
根据又一实现例，所述第一发射体可以包括氘代的C1-C20烷基、氘代的C3-C10环烷基或其任意组合。
根据另一实现例，所述第一发射体的最高占据分子轨道(HOMO)能级可以为-5.50eV至-4.70eV或-5.20eV至-4.84eV。
根据又一实现例，所述第一发射体的最低未占分子轨道(LUMO)能级可以为-2.70eV至-1.60eV或-2.55eV至-1.66eV。
所述HOMO能级及所述LUMO能级可以通过针对所述有机金属化合物的循环伏安(Cyclic Voltammetry)分析(例如，评价例1)来进行评价。
根据又一方面，所述第一发射体可以是由下述化学式1表示的有机金属化合物。针对所述化学式1的详细的说明参照本说明书中的记载。
例如，由所述化学式1表示的有机金属化合物可以满足本说明书中记载的第一发射体的三重态金属-配体电荷转移态、第一光条件、HOMO能级和/或LUMO能级。
所述发光层除了如上所述的第一发射体之外还可以包括主体、辅助掺杂剂、感光剂、延迟荧光物质或其任意组合。所述主体、辅助掺杂剂、感光剂、延迟荧光物质或其任意组合中的每一个可以包括至少一个氘。
例如，所述发光层可以包括第一发射体及主体。所述主体可以与所述第一发射体彼此不同，所述主体可以包括电子传输性化合物、空穴传输性化合物、双极性(bipolar)化合物或其任意组合。所述主体可以不包含金属。所述电子传输性化合物、空穴传输性化合物以及双极性化合物分别彼此不同。
根据一实现例，所述发光层可以包括第一发射体及主体，所述主体可以包括电子传输性化合物及空穴传输性化合物。所述电子传输性化合物及所述空穴传输性化合物可以形成激基复合物(exciplex)。
例如，所述电子传输性化合物可以包括至少一个贫π电子的含氮C1-C60环基团。例如，所述电子传输性化合物可以包括吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或其任意组合。
作为又一例，所述空穴传输性化合物包括至少一个富π电子的C3-C60环基团(πelectron-rich C3-C60 cyclic group)、吡啶基团或其组合，并且包括电子传输性基团(例如，除了吡啶基团之外的贫π电子的含氮C1-C60环基团、氰基团、亚砜基团、氧化膦基团等)。
根据一实现例，在所述空穴传输性化合物中可以排除下述化合物。
根据一实现例，所述电子传输性化合物可以包括由下述化学式2-1表示的化合物或由下述化学式2-2表示的化合物：
<化学式2-1>
<化学式2-2>
在所述化学式2-1及所述化学式2-2中，
L51至L53彼此独立地为单键、被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团，
b51至b53彼此独立地为1至5的整数中的一个，
A7至A9彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团(例如，被至少一个R10a取代或未被取代的苯基团、萘基团等)，
X54为N或C(R54)，X55为N或C(R55)，X56为N或C(R56)，X54至X56中的至少一个为N，
X57为O、S、N(R57)、C(R57a)(R57b)或Si(R57a)(R57b)，
针对R51至R57、R57a、R57b以及R10a中的每一个的说明参照本说明书中的记载。
根据另一实现例，所述空穴传输性化合物可以包括由下述化学式3-1表示的化合物、由下述化学式3-2表示的化合物、由下述化学式3-3表示的化合物、由下述化学式3-4表示的化合物、由下述化学式3-5表示的化合物或其任意组合：
<化学式3-1>
<化学式3-2>
<化学式3-3>
<化学式3-4>
<化学式3-5>
在所述化学式3-1至所述化学式3-5中，
环CY71至环CY74彼此独立地为富π电子的C3-C60环基团(例如，苯基团、萘基团、芴基团、蒽基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团等)或吡啶基团，
X82为单键、O、S、N-[(L82)b82-R82]、C(R82a)(R82b)或Si(R82a)(R82b)，
X83为单键、O、S、N-[(L83)b83-R83]、C(R83a)(R83b)或Si(R83a)(R83b)，
X84为O、S、N-[(L84)b84-R84]、C(R84a)(R84b)或Si(R84a)(R84b)，
X85为C或Si，
L81至L85彼此独立地为单键、*-C(Q4)(Q5)-*'、*-Si(Q4)(Q5)-*'、被至少一个R10a取代或未被取代的富π电子的C3-C60环基团(例如，被至少一个R10a取代或未被取代的苯基团、萘基团、芴基团、蒽基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团等)或者被至少一个R10a取代或未被取代的吡啶基团，其中，针对所述Q4及Q5的说明分别参照本说明书中对Q1的说明，
b81至b85分别独立地为1至5的整数中的一个，
针对R71至R74、R81至R85、R82a、R82b、R83a、R83b、R84a以及R84b中的每一个的说明参照本说明书中的记载，
a71至a74分别独立地为0至20的整数中的一个，
针对所述R10a的说明参照本说明书中的记载。
针对所述化学式3-1至所述化学式3-5的说明参照后述内容。
所述电子传输区域可以包括空穴阻挡层、缓冲层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
根据一实现例，所述电子传输区域可以包括电子传输层，在所述电子传输层中可以包括所述杂环化合物。所述电子传输层除了所述杂环化合物之外还可以包括含金属物质。针对所述含金属物质的说明，可以参照本说明书中的记载。
根据另一实现例，包括所述杂环化合物的电子传输层可以与所述发光层直接(directly)接触。
根据又一实现例，所述电子传输区域包括空穴阻挡层及电子传输层，所述空穴阻挡层布置于所述发光层与所述电子传输层之间，在所述空穴阻挡层中不包括所述杂环化合物，而在所述电子传输层中可以包括所述杂环化合物。
在本说明书中，所谓“中间层(或电子传输区域)包括第一发射体(或包括杂环化合物)”可以解释为“中间层(或电子传输区域)可以包括属于所述第一发射体的范畴的一种化合物或属于所述第一发射体的范畴的两种以上的彼此不同的化合物(或者属于所述杂环化合物的范畴的一种化合物或属于所述杂环化合物的范畴的两种以上的彼此不同的化合物)。
在本说明书中，“中间层”是指布置在所述发光元件中的第一电极与第二电极之间的所有单个层和/或多个层的术语。
根据又一方面，提供一种包括如上所述的发光元件的电子装置。所述电子装置还可以包括薄膜晶体管。例如，所述电子装置还包括包含源电极及漏电极的薄膜晶体管，所述发光元件的第一电极可以与所述源电极或所述漏电极电连接。另外，所述电子装置还可以包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。针对所述电子装置的更详细的说明参照本说明书中的记载。
根据又一方面，提供一种包括如上所述的发光元件的电子设备。通过采用本说明书中记载的具有包括第一发射体的发光层以及包括杂环化合物的电子传输区域的发光元件，可以改善所述电子设备的显示品质、耗电量、耐久性等。
例如，所述电子设备可以是平面面板显示器、曲面显示器、计算机显示器、医疗用显示器、电视、广告牌、室内照明、室外照明、信号用灯、平视显示器、全透明显示器、部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲(rollable)显示器、可折叠(foldable)显示器、可拉伸(stretchable)显示器、激光打印机、电话机、便携式电话、平板计算机、平板手机、个人数字助理(PDA)、可穿戴式设备、笔记本计算机、数码相机、摄像机、取景器、微型显示器、3D显示器、虚拟现实显示器、增强现实显示器、车辆、包括多个显示器拼接(tiled)在一起的视频墙、剧院屏幕、体育场屏幕、光疗设备以及招牌中的一种。
针对化学式的说明
例如，所述第一发射体可以是由下述化学式1表示的有机金属化合物：
<化学式1>
在所述化学式1中，
M为铂(Pt)，
X1至X4彼此独立地为N或C，
T11至T14彼此独立地为化学键、O、S、B(R')、N(R')、P(R')、C(R')(R”)、Si(R')(R”)、Ge(R')(R”)、C(＝O)、B(R')(R”)、N(R')(R”)或P(R')(R”)，
在T11为化学键的情形下，X1与M直接(directly)结合，在T12为化学键的情形下，X2与M直接结合，在T13为化学键的情形下，X3与M直接结合，在T14为化学键的情形下，X4与M直接结合，
X1或T11与M之间的化学键、X2或T12与M之间的化学键、X3或T13与M之间的化学键以及X4或T14与M之间的化学键中的两个化学键是配位键，其余两个化学键是共价键，
T1为单键、双键、*-N(R5)-*'、*-B(R5)-*'、*-P(R5)-*'、*-C(R5a)(R5b)-*'、*-Si(R5a)(R5b)-*'、*-Ge(R5a)(R5b)-*'、*-S-*'、*-Se-*'、*-O-*'、*-C(＝O)-*'、*-S(＝O)-*'、*-S(＝O)2-*'、*-C(R5)＝*'、*＝C(R5)-*'、*-C(R5a)＝C(R5b)-*'、*-C(＝S)-*'或*-C≡C-*'，
T2为单键、双键、*-N(R6)-*'、*-B(R6)-*'、*-P(R6)-*'、*-C(R6a)(R6b)-*'、*-Si(R6a)(R6b)-*'、*-Ge(R6a)(R6b)-*'、*-S-*'、*-Se-*'、*-O-*'、*-C(＝O)-*'、*-S(＝O)-*'、*-S(＝O)2-*'、*-C(R6)＝*'、*＝C(R6)-*'、*-C(R6a)＝C(R6b)-*'、*-C(＝S)-*'或*-C≡C-*'，
T3为单键、双键、*-N(R7)-*'、*-B(R7)-*'、*-P(R7)-*'、*-C(R7a)(R7b)-*'、*-Si(R7a)(R7b)-*'、*-Ge(R7a)(R7b)-*'、*-S-*'、*-Se-*'、*-O-*'、*-C(＝O)-*'、*-S(＝O)-*'、*-S(＝O)2-*'、*-C(R7)＝*'、*＝C(R7)-*'、*-C(R7a)＝C(R7b)-*'、*-C(＝S)-*'或*-C≡C-*'，
环CY1、环CY3以及环CY4彼此独立地为C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团，
X21为N或C(R21)，X22为N或C(R22)，X23为N或C(R23)，
X24为O、S、N(R24)或C(R24a)(R24b)，
R1、R21至R24、R24a、R24b、R3至R7、R5a、R5b、R6a、R6b、R7a、R7b、R'以及R”彼此独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60烷基、被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C60烯基、被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C60炔基、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60烷氧基、被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团、被至少一个R10a取代或未被取代的C6-C60芳氧基、被至少一个R10a取代或未被取代的C6-C60芳硫基、被至少一个R10a取代或未被取代的C7-C60芳烷基、被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C60杂芳烷基、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
a1、a3以及a4彼此独立地为0至20的整数中的一个，
*及*'分别为与相邻的原子的结合位点，
i)a1个R1中的两个基团、ii)R21至R23中的两个基团、iii)a3个R3中的两个基团、iv)a4个R4中的两个基团、v)R5a和R5b、vi)R6a和R6b以及vii)R7a和R7b分别选择性地(optionally)通过单键、双键或第一连接基而彼此结合，从而能够形成被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团，
所述R10a可以为，
氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；
被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C2-C60杂芳烷基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或其任意组合取代或未被取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基；
被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C2-C60杂芳烷基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或其任意组合取代或未被取代的C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基或C2-C60杂芳烷基；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，
所述Q1至所述Q3、所述Q11至所述Q13、所述Q21至所述Q23以及所述Q31至所述Q33可以彼此独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；或者被氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合取代或未被取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基团或者C1-C60杂环基团。
根据一实现例，在所述化学式1中，
i)X1和X3可以是C，X2和X4可以是N；或者
ii)X1和X4可以是C，X2和X3可以是N；或者
iii)X1、X2以及X3可以是C，X4可以是N。
根据另一实现例，在所述化学式1中，
T11可以为O或S，
T12至T14各自可以为化学键。
根据又一实现例，在所述化学式1中，
T11可以为O或S，
T12至T14各自可以为化学键，
i)T11与M之间的化学键以及X3与M之间的化学键可以分别为共价键，X2与M之间的化学键以及X4与M之间的化学键可以分别为配位键，或者ii)T11与M之间的化学键以及X4与M之间的化学键可以分别为共价键，X2与M之间的化学键以及X3与M之间的化学键可以分别为配位键。
根据又一实现例，所述化学式1中的T1至T3中的每一个可以为单键。
根据又一实现例，所述化学式1中的环CY1可以为苯基团、萘基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、咔唑基团、芴基团或二苯并噻咯基团。
根据又一实现例，所述化学式1中的X21可以为C(R21)，X22可以为C(R22)，X23可以为C(R23)。
根据又一实现例，所述化学式1中的X24可以为N(R24)。
根据又一实现例，所述化学式1中的环CY3可以为苯基团、萘基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、咔唑基团、芴基团、二苯并噻咯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团或氮杂二苯并噻咯基团。
根据又一实现例，所述化学式1中的环CY4可以为苯基团、萘基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、咔唑基团、芴基团、二苯并噻咯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、咪唑基团、苯并咪唑基团或萘并咪唑基团。
根据又一实现例，所述化学式1中的环CY4可以不是咪唑基团及苯并咪唑基团。
根据又一实现例，所述化学式1中的R1、R21至R24、R24a、R24b、R3至R7、R5a、R5b、R6a、R6b、R7a、R7b、R'以及R”可以彼此独立地为：
氢、氘、-F或氰基；
被氘、-F、氰基或其任意组合取代或未被取代的C1-C20烷基或C3-C10环烷基；或者
被氘、-F、氰基、C1-C20烷基、氘代的C1-C20烷基、氟化C1-C20烷基、苯基、氘代的苯基、氟化苯基、(C1-C20烷基)苯基、联苯基、氘代的联苯基、氟化联苯基、(C1-C20烷基)联苯基或其任意组合取代或未被取代的苯基、联苯基、萘基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基(或噻吩(thienyl)基)。
所述化学式1中的a1、a3以及a4分别表示R1、R3以及R4的数量，例如，可以彼此独立地为0、1、2、3、4、5或6。
根据又一实现例，X24为N(R24)，所述R24可以为被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60烷基、被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团。
根据又一实现例，所述R1、所述R3以及所述R4中的至少一个可以为被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或者被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团。
根据又一实现例，所述化学式1中的由表示的基团可以是由下述化学式CY1(1)至下述化学式CY1(16)中的一个表示的基团：
在所述化学式CY1(1)至所述化学式CY1(16)中，
针对X1的说明参照本说明书中的记载，
针对R11至R14各自的说明与本说明书中的针对R1的说明相同，并且R11至R14各自不为氢，
*为与化学式1中的T11的结合位点，
*'为与化学式1中的T1的结合位点。
根据又一实现例，所述化学式1中的由表示的基团可以是由下述化学式CY3(1)至下述化学式CY3(12)中的一个表示的基团：
在所述化学式CY3(1)至所述化学式CY3(12)中，
针对X3的说明参照本说明书中的记载，
X39为O、S、N(R39)、C(R39a)(R39b)或Si(R39a)(R39b)，
针对R31至R33、R39、R39a以及R39b各自的说明与本说明书中的针对R3的说明相同，并且R31至R33各自不为氢，
*为与化学式1中的T13的结合位点，
*'为与化学式1中的T3的结合位点，
*”为与化学式1中的T2的结合位点。
根据又一实现例，所述化学式1中的由表示的基团可以是由下述化学式CY4(1)至下述化学式CY4(27)中的一个表示的基团：/>
在所述化学式CY4(1)至所述化学式CY4(27)中，
针对X4的说明参照本说明书中的记载，
X49为O、S、N(R49)、C(R49a)(R49b)或Si(R49a)(R49b)，
针对R41至R44、R49、R49a以及R49b各自的说明与本说明书中的针对R4的说明相同，并且R41至R44各自不为氢，
*为与化学式1中的T14的结合位点，
*'为与化学式1中的T3的结合位点。
根据又一实现例，所述化学式1中的由表示的基团可以是由所述化学式CY4(1)至所述化学式CY4(23)中的一个表示的基团。
根据又一实现例，所述R1、R21至R24、R24a、R24b、R3至R7、R5a、R5b、R6a、R6b、R7a、R7b、R'以及R"中的至少一个可以包括至少一个氘。
根据又一实现例，所述R1、R21至R24、R24a、R24b、R3至R7、R5a、R5b、R6a、R6b、R7a、R7b、R'以及R”中的至少一个可以为氘代的C1-C20烷基或氘代的C3-C10环烷基。
另外，所述杂环化合物可以是由下述化学式8表示的化合物：
<化学式8>
在所述化学式8中，
X14为N或C(Z4)，X15为N或C(Z5)，X16为N或C(Z6)，
X14至X16中的两个以上为N，
Ar1至Ar3彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团，
x1至x3彼此独立地为0至10的整数中的一个，
i)在x1为0的情形下，*-(Ar1)x1-*'为单键，ii)在x2为0的情形下，*-(Ar2)x2-*'为单键，iii)在x3为0的情形下，*-(Ar3)x3-*'为单键，*及*'分别为与相邻的原子的结合位点，
Ar13为由下述化学式8-1至下述化学式8-4中的一个表示的基团，
Z1至Z6彼此独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60烷基、被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C60烯基、被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C60炔基、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60烷氧基、被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团、被至少一个R10a取代或未被取代的C6-C60芳氧基、被至少一个R10a取代或未被取代的C6-C60芳硫基、被至少一个R10a取代或未被取代的C7-C60芳烷基、被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C60杂芳烷基、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
y1至y3彼此独立地为0至5的整数中的一个，
所述R10a与所述化学式1中的针对R10a的说明相同：
在所述化学式8-1至所述化学式8-4中，
X8为O、S或Se，
*为与所述化学式8中的Ar3的结合位点。
根据一实现例，所述化学式8中的Ar1至Ar3可以彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的苯基团、萘基团、菲基团、蒽基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、咔唑基团、芴基团或吡啶基团。
所述化学式8中的x1至x3分别表示Ar1至Ar3的数量。在所述x1为2以上的情形下，两个以上的Ar1可以彼此相同或不同，在所述x2为2以上的情形下，两个以上的Ar2可以彼此相同或不同，在所述x3为2以上的情形下，两个以上的Ar3可以彼此相同或不同。例如，在所述化学式8中，x1和x2可以彼此独立地为1至10的整数中的一个，x3可以为0、1或2。
根据一实现例，所述化学式8的x1及x2中的至少一个可以为2以上(例如，2、3、4或5)。
根据另一实现例，所述化学式8中的x1和x2彼此独立地为1至10的整数中的一个，x3为0、1或2，Ar1至Ar3可以彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的苯基团、萘基团、菲基团、蒽基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、咔唑基团、芴基团或吡啶基团。
根据又一实现例，所述化学式8中的x1个Ar1中的一个以上、x2个Ar2中的一个以上或其任意组合可以彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、咔唑基团、芴基团或吡啶基团。
根据又一实现例，所述化学式8中的x1个Ar1中的一个以上、x2个Ar2中的一个以上或其任意组合可以彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团或咔唑基团。
所述化学式8中的Ar13为由所述化学式8-1至所述化学式8-4中的一个表示的基团，非氢的Z3可以取代于Ar13的任意位置。
根据又一实现例，所述化学式8中的Z1至Z6可以彼此独立地为：
氢、氘、-F或氰基；
被氘、-F、氰基或其任意组合取代或未被取代的C1-C20烷基或C3-C10环烷基；
被氘、-F、氰基、C1-C20烷基、氘代的C1-C20烷基、氟化C1-C20烷基、苯基、氘代的苯基、氟化苯基、(C1-C20烷基)苯基、联苯基、氘代的联苯基、氟化联苯基、(C1-C20烷基)联苯基或其任意组合取代或未被取代的苯基、联苯基、萘基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基(或噻吩(thienyl)基)；或
-Si(Q1)(Q2)(Q3)。
此处，针对Q1至Q3各自的说明参照本说明书中的记载。
根据又一实现例，所述Z1至所述Z6中的至少一个可以包括至少一个氘。
根据又一实现例，所述Z1至所述Z6中的至少一个可以是氘代的C1-C20烷基或氘代的C3-C10环烷基。
在所述化学式8中，y1至y3分别表示Z1至Z3的数量，例如，可以是0至5的整数中的一个。例如，y1至y3可以彼此独立地为0、1或2。
在本说明书中，“联苯基”表示具有两个苯基通过单键彼此连接的结构的单价取代基。
在本说明书中，C3-C10环烷基的示例可以包括环戊基、环己基、环庚基、金刚烷基(admantanyl)、降冰片烷基(norbornanyl)等。
在本说明书中，“氘化”包括完全(fully)氘化及部分(partially)氘化两者。
在本说明书中，“氟化”包括完全(fully)氟化及部分(partially)氟化两者。
所述化学式2-1及所述化学式2-2中的b51至b53分别表示L51至L53的数量，可以是1至5的整数中的一个。在所述b51为2以上的情形下，两个以上的L51可以彼此相同或不同，在所述b52为2以上的情形下，两个以上的L52可以彼此相同或不同，在所述b53为2以上的情形下，两个以上的L53可以彼此相同或不同。例如，所述b51至所述b53可以彼此独立地为1或2。
所述化学式2-1及所述化学式2-2中的L51至L53彼此独立地为：
单键；或
被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、芴基、二甲基芴基、二苯基芴基、咔唑基、苯基咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、二甲基二苯并噻咯基、二苯基二苯并噻咯基、-O(Q31)、-S(Q31)、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-P(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)、-P(＝O)(Q31)(Q32)或其任意组合取代或未被取代的苯基团、萘基团、蒽基团，菲基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、基团、环戊二烯基团、呋喃基团、噻吩基团、噻咯基团、茚基团、芴基团、吲哚基团、咔唑基团、苯并呋喃基团、二苯并呋喃基团、苯并噻吩基团、二苯并噻吩基团、苯并噻咯基团、二苯并噻咯基团、氮杂芴基团、氮杂咔唑基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并噻咯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、菲咯啉基团、吡咯基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并噁二唑基团、苯并噻二唑基团、二苯并氧杂硅杂环己二烯基团、二苯并硫杂硅杂环己二烯基团、二苯并二氢氮杂硅杂环己二烯基团、二苯并二氢二硅杂环己二烯基团、二苯并二氢硅杂环己二烯基团、二苯并二噁烯基团、二苯并氧杂硫杂环己二烯基团、二苯并噁嗪基团、二苯并吡喃基团、二苯并二硫杂环己二烯基团、二苯并噻嗪基团、二苯并噻喃基团、二苯并环己二烯基团、二苯并二氢吡啶基团、二苯并二氢吡嗪基团、吲哚并咔唑基团、吲哚并二苯并呋喃基团或吲哚并二苯并噻吩基团，
Q31至Q33可以彼此独立地为氢、氘、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或三嗪基。
在所述化学式2-1及所述化学式2-2中的X54可以为N或C(R54)，X55可以为N或C(R55)，X56可以为N或C(R56)，X54至X56中的至少一个可以为N。针对所述R54至所述R56的说明参照本说明书中的记载。例如，所述X54至所述X56中的两个或三个可以为N。
在本说明书中的R51至R57、R57a、R57b、R71至R74、R81至R85、R82a、R82b、R83a、R83b、R84a以及R84b可以彼此独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60烷基、被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C60烯基、被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C60炔基、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60烷氧基、被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团、被至少一个R10a取代或未被取代的C6-C60芳氧基、被至少一个R10a取代或未被取代的C6-C60芳硫基、被至少一个R10a取代或未被取代的C7-C60芳烷基、被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C60杂芳烷基、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)，-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)。针对所述Q1至所述Q3的说明分别参照本说明书中的记载。
例如，i)所述化学式1中的R1、R21至R24、R24a、R24b、R3至R7、R5a、R5b、R6a、R6b、R7a、R7b、R'以及R”、ii)所述化学式2-1、所述化学式2-2以及所述化学式3-1至所述化学式3-5中的R51至R57、R57a、R57b、R71至R74、R81至R85、R82a、R82b、R83a、R83b、R84a以及R84b以及iii)R10a彼此独立地为：
氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C20烷基或C1-C20烷氧基；
被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羟基、氰基、硝基、C1-C10烷基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基(adamantanyl)、降冰片烷基(norbornanyl)、降冰片烯基(norbornenyl)、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基或其任意组合取代的C1-C20烷基或C1-C20烷氧基；
被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羟基、氰基、硝基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基(adamantanyl)、降冰片烷基(norbornanyl)、降冰片烯基(norbornenyl)、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、C1-C10烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-O(Q31)、-S(Q31)、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-P(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)、P(＝O)(Q31)(Q32)或其任意组合取代或未被取代的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基(adamantanyl)、降冰片烷基(norbornanyl)、降冰片烯基(norbornenyl)、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、C1-C10烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、/>基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基或由化学式91表示的基团；或者/>
-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
Q1至Q3和Q31至Q33各自独立地为：
-CH3、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CH2CH3、-CH2CD3、-CH2CD2H、-CH2CDH2、-CHDCH3、-CHDCD2H、-CHDCDH2、-CHDCD3、-CD2CD3、-CD2CD2H或-CD2CDH2；或者
被氘、C1-C20烷基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任意组合取代或未被取代的正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或三嗪基。
<化学式91>
在所述化学式91中，
环CY91及环CY92彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的C5-C30碳环基团或被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C30杂环基团，
X91为单键、O、S、N(R91)、B(R91)、C(R91a)(R91b)或Si(R91a)(R91b)，
针对R91、R91a以及R91b的说明分别参照本说明书中的针对R82、R82a以及R82b的说明，
针对R10a的说明参照本说明书中的记载，
*为与相邻的原子的结合位点。其中，R10a可能不为氢。
例如，在所述化学式91中，
环CY91及环CY92可以彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团或三嗪基团，
R91、R91a以及R91b可以彼此独立地为：
氢或C1-C10烷基；或
被氘、C1-C10烷基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任意组合取代或未被取代的苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或三嗪基。
根据又一实现例，i)所述化学式1中的R1、R21至R24、R24a、R24b、R3至R7、R5a、R5b、R6a、R6b、R7a、R7b、R'以及R”、ii)所述化学式2-1、所述化学式2-2以及所述化学式3-1至所述化学式3-5中的R51至R57、R57a、R57b、R71至R74、R81至R85、R82a、R82b、R83a、R83b、R84a以及R84b以及iii)R10a可以彼此独立地为氢、氘、-F、氰基、硝基、-CH3、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、由下述化学式9-1至下述化学式9-19中的一个表示的基团、由下述化学式10-1至下述化学式10-246中的一个表示的基团、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)或-P(＝O)(Q1)(Q2)(其中，针对Q1至Q3的说明参照本说明书中的记载)(其中，R10a不为氢)：
/>
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在所述化学式9-1至所述化学式9-19以及所述化学式10-1至所述化学式10-246中，*为与相邻的原子的结合位点，Ph为苯基，TMS为三甲基甲硅烷基。
在所述化学式3-1至所述化学式3-5中，a71至a74分别表示R71至R74的数量，并且可以彼此独立地为0至20的整数中的一个。在所述a71为2以上的情形下，两个以上的R71可以彼此相同或不同，在所述a72为2以上的情形下，两个以上的R72可以彼此相同或不同，在所述a73为2以上的情形下，两个以上的R73可以彼此相同或不同，在a74为2以上的情形下，两个以上的R74可以彼此相同或不同。所述a71至所述a74可以彼此独立地为0至8的整数中的一个。
在所述化学式1中，i)a1个R1中的两个基团、ii)R21至R23中的两个基团、iii)a3个R3中的两个基团、iv)a4个R4中的两个基团、v)R5a和R5b、vi)R6a和R6b以及vii)R7a和R7b分别选择性地(optionally)通过单键、双键或第一连接基而彼此结合，从而能够形成被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团。
另外，在所述化学式3-1至所述化学式3-5中，L81至L85可以彼此独立地为：
单键；
*-C(Q4)(Q5)-*'或*-Si(Q4)(Q5)-*'；或者
被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、芴基、二甲基芴基、二苯基芴基、咔唑基、苯基咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、二甲基二苯并噻咯基、二苯基二苯并噻咯基、-O(Q31)、-S(Q31)、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-P(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)、-P(＝O)(Q31)(Q32)或其任意组合取代或未被取代的苯基团、萘基团、蒽基团，菲基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、基团、环戊二烯基团、呋喃基团、噻吩基团、噻咯基团、茚基团、芴基团、吲哚基团、咔唑基团、苯并呋喃基团、二苯并呋喃基团、苯并噻吩基团、二苯并噻吩基团、苯并噻咯基团、二苯并噻咯基团、氮杂芴基团、氮杂咔唑基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并噻咯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、菲咯啉基团、吡咯基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并噁二唑基团或苯并噻二唑基团，
Q4、Q5、Q31至Q33可以彼此独立地为氢、氘、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或三嗪基。
作为又一示例，所述化学式3-1及所述化学式3-2中的由表示的基团可以是由下述化学式CY71-1(1)至下述化学式CY71-1(8)中的一个表示的基团，和/或
所述化学式3-1及所述化学式3-3中的由表示的基团可以是由下述化学式CY71-2(1)至下述化学式CY71-2(8)中的一个表示的基团，和/或
所述化学式3-2及所述化学式3-4中的由表示的基团可以是由下述化学式CY71-3(1)至下述化学式CY71-3(32)中的一个表示的基团，和/或/>
所述化学式3-3至所述化学式3-5中的由表示的基团可以是由下述化学式CY71-4(1)至下述化学式CY71-4(32)中的一个表示的基团，和/或
所述化学式3-5中的由表示的基团可以是由下述化学式CY71-5(1)至下述化学式CY71-5(8)中的一个表示的基团：/>
/>
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在所述化学式CY71-1(1)至所述化学式CY71-1(8)、所述化学式CY71-2(1)至所述化学式CY71-2(8)、所述化学式CY71-3(1)至所述化学式CY71-3(32)、所述化学式CY71-4(1)至所述化学式CY71-4(32)以及所述化学式CY71-5(1)至所述化学式CY71-5(8)中，
针对X81至X85、L81、b81、R81以及R85的说明分别参照本说明书中的记载，
X86为单键、O、S、N(R86)、B(R86)、C(R86a)(R86b)或Si(R86a)(R86b)，
X87为单键、O、S、N(R87)、B(R87)、C(R87a)(R87b)或Si(R87a)(R87b)，
所述化学式CY71-1(1)至所述化学式CY71-1(8)以及所述化学式CY71-4(1)至所述化学式CY71-4(32)中的X86和X87不同时为单键，
X88为单键、O、S、N(R88)、B(R88)、C(R88a)(R88b)或Si(R88a)(R88b)，
X89为单键、O、S、N(R89)、B(R89)、C(R89a)(R89b)或Si(R89a)(R89b)，
所述化学式CY71-2(1)至所述化学式CY71-2(8)、所述化学式CY71-3(1)至所述化学式CY71-3(32)以及所述化学式CY71-5(1)至所述化学式CY71-5(8)中的X88及X89不同时为单键，
针对R86至R89、R86a、R86b、R87a、R87b、R88a、R88b、R89a以及R89b的说明分别参照本说明书中的针对R81的说明。
化合物具体示例
根据一实现例，所述第一发射体或由所述化学式1表示的有机金属化合物可以是下述化合物PD01至下述化合物PD08中的一种：
根据另一实现例，所述杂环化合物可以是下述化合物ET-1至下述化合物ET-6中的一种：
/>
[对图1的说明]
图1是示意性地示出根据本发明的一实现例的发光元件10的剖面图。所述发光元件10包括第一电极110、中间层130以及第二电极150。
以下，将参照图1对根据本发明的一实现例的发光元件10的结构及制造方法进行如下说明。
[第一电极110]
基板可以附加地布置于图1的第一电极110的下部或第二电极150的上部。作为所述基板，可以使用玻璃基板或塑料基板。或者，所述基板可以是柔性基板，例如，可以包括诸如聚酰亚胺(polyimide)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET：polyethylene terephthalate)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)、聚芳酯(PAR：polyarylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)或其任意组合之类的耐热性及耐久性优异的塑料。
所述第一电极110例如，可以通过在所述基板上部利用沉积法或溅射法等提供第一电极110用物质来形成。在所述第一电极110是阳极的情形下，可以利用能够容易地注入空穴的高功函数物质作为第一电极110用物质。
所述第一电极110可以是反射型电极、半透射型电极或透射型电极。为了形成作为透射型电极的第一电极110，可以利用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)或其任意组合作为第一电极110用物质。或者，为了形成作为半透射型电极或反射型电极的第一电极110，可以利用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任意组合作为第一电极110用物质。
所述第一电极110可以具有由单个层组成(consist of)的单层结构或者包括多个层的多层结构。例如，所述第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。
[中间层130]
中间层130布置于所述第一电极110上部。所述中间层130包括发光层。
所述中间层130还可以包括布置于所述第一电极110与所述发光层之间的空穴传输区域(hole transport region)以及布置于所述发光层与所述第二电极150之间的电子传输区域(electron transport region)。
除了各种有机物之外，所述中间层130还可以包括如有机金属化合物的含金属化合物、如量子点的无机物等。
另外，所述中间层130可以包括：i)两个以上的发光单元(emitting unit)，按序地堆叠在所述第一电极110与所述第二电极150之间；以及ii)电荷产生层(chargegeneration layer)，布置于相邻的两个发光单元之间。在所述中间层130包括如上所述的发光单元及电荷产生层的情形下，所述发光元件10可以是串联(tandem)发光元件。
[中间层130中的空穴传输区域]
所述空穴传输区域可以具有如下结构：i)由利用单一物质组成(consist of)的单个层组成(consist of)的单层结构；ii)由包含多个彼此不同的物质的单个层组成(consist of)的单层结构；或者iii)包括包含多个彼此不同的物质的多个层的多层结构。
所述空穴传输区域可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、电子阻挡层或其任意组合。
例如，所述空穴传输区域可以具有从第一电极110开始依次堆叠的空穴注入层/空穴传输层、空穴注入层/空穴传输层/发光辅助层、空穴注入层/发光辅助层、空穴传输层/发光辅助层或者空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层的多层结构。
所述空穴传输区域可以包括由下述化学式201表示的化合物、由下述化学式202表示的化合物或其任意组合(any combination thereof)：
<化学式201>
<化学式202>
在所述化学式201及所述化学式202中，
L201至L204彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或者被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团，
L205为*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C20亚烷基、被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C20亚烯基、被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或者被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团，
xa1至xa4彼此独立地为0至5的整数中的一个，
xa5为1至10的整数中的一个，
R201至R204以及Q201彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或者被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团，
R201和R202可以选择性地(optionally)通过单键、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C5亚烷基或者被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C5亚烯基彼此连接，以形成被至少一个R10a取代或未被取代的C8-C60多环基团(例如，咔唑基团等)(例如，参照下述化合物HT16等)，
R203和R204可以选择性地(optionally)通过单键、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C5亚烷基或者被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C5亚烯基彼此连接而形成被至少一个R10a取代或未被取代的C8-C60多环基团，
na1可以是1至4的整数中的一个。
例如，所述化学式201及所述化学式202可以分别包括由下述化学式CY201至化学式CY217表示的基团中的至少一个：
在所述化学式CY201至所述化学式CY217中，对R10b及R10c的说明分别参照本说明书中对R10a的说明，并且环CY201至环CY204可以彼此独立地为C3-C20碳环基团或者C1-C20杂环基团，所述化学式CY201至所述化学式CY217中的至少一个氢可以被如在本说明书中记载的R10a取代或未被取代。
根据一实现例，所述化学式CY201至所述化学式CY217中的环CY201至环CY204可以彼此独立地为苯基团、萘基团、菲基团或者蒽基团。
根据另一实现例，所述化学式201及所述化学式202可以分别包括由所述化学式CY201至所述化学式CY203表示的基团中的至少一个。
根据又一实施例，所述化学式201可以分别包括由所述化学式CY201至所述化学式CY203表示的基团中的至少一个以及由所述化学式CY204至所述化学式CY217表示的基团中的至少一个。
根据又一实现例，在所述化学式201中，xa1可以为1，R201可以为由所述化学式CY201至所述化学式CY203中的一个表示的基团，xa2可以为0，R202可以为由所述化学式CY204至所述化学式CY207中的一个表示的基团。
根据又一实现例，所述化学式201及所述化学式202中的每一个可以不包括由所述化学式CY201至所述化学式CY203表示的基团。
根据又一实现例，所述化学式201及所述化学式202中的每一个可以不包括由所述化学式CY201至所述化学式CY203表示的基团，但可以包括由所述化学式CY204至所述化学式CY217表示的基团中的至少一个。
根据又一示例，所述化学式201及所述化学式202中的每一个可以不包括由所述化学式CY201至所述化学式CY217表示的基团。
例如，所述空穴传输区域可以包括下述化合物HT1至化合物HT46中的一个、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化-NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA：4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA：Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS：Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate))、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA：Polyaniline/Camphor sulfonic acid)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS：Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate))或其任意组合：
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所述空穴传输区域的厚度可以为约至约/>(例如，约/>至约)。在所述空穴传输区域包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合的情形下，所述空穴注入层的厚度可以为约/>至约/>(例如，约/>至约/>)，所述空穴传输层的厚度可以为约/>至约/>(例如，约/>至约/>)。在所述空穴传输区域、空穴注入层以及空穴传输层的厚度满足如前述的范围的情形下，可以在不实质性地增大驱动电压的情况下获得令人满意程度的空穴传输特性。
所述发光辅助层是起到通过补偿由从发光层发出的光的波长引起的光学谐振距离而增加光发出效率的作用的层，所述电子阻挡层是起到防止电子从发光层向空穴传输区域泄漏(leakage)的作用的层。上述的可以包括在空穴传输区域的物质可以包含在发光辅助层及电子阻挡层。
[p-掺杂剂]
除了如上所述的物质之外，所述空穴传输区域可以包括用于改善导电性的电荷产生物质。所述电荷产生物质可以均匀地或者不均匀地分散(例如，由电荷产生物质组成(consist of)的单个层的形态)在所述空穴传输区域内。
所述电荷产生物质例如可以是p-掺杂剂。
例如，所述p-掺杂剂的最低未占分子轨道(LUMO)能级可以是-3.5eV以下。
根据一实现例，所述p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基化合物、含元素EL1及元素EL2的化合物或其任意组合。
所述醌衍生物的示例可以包括TCNQ、F4-TCNQ等。
所述含氰基化合物的示例可以包括HAT-CN、由下述化学式221表示的化合物等。
<化学式221>
在所述化学式221中，
R221至R223彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或者被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团，
所述R221至R223中的至少一个可以彼此独立地为被以下基团取代的C3-C60碳环基团或者C1-C60杂环基团：氰基；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基、-F、-Cl、-Br、-I或其任意组合取代的C1-C20烷基；或其任意组合。
在所述含元素EL1及元素EL2的化合物中，元素EL1可以是金属、准金属或者它们的组合，元素EL2可以是非金属、准金属或者它们的组合。
所述金属的示例可以包括：碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；以及镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)等。
所述准金属的示例可以包括硅(Si)、锑(Sb)、碲(Te)等。
所述非金属的示例可以包括氧(O)、卤素(例如，F、Cl、Br、I等)等。
例如，所述含元素EL1及元素EL2的化合物可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物、金属碘化物等)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物、准金属碘化物等)、金属碲化物或其任意组合。
所述金属氧化物的示例可以包括钨氧化物(例如，WO、W2O3、WO2、WO3、W2O5等)、钒氧化物(例如，VO、V2O3、VO2、V2O5等)、钼氧化物(MoO、Mo2O3、MoO2、MoO3、Mo2O5等)、铼氧化物(例如，ReO3等)等。
所述金属卤化物的示例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、镧系金属卤化物等。
所述碱金属卤化物的示例可以包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI、CsI等。
所述碱土金属卤化物的示例可以包括BeF2、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、BeCl2、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2、BeBr2、MgBr2、CaBr2、SrBr2、BaBr2、BeI2、MgI2、CaI2、SrI2、BaI2等。
所述过渡金属卤化物的示例可以包括钛的卤化物(例如，TiF4、TiCl4、TiBr4、TiI4等)、锆的卤化物(例如，ZrF4、ZrCl4、ZrBr4、ZrI4等)、铪的卤化物(例如，HfF4、HfCl4、HfBr4、HfI4等)、钒的卤化物(例如，VF3、VCl3、VBr3、VI3等)、铌的卤化物(例如，NbF3、NbCl3、NbBr3、NbI3等)、钽的卤化物(例如，TaF3、TaCl3、TaBr3、TaI3等)、铬的卤化物(例如，CrF3、CrCl3、CrBr3、CrI3等)、钼的卤化物(例如，MoF3、MoCl3、MoBr3、MoI3等)、钨的卤化物(例如，WF3、WCl3、WBr3、WI3等)、锰的卤化物(例如，MnF2、MnCl2、MnBr2、MnI2等)、锝的卤化物(例如，TcF2、TcCl2、TcBr2、TcI2等)、铼的卤化物(例如，ReF2、ReCl2、ReBr2、ReI2等)、铁的卤化物(例如，FeF2、FeCl2、FeBr2、FeI2等)、钌的卤化物(例如，RuF2、RuCl2、RuBr2、RuI2等)、锇的卤化物(例如，OsF2、OsCl2、OsBr2、OsI2等)、钴的卤化物(例如，CoF2、CoCl2、CoBr2、CoI2等)、铑的卤化物(例如，RhF2、RhCl2、RhBr2、RhI2等)、铱的卤化物(例如，IrF2、IrCl2、IrBr2、IrI2等)、镍的卤化物(例如，NiF2、NiCl2、NiBr2、NiI2等)、钯的卤化物(例如，PdF2、PdCl2、PdBr2、PdI2等)、铂的卤化物(例如，PtF2、PtCl2、PtBr2、PtI2等)、铜的卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银的卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)、金的卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)等。
所述后过渡金属卤化物的示例可以包括锌的卤化物(例如，ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2等)、铟的卤化物(例如，InI3等)、锡的卤化物(例如，SnI2等)等。
所述镧系金属卤化物的示例可以包括YbF、YbF2、YbF3、SmF3、YbCl、YbCl2、YbCl3、SmCl3、YbBr、YbBr2、YbBr3、SmBr3、YbI、YbI2、YbI3、SmI3等。
所述准金属卤化物的示例可以包括锑的卤化物(例如，SbCl5等)等。
所述金属碲化物的示例可以包括碱金属碲化物(例如，Li2Te、Na2Te、K2Te、Rb2Te、Cs2Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe2、ZrTe2、HfTe2、V2Te3、Nb2Te3、Ta2Te3、Cr2Te3、Mo2Te3、W2Te3、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu2Te、CuTe、Ag2Te、AgTe、Au2Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)、镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)等。
[中间层130中的发光层]
在所述发光元件10是全色发光元件的情形下，发光层可以按照独立的子像素被图案化为红色发光层、绿色发光层和/或蓝色发光层。或者，所述发光层可以具有红色发光层、绿色发光层以及蓝色发光层中的两个以上的层以接触或者间隔开的方式堆叠的结构，或者具有红色光发出物质、绿色光发出物质以及蓝色光发出物质中的两个以上的物质不区分层地混合的结构，从而发出白色光。
根据一实现例，所述发光层除了在本说明书中记载的第一发射体之外还可以包含主体、辅助掺杂剂、感光剂、延迟荧光物质或其任意组合。
所述发光层除了所述第一发射体之外还包括主体的情形下，基于100重量份的主体，所述第一发射体的含量可以是约0.01重量份至约15重量份。
所述发光层的厚度可以为约至约/>(例如，约/>至约/>)。在所述发光层的厚度满足上述范围的情形下，可以在不实质性地增大驱动电压的情况下呈现出优异的发光特性。
[主体]
所述发光层中的主体可以包括本说明书中记载的电子传输性化合物(例如，参照由所述化学式2-1或所述化学式2-2表示的化合物)、空穴传输性化合物(例如，参照由所述化学式3-1至所述化学式3-5中的一个表示的化合物)或其组合。
作为又一例，所述主体可以包括碱土金属配合物、后过渡金属配合物或其任意组合。例如，所述主体可以包括Be配合物(例如，下述化合物H55)、Mg配合物、Zn配合物或其任意组合。
作为又一例，所述主体可以包括下述化合物H1至化合物H130中的一个、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN：9,10-Di(2-naphthyl)anthracene)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN：2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN：9,10-di(2-naphthyl)-2-t-butyl-anthracene)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP：4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl)、1,3-二-9-咔唑基苯(mCP：1,3-di-9-carbazolylbenzene)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP：1,3,5-tri(carbazol-9-yl)benzene)或其任意组合：
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
并且，所述主体可以包括含硅化合物、含氧化膦化合物或其任意组合。
所述主体可以仅包括一种化合物，或者可以包括彼此不同的两种以上的化合物等，能够进行多样的变形。
[磷光掺杂剂]
所述发光层可以包括如本说明书中记载的第一发射体作为磷光掺杂剂。
或者，除了如本说明书中记载的第一发射体之外，在所述发光层还可以包括由下述化学式401表示的有机金属化合物：
<化学式401>
M(L401)xc1(L402)xc2；
<化学式402>
在所述化学式401及所述化学式402中，
M为过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或者铥(Tm))，
L401是由所述化学式402表示的配体，xc1可以为1、2或者3，其中，在xc1为2以上的情形下，两个以上的L401彼此相同或不同，
L402为有机配体，xc2为0、1、2、3或者4，在xc2为2以上的情形下，两个以上的L402彼此相同或不同，
X401及X402彼此独立地为氮或者碳，
环A401及环A402彼此独立地为C3-C60碳环基团或者C1-C60杂环基团，
T401为单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q411)-*'、*-C(Q411)(Q412)-*'、*-C(Q411)＝C(Q412)-*'、*-C(Q411)＝*'或者*＝C＝*'，
X403及X404彼此独立地为化学键(例如，共价键或者配位键)、O、S、N(Q413)、B(Q413)、P(Q413)、C(Q413)(Q414)或者Si(Q413)(Q414)，
对所述Q411至所述Q414的说明分别参照本说明书中对Q1的说明，
R401及R402彼此独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C20烷基、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C20烷氧基、被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团、-Si(Q401)(Q402)(Q403)、-N(Q401)(Q402)、-B(Q401)(Q402)、-C(＝O)(Q401)、-S(＝O)2(Q401)或者-P(＝O)(Q401)(Q402)，
对所述Q401至所述Q403的说明分别参照本说明书中对Q1的说明，
xc11及xc12彼此独立地为0至10的整数中的一个，
所述化学式402中的*及*'分别为与所述化学式401中的M的结合位点。
例如，所述化学式402中，i)X401可以是氮，X402可以是碳，或者ii)X401和X402均可以是氮。
作为另一例，在所述化学式401中，在xc1为2以上的情形下，两个以上的L401中的两个环A401选择性地(optionally)通过作为连接基的T402彼此连接，或者两个环A402选择性地通过作为连接基的T403彼此连接(参照下述化合物PD1至化合物PD4以及化合物PD7)。对所述T402及T403的说明分别参照本说明书中对T401的说明。
所述化学式401中的L402可以为任意的有机配体。例如，所述L402可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮(化物)基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸盐基团)、-C(＝O)、异腈基团、-CN基团、磷基团(例如，膦(phosphine)基团、亚磷酸盐(phosphite)基团等)或其任意组合。
[荧光掺杂剂]
所述发光层除了如说明书中记载的第一发射体之外还可以包括荧光掺杂剂。
所述荧光掺杂剂可以包括芳胺化合物、苯乙烯胺化合物、含硼化合物或其任意组合。
例如，所述荧光掺杂剂可以包括由下述化学式501表示的化合物：
<化学式501>
在所述化学式501中，
Ar501、L501至L503、R501以及R502彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或者被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团，
xd1至xd3彼此独立地为0、1、2或者3，并且
xd4可以为1、2、3、4、5或者6。
例如，在所述化学式501中，Ar501可以包括三个以上的单环基团彼此缩合的缩合环基团(例如，蒽基团、基团或者芘基团等)。
作为另一例，在所述化学式501中，xd4可以是2。
例如，所述荧光掺杂剂可以包括：下述化合物FD1至化合物FD36中的一个、DPVBi、DPAVBi或其任意组合：
/>
/>
[延迟荧光物质]
所述发光层还可以包括延迟荧光物质。
在本说明书中，延迟荧光物质可以从能够基于延迟荧光发出机理发出延迟荧光的任意化合物中选择。
根据包括在所述发光层的其他物质的种类，包括在所述发光层的延迟荧光物质可以起到主体或掺杂剂的作用。
根据一实现例，所述延迟荧光物质的三重态能级(eV)与所述延迟荧光物质的单重态能级(eV)之间的差可以是0eV以上且0.5eV以下。通过使所述延迟荧光物质的三重态能级(eV)与所述延迟荧光物质的单重态能级(eV)之间的差满足如上所述的范围，可以有效地实现所述延迟荧光物质中从三重态转变为单重态的反向能量转移(up-conversion)，因此可以改善所述发光元件10的发光效率等。
例如，所述延迟荧光物质可以包括：i)包括至少一个电子供体(例如，咔唑基团之类的富π电子的C3-C60环基团(πelectron-rich C3-C60 cyclic group)等)以及至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基团、贫π电子的含氮C1-C60环基团(πelectron-deficientnitrogen-containing C1-C60 cyclic group)等)的物质；ii)包括包含共用硼(B)而缩合的两个以上的环基团的C8-C60多环基团的物质等。
所述延迟荧光物质的示例可以包括下述化合物DF1至化合物DF14中的至少一个：
[中间层130中的电子传输区域]
所述电子传输区域可以具有如下结构：i)由利用单一物质组成(consist of)的单个层组成(consist of)的单层结构；ii)由包含多个彼此不同的物质的单个层组成(consist of)的单层结构；或者iii)包括包含多个彼此不同物质的多个层的多层结构。
所述电子传输区域可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子调节层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
例如，所述电子传输区域可以具有从发光层开始依次堆叠的电子传输层/电子注入层、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层、电子调节层/电子传输层/电子注入层或者缓冲层/电子传输层/电子注入层等的结构。
所述电子传输区域可以包括如本说明书中记载的杂环化合物(例如，由所述化学式8表示的化合物等)。
例如，所述电子传输区域具有电子传输层和电子注入层依次堆叠的结构，在所述电子传输层可以包括本说明书中记载的杂环化合物。
作为又一例，所述电子传输区域可以具有空穴阻挡层、电子传输层以及电子注入层依次堆叠的结构，在所述电子传输层中可以包括本说明书中记载的杂环化合物。
所述电子传输区域(例如，所述电子传输区域中的缓冲层、空穴阻挡层、电子调节层或者电子传输层)除了如本说明书中记载的杂环化合物之外可以包括包含至少一个贫π电子的含氮C1-C60环基团(πelectron-deficient nitrogen-containing C1-C60 cyclicgroup)的无金属(metal-free)化合物。
例如，所述电子传输区域除了本说明书中记载的杂环化合物之外还可以包括由下述化学式601表示的化合物。
<化学式601>
[Ar601]xe11-[(L601)xe1-R601]xe21。
在所述化学式601中，
Ar601及L601彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或者被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团，
xe11为1、2或者3，
xe1为0、1、2、3、4或者5，
R601为被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团、-Si(Q601)(Q602)(Q603)、-C(＝O)(Q601)、-S(＝O)2(Q601)或者-P(＝O)(Q601)(Q602)，
对所述Q601至Q603的说明分别参照本说明书中对Q1的说明，
xe21为1、2、3、4或者5，
所述Ar601、L601以及R601中的至少一个可以彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的贫π电子的含氮C1-C60环基团。
例如，在所述化学式601中，xe11为2以上的情形下，两个以上的Ar601可以通过单键彼此连接。
作为另一例，在所述化学式601中，Ar601可以为被取代或未被取代的蒽基团。
作为又一例，所述电子传输区域除了本说明书中记载的杂环化合物之外还可以包括由下述化学式601-1表示的化合物：
<化学式601-1>
在所述化学式601-1中，
X614为N或者C(R614)，X615为N或者C(R615)，X616为N或者C(R616)，X614至X616中的至少一个为N，
对L611至L613的说明分别参照对所述L601的说明，
对xe611至xe613的说明分别参照对所述xe1的说明，
对R611至R613的说明分别参照对所述R601的说明，
R614至R616可以彼此独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或者被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团。
例如，在所述化学式601及所述化学式601-1中，xe1及xe611至xe613可以彼此独立地为0、1或者2。
根据一实现例，所述电子传输区域除了本说明书中记载的杂环化合物之外还可以包括下述化合物ET1至化合物ET46中的一个、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP：2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen：4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline)、Alq3、BAlq、TAZ、NTAZ或者其任意组合：
/>
/>
所述电子传输区域的厚度可以为约至约/>(例如，约/>至约)。在所述电子传输区域包括缓冲层、空穴阻挡层、电子调节层、电子传输层或其任意组合的情形下，所述缓冲层、所述空穴阻挡层或者所述电子调节层的厚度可以彼此独立地为约/>至约/>(例如，约/>至约/>)，所述电子传输层的厚度可以为约至约/>(例如，约/>至约/>)。在所述缓冲层、所述空穴阻挡层、所述电子调节层、所述电子传输层和/或所述电子传输区域的厚度满足如前所述的范围的情形下，可以在不实质性地增大驱动电压的情况下获得令人满意程度的电子传输特性。/>
除了如上所述的物质之外，所述电子传输区域(例如，所述电子传输区域中的电子传输层)还可以包括含金属物质。
所述含金属物质可以包括碱金属配合物、碱土金属配合物或其任意组合。所述碱金属配合物的金属离子可以为Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或者Cs离子，所述碱土金属配合物的金属离子可以为Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或者Ba离子。与所述碱金属配合物及碱土金属配合物的金属离子配位的配体可以彼此独立地包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
例如，所述含金属物质可以包括Li配合物。所述Li配合物可以包括例如下述化合物ET-D1(LiQ)或者化合物ET-D2：
所述电子传输区域可以包括使来自第二电极150的电子容易地注入的电子注入层。所述电子注入层可以与所述第二电极150直接(directly)接触。
所述电子注入层可以具有如下结构：i)由利用单一物质组成(consist of)的单个层组成(consist of)的单层结构；ii)由包含多个彼此不同的物质的单个层组成(consistof)的单层结构；或者iii)具有包含多个彼此不同的物质的多个层的多层结构。
所述电子注入层可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或其任意组合。
所述碱金属可以包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合。所述碱土金属可以包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任意组合。所述稀土金属可以包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任意组合。
所述含碱金属化合物、所述含碱土金属化合物以及所述含稀土金属化合物可以包括所述碱金属、所述碱土金属以及所述稀土金属各自的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物、碘化物等)、碲化物或其任意组合。
所述含碱金属化合物可以包括诸如Li2O、Cs2O、K2O等的碱金属氧化物、诸如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI、KI、RbI等的碱金属卤化物或其任意组合。所述含碱土金属化合物可以包括诸如，BaO、SrO、CaO、BaxSr1-xO(x是满足0<x<1的实数)、BaxCa1-xO(x是满足0<x<1的实数)等的碱土金属氧化物。所述含稀土金属化合物可以包括YbF3、ScF3、Sc2O3、Y2O3、Ce2O3、GdF3、TbF3、YbI3、ScI3、TbI3或其任意组合。或者，所述含稀土金属化合物可以包括镧系金属碲化物。所述镧系金属碲化物的示例可以包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La2Te3、Ce2Te3、Pr2Te3、Nd2Te3、Pm2Te3、Sm2Te3、Eu2Te3、Gd2Te3、Tb2Te3、Dy2Te3、Ho2Te3、Er2Te3、Tm2Te3、Yb2Te3、Lu2Te3等。
所述碱金属配合物、所述碱土金属配合物以及所述稀土金属配合物可以包括：i)如上所述的碱金属、碱土金属以及稀土金属的金属离子中的一个；以及ii)与所述金属离子结合的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
所述电子注入层可以仅由如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或其任意组合来组成，或者还可以包括有机物(例如，由所述化学式601表示的化合物)。
根据一实现例，所述电子注入层可以i)由含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)组成(consist of)，或者ii)由a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；以及b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合组成。例如，所述电子注入层可以是KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层、LiF:Yb共沉积层等。
在所述电子注入层还包括有机物的情形下，所述碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或其任意组合可以均匀地或者不均匀地分散在包括所述有机物的基质中。
所述电子注入层的厚度可以为约至约/>约/>至约/>在所述电子注入层的厚度满足如上所述的范围的情形下，可以在不实质性地增大驱动电压的情况下具备令人满意程度的电子注入特性。
[第二电极150]
第二电极150布置于如上所述的中间层130上部。所述第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极(cathode)，此时，可以使用具有低功函数的金属、合金、导电性化合物或其任意组合作为所述第二电极150用物质。
所述第二电极150可以包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任意组合。所述第二电极150可以是透射型电极、半透射型电极或者反射型电极。
所述第二电极150可以具有单个层的单层结构或者包括多个层的多层结构。
[封盖层]
第一封盖层可以布置于第一电极110的外侧，和/或第二封盖层可以布置于第二电极150的外侧。具体地，所述发光元件10可以具有：第一封盖层、第一电极110、中间层130以及第二电极150依次堆叠的结构；第一电极110、中间层130、第二电极150以及第二封盖层依次堆叠的结构；或者第一封盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150以及第二封盖层依次堆叠的结构。
在所述发光元件10的中间层130中，从发光层产生的光可以通过作为半透射型电极或透射型电极的第一电极110以及第一封盖层朝向外部提取，并且在发光元件10的中间层130中，从发光层产生的光可以通过作为半透射型电极或透射型电极的第二电极150以及第二封盖层朝向外部提取。
所述第一封盖层及所述第二封盖层可以根据相长干涉的原理而起到增大外部发光效率的作用。由此，所述发光元件10的光提取效率增大，使得可以改善所述发光元件10的发光效率。
所述第一封盖层及所述第二封盖层中的每一个可以包括具有1.6以上的折射率(在589nm处)的物质。
所述第一封盖层及所述第二封盖层可以彼此独立地为包括有机物的有机封盖层、包括无机物的无机封盖层或者包括有机物及无机物的有机-无机复合封盖层。
所述第一封盖层及所述第二封盖层中的至少一个可以彼此独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟吩衍生物(porphine derivatives)、酞菁衍生物(phthalocyanine derivatives)、萘酞菁衍生物(naphthalocyanine derivatives)、碱金属配合物、碱土金属配合物或其任意组合。所述碳环化合物、杂环化合物以及含胺基化合物可以选择性地被包含有O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任意组合的取代基取代。根据一实现例，所述第一封盖层及所述第二封盖层中的至少一个可以彼此独立地包括含胺基化合物。
例如，所述第一封盖层及所述第二封盖层中的至少一个可以彼此独立地包括由所述化学式201表示的化合物、由所述化学式202表示的化合物或其任意组合。
根据又一实现例，所述第一封盖层及所述第二封盖层中的至少一个可以彼此独立地包括所述化合物HT28至所述化合物HT33中的一个、下述化合物CP1至化合物CP6中的一个、β-NPB或其任意组合：
[电子装置]
所述发光元件10可以包括在各种电子装置中。例如，包括所述发光元件10的电子装置可以是发光装置、认证装置等。
除了所述发光元件10之外，所述电子装置(例如，发光装置)还可以包括：i)滤色器；ii)颜色转换层；或者iii)滤色器及颜色转换层。所述滤色器和/或颜色转换层可以布置于从发光元件10发出的光中的至少一个的行进方向上。例如，从所述发光元件10发出的光可以是蓝色光、绿色光或者白色光。对所述发光元件10的说明参照上述的说明。根据一实现例，所述颜色转换层可以包括量子点。
所述电子装置可以包括第一基板。所述第一基板可以包括多个子像素区域，所述滤色器可以包括与所述多个子像素区域分别对应的多个滤色器区域，所述颜色转换层可以包括与所述多个子像素区域分别对应的多个颜色转换区域。
像素限定膜布置于所述多个子像素区域之间以限定各个子像素区域。
所述滤色器还可以包括多个滤色器区域及布置于多个滤色器区域之间的阻光图案，所述颜色转换层还可以包括多个颜色转换区域及布置于多个颜色转换区域之间的阻光图案。
所述多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)包括：第一区域，发出第一颜色光；第二区域，发出第二颜色光；和/或第三区域，发出第三颜色光，其中，所述第一颜色光、所述第二颜色光和/或所述第三颜色光可以具有彼此不同的最大发光波长。例如，所述第一颜色光可以是红色光，所述第二颜色光可以是绿色光，所述第三颜色光可以是蓝色光。例如，所述多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包括量子点。具体地，所述第一区域可以包括红色量子点，所述第二区域可以包括绿色量子点，并且所述第三区域可以不包括量子点。对于量子点的说明参照本说明书中的记载。所述第一区域、所述第二区域和/或所述第三区域中的每一个还可以包括散射体。
例如，所述发光元件10可以发出第1光，所述第一区域可以吸收所述第1光并发出第1-1颜色光，所述第二区域可以吸收所述第1光并发出第2-1颜色光，所述第三区域可以吸收所述第1光并发出第3-1颜色光。此时，所述第1-1颜色光、所述第2-1颜色光以及所述第3-1颜色光可以具有彼此不同的最大发光波长。具体地，所述第1光可以是蓝色光，所述第1-1颜色光可以是红色光，所述第2-1颜色光可以是绿色光，所述第3-1颜色光可以是蓝色光。
除了如上所述的发光元件10之外，所述电子装置还可以包括薄膜晶体管。所述薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极以及有源层，其中，所述源电极及所述漏电极中的任意一个可以电连接到所述发光元件10的第一电极110及第二电极150中的任意一个。
所述薄膜晶体管还可以包括栅电极、栅极绝缘膜等。
所述有源层可以包括晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等。
所述电子装置还可以包括用于密封发光元件10的密封部。所述密封部可以布置于所述滤色器和/或颜色转换层与所述发光元件10之间。所述密封部可以允许来自所述发光元件10的光被提取到外部，同时防止外部空气及湿气渗透到所述发光元件10。所述密封部可以是包括透明的玻璃基板或塑料基板的密封基板。所述密封部可以是包括一层以上的有机层和/或无机层的薄膜封装层。在所述密封部是薄膜封装层的情形下，所述电子装置可以是柔性的。
在所述密封部上，除了所述滤色器和/或颜色转换层之外，还可以根据所述电子装置的用途而附加地布置多种功能层。所述功能层的示例可以包括触摸屏层、偏振层等。所述触摸屏层可以是压敏式触摸屏层、电容式触摸屏层或者红外线式触摸屏层。所述认证装置例如可以是通过利用生物体(例如，指尖、瞳孔等)的生物体信息来认证个体的生物体认证装置。
除了如上所述的发光元件10之外，所述认证装置还可以包括生物体信息收集单元。
所述电子装置可以应用于各种显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、便携式电话、数码相机、电子手册、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示装置、超声诊断装置、内窥镜用显示装置)、寻鱼器、各种测量仪器、仪表类(例如，用于车辆、飞机、船舶的仪表类)、投影仪等。
[电子设备]
所述发光元件可以包括在各种电子设备。
例如，包括所述发光元件的电子设备可以是平面面板显示器、曲面显示器、计算机显示器、医疗用显示器、电视、广告牌、室内照明、室外照明、信号用灯、平视显示器、全透明显示器、部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲(rollable)显示器、可折叠(foldable)显示器、可拉伸(stretchable)显示器、激光打印机、电话机、便携式电话、平板计算机、平板手机、个人数字助理(PDA)、可穿戴式设备、笔记本计算机、数码相机、摄像机、取景器、微型显示器、3D显示器、虚拟现实显示器、增强现实显示器、车辆、包括多个显示器拼接(tiled)在一起的视频墙、剧院屏幕、体育场屏幕、光疗设备以及招牌中的一种。
所述发光元件具有优异的发光效率、长寿命效果等，因此，包括所述发光元件的所述电子设备可以具有高亮度、高分辨率、低功耗等特性。
[针对图2及图3的说明]
图2是根据本发明的一实施例的作为电子装置之一的发光装置的剖面图。
图2的发光装置包括基板100、薄膜晶体管(TFT)、发光元件以及密封发光元件的封装部300。
所述基板100可以是柔性基板、玻璃基板或者金属基板。缓冲层210可以布置于所述基板100上。所述缓冲层210起到防止杂质通过基板100而渗透且在基板100上部提供平坦的表面的作用。
薄膜晶体管(TFT)可以布置于所述缓冲层210上。所述薄膜晶体管(TFT)可以包括有源层220、栅电极240、源电极260以及漏电极270。
所述有源层220可以包括诸如硅或多晶硅之类的无机半导体、有机半导体或氧化物半导体，并且包括源极区域、漏极区域以及沟道区域。
用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅极绝缘膜230可以布置于所述有源层220的上部，栅电极240可以布置于栅极绝缘膜230上部。
层间绝缘膜250可以布置于所述栅电极240的上部。所述层间绝缘膜250分别布置于栅电极240与源电极260之间以及栅电极240与漏电极270之间，从而起到使栅电极240与源电极260、栅电极240与漏电极270绝缘的作用。
源电极260及漏电极270可以布置于所述层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250及栅极绝缘膜230可以形成为暴露有源层220的源极区域及漏极区域，并且源电极260及漏电极270可以布置为与这种有源层220的暴露的源极区域及漏极区域接触。
如上所述的薄膜晶体管(TFT)可以电连接到发光元件以驱动发光元件，并且可以被钝化层280覆盖而受到保护。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或者它们的组合。发光元件可以设置在钝化层280上。所述发光元件包括第一电极110、中间层130以及第二电极150。
所述第一电极110可以布置于钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270而以暴露漏电极270的预定的区域的方式布置，第一电极110可以布置为与暴露的漏电极270连接。
包括绝缘物的像素限定膜290可以布置于所述第一电极110上。像素限定膜290暴露第一电极110的预定区域，中间层130可以形成在暴露的区域。像素限定膜290可以是聚酰亚胺类有机膜或聚丙烯酸类有机膜。虽然未图示于图2，但中间层130中的一部分以上的层可以延伸至像素限定膜290的上部，并且以公共层的形式布置。
第二电极150可以布置于所述中间层130上，第二封盖层170可以附加地形成在第二电极150上。第二封盖层170可以形成为覆盖第二电极150。
封装部300可以布置于所述第二封盖层170上。封装部300可以布置于发光元件上且具有保护发光元件免受水分或氧气的影响的作用。封装部300可以包括：无机膜，包括硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、铟锡氧化物、铟锌氧化物或者它们的组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂肪烃缩水甘油醚(AGE：aliphatic glycidyl ether)等)或其任意组合；或者无机膜和有机膜的组合。
图3是根据本发明的另一实施例的作为电子装置之一的发光装置的剖面图。
除了阻光图案500及功能性区域400追加地布置于封装部300上部这一点之外，图3的发光装置与图2的发光装置为相同的发光装置。所述功能性区域400可以是：i)滤色器区域；ii)颜色转换区域；或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。根据一实现例，包括在图3的发光装置的发光元件可以是串联发光元件。
[针对图4的说明]
图4是示意性地图示包括根据本发明的一实现例的发光元件的电子设备1的立体图。所述电子设备1作为显示运动图像或静止图像的装置，不仅可以是诸如移动电话(mobile phone)、智能电话(smart phone)、平板个人计算机(tablet personalcomputer)、移动通信终端、电子手册、电子书、便携式多媒体播放器(PMP：portablemultimedia player)或者导航仪、超便携移动个人计算机(UMPC：Ultra Mobile PC)等便携式电子设备，还可以是电视、膝上型计算机、监视器、广告牌或者物联网(IOT：internet ofthings)装置等多种产品或其一部分。并且，所述电子设备1可以是诸如智能手表(smartwatch)、手表电话(watch phone)、眼镜型显示器或头戴式显示器(HMD：head mounteddisplay)之类的可穿戴式装置(wearable device)或其一部分。当然，本发明不限于此。例如，所述电子设备1可以包括布置于汽车的仪表板以及汽车的中央仪表板(center fascia)或仪表盘的中央信息显示器(CID：Center Information Display)、代替车辆的侧视镜的室内镜显示器(room mirror display)、车辆的后座用娱乐装置或布置于前座的背面的显示器、设置于车辆的前方或投影于前窗玻璃的平视显示器(HUD：Head Up Display)、全息增强现实平视显示器(CGH AR HUD：Computer Generated Hologram Augmented Reality HeadUp Display)。为了便于说明，图4图示了所述电子设备1是智能电话的情况。
所述电子设备1可以包括显示区域DA及显示区域DA的外侧的非显示区域NDA。显示装置可以通过二维地排列在显示区域DA的多个像素的阵列来实现图像。
非显示区域NDA作为不显示图像的区域，可以整体地包围显示区域DA。在非显示区域NDA中可以布置有用于向布置在显示区域DA的显示元件提供电信号或电源的驱动器等。在非显示区域NDA中可以布置有作为能够电连接电子元件或印刷电路板等的区域的垫。
所述电子设备1的x轴方向上的长度和y轴方向上的长度可以彼此不同。例如，如图4所图示，所述x轴方向上的长度可以短于所述y轴方向上的长度。在又一示例中，所述x轴方向上的长度可以与所述y轴方向上的长度相同。在又一示例中，所述x轴方向上的长度可以长于所述y轴方向上的长度。
[针对图5及图6a至图6c的说明]
图5是示意性地图示作为包括根据本发明的一实现例的发光元件的电子设备的车辆1000的外部的图。图6a至图6c是示意性地图示根据本发明的多种实现例的车辆1000的内部的图。
参照图5、图6a、图6b以及图6c，车辆1000可以表示一种将诸如人、物体或动物等的被运送体从始发地移动至目的地的多种装置。车辆1000可以包括在道路或轨道上行驶的车辆、在大海或江上移动的船舶以及利用空气的作用在天空飞行的飞机等。
车辆1000可以在道路或轨道上行驶。车辆1000可以根据至少一个车轮的旋转而沿预定的方向移动。例如，车辆1000可以包括三轮汽车或四轮汽车、工程机械、两轮汽车、原动机装置、自行车以及在轨道上行驶的列车。
车辆1000可以包括具有内部装置和外部装置的车体(body)以及作为除了车体之外的剩余部分的设置有行驶所需的机械装置的底盘(chassis)。车体的外部装置可以包括前护板、发动机盖、车顶板、后护板、后备箱、配备于门之间的边界处的立柱。车辆1000的底盘可以包括动力产生装置、动力传递装置、行驶装置、转向装置、制动装置、悬架装置、变速装置、燃料装置、前后左右车轮等。
车辆1000可以包括侧窗玻璃1100、前窗玻璃1200、侧视镜1300、集群(cluster)1400、中心仪表板1500、副驾驶座仪表板1600以及显示装置2。
侧窗玻璃1100及前窗玻璃1200可以借由布置在侧窗玻璃1100与前窗玻璃1200之间的立柱划分。
侧窗玻璃1100可以设置在车辆1000的侧面。在一实施例中，侧窗玻璃1100可以设置于车辆1000的门。侧窗玻璃1100可以被配备为多个，并且可以彼此面对。在一实施例中，侧窗玻璃1100可以包括第一侧窗玻璃1110以及第二侧窗玻璃1120。在一实施例中，第一侧窗玻璃1110可以与集群1400相邻地布置。第二侧窗玻璃1120可以与副驾驶座仪表板1600相邻地布置。
在一实施例中，侧窗玻璃1100可以沿x轴方向或-x轴方向彼此隔开。例如，第一侧窗玻璃1110和第二侧窗玻璃1120可以沿x轴方向或-x轴方向彼此隔开。换句话说，连接侧窗玻璃1100的虚拟的直线L可以沿x轴方向或-x轴方向延伸。例如，将第一侧窗玻璃1110及第二侧窗玻璃1120彼此连接的虚拟的直线L可以沿x轴方向或-x轴方向延伸。
前窗玻璃1200可以设置在车辆1000的前方。前窗玻璃1200可以布置于彼此面对的侧窗玻璃1100之间。
侧视镜1300可以提供车辆1000的后方的视野。侧视镜1300可以设置在车体的外部装置。在一实现例中，侧视镜1300可以配备为多个。多个侧视镜1300中的某一个可以布置于第一侧窗玻璃1110的外侧。多个侧视镜1300中的另一个可以布置于第二侧窗玻璃1120的外侧。
集群1400可以位于方向盘的前方。集群1400可以布置有转速表、速度计、冷却水温度计、燃料表、方向转换指示灯、远光灯指示灯、警告灯、安全带警告灯、里程表、行车记录仪、自动变速选择杆指示灯、门打开警告灯、机油警告灯和/或燃料不足警告灯。
中心仪表板1500可以包括布置有用于调整音频装置、空调装置以及座椅加热器的多个按钮的控制面板。中心仪表板1500可以布置于集群1400的一侧。
副驾驶座仪表板1600可以隔着中心仪表板1500而与集群1400隔开。在一实施例中，集群1400可以与驾驶座(未图示)对应地布置，副驾驶座仪表板1600可以与副驾驶座(未图示)对应地布置。在一实现例中，集群1400可以与第一侧窗玻璃1110相邻，副驾驶座仪表板1600可以与第二侧窗玻璃1120相邻。
在一实施例中，显示装置2可以包括显示面板3，所述显示面板3可以显示图像。显示装置2可以布置在车辆1000的内部。在一实施例中，显示装置2可以布置于彼此面对的侧窗玻璃1100之间。显示装置2可以布置在集群1400、中心仪表板1500以及副驾驶座仪表板1600中的至少任意一个。
显示装置2可以包括有机发光显示装置(Organic Light Emitting DisplayDevice)、无机电致发光(EL)显示装置(Inorganic Electroluminescent DisplayDevice)、量子点显示装置(Quantum dot display device)等。以下，对于根据本发明的一实现例的显示装置2，以包括根据本发明的发光元件的有机发光显示装置为例进行说明，但在本发明的实施例中，可以使用如上所述的多种方式的显示装置。
参照图6a，显示装置2可以布置于中心仪表板1500。在一实现例中，显示装置2可以显示导航信息。在一实现例中，显示装置2可以显示与音频、视频或车辆设定相关的信息。
参照图6b，显示装置2可以布置于集群1400。在这样的情况下，集群1400可以借由显示装置2显示运行信息等。即，集群1400可以以数字方式实现。数字方式的集群1400可以将车辆信息及行驶信息显示为图像。例如，转速表的针及测量仪和各种警告灯图标可以借由数字信号显示。
参照图6c，显示装置2可以布置于副驾驶座仪表板1600。显示装置2可以埋设于副驾驶座仪表板1600或位于副驾驶座仪表板1600上。在一实现例中，布置在副驾驶座仪表板1600的显示装置2可以显示与显示在集群1400的信息和/或显示在中心仪表板1500的信息相关的图像。在另一实施例中，布置在副驾驶座仪表板1600的显示装置2可以显示与显示在集群1400的信息和/或显示在中心仪表板1500的信息不同的信息。
[制造方法]
包括在所述空穴传输区域的各个层、发光层以及包括在电子传输区域的各个层分别可以通过利用真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗格缪尔-布洛杰特法(LB：Langmuir-Blodgett)、喷墨印刷法、激光印刷法、激光热转印法(LITI：Laser Induced ThermalImaging)等之类的多种方法形成在预定区域。
在通过真空沉积法来分别形成包括在所述空穴传输区域的各个层、发光层以及包括在电子传输区域的各个层的情形下，可以在约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8托至约10-3托的真空度以及约/秒至约/>/秒的沉积速度范围内，考虑欲包括在要形成的层中的材料及要形成的层的结构而选择沉积条件。
[术语的定义]
在本说明书中C3-C60碳环基团是指仅利用碳作为成环原子组成的碳原子数为3至60的环基团，C1-C60杂环基团是指除了碳之外，还包括杂原子作为成环原子的碳原子数为1至60的环基团。所述C3-C60碳环基团及C1-C60杂环基团可以分别是由一个环组成的单环基团或者是两个以上的环彼此缩合的多环基团。例如，所述C1-C60杂环基团的成环原子数可以是3个至61个。
在本说明书中环基团包括所述C3-C60碳环基团及C1-C60杂环基团这两者。
在本说明书中，富π电子的C3-C60环基团(πelectron-rich C3-C60 cyclic group)是指不包括*-N＝*'作为成环部分的碳原子数为3至60的环基团，贫π电子的含氮C1-C60环基团(πelectron-deficient nitrogen-containing C1-C60 cyclic group)是指包括*-N＝*'作为成环部分的碳原子数为1至60的杂环基团。
例如，
所述C3-C60碳环基团可以是：i)基团T1；或者ii)两个以上的基团T1彼此缩合的缩合环基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、基团、苝基团、戊芬基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蒄基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或者茚并蒽基团)，
所述C1-C60杂环基团可以是：i)基团T2；ii)两个以上的基团T2彼此缩合的缩合环基团；或者iii)一个以上的基团T2和一个以上的基团T1彼此缩合的缩合环基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
所述富π电子的C3-C60环基团可以是：i)基团T1；ii)两个以上的基团T1彼此缩合的缩合环基团；iii)基团T3；iv)两个以上的基团T3彼此缩合的缩合环基团；或者v)一个以上的基团T3和一个以上的基团T1彼此缩合的缩合环基团(例如，所述C3-C60碳环基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯(borole)基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)，
所述贫π电子的含氮C1-C60环基团可以是：i)基团T4；ii)两个以上的基团T4彼此缩合的缩合环基团；iii)一个以上的基团T4和一个以上的基团T1彼此缩合的缩合环基团；iv)一个以上的基团T4和一个以上的基团T3彼此缩合的缩合环基团；或者v)一个以上的基团T4、一个以上的基团T1及一个以上的基团T3彼此缩合的缩合环基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
所述基团T1可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷(adamantane)基团、降冰片烷(norbornane)(或双环[2.2.1]庚烷(bicyclo[2.2.1]heptane))基团、降冰片烯(norbornene)基团、双环[1.1.1]戊烷(bicyclo[1.1.1]pentane)基团、双环[2.1.1]己烷(bicyclo[2.1.1]hexane)基团、双环[2.2.2]辛烷基团或者苯基团，
所述基团T2可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯(borole)基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑(isoxazole)基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、四嗪基团、吡咯烷基团、咪唑烷基团、二氢吡咯基团、哌啶基团、四氢吡啶基团、二氢吡啶基团、六氢嘧啶基团、四氢嘧啶基团、二氢嘧啶基团、哌嗪基团、四氢吡嗪基团、二氢吡嗪基团、四氢哒嗪基团或者二氢哒嗪基团，
所述基团T3可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团或者硼杂环戊二烯(borole)基团，并且
所述基团T4可以是2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑(isoxazole)基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或者四嗪基团。
在本说明书中的术语环基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、富π电子的C3-C60环基团或贫π电子的含氮C1-C60环基团是指根据使用该术语的化学式的结构与任意环基团缩合的基团，可以是单价基团或者多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。例如，“苯基团”可以是苯并基团、苯基、亚苯基等，本领域普通技术人员可以根据包括“苯基团”的化学式的结构而容易地理解。
例如，单价C3-C60碳环基团及单价C1-C60杂环基团的示例可以包括C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳香族缩合多环基团以及单价非芳香族缩合杂多环基团；二价C3-C60碳环基团及二价C1-C60杂环基团的示例可以包括C3-C10亚环烷基、C1-C10亚杂环烷基、C3-C10亚环烯基、C1-C10亚杂环烯基、C6-C60亚芳基、C1-C60亚杂芳基、二价非芳香族缩合多环基团以及二价非芳香族缩合杂多环基团。
在本说明书中C1-C60烷基是指碳原子数为1至60的直链型或支链型的脂肪烃单价(monovalent)基团，其具体示例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基、叔癸基等。本说明书中的C1-C60亚烷基是指具有与所述C1-C60烷基相同结构的二价(divalent)基团。
在本说明书中C2-C60烯基是指在C2-C60烷基的中间或者末端包括一个以上的碳-碳双键的单价烃基团，其具体示例包括乙烯基、丙烯基、丁烯基等。在本说明书中C2-C60亚烯基是指具有与所述C2-C60烯基相同结构的二价基团。
在本说明书中C2-C60炔基是指在C2-C60烷基的中间或者末端包括一个以上的碳-碳三键的单价烃基团，其具体示例包括乙炔基、丙炔基等。本说明书中C2-C60亚炔基是指具有与所述C2-C60炔基相同结构的二价基团。
在本说明书中C1-C60烷氧基是指具有-OA101(其中，A101是所述C1-C60烷基)的化学式的单价基团，其具体示例包括甲氧基、乙氧基、异丙氧基等。
在本说明书中C3-C10环烷基是指碳原子数为3至10的单价饱和烃环基团，其具体示例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基(adamantanyl)、降冰片烷基(norbornanyl)(或双环[2.2.1]庚基(bicyclo[2.2.1]heptyl))、双环[1.1.1]戊基(bicyclo[1.1.1]pentyl)、双环[2.1.1]己基(bicyclo[2.1.1]hexyl)、双环[2.2.2]辛基等。在本说明书中C3-C10亚环烷基是指具有与C3-C10环烷基相同结构的二价基团。
在本说明书中C1-C10杂环烷基是指除了碳原子之外，还包括至少一个杂原子作为成环原子的碳原子数为1至10的单价环基团，其具体示例包括1,2,3,4-噁三唑烷基(1,2,3,4-oxatriazolidinyl)、四氢呋喃基(tetrahydrofuranyl)、四氢噻吩基等。在本说明书中C1-C10亚杂环烷基是指具有与所述C1-C10杂环烷基相同结构的二价基团。
在本说明书中C3-C10环烯基是指碳原子数为3至10的单价环基团，其表示在环内具有至少一个碳-碳双键，但不具有芳香性(aromaticity)的基团，其具体示例包括环戊烯基、环己烯基、环庚烯基等。在本说明书中C3-C10亚环烯基是指与所述C3-C10环烯基具有相同结构的二价基团。
在本说明书中C1-C10杂环烯基是指除了碳原子之外还包括至少一个杂原子作为成环原子的碳原子数为1至10的单价环基团，在环内具有至少一个双键。所述C1-C10杂环烯基的具体示例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基、2,3-二氢噻吩基等。在本说明书中C1-C10亚杂环烯基是指具有与所述C1-C10杂环烯基相同结构的二价基团。
在本说明书中C6-C60芳基是指具有碳原子数为6至60的碳环芳香族体系的单价(monovalent)基团，C6-C60亚芳基是指具有碳原子数为6至60的碳环芳香族体系的二价(divalent)基团。所述C6-C60芳基的具体示例包括苯基、并环戊二烯基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基等。在所述C6-C60芳基及C6-C60亚芳基包括两个以上的环的情况下，所述两个以上的环可以彼此缩合。
在本说明书中C1-C60杂芳基是指除了碳原子以外，还包括至少一个杂原子作为成环原子且具有碳原子数为1至60的杂环芳香族体系的单价基团，C1-C60亚杂芳基是指除了碳原子以外，还包括至少一个杂原子作为成环原子且具有碳原子数为1至60的杂环芳香族体系的二价基团。所述C1-C60杂芳基的具体示例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基、萘啶基等。在所述C1-C60杂芳基及C1-C60亚杂芳基包括两个以上的环的情况下，两个以上的环可以彼此缩合。
在本说明书中单价非芳香族缩合多环基团(non-aromatic condensedpolycyclic group)是指两个以上的环彼此缩合，并且作为成环原子仅包括碳原子，且整个分子具有非芳香性(non-aromaticity)的单价基团(例如，具有8至60的碳原子数)。所述单价非芳香族缩合多环基团的具体示例包括茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基、茚并蒽基等。在本说明书中二价非芳香族缩合多环基团是指具有与所述单价非芳香族缩合多环基团相同结构的二价基团。
在本说明书中单价非芳香族缩合杂多环基团(non-aromatic condensedheteropolycyclic group)是指两个以上的环彼此缩合，并且除了碳原子以外还包括至少一个杂原子作为成环原子，且整个分子具有非芳香性的单价基团(例如，具有1至60的碳原子数)。所述单价非芳香族缩合杂多环基团的具体示例包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二并苯并噻吩基等。在本说明书中二价非芳香族缩合杂多环基团是指具有与所述单价非芳香族缩合杂多环基团相同结构的二价基团。
在本说明书中C6-C60芳氧基是指-OA102(其中，A102是所述C6-C60芳基)，所述C6-C60芳硫基(arylthio)是指-SA103(其中，A103是所述C6-C60芳基)。
在本说明书中“C7-C60芳烷基”是指-A104A105(其中，A104是C1-C54亚烷基，A105是C6-C59芳基)，在本说明书中C2-C60杂芳烷基是指-A106A107(其中，A106是C1-C59亚烷基，A107是C1-C59杂芳基)。
在本说明书中“R10a”可以为：
氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或者硝基；
被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C2-C60杂芳烷基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或其任意组合取代或未被取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或者C1-C60烷氧基；
被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C2-C60杂芳烷基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或其任意组合取代或未被取代的C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基或者C2-C60杂芳烷基；或者
-O(Q31)、-Si(Q31)、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-P(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或者-P(＝O)(Q31)(Q32)。
在本说明书中Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23以及Q31至Q33可以彼此独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；或者被氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合取代或未被取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基团或者C1-C60杂环基团。
在本说明书中杂原子是指除了碳原子以外的任意原子。所述杂原子的示例包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se或其任意组合。
在本说明书中第三行过渡金属(third-row transition metal)包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)以及金(Au)等。
在本说明书中“Ph”是指苯基、“Me”是指甲基、“Et”是指乙基、“tert-Bu”或“But”是指叔丁基、“OMe”是指甲氧基。
在本说明书中“联苯基”是指“被苯基取代的苯基”。所述“联苯基”属于取代基为“C6-C60芳基”的“被取代的苯基”。
在本说明书中“三联苯基”是指“被联苯基取代的苯基”。所述“三联苯基”属于取代基为“被C6-C60芳基取代的C6-C60芳基”的“被取代的苯基”。
在本说明书中，除非另有定义，否则*、*'以及*”意指在对应的化学式或者部分中与相邻的原子的结合位点。
以下，通过实施例对本发明的一实现例的发光元件进行更具体的说明。
[实施例]
评价例1
根据表1的方法对化合物PD01、化合物PD02、化合物PD03、化合物PD04、化合物PD06、化合物PD08、化合物B01、化合物B02以及化合物B03中的每一个的最高占据分子轨道(HOMO)能级(eV)、最低未占分子轨道(LUMO)能级(eV)、能带隙(eV)以及三重态金属-配体电荷转移状态(3MLCT)(％)进行了评价并将其结果示于表2。
[表1]
[表2]
由所述表2可以确认，化合物PD01、化合物PD02、化合物PD03、化合物PD04、化合物PD06以及化合物PD08的3MLCT为9％以上。
评价例2
将CH2Cl2溶液中的PMMA与化合物PD01(4wt％，相对于PMMA)混合后，将由此获得的产物利用旋涂机涂覆于石英基板上，然后在80℃的烘箱中进行热处理之后，冷却至室温，从而制备了40nm厚度的膜PD01。接着，除了分别使用了化合物PD02、化合物PD03、化合物PD04、化合物PD06、化合物PD08、化合物B01、化合物B02以及化合物B03来代替化合物PD01这一点之外，利用与所述膜PD01的制备方法相同的方法制备了膜PD02、膜PD03、膜PD04、膜PD06、膜PD08、膜B01、膜B02以及膜B03。
利用滨松(Hamamatsu)公司的Quantaurus-QY绝对PL量子产率光谱仪(Quantaurus-QY Absolute PL quantum yield spectrometer)(安装有xenon光源(xenonlight source)、单色仪(monochromator)、光子多通道分析器(photonic multichannelanalyzer)以及积分球(integrating sphere)，并采用了PLQY测量软件(滨松光子学株式会社，静冈市，日本(Hamamatsu Photonics,Ltd.,Shizuoka,Japan)))来测量了所述膜PD01、所述膜PD02、所述膜PD03、所述膜PD04、所述膜PD06、所述膜PD08、所述膜B01、所述膜B02以及所述膜B03中的每一个的发光光谱。测量时将激发波长从320nm至380nm以10nm的间隔进行扫描而进行了测量，从中采用在340nm的激发波长中测量的光谱，由此来算出包括在各个膜的化合物的最大发光波长(发光峰值波长)以及半峰全宽(FWHM)，并概括在了下表3中。
[表3]
评价例3
根据表1的方法对化合物ET-1至化合物ET-6以及化合物PET-1至化合物PET-6中的每一个的HOMO能级以及LUMO能级进行了评价，并将其结果示于表4。
另外，将化合物ET-1至化合物ET-6以及化合物PET-1至化合物PET-6中的每一个的空穴迁移率以及电子迁移率利用记载于“使用空间电荷限制电流研究N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)联苯胺的空穴迁移率(Hole mobility of N,N’-bis(naphtanlen-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)benzidine investigated by using space-charge-limitedcurrents)，'Appl.Phys.Lett.90,203512(2007)”的空间电荷限制电流(SCLC：Space-charge-limited current)的方法进行了评价，并将其结果示于表4。
[表4]
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实施例1
将形成有15Ω/cm2 的ITO作为阳极的玻璃基板(康宁(corning)公司产品)切割为50mm×50mm×0.7mm的尺寸，利用异丙醇和纯水分别进行超声清洗5分钟，然后照射紫外线30分钟，并通过暴露于臭氧进行清洗而设置到了真空沉积装置。
通过在所述阳极上真空沉积化合物HT3而形成厚度的空穴传输层，在所述空穴传输层上真空沉积化合物HT40而形成了/>厚度的发光辅助层。
通过在所述发光辅助层上以45:45:10的重量比真空沉积化合物H125、化合物H126以及化合物PD01(第一发射体)而形成了厚度的发光层。
通过在所述发光层上真空沉积化合物ET37而形成厚度的空穴阻挡层，在所述空穴阻挡层上以5:5的重量比真空沉积化合物ET-1以及化合物LiQ而形成了/>厚度的电子传输层。接着，在所述电子传输层上真空沉积Yb而形成/>厚度的电子注入层之后，真空沉积Ag以及Mg而形成/>厚度的阴极，从而制造了有机发光元件。/>
另一实施例及比较例
除了使用了表5至表10中记载的化合物来代替发光层中的PD01和/或电子传输层中的ET-1这一点之外，利用与所述实施例1相同的方法制造了在表5至表10中记载的实施例及比较例的有机发光元件。
评价例4
利用吉时利MU 236(Keithley MU 236)以及亮度计PR650测量了在采用如表5至表10中所记载的第一发射体以及电子传输层材料的实施例及比较例中制造的有机发光元件的驱动电压(V)、最大电力效率(cd/W)以及色坐标(CIE x以及CIE y)，并将其结果分别示于表5至表10。
[表5]
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[表6]
[表7]
/>
[表8]
[表9]
[表10]
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从所述表5至表10可以确认，相比于在比较例中制造的发光元件，在实施例中制造的发光元件具有改善的驱动电压以及最大电力效率。

Claims (20)

1.一种发光元件，包括：
第一电极；
第二电极，与所述第一电极对向；以及
中间层，布置于所述第一电极与所述第二电极之间，
其中，所述中间层包括发光层以及电子传输区域，
所述电子传输区域布置于所述发光层与所述第二电极之间，
所述发光层包括第一发射体，
所述第一发射体发出具有第一发光光谱的第一光，
所述第一发射体包括铂，
所述第一发射体的三重态金属-配体电荷转移态为7％以上，
所述三重态金属-配体电荷转移态是通过执行基于密度泛函理论的量子化学计算来进行的评价，
所述电子传输区域包括杂环化合物，
所述杂环化合物包括：
第一部分，包括由下述化学式8-1至下述化学式8-4中的一个来表示的基团；以及
第二部分，包括二嗪基团、三嗪基团或其任意组合，
所述第一部分和所述第二部分通过单键或第一连接基而彼此结合，
在所述化学式8-1至所述化学式8-4中，
X8为O、S或者Se，
＊为与所述第二部分结合的单键或与与所述第二部分结合的第一连接基之间的结合位点。
2.如权利要求1所述的发光元件，其中，
所述第一光的发光峰值波长为510nm至610nm。
3.如权利要求1所述的发光元件，其中，
所述第一光的半峰全宽为15nm至85nm。
4.如权利要求1所述的发光元件，其中，
所述第一发射体还包括与所述铂结合的第一配体，
所述第一发射体满足下述<条件A>至下述<条件C>中的至少一个：
<条件A>
所述第一配体为四齿配体，
通过所述铂与所述第一配体之间的化学键而形成的环金属化环为3个；
<条件B>
所述第一配体的碳、氮以及氧各自与所述铂彼此化学键合；
<条件C>
所述第一配体包括咪唑基团、苯并咪唑基团、萘并咪唑基团或其任意组合。
5.如权利要求1所述的发光元件，其中，
所述第一发射体是由下述化学式1表示的有机金属化合物：
<化学式1>
在所述化学式1中，
M为铂，
X1至X4彼此独立地为N或C，
T11至T14彼此独立地为化学键、O、S、B(R′)、N(R′)、P(R′)、C(R′)(R″)、Si(R′)(R″)、Ge(R′)(R″)、C(＝O)、B(R′)(R″)、N(R′)(R″)或P(R′)(R″)，
在T11为化学键的情形下，X1与M直接结合，在T12为化学键的情形下，X2与M直接结合，在T13为化学键的情形下，X3与M直接结合，在T14为化学键的情形下，X4与M直接结合，
X1或T11与M之间的化学键、X2或T12与M之间的化学键、X3或T13与M之间的化学键以及X4或T14与M之间的化学键中的两个化学键是配位键，其余两个化学键是共价键，
T1为单键、双键、＊-N(R5)-＊′、＊-B(R5)-＊′、＊-P(R5)-＊′、＊-C(R5a)(R5b)-＊′、＊-Si(R5a)(R5b)-＊′、＊-Ge(R5a)(R5b)-＊′、＊-S-＊′、＊-Se-＊′、＊-O-＊′、＊-C(＝O)-＊′、＊-S(＝O)-＊′、＊-S(＝O)2-＊′、＊-C(R5)＝＊′、＊＝C(R5)-＊′、＊-C(R5a)＝C(R5b)-＊′、＊-C(＝S)-＊′或＊-C≡C-＊′，
T2为单键、双键、＊-N(R6)-＊′、＊-B(R6)-＊′、＊-P(R6)-＊′、＊-C(R6a)(R6b)-＊′、＊-Si(R6a)(R6b)-＊′、＊-Ge(R6a)(R6b)-＊′、＊-S-＊′、＊-Se-＊′、＊-O-＊′、＊-C(＝O)-＊′、＊-S(＝O)-＊′、＊-S(＝O)2-＊′、＊-C(R6)＝＊′、＊＝C(R6)-＊′、＊-C(R6a)＝C(R6b)-＊′、＊-C(＝S)-＊′或＊-C≡C-＊′，
T3为单键、双键、＊-N(R7)-＊′、＊-B(R7)-＊′、＊-P(R7)-＊′、＊-C(R7a)(R7b)-＊′、＊-Si(R7a)(R7b)-＊′、＊-Ge(R7a)(R7b)-＊′、＊-S-＊′、＊-Se-＊′、＊-O-＊′、＊-C(＝O)-＊′、＊-S(＝O)-＊′、＊-S(＝O)2-＊′、＊-C(R7)＝＊′、＊＝C(R7)-＊′、＊-C(R7a)＝C(R7b)-＊′、＊-C(＝S)-＊′或＊-C≡C-＊′，
环CY1、环CY3以及环CY4彼此独立地为C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团，
X21为N或C(R21)，X22为N或C(R22)，X23为N或C(R23)，
X24为O、S、N(R24)或C(R24a)(R24b)，
R1、R21至R24、R24a、R24b、R3至R7、R5a、R5b、R6a、R6b、R7a、R7b、R′以及R″彼此独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60烷基、被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C60烯基、被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C60炔基、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60烷氧基、被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团、被至少一个R10a取代或未被取代的C6-C60芳氧基、被至少一个R10a取代或未被取代的C6-C60芳硫基、被至少一个R10a取代或未被取代的C7-C60芳烷基、被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C60杂芳烷基、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
a1、a3以及a4彼此独立地为0至20的整数中的一个，
＊及＊′分别为与相邻的原子的结合位点，
i)a1个R1中的两个基团、ii)R21至R23中的两个基团、iii)a3个R3中的两个基团、iv)a4个R4中的两个基团、v)R5a和R5b、vi)R6a和R6b以及vii)R7a和R7b能够分别选择性地通过单键、双键或第一连接基而彼此结合，从而能够形成被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团，
所述R10a为，
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；
被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C2-C60杂芳烷基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或其任意组合取代或未被取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基；
被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C2-C60杂芳烷基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或其任意组合取代或未被取代的C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基或C2-C60杂芳烷基；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，
所述Q1至所述Q3、所述Q11至所述Q13、所述Q21至所述Q23以及所述Q31至所述Q33彼此独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；或者被氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合取代或未被取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基团或者C1-C60杂环基团。
6.如权利要求5所述的发光元件，其中，
X1和X3各自为C，
X2和X4各自为N。
7.如权利要求6所述的发光元件，其中，
T11为O或S，
T12至T14各自为化学键。
8.如权利要求1所述的发光元件，其中，
所述电子传输区域包括电子传输层，
在所述电子传输层中包括所述杂环化合物。
9.如权利要求8所述的发光元件，其中，
所述电子传输层与所述发光层直接接触。
10.如权利要求1所述的发光元件，其中，
所述电子传输区域包括空穴阻挡层及电子传输层，
所述空穴阻挡层布置于所述发光层与所述电子传输层之间，
在所述空穴阻挡层中不包括所述杂环化合物，
在所述电子传输层中包括所述杂环化合物。
11.如权利要求1所述的发光元件，其中，
所述杂环化合物是由下述化学式8表示的化合物：
<化学式8>
在所述化学式8中，
X14为N或C(Z4)，X15为N或C(Z5)，X16为N或C(Z6)，
X14至X16中的两个以上为N，
Ar1至Ar3彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或者被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团，
x1至x3彼此独立地为0至10的整数中的一个，
i)在x1为0的情形下，＊-(Ar1)x1-＊′为单键，ii)在x2为0的情形下，＊-(Ar2)x2-＊′为单键，iii)在x3为0的情形下，＊-(Ar3)x3-＊′为单键，＊及＊′分别为与相邻的原子的结合位点，
Ar13为由下述化学式8-1至下述化学式8-4中的一个表示的基团，
Z1至Z6彼此独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60烷基、被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C60烯基、被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C60炔基、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60烷氧基、被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团、被至少一个R10a取代或未被取代的C6-C60芳氧基、被至少一个R10a取代或未被取代的C6-C60芳硫基、被至少一个R10a取代或未被取代的C7-C60芳烷基、被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C60杂芳烷基、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
y1至y3彼此独立地为0至5的整数中的一个，
所述R10a为，
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；
被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C2-C60杂芳烷基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或其任意组合取代或未被取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基；
被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C2-C60杂芳烷基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或其任意组合取代或未被取代的C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基或C2-C60杂芳烷基；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，
所述Q1至所述Q3、所述Q11至所述Q13、所述Q21至所述Q23以及所述Q31至所述Q33彼此独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；或者被氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合取代或未被取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基团或者C1-C60杂环基团，
在所述化学式8-1至所述化学式8-4中，
X8为O、S或Se，
＊为与所述化学式8中的Ar3的结合位点。
12.如权利要求11所述的发光元件，其中，
x1及x2中的至少一个为2以上。
13.如权利要求11所述的发光元件，其中，
x1和x2彼此独立地为1至10的整数中的一个，
x3为0、1或2，
Ar1至Ar3彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的苯基团、萘基团、菲基团、蒽基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、咔唑基团、芴基团或吡啶基团。
14.一种发光元件，包括：
第一电极；
第二电极，与所述第一电极对向；以及
中间层，布置于所述第一电极与所述第二电极之间，
其中，所述中间层包括发光层以及电子传输区域，
所述电子传输区域布置于所述发光层与所述第二电极之间，
所述发光层包括第一发射体，
所述第一发射体发出具有第一发光光谱的第一光，
所述第一发射体为由下述化学式1表示的有机金属化合物，
所述电子传输区域包括杂环化合物，
所述杂环化合物包括：
第一部分，包括由下述化学式8-1至下述化学式8-4中的一个来表示的基团；以及
第二部分，包括二嗪基团、三嗪基团或其任意组合，
所述第一部分和所述第二部分通过单键或第一连接基而彼此结合，
<化学式1>
在所述化学式1中，
M为铂，
X1至X4彼此独立地为N或C，
T11至T14彼此独立地为化学键、O、S、B(R′)、N(R′)、P(R′)、C(R′)(R″)、Si(R′)(R″)、Ge(R′)(R″)、C(＝O)、B(R′)(R″)、N(R′)(R″)或P(R′)(R″)，
在T11为化学键的情形下，X1与M直接结合，在T12为化学键的情形下，X2与M直接结合，在T13为化学键的情形下，X3与M直接结合，在T14为化学键的情形下，X4与M直接结合，
X1或T11与M之间的化学键、X2或T12与M之间的化学键、X3或T13与M之间的化学键以及X4或T14与M之间的化学键中的两个化学键是配位键，其余两个化学键是共价键，
T1为单键、双键、＊-N(R5)-＊′、＊-B(R5)-＊′、＊-P(R5)-＊′、＊-C(R5a)(R5b)-＊′、＊-Si(R5a)(R5b)-＊′、＊-Ge(R5a)(R5b)-＊′、＊-S-＊′、＊-Se-＊′、＊-O-＊′、＊-C(＝O)-＊′、＊-S(＝O)-＊′、＊-S(＝O)2-＊′、＊-C(R5)＝＊′、＊＝C(R5)-＊′、＊-C(R5a)＝C(R5b)-＊′、＊-C(＝S)-＊′或＊-C≡C-＊′，
T2为单键、双键、＊-N(R6)-＊′、＊-B(R6)-＊′、＊-P(R6)-＊′、＊-C(R6a)(R6b)-＊′、＊-Si(R6a)(R6b)-＊′、＊-Ge(R6a)(R6b)-＊′、＊-S-＊′、＊-Se-＊′、＊-O-＊′、＊-C(＝O)-＊′、＊-S(＝O)-＊′、＊-S(＝O)2-＊′、＊-C(R6)＝＊′、＊＝C(R6)-＊′、＊-C(R6a)＝C(R6b)-＊′、＊-C(＝S)-＊′或＊-C≡C-＊′，
T3为单键、双键、＊-N(R7)-＊′、＊-B(R7)-＊′、＊-P(R7)-＊′、＊-C(R7a)(R7b)-＊′、＊-Si(R7a)(R7b)-＊′、＊-Ge(R7a)(R7b)-＊′、＊-S-＊′、＊-Se-＊′、＊-O-＊′、＊-C(＝O)-＊′、＊-S(＝O)-＊′、＊-S(＝O)2-＊′、＊-C(R7)＝＊′、＊＝C(R7)-＊′、＊-C(R7a)＝C(R7b)-＊′、＊-C(＝S)-＊′或＊-C≡C-＊′，
环CY1、环CY3以及环CY4彼此独立地为C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团，
X21为N或C(R21)，X22为N或C(R22)，X23为N或C(R23)，X24为O、S、N(R24)或C(R24a)(R24b)，
R1、R21至R24、R24a、R24b、R3至R7、R5a、R5b、R6a、R6b、R7a、R7b、R′以及R″彼此独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60烷基、被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C60烯基、被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C60炔基、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60烷氧基、被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团、被至少一个R10a取代或未被取代的C6-C60芳氧基、被至少一个R10a取代或未被取代的C6-C60芳硫基、被至少一个R10a取代或未被取代的C7-C60芳烷基、被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C60杂芳烷基、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
a1、a3以及a4彼此独立地为0至20的整数中的一个，
＊及＊′分别为与相邻的原子的结合位点，
i)a1个R1中的两个基团、ii)R21至R23中的两个基团、iii)a3个R3中的两个基团、iv)a4个R4中的两个基团、v)R5a和R5b、vi)R6a和R6b以及vii)R7a和R7b能够分别选择性地通过单键、双键或第一连接基而彼此结合，从而能够形成被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团，
所述R10a为，
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；
被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C2-C60杂芳烷基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或其任意组合取代或未被取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基；
被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C2-C60杂芳烷基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或其任意组合取代或未被取代的C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基或C2-C60杂芳烷基；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，
所述Q1至所述Q3、所述Q11至所述Q13、所述Q21至所述Q23以及所述Q31至所述Q33彼此独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；或者被氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合取代或未被取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基团或者C1-C60杂环基团，
在所述化学式8-1至所述化学式8-4中，
X8为O、S或Se，
＊为与所述第二部分结合的单键或与与所述第二部分结合的第一连接基之间的结合位点。
15.如权利要求14所述的发光元件，其中，
X1和X3各自为C，
X2和X4各自为N。
16.如权利要求14所述的发光元件，其中，
T11为O或S，
T12至T14各自为化学键。
17.一种电子装置，包括如权利要求1至16中的任一项所述的发光元件。
18.如权利要求17所述的电子装置，还包括：
滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。
19.一种电子设备，包括如权利要求1至16中的任一项所述的发光元件。
20.如权利要求19所述的电子设备，其中，
所述电子设备为平面面板显示器、曲面显示器、计算机显示器、医疗用显示器、电视、广告牌、室内照明、室外照明、信号用灯、平视显示器、全透明显示器、部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可拉伸显示器、激光打印机、电话机、便携式电话、平板计算机、平板手机、个人数字助理、可穿戴式设备、笔记本计算机、数码相机、摄像机、取景器、微型显示器、3D显示器、虚拟现实显示器、增强现实显示器、车辆、包括多个显示器拼接在一起的视频墙、剧院屏幕、体育场屏幕、光疗设备以及招牌中的一种。
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